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Processo de obteno do wafer Obteno de silcio mono cristalino Semente de silcio monocristalino Silcio puro fundido Ao contato com

a semente o silcio fundido comea a cristalizar seguindo a orientao dos cristais da semente. Aps o lingote adquirir o dimetro desejado ele comea a ser puxado para cima. Corte, marcao xy Cada Wafer passa individualmente por um processo de polimento, tanto da borda quanto da superfcie. Processo de fabricao de CIs Antes do corte dos wafers efetuado um corte de marcao da orientao dos eixos XY Comea com um wafer em branco. Para construo de um inversor de baixo para cima primeiro passo formar o n-well (poo N) Cobre-se o wafer com uma camada protetora de SiO2 (oxido de silcio) Remove-se a camada de onde se deseja criar o n-well Implanta ou difunde os dopantes N no wafer exposto Remove-se o SiO2 Cresce-se o SiO2 em cima do wafer de silcio (900C 1200C com H2O ou O2 em um forno de oxidao). Girar em fotorresiste fotorresiste sensvel luz polmero orgnico Suaviza quando expostos luz Exponha fotorresiste atravs de n-well mscara Retirem-se fotorresiste exposto xido Etch com cido fluordrico (HF) penetra atravs da pele e come osso, coisa desagradvel! Somente xido de ataques onde resistem tenha sido exposto Retirem-se fotorresiste restante Uso de mistura de cidos chamados piranah etch necessrias para resistir no derrete na prxima etapa n-poo formado com o implante de difuso ou de ies Difuso wafer Coloque no forno com o gs arsnico Calor at Como tomos de difundir-se exposta Si Ion Implanatation wafer exploso com feixe de ons como ons bloqueados pelo SiO2, s entra exposto Si