INSTITUTO TECNOLGICO DE PUEBLA FSICA IV PROFESOR: VCTOR MANUEL PERUSQUA ROMERO TRABAJO: BJT (PNP) COLECTOR COMN EQUIPO 6

INTRODUCCIN Definicin: El Transistor de Unin bipolar, abreviado como BJT, es un dispositivo electrnico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 uniones PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La caracterstica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en el circuito de salida mediante una corriente en el circuito de entrada. El transistor de unin bipolar, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

Los BJT poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P N respectivamente.

 ste conjunto formar dos uniones PNP: Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor ser del tipo PNP.

Transistor tipo PNP

OPERACIN DEL TRANSISTOR La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor PNP. La operacin del transistor NPN es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la Figura A se ha redibujando el transistor PNP sin la polarizacin base a colector. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura A.- Unin polarizada directamente de un transistor PNP.

Figura B.- Unin polarizada inversamente de un transistor PNP.

Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura B. En resumen, por tanto: Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta polarizacin directa. En la Figura C, ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor PNP, con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. Ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente. Como se indica en la figura 7, un gran nmero de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p-n polarizada directamente dentro del material tipo n.

Figura C.- Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 7 como si fuera un solo nodo, obtenemos IE = IC + IB Y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 7. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la Terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuacin. IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en mili amperes, en tanto que ICO se mide en micro amperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos

amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn. Vase Figura D.

Figura D.- Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn. La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por + 1. = IC/IB Configuracin de colector comn utilizado para propsitos de acoplamiento de impedancia. CARCTERISTICAS Colector Comn Seguidor de tensin

Modelo Grfico.

Todas las intensidades entran al transistor, como se ha comentado anteriormente.

PROCEDIMIENTO ANALTICO PARA EL CLCULO DEL PUNTO DE OPERACIN Punto de Operacin (Q) En este punto se va a incidir de nuevo sobre ello, aunque de forma muy breve, lo que nos permitir introducir el concepto de recta de carga en continua y al mismo tiempo conectar con los temas de ubicacin y estabilidad del punto Q. El anlisis del punto de trabajo de un dispositivo, como ya se sabe, se puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analtica (realizando un anlisis matemtico de todas las ecuaciones implicadas) o grfica ( recta de carga en continua). Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste bsicamente en obtener el valor delas diferentes tensiones y corrientes que se establecen como incgnitas en el funcionamiento el mismo. El mtodo analtico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece teniendo en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el funcionamiento del dispositivo; las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del mismo, segn la regin de funcionamiento (circuito equivalente); y las relaciones elctricas del circuito de polarizacin usado.

Si se desea realizar el anlisis grfico, hay que disponer en primer lugar de las curvas de funcionamiento del transistor (curvas caractersticas de entrada y salida), que se podran obtener tambin como representacin de las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor. Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua (impuesta por el circuito elctrico externo del transistor), y los puntos de interseccin de esta recta con las curvas del dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q. El siguiente paso es determinar exactamente cul de esos posibles puntos es el de funcionamiento.

EJEMPLOS NMERICOS RESUELTOS EJERCICIO 1 Determinar IB , IC , VCEQ para la siguiente red.

Solucin: La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dar por resultado: -IBRB VBE IERE+ VCC = 0 Pero: IE = ( + 1) * IB VEE - VBE - ( + 1) * IBRE - IBRB = 0 IB = (VEE - VBE) / (RB + ( + 1) * RB) Sustituyendo valores: IB = (30V 0.7 V) / (460K + (46)*(2K) IB = 0.532 A IC = * IB = 45 * (0.532 * 10-6) = 0.2394 A Ic max= Vcc / Rc = 30 volts / 2000 = 15 mA

La aplicacin de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: - VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = ( + 1) * IB VCE = VEE - ( + 1) * IBRE VCE = 30V (46) * (0.532A) * (2K) = 29.95V

EJERCICO 2 El amplificador de la figura 4.20a contiene un transistor PNP en configuracin colector comn, obtener el punto Q. Solucin: Aplicando la ley de Kirchhoff a lo largo de camino que evita las fuentes de corriente da -9+1K (31IB) + 51k IB + 0.7 +2.4k (31IB)=0 Resolviendo da IB = 53.1uA e IC =1.59mA. La tensin del nodo emisor es VE = 0 2.4k (31IB)=-3.95V Y la tensin del nodo del colector es VC =-9 + 1k (31)53.1x 10exp-6= -7.35V Por lo tanto, VCE =-7.35V-(-3.95V)=-3.40V. La figura 4.20c muestra el punto de funcionamiento sobre las caractersticas de salida y esto confirma el funcionamiento activo.

EJERCICIO 3 En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con 1 = 50 y 2 = 20, determinar: a) Punto de funcionamiento (IC, VCE) de cada uno de los transistores para Vi 10V. b) Valor mnimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2.

Solucin: a) Pto. Trabajo / Vi = 10V Thevenin en la base de T1:

Ecuacin malla base T1 0,8Vi = IB1 RT + VBE1 + (IE1 + IC2)RC = IB1RT + VBE1 + ((1 + 2)IB1 + 21IB1)RC ((Es un montaje Darlington en el sentido de que = 1 2)) Para Vi = 10V: 8 = IB1 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1) 10 IB1 = 0,693A IC1 = 1 IB1 = 0,0346mA = IB2 IC2 = 2 IB2 = 0,693mA Malla de colector de T2 VCC = IE2 RE + VEC2 + (IE1 + IC2) RC VEC2 = . . . = 15,45V Activa. VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V Activa, suposicin correcta. b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto. func.

Malla colector T1: VCE = (1 + 2)1 IB1 RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + 1)IB1 + 12IB1] RC 30 = 21 50 IB1 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1] 10 IB1 = IB1 SAT = 1,385A IC1 SAT = IB1 SAT = 0,0692mA IC2 = IB2 = 1,385mA

VCE1 = VCE SAT 1 = 0,2V VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V 0,8Vi = IB1 RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2) RC Vi = 19,22V

EJERCICIO 4 Esta rama no es otra que la que es comn a las dos mayas y se encuentra, en este caso, conectada al emisor del transistor, por lo cual decimos que el mismo es emisor comn. Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo, claro esta, la unin de las dos mayas. Podemos plantear la ecuacin de cada uno de los subcircuitos. VbbIb*RbVd=0 y Vcc Ic*RcVce, donde Vce es la tensin que cae en nuestro componente equivalente. Basndonos en los datos que conocemos calculamos: 2VIb*10K-0,7V=0 1,3V=Ib*10K Ib=1,3V/10K Ib=0,13ma. Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=*Ib, con un =100, podemos decir que Ic=100*0,13ma Ic=13ma. Reemplazamos los valores en la ecuacin de la segunda maya: 12V13ma*0,5K-Vce=0 Vce=12V6,5V Vce=5,5V. Lo nico que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de las corrientes que circulan por las dos mayas, entonces podemos decir que Ie=Ic+Ib Ie=0,13ma+13ma Ie=13,13ma. Basados en el circuito anterior, plantearemos una tabla que nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones. En la primera fila el transistor se encuentra en corte, en la segunda y tercera en zona activa y en las dos ltimas se encuentra saturado

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EJERCICIO 5 Determinar IB , IC , VCEQ para la siguiente red.

25

260

5K

50 V

Solucin: La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dar por resultado: -IBRB VBE IERE+ VCC = 0 Pero: IE = ( + 1) * IB VEE - VBE - ( + 1) * IBRE - IBRB = 0 IB = (VEE - VBE) / (RB + ( + 1) * IB) Sustituyendo valores: IB = (5V 1.7 V) / (260K + (25)*(5K) IB = 8.57*10-3 A IC = * IB =50 * (8.57*10-9) = 0.2571 A

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Ic max= Vcc / Rc = 40 volts / 2000 = 15 mA La aplicacin de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: - VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = ( + 1) * IB VCE = VEE - ( + 1) * IBRE VCE = 50V (25) * (8.57*10-9 ) * (5K) = 49.99V

EJERCICIO 6 Para la red de la figura, determine: a) Zi b) Z0 d) Av e) Ai

a) Zi = RE || hib = 2.2 k || 14.3 = 14.21 (vemos que Zi hib) b) c)

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d) Ai hfb = -1

EJERCICIO 7 Determinar VC y VB para la siguiente red. Solucin: La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dar por resultado: IBRB + VBE VCC = 0 IB = VCC - VBE / RB Sustituyendo valores: IB = 9V 0.7 V / 100K IB = 83 A Para IC se realiza lo siguiente: IC = * IB IC = 45 * (83 * 10-6) = 3.73 mA

La aplicacin de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC VC = (1.2 K) (3.73mA) = 4.48V VB = IBRB VB = (83 * 10-6) (100 K) = 8.3V

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EJERCICIO 8 Determinar VCEQ para la siguiente red.

La aplicacin de la ley de Kirchhoff al circuito de entrada:

La aplicacin de la ley de Kirchhoff al circuito de salida

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PROBLEMA 9 Para el siguiente circuito calcular Ib, Ie, Ic con su simulacin.

R1=20k R2=2K Vcc=3v Vce=18v

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PROBLEMA 10 1METODO LEYES DE KIRCHOFF 2 PROCEDIMIENTO

UBICAR LAS MALLAS DIRECCIONAR LAS CORRIENTES APLICAR LAS LEYES DE KIRCHOFF DESPEJAR OBTENIDA LA CORRIENTE DE BASE VOLVEMOS A LA ECUACION DE KIRCHOFF ORIGINAL DESPEJAMOS Vce OBTENEMOS PUNTO Q

3ANALISIS DEL CIRCUITO Del siguiente circuito calcular el punto Q de trabajo para que pueda amplificar.

10-.7/3K+30+1(150K)=1.99 A 30*1.9( )=59.6 A

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-10-(59.6A)(3K)-(61.6A)(2K)=-10.3 La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dar por resultado: IBRB + VBE VCC = 0 IB = VCC - VBE / RB Sustituyendo valores: Para IC se realiza lo siguiente: La aplicacin de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC

4POLARIZAR PUNTO DE OPERACIN

5 grafica (RECTA DE CARGA)

6 SIMULACIN

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CUESTIONARIO 1.- Qu es un BJT? 2.- Cuntas y cules son las terminales de este dispositivo? 3.- Cundo un BJT es del tipo PNP o NPN? 4.- Dibuja las diferentes configuraciones del BJT 5.- Menciona los tres tipos de polarizacin para el BJT 6.- En que se utiliza la configuracin de colector comn y por qu? 7.- Dibuja el diagrama de configuracin de colector comn. 8.- Cmo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? 9.- Qu es la zona de saturacin? 10.- Qu es la zona de corte?

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CUESTIONARIO 1.- Qu es un BJT? R= es un dispositivo electrnico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. 2.- Cuntas y cules son las terminales de este dispositivo? R= Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). 3.- Cundo un BJT es del tipo PNP o NPN? R= Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor ser del tipo NPN. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor ser del tipo PNP. 4.- Dibuja las diferentes configuraciones del BJT R=

5.- Menciona los tres tipos de polarizacin para el BJT R= Polarizacin por Base, Polarizacin por Realimentacin del Colector, Polarizacin por Divisor de Tensin. 6.- En que se utiliza la configuracin de colector comn y por qu?

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R= Se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn 7.- Dibuja el diagrama de configuracin de colector comn. R= Configuracin de colector acoplamiento de impedancia comn utilizado para propsitos de

8.- Cmo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? R= Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de polarizar la unin J1 directamente y la unin J2 inversamente.

9.- Qu es la zona de saturacin? R= El punto de saturacin es el punto en que la recta de carga corta la zona de saturacin de las curvas de salida. Como la tensin colector-emisor en saturacin es muy pequea, el punto de saturacin es casi idntico al extremo superior de la recta de carga. 10.- Qu es la zona de corte? R= El punto de corte es el punto en el que la recta carga corta a la zona de corte de las curvas de salida. Como la corriente de colector en corte es muy pequea, el punto de corte es casi idntico al extremo inferior de la recta de carga.

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REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Ttulo: Principios de electrnica Autor: Malvino Albert Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresin: Mxico N de edicin: Quinta Captulos: 24 N de pginas: 1048 Ttulo: Electrnica transistorizada e integrada Autor: Milton S. Kiver Editorial: Marconbo Lugar de impresin: Espaa N de edicin primera Captulos: 14 No de pginas: 650 Ttulo: Circuitos electrnicos (anlisis, simulacin y diseo) Autor: Robert R. Malik Editorial: Prentice Hall Lugar de impresin: Espaa Captulos: 14 y 3apendices No de edicin: primera No de pginas: 1123 Ttulo: Dispositivos Semiconductores Autor: Jasprin Singh Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresin: Mxico Captulos: 7 No de edicin: primera No de pginas: 629 Ttulo: Circuitos electrnicos aplicaciones Autor: Bernard Grob Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresin: Mxico Captulos: 18 No de edicin: primera No de pginas: 358 y

REFERENCIAS ELECTRNICAS http://www.doctorproaudio.com/doc tor/temas/impedancia.htm (CONSULTADA EL 20/07/2011) http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/s emic/applets/pagina_tbj/pag_tbj.ht m (CONSULTADA EL 20/07/2011)

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