DCE - Cap.10.

DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

89

Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

10.1. GENERALITI n aceast categorie intr dispozitivele ce transform energia electric n radiaii i invers. Pot fi mprite n trei categorii: 1. - fotodetectoare detecteaz semnalele optice prin procese electrice. Ex.: fotorezistoarele, fotodiodele, fototranzistoarele i fototiristoarele. 2. - celule fotovoltaice (celule solare, fotoelemente) transform radiaiile optice n energie electric. 3. - electroluminescente transform energia electric n radiaie optic. Ex.: diodele fotoemisive (LED-uri), laserul cu semiconductor. Se folosesc la instalaii de automatizare, telecomand, afiaj numeric, fibre optice. Dispozitivele fotodetectoare i celulele fotovoltaice funcioneaz pe baza procesului de generare a purttorilor mobili sub aciunea radiaiilor numit efect fotoelectric intern. Curentul invers rezidual ntr-o jonciune p-n este datorat purttorilor minoritari. Energia care elibereaz aceste perechi electron-gol este n mod normal pur termic. ns dac se permite luminii s cad pe o jonciune, se obine o cretere mare a numrului de purttori minoritari. Electronii i golurile sunt eliberai de energia fotonilor incideni, producnd o cretere mare a curentului invers rezidual. Dispozitivele electroluminescente funcioneaz pe baza procesului de recombinare radiativ a purttorilor n exces dintr-un semiconductor, iar concentraia excedentar poate fi realizat prin injecie, cu ajutorul unei jonciuni p-n. 10.2. FOTOREZISTORUL Const dintr-o pelicul semiconductoare policristalin. n absena fluxului luminos rezistena are o valoare mare ( 1M). Cnd fotorezistorul este iluminat R scade pn la valori de ordinul a 100 (la iluminri puternice sensibilitatea lui variaz cu lungimea de und a radiaiilor). Exist o ntrziere ntre variaia iluminrii i variaia rezistenei datorit timpului de via al purttorilor n exces.

Fig. 10.1 10.3. FOTODIODA

90

DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

Fig. 10.2 O fotodiod const dintr-o jonciune p-n polarizat invers montat ntr-o capsul prevzut cu o fereastr transparent. n absena fluxului luminos, jonciunea polarizat invers este strbtut de curentul de saturaie (de ntuneric) care este 1 la Ge i 1 nA la Si. Cnd jonciunea este iluminat, apare un curent proporional cu iluminarea; de exemplu curentul crete la circa 1A la Si pentru o iluminare cu intensitatea de 1 mW / cm2 . Aceasta este intensitatea tipic dat de un bec de 60 W la o distan de circa 30 cm (200 lux). Curentul maxim din montaj I A max = ROL021, 121...127. 10.4. FOTOTRANZISTORUL Un dezavantaj al fotodiodelor l constituie sensibilitatea lor relativ sczut. Un fototranzistor este un tranzistor normal, prevzut n capsul cu o fereastr transparent. Unele fototranzistoare sunt montate ntr-un plastic transparent; partea superioar este convex, pentru a aciona ca o lentil, focaliznd lumina pe tranzistor i astfel ducnd la creterea sensibilitii dispozitivului, totodat fcndu-l direcional. Cnd cade lumina pe tranzistor, purttorii minoritari sunt eliberai la ambele jonciuni, dar cei ai jonciunii colector - baz, polarizate invers, dau natere fotocurentului. Fototranzistorul poate fi privit ca o Fig. 10.3 fotodiod cu amplificator nglobat n structura semiconductoare; jonciunea C-B este fotodioda de baz (pe care cade lumina) iar jonciunea E-B are rolul de a amplifica fotocurentul prin efectul de tranzistor. Curentul de ntuneric este I CE 0 = ( + 1)I CB0 , deci mai mare fa de cel de la diod, iar sensibilitatea este de (+1) ori mai mare dect la fotodiod. Terminalul de baz este n mod normal nefolosit, multe fototranzistoare prezentnd doar dou terminale externe: colectorul i emitorul. Ex.: ROL 031...036. 10.5. FOTOTIRISTORUL Fluxul luminos se aplic pe regiunea bazelor tranzistoarelor echivalente tiristorului i are acelai efect ca o tensiune de comand pe poarta unui tiristor obinuit. Ex.: ROL37 (A,B).

EA . Ex.: RS

Fig. 10.4

DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

91

10.6. CELULE FOTOVOLTAICE (SOLARE, FOTOELEMENTE) Const dintr-o jonciune p-n de arie mare din Si, GaAs etc. Randamentul de transformare a energiei luminoase n energie electric este de 10%. O celul avnd suprafaa de 1 cm2 poate furniza 20 mW la U = 0,5 V cnd este expus la soare. Ex.: ROL 11...17, ROL 41...50.

Fig. 10.5

10.7. DIODE FOTOEMISIVE (ELECTROLUMINESCENTE, LED-uri) Sunt diode semiconductoare ce emit radiaii luminoase cnd sunt polarizate direct. Se folosesc ca dispozitive de afiaj sau elemente de cuplaj optoelectronic. Idirect = 1...100 mA; U = 1...2 V; randamentul de transformare a energiei electrice n radiaii luminoase este 1...5 %. Materialele utilizate sunt GaAs pentru infrarou sau Fig. 10.6 Ga(AsP) pentru rou, portocaliu, galben, verde, albastru. LED-urile de culoare albastr sunt scumpe i rare. Ex.: ROL 02, 03 (rou), 05 (portocaliu), 07 (galben), 09 (verde), 91 (infrarou); MDE 1101R, G, V, P Element de afiare cu 7 segmente (7 diode LED) Ex.: - cu catod comun: MDE 2111R, V, G, P - cu anod comun: MDE 2101R, V, G, P Optocuplor LED - fototranzistor (sau optoizolator). Fig. 10.7

Fototranzistorul capteaz variaiile de intensitate luminoas emise de dioda LED, permind cuplajul prin "lumin" ntre dou circuite izolate complet din punct de vedere electric. Se folosete pentru separare galvanic. Se garanteaz uzual Fig. 10.8 izolaii de 2,5 kV ntre LED i fototranzistor. Poate fi cu 4 sau 5 (6) terminale (baza poate fi scoas n exterior sau nu). Se pot transmite prin ele semnale digitale i chiar liniare. Ex.: ROL 61, MB104D.