Audio y Video

Introduccin

Al valorar los adelantos tecnolgicos en las ltimas dcadas, nos damos cuenta, sin lugar a dudas, el avance tcnico en lo que corresponde al audio y video. Por lo tanto en los ltimos aos se ha generado la necesidad de profundizar el conocimiento de la reparacin de equipos electrnicos.

Al prepararnos como futuros profesionales en el rea de audio y video Indica que se debe tener una gran responsabilidad, desempeo y sobre todo una perspectiva holstica; se debe tomar en cuenta que se desarrollar el proceso de observacin del ambiente de trabajo y el quehacer diario de un tcnico.

Es de suma importancia destacar que uno de los objetivos de este informe es identificar las ventajas, desventajas y procesos a seguir paso a paso para convertirnos en futuros profesionales.

En dicho documento vamos a clarificar y profundizar sobre los temas a tratar por medio de ejemplos, tcnicas y formulas paso a paso para lograr una mejor comprensin del mismo.

Notacin Cientfica
Por las magnitudes relativas de las diversas unidades de medida , debe resultar evidente que se encuentran con frecuencia nmeros muy grandes y muy pequeos al estudiar las ciencias.

Para reducir las operaciones matemticas con nmeros de tamaos extremadamente grandes o pequeos, se suele utilizar la notacin cientfica. En esta notacin se aprovechan las propiedades matemticas de las potencias de 10.La notacin utilizada para representar nmeros que son potencias de 10 es como sigue a continuacin. 1 = 100 10 = 101 100 = 102 1 000 = 103 1 / 10 = 1 / 100 = 1 / 1 000 = 1 / 10 000 = 0.1 = 0.01 = 0.001 = 0.0001 = 10^-1 10^-2 10^-3 10^-4

Un mtodo rpido para determinar la potencia apropiada de 10,consiste en poner una marca de intercalacin a la derecha del numero 1,dondequiera que se encuentre y contar desde ese punto el numero de lugares a la derecha o a la izquierda ,antes de llegar al punto decimal. El desplazamiento hacia la derecha indica una potencia positiva de 10, mientras que hacia la izquierda se tiene una potencia negativa. Ya que algunas de esas potencias de 10 aparecen con mucha frecuencia, se ha adoptado una forma escrita abreviada (que se indica en la tabla 1.2) y que, cuando se escribe en relacin con una unidad de medida, elimina la necesidad de incluir la potencia de 10 en forma numrica.

10 000.0 = 101 02 03 04 = 104 0.00001 = 0.5 04 03 02 01 = 10-5

Potencia de 10 106 103 10-3 10-6 10-9 10-12

Prefijo mega Kilo mili micro nano Pico ( micro micro )

Abreviatura M K m n P()

En seguida veamos unos cuantos ejemplos que demuestran el uso de potencias de diez con nmeros arbitrarios. Cuando se trabaja con nmeros arbitrarios, se pueden separar las operaciones que incluyen potencias de diez de las de los nmeros cardinales

0.000000.2 x10 ^ 4= 0.002= 2x10 ^ 3 Suma: 6300+75400 = (6.3) (1000) + (75.4) (1000)

= 6.3X10^3 + 75.4 X 10^3 = (6.3+75.4) X 10^3 = 81.7 X 10^3 Resta: 964 700 - 40600 = (96.47) (10000) - (4.06)(10000)

=96.47 x 10^4 - 4.06 x 10^4 = 92.41 x 10^4 Multiplicacin:

= (96.47 4.06) x 10^4

(0.0002) (0.000007)

= ((2) (0.0001)) ((7) (0.000001)) = (2X10^-4) (7X10^-6) = 14X10^-10 = = (2) (7) X (10^-4) (10^-6) (340000) (0.00061) = (3.4) (61) X (10^5) (10^-5)

= (3.4X10^5) (61X10^-5 =207.4 Divisin: 0.000478 =

47.8x10^-5 = (47.8) x (10^-5) = 23.9x10^-2

0.002

2x10^-3

10^-3

690 000 0.00000013

= 69x10^4 13x10^-8

(69) x (10^4) 13 10^-8

Tabla de valores Notacin Cientfica

prefijo Exa Peta Tera Giga Mega Kilo Hecto Deca deci centi mili micro nano pico femto atto

significado 10^18 10^15 10^12 10^9 10^6 10^3 10^2 10^1 10^-1 10^-2 10^-3 10^-6 10^-9 10^-12 10^-15 10^-18

valor

abreviatura

1000000000000000000 E 1000000000000000 1000000000000 1000000000 1000000 1000 100 10 0.1 0.01 0.001 0.000001 0.000000001 0.000000000001 0.00000000000000 P T G M K H D d c m y n p f

0.000000000000000001 a

Diferentes magnitudes elctricas

Tensin = voltaje = smbolo V Corriente = amperio = smbolo A Resistencia = unidad ohmio = smbolo Potencia = unidad watts = smbolo W Tensin o voltaje: significa lo mismo que voltaje, sea la fuerza en la que viajan los electrones; es una magnitud fsica que impulsa a los electrones a lo largo de un conductor en un circuito cerrado Corriente: Es el flujo de electrones x unidad de tiempo que recorre un material Resistencia: Es la oposicin que ofrece un material al paso de los electrones Potencia: Es la relacin que existe entre la tensin y la corriente

Definiciones de ION, ANION; CATION:

ION: Ionizaciones es el fenmeno x el cual un tomo pierde o gana electrones lo cual le causa una carga elctrica, dependiendo su desintegracin puede ser anin o catin. ANION: Ion con carga negativa (-), sea gano electrones. CATION: Ion con carga positiva (+), sea perdi electrones. FOTONES: Es la partcula mnima de luz que se propaga en el vacio. Ejemplo: luz ultravioleta, luz visible, luz infrarroja, microondas, rayos laser etc.

Trminos bsicos de electrnica

-Conductor elctrico: son los encargados de conducir la electricidad adecuadamente hacia todos los circuitos entre ellos tenemos el oro, la plata y el cobre. -Semiconductor: ejemplo: un diodo.

-Aislante elctrico: es el recubrimiento que posee un cable para evitar descargas elctricas. -Corriente elctrica, voltaje, resistencia. -Circuito abierto, cerrado y corto circuito. -Circuito en serie y paralelo. -Circuito mixto.

Circuito mixto Es la unin de un circuito en serie y paralelo

Semiconductor: Es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiente de la temperatura y de las condiciones en las que se encuentra.

Circuito: Una serie de elementos o componentes elctricos o electrnicos

Circuito en serie: Circuito que esta formado por cualquier cantidad de elementos unidos en 2 puntos terminales proporcionando por lo menos una trayectoria cerrada por la cual puede fluir una carga.

Circuito paralelo: Dos elementos se consideran paralelo si tienen 2 puntos en comn (nodos);la caracterstica principal del circuito paralelo es que todos los elementos poseen el mismo voltaje.

Corto circuito: Significa mxima corriente y mnimo voltaje

Circuito abierto: No permite el paso de la corriente por no tener un conductor entre las uniones del circuito abierto.

Circuito cerrado: Permite el flujo Adecuado de los electrones al no tener ningn oponente a su paso.

Conductores y circuitos electrnicos, hilos y cables conductores: Es todo material que permite el paso continuo de una corriente elctrica cuando es sometido a una diferencia de potencial elctrico.

Caractersticas tcnicas de los conductores: Estas definen sus propiedades elctricas, mecnicas y fisicoqumicas, y son las siguientes: -Resistibilidad elctrica -Resistencia elctrica -Conductividad elctrica -Densidad de corriente -Resistencia al paso de altas frecuencias

Resistencia elctrica: Es un parmetro que depende de la naturaleza y las dimensiones del material sea; es una oposicin al paso de los electrones o corriente elctrica.

Identificacin de los conductores: Todas las cubiertas utilizadas en los conductores se tien de diversos colores para facilitar el montaje y desmontaje de un circuito electrnico sobre todo si es muy complejo.

Clasificacin de colores: Conexiones a masa: color negro Positivo de alimentacin: color rojo Emisores de transistores: color amarillo Bases de transistores: color verde Negativo de alimentacin: violeta y purpura Nota: la tierra va a ser negro y los voltajes rojos de colores y valores normales de las resistencias:

Simbologa Electrnica de las Resistencias

Resistencia smbolo general

Resistencia smbolo general

Resistencia no reactiva

Resistencia no reactiva

Resistencia variable

Resistencia variable por pasos o escalones

Resistencia variable

Resistencia ajustable

Resistencia ajustable

Impedancia

Potenciometro

Potenciometro de contacto mvil

Potenciometro de ajuste predeterminado Variable de variacin continua

Variable por escalones

NTC

PTC

VDR

LDR

LDR

Elementos de calefaccin

Resistencia en derivacin corriente y de tensin

Resistencia con toma de corriente

Resistencia con tomas fijas

Nota: la sexta banda es de coeficiente de temperatura..

Resistencias: tambin denominadas resistores son el componente mas utilizado en los circuitos electrnicos, se trata de un componente pasivo de enorme importancia a pesar de su sencillez y al que debemos prestarle tanta o mas atencin que a los componentes activos y pasivos Clasificacin de las resistencias: las mismas se clasifican de acuerdo a su consistencia en fijas, variables y ajustables:

Diferentes Tipos de Resistencias

-Resistencias de carbn aglomerado

-Resistencias de pelcula de carbn

-Resistencias de pelcula metlica

-Resistencias de pelcula cermet

-Resistencias Bobinadas

-Resistencias de pelcula vitrificada

-Resistencias sobre circuitos impresos

-Resistencias smd miniatura de pelcula metlica

-Resistencia msd de pelcula gruesa

Caractersticas tcnicas de las resistencias: -Potencia de disipacin -Valor omico -Tolerancia -Estabilidad -Tensin mxima de trabajo -Coeficiente de tensin de voltaje -Resistencia critica -Tensin de ruido -Temperatura mxima de trabajo -Limite de frecuencia -Coeficiente de temperatura -Soldabilidad -Almacenamiento

Nota: para medir adecuadamente las resistencias con nuestro multimetro debemos colocar cada punta de nuestro multimetro en cada extremo de la resistencia, recordando que las resistencias no poseen ninguna polaridad.

Potencimetros y resistencias ajustables: las resistencias ajustables o restatos estn constituidas por 1 lamina de carbn aglomerado, con 1 conexin fija al exterior por 1 de sus extremos, sobre la lamina de carbn aglomerado se desliza un segundo contacto por lo tanto un restato tiene solamente 2 terminales Potencimetros: Los potencimetros son muy similares a las resistencias ajustables, aunque a ellos se aade 1 tercera terminal que hace que su funcionamiento sea distinto

Entre los terminales extremos existe siempre 1 resistencia de valor fijo; Entre el terminal central cursor y cada uno de los extremos el valor omico es variable entre un valor nulo y mximo segn la posicin del cursor, pero cuyo valor omico total siempre es el mismo.

Clasificacin de los potencimetros: existen gran cantidad de potencimetros, entre ellos esta el potencimetro variable y ajustable adems de las primeras clasificaciones los potencimetros tambin pueden clasificarse en potencimetros de uso general y potencimetros de precisin

Trimers o potencimetros MSD: la creciente miniaturizacin de circuitos electrnicos afecto a todos los componentes en especial a los potencimetros y resistencias.

Se fabrican en estructuras abiertas o cerradas en dimensiones de 2 a 12 ml segn el modelo

Potencimetro multivuelta: en aplicaciones donde se requiere una gran precisin en el ajuste de los circuitos resulta interesante que los potencimetros utilizados en ellos sean del tipo mini vuelta, es decir para obtener el valor mximo se debe girar el tornillo hasta que supere 20 vueltas.

Cables para radiofrecuencia: En la transformacin de energa elctrica de radiofrecuencia a travs de cables e hilos conductores se presentan fenmenos fsicos que hacen intil su utilizacin; La caracterstica asimtrica de un cable de radiofrecuencia es muy importante para efectuar correctamente las adaptaciones generador cable y cable receptor. A continuacin 2 ejemplos de cables para radiofrecuencia: -Cable simtrico (300 ohmios, cable para antena de televisin) -Cable asimtrico o coaxial (75 ohmios, cable conductor de seal RF o cable visin)

Conectores: recibe el nombre de conector todo dispositivo completo de conexin elctrica formada x una clavija de contacto y una hembrilla donde se aloja; mediante estos 2 elementos es factible establecer o interrumpir una actividad elctrica. Algunos dispositivos son: -Clip tipo faston

-Terminal para cable de bornes con tornillo

-Clavijas tipo banana

-Conector RCA o bananas tipo s

-conectores tipo Jack

ejemplo: (los audfonos de clavija)

-Conectores bipolares para conexin a red

ejemplo (regleta de luz)

Circuitos en serie: Son circuitos que estn formados por cualquier cantidad de elementos unidos en dos puntos terminales proporcionando por lo menos una trayectoria cerrada por la cual puede fluir una carga

Caractersticas de dos elementos en serie -Tienen una sola terminal en comn -El punto en comn entre los elementos no esta conectado a otro elemento que transporte corriente -La corriente es la misma que todos los elementos, osea; no se va por otro camino -El voltaje varia pero la corriente sigue igual Formula RS = R1+R2+R3+R4

I = V / R Para averiguar amperios o corriente V= I / R Para averiguar voltaje R= V / I para averiguar resistencia en

Pilas elctricas:
Se llama oficialmente pila elctrica a un dispositivo que genera energa elctrica por un proceso qumico transitorio, tras de lo cual cesa su actividad y han de renovarse sus elementos constituyentes, puesto que sus caractersticas resultan alteradas durante el mismo se trata de un generador primario. Esta energa resulta accesible mediante dos terminales que tiene la pila llamados polos, electrodos y bornes. Uno de ellos es el polo + o nodo y el otro es el polo o ctodo. La estructura fundamental de una pila consiste en piezas de dos metales diferentes introducidas en un liquido conductor de la electricidad o electro liquido.

Batera elctrica: se llama batera elctrico a un acumulador elctrico o simple mente acumulador al dispositivo que almacena energa elctrica usando procedimientos electroqumicos y que posteriormente se devuelve en su totalidad.

Principios de funcionamiento: El funcionamiento de un acumulador esta basado esencialmente en algn tipo de proceso reversible, es decir, un proceso cuyos componentes no resultan consumidos ni se pierden, sino que meramente se transformen en otros que a su vez puedan retornar al estado primero en las circunstancias adecuadas. Estas circunstancias son en el caso de los acumuladores; el cierre del circuito externo mediante el proceso de descarga y la aplicacin de una corriente igualmente externa durante la carga. Fuentes elctricas: En electricidad se entiende por fuente al elemento activo que es capaz de generar una diferencia de potencial entre sus bornes o proporcionar una corriente elctrica.

Fuentes reales o fuentes de alimentacin: En electrnica una fuente de alimentacin es un circuito de convierte la tensin alterna de la red industrial en una tensin prcticamente continua.las fuentes reales son las que generan ya sea corriente o voltaje a partir de una serie de componentes activos o pasivos internos. Los mismos se pueden conectar ya sea en forma de serie, paralelo o mixto.

Fuentes ideales: Son elementos utilizados en la teora de circuitos para el anlisis y la creacin de modelos que permitan analizar el comportamiento de componentes electrnicos o circuitos reales pueden ser independientes si sus magnitudes tensin o corriente son siempre constantes o dependientes de alguna de las anteriores magnitudes.

Circuitos paralelos: dos elementos se consideran paralelos si tienen dos puntos en comn a los cuales les llamaremos nodos. La caracterstica principal del circuito paralelo es que todos los elementos poseen el mismo voltaje. La formula para identificar la resistencia total paralelo es la siguiente: Formula: (R1xR2) / (R1+R2) y aplicar inversa al resultado final.

Ley de corriente de kirchhoff: La suma de las corrientes que entran a un nodo debe ser igual a la suma de las corrientes que salen del nodo

Ley de voltajes de Kirchhoff: El voltaje aplicado a un circuito en serie es = a la suma de la escalera de voltaje atreves de los elementos en serie.

Circuitos mixtos: el mtodo ms eficiente para encontrar la resistencia total en un circuito mixto es iniciar desde la ltima resistencia e ir simplificando el circuito hacia la fuente. Los pasos a seguir para reducir un circuito mixto son los siguientes: Paso 1: seleccione las partes del circuito que son combi nacionales en paralelo y en serie dentro del mismo. Paso 2: verifique dichas partes. Paso 3: Halle la resistencia de cada parte. Paso 4: Remplace los valores de resistencias equivalentes en el circuito. Paso 5: Identifique cualquier combinacin adicional en serie o paralelo que halla sido creada. Paso 6: Repetir los pasos 2, 3,4 y 5 hasta reducir el circuito de una sola resistencia equivalente

Puente de wheatestone: Es un circuito que se utiliza principalmente en la medicin de componentes pasivos.

Teorema de Thevenin: Cualquier circuito bilateral de corriente directa de dos terminales puede sustituirse por un circuito equivalente formado por una fuente de voltaje y un resistor en serie. Los pasos a seguir para encontrar resistencia y voltaje thevenin son los siguientes:

Paso 1: elimine del circuito la parte para la cual no se encontrara el circuito equivalente de thevenin a lo que le llamaremos RL.

Paso 2: Marque las terminales del circuito restante entre dos terminales.

Paso 3: calcule RTH haciendo primero todas las fuentes de voltaje A o V (corto circuito) y todas las fuentes de corriente A (circuito abierto)

Paso 4: Calcule ETH regresando primero todas las fuentes a su posicin original y encontrando el voltaje del circuito abierto entre los terminales marcados.

Paso 5: Dibuje el circuito equivalente del thevenin con la parte del circuito que se elimino anteriormente conectndolo entre los terminales del circuito equivalente.

Multmetro

Multmetro digital
Un multmetro, a veces tambin denominado polmetro o tester, es un instrumento de medida que ofrece la posibilidad de medir distintos parmetros elctricos y magnitudes en el mismo aparato. Las ms comunes son las de voltmetro, ampermetro y hmetro. Es utilizado frecuentemente por personal en toda la gama de electrnica y electricidad. En la actualidad hay multmetros con capacidad de medir muchas otras magnitudes. (capacitancia, frecuencia, temperatura, etc.). Este instrumento de medida por su precio y su exactitud sigue siendo el preferido del aficionado o profesional en electrnica. Lo que si tienen es un selector de funcin y un selector de escala (algunos no tienen selector de escala pues el VOM la determina automticamente). Algunos tienen un solo selector central. El selector de funciones sirve para escoger el tipo de medida que se realizar. Ver en la siguiente tabla como ubicar el selector de funciones para medir voltaje AC y DC, corriente alterna, corriente directa y resistencia.

Funciones comunes Multmetro o polmetro analgico

Multmetro analgico Los multmetros analgicos son fciles de identificar por una aguja que al moverse sobre una escala indica del valor de la magnitud medida. Estas tres posiciones del mando sirven para medir intensidad en corriente continua (D.C.), de izquierda a derecha, los valores mximos que podemos medir son:500A, 10mA y 250mA (A se lee microamperio y corresponde a 10 6A=0,000001A y mA se lee miliamperio y corresponde a 10 3 =0,001A). Vemos 5 posiciones, para medir voltaje en corriente continua (D.C.= Direct Current), correspondientes a 2.5V, 10V, 50V, 250V y 500V, en donde V=voltios.

Hay dos posiciones para medir resistencia (x10 y x1k ); se lee ohmio. Esto no lo usaremos apenas, pues si te fijas en la escala milimetrada que est debajo del nmero 6 (con la que se mide la resistencia), vers que no es lineal, es decir, no hay la misma distancia entre el 2 y el 3 que entre el 4 y el 5; adems, los valores decrecen hacia la derecha y la escala en lugar de empezar en 0, empieza en (un valor de resistencia igual a significa que el circuito est abierto). A veces usamos estas posiciones para ver si un cable est roto y no conduce la corriente. Como en el apartado 2, pero en este caso para medir corriente alterna (A.C.:=Alterna Current). Sirve para comprobar el estado de carga de pilas de 1.5V y 9V. Escala para medir resistencia. Escalas para el resto de mediciones. Desde abajo hacia arriba vemos una de 0 a 10, otra de 0 a 50 y una ltima de 0 a 250. Multmetros con funciones avanzadas

Multmetro analgico. Ms raramente se encuentran tambin multmetros que pueden realizar funciones ms avanzadas como: Generar y detectar la Frecuencia intermedia de un aparato, as como un circuito amplificador con altavoz para ayudar en la sintona de circuitos de estos aparatos. Permiten el seguimiento de la seal a travs de todas las etapas del receptor bajo prueba. Realizar la funcin de osciloscopio por encima del milln de muestras por segundo en velocidad de barrido, y muy alta resolucin. Sincronizarse con otros instrumentos de medida, incluso con otros multmetros, para hacer medidas de potencia puntual (Potencia = Voltaje * Intensidad). Utilizacin como aparato telefnico, para poder conectarse a una lnea telefnica bajo prueba, mientras se

efectan medidas por la misma o por otra adyacente. Comprobacin de circuitos de electrnica del automvil. Grabacin de rfagas de alto o bajo voltaje. Un polmetro analgico genrico o estndar suele tener los siguientes componentes: - Conmutador alterna-continua (AC/DC): permite seleccionar una u otra opcin dependiendo de la tensin

(Continua o alterna). - Interruptor rotativo: permite seleccionar funciones y escalas. Girando este componente se consigue seleccionar la magnitud (tensin, intensidad, etc.) y el valor de escala. - Ranuras de insercin de condensadores: es donde se debe insertar el condensador cuya capacidad se va a medir. - Orificio para la Hfe de los transistores: permite insertar el transistor cuya ganancia se va a medir. - Entradas: en ellas se conectan las puntas de medida. Habitualmente, los polmetros analgicos poseen cuatro bornes (aunque tambin existen de dos), uno que es el comn, otro para medir tensiones y resistencias, otro para medir intensidades y otro para medir intensidades no mayores de 20 amperios. Es una palabra compuesta (multi=muchas Metro=medidas Muchas medidas)

El selector de rangos del multmetro sirve para establecer el mximo valor que se podr visualizar. Si no se tiene una idea de la magnitud a medir empezar por el rango ms grande. Esto previene el dao o deterioro del multmetro. Ver algunos ejemplos en la tabla de la derecha. Vase que se escoge siempre un rango superior al de la magnitud que se mide.

Capacitores o condensadores: los condensadores son dispositivos capaces de almacenar una determinada cantidad de electricidad; Estn compuestos por dos superficies conductoras llamadas placas o armaduras aisladas entre si por un material dielctrico.

Clasificacin de los condensadores: se dividen en dos grandes grupos, condensadores fijos y variables y segn el tipo de dielctrico utilizado los dividimos en:

-Condensadores de mica

-Condensadores de papel

-Condensadores de polister

-Condensador cermico

-Condensadores electrolticos de tantalio

-Condensadores de sulfuro de polietileno

Caractersticas tcnicas de los condensadores: como cualquier otro componente electrnico los condensadores poseen una serie de caractersticas tcnicas mediante las cuales es posible seleccionar aquel que resulte ms adecuado para un circuito determinado. Las principales caractersticas tcnicas de los condensadores son las siguientes: -Valor capacitivo prueba -Corriente de carga Inductancia parasita -tolerancia -Tensin mxima de trabajo -Tensin de

-tangente de delta

-Coeficiente de temperatura -Factor de

-Resistencia de aislamiento potencia

-Frecuencia de resonancia propia

Indicacin de valores de los condensadores: Los valores de la capacidad de los condensadores vienen impresos sobre el mismo componente o estn indicados mediante aros o puntos coloreados de igual forma como se hace con las resistencias; as un condensador de 4700 PF puede identificarse por las siguientes anotaciones 4700 P se suprime la F de faradio 4700 P,se suprime la letra P de pico y la F de faradio 4.7 K la K de kilo representa que 4.7 se multiplica por mil PF (1000 PF) Los capacitores tienen varios aislantes, algunos de estos son los siguientes: -Vacio -Aire Cermica -Tefln -Papel parafina -Caucho -Aceite -Mica -

Su nombre viene del propio qumico MICHAEL FARADAY las medidas mas comunes propias de los capacitores son los picofaradios, los nano faradios y los microfaradios. Como determinar fallas en un capacitor: 1-Medida con un capacimetro 2-Para descargar un capacitor se necesita menos watts y ms 3-Si la resistencia esta entre 0 y 1 K significa que esta daado, el capacitor debe medir un homenaje muy alto en megas.

Simbologa de los Condensadores Condensadores Condensador no polarizado Condensador variable Condensador polarizado sensible a la temperatura Condensador pasante Condensador no polarizado Condensador ajustable Condensador polarizado sensible a la tensin Condensador de estator dividido Condensador electroltico Condensador electroltico multiple Condensador diferencial

Condensador electroltico

Condensador electroltico Condensador con armadura a masa Aplicacin de los capacitores -Almacena energa en forma de voltaje -Para filtros electrnicos -Para sintonizadores de frecuencia -Circuitos osciladores

Lectura de los capacitores:

En los capacitores electrolticos normalmente se representa el voltaje en voltios y la capacidad en microfaradios 160mf en 25 V, en cuanto a los capacitores cermicos los valores siempre vienen en pico faradios.

Circuitos magnticos:
Los campos magnticos se forman por la presencia de lneas de flujo magntico que rodean a un imn permanentemente; las lneas de flujo magntico existen en ciclos continuos, las lneas de flujo magntico salen del polo norte hacia el polo sur en un imn permanentemente. Nota la direccin del campo magntico depende de la direccin de la corriente en el conductor

Nota cuando los metales son atrados hacia un imn sucede porque las ondas que viajan de polo norte a polo sur prefieren utilizar el metal como conductor, es decir prefiere pasar por el metal que por el aire.

La direccin del flujo magntico se puede representar grficamente basndonos en la forma de nuestra mano derecha donde el dedo pulgar nos indica la direccin hacia donde va la corriente y los dems la direccin del flujo magntico

Cmo funciona un electroimn? Al poner voltaje en una espira o cable de electrones corre libremente a su alrededor por lo tanto al colocarse un ncleo de metal este los atrae y genera un electroimn, porque el hierro esta cargado y atrae a los otros elementos. Sin el ncleo los electrones salen libres al aire y al poner el hierro todos los electrones se atraen hacia el.

Fuerza magneto motriz:

(fuerza fmm) es el numero de vueltas de alambre por la corriente que los atraviesa, como decir el voltaje pero aqu hablamos de un voltaje inducido.. Formula Fmm = N x I

Propiedades de los materiales Fmm

1-el material llega a magnetizarse fuertemente en la misma direccin del campo magntico donde se esta colocando. 2-la densidad del flujo magntico es la densidad de los materiales ferro magnticos varia en forma no lineal con la intensidad magntica 3-los materiales ferro magnticos presentan saturacin isteresis y retentividad.

Densidad del flujo magntico: es la cantidad de lneas de flujo magntico dividido entre la unidad del rea de un objeto, el smbolo es B mayscula y la unidad es teslas o gaus y se representa con T mayscula; la formula para dividir la cantidad de lneas entre el rea del imn es: Formula: B=/A

Permeabilidad: Es la medida con que se establecen las lneas de flujo magntico en un material ferro magntico; es la forma en que pasa un flujo magntico por el hierro y su smbolo es M (u) Reluctancia: Se representa con la letra R mayscula y es la oposicin al paso de las lneas de flujo magntico. Formula = V = vueltas R = reluctancia R = l / mxa A = rea wb = webers L = longitud M=permeabilidad

Intensidad de campo magntico: Es el grado de magnetizacin del material, es decir el valor total de fmm dividido entre la unidad de longitud del material fmm. Smbolo = H Formula = H = Fmm / L Unidad = A / M Amperios / metros

Pasos para demostrar la curva de histresis:

1-el material no esta magnetizado 2-le aplicamos corriente 3-Disminuir la corriente 4-Cambiar y quitar la terminal de alimentacin

Grafico de la curva de isteresis

Ley de faraday si se mueve el conductor a travs de un campo magntico de forma que corte las lneas de flujo magntico esto induce a un voltaje en el conductor ;si se mantiene fijo el conductor y se mueven las lneas de flujo magntico se obtiene el mismo efecto.

Inductores o bobinas los inductores son elementos que almacenan corriente, en un inductor no se permiten cambios bruscos de corriente.las bobinas tienen varias dimensiones y estn diseadas para introducir a un circuito cantidades de inductancia especifica . L = Inductancia Formula = L = N2 x M x A L Henrios = H Smbolo de bobina =

Circuitos RL o resistencia Inductor 1-Con el interruptor en la posicin 1 se cumple el proceso de carga en el inductor 2-Con el interruptor colocado en la posicin 2 se cumple el proceso de descarga del capacitor 3-En los circuitos RC el tao equivale a resistencias x capacitor, mientras que en los circuitos RL el tao equivale a dividir la resistencia entre inductor

Caractersticas en corriente directa de un circuito RLC 1-Un inductor totalmente cargado se sustituye x un corto circuito 2-Un capacitor totalmente cargado se sustituye por un circuito abierto

Corriente Alterna:

La palabra alterna indica la forma en que se dan 2 niveles prescritos en una secuencia de tiempo establecido. El smbolo de la fuente alterna es

Las Ondas Senoidales La onda senoidal es la nica onda alterna cuya forma no se ve afectada por las caractersticas de respuestas de los elementos RLC.la forma es producida por la rotacin de una bobina a travs de un campo magntico.

Valor pico: Es el valor mximo instantneo de una funcin medida a partir de cero y se representa VP. Valor pico a pico: Es la medida completa entre los picos positivos y negativos de la forma de onda y se representa con VPP. Valor instantneo: Es la magnitud de una forma de onda en cualquier instante de tiempo. Forma de onda periodica: es aquella que se repite en forma continua despus del mismo intervalo de tiempo. Periodo: es el intervalo de tiempo entre repeticiones sucesivas en una forma de onda peridica (el inverso de la frecuencia)se representa con la letra T mayscula y su unidad es el segundo Semiciclo: es la parte de la forma de onda contenida en un periodo, puede ser + o Frecuencia: es el nmero de ciclos que ocurre en un segundo y se representan con la letra F y su unidad es el hertz. Rms: es el valor que mide el multimetro o valor eficaz que son valores equivalentes en corriente directa y se representa VRMS y su significado es raz cuadrtica media .

Capacitores

Un condensador es un dispositivo almacenador de carga. Bsicamente consta de dos conductores enfrentados, separados por un dielctrico. El dielctrico impide que circule corriente de placa a placa, pero ambas estn lo suficientemente cercanas como para que las distribuciones de carga generadas en una placa afecten a la otra. En el siguiente subapartado se va a explicar el principio de operacin de este componente, para pasar posteriormente al anlisis matemtico que permitir deducir la ecuacin de comportamiento. 1.1 Principio de operacin La explicacin que se presenta a continuacin a cerca del funcionamiento de este componente se basa en el condensador de placas paralelas. Tal y como se aprecia en la Figura 2, este condensador consta de dos placas conductoras enfrentadas, separadas por una distancia muy inferior al lado de la placa. Para simplificar y facilitar la comprensin del principio de operacin se ha omitido el dielctrico intermedio.

Figura 2: Condensador de placas planas

Imaginemos que a la placa izquierda llega un electrn a travs del cable conectado a ella. Como las dos placas estn lo suficientemente cercanas, enfrentado a ese electrn tender a situarse una carga positiva (o lo que es lo mismo, se repeler una carga negativa). Si este proceso se repite regularmente, el efecto global es el de una corriente elctrica atravesando el dispositivo de derecha a izquierda (en la Figura 2). Adems, al existir una separacin de cargas, se crear un campo elctrico, y por lo tanto una diferencia de potencial entre ambas placas. Antes de seguir adelante, es preciso hacer notar las siguientes consideraciones: 1. Antes de que llegaran las cargas a las placas del condensador, estas eran conductores en equilibrio (es decir, la carga neta era nula). Los electrones que llegan por el cable rompen este equilibrio y es necesario que alguna fuerza les empuje para que lleguen hasta ah. Dicho de otro modo, el condensador cargado se encuentra en una situacin inestable, y tender a descargarse en cuanto cese la fuerza que impulsa el proceso de carga. 2. Para que la carga (+) pueda enfrentarse a la (-) es preciso que haya un circuito exterior que permita este movimiento de cargas. En el ejemplo de la Figura 3 el condensador no se carga, puesto que el interruptor abierto impide la creacin de una corriente. Por lo tanto, la tensin de ambas placas ser la misma: VA = VB

Figura 3: Circuito en el que C no se carga 1. No hay contacto fsico entre las placas, luego los electrones no pasan de una placa a otra. Sin efecto, el efecto global es similar al de una corriente atravesando el dispositivo, que se denomina corriente de desplazamiento. El proceso de carga del condensador no dura indefinidamente. Cuando la fuerza que impulsa a las cargas a dirigirse hacia al condensador se iguala con la ejercida por el campo creado por stas entre las placas, el proceso alcanza un punto de equilibrio y cesa la corriente, ya que no hay cargas en movimiento (Figura 4).

Figura 4 Evolucin transitoria de las corrientes durante el proceso de carga del condensador Si cuando hemos cargado C separamos los terminales del circuito, al no existir ningn camino de descarga, mantendr idealmente la tensin constante (Figura 5).

Figura 5: Condensador cargado Si en este momento unimos A con B, (por ejemplo, a travs de una resistencia) estamos posibilitando que la intensidad circule. El condensador se descargar, comportndose como un generador cuyo valor desciende en el tiempo hasta anularse.

Figura 6: Descarga del condensador a travs de una resistencia

La capacidad slo depende de las caractersticas constructivas del condensador. En la prctica, el espacio entre placas se rellena con materiales dielctricos, ya que poseen una constante dielctrica mayor que la del vaco. 1.3 Relacin tensin - intensidad en un condensador ideal Aplicando la definicin de intensidad de corriente elctrica, puede hallarse la relacin entre tensin y corriente:

La expresin anterior puede interpretarse de la siguiente forma: si existe un cambio de tensin entre los conductores sometidos a influencia, existir una corriente provocada por la redistribucin de cargas en los mismos. Esta corriente se diferencia de la obtenida en una resistencia en que no atraviesa el sistema. Por ello se denomina corriente de desplazamiento.

Campo magnetico

El campo H se ha considerado tradicionalmente el campo principal, ya que se puede relacionar con unas cargas, masas o polos magnticos por medio de una ley similar a la de Coulomb para la electricidad. Maxwell, por ejemplo, utiliz este enfoque, aunque aclarando que esas cargas eras ficticias. Con ello, no solo se parte de leyes similares en los campos elctricos y magnticos (incluyendo la posibilidad de definir un potencial escalar magntico), sino que en medios materiales, con la equiparacin matemticas de H con E y de B con D se pueden establecer paralelismos tiles en las condiciones de contorno y las relaciones termodinmicas (en el sistema electromagntico de Gauss): Un campo magntico tiene dos fuentes que lo originan. Una de ellas es una corriente elctrica de conveccin, que da lugar a un campo magntico esttico. Por otro lado una corriente de desplazamiento origina un campo magntico variante en el tiempo, incluso aunque aquella sea estacionaria. La relacin entre el campo magntico y una corriente elctrica est dada por la ley de Ampre. El caso ms general, que incluye a la corriente de desplazamiento, lo da la ley de Ampre-Maxwell.

Cabe destacar que, a diferencia del campo elctrico, en el campo magntico no se ha comprobado la existencia de monopolos magnticos, slo dipolos magnticos, lo que significa que las lneas de campo magntico son cerradas, esto es, el nmero neto de lneas de campo que entran en una superficie es igual al nmero de lneas de campo que salen de la misma superficie. Un claro ejemplo de esta propiedad viene representado por las lneas de campo de un imn, donde se puede ver que el mismo nmero de lneas de campo que salen del polo norte vuelve a entrar por el polo sur, desde donde vuelven por el interior del imn hasta el norte.

Como se puede ver en el dibujo, independientemente de que la carga en movimiento sea positiva o negativa, en el punto A nunca aparece campo magntico; sin embargo, en los puntos B y C el campo magntico invierte su sentido dependiendo de si la carga es positiva o negativa. El sentido del campo magntico viene dado por la regla de la mano derecha, siendo las pautas a seguir las siguientes:

En primer lugar se imagina un vector qv, en la misma direccin de la trayectoria de la carga en movimiento. El sentido de este vector depende del signo de la carga, esto es, si la carga es positiva y se mueve hacia la derecha, el vector +qv estar orientado hacia la derecha. No obstante, si la carga es negativa y se mueve hacia la derecha, el vector es -qv va hacia la izquierda. A continuacin, vamos sealando con los cuatro dedos de la mano derecha (ndice, medio, anular y meique), desde el primer vector qv hasta el segundo vector Ur, por el camino ms corto o, lo que es lo mismo, el camino que forme el ngulo menor entre los dos vectores. El pulgar extendido indicar en ese punto el sentido del campo magntico.

bobinas

Las bobinas Son componentes pasivos de dos terminales que generan un flujo magntico cuando se hacen circular por ellas una corriente elctrica. Se fabrican arrollando un hilo conductor sobre un ncleo de material ferromagntico o al aire. Su unidad de medida es el Henrio (H) en el Sistema Internacional pero se suelen emplear los submltiplos mH y mH. Sus smbolos normalizados son los siguientes:

Bobina

Inductancia

Bobina con ncleo ferromagntico

. Bobina con ncleo de ferroxcube

Existen bobinas de diversos tipos segn su ncleo y segn tipo de arrollamiento. Su aplicacin principal es como filtro en un circuito electrnico, denominndose comnmente, choques. CARACTERSTICAS 1. Permeabilidad magntica (m).- Es una caracterstica que tiene gran influencia sobre el ncleo de las bobinas respecto del valor de la inductancia de las mismas. Los materiales ferromagnticos son muy sensibles a los campos magnticos y producen unos valores altos de inductancia, sin embargo otros materiales presentan menos sensibilidad a los campos magnticos. El factor que determina la mayor o menor sensibilidad a esos campos magnticos se llama permeabilidad magntica. Cuando este factor es grande el valor de la inductancia tambin lo es. 2. Factor de calidad (Q).- Relaciona la inductancia con el valor hmico del hilo de la bobina. La bobina ser buena si la inductancia es mayor que el valor hmico debido al hilo de la misma. TIPOS DE BOBINAS 1. FIJAS Con ncleo de aire El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y posteriormente se retira este quedando con un aspecto parecido al de un muelle. Se utiliza en frecuencias elevadas. Una variante de la bobina anterior se denomina solenoide y difiere en el aislamiento de las espiras y la presencia de un soporte que no necesariamente tiene que ser cilndrico. Se utiliza cuando se precisan muchas espiras. Estas bobinas pueden tener tomas intermedias, en este caso se pueden considerar como 2 o ms bobinas arrolladas sobre un mismo soporte y conectadas en serie. Igualmente se utilizan para frecuencias elevadas.

Con ncleo slido Poseen valores de inductancia ms altos que los anteriores debido a su nivel elevado de permeabilidad magntica. El ncleo suele ser de un material ferromagntico. Los ms usados son la ferrita y el ferroxcube. Cuando se manejan potencias considerables y las frecuencias que se desean eliminar son bajas se utilizan ncleos parecidos a los de los transformadores (en fuentes de alimentacin sobre todo). As nos encontraremos con las configuraciones propias de estos ltimos. Las secciones de los ncleos pueden tener forma de EI, M, UI y L

. Bobina de ferrita
Bobina de ferrita de nido de abeja Bobinas de ferrita para SMD Bobinas con ncleo toroidal

Las bobinas de nido de abeja se utilizan en los circuitos sintonizadores de aparatos de radio en las gamas de onda media y larga. Gracias a la forma del bobinado se consiguen altos valores inductivos en un volumen mnimo. Las bobinas de ncleo toroidal se caracterizan por que el flujo generado no se dispersa hacia el exterior ya que por su forma se crea un flujo magntico cerrado, dotndolas de un gran rendimiento y precisin. La bobinas de ferrita arrolladas sobre ncleo de ferrita, normalmente cilndricos, con aplicaciones en radio es muy interesante desde el punto de vista practico ya que, permite emplear el conjunto como antena colocndola directamente en el receptor.

Las bobinas grabadas sobre el cobre , en un circuito impreso tienen la ventaja de su mnimo coste pero son difcilmente ajustables mediante ncleo.

2. VARIABLES Tambin se fabrican bobinas ajustables. Normalmente la variacin de inductancia se produce por desplazamiento del ncleo. Las bobinas blindadas pueden ser variables o fijas, consisten encerrar la bobina dentro de una cubierta metlica cilndrica o cuadrada, cuya misin es limitar el flujo electromagntico creado por la propia bobina y que puede afectar negativamente a los componentes cercanos a la misma.

Electro iman

Imanes unidos a un hierro 2.- Orientan sus molculas en la misma direccin

Molculas orientadas 3.- Crean dos polos opuestos en sus extremos, y de ellos salen lneas de fuerza que van de uno al otro.

Norte magntico y sur terrestre Tambin se observ que el paso de la corriente elctrica por un conductor creaba un campo magntico alrededor del conductor siguiendo la regla de la mano derecha. A este campo magntico generado elctricamente se le llama electromagnetismo.

El campo magntico genera corriente alterna

Compaerismo (trabajo en equipo)

Pertenecer a un grupo significa sentir que se forma parta de algo que existe ms all de uno mismo. Es entender que existe una misin u objetivo del que cada uno de los integrantes es responsable.

En una organizacin cada uno de los integrantes contribuye a los logros alcanzados. Se trabaja con los compaeros para que se produzcan estos resultados. Aunque cada uno tiene una opcin definida y pertenezca a un departamento en particular, cada uno est unido a los dems miembros en el cumplimiento de los objetivos. Y los objetivos -siempre los objetivos de la organizacin y nunca los individuales- sern los que controlen sus acciones, su funcin en la organizacin existe por este objetivo. Es necesario diferenciar el sentido de trabajo en equipo, de la tarea de lograr que un objetivo en particular sea llevado a cabo con efectividad. Es comn que estos dos conceptos se confundan y entremezclen, que los lderes de cada equipo no sepan definir qu es lo que desean de sus subordinados. Lo que se quiere lograr con un sentido de trabajo en equipo es distinto a construir un equipo eficiente para llevar a cabo una tarea especfica.

Consejos para una mayor efectividad en los equipos de trabajo

Todos los miembros de una organizacin, sean ejecutivos, directores o empleados, buscan nuevas formas de llegar a mejores resultados de una forma ms efectiva. Si se toma una perspectiva de trabajo en equipo, una forma de trabajo ms horizontal, se lograr un mayor compromiso y aporte de todos los niveles de la organizacin. Habr ms voces, cerebros e ideas que sern escuchadas en beneficio de la organizacin. Le brindamos a continuacin una serie de consejos para que su organizacin entre en este nuevo siglo de cambios y actualizaciones continuas.

Dejar en claro qu es lo que se espera del equipo

Debe dejar en claro cules son los resultados que se esperan del equipo. Cada uno de los miembros debe entender las razones de por qu ese equipo en particular fue creado. La organizacin debe mostrar un compromiso total con los objetivos apoyando el emprendimiento con el personal, tiempo y dinero necesarios. El trabajo que lleva a cabo un equipo debe ser considerado una prioridad. Las personas que toman decisiones deben brindarle el tiempo y atencin necesarios. Contexto Cada uno de los miembros debe saber por qu forma parte del equipo. Debe entender cul es la forma de trabajar para que el camino hacia los objetivos sea recorrido de forma eficiente. Cada uno de los miembros debe entender que su labor es parte del gran trabajo de la organizacin. Debe conocer los objetivos, principios y valores de la organizacin. Compromiso Cada uno de los miembros debe desear formar parte del equipo. Debe sentir que el objetivo es importante y que su parte es fundamental. Debe estar comprometido en lograr los objetivos esperados y esperar cosechar los frutos. Los miembros del equipo deben saber que su trabajo es importante para la organizacin y para su propia carrera, y deben poder sentir que sern reconocidos por los servicios prestados. Deben tambin ver cmo sus habilidades van en aumento y que gracias al entorno creado es posible que descubran nuevas habilidades. Debe existir una atmsfera tal que los miembros se sientan emocionados y vean un desafo que quieren enfrentar como equipo. Competencia El equipo debe sentir que cada uno de sus miembros es adecuado para la tarea que le es asignada. Debe entender que cada paso en la cadena est representada por una persona. Debe tener la seguridad de que cada uno de sus miembros es competente para

realizar la tarea para la que el equipo fue creado. Si no es as, el equipo debe tener acceso a ayuda externa, a recursos y apoyo que sean necesarios para lograr los objetivos. Proceso El equipo debe asumir el rea de responsabilidad que le es designada y disear ellos mismos su misin, perspectiva y estrategias para lograr el objetivo. Luego de definir los objetivos debe comunicarlos, informar cules sern sus contribuciones, gastos y produccin, informar de su trabajo y del proceso que seguir el equipo para llegar a completar su tarea. Control El equipo debe sentir que tiene todas las herramientas, libertad de movimientos y poder necesarios para lograr los objetivos. Y al mismo tiempo debe entender cules son sus responsabilidades y lmites. Todos deben tener en claro hasta dnde se puede llegar. Los lmites de dinero, tiempo y recursos deben ser definidos desde el comienzo del proceso, antes de que el equipo sienta las barreras sin saber que se encuentran all. El equipo debe dar un informe peridico de sus tareas y cada uno de sus miembros entender las cuentas que se llevan. La organizacin debe tener en claro cul es la mxima autoridad del equipo, quin tiene la ltima palabra y asumir en su representacin la responsabilidad de todo lo llevado a cabo. Debe existir una lnea definida, de forma que el equipo y la organizacin tengan sus trabajos alineados en una misma direccin. Cada uno de los miembros debe saber cules son los tiempos de entrega, los compromisos tomados, y los resultados esperados. La organizacin debe brindarle una oportunidad de autogestin a cada uno de sus miembros para incentivar la creatividad y el sentido de responsabilidad. Solidaridad

Cada uno de los miembros debe entender qu es ser parte de un equipo y cada uno de los pasos del proceso a seguir, las etapas de la consolidacin del grupo. Cada uno de los miembros debe trabajar de forma efectiva cuando deba articularse con sus pares. Para esto es necesario que cada uno se sienta parte del equipo, y que cada una de esas partes es igual de importante e imprescindible.

La resolucin de problemas, la definicin de objetivos, el proceso de crecimiento y la consecucin de los objetivos deben ser llevados a cabo en equipo y todos deben entender que es la nica forma de lograrlo. Los mismos miembros deben definir las reglas de conducta, formas de resolver conflictos, la toma de decisiones y la relacin con las autoridades fuera del grupo.

Comunicacin
Cada uno de los miembros debe sentir que su tarea es su prioridad. Deben encontrar un mtodo de ponderar la performance que se est teniendo. La organizacin debe comprometerse a brindar informacin acerca de los negocios de forma regular. El equipo debe entender y sentir la razn de su existencia como equipo. Cada uno de los miembros debe relacionarse de forma abierta y sincera con sus compaeros. Los conflictos son algo necesario e inevitable si los miembros toman una actitud sincera. Necesarios para que surjan diferentes ideas y perspectivas y para la bsqueda creativa de soluciones. Innovacin creadora

Se debe tener en claro si la organizacin en realidad est interesada en cambios. Valoran el pensamiento creativo, las soluciones innovadoras, las ideas nuevas? Si slo premian a las personas que se atuvieron a las reglas y encajaron en el esquema previsto, ser una direccin totalmente distinta la que se deba tomar. Si no, si esperan encontrar nuevos procesos de trabajo, es necesario que se prevea capacitacin y las herramientas necesarias para estimular el pensamiento creativo. Consecuencias

Cada uno de los miembros del equipo debe sentirse responsable y reconocido por los errores y los frutos del trabajo en equipo. La organizacin debe encargarse de que cada uno de sus equipos de trabajo reciba el reconocimiento adecuado. En cuanto a los errores, no debe permitirse que los miembros del equipo teman a las represalias. Si es as, se estarn censurando posibles respuestas a problemas planteados. Cuando vea que muchos de los miembros dedican ms tiempo a echar culpas que a resolver problemas ser tiempo de tener una reunin para aclarar algunos puntos. La organizacin debe tener un sistema de premios y reconocimientos tanto para el trabajo en equipo como para el trabajo individual.

La organizacin podra crear un sistema con el cual se compartan las ganancias adicionales surgidas de un equipo en particular. Cada uno de los miembros debe sentir cmo su trabajo bien hecho no slo ayuda al crecimiento de la organizacin y al reconocimiento del equipo sino tambin a su crecimiento personal. Coordinacin

Los equipos de trabajo deben estar coordinados por un equipo que se encargue de la articulacin con toda la organizacin y la asistencia en caso de ser necesaria. Cada uno de los departamentos debe conocer la prioridad de su papel en el proceso total. Los equipos deben entender la nocin de cliente interno: el proceso que le precede y el que le sigue a su tarea. Es imprescindible un aceitado trabajo de las relaciones cruzadas y las tareas compartidas. Para conseguir una organizacin moderna es necesario que se desarrolle un mirada concentrada en el cliente y en el proceso y dejar las viejas ideas de procesos departamentales. Cambio cultural

La organizacin debe reconocer que un trabajo basado en el equipo, en la solidaridad, y en el ceder poder a los miembros, permitir crear una organizacin para el futuro y dejar la tradicional, jerarquizada, organizacin del siglo pasado. Es momento de comenzar a cambiar los viejos hbitos de reconocimientos, contrataciones, desarrollo, direccin y pasar a uno que sea ms motivador para sus empleados. La organizacin debe estar dispuesta a asimilar riesgos y aprender de los errores cometidos. Debe entender que cuanto ms apoye a sus equipos de trabajo mayor ser el fruto a cosechar.

11.INTRODUCCIN

El documento a continuacin presentado, muestra la teora general utilizada para el anlisis de circuitos RC, RL y RLC. Se demostrarn sus ecuaciones normales y algunas de sus propiedades fsicas.

CIRCUITOS RC

Los circuitos RC son circuitos que estn compuestos por una resistencia y un condensador.

Se caracteriza por que la corriente puede variar con el tiempo. Cuando el tiempo es igual a cero, el condensador est descargado, en el momento que empieza a correr el tiempo, el condensador comienza a cargarse ya que hay una corriente en

el circuito. Debido al espacio entre las placas del condensador, en el circuito no circula corriente, es por eso que se utiliza una resistencia.

Cuando el condensador se carga completamente, la corriente en el circuito es igual a cero.

La segunda regla de Kirchoff dice: V = (IR) - (q/C)

Donde q/C es la diferencia de potencial en el condensador.

En un tiempo igual a cero, la corriente ser: I = V/R cuando el condensador no se ha cargado.

Cuando el condensador se ha cargado completamente, la corriente es cero y la carga ser igual a: Q = CV

CARGA DE UN CONDENSADOR

Ya se conoce que las variables dependiendo del tiempo sern I y q. Y la corriente I se sustituye por dq/dt (variacin de la carga dependiendo de la variacin del tiempo):

(dq/dt)R = V - (q/C)

dq/dt = V/R - (q/(RC))

Esta es una ecuacin

Diferencial. Se pueden dq/dt = (VC - q)/(RC)

Separar variable dq/(q - VC) = - dt/(RC)

Al integrar se tiene ln [ - (q - VC)/VC)] = -t/(RC)

Despejando q q dt = C V [(1 - e-t/RC )] = q (1- e-t/RC )

El voltaje ser

)=V

DESCARGA DE UN CONDENSADOR

Debido a que la diferencia de potencial en el condensador es IR = q/C, la razn de cambio de carga en el condensador determinar la corriente en el circuito, por lo tanto, la ecuacin que resulte de la relacin entre el cambio de la cantidad de carga dependiendo del cambio en el tiempo y la corriente en el circuito, estar dada remplazando I = dq/dt en la ecuacin de diferencia de potencial en el condensador:

q = Q e-t/RC

Donde Q es la carga mxima

La corriente en funcin del tiempo entonces, resultar al derivar esta ecuacin respecto al tiempo:

I = Q/(RC) e-t/RC

Se puede concluir entonces, que la corriente y la carga decaen de forma exponencial.

CIRCUITOS RL

Los circuitos RL son aquellos que contienen una bobina (inductor) que tiene autoinductancia, esto quiere decir que evita cambios instantneos en la corriente. Siempre se desprecia la autoinductancia en el resto del circuito puesto que se considera mucho menor a la del inductor.

Para un tiempo igual a cero, la corriente comenzar a crecer y el inductor producir igualmente una fuerza electromotriz en sentido contrario, lo cual har que la corriente no aumente. A esto se le conoce como fuerza contraelectromotriz.

Esta fem est dada por: V = -L (inductancia) dI/dt

Debido a que la corriente aumentar con el tiempo, el cambio ser positivo (dI/dt) y la tensin ser negativa al haber una cada de la misma en el inductor.

Segn kirchhoff: V = (IR) + [L (dI / dt)]

IR = Cada de voltaje a travs de la resistencia.

Esta es una ecuacin diferencial y se puede hacer la sustitucin:

x = (V/R) - I es decir; dx = -dI

Sustituyendo en la ecuacin: x + [(L/R)(dx/dt)] = 0

dx/x = - (R/L) dt

Integrando: ln (x/xo) = -(R/L) t

Despejando x: x = xo e -Rt / L

Debido a que xo = V/R

El tiempo es cero

Y corriente cero V/R - I = V/R e -Rt / L

I = (V/R) (1 - e -Rt / L)

El tiempo del circuito est representado por

= L/R

I = (V/R) (1 - e - 1/ )

Donde para un tiempo infinito, la corriente de la malla ser I = V/R. Y se puede considerar entonces el cambio de la corriente en el tiempo como cero.

Para verificar la ecuacin que implica a inicial: dI/dt = V/L e - 1/

y a I, se deriva una vez y se reemplaza en la

Se sustituye: V = (IR) + [L (dI / dt)]

V = [ (V/R) (1 - e - 1/ )R + (L V/ L e - 1/ )]

V - V e - 1/

= V - V e - 1/

OSCILACIONES EN UN CIRCUITO LC

Cuando un condensador se conecta a un inductor, tanto la corriente como la carga den el condensador oscila. Cuando existe una resistencia, hay una disipacin de energa en el sistema porque una cuanta se convierte en calor en la resistencia, por lo tanto las oscilaciones son amortiguadas. Por el momento, se ignorar la resistencia.

En un tiempo igual a cero, la carga en el condensador es mxima y la energa almacenada en el campo elctrico entre las placas es U = Q2mx/(2C). Despus de un tiempo igual a cero, la corriente en el circuito comienza a aumentar y parte de la energa en el condensador se transfiere al inductor. Cuando la carga almacenada en el condensador es cero, la corriente es mxima y toda la energa est almacenada en el campo elctrico del inductor. Este proceso se repite de forma inversa y as comienza a oscilar.

En un tiempo determinado, la energa total del sistema es igual a la suma de las dos energas (inductor y condensador): U = Uc + UL

U = [ Q2/(2C) ] + ( LI2/2 )

CIRCUITO RLC

Un circuito RLC es aquel que tiene como componentes una resistencia, un condensador y un inductor conectados en serie

En un tiempo igual a cero, el condensador tiene una carga mxima (Qmx). Despus de un tiempo igual a cero, la energa total del sistema est dada por la ecuacin presentada en la seccin de oscilaciones en circuitos LC

U = [ Q2/(2C) ] + ( LI2/2 )

En las oscilaciones en circuitos LC se haba mencionado que las oscilaciones no eran amortiguadas puesto que la energa total se mantena constante. En circuitos RLC, ya que hay una resistencia, hay oscilaciones amortiguadas porque hay una parte de la energa que se transforma en calor en la resistencia.

El cambio de la energa total del sistema dependiendo del tiempo est dado por la disipacin de energa en una resistencia:

dU/dt = - I2R

Luego se deriva la ecuacin de la energa total respecto al tiempo y se remplaza la dada: LQ + RQ + (Q/C) = 0

Se puede observar que el circuito RCL tiene un comportamiento oscilatorio amortiguado:

m(d2x/dt2) + b(dx/dt) + kx = 0

Si se tomara una resistencia pequea, la ecuacin cambiara a :

Q = Qmx e -(Rt/2L)Cos wt

w = [ (1/LC) - (R/2L)2 ] 1/2

Entre ms alto el valor de la resistencia, la oscilacin tendr amortiguamiento ms veloz puesto que absorbera ms energa del sistema. Si R es igual a (4L/C) el sistema se encuentra sobreamortiguado.

carga

tiempo

CONCLUSIONES

Se visualiz la configuracin general para los circuitos RC, RL y RLC.

Se present las propiedades fsicas generales de los circuitos RC, RL y RLC.

Se establecieron las ecuaciones para carga y descarga de un condensador en los circuitos RC.

Se mostr la ecuacin general para la corriente en un circuito RL, as como el tiempo dado por la relacin entre resistencia e inductancia.

Se entendieron las propiedades de los circuitos RLC.

Se expuso las ecuaciones generales para el anlisis de circuitos RLC.

12.NORMAS DE SEGURIDAD E HIGIENE EN TRABAJOS DE ELECTRONICA

Abstract El presente informe tiene por objetivo principal dar a conocer las normas de seguridad que se deben tener presentes durante nuestra presencia en el un espacio de laboratorio de circuitos elctricos o en general de cualquier laboratorio de electrnica. Normas que deben ser respetadas por todos los operarios ya sean alumnos o instructores para evitar accidentes, que en algunos casos nos podran costar la vida. Adems mencionare algunos conceptos bsicos para entender dichas normas, como intensidad de corriente, voltaje, extintores de fuego elctrico, pozo de tierra, etc... Y por ultimo una seccin dedicada a los primeros auxilios en caso de algn incidente.

MARCO TEORICO

ACCIDENTES DE ORIGEN ELECTRICO

Los accidentes de origen elctrico pueden provocar daos sobre las personas (lesiones, e incluso muertes) y sobre los bienes (equipos daados, riesgo de incendio y explosiones). Sin embargo, la mayora de los accidentes tienen su origen en una falla humana (por negligencia o ignorancia). Esto implica que podran evitarse si las personas involucradas conocieran y llevaran a la prctica ciertas normas bsicas de seguridad.

Clasificacin de los accidentes elctricos

a) accidentes domsticos (de baja tensin).

b) accidentes de trabajo al margen de los sistemas de generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica (baja y media tensin).

c) accidentes de trabajo en los sistemas de generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica (baja, media y alta tensin).

d) accidentes atmosfricos por cadas de rayos.

DESCARGA ELECTRICA

Se denomina descarga elctrica en un objeto cuando la corriente elctrica usa como medio de transmisin a este mismo. En el caso que este objeto resulta ser el cuerpo humano, decimos entonces que la persona a sufrido una descarga elctrica. La electricidad daa los tejidos al transformarse en energa trmica. El dao tisular no ocurre nicamente en el lugar de contacto con la piel, sino que puede abarcar a tejidos u rganos subyacentes a la zona de entrada o de salida de la corriente. El grado de lesin tisular depende de varios factores:

Intensidad de la corriente (en amperios), la cual, a su vez, depende del voltaje y de la resistencia de los tejidos al paso de la corriente (intensidad = voltaje / resistencia). Habr ms dao a mayor voltaje y menor resistencia. Las lesiones ms severas se producen por

corrientes de alto voltaje (mayor de 1000 voltios), pero una descarga domstica con una corriente alterna de 110 voltios, puede ser mortal. La resistencia de los tejidos es variable.

Trayecto de la corriente a travs del cuerpo: si se pueden identificar los puntos de entrada y de salida (donde hallaremos carbonizacin de la piel, denominada necrosis coagulativa), se puede sospechar el pronstico y la gravedad del proceso valorando los tejidos que han podido ser daados por la corriente. Recordemos que los tejidos ms superficiales se enfriarn antes que los profundos, por los que el calentamiento puede ocasionar lesiones ms graves. En general, son peores los trayectos horizontales (por ejemplo, brazobrazo), que los verticales (como hombro-pierna).

Duracin del contacto con la corriente; a mayor tiempo de exposicin, peores consecuencias. Tengamos adems en cuenta otra consideracin: la corriente alterna suele producir ms daos que la corriente continua.

Nota: El rayo constituye un caso especial: puede originar descargas de hasta 100.000.000 de voltios, con una energa de hasta 200.000 amperios. Es corriente directa, y suele producir mnimas quemaduras superficiales con patrn en forma de araa o arborescente y sin alteraciones metablicas; sin embargo, es habitual la asistolia (la asistolia suele originar el paro cardiaco)

13.LOCALISCION DE FALLAS I AVERIAS

Algunas fallas tpicas son:

Un circuito abierto: En un circuito abierto, como podra ser una resistencia quemada, no hay paso de corriente, lo que da como consecuencia que la tensin entre sus terminales sea diferente a la esperada. (generalmente mayor)

En un circuito serie de resistencias como el de la figura, una de las resistencias est abierta entonces no circula corriente en el circuito y como consecuencia la tensin entre los terminales de la resistencia daada es la tensin de la fuente. Ver: medir corriente en CD y medir corriente en AC

Esta misma situacin puede deberse a una mala soldadura o a un cable cortado. (No hay paso de corriente)

Valores de componentes variados: Este caso se puede presentar cuando uno o ms de los elementos de un circuito se hayan calentado. Algunas veces se puede observar a simple vista la resistencia que se calienta, por que su color es diferente.

En el caso de las resistencias en serie, las medidas sern diferentes a las esperadas, aunque si circular corriente por el circuito. Esta circunstancia se puede dar tambin cuando el circuito se ha cableado de manera incorrecta (se han colocado las resistencias de valor equivocado)

Tomar en cuenta que en este caso las medidas sern diferentes en todo el circuito y si la resistencia variada no es detectable a simple vista, habr que medir todas las resistencias.

Nota: Para medir resistores hay que desconectar la tensin de alimentacin del circuito. Si fuera posible retirar el resistor del circuito sera mejor, pues una medicin de ste en el circuito podra dar un valor incorrecto debido a posibles componentes de diferente tipo que podran estar en paralelo con l.

Conexiones defectuosas: Cuando las conexiones no estn bien hechas (ejemplo: mal soldadas) la corriente que pasa por ellas encuentra una resistencia (oposicin al paso de la corriente) no esperada. Esto causa que las mediciones de tensin en los componentes sean diferentes a las esperadas. Realizar prcticas de soldadura es una buena idea para evitar este problema.

14.

LA BOBINA

Son componentes pasivos de dos terminales que generan un flujo magntico cuando se hacen circular por ellas una corriente elctrica.

Se fabrican arrollando un hilo conductor sobre un ncleo de material ferromagntico o al aire. Su unidad de medida es el Henrio (H) en el Sistema Internacional pero se suelen emplear los submltiplos mH y mH. Sus smbolos normalizados son los siguientes:

1. Bobina

2. Inductancia 3. Bobina con tomas fijas

4. Bobina con ncleo ferromagntico blindada

5. Bobina con ncleo de ferroxcube 6. Bobina

7. Bobina electroimn

8. Bobina ajustable

9. Bobina variable

Existen bobinas de diversos tipos segn su ncleo y segn tipo de arrollamiento. Su aplicacin principal es como filtro en un circuito electrnico, denominndose comnmente, choques.

CARACTERSTICAS

1. Permeabilidad magntica (m).- Es una caracterstica que tiene gran influencia sobre el ncleo de las bobinas respecto del valor de la inductancia de las mismas. Los materiales ferromagnticos son muy sensibles a los campos magnticos y producen unos valores altos de inductancia, sin embargo otros materiales presentan menos sensibilidad a los campos magnticos. El factor que determina la mayor o menor sensibilidad a esos campos magnticos se llama permeabilidad magntica.

Cuando este factor es grande el valor de la inductancia tambin lo es.

2. Factor de calidad (Q).- Relaciona la inductancia con el valor hmico del hilo de la bobina. La bobina ser buena si la inductancia es mayor que el valor hmico debido al hilo de la misma.

TIPOS DE BOBINAS

1. FIJAS

Con ncleo de aire.- El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y posteriormente se retira este quedando con un aspecto parecido al de un muelle. Se utiliza en frecuencias elevadas. Una variante de la bobina anterior se denomina solenoide y difiere en el aislamiento de las espiras y la presencia de un soporte que no necesariamente tiene que ser cilndrico. Se utiliza cuando se precisan muchas espiras. Estas bobinas pueden tener tomas intermedias, en este caso se pueden considerar como 2 o ms bobinas arrolladas sobre un mismo soporte y conectadas en serie. Igualmente se utilizan para frecuencias elevadas.

Con ncleo slido.- Poseen valores de inductancia ms altos que los anteriores debido a su nivel elevado de permeabilidad magntica. El ncleo suele ser de un material ferromagntico. Los ms usados son la ferrita y el ferroxcube. Cuando se manejan potencias considerables y las frecuencias que se desean eliminar son bajas se utilizan ncleos parecidos a los de los transformadores (en fuentes de alimentacin sobre todo). As nos encontraremos con las configuraciones propias de estos ltimos. Las secciones de los ncleos pueden tener forma de EI, M, UI y L. Bobina de ferrita Bobina de ferrita de nido de abeja Bobinas con ncleo toroidal Bobinas de ferrita para SMD

Las bobinas de nido de abeja se utilizan en los circuitos sintonizadores de aparatos de radio en las gamas de onda media y larga. Gracias a la forma del bobinado se consiguen altos valores inductivos en un volumen mnimo.

Las bobinas de ncleo toroidal se caracterizan por que el flujo generado no se dispersa hacia el exterior ya que por su forma se crea un flujo magntico cerrado, dotndolas de un gran rendimiento y precisin. La bobinas de ferrita arrolladas sobre ncleo de ferrita, normalmente cilndricos, con aplicaciones en radio es muy interesante desde el punto de vista practico ya que, permite emplear el conjunto como antena colocndola directamente en el receptor.

Las bobinas grabadas sobre el cobre , en un circuito impreso tienen la ventaja de su mnimo coste pero son difcilmente ajustables mediante ncleo.

2. VARIABLES

Tambin se fabrican bobinas ajustables. Normalmente la variacin de inductancia se produce por desplazamiento del ncleo. Las bobinas blindadas pueden ser variables o fijas, consisten encerrar la bobina dentro de una cubierta metlica cilndrica o cuadrada, cuya misin es limitar el flujo electromagntico creado por la propia bobina y que puede afectar negativamente a los componentes cercanos a la misma.

IDENTIFICACIN DE LAS BOBINAS

Las bobinas se pueden identificar mediante un cdigo de colores similar al de las resistencias o mediante serigrafa directa. Las bobinas que se pueden identificar mediante cdigo de colores presentan un aspecto semejante a las resistencias.

15. DESCRIVIR LA ESTRUCTURA ATOMICA DEL DIODO

INTRODUCCION

La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa. Es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin (radio, televisin, telefona), sin los sistemas de manejo de informacin (computacin), sin la electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por la tcnica. Todo ha sido posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a partir de la invencin de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los pases desarrollados.

De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y semiconductores. La facilidad del movimiento depende de la estructura atmica de la sustancia.

Conductores. Son sustancias que poseen muchos electrones libres. El movimiento errtico de dichos electrones puede encauzarse en una direccin aplicando una fuerza y conseguir un flujo electrnico.

Aislantes. Tambin llamados dielctricos, son sustancias, cuya estructura atmica retiene fuertemente a los electrones y el movimiento de stos slo se produce dentro de los lmites del tomo.

Semiconductores. Estas sustancias tienen propiedades intermedias entre la de los conductores y la de los aislantes. La cantidad de electrones libres depende de determinado factor (calor, luminosidad,, etc.).

Definicin de Diodo

Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran

parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia.

Compresin

Para comprender ms que son los diodos semiconductores es necesario en primer lugar familiarizarse con las caractersticas de los cuerpos bsicos y modificados que se utilizan.

Los cuerpos bsicos, en las aplicaciones comerciales, son el germanio y el silicio purificados preparados especialmente en estado de cristal. Estos cuerpos son excelentes aislantes porque la estructura cristalina mantiene eficazmente en su lugar todos los electrones externos que normalmente quedaran libres para entrar en la circulacin de corriente.

El diagrama representa la vista simplificada de un cuerpo puro semiconductor tal como el germanio o el silicio. Cada tomo tiene cuatro electrones externos representados por pequeos signos negativos. Los electrones internos ligados al ncleo y el mismo ncleo, se representan mediante un circulo en negro. A causa de la estructura cristalina, los ncleos estn alineados en disposicin simtrica y cada electrn externo comparte la rbita de otro electrn externo de un tomo vecino. Es esta disposicin de rbitas compartidas que mantiene eficazmente cada electrn en su lugar y no algn fuerte encadenamiento extrao entre el electrn y su ncleo.

Para que una tensin aplicada diera lugar a un flujo de electrones, debera ser suficientemente alta para romper la ligadura de los electrones antes de que dichos electrones quedaran libres para moverse hacia el terminal de tensin positiva. Al romper la ligadura, la tensin destruira tambin la estructura cristalina.

Como que no puede circular corriente elctrica a travs de un cuerpo cristalino puro tal como el descrito, aquel cuerpo debe modificarse para obtener una circulacin de corriente que se pueda gobernar.

Un mtodo para obtener circulacin de corriente es aadir una pequea cantidad de tomos que tengan cinco electrones externos. Los tomos adecuados para este fin son los de fsforo, antimonio y ms frecuentemente, arsnico. Estos tomos son distribudos a travs del cuerpo bsico puro mientras se lo est tratando para que adquiera el estado cristalino y la estructura que se representa en el esquema. La proporcin de los tomos que forman la impureza es del orden de una parte en cien millones. Una proporcin mayor a una circulacin de corriente que ya no puede gobernarse.

Los tomos que forman la impureza se introducen en la estructura de la misma manera que los tomos del cuerpo bsico. La diferencia importante estriba en que el electrn externo adicional de cada tomo de la impureza queda sin encadenarse con la estructura cristalina. Si se conecta una tensin contnua (CC) entre los extremos de un trozo de semejante material, los electrones encadenados quedan libres para circular a travs de la estructura cristalina hacia el borne positivo. El nmero total de electrones no encadenados en el cristal permanece siempre el mismo cada electrn que abandona el cristal en el terminal positivo es reemplazado por otro que entra por el negativo. En consecuencia, se produce una circulacin constante de corriente.

Como que la circulacin de corriente en este material se debe a un exceso de partculas (electrones) negativas, se conoce a tal material como semiconductor por exceso, o del tipo N.

Existe otro mtodo de modificar el cuerpo bsico cristalino puro para obtener un flujo de corriente que se pueda gobernar. Durante el tratamiento del cuerpo bsico, los tomos de la impureza, tales como los de aluminio, boro o indio, se aaden en pequeas cantidades. Estos tomos que forman la impureza tienen solamente tres electrones externos y se introducen en la estructura cristalina tal como se representa en el diagrama.

La comparacin de este diagrama con el correspondiente al cuerpo bsico puro muestra que a la estructura modificada le falta un electrn por cada tomo de impureza. El espacio que deja en la estructura el electrn que falta, se denomina poro. Se refiere al espacio existente entre las molculas de los cuerpos. Observe que el poro no est situado necesariamente en la vecindad inmediata del tomo de impureza. Durante el tratamiento, el tomo de la impureza atrae un electrn externo prximo para llenar el espacio de la estructura cristalina que le rodea y el poro se mueve hacia algn lugar. Una serie de electrones externos puede abandonar sus ncleos para llenar el espacio y el poro puede viajar una distancia considerable antes de alcanzar una posicin de equilibrio.

Aplicando una tensin de CC a travs de los extremos de un trozo de este material el poro tiene las caractersticas de una carga positiva y circula hacia el terminal negativo de la fuente de tensin. El nmero total de poros en el cristal se mantiene siempre igual. Cada poro que alcanza el extremo negativo del cristal es neutralizado por un electrn que abandona el terminal positivo y entra en el cristal. Esto da al cristal un exceso de carga negativa. E1 cristal vuelve a ganar una carga neutra cuando descarga un electrn al terminal de tensin positiva y crea otro poro. E1 nuevo poro circula hacia el terminal negativo dando como resultado una continua circulacin de poros a travs del cristal y un flujo continuo de electrones a travs de los conductores.

Como que la circulacin de corriente en este cuerpo se debe a faltas (poros) en la estructura cristalina y estas faltas simulan cargas positivas, el material es conocido como semiconductor por defecto, o del tipo P.

Un diodo semiconductor consta esencialmente de materiales semiconductores de los tipos P y N en ntimo contacto entre s.

Existen dos tipos bsicos de diodos semiconductores en uso actualmente el de unin y el de puntos de contacto. Existen algunas variaciones fundamenteles de cada uno de los tipos bsicos que tambin se examinaran.

En la practica corriente se encuentran dos tipos diferentes de unin. En la unin se forma por crecimiento en el diodo y en el otro la unin se por difusin.

El dibujo representa en forma simplificada la disposicin para formar una unin por crecimiento. Dentro de un recipiente hermtico en el cual se ha hecho el vaco, o se lo llena de un gas inerte, se suspende un crisol que contiene germanio puro. Mediante una bobina de induccin se calienta el germanio hasta su punto de fusin. Para comenzar la formacin del diodo, se le aade impureza del tipo N, la que se difunde a travs de la masa en fusin. Una pequea barra, cortada de un solo cristal de germanio, se sumerge hasta tocar la superficie del germanio fundido y luego se la retira lentamente hacindola girar. El germanio fundido se solidifica en el punto de contacto con la barra slida y el proceso de extraccin determina el crecimiento de una varilla de germanio tipo N. Esta varilla es en realidad un solo cristal perfecto con un dimetro del orden, de 25 milmetros.

La unin se forma despus de que la varilla ha crecido hasta una longitud de unos 12 milmetros. Se nade suficiente cantidad de impureza de tipo P para neutralizar la impureza de tipo N y convertir al germanio en tipo P. Se contina el proceso de extraccin y el resto de la varilla es germanio tipo P.

Toda la varilla es un solo cristal de germanio y la nica diferencia es el tipo de impureza de sus dos mitades. Se corta de la varilla la regin de unin P-N, que se divide en aproximadamente un centenar de pequeos prismas conteniendo todos la unin. Cada conjunto va provisto de terminales de alambre, conectados por fusin o soldadura, y el todo se encierra en un recipiente que lo protege mecnicamente y lo asla de la atmsfera.

Se explic anteriormente que un diodo semiconductor consiste bsicamente en una unin entre semiconductores tipo P y tipo N. A primera vista no parece existir unin P-N en el sistema de puntos de contacto. En realidad, no se comprende muy bien la manera de trabajar del diodo de puntos de contacto. En una u otra forma, independientemente de las diversas suposiciones que puedan hacerse, estas teoras llegan a conclusiones de que hay algo en la regin del punto de contacto que trabaja de manera similar a una unin PN.

Una comprobacin de esta teora es el hecho de que los diodos de germanio de tipo N construidos de esta manera, generalmente trabajan mejor despus de una formacin. La formacin consiste en hacer pasar un fuerte impulso de corriente a travs del diodo. Despus de la formacin, la punta del alambre de contacto se encuentra unida a la placa semiconductora. La intensa corriente, aparentemente funde el material semiconductor en la regin de la punta de contacto. Esta rpida fusin y enfriamiento ocasiona al parecer una conversin localizada de la materia tipo N en materia tipo P formndose as una unin P-N. Los motivos de esta conversin son difciles de explicar, pero pruebas exactas demuestran que la conversin tiene lugar.

TIPOS DE DIODOS

En esta pgina se representan varios tipos de diodos semiconductores disponibles comercialmente. Puede verse que existe una amplia variedad de disposiciones fsicas. Se incluyen entre ellas, cilindros de cermica con extremos metlicos, tubos de vidrio con o sin extremos metlicos, recipientes de plstico, recipientes metlicos recubiertos de plstico y cilindros metlicos con montura de tornillo. Algunas de estas variantes externas

se deben a preferencias del fabricante. Otras caractersticas tienen una funcin especifica, tal como la montura de tornillo, que puede emplearse para disipar el calor producido por los rectificadores de potencia.

Aunque no siempre aparente sin atento examen, muchos de los recipientes de los diodos semiconductores estn marcados con una flecha. La flecha seala el sentido de fcil circulacin de corriente, tal como la indicara un instrumento de CC. La razn de este sistema de marca es permitir al tcnico y a quien efecte reparaciones un mtodo seguro de establecer las conexiones necesarias. Se elimina as la necesidad de deducir esta informacin mediante un esquema que puede dar lugar a confusin en algunos casos especiales. En muchos esquemas, los diodos semiconductores aparecen marcados segn esta disposicin.

Los diodos semiconductores son de gran flexibilidad de aplicacin. Pueden utilizarse en todas aquellas aplicaciones en las que actualmente se emplean los rectificadores metlicos secos y los diodos de vaco; y tienen algunas aplicaciones poco corrientes que les son exclusivas. La ventaja de utilizar un diodo semiconductor en su reemplazo es que generalmente es menor, ms eficaz y trabaja a frecuencias notablemente superiores que el tubo de vaco o el rectificador metlico seco, y no requiere energa para el filamento, como en el caso del tubo de vaco.

El dispositivo ms sencillo consta de una resistencia, un rectificador y el sistema mvil de un instrumento de CC. El flujo de electrones indicado por las flechas negras pasa a travs del sistema mvil del instrumento, haciendo desviar su aguja. Este flujo de electrones es consecuencia de un semiciclo contrario de la tensin de la lnea. La circulacin de electrones resultante del semiciclo contrario de la tensin de la lnea est representada por flechas blancas. Aunque el dispositivo mvil del instrumento est atravesado solamente por impulsos de corriente continua, la aguja no puede moverse con la rapidez necesaria para seguir sus mximos y mnimos, indicando el valor medio de los impulsos de corriente.

Frecuentemente, la resistencia es variable de modo que la lectura que seala la aguja pueda ajustarse segn el alcance del instrumento. Utilizando como rectificador un diodo semiconductor, el instrumento puede calibrarse a la frecuencia de la lnea del alumbrado y dar lecturas exactas del voltaje, mediante un factor de correccin, a frecuencias de hasta cientos de megaciclos.

En los circuitos de AF ( audiofrecuencia ) y RF ( radiofrecuencia ), sin embargo, esta falta de uniformidad en la carga puede dar lugar a lecturas inexactas y perturbar el trabajo del circuito. Aadiendo otro rectificador al sistema, se deriva el semiciclo no utilizado hacia un camino de baja resistencia externo al instrumento, obtenindose as una carga bastante uniforme. Puede utilizarse un circuito en puente de cuatro rectificadores, como se ve en el esquema, de modo que los dos semiciclos de la corriente alterna circulen a travs del instrumento en el mismo sentido. Esto da como resultado una carga equilibrada para los dos semiciclos de corriente.

Otras aplicaciones de los diodos semiconductores incluyen su utilizacin en los circuitos de fuentes de alimentacin. En tales aplicaciones, los diodos semiconductores tienen la ventaja de ser robustos, de larga vida, de poco tamao y capaces de grandes intensidades de salida. Unicamente hasta ahora los semiconductores eran ms caros que los rectificadores metlicos secos equivalentes y se dispona de una seleccin muy limitada de tipos capaces de proporcionar mucha potencia. Actualmente, los diodos semiconductores se usan frecuentemente con preferencia a los rectificadores metlicos a causa de la economa de espacio y mayor rendimiento y porque la diferencia de costos es pequea.

Si se emplean los diodos semiconductores en fuentes de alimentacin, los circuitos ms comunes son el de media onda y el montaje en puente. Son equivalentes a los circuitos para instrumentos de medida descritos anteriormente.

El objeto de las resistencias en serie con los rectificadores es impedir un exceso de corriente que podra estropear el rectificador, como ocurrira en el caso eventual de un cortocircuito o de una sobrecarga en el equipo al cual el rectificador estuviese conectado. Entre el rectificador y la carga puede disponerse de un filtro RC (resistencia - capacidad) o bien un filtro LC (inductancia - capacidad). Tambin puede disponerse del circuito doblador de voltaje que representa el esquema.

En los circuitos receptores, los diodos semiconductores pueden utilizarse como eficaces mezcladores o detectores.

Vamos a estudiar ejemplos de ambos circuitos.

El esquema representa un mezclador de diodo semiconductor, muy sencillo. Este mezclador trabaja bien en las bandas de broadcasting, televisin y de microondas. No se usa frecuentemente en las bandas de broadcasting o televisin, puesto que su ganancia es menor que la unidad, y puede obtenerse una ganancia importante por medio de los mezcladores de tubo de vaco o de transistores. En las frecuencias correspondientes a las microondas, sin embargo, el mezclador de diodo semiconductor trabaja eficazmente donde otros circuitos fallan.

Cuando el circuito est en funcionamiento, el oscilador local entrega una tensin constante al rectificador. Se obtiene en consecuencia un flujo constante de corriente a travs del mezclador semiconductor, flujo de corriente que consiste en impulsos unidireccionales a la frecuencia del oscilador local. La seal de RF de entrada, proveniente de la antena, tambin se aplica al mezclador. Tiene lugar la accin heterodina de manera similar a la del circuito mezclador normal y la salida del mezclador consiste en cuatro frecuencias diferentes: la frecuencia de la seal de RF que viene de la antena, la frecuencia del oscilador local, la suma de estas dos seales de entrada y la diferencia de las mismas. Como en el caso del mezclador normal, el transformador de FI (frecuencia intermedia) est sintonizado nicamente a la seal diferencia de las dos de entrada; y la amplificacin de la seal modulada tiene lugar a la frecuencia ms baja.

En las aplicaciones como detector, el circuito de diodo semiconductor es esencialmente el mismo que el circuito de tubo de vaco y el circuito para medidas estudiado anteriormente.

Cuando la seal de FI modulada en amplitud es rectificada, se obtiene una corriente pulsatoria unidireccional cuyos componentes son una seal de FI y una seal de AF. La componente de FI es derivada a masa mediante un condensador que tiene poca capacidad para derivar tambin la componente de audio. Resulta as que la componente de audio es la seal aplicada a la entrada del audio amplificador, habindose efectuado as la deteccin.

RESUMEN

CUERPOS SEMICONDUCTORES

 El germanio y el silicio puros cristalizados son los cuerpos bsicos utilizados corrientemente en los diodos semiconductores y transistores. Estos cuerpos son excelentes aislantes debido a que la estructura cristalina mantiene firmemente en su lugar a todos los electrones externos.

SEMICONDUCTOR TIPO N

Puede obtenerse un cuerpo semiconductor aadiendo tomos de impureza que penetran en la estructura cristalina pero que tienen un exceso de electrones externos no encadenados a la estructura. El flujo de corriente es conducido por el exceso de electrones cargados negativamente que circulan a travs del cristal hacia el terminal cargado positivamente.

SEMICONDUCTOR TIPO P

Tambin puede obtenerse la conduccin aadiendo tomos de impureza que no tienen suficiente nmero de electrones externos para llenar todos los encadenamientos de cristal. Los espacios por llenar se denominan poros y tienen las caractersticas de cargas positivas.

A1 aplicar una tensin, los poros circulan hacia el terminal del cristal cargado negativamente.

DIODO DE UNION

Un diodo de unin consiste en cuerpos semiconductores de los tipos P y N en ntimo contacto. La unin puede obtenerse durante el proceso de formacin del cristal (unin por crecimiento) o mediante un sistema de disolucin y recristalizacin (unin por aleacin).

DIODO DE PUNTOS DE CONTACTO

 E1 diodo de puntos de contacto consiste en una placa de un cuerpo semiconductor de tipo P o tipo N en contacto con un alambre puntiagudo. La regin de contacto puede considerarse como una unin P-N.

POLARIZACION DIRECTA

La disposicin de polarizacin de la unin P-N que muestra el dibujo, se conoce como polarizacin directa. Se necesitan solamente algunos voltios para hacer que todos los poros y electrones en exceso circulen hacia la unin dando por resultado la mxima intensidad de corriente permisible.

POLARIZACION INVERSA

Cuando las conexiones de polarizacin de la unin son contrarias a la polarizacin directa, todos los poros y electrones en exceso circulan separndose de la unin y no dan lugar a un flujo continuo de corriente.

Unicamente poros y electrones errticos pueden formar un flujo continuo de corriente. Se necesitan tensiones elevadas, y la mxima corriente que se obtiene es s10 una fraccin de la obtenida mediante la polarizacin directa.

APLICACIONES DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Los diodos semiconductores pueden usarse en todas las aplicaciones adecuadas para los rectificadores de tubo de vaco o metlicos secos. Los circuitos que le son familiares incluyen rectificadores para instrumentos de medida, fuentes de alimentacin, mezcladores y detectores.

DIODO SEMICOCDUTOR

Aplicacin del diodo

Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al dado al lado P y los electrones fluyen a travs del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N.

Como trabaja los diodos

Diodo semiconductor es el dispositiva semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente. Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (flecha de diodo), o del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.

Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea el nodo al ctodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un corto circuito.

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 V en el diodo de germanio y de 0.6 V aproximadamente en el diodo de silicio. Los diodos de silicio son los ms utilizados que los de germanio. Los diodos se utilizan mayormente en el proceso de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente continua (C.C.) utilizndolos como rectificador

La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa. Es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin (radio, televisin, telefona), sin los sistemas de manejo de informacin (computacin), sin la electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por la tcnica. Todo ha sido posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a partir de la invencin de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los pases desarrollados.

De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y semiconductores. La facilidad del movimiento depende de la estructura atmica de la sustancia. Conductores. Son sustancias que poseen muchos electrones libres. El movimiento errtico de dichos electrones puede encauzarse en una direccin aplicando una fuerza y conseguir un flujo electrnico. Aislantes. Tambin llamados dielctricos, son sustancias, cuya estructura atmica retiene fuertemente a los electrones y el movimiento de stos slo se produce dentro de los lmites del tomo. Semiconductores. Estas sustancias tienen propiedades intermedias entre la de los conductores y la de los aislantes. La cantidad de electrones libres depende de determinado factor (calor, luminosidad, etc.).

Definicin de Diodo Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia. Compresin Para comprender ms que son los diodos semiconductores es necesario en primer lugar familiarizarse con las caractersticas de los cuerpos bsicos y modificados que se utilizan. Los cuerpos bsicos, en las aplicaciones comerciales, son el germanio y el silicio purificados preparados especialmente en estado de cristal. Estos cuerpos son excelentes aislantes porque la estructura cristalina mantiene eficazmente en su lugar todos los electrones externos que normalmente quedaran libres para entrar en la circulacin de corriente. El diagrama representa la vista simplificada de un cuerpo puro semiconductor tal como el germanio o el silicio. Cada tomo tiene cuatro electrones externos representados por pequeos signos negativos. Los electrones internos ligados al ncleo y el mismo ncleo, se representan mediante un circulo en negro. A causa de la estructura cristalina, los ncleos estn alineados en disposicin simtrica y cada electrn externo comparte la rbita de otro electrn externo de un tomo vecino. Es esta disposicin de rbitas compartidas que mantiene eficazmente cada electrn en su lugar y no algn fuerte encadenamiento extrao entre el electrn y su ncleo. Para que una tensin aplicada diera lugar a un flujo de electrones, debera ser suficientemente alta para romper la ligadura de los electrones antes de que dichos electrones quedaran libres para moverse hacia el terminal de tensin positiva. Al romper la ligadura, la tensin destruira tambin la estructura cristalina. Como que no puede circular corriente elctrica a travs de un cuerpo cristalino puro tal como el descrito, aquel cuerpo debe modificarse para obtener una circulacin de corriente que se pueda gobernar.

Un mtodo para obtener circulacin de corriente es aadir una pequea cantidad de tomos que tengan cinco electrones externos. Los tomos adecuados para este fin son los de fsforo, antimonio y ms frecuentemente, arsnico. Estos tomos son distribuidos a travs del cuerpo bsico puro mientras se lo est tratando para que adquiera el estado cristalino y la estructura que se representa en el esquema. La proporcin de los tomos que forman la impureza es del orden de una parte en cien millones. Una proporcin mayor a una circulacin de corriente que ya no puede gobernarse. Los tomos que forman la impureza se introducen en la estructura de la misma manera que los tomos del cuerpo bsico. La diferencia importante estriba en que el electrn externo adicional de cada tomo de la impureza queda sin encadenarse con la estructura cristalina. Si se conecta una tensin contina (CC) entre los extremos de un trozo de semejante material, los electrones encadenados quedan libres para circular a travs de la estructura cristalina hacia el borne positivo. El nmero total de electrones no encadenados en el cristal permanece siempre el mismo cada electrn que abandona el cristal en el terminal positivo es reemplazado por otro que entra por el negativo. En consecuencia, se produce una circulacin constante de corriente. Como que la circulacin de corriente en este material se debe a un exceso de partculas (electrones) negativas, se conoce a tal material como semiconductor por exceso, o del tipo N. Existe otro mtodo de modificar el cuerpo bsico cristalino puro para obtener un flujo de corriente que se pueda gobernar. Durante el tratamiento del cuerpo bsico, los tomos de la impureza, tales como los de aluminio, boro o indio, se aaden en pequeas cantidades. Estos tomos que forman la impureza tienen solamente tres electrones externos y se introducen en la estructura cristalina tal como se representa en el diagrama. La comparacin de este diagrama con el correspondiente al cuerpo bsico puro muestra que a la estructura modificada le falta un electrn por cada tomo de impureza. El espacio que deja en la estructura el electrn que falta, se denomina poro. Se refiere al espacio existente entre las molculas de los cuerpos. Observe que el poro no est situado necesariamente en la vecindad inmediata del tomo de impureza. Durante el tratamiento, el tomo de la impureza atrae un electrn externo prximo para llenar el espacio de la estructura cristalina que le rodea y el poro se mueve hacia algn lugar. Una serie de electrones externos puede abandonar sus ncleos para llenar el espacio y el poro puede viajar una distancia considerable antes de alcanzar una posicin de equilibrio.

Aplicando una tensin de CC a travs de los extremos de un trozo de este material el poro tiene las caractersticas de una carga positiva y circula hacia el terminal negativo de la fuente de tensin. El nmero total de poros en el cristal se mantiene siempre igual. Cada poro que alcanza el extremo negativo del cristal es neutralizado por un electrn que abandona el terminal positivo y entra en el cristal. Esto da al cristal un exceso de carga negativa. E1 cristal vuelve a ganar una carga neutra cuando descarga un electrn al terminal de tensin positiva y crea otro poro. E1 nuevo poro circula hacia el terminal negativo dando como resultado una continua circulacin de poros a travs del cristal y un flujo continuo de electrones a travs de los conductores. Como que la circulacin de corriente en este cuerpo se debe a faltas (poros) en la estructura cristalina y estas faltas simulan cargas positivas, el material es conocido como semiconductor por defecto, o del tipo P. Un diodo semiconductor consta esencialmente de materiales semiconductores de los tipos P y N en ntimo contacto entre s. Existen dos tipos bsicos de diodos semiconductores en uso actualmente el de unin y el de puntos de contacto. Existen algunas variaciones fundamenteles de cada uno de los tipos bsicos que tambin se examinaran. En la practica corriente se encuentran dos tipos diferentes de unin. En la unin se forma por crecimiento en el diodo y en el otro la unin se por difusin. El dibujo representa en forma simplificada la disposicin para formar una unin por crecimiento. Dentro de un recipiente hermtico en el cual se ha hecho el vaco, o se lo llena de un gas inerte, se suspende un crisol que contiene germanio puro. Mediante una bobina de induccin se calienta el germanio hasta su punto de fusin. Para comenzar la formacin del diodo, se le aade impureza del tipo N, la que se difunde a travs de la masa en fusin. Una pequea barra, cortada de un solo cristal de germanio, se sumerge hasta tocar la superficie del germanio fundido y luego se la retira lentamente hacindola girar. El germanio fundido se solidifica en el punto de contacto con la barra slida y el proceso de extraccin determina el crecimiento de una varilla de germanio tipo N. Esta varilla es en realidad un solo cristal perfecto con un dimetro del orden, de 25 milmetros. La unin se forma despus de que la varilla ha crecido hasta una longitud de unos 12 milmetros. Se nade suficiente cantidad de impureza de tipo P para neutralizar la impureza de tipo N y convertir al germanio en tipo P. Se contina el proceso de extraccin y el resto de la varilla es germanio tipo P.

Toda la varilla es un solo cristal de germanio y la nica diferencia es el tipo de impureza de sus dos mitades. Se corta de la varilla la regin de unin P-N, que se divide en aproximadamente un centenar de pequeos prismas conteniendo todos la unin. Cada conjunto va provisto de terminales de alambre, conectados por fusin o soldadura, y el todo se encierra en un recipiente que lo protege mecnicamente y lo asla de la atmsfera. Se explic anteriormente que un diodo semiconductor consiste bsicamente en una unin entre semiconductores tipo P y tipo N. A primera vista no parece existir unin P-N en el sistema de puntos de contacto. En realidad, no se comprende muy bien la manera de trabajar del diodo de puntos de contacto. En una u otra forma, independientemente de las diversas suposiciones que puedan hacerse, estas teoras llegan a conclusiones de que hay algo en la regin del punto de contacto que trabaja de manera similar a una unin P-N. Una comprobacin de esta teora es el hecho de que los diodos de germanio de tipo N construidos de esta manera, generalmente trabajan mejor despus de una formacin. La formacin consiste en hacer pasar un fuerte impulso de corriente a travs del diodo. Despus de la formacin, la punta del alambre de contacto se encuentra unida a la placa semiconductora. La intensa corriente, aparentemente funde el material semiconductor en la regin de la punta de contacto. Esta rpida fusin y enfriamiento ocasiona al parecer una conversin localizada de la materia tipo N en materia tipo P formndose as una unin P-N. Los motivos de esta conversin son difciles de explicar, pero pruebas exactas demuestran que la conversin tiene lugar. TIPOS DE DIODOS En esta pgina se representan varios tipos de diodos semiconductores disponibles comercialmente. Puede verse que existe una amplia variedad de disposiciones fsicas. Se incluyen entre ellas, cilindros de cermica con extremos metlicos, tubos de vidrio con o sin extremos metlicos, recipientes de plstico, recipientes metlicos recubiertos de plstico y cilindros metlicos con montura de tornillo. Algunas de estas variantes externas se deben a preferencias del fabricante. Otras caractersticas tienen una funcin especifica, tal como la montura de tornillo, que puede emplearse para disipar el calor producido por los rectificadores de potencia. Aunque no siempre aparente sin atento examen, muchos de los recipientes de los diodos semiconductores estn marcados con una flecha. La flecha seala el sentido de fcil circulacin de corriente, tal como la indicara un instrumento de CC. La razn de este sistema de marca es permitir al tcnico y a quien efecte reparaciones un mtodo seguro de establecer las conexiones necesarias. Se elimina as la necesidad de deducir esta informacin mediante un esquema que puede dar lugar a confusin en algunos casos especiales. En muchos esquemas, los diodos semiconductores aparecen marcados segn esta disposicin.

Los diodos semiconductores son de gran flexibilidad de aplicacin. Pueden utilizarse en todas aquellas aplicaciones en las que actualmente se emplean los rectificadores metlicos secos y los diodos de vaco; y tienen algunas aplicaciones poco corrientes que les son exclusivas. La ventaja de utilizar un diodo semiconductor en su reemplazo es que generalmente es menor, ms eficaz y trabaja a frecuencias notablemente superiores que el tubo de vaco o el rectificador metlico seco, y no requiere energa para el filamento, como en el caso del tubo de vaco. El dispositivo ms sencillo consta de una resistencia, un rectificador y el sistema mvil de un instrumento de CC. El flujo de electrones indicado por las flechas negras pasa a travs del sistema mvil del instrumento, haciendo desviar su aguja. Este flujo de electrones es consecuencia de un semiciclo contrario de la tensin de la lnea. La circulacin de electrones resultante del semiciclo contrario de la tensin de la lnea est representada por flechas blancas. Aunque el dispositivo mvil del instrumento est atravesado solamente por impulsos de corriente continua, la aguja no puede moverse con la rapidez necesaria para seguir sus mximos y mnimos, indicando el valor medio de los impulsos de corriente. Frecuentemente, la resistencia es variable de modo que la lectura que seala la aguja pueda ajustarse segn el alcance del instrumento. Utilizando como rectificador un diodo semiconductor, el instrumento puede calibrarse a la frecuencia de la lnea del alumbrado y dar lecturas exactas del voltaje, mediante un factor de correccin, a frecuencias de hasta cientos de megaciclos. En los circuitos de AF ( audiofrecuencia ) y RF ( radiofrecuencia ), sin embargo, esta falta de uniformidad en la carga puede dar lugar a lecturas inexactas y perturbar el trabajo del circuito. Aadiendo otro rectificador al sistema, se deriva el semiciclo no utilizado hacia un camino de baja resistencia externo al instrumento, obtenindose as una carga bastante uniforme. Puede utilizarse un circuito en puente de cuatro rectificadores, como se ve en el esquema, de modo que los dos semiciclos de la corriente alterna circulen a travs del instrumento en el mismo sentido. Esto da como resultado una carga equilibrada para los dos semiciclos de corriente. Otras aplicaciones de los diodos semiconductores incluyen su utilizacin en los circuitos de fuentes de alimentacin. En tales aplicaciones, los diodos semiconductores tienen la ventaja de ser robustos, de larga vida, de poco tamao y capaces de grandes intensidades de salida. Unicamente hasta ahora los semiconductores eran ms caros que los rectificadores metlicos secos equivalentes y se dispona de una seleccin muy limitada de tipos capaces de proporcionar mucha potencia. Actualmente, los diodos semiconductores se usan frecuentemente con preferencia a los rectificadores metlicos a causa de la economa de espacio y mayor rendimiento y porque la diferencia de costos es pequea.

Si se emplean los diodos semiconductores en fuentes de alimentacin, los circuitos ms comunes son el de media onda y el montaje en puente. Son equivalentes a los circuitos para instrumentos de medida descritos anteriormente. El objeto de las resistencias en serie con los rectificadores es impedir un exceso de corriente que podra estropear el rectificador, como ocurrira en el caso eventual de un cortocircuito o de una sobrecarga en el equipo al cual el rectificador estuviese conectado. Entre el rectificador y la carga puede disponerse de un filtro RC (resistencia - capacidad) o bien un filtro LC (inductancia - capacidad). Tambin puede disponerse del circuito doblador de voltaje que representa el esquema. En los circuitos receptores, los diodos semiconductores pueden utilizarse como eficaces mezcladores o detectores. Vamos a estudiar ejemplos de ambos circuitos. El esquema representa un mezclador de diodo semiconductor, muy sencillo. Este mezclador trabaja bien en las bandas de broadcasting, televisin y de microondas. No se usa frecuentemente en las bandas de broadcasting o televisin, puesto que su ganancia es menor que la unidad, y puede obtenerse una ganancia importante por medio de los mezcladores de tubo de vaco o de transistores. En las frecuencias correspondientes a las microondas, sin embargo, el mezclador de diodo semiconductor trabaja eficazmente donde otros circuitos fallan. Cuando el circuito est en funcionamiento, el oscilador local entrega una tensin constante al rectificador. Se obtiene en consecuencia un flujo constante de corriente a travs del mezclador semiconductor, flujo de corriente que consiste en impulsos unidireccionales a la frecuencia del oscilador local. La seal de RF de entrada, proveniente de la antena, tambin se aplica al mezclador. Tiene lugar la accin heterodina de manera similar a la del circuito mezclador normal y la salida del mezclador consiste en cuatro frecuencias diferentes: la frecuencia de la seal de RF que viene de la antena, la frecuencia del oscilador local, la suma de estas dos seales de entrada y la diferencia de las mismas. Como en el caso del mezclador normal, el transformador de FI (frecuencia intermedia) est sintonizado nicamente a la seal diferencia de las dos de entrada; y la amplificacin de la seal modulada tiene lugar a la frecuencia ms baja. En las aplicaciones como detector, el circuito de diodo semiconductor es esencialmente el mismo que el circuito de tubo de vaco y el circuito para medidas estudiado anteriormente. Cuando la seal de FI modulada en amplitud es rectificada, se obtiene una corriente pulsatoria unidireccional cuyos componentes son una seal de FI y una seal de AF. La componente de FI es derivada a masa mediante un condensador que tiene poca capacidad para derivar tambin la componente de audio. Resulta as que la componente de audio es la seal aplicada a la entrada del audio amplificador, habindose efectuado as la deteccin.

CUERPOS SEMICONDUCTORES El germanio y el silicio puros cristalizados son los cuerpos bsicos utilizados corrientemente en los diodos semiconductores y transistores. Estos cuerpos son excelentes aislantes debido a que la estructura cristalina mantiene firmemente en su lugar a todos los electrones externos. SEMICONDUCTOR TIPO N Puede obtenerse un cuerpo semiconductor aadiendo tomos de impureza que penetran en la estructura cristalina pero que tienen un exceso de electrones externos no encadenados a la estructura. El flujo de corriente es conducido por el exceso de electrones cargados negativamente que circulan a travs del cristal hacia el terminal cargado positivamente. SEMICONDUCTOR TIPO P Tambin puede obtenerse la conduccin aadiendo tomos de impureza que no tienen suficiente nmero de electrones externos para llenar todos los encadenamientos de cristal. Los espacios por llenar se denominan poros y tienen las caractersticas de cargas positivas. A1 aplicar una tensin, los poros circulan hacia el terminal del cristal cargado negativamente. DIODO DE UNION Un diodo de unin consiste en cuerpos semiconductores de los tipos P y N en ntimo contacto. La unin puede obtenerse durante el proceso de formacin del cristal (unin por crecimiento) o mediante un sistema de disolucin y recristalizacin (unin por aleacin). DIODO DE PUNTOS DE CONTACTO E1 diodo de puntos de contacto consiste en una placa de un cuerpo semiconductor de tipo P o tipo N en contacto con un alambre puntiagudo. La regin de contacto puede considerarse como una unin P-N. POLARIZACION DIRECTA La disposicin de polarizacin de la unin P-N que muestra el dibujo, se conoce como polarizacin directa. Se necesitan solamente algunos voltios para hacer que todos los poros y electrones en exceso circulen hacia la unin dando por resultado la mxima intensidad de corriente permisible.

POLARIZACION INVERSA Cuando las conexiones de polarizacin de la unin son contrarias a la polarizacin directa, todos los poros y electrones en exceso circulan separndose de la unin y no dan lugar a un flujo continuo de corriente. Unicamente poros y electrones errticos pueden formar un flujo continuo de corriente. Se necesitan tensiones elevadas, y la mxima corriente que se obtiene es s10 una fraccin de la obtenida mediante la polarizacin directa. APLICACIONES DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Los diodos semiconductores pueden usarse en todas las aplicaciones adecuadas para los rectificadores de tubo de vaco o metlicos secos. Los circuitos que le son familiares incluyen rectificadores para instrumentos de medida, fuentes de alimentacin, mezcladores y detectores.

Caractersticas del diodo Zener El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa).

En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante. En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Curva caracterstica del diodo Zener Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco. Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prcticamente constante para una gran variacin de corriente. Ver el grfico. Qu hace un regulador con Zener? Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente en la carga. Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo zener), el voltaje de salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente. (ver: resistencia interna de las fuentes de tensin)

Diodo Zener

Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. El Dr. Clarence Melvin Zener de Southern Illinois University invent el diodo Zener. Smbolo esquemtico El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo: en cambio el diodo normal no presenta esa curva en las puntas (Z):

Smbolo esquemtico del diodo zener

Voltaje zener: el diodo est polarizado en forma inversa, obsrvese que la corriente tiene un valor casi nulo mientras que el voltaje se incrementa rpidamente, en este ejemplo fue con 17 voltios.

Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio. Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y como el mostrado en la figura. Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la tensin de entrada VS.

Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros clculos.

Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los generadores de ruido y puentes de ruido.

DIODOS ZENER Y APLICACIONES Es un diodo que tiene un voltaje de avalancha relativamente bajo, menor de 100v. Aunque puede funcionar como rectificador la mayora de aplicaciones se basan en hacerlo funcionar en la zona de avalancha, all el diodo conduce y mantiene un voltaje entre sus terminales que es el voltaje Zener (VZ) o de avalancha. La mxima corriente que puede conducir es

Ejemplo: Cul es la mxima corriente en avalancha de un diodo Zener de 1.5v y de 1w?

DIODO ZENER COMO ELEMENTO DE PROTECCIN Se coloca el diodo Zener en paralelo con el circuito a proteger, si el voltaje de fuente crece por encima de VZ el diodo conduce y no deja que el voltaje que llega al circuito sea mayor a VZ. No se debe usar cuando VF > VZ por largos periodos de tiempo pues en ese caso se daa el diodo. Se aplica acompaado de lmparas de nen o de descargadores de gas para proteger circuitos de descargas elctricas por rayos.

DIODO ZENER COMO CIRCUITO RECORTADOR Se usa con fuentes AC o para recortar seales variables que vienen de elementos de medicin (sensores). Cuando VX tiende a hacerse mayor que

VZ el diodo entra en conduccin y mantiene el circuito con un voltaje igual a VZ.

CONEXIN ANTIPARALELO Se usa para recortar en dos niveles, uno positivo y el otro negativo.

Si el circuito tiene una resistencia equivalente RC la corriente en el diodo es:

Sea una fuente senoidal de 10VP, R = 200 , RC=1K y un diodo Zener de 6v, cul ser la corriente pico en el diodo.

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE Se llama voltaje no regulado aquel que disminuye cuando el circuito conectado a l consume ms corriente, esto ocurre en las fuentes DC construidas con solo el rectificador y el condensador de filtro, en los adaptadores AC-DC y en las bateras. Un voltaje regulado mantiene su valor constante aunque aumente o disminuya el consumo de corriente. Una de las muchas formas de regular un voltaje es con un diodo Zener. La condicin de funcionamiento correcto es que VF en ningn momento sea menor a VZ. El voltaje regulado sobre el circuito es VZ. El clculo del circuito consiste en conocer el valor adecuado de R, como dato se requiere el valor de VF, se selecciona una corriente para el Zener (IZ) menor que su corriente mxima, se calcula o mide la corriente que consume el circuito (IC) cuando se le aplica VZ, y se calcula:

Sea un circuito que consume 10mA a 5v, con una fuente de VF = 8v, cul es el valor de R adecuado? Supongamos que disponemos de un diodo de VZ = 5V a 1/2w. Su corriente mxima es: IDmax = 0.5v/5v = 0.1A, escogemos una corriente menor para funcionamiento: IZ = 10mA, entonces R = (8v - 5v)/(10mA + 10mA) = 3v/20mA = 150

Para circuitos que consumen alta corriente se usa regulacin en conjunto de un diodo Zener y un transistor en ese caso el voltaje en el circuito es VZ - 07v.

REFERENCIA DE VOLTAJE Los diodos Zener son construidos de manera que VZ es muy exacto y se mantiene constante para diferentes valores de IZ, esto permite que un Zener se use en electrnica como referencia de voltaje para diferentes aplicaciones.

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Transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Entramado de transistores.

Entramado de transistores representando 0xA o 10 en decimal.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre la fuente y la prdida (colector) se controla usando un campo elctrico (salida y prdida (colector) menores). Por ltimo, apareci el semiconductor metalxido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con la denominada tecnologa CMOS (semiconductor metal-xido complementario). La tecnologa CMOS es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e

inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas. Contenido

Tipos de transistor Transistores y electrnica de potencia El transistor frente a la vlvula termoinica

Tipos de transistor

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que

se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias cercanas a la de la luz. Transistor de unin unipolar. Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. o Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. o Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Transistores y electrnica de potencia Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y

corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado. El transistor frente a la vlvula termoinica Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensin en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:

Las vlvulas termoinicas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, tensiones que son letales para el ser humano. Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco tiles para el uso con bateras. Probablemente, uno de los problemas ms importantes es el peso. El chasis necesario para alojar las vlvulas, los transformadores requeridos para suministrar la alta tensin, todo ello sumaba un peso importante, que iba desde algunos kilos a algunas decenas de kilos. El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado al del transistor, sobre todo a causa del calor generado. Adems las vlvulas termoinicas tardan mucho para poder ser utilizadas. Las vvulas necesitan estar calientes para funcionar. Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino que contaba con la promesa de que continuara bajando (como de hecho ocurri) con suficiente investigacin y desarrollo.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas se quemaban cada da, necesitando una logstica y una organizacin importantes. Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 60, algunos fabricantes siguieron utilizando vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas termoinicas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de la vlvula termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisin de radio profesionales y de radioaficionados. Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas resultan agradables al odo humano por lo que son preferidos por los audifilos El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando vlvulas termoinicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de fabricacin sovitica.

Caractersticas de transistor bipolar o BJT El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo de la electrnico. Polarizar un transistor es una condicin previa a muchas de aplicaciones lineales y no lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo.

Corrientes en un transistor de unin o BJT Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones PN en contraposicin. Fsicamente, el transistor est constituido por tres regiones semiconductoras emisor, base y colector El modo de hacer opera a un transistor es en la zona directa. Esta zona, los sentidos de la corrientes y tensiones en los terminales del transistor

Ebers y Moll desarrollan un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales. Este modelo conocido como modelo Ebers-Moll establece las ecuaciones siguientes para un transistor NPN.

Donde Ies e Ics representaban las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente aF el factor de defecto y aR la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros esta relacionados mediante el teorema de reciprocidad

Zonas de operacin de un transistor en la regin directa Unin de emisor Directa Inversa Inversa Unin de colector Inversa Directa Inversa Modo de operacin Activa directa Activa inversa Corte

Directa

Directa

Saturacin

Transistor de unin bipolar

Transistor de unin bipolar.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Contenido

1 Estructura 2 Funcionamiento o 2.1 Control de tensin, carga y corriente o 2.2 El Alfa y Beta del transistor 3 Tipos de Transistor de Unin Bipolar o 3.1 NPN o 3.2 PNP o 3.3 Transistor Bipolar de Heterounin 4 Regiones operativas del transistor 5 Historia 6 Teora y modelos matemticos o 6.1 Modelos para seales fuertes 6.1.1 El modelo Ebers-Moll o 6.2 Modelos para seales dbiles 6.2.1 Modelo de parmetro h 7 Vase tambin 8 Enlaces externos

Estructura

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.

Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. Funcionamiento En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin basecolector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones. Control de tensin, carga y corriente [editar] La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la

cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. El Alfa y Beta del transistor [editar] Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Transistor Bipolar de Heterounin El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

Regiones operativas del transistor Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

Historia

Replica del primer transistor.

El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de unin, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados. Teora y modelos matemticos Modelos para seales fuertes El modelo Ebers-Moll Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente por difusin y

Dnde:

IE es la corriente de emisor. IC es la corriente de colector. T es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a 0.998) IES es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de 1015 a 1012 amperios) VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K). VBE es la tensin base emisor. W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la unin base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs de las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor: Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

iC es la corriente de colector. iB es la corriente de base. iE es la corriente de emisor. F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500) R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20) IS es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios) VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K). VBE es la tensin base-emisor. VBC es la tensin base-colector.

Modelos para seales dbiles Modelo de parmetro h

Modelo de parmetro h generalizado para un TBJ NPN. Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic) Vin = Tensin Base-Emisor (VBE) Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero). hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) in en las hojas de datos. hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

Tipos de Transistores.
Transistor bipolar de unin(BJT): El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS.

Transistor de Efecto de campo (FET): El transistor de efecto campo(FieldEffect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.

Transistor de unin(JFET): El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

Transistor metal-xido-semiconductor: MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

Fototransistor: Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.

Transistores

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas. Tipos de Transistores. Simbologa Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las apliaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metalxido-Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo, el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:

Aqu podemos ver una seleccin de los transistores ms tpicos, mostrando su encapsulado y distribucin de patillas.

Encapsulado de Transistores Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn encapsulados de diferentes formas y tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a desempear. Hay varios encapsulados estndar y cada encapsulado tiene una asignacin de terminales que puede consultarse en un catlogo general de transistores. Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados a la derecha se observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l. Arriba a la izquierda vemos su distribucin de terminales, observando que el colector es el chasis del transistor. Ntese que los otros terminales no estn a la misma distancia de los dos agujeros. A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez conductor trmico. De esta forma, el colector del transistor no est en contacto elctrico con el radiador. Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es reducida. Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujeccin. Se suele colocar una mica aislante entre el transistor y el radiador, as como un separador de plstico para el tornillo, ya que la parte metlica est conectada al terminal central y a veces no interesa que entre en contacto

elctrico con el radiador.

Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta generalmente necesario colocarles radiador. Arriba a la izquierda vemos la asignacin de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor. Abajo vemos dos transistores que tienen esta cpsula colocados sobre pequeos radiadores de aluminio y fijados con su tornillo correspondiente.

Cpsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequea seal. En el centro vemos la asignacin de terminales en algunos modelos de transistores, vistos desde abajo. Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una placa de circuito impreso. Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que indica que en ese lugar va montado el transistor nmero 5 del circuito, de acuerdo al esquema

elctrnico.

Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo est formado por una carcasa metlica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.

Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que el anterior, tienen un tamao bastante pequeo.

Para ms informacin acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado aqu estas hojas de caractersticas. En ellas se observan la forma y dimensiones de los diferentes tipos de transistores.

Introduccin. Se presentar un pantallaso general sobre los transistores de potencia, explicando algunos puntos que paracen obios en la teoria, pero al verlos en una hoja de datos de un transistor no sabemos dnde ubicarlos. Los temas tratados estn relacionados con el transistor en conmutacin, osea los transistores de las fuentes switching por ejemplo, NO los de los amplificadores de audio.

Disipacin

de

Potencia

en

el

Transistor.

Como sabemos la potencia en el transistor, est dada por el producto de la tensin Colector- Emisor por la corriente de colector, siempre que se considere despreciable a la potencia disipada por la base. En aplicaciones de baja potencia estamos acostumbrados a una ganancia del corriente del transistor hfe mayores a 100, pero en potencia el hfe est por debajo de 100. Esto nos dice que si la corriente de colector es de 10A, la corriente de base ser de 100mA si el hfe es de 100, lo cual no es real en la prctica, ya que el hfe suele ser inferior, debido a que vara en forma decreciente con la corriente de colector y con la frecuencia, por tanto, el hfe con el que debemos trabajar es el mnimo que aparece en las hojas de datos del transistor. Ahora tenemos dos ganancias de corriente en las hojas de datos, el hfe y el hFE, el primero corresponde a las caractersticas dinmicas del dispositivo, es decir para trabajar en conmutacin, osea en altas frecuencias. El hFE se refiere a las caractersticas estticas osea para trabajo en continua,

por ejemplo, si excitamos la base para que con la corriente de colector se encienda una lmpara. Volviendo a lo nuestro, nos interesa el hfe mnimo, que suele ser muy bajo, del orden de unas pocas decenas, supongamos 20, esto nos dice que para una Ic=10A hay que suministrar una Ib=0.5A y una tensin de base emisor de ms de 1V, lo cual nos dara una potencia en la base de 0.5W, lo cual nos muestra que el dispositivo que excite este transistor debe poder sumistrarle esa potencia. Para poder calcular la potencia que disipa un transistor debemos leer algunos parmetros de su hoja de datos: Parmetro Descripcin Tensin mxima entre colector y emisor cuando la base est abierta. Este valor nos dice cual es el valor de tensin mximo a aplicarle al transistor sin que se dae e independientemente de la tensin de base. Tensin mxima entre colector y emisor cuando la base esta puesta a tierra. Es el caso cuando el transistor esta al corte y la tensin en el colector emisor puede estar en este valor como mximo. Este valor es til para la conmutacin cuando tenemos un inductor sin el diodo de descarga.

VCEO

VCES

Tensin mxima entre colector y emisor cuando la base esta puesta a una tensin negativa que se especifica en las hojas de datos. Este valor es de VCEX VCEV relevancia cuando se polariza la base en inversa para sacar al transistor de la saturacin con mayor rpidas. Tensin mxima entre base y emisor cuando el colector est abierto, til para saber cunto podemos sobre excitar la base para llevar al transistor a la saturacin ms rpido. Tensin entre colector y emisor cuando el transistor est saturado, es decir, cuando al aumentar la corriente de base no se incrementa significativamente la de colector. Corriente de colector cuando no hay corriente en la base. Corriente de colector que puede soportar el transistor en forma contina. Corriente de colector que puede soportar el transistor durante un pico y con un descanso mayor.

VEBO

VCE(sat)

ICEO IC ICM

Conociendo estos valores podremos analizar las distintas zonas en que trabaja el transistor.

Hiprbolas

de

ruptura.

En la grfica se representan como rectas, pero esto es debido a que la escala es logartmica. Este grfico nos muestra los distintos lmites que no debe superar el transistor para no daarse.

El lmite horizontal esta dado por la corriente mxima de colector, que en este caso es de 5A para continua, y se permite hasta 10A en alterna con un 50% de ciclo de actividad, o segn lo que se especifique en las hojas de datos. El lmite vertical lo marca la tensin colector emisor mxima (VCES), si se supera este valor independientemente de la frecuencia a la que se trabaje, se produce la rotura del transistor por quemarse la aislacin entre junturas. La primer recta con pendiente, representa la 1 hiprbola de

ruptura, y nos dice que con ciertos valores de IC y VCE se puede quemar el transistor por exceso de calor, ya que el encapsulado del mismo no puede disipar la potencia necesaria, este valor es independiente del disipador que le coloquemos, ya que la juntura se pasa de la temperatura mxima permitida, no pudiendo disipar el calor lo suficientemente rpido hacia la carcasa. La 2 hiprbola de ruptura se produce debido a la densidad de corriente, si esta es muy grande, se quema la unin entre el pin metlico y el semiconductor.

En otras palabras, si le inyectamos mucha corriente a la base en un instante de tiempo muy pequeo, esta no logra distribuirse uniformemente sobre la pastilla semiconductora, creando puntos calientes localizados sobre sta, causando el sobrecalentamiento trmico localizado. Debido a que es un fenmeno que involucra ciertas combinaciones de tensin corriente y tiempo este es un fenmeno de energa. AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES Los amplificadores con transistores son los ms utilizados en la actualidad y tambin de los que ms tipos hay. Se pueden clasificar: Dependiendo del montaje: Montaje en emisor comn. Montaje de colector comn. Montaje de base comn Dependiendo del nivel de tensin que han de amplificar: Amplificadores de tensin: amplifican seal dbil, se les llama tambin preamplificadores. Amplificadores de potencia: amplificadores de seal fuerte. Son amplificadores de corriente (manejan tensin baja e intensidad alta). Dependiendo del acoplamiento entre etapas: Acoplamiento RC. Acoplamiento LC. Acoplamiento por transformador.

Acoplamiento directo. Dependiendo de la frecuencia de la seal: Amplificadores de corriente continua, Amplificadores de audiofrecuencia (20 Hz - 20 Khz). Amplificadores de videofrecuencia (30 Hz - 15 MHz). Amplificadores de radio frecuencia (20 Khz - cientos de MHz). Dependiendo de las caractersticas estticas de funcionamiento (el punto Q): Amplificadores de clase A. Amplificadores de clase B. Amplificadores de clase AB. Al margen de esta clasificacin se encuentra como tipo caracterstico de amplificador, el APLIFICADOR OPERACIONAL, que posee caractersticas de varios de los tipos indicados, ya que es amplificador de continua, de alta ganancia que funciona desde los cero Hz hasta 1 MHz, y est compuesto normalmente por varias etapas amplificadoras acopladas.

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN (EC).

Descripcin general. Se le llama as porque el emisor esta a masa para seal. Tiene el siguiente circuito:

Las caractersticas principales son: Acoplo de la entrada: La tensin de entrada esta acoplada mediante un condensador de entrada, a la base del transistor. Inversin de fase: La corriente de colector alterna es aproximadamente igual a la corriente de emisor alterna. Si aumenta la tensin de entrada , aumenta la corriente de colector, y por lo tanto disminuye la tensin en el colector, ya que hay mas cada de tensin en la resistencia RC No hay alterna en el nudo de emisor: para seal un condensador se comporta como un cortocircuito y el emisor esta a masa. No hay alterna en la lnea de alimentacin La forma ms simple de estudiar el circuito consiste en dividir el analisis en dos partes: un anlisis para continua y un anlisis para seal. Aplicar el teorema de superposicin. Este teorema se puede aplicar cuando el circuito tiene ms de una fuente: Para realizar el anlisis de continua: Anular el generador de seal. Poner en circuito abierto todos los condensadores. Analizar el circuito equivalente para continua. Para realizar el anlisis de seal: En el circuito original, anular todas las fuentes de alimentacin. Poner en cortocircuito todos los condensadores Analizar el circuito equivalente para seal

El resultado final del estudio es: Sumar la corriente continua con la corriente de seal, para obtener la corriente total en cualquier rama. Sumar la tensin de continua con la tensin de seal, para obtener la tensin total en cualquier nudo o entre valores extremos de cualquiera de las resistencias. Tenemos un amplificado en EC, como el de la figura anterior pero con datos reales.

Modelo para seal de un amplificador en EC.

Ganancia Ganancia de corriente contina Se define como

Ganancia de corriente para seal

Las corrientes son los valores pico a pico.

2.2.1.2 Impedancia de entrada de la base Para obtener la impedancia de entrada de un amplificador se pueden emplear tes modelos: Modelo para seal Para hacer el estudio en seal se obtiene el circuito equivalente para seal, considerando: los condensadores se consideran cortocircuitos y las fuentes de alimentacin de continua equivalen a masas. Queda el siguiente circuito:

El terminal de la base absorbe corriente de la unin de RG y R1 en paralelo con R2, la base acta como una resistencia equivalente a:

Modelo T El esquema anterior es equivalente a una unin en T con una fuente de corriente en la parte superior y una resistencia para seal de emisor en la parte inferior. Este modelo funciona basando se en los comportamientos conocidos de las tensiones y las corrientes.

Modelo II Este modelo representa dos ramas paralelas

Impedancia de entrada de la etapa La impedancia de entrada de una etapa es el efecto combinado de las resistencias de polarizacin y la impedancia de entrada de la base:

Impedancia para seal del colector La impedancia para seal del colector ser:

Parmetros h Son parmetros para seal en las hojas de caractersticas: hfe, hie, hre y hoe.

AMPLIFICADOR DE TENSION.

Descripcin general. La tensin del generador esta acoplada mediante un condensador de entrada a la base del transistor. Como el emisor est a masa para seal, toda la tensin alterna de la base aparece en el diodo de emisor. Cuando la corriente alterna del colector circula por la resistencia para seal del colector, produce una seal alterna que est desfasada 180 respecto a la tensin de entrada. El condensador de salida acopla la tensin alterna del colector amplificada e invertida a la resistencia de carga. Como un condensador esta en circuito abierto para continua y cortocircuito para seal, bloquea la tensin continua del colector, pero deja pasar la tensin alterna del colector.

Ganancia de tensin. La tensin de entrada a un amplificador es la misma que la tensin de alterna en la base. La tensin de salida de un amplificador es la misma que la tensin alterna en la carga. La ganancia en tensin es igual a la tensin de salida dividida entre la tensin de entrada: A = Val/V en.

Como predecir la ganancia de tensin. La ganancia de tensin de un amplificador en EC debe ser igual a la resistencia para seal de colector dividida por la resistencia para seal del diodo emisor: A = ruc / re.

Amplificador en emisor comn con resistencia de emisor sin desacoplar. A veces la ganancia de tensin de un circuito debe ser constante a pesar de que haya cambios en la temperatura y en otras variables. Un mtodo para estabilizar la ganancia de tensin consiste en utilizar una resistencia de realimentacin en el circuito de emisor. La tensin en esta resistencia de realimentacin se opone a la tensin de entrada, por lo que se presenta la realimentacin negativa. Esta reduce la ganancia de tensin pero mejora otras caractersticas del amplificador, como la estabilidad de la ganancia, la impedancia de entrada y la distorsin.

Etapas en cascada. En un amplificador con dos etapas, cada una de las etapas amplifica la seal y la tensin final de salida es mucho mayor que con una sola etapa. Esto significa que la resistencia de entrada de la segunda etapa se convierte en la resistencia de carga de la primera etapa. La ganancia de tensin total de las etapas en cascada es igual al producto de las ganancias individuales de cada etapa.

AMPLIFICADOR DE POTENCIA.

Recta de carga para seal. Un amplificador en EC tiene dos rectas de carga: una para continua y otra para seal. Las rectas de carga sern diferentes siempre que la resistencia para seal del colector sea distinta de la resistencia para continua del colector. Las rectas de carga pasan por el punto de trabajo para continua (punto Q). Por ese motivo ICQ y VCEQ son muy importantes en el funcionamiento con seales grandes.

La recta de cara para seal tiene una mayor pendiente que la recta de carga para continua si la resistencia de colector para seal es menor que la resistencia de colector para continua.

Limites para la excursin de seal. Cuando la seal es grande, puede producirse un recorte en uno o en los dos hemiciclos. Si el punto Q se halla en el centro de la recta de carga para continua, se produce primero el recorte de Icor. Si el punto Q se encuentra por encima del centro de la recta de carga para continua, se puede producir primero el recorte de VCEQ (mxima variacin hacia la izquierda), o bien de ICQrc (mxima variacin hacia la derecha). Depende de cul de los valores sea menor

Funcionamiento en clase A. El funcionamiento en clase A se produce cuando el transistor conduce durante todo el ciclo de seal sin entrar en saturacin o en corte. El rendimiento del amplificador se define como la potencia de seal en la carga dividida entregada por la potencia entregada por la fuente de alimentacin, todo multiplicado por 100. El rendimiento de un amplificador clase A es pequeo, en general muy por debajo del 25%.

Limitacin de potencia para un transistor. La temperatura en la unin del transistor limita la potencia que un transistor puede disipar sin que se destruya. La temperatura del encapsulado se halla entre la temperatura de la unin y la temperatura ambiente. Los disipadores de calor permiten que el calor escape con mayor facilidad de un transistor, lo que hace que disminuya la temperatura de la unin.

AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

Descripcin general El diagrama de bloques de un amplificador operacional es el siguiente:

La caractersticas de entrada del amplificador operacional, sern las de amplificador diferencial, y las de salida, las del seguidor de emisor. En general es propio de un amplificador operacional el tener: Impedancia de entrada elevada Alta ganancia Impedancia de salida pequea.

Amplificador diferencial. Un amplificador diferencia es la etapa de entrada de un amplificador diferencial. No tiene condensadores de acoplo ni desacoplo, lo que implica que est directamente acoplado. Por eso puede amplificar cualquier frecuencia incluyendo la seal continua, que es equivalente a una seal de frecuencia cero. La corriente de polarizacin en un amplificador diferencial se divide exactamente entre los transistores cuando estos son idnticos.

Dos caractersticas de entrada Cuando los dos transistores de un amplificador diferencial no son idnticos, las corrientes de base son diferentes. La corriente de offset de la entrada se define como la diferencia entre las dos corrientes de base. La corriente de polarizacin de entrada se define como el promedio de las dos corrientes de base. Las hojas de caractersticas indican los valores de estas corrientes.

Anlisis para seal de un amplificador diferencial. Al ser la corriente de polarizacin idealmente constante, un incremento en la corriente de emisor de un transistor, produce una disminucin en la corriente de emisor del otro. La tensin de entrada de seal entre las dos bases aparece en extremos de 2re'. Por eso la ganancia diferencia de tensin de un amplificador diferencial es A = RC/2re', mientras que la impedancia de entrada es:

Tensin de offset de salida

La tensin de offset de salida es cualquier desviacin o cambio de la tensin ideal. Las . dos causas de la tensin de salida son las diferencias de valores de VBE y de ICE Cada una de estas causas independientes produce el equivalente de una tensin de entrada no deseada. El amplificador diferencial amplifica esas seales de entrada no deseadas y se obtiene la tensin de offser en la salida. Una forma de anular dicha tensin de offset es aplicar una tensin de entrada de la misma magnitud que la tensin de entrada no deseada, pero de signo contrario.

Ganancia en modo comn. La presencia de seales no deseadas puede producir tensiones iguales en cada base. El amplificador diferencial discrimina estas seales pues la ganancia de tensin en modo comn es pequea. El rechazo al modo comn ( CMRR) es la ganancia de tensin en modo diferencial dividida entre la ganancia de tensin en modo comn. Cuanto ms alto sea el CMRR, mejor. Smbolos del amplificador operacional El smbolo, junto con la representacin de impedancia de entrada y circuito equivalente Thvenin de salida es el siguiente.

FILTROS PASIVOS Y ACTIVOS. DEFINICION Y CLASIFICACION. Es un elemento que produce la anulacin de determinadas componentes de frecuencia de la seal de entrada. El filtro ideal no debe presentar atenuacin ni desfase en las bandas de frecuencias que no debe alterar (banda pasante), en cambio debe producir una atenuacin infinita de los componentes externos a su banda pasante. Las zonas correspondientes a atenuacin nula y atenuacin infinita estn separadas por las denominadas frecuencias de corte o limites, dependientes de la configuracin del filtro. Posicin de su banda pasante De acuerdo con la posicin de su banda pasante los filtros se pueden clasificar en: Paso bajo (PL): la banda pasante se extiende de la frecuencia nula hasta la frecuencia de corte. Paso alto (PH): la banda pasante se extiende desde la frecuencia de corte hasta la frecuencia infinita. Paso banda o pasa banda (PB): la banda pasante corresponde a las frecuencias acotadas entre dos frecuencias e corte. Para banda o corta banda (CB): su banda pasante comprende todas las medidas salvo las comprendidas en el intervalo existente entre dos frecuencias lmites. Diferencias filtro ideal/filtro real: La atenuacin en la banda pasante no ser nula. La atenuacin en la banda no pasante no ser infinita. La transicin de la banda pasante a la no pasante ser continua. Amplificacin de seal Desde el punto de vista de amplificacin de seal: Filtro pasivo: todos sus componentes son pasivos (no amplifican seal).

Caractersticas: Impedancia de entrada alta y de salida baja. Facilconexion en cascada. Elimina inductancias que pueden ser simuladas con resistencias y condensadores. Son ms baratos y eliminan efectos no deseados de las bobinas. Facilidad de amplificacin.

Facilidad de puesta a punto y regulacin. Reduccin de volumen del filtro, densa integracin. Usados para alta frecuencia. Filtro activo: por lo menos un componente es activo. Caractersticas: Necesidad de utilizacin de una o dos fuentes de alimentacin. Limitacin del margen dinmico de salida, por la posibilidad de saturar el amplificador. Ms inestables. Son filtros de baja frecuencia

CONVERSORES A/D y D/A. INTRODUCCION. En la mayora de los casos resulta ms conveniente efectuar las funciones de regulacin y control de sistemas mediante tcnicas digitales. Sin embargo en muchos casos la seal disponible es analgica, ya que son muchos los transductores que poseen una salida elctrica analgica, correspondiente a la magnitud medida. Ello obliga a tener que efectuar una conversin analgica/digital, que en otros casos permitir la transmisin digital de una seal analgica lo que permite minimizar la distorsin producida por la imperfeccin del sistema de transmisin. Por otra parte esta seal tratada o transmitida digitalmente puede ser necesario actuar analgicamente sobre un controlador o actuador, o efectuar una representacin analgica sobre un registrador, un apantalla etc., lo que obliga a la conversin inversa, la conversin digital/analgica. Es necesario disponer de los elementos que realizan estas funciones, con unas caractersticas de velocidad y precisin adecuadas en cada caso. CONVERSORES DIGITAL/ANALOGICOS. Son elementos que reciben una informacin digital en forma de una palabra de n bits y la transforman en una seal analgica. Cada una de las 2n combinaciones binarias de la entrada es convertida en 2n niveles discretos de tensin (o corriente) de salida. Las caractersticas que definen un conversor D/A son:

Resolucin que depende del nmero de bits de la entrada. Polaridad del conversor: unipolar o bipolar. Cdigo digital de entrada, utilizado en la informacin. Cdigo binario natural Decimal Codificado en Binario (BCD). Tiempo de conversin: tiempo que se precisa para efectuar el maximocambio de tensin de salida con un error menor al de su resolucin. Tensin de referencia: Interna

Externa: puede ser variada entre ciertos mrgenes, la tensin de salida vendr afectada por este factor, constituyendo un conversor multiplicador. Tipos: Resistencias ponderadas. Redes de resistencias Por generacin de impulsos. CONVERSORES ANALOGICO/DIGITALES. Son elementos que transforman un nivel de tensin en informacin digital en un cdigo determinado, con una precisin y una resolucin dada. Dado que el nmero de bits n que se obtiene del conversor es finito, el cdigo de salida debe ser siempre el correspondiente al valor ms cercano que puede expresarse mediante la n bits. La conversin digital efecta pues una cuantificacin de la entrada analgica, acotndola entre dos niveles consecutivos cuya distancia es precisamente el grado de resolucin obtenido, que ser igual a Vmax/2n.

Tipos: Conversin A/D directa: Comparacin con una tensin de referencia. Consiste en utilizar tantos comparadores como niveles de tensin se quiere discretica y a partir de esta informacin codificar la palabra de salida. Est formado por 2n-1 comparadores, una red de resistencias que permite obtener niveles de tensin equidistantes entre si y el codificador que efecta la conversin de los 2n-1 estados de los comparadores a los n bits de salida del conversor. Conversor A/D de rampa: utiliza pasos intermedios. Conversor de doble rampa.

El LM317 / LM117 / LM217 regulador monoltico lineal con salida de tensin variable
El LM317 es un regulador de tensin positivo con slo 3 terminales y con un rango de tensiones de salida desde los 1.25 hasta 37 voltios. Las patillas son: Entrada (IN), Salida (OUT), Ajuste (ADJ)

Para lograr esta variacin de tensin slo se necesita de 2 resistencias externas (una de ellas es una resistencia variable. Entre sus principales caractersticas se encuentra la limitacin de corriente y la proteccin trmica contra sobrecargas. La tensin entre la patilla ADJ y OUT es siempre de 1.25 voltios (tensin establecida internamente por el regulador) y en consecuencia la corriente que circula por la resistencia R1 es: IR1 = V / R1 = 1.25/R1 Esta misma corriente es la que circula por la resistencia R2. Entonces la tensin en R2: VR2 = IR1 x R2. Si se sustituye IR1 en la ltima frmula se obtiene la siguiente ecuacin: VR2 = 1.25 x R2 / R1. Como la tensin de salida es: Vout = VR1 + VR2, entonces: Vout = 1.25 V. + (1.25 x R2 / R1)V. simplificando (factor comn) Vout = 1.25 V (1+R2 / R1) V. De esta ltima frmula se ve claramente que si modifica R2 (resistencia variable), se modifica la tensin Vout En la frmula anterior se ha despreciado la corriente (IADJ) que circula entre la patilla de ajuste (ADJ) y la unin de R1 y R2. Esta corriente se puede despreciar, tiene un valor mximo de 100 uA y permanece constante con la variacin de la carga y/o de la tensin de entrada. Con el propsito de optimizar la regulacin el resistor R1 se debe colocar lo ms cercano posible al regulador, mientras que el terminal que se conecta a tierra del resistor R2 debe estar lo ms cercano posible a la conexin de tierra de la carga Con el propsito de optimizar el funcionamiento del regulador se pueden incorporar al diseo algunos elementos adicionales: (ver diagrama inferior).

- Se pone un capacitor C1 de 0.1uF en la patilla de entrada (IN) si el regulador se encuentra alejado del bloque que se encarga de la rectificacin. - Se pone un capacitor C3 de 1 uF de tantalio o 25 uF electroltico en la patilla de

salida (OUT) con le propsito de mejorar la respuesta a transitorios - Se pone un capacitor C2 de 10 uF electroltico en paralelo con R2 con el propsito de mejorar el rechazo del rizado. - Se pone un diodo D1 (1N4001) para proteger el regulador contra posibles cortos circuitos en la entrada del regulador. - Se pone un diodo D2 (1N4001) para proteger al regulador contra posibles cortos circuitos en la salida al dar camino a la descarga de capacitores. Nota: R1 = 240 Ohmios y R2 = 5 Kilohmios (potencimetro)

Reguladores de tensin / voltaje

Todos los circuitos electrnicos requieren una o ms fuentes de tensin estable de continua. Las fuentes de alimentacin sencillas construidas con un transformador, un rectificador y un filtro (fuentes de alimentacin no reguladas) no proporcionan una calidad suficiente porque sus tensiones de salida cambian con la corriente que circula por la carga y con la tensin de lnea, y adems se presenta una cantidad significativa de rizado a la frecuencia de la red. Por ello no son generalmente adecuadas para la mayora de las aplicaciones. En la figura 11.1 se presenta un diagrama de bloques tpico de una fuente de alimentacin regulada. La entrada es un transformador conectado a la red elctrica (220V, 50Hz) con el objeto de reducir su amplitud. Un rectificador de diodos rectifica la seal la cual es filtrada (generalmente a travs de un condensador) para producir una salida DC no regulada. El regulador de tensin proporciona una salida mucho ms regulada y estable para alimentar una carga

La funcin del regulador de tensin es proporcionar una tensin estable y bien especificada para alimentar otros circuitos a partir de una fuente de alimentacin de entrada de poca calidad; despus del amplificador operacional,

el regulador de tensin es probablemente el circuito integrado ms extensamente usado. Adems deben de ser capaces de proporcionar corrientes de salida desde unas cuantas decenas de miliamperios, en el caso de reguladores pequeos, hasta varios amperios, para reguladores grandes.

Reguladores en serie o lineales

Controlan la tensin de salida ajustando continuamente la cada de tensin en un transistor de potencia conectado en serie entre la entrada no regulada y la carga. Puesto que el transistor debe conducir corriente continuamente, opera en su regin activa o lineal. Aunque son ms sencillos de utilizar que los reguladores de conmutacin, tienden a ser muy ineficientes debido a la potencia consumida por el elemento en serie. Su eficiencia es alrededor del 20% y solamente resultan eficaces para baja potencia (< 5 W).

Reguladores de conmutacin
Utilizan un transistor de potencia como conmutador de alta frecuencia, de tal manera que la energa se transfiere desde la entrada a la carga en paquetes discretos. Los pulsos de intensidad se convierten despus a una corriente continua mediante un filtro inductivo y capacitivo. Puesto que, cuando opera como conmutador, el transistor consume menos potencia que en su regin lineal, estos reguladores son ms eficientes (hasta el 80%) que los lineales; adems, son ms pequeos y ligeros. Estos reguladores se pueden disear para operar directamente sobre la tensin de la red rectificada y filtrada, eliminando la necesidad de utilizar transformadores voluminosos. El precio que se paga por estas ventajas es una mayor complejidad del circuito y un mayor ruido de rizado. Los reguladores de conmutacin se utilizan especialmente en sistemas digitales, donde a menudo es mucho ms importante una alta eficiencia y un peso bajo que un rizado de salida pequeo.

La tendencia actual en el diseo de fuentes de alimentacin de varias salidas es utilizar reguladores de conmutacin para aprovechar sus ventajas y utilizar despus reguladores en serie para conseguir tensiones ms limpias y mejor reguladas.

Reguladores de tensin con componentes discretos.

Un regulador de tensin est constituido por una serie de bloques funcionales que permiten estabilizar la tensin de salida. La figura 11.2 muestra el diagrama de bloques de este circuito formado por: referencia de tensin, circuito de muestreo, amplificador de error y elemento de control. Una variacin de la tensin de salida (Vo) es detectada por el amplificador de error al comparar la referencia de tensin y el circuito de muestreo. Este amplificador opera sobre el elemento control en serie para restaurar la Vo.

Referencias de tensin
Una referencia de tensin constituye una parte fundamental de los reguladores de tensin al proporcionar una tensin de continua, muy precisa y estable con la temperatura y con el tiempo. Requerimientos tpicos de estabilidad trmica son del orden de 100 ppm/C o mejor. Para minimizar los errores debidos al auto calentamiento, las referencias de tensin proporcionan una corriente de salida moderada, tpicamente en el rango de unos pocos mA.

Las tcnicas de compensacin aplicadas a las referencias semiconductoras permiten conseguir coeficientes de temperatura de 1 ppm/C o menores. Estas tcnicas se utilizan tambin en el diseo de transductores de temperatura. Las referencias de tensin estn basadas en diodos Zener y transistores bipolares o de salto de banda ("band gap").

Referencia de tensin con diodo zener y transistores.

Un diodo Zener es el dispositivo ms barato y simple para obtener una tensin de referencia ms o menos estable. Sin embargo, hay que adaptarse a los valores de tensiones Zener presentes en el mercado (5.6V, 6.2V, 6.8V,...), presenta fuerte deriva trmica y el ruido, especialmente ruido de avalancha, es muy elevado. Las limitaciones del diodo Zener pueden ser resueltas en parte con la ayuda de un OA resultando un circuito con caractersticas de autorregulacin. En la figura 11.2, la configuracin no-inversora del OA 741 permite ajustar la tensin de salida variando R2

Basado en esta estructura, el circuito monoltico REF102 (figura 11.3.a) de BurrBrown es un ejemplo tpico de una referencia de tensin de 10V compensado trmicamente que utiliza un diodo Zener de Vz = 8.2V. La corriente mxima de salida es de 10 mA. La tensin de salida viene definida por la siguiente ecuacin:

Una aplicacin tpica de este circuito se presenta en la figura 11.3.b. Una vez ajustado la tensin de salida a 10V a travs de la resistencia Rs =1M conectado al terminal 5 (VTRIM) y el potencimetro de 20k, su compensacin trmica asegura una variacin mxima de 0.7mV en la tensin de salida para una variacin de 0 a 70 de temperatura. Otros ejemplos de circuitos referencia de tensin monoltica compensada trmicamente son el LM329 (National Semiconductor), el LM3999 de 6.95V (Semiconductor) y el LTZ100 (Linear Technology).National

Limitacin de corriente

Limitar y controlar la corriente mxima de un circuito es generalmente uno de los requisitos indispensables en cualquier fuente regulada, as como tambin en algunos circuitos, que, al igual, pueden sufrir un cortocircuito No solamente buscamos prevenirlo (y confiar que durante el tiempo de alta corriente los componentes no sufrirn demasiado dao), sino tambin evitar excesos de corriente. Por ejemplo si diseamos una fuente capaz de entregar un mximo de 2A, que viene limitado por la naturaleza de los componentes, y la carga es capaz de absorber mas de 2A, con un transformador en condiciones de entregarlo, el circuito (sea fuente u otro) dejara pasar tal corriente, a menos que contemos con un mtodo de limitarla a un cierto valor.

Circuito en bloque del regulador integrado Funcin de cada bloque Circuito de arranque:
Es un circuito de proteccin que inhibe la salida del regulador cuando la tensin de entrada no supera a lo menos en dos voltios a la tensin nominal de salida

Generador de corriente:
Proporciona una corriente constante a la etapa de referencia, independiente de la entrada y de la salida

Etapa de referencia:
Mantiene una tensin constante entre sus extremos, envindola al amplificador de error

Amplificador de error:
Compara la tensin de referencia con una tensin de muestra que proviene del divisor de tensin de la salida, el resultado es amplificado y enviado a la etapa de control

Etapa de control:
Recibe la seal proveniente del amplificador de error con la cual vara su cada de tensin interna en funcin de dicha seal.-Es el elemento que soporta la diferencia de tensin entre Vi y Vo nominal

Proteccin trmica:
Es un circuito de proteccin contra cortocircuitos; si la corriente de salida supera cierto nivel, desconecta automticamente el elemento de control, interrumpiendo la corriente de salida

Proteccin de sobrecarga:
Protege el elemento de control cuando el regulador se desconecta, permitiendo el paso de la corriente inversa que de otra forma daara a dicho elemento Cabe mencionar que uno de los primeros reguladores monolticos fue el A723 introducido en la dcada de los 60, se consolid como un estndar industrial, comercializado por los principales fabricantes de

circuitos integrados, se caracteriza por proporcionar una corriente de 150mA sin transistor externo, una regulacin de lnea de 0.02% y una regulacin de carga de 0.03%, tiene la capacidad de funcionar en configuracin serie, paralelo, flotante o conmutada, proporcionando tensin positiva o negativa.

Reguladores de tensin fija de tres terminales

Estos tienen un terminal para la entrada no regulada, la salida regulada y la tierra o comn y estn ajustados a proporcionar una tensin de salida constante tal como +5, +15 -12. En el universo de componentes y presentaciones de este tipo A78XX positivos o destacan la serie 79XX negativos de Fairchild .los dos ltimos dgitos indicados con XX nos indican la tensin de salida. Las versiones de baja potencia son accesibles en encapsulados de plstico y las de mayor potencias en encapsulados tipo TO-03 y TO-220 metlicos con corrientes de salida superiores a 1 A. Otros ejemplos de reguladores son el LM340 y LM320 de la National Semiconductor, serie MC79XX de Motorola y el LT1003 de Linear Technology que proporciona 5V y 5A A continuacin est expuesta una tabla con los diferentes tipos de reguladores de tensin 78XX y 79XX Tipos 7805 7806 7808 7812 7815 7818 7824 Tensin de salida 5V 6V 8V 12V 15V 18V 24V los mismos que arriba pero negativos Sin letra intermedia =1A Con L intermedia =100mA Con M intermedia =500mA Con H intermedia =5A Intensidad mx. de salida Tensin mn. de entrada 8V Tensin mx. de entrada 35V 9V 11V 15V 18V 21V 27V 35V 35V 35V 35V 35V 35V

79XX

los mismos que arriba pero negativos

Para reconocer la intensidad mxima que ofrece cada integrado hay que ver si contiene alguna letra entre medias de la nomenclatura ( 78? XX). Ej. 78H12, esta nomenclatura significa que ofrece una tensin fija de 12 V a una intensidad mxima de 5A. Si se quiere incrementar la corriente de salida de un regulador monoltico de esta serie se puede implementar el siguiente circuito, en el se adiciona un transistor al

esquema bsico de conexin de este tipo de reguladores, este permite ampliar el rango de Io o corriente de salida. Una mejora del circuito anterior lo constituye el siguiente esquema en donde se adiciona un elemento de proteccin contra cortocircuito. Este tipo de aplicacin se le llama Fuente de Alimentacin estabilizada y Cortocircuitadle. Esto quiere decir que si por algn accidente o cualquier fallo se cortocircuita la salida a masa, el circuito deja de funcionar (no ofrece intensidad) hasta que se des cortocircuite, as nos evitaremos el sobrecalentamiento y estropeado de los transistores y del integrado.

Reguladores de tensin ajustable de tres terminales

Los reguladores de ajustables de tres terminales permiten ajustar la tensin de salida a partir de resistencias externas conectadas al terminal denominado ADJUSTMENT o ADJ. Uno de los ms utilizados es el LM317 (positivo) y el LM337 (negativo) de la National Semiconductor capaces de proporcionar hasta 1.5 A de corriente de salida, otros ejemplos de estos reguladores son el LM338 de la misma fabrica cuya corriente alcanza hasta 5 A, LT1038 de Linear Technology y LM896 de 10 A de salida El LM317 posee una tensin de referencia interna del tipo bangap que proporciona una Vref = 1.25 V entre los terminales de salida y de ajuste y est polarizado por una fuente de corriente estable Iadj = 65 A. Un ejemplo de una aplicacin tpica de este integrado es el siguiente circuito. Si se analiza un poco el circuito se comprueba que: Vo = Vref (1 + R2/R1) + Iadj x R2; si consideramos que la corriente Iadj es despreciable frente a la corriente que circula por R1 y R2 entonces: Vo = Vref (1+ R2/R1) Variando R2 la tensin de salida Vo puede ser ajustada a cualquier valor del rango . Los reguladores de tensin duales conocidos como dual tracking regulators proporcionan doble salida idneas para alimentar operacionales, convertidores y otros dispositivos que necesiten de dos tensiones de igual magnitud y polaridad opuesta que mantenga su simetra para los diferentes requerimientos de la carga, un circuito capaz de proporcionar esto es el RC4195 de Raytheon que tiene una Vo = +/-15V, incluso hay un regulador de estas caractersticas que adems es ajustable es el RC4194

Regulador no disipativo en serie o regulador de conmutacin

En este caso el elemento de paso es un interruptor representado por un transistor que pasa de su estado de corte a saturacin, este transistor convierte la tensin DC no regulada de entrada en tensin AC, de la cual se obtiene el valor medio a travs de un filtro LC. En este tipo de regulador la tensin de salida se controla mediante la modulacin del ancho de banda de los pulsos de la seal en la entrada del filtro.

Este diagrama de bloques trata de esquematizar de manera muy simple un regulador de conmutacin, La mayor ventaja del circuito de conmutacin es la eficiencia del circuito, derivada de que el elemento de paso opera slo en corte o saturacin. La eficiencia de conversin se aproxima al 85% 90%. La disipacin de potencia es considerablemente menor que la correspondiente a un regulador lineal, adems los reguladores de conmutacin pueden generar tensiones de salida mayores que la entrada no regulada y tensiones de salida de polaridad opuesta a la entrada. Otra ventaja que tienen las fuentes de alimentacin conmutadas es que pueden conectar directamente la tensin de la lnea rectificada y filtrada, si que sea necesario un transformador de potencia de alterna, dando lugar a las fuentes conmutadas conectadas a la lnea (line-powered switching supplies). El resultado es una fuente de continua pequea, ligera y adems funcionan a menor temperatura debido a su mayor eficiencia, por estas razones las fuentes conmutadas se utilizan casi universalmente en computadores y en instrumentos porttiles. Los principales problemas que tienen las fuentes conmutadas son el ruido de conmutacin presente en la salida y el costo. Como se dijo antes en estos reguladores un transistor que funciona como conmutador aplica peridicamente toda la tensin no regulada a una autoinduccin durante intervalos cortos. La corriente de la autoinduccin crece durante cada pulso, almacenando energa (1/2LI2) que se transfiere a un filtro capacitivo a la salida. Igual que en los reguladores lineales, se compara la salida con una tensin de referencia, pero en los reguladores de conmutacin la salida se controla cambiando la anchura de pulso de un oscilador en vez de controlando linealmente la tensin de base. La parte fundamental de un regulador de conmutacin es un oscilador PWM (modulacin por anchura de pulsos) en donde la anchura de pulso es controlada por tensin. La salida del PWM conmuta un transistor entre corte y saturacin, con ciclo til que se controla con la diferencia entre la tensin de realimentacin y la tensin de referencia.

Este esquema sirve para explicar la regulacin por modulacin de pulsos, aqu bsicamente si VR2 Vref, el ciclo til de PWM disminuye hasta que VR2= Vref ; por el contrario; si VR2 Vref, el ciclo til del PWM aumenta. Por tanto, el voltaje de salida es proporcional al ciclo til del PWM. Frecuencias tpicas para el PWM estn en el rango de 1Khz a 200Khz, debido a las altas frecuencias que se utilizan los componentes del filtro pueden ser relativamente pequeos y aun as consiguen una excelente reduccin del rizado. La mayora de os reguladores de conmutacin modernos emplean FETs VMOS y DMOS de potencia como elemento de conmutacin para conseguir una mayor velocidad de operacin.

La soldadura
Consiste en unir las partes a soldar de manera que se toquen y cubrirlas con una gota de estao fundido que, una vez enfriada, constituir una verdadera unin, sobre todo desde el punto de vista electrnico. En este cursillo vamos primero a aprender a soldar hilos de cobre construyendo formas

geomtricas, para familiarizarnos con el soldador, el estao, el soporte, el de soldador, las herramientas de trabajo, etc... Despus nos introduciremos en la soldadura con estao orientada al montaje de circuitos impresos, que es nuestro objetivo principal.

El estao
En realidad, el trmino "estao" se emplea de forma impropia porque no se trata de estao slo, sino de una aleacin de este metal con plomo, generalmente con una proporcin respectiva del 60% y del 40%, que resulta ser la ms indicada para las soldaduras en Electrnica.

Para realizar una buena soldadura, adems del soldador y de la aleacin descrita, se necesita una sustancia adicional, llamada pasta de soldar, cuya misin es la de facilitar la distribucin uniforme del estao sobre las superficies a unir y evitando, al mismo tiempo, la oxidacin producida por la temperatura demasiado elevada del

soldador. La composicin de esta pasta es a base de colofonia (normalmente llamada "resina") y que en el caso del estao que utilizaremos, est contenida dentro de las cavidades del hilo, en una proporcin del 2~2.5%.

Proceso para soldar

La punta del soldador est limpia. Para ello se puede usar un cepillo de alambres suaves (que suele estar incluido en el soporte) o mejor una esponja humedecida (que tambin suelen traer los soportes). Se frotar la punta suavemente con el cepillo o contra la esponja. En ningn caso se raspar la punta con una lima, tijeras o similar, ya que puede daarse el recubrimiento de cromo que tiene la punta del soldador (el recubrimiento proporciona una mayor vida a la punta). Las piezas a soldar estn totalmente limpias y a ser posible pre estaadas. Para ello se utilizar un limpia metales, lija muy fina, una lima pequea o las tijeras, dependiendo del tipo y tamao del material que se vaya a soldar.

Se est utilizando un soldador de la potencia adecuada. En Electrnica, lo mejor es usar soldadores de 15~30w., nunca superiores, pues los componentes del circuito se pueden daar si se les aplica un calor excesivo.

Vamos a ver una simulacin de soldadura, con lo que ocurre por parte del operador y lo que sucede en las partes a soldar. Nos ayudar a conocer y entender los diferentes pasos de una soldadura, que luego, con la experiencia, se harn automticamente, sin pensar. Los pasos son stos: Asegurarse de que las zonas a soldar estn bien limpias, sin grasa ni suciedad. Para las placas de circuito impreso se puede utilizar una goma de borrar bolgrafo, tal como vemos aqu. Si se trata de hilos de cobre, se pueden raspar con unas tijeras o una cuchilla para limpiar el hilo.

.-

Limpiar la punta del soldador de vez en cuando. Para ello frotaremos suavemente la punta en una esponja hmeda, como la del soporte de la figura. Alternativamente podemos raspar la punta con un cepillo de alambres suave, como los que suelen venir incluidos en el soporte.

Acercar los elementos a unir hasta que se toquen. Si es necesario, utilizar unos alicates para sujetar bien las partes. Aplicar el soldador a las partes a soldar, de forma que se calienten ambas partes. Tener en cuenta que los alicates o pinzas absorben parte del calor del soldador.

Las piezas empiezan a calentarse hasta que alcanzan la temperatura del soldador. Si la punta est limpia, esto suele tardar menos de 3 segundos. Este tiempo depender de si se usan alicates y de la masa de las piezas a calentar.

Quitar el soldador, aplicar el estao (unos pocos milmetros) a la zona de la soldadura, evitando tocar directamente la punta. Cuando la zona a soldar es grande, se puede mover el punto de aplicacin del estao por la zona para ayudar a distribuirlo.

La resina del estao, al tocar las superficies calientes, alcanza el estado semilquido y sale de las cavidades, distribuyndose por la superficie de la soldadura. Esto facilita que el estao fundido cubra las zonas a soldar. El estao fundido, mientras sigue caliente, termina de distribuirse por las superficies. Retirar el soldador, tratando de no mover las partes de la soldadura. Dejar que la soldadura se enfre naturalmente. Esto lleva un par de segundos. El metal fundido se solidifica, quedando la soldadura finalizada, con aspecto brillante y con buena resistencia mecnica.

Proceso para desoldar

Para desoldar hay varios mtodos, aunque nosotros nos vamos a centrar sobre los que se basan en la succin del estao. Vamos a describir los desoldadores y los chupones.

El desoldador de pera

Aqu a la derecha vemos un soldador de tipo lpiz sin punta. En lugar de la punta se le coloca el accesorio que se ve debajo y ya tenemos un desoldador, que suele recibir el nombre de desoldador de pera. Como se puede observar, el accesorio tiene una punta, un depsito donde se almacena el estao absorbido, una espiga para adaptarlo al soldador y una pera de goma que sirve para hacer el vaco que absorber el estao. Aqu vemos en detalle la punta y el depsito del accesorio para desoldar. sta se calienta de la misma manera que la punta normal. El modo de proceder es el siguiente:

Presionar la pera con el dedo. Acercar la punta hasta la zona de donde se quiera quitar el estao. Si la punta est limpia, el estao de la zona se derretir en unos pocos segundos. En ese momento, soltar la pera para que el vaco producido absorba el estao hacia el depsito. Presionar la pera un par de veces apuntando hacia un papel o el soporte para vaciar el depsito. Tener precaucin, ya que el estao sale a 300C.

Estos cuatro pasos se pueden repetir si fuera necesario.

El desoldador de vaco o chupn

Este desoldador de vaco es una bomba de succin que consta de un cilindro que tiene en su interior un mbolo accionado por un muelle.

Tiene una punta de plstico, que soporta perfectamente las temperaturas utilizadas. El cuerpo principal (depsito) suele ser de aluminio. Para manejarlo debemos cargarlo venciendo la fuerza del muelle y en el momento deseado pulsaremos el botn que libera el muelle y se produce el vaco en la punta.

Nos servir para absorber estao, que estaremos fundiendo simultneamente con la punta del soldador. El modo de proceder es el siguiente:

Cargar el desoldador. Para ello presionaremos el pulsador de carga, venciendo la fuerza del muelle. Aplicar la punta del soldador a la zona de donde se quiera quitar el estao. Si la punta del soldador est limpia, el estao se derretir en unos pocos segundos. Asegurarse de que el desoldador est listo. En ese momento, sin retirar el soldador, acercar la punta del chupn a la zona y pulsar el botn de accionamiento. Se disparar el mbolo interno produciendo un gran vaco en la punta y absorbiendo el estao hacia el depsito.

Si es necesario, repetir este ltimo paso cargando previamente el desoldador.

Retirar el soldador y el chupn. En la foto vemos el resultado de la desoldadura. Si despus del proceso an queda algo de estao sujetando el componente que queremos quitar, entonces ser necesario repetir el proceso.

Este dispositivo tiene un depsito suficientemente grande como para no necesitar vaciarlo cada vez que se usa, como ocurre con el desoldador de pera. Para limpiarlo, generalmente hay que desmontarlo desenroscando sus partes.

ELABORACION DE CIRCUITOS IMPRESOS

Un circuito impreso es una placa de material aislante (plstico, baquelita, vidrio, etc.), provista de unas pistas o caminos de cobre que sirven para interconectar los diversos componentes que constituyen el circuito en cuestin. Generalmente, antes de pasar a disear el circuito impreso de un determinado esquema electrnico, se ha de comprobar el funcionamiento del mismo en una placa de montaje rpido o placa de insercin. (placa protoboard) Se puede realizar el montaje definitivo en una placa de agujeros o de tiras de cobre. Para la elaboracin de un circuito impreso se han de seguir los siguientes pasos: Diseo de la placa del C.I
El mtodo tradicional consiste en realizar el diseo (dibujo) del circuito en papel milimetrado, teniendo en cuenta el tamao de los componentes, su distribucin, distancia entre patillas (pines) y disposicin de las mismas, sobre todo cuando se trata de elementos con tres o ms terminales, tales como transistores o circuitos integrados. Es aconsejable, asimismo, realizar un dibujo de la vista de componentes, tal y como quedarn distribuidos en la placa. Seguidamente se calcar este diseo original sobre papel vegetal, utilizando para ello un rotulador permanente (preferentemente negro) y procurando que todas las conexiones (pistas) sean correctas.Este diseo del circuito impreso se puede realizar tambin por medios informticos, utilizando herramientas (software) desarrolladas para ello (PCB Wizard)

Tambin se puede utilizar un programa de Dibujo (AutoCad) Puede ser conveniente seguir los siguientes pasos: Poner rejilla 2.5 m.m. y forzar coordenadas 1. Dibujar los componentes (capa componentes) y situarlos en su sitio (utilizar bloques predefinidos) 2. Dibujar las pistas en otra capa (capa pistas): 1. Primero dibujar arandelas en los puntos donde se inserten los componentes interior 0,5mm y exterior 1,5mm 2. Dibujar las pistas, uniendo las arandelas, utilizando un grosor de

lnea proporcionado 3. Hacer una simetra de este dibujo para ver como quedara la placa por el lado de las pistas (ocultar la capa componentes) imprimir y transferir este dibujo a la placa

Preparacin de la placa Realizado el diseo, se procede a la preparacin de la placa virgen, incluyendo las siguientes operaciones:

Cortado de la placa, adecuando su tamao al del diseo realizado, utilizando para ello la herramienta adecuada (sierra metlica, cizalla, lima fina, etc.). Limpieza de la superficie de cobre

Dibujo de las pistas sobre la placa A continuacin se procede a realizar, en la cara de cobre de la placa virgen, el dibujo o impresin de las pistas del circuito. Para ello se pueden emplear tres procedimientos:
Utilizando rotuladores indelebles Colocando el papel vegetal sobre la placa y prestando atencin a la posicin en la que se emplaza, mediante un granete, se marcan levemente los puntos donde irn colocados los terminales de los componentes (soldaduras). Una vez realizada esta operacin, se retira el papel vegetal y se dibujan las pistas y los puntos de los terminales, procurando que en ambos no queden poros en la tinta depositada. Se han de emplear rotuladores permanentes preferentemente de color negro. Se trata del mtodo ms sencillo. Utilizando tiras adhesivas Consiste, como en el caso anterior, en marcar los, puntos de conexin, pero en lugar de utilizar rotuladores, se pegan las adecuadas tiras adhesivas as como las

"arandelas" de conexin, procurando que ninguna pista quede abierta. Utilizando mtodos de fotograbado Se coloca el papel vegetal en la correcta posicin sobre la placa virgen una vez foto sensibilizada y, posteriormente, en funcin de dicha fotosensibilizacin se introduce unos minutos en la insoladora. Dicho aparato emite luz ultravioleta que altera el barniz fotosensible que recubre la placa de forma que, al sumergir la placa en un bao de lquido revelador, el barniz endurecido por la luz realice la misma funcin que el rotulador y las tiras adhesivas. Atacado de la placa El objeto de este procedimiento es el de eliminar el cobre no necesario de la placa, de forma que solamente permanezca en los lugares donde ha de existir conexin elctrica entre los distintos componentes. Se puede realizar en un recipiente o bandeja de plstico donde se pondr una parte de cido clorhdrico, dos de agua oxigenada y tres de agua del grifo:

50 cm3 Agua oxigenada 110 volmenes 50 cm3 Agua fuerte (salfuman) 100 cm3 Agua del grifo

Tambin se puede utilizar cloruro frrico disuelto en agua. Una vez que la placa se ha introducido en la disolucin, al cabo de unos pocos minutos sta absorber parte del cobre de la misma, excepto de las pistas. Tambin es posible utilizar mquinas que automatizan todo el procedimiento. Se ha de prestar especial cuidado en la manipulacin de estos compuestos qumicos, pues pueden ocasionar quemaduras graves en la piel. Limpieza y taladrado de la placa Al acabar el proceso anterior se limpiar la placa con agua y se secar. Tambin se puede lijar suavemente para eliminar restos de rotulador, tiras adhesivas o barniz. A continuacin se proceder a taladrar, con una broca del dimetro adecuado, en los lugares donde vayan a ir insertados los componentes. Insercin de componentes y soldaduras

Una vez realizados los taladros, se pasa a insertar los componentes y regletas de conexin en los lugares adecuados para posteriormente soldarlos a la placa. Para ello se utiliza como ayuda la vista de componentes realizada previamente.

Traspaso del diseo de pistas a la placa de circuito impreso

Aqu vamos a ver dos de los ms usados, que son:

Transferencia mediante rotulacin Transferencia mediante fotolito e insoladora, con placas fotosensibles

Transferencia por el mtodo clsico de rotulacin

ste es uno de los mtodos ms "artesanos" para hacer una placa de circuito impreso. Es el ms indicado cuando queremos hacer una sola placa y el diseo es sencillo.Como ya hemos visto en el Tema 3, el diseo de pistas siempre lo hacemos con la placa vista desde el lado de los componentes. Sin embargo lo que vamos a hacer es dibujar las pistas con un rotulador sobre la capa de cobre de la placa, esto es, sobre el lado de las pistas y de las soldaduras. Esto significa que debemos copiar el diseo, lo ms fielmente posible sobre la placa, y DADO LA VUELTA, de forma que el dibujo rotulado sea simtrico al que tenemos en el papel. Vamos por pasos: 1. Tenemos el diseo de pistas del circuito, que podemos sacar de una revista o bien hacer a mano, si se trata de algo sencillo. En la foto tenemos un diseo visto desde el lado de los componentes (la cara de arriba).

2. Como el cobre est por el lado de las pistas (cara de abajo), lo primero que debemos hacer para transferir el diseo a la placa es dar la vuelta al papel y marcar las posiciones donde deben ir los taladros de la placa (donde se insertarn

las patillas de los componentes). Podemos marcarlos con un bolgrafo de tinta lquida o un rotulador normal:

3. Luego colocamos la placa con el cobre hacia nosotros y colocamos el papel tal como se ve aqu. Centraremos la placa de forma que el diseo est alineado con la placa y luego sujetaremos la placa al papel con cinta adhesiva para evitar que se mueva.

4. Ahora tenemos que transferir las posiciones de los taladros a la placa. Esto se puede hacer como vemos en la foto (pinchando con un punzn o la punta de unas tijeras) para marcar los taladros o bien se puede hacer con un papel de carbn, de forma que queden marcados dichos puntos en la placa. La ventaja del punzn o las tijeras es que dejamos hecho un pequeo hoyo en cada punto, lo que luego facilitar que las finas brocas (menos de 1mm. de dimetro) se centren ellas solas en cada lugar. Estas marcas debemos hacerlas con un poco de suavidad, ya que no se trata de taladrar la placa con las tijeras ni con el punzn, as que habr que tener cuidado con la fuerza que empleamos. Si usamos un punzn, lo golpearemos con unos alicates u otra herramienta similar, no con un martillo. 5. La placa debe estar bien limpia, cosa que conseguiremos frotndola con una goma de borrar bolgrafo o bien usando un limpiametales, de tal forma que la superficie de cobre quede limpia y brillante.

Una vez marcados los taladros, nos servirn de referencia para dibujar las pistas. Como ya hemos comentado, hay que transferir el diseo haciendo el espejo, tal como vemos en estas fotos. Esto debemos hacerlo con un rotulador de tinta permanente (resistente al agua). Nosotros utilizamos el tpico rotulador EDDING o STAEDTLER permanent. Debe tener punta fina o al menos lo suficientemente fina como para permitirnos dibujar las pistas correctamente sin que se junten unas con otras.

6. Finalmente debemos cortar la placa a la medida necesaria. Para cortar podemos usar una sierra de pelo (de marquetera, como se ve en la foto) o bien una sierra de arco, de las de cortar hierro. Esto podra haberse hecho antes del punto 4, aunque tambin puede hacerse al final, si nos resulta ms cmodo. Aqu vemos cmo queda la placa, una vez rotulada. Ahora ya podramos pasar al ataque con cido, taladrado y montaje, pasos que describiremos ms adelante.

Transferencia mediante fotolito, con placa fotosensible Parte 1, la insolacin

ste es un mtodo un poco ms laborioso y necesitaremos algo ms de material. Es el indicado para placas complicadas, con pistas finas, con pistas por las dos caras, o cuando necesitamos hacer varias placas iguales. Tiene la ventaja de que

si se hace bien el proceso, la placa queda "exactamente" igual que el original, con lo que obtendremos resultados de muy buena calidad. Adicionalmente, podemos colocar en la transparencia cualquier texto, firma o logotipo a nuestro gusto, como en la placa que vemos ms abajo. Lo vemos por pasos: 1. Partiremos del diseo de pistas (fotolito) en una transparencia o en papel vegetal. En la foto vemos el diseo de un circuito digital que tiene numerosas pistas. Observamos tambin un logotipo, que luego quedar grabado sobre el cobre. NOTA IMPORTANTE: Si vamos a usar una transparencia que tenga las pistas marcadas en negro y el resto transparente (foto de la izquierda), deberemos usar una placa foto sensibilizada POSITIVA. En caso contrario (foto de la derecha) deberemos usar una placa foto sensibilizada NEGATIVA. La placa negativa no suele usarse casi, ya que se emplea mucha tinta para obtener el

fotolito.

2. Preparamos la insoladora. Nosotros tenemos una insoladora formada por 4 tubos fluorescentes de luz actnica (ultra-violeta) de 20w. Est montada de tal forma que slo permite insolar una cara de la placa, de forma que si queremos hacer una placa de doble cara deberemos insolar primero una cara y luego dar la vuelta a la placa para insolar la otra. Conviene que la insoladora disponga de un temporizador de hasta 5 minutos, para poder controlar bien los tiempos de exposicin, aunque con un reloj tambin se puede hacer. Tambin podemos usar tubos de luz blanca, como los de iluminacin, incluso podemos improvisar una insoladora artesanal con una mesa,

una bombilla potente y un cristal. 3. Cogemos la placa fotosensible. Como ya hemos dicho, tienen una capa uniforme de barniz fotosensible sobre la capa de cobre y vienen protegidas por un plstico opaco adherido. Deberemos despegar el plstico opaco protector en un ambiente de luz muy tenue.

4. Continuando con luz tenue Colocamos el fotolito sobre el cristal de la insoladora y luego la placa encima, de forma que el lado del cobre est en contacto con la tinta del fotolito. Si se trata de una placa de doble cara, primero sujetaremos los dos fotolitos entre s con cinta adhesiva teniendo especial cuidado para que las posiciones de los taladros en ambas caras coincidan. Despus introducimos la placa entre los dos fotolitos, como vemos en la foto.

5. Ahora sujetamos la placa al fotolito con cinta adhesiva. Suele ser bastante prctico hacer unos recortes al fotolito en unas zonas que no haya pistas, como se ve en las fotos, para poder pegar la cinta adhesiva. Colocamos el conjunto en la insoladora, en el centro, tal como se vea en la foto del paso 2 y bajamos la tapa de la insoladora.

6. Seleccionamos el tiempo de exposicin y encendemos la insoladora. El tiempo idneo depende del tipo de fotolito que usemos y del tipo de luz de la insoladora y lo podremos determinar despus de unas pocas pruebas. En nuestro caso, usando papel vegetal impreso con inyeccin de tinta como fotolito y 4 tubos de luz actnica, los tiempos suelen andar sobre los 3 minutos de exposicin. Si usamos una transparencia en papel de acetato con tner de fotocopiadora, hay que dar un tiempo de exposicin menor, ya que este papel es totalmente transparente y deja pasar ms luz en las zonas que no hay tinta. De la misma forma, si usamos un flexo o la luz del sol, debemos hacer algunas pruebas con trozos pequeos de placa y nuestro fotolito para determinar el tiempo idneo de exposicin. Como nota curiosa, decir que usando el sol de pleno agosto en Espaa y un fotolito de papel vegetal y haciendo que los rayos del sol incidieran de forma perpendicular en la placa, fue necesario un tiempo de exposicin de slo 60 segundos. El proceso fue simple: sujetar bien el conjunto placa-fotolito-cristal, meterlo en una caja cerrada, sacarlo de la caja rpidamente y sujetarlo frente al sol, esperar el tiempo de insolacin (60 seg.) y meterlo rpidamente de nuevo en la caja. Con estos pasos ya tenemos la placa insolada. Ahora, mientras preparamos los siguientes pasos conviene dejar la placa en una caja cerrada, de forma que podamos encender alguna luz ms sin velar la placa.

Colocacin idnea del fotolito

En el dibujo siguiente vemos la colocacin del fotolito sobre la placa de cobre fotosensible. Ya se ha retirado el plstico opaco protector. Vemos en este caso que la tinta de la impresora o fotocopiadora est en la parte superior del fotolito, cosa que en la mayora de los casos representar un problema, debido a las sombras producidas.

Por lo general la luz de la insoladora no incidir sobre la placa en una sola direccin (a no ser que usemos la luz del sol), sino que provendr de varias direcciones, ya que los tubos fluorescentes tienen una cierta superficie luminosa. Adems, si tenemos colocado un espejo debajo de los tubos en la insoladora, la luz provendr an de ms direcciones. Esta luz difusa y el grosor del papel provocan que la radiacin luminosa llegue al barniz fotosensible como se muestra en el dibujo. Como vemos, el rea donde incide la luz (azul claro) es algo diferente al rea especificada en el fotolito, lo que puede llegar a provocar que algunas pistas finas se hagan ms finas an o incluso lleguen a desaparecer.

La solucin a esto consiste en imprimir el fotolito de tal forma que la tinta quede siempre en contacto con el barniz fotosensible. En caso de que sea necesario, esto se puede conseguir imprimiendo el "espejo" del diseo de pistas. El software de diseo de circuitos impresos casi siempre ofrece esta posibilidad.

Como vemos ahora, las zonas donde incide la luz (azul claro) son prcticamente similares a las originales, lo que producir una placa de gran fidelidad. Asimismo deberemos cuidar que el fotolito quede totalmente en contacto con la placa y que no tenga arrugas, ya que cualquier separacin entre la tinta y el barniz fotosensible provocar que las pistas disminuyan su grosor y adems queden mal definidas (borrosas).

Clasificacin de los amplificadores de potencia para AF

La primera clasificacin que podemos hacer con los amplificadores viene determinada por las frecuencias con las que van a trabajar. Si las frecuencias estn comprendidas dentro de la banda audible los amplificadores reciben el nombre de amplificadores de audio frecuencia o amplificadores de Baja frecuencia. (Amplificadores A.F. o amplificadores B.F., respectivamente). En el tema anterior veamos que en las transmisiones vamos a utilizar otros amplificadores que trabajan con la gama alta de frecuencias, las radio frecuencias (amplificadores de R.F). Dentro de las dos gamas de amplificadores vistas, tambin, podemos hacer una clasificacin atendiendo a su forma de trabajo: a) Amplificadores de tensin: son los que su principal misin es suministrar una tensin mayor en su salida que en su entrada

b) Amplificadores de potencia: aquellos que, aparte de suministrar una mayor tensin, suministran tambin un mayor corriente (amplificacin de tensin y amplificacin de corriente y, por ende, amplificacin de potencia) Podemos, segn esto, tener: amplificadores de tensin (tanto para B.F. como para R.F.) y amplificadores de potencia (tambin, para ambas gamas de frecuencias). En este tema nicamente vamos a entrar en los amplificadores de potencia, que son los que nos interesan para iniciar el campo de las R.F., el resto los damos por estudiados y aprendidos (porque son los montajes de amplificadores que se estudian en los principios bsicos).

2. Clases de amplificadores de potencia

Tal y como decamos en el punto anterior, este tipo de amplificadores (amplificadores de potencia, ya sean para B.F. o para R.F.), tienen la particularidad de que en su salida tenemos ganancia de tensin y de corriente con respecto a la seal de entrada. Este tipo de amplificadores pueden entregarnos en su salida toda la seal de entrada o una parte de la misma; atendiendo a esta caracterstica, los amplificadores de potencia, podemos clasificarlos de la siguiente forma: A. Amplificadores de clase A: un amplificador de potencia funciona en clase A cuando la tensin de polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante todo el perodo de la seal de entrada. B. Amplificadores de clase B: un amplificador de potencia funciona en clase B cuando la tensin de polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante un semiperodo de la seal de entrada. C. Amplificadores de clase AB: son, por as decirlo, una mezcla de los dos anteriores, un amplificador de potencia funciona en clase AB cuando la tensin de polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante menos de un perodo y ms de un semiperodo de la seal de entrada. D. Amplificadores de clase C: un amplificador de potencia funciona en clase C cuando la tensin de polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante menos de un semiperodo de la seal de entrada.

Alguien puede que haya visto, en algn libro o manual de reparacin, una notacin tipo a esto: Amplificador clase AB1 o tambin amplificador clase B2; estas notaciones vienen de los antiguos amplificadores con vlvulas. Los subndices 1 y 2 indicaban que no exista corriente de reja (el 1) o que si exista (el 2), esto era debido a que en la polarizacin de la vlvula, la reja se haca positiva con respecto al ctodo (para los que nunca hayan odo hablar de las vlvulas, diremos, que la reja se correspondera con la base de un transistor y el ctodo con el terminal de salida, que en los transistores, dependiendo del tipo de conexin, puede ser el emisor o el colector). En los amplificadores de clase A no hay nunca corriente de reja (base) por lo que es indiferente decir que el amplificador es de clase A1 o de clase A. Lo contrario ocurre en los amplificadores de clase C donde siempre va a existir corriente de reja (base), en este caso es indiferente decir que el amplificador es de clase C2 o de clase C (a secas). En los amplificadores de clase B y AB, puede que exista o no la corriente de base (o reja) por lo que s es importante que nos especifiquen el tipo de amplificador del que se trata (AB1 dira que no tiene corriente de base y B2 indicara que s hay corriente de base). Este tipo de notacin tambin podemos encontrarla en los amplificadores transistorizados

Amplificador de potencia clase C

Clase C En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un tiempo t1 t2 en cada periodo T = 2 / o, de forma que el semi ngulo de conduccin, definido como 2 = o(t1 t2) sea inferior a /2. En el clase B = /2, mientras que = en el clase A. 7.4 Apuntes SEC. UIB

Su esquema es similar al del clase A que se muestra en la figura 7.1 y que repetimos aqu para comodidad del lector, pero en este caso es imprescindible poner en paralelo con RL un circuito LC sintonizado. . LviVCC+ vo RBVBBRLCCC L Fig. 7.6 Esquema de un amplificador clase C con BJT. La tensin VBB es ahora negativa, de forma que el BJT slo entra en zona activa alrededor del mximo de vi, cuando vi + VBB > 0.7 V. otvCE otvi otiCImVCCVBB0.7 2 Fig. 7.7 Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase A. Si asumimos que en toda la zona activa la corriente de colector es proporcional a la tensin de control, para una entrada sinusoidal toma la forma representada en la figura 7.7. Esta corriente puede escribirse como iC = IPcos( ot) ID, mientras sea IPcos( ot) ID iC = 0, en el resto Y puesto que en ot = tenemos iC = 0, resulta que ID = IPcos ( ). La funcin iC(t) es par y por eso puede descomponerse en serie de Fourier como iC = Io + I1cos( ot) + I2cos(2 ot) + Donde Io es su valor medio, I1 la componente fundamental y el resto, de I2 en 7.5 adelante, armnicos. ) Cos (sinoooPoII ) 2sin2 (21ooPII Apuntes SEC. UIB Las tensiones vCE y vo tienen una forma sinusoidal porque el filtro LC cortocircuita todos los armnicos de iC(t) y slo deja la componente fundamental. La potencia entregada a la carga es LoRIs2121 El consumo de potencia, despreciando la potencia empleada para polarizar el BJT, es CCCQDVIs Donde ICQ = Io. El rendimiento mximo se obtiene cuando vo toma la mxima amplitud posible, VCC si aproximamos VCE,sat, = 0, y para eso se requiere que I1RL = VCC. En ese caso el rendimiento slo depende de )cos()sin()2sin(241ooooomx En la figura 7.8 se muestra el rendimiento mximo en funcin del semingulo de conduccin. Si = 180 max = 50 % (Clase A), si = 90 max = 78 % (Clase B) y para la clase C siempre es superior. Si = 0 max = 100 %, claro que en este caso la corriente mxima que debera soportar el transistor es infinita. As que un buen compromiso consiste en emplear = 60 para obtener max = 90 %. o max (%) Clase B100 50 0 180 90 Clase A Fig. 7.8 Rendimiento mximo del amplificador clase C en funcin del semi ngulo de conduccin. Notar que, a diferencia de la clase A o B, la clase C no es un amplificador lineal: la salida es nula hasta que la amplitud de la tensin de entrada supera VBB + 0.7. Este amplificador slo puede usarse para FM o PM porque emplea seales de amplitud constante o para seales digitales y de banda estrecha.

JFET

Esquema interno del transistor JFET canal P El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin. Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva (en inversa) VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas, cortndose la corriente para tensiones mayores que Vp.

Grfica de entrada de un transistor JFET canal n o canal p As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.

Transistor JFET
Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento. Para |VGS| > |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin, mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica. Para |VGS| < |Vp| (zona de corte): ID = 0 Ecuacin de salida En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresin:

Que suele expresarse como

, siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina zona hmica. A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresin: VDS = VGS Vp. Esta IDSAT, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin:

- Caractersticas elctricas del JFET El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el smbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el smbolo de un JFET de canal P La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

Transistor de efecto de campo (FET)

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes. Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA Aislador o separador Impedancia de entrada (buffer) alta y de salida baja Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascada Troceador Bajo ruido Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva USOS Uso general, equipo de medida, receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Resistor variable por Se controla por voltaje voltaje Amplificador de baja Capacidad pequea de frecuencia acoplamiento Mnima variacin de Oscilador frecuencia Circuito MOS digital Pequeo tamao

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de puerta. Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

Parmetros del FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

Tcnicas de mano facturas

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor. El primer transistor se cre en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel. En el ao 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabric el primer transistor de silicio, lo cual baj los costos y permiti, gracias a nuevas tcnicas de fabricacin, su comercializacin a gran escala. Han reemplazado en la mayora de las aplicaciones a los tubos vlvulas electrnicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricacin de equipos porttiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energa (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado slido" o "frios"). Como se indic con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante, con prrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a travs de la regin.

Transistor de unin de efecto de campo (JFET). Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.

Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET. VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y

drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.

JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V. Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la regin superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V. Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto mayor sea la polarizacin inversa aplicada, mayor ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la regin de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El

hecho que G = O A es una importante caracterstica del JFET.

Variacin de los potenciales de polarizacin inversa a travs de la unin p-n de un JFET de canal n.

Explicacin de su encapsulado e identificacin de sus terminales.

La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio, permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrnicos modernos. Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc. Segn sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente. En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control acta por medio de campo elctrico), los tipo un juntura, los MOS o de xido metlico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc. Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta potencia, bajo ruido elctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de conmutacin, etc.

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT

4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas que limitan la utilizacin de los FET 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.

Polarizacin de los FET

Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado nicamente se presentan dos de los circuitos ms utilizados: polarizacin simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS<0, y auto polarizacin (figura 1.18), la cada de tensin en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

Transistores MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deflexin (deflexin); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva

en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a 3 V

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

Principio de operacin de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplica a la compuerta.

Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas es convencional, no la del flujo de electrones.

Transistor IGBT

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E) El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Caractersticas
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin domestica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Seccin de un IGBT El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada control de la traccin en motores y cocina de induccin Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalente de un IGBT Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Familia de los tiristores

1) DEFINICIN DEL SCR El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn . Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la , v e z.

Smbolo del SCR.

ESTRUCTURA.

CARACTERSTICAS GENERALES.

Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

DIODO DE CUATRO CAPAS El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductoras npnp

REALIMENTACIN POSITIVA El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de a la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en una nica direccin. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.

CIRCUITO LATCH Un latch es un circuito electrnico usado para almacenar informacin en sistemas lgicos asncronos. Un latch puede almacenar un bit de informacin. Los latches se agrupan en mltiples, algunos de los cuales tienen nombres especiales, como por ejemplo el 'latch quad ' (que puede almacenar cuatro bits) y el 'latch octal' (ocho bits). Los latches son dispositivos biestables que no tienen entrada de reloj y cambian el estado de salida solo en respuesta a datos de entrada, mientras que

los flip-flops cuando tienen data de entrada cambian el estado de salida en respuesta a una entrada de reloj

CIRCUITO LATCH

CORRIENTE DE DISPARO

Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo.
DISPARO POR PUERTA. Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

PUERTA DE DISPARO

TENCIN DE DISPARO Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos
TENCIN DE BLOQUE DIRECTO Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones

APLICACIONES DEL SCR.

Controles de relevador. Fuentes de alimentacin reguladas.

Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase. 2) El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.

SIMBOLO DEL DIAC diodo Shockley Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor 3) EL TRIAC TENCION DE CEBADO En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin continua aplicada al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado de la funcin de control, que puede ser un simple interruptor mecnico o un transistor trabajando en conmutacin. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrnicos alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control de una corriente a partir de una determinada seal de excitacin, que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo

CORRIENTE DE DISPARO Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, podiendo llegar a activarse. DESPLASAMIENTO DE FASE No obstante, como se indic con anterioridad, si se incrementa R1 se requerir un voltaje de entrada ms alto (positivo) para activar el SCR. Como se indica en la figura (2b), el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90 porque la entrada es mxima en este punto. Si falla para disparar s ste y a valores menores de voltaje de entrada sobre la pendiente positiva de la entrada,

debe esperarse la misma respuesta de la parte con pendiente negativa de la forma de onda de la seal.
DESACTIVACIN POR COMPUERTA Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.

CONDUCCIN INVERSA. En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

CONDUCCION INVERSA INDUCCIN ESTTICA Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una

baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas. ACTIVADOS POR LUZ

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). CONTROLADOS POR FET Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto. Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

CONTROLADOR FET CONTROLADOS POR MOS

Un tiristor controlado por MOS combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un

MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de can El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.

CONTROLADOR MOS

4) OPTO-ELECTRONICA La optoelectrnica se refiere a la tecnologa interactiva de los fotones y electrones Por ejemplo, la electricidad se transforma en lser por medio de un maser, la electricidad pasa a ser luz gracias a un transmisor ptico; la luz deviene electricidad a travs de un aparato optoelectrnico de energa solar. La combinacin de la tecnologa optoelectrnica y de la industria informtica resulta en tecnologa de informacin optoelectrnica. Las aplicaciones ms frecuentes en este aspecto, tales como los escneres pticos o cmaras pticas, transmiten informacin a travs de la luz; la memoria de la optoelectrnica, digamos de un disco ptico, almacena informacin; y las pantallas pticas muestran informacin por medio de la luz. Todas estas tecnologas estn vinculadas a la industria de informacin optoelectrnica, entre las cuales la mayor es la de la industria de la comunicacin por fibra ptica.
EL FOTODIODO

Es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente de acuerdo a la cantidad de luz que lo incide. Esta corriente fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo (es la llamada corriente de fuga). Al revs de los diodos normales Puede ser utilizado como dispositivo detector de luz, que convierte la luz en electricidad. Cuando a un fotodiodo le incide la luz, se inicia el flujo de una corriente Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha, la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz que lo incide sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms rapidez. DIFERENTES TIPOS DE OPTOACOPLADORES

Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac slo en los cruce por cero de la corriente alterna.

FOTOTRANSISTOR Los fototiristores son como los fototransistores o FET muy similares a sus correspondientes convencionales, excepto en la adicin de una ventana o lente para enfocar la luz en un rea apropiada. Tienen tres terminales, y por tanto, el umbral del

disparo ptico puede controlarse electrnicamente. La ventaja principal del fototiristor es que es un excelente conmutador, con una capacidad de gobernar potencias muy superiores a otros fotodetectores. Con refrigeracin apropiada, algunos fototiristores pueden trabajar a unos cientos de voltios con un ampere.

DIODO EMISOR DE LUZ tambin conocido como LED (acrnimo del ingls de Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de UV LED (UltraV'iolet LightEmitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting

SIMBOLO DEL LED

5) EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL Suele construirse con dos transistores que comparten la misma conexin de emisor, por la que se inyecta una corriente de polarizacin. Las bases de los transistores son las entradas, mientras que los colectores son las salidas. Si se terminan en resistencias, se tiene una salida tambin diferencial. Se puede duplicar la ganancia del par con un espejo de corriente entre los dos colectores. Aunque esta descripcin se basa en transistores de unin bipolar, lo mismo se puede hacer en tecnologa MOS CMOS.

Se llama amplificador diferencial a un amplificador cuya salida es proporcional a la diferencia entre sus dos entradas (Vi+ y Vi-). La salida puede ser diferencial o no pero, en ambos casos, referida a masa.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ENTRADA INVERSORA Este es el circuito de ganancia constante ms ampliamente usado. La tensin de salida se obtiene al multiplicar la entrada por una ganancia fija constante, establecida por la relacin entre Rf y R, resultando invertida esta seal respecto a la entrada ENTRADA NO INVERSORA Este es el circuito de ganancia constante ms ampliamente usado. La tensin de salida se obtiene al multiplicar la entrada por una ganancia fija constante, establecida por la relacin entre Rf y R, resultando invertida esta seal respecto a la entrada ENTRADA DIFERENCIAL El caso ms general de configuracin es una combinacin de los dos modos anteriores. Es decir, permitir entrada tanto por la puerta inversora como por la no - inversora. La seal de salida ser proporcional a la diferencia entre las entradas, y estar en fase con las seales aplicadas.

TEORIA DE FUNCIONAMIENTO

Los amplificadores en corriente (CFA) es un tipo de amplificador electrnico cuya entrada negativa es sensible a la corriente, a diferencia de los amplificadores normales que lo son a la tensin (VFA). El CFA fue inventado sobre 1988. Normalmente son producidos como circuitos integrados con la misma asignacin de pines que los VFA, permitiendo as que los dos tipos puedan ser fcilmente intercambiables. En configuraciones simples, tales como amplificadores lineales, un CFA puede ser usado en lugar de un VFA sin modificar el circuito, pero en otros casos, como en los integradores se necesita un rediseo. La configuracin clsica del amplificador con cuatro resistencias tambin funciona con un CFA, pero el CMRR es muy pobre.
Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilizacin de energa, magnifica la amplitud de un fenmeno. Aunque el trmino se aplica principalmente al mbito de los amplificadores electrnicos, tambin existen otros tipos de amplificadores, como los mecnicos, neumticos,

Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilizacin de energa, magnifica la amplitud de un fenmeno. Aunque el trmino se aplica principalmente al mbito de los amplificadores electrnicos, tambin existen otros tipos de amplificadores, como los mecnicos, neumticos, e hidrulicos, como los gatos mecnicos y los boosters usados en los frenos de potencia de los automviles

6) AMPLIFICADOR OPERACIONAL MODOS DE OPERACION

INVERSOR

Se denomina inversor ya que la seal de salida es igual a la seal de entrada (en forma) pero con la fase invertida 180 grados.

El anlisis de este circuito es el siguiente: o V+ = V- = 0 Definiendo corrientes: y de aqu se despeja

Para el resto de circuitos el anlisis es similar. Zin = Rin

Por lo cual podemos controlar la impedancia de entrada mediante la eleccin de Rin. Esta configuracin es una de las ms importantes, porque gracias a esta configuracin, se puede elaborar otras configuraciones, como la configuracin del derivador, integrador, sumador. En sistemas microelectronicos se puede utilizar como buffer, poniendo 2 en cascada

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NO INVERSOR

Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo, conociendo el voltaje en el pin negativo podemos calcular, la relacin que existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin.

Zin =

CARACTERSTICA TENSIN-FRECUENCIA Al A.O. tpico tambin se le conoce como amplificador realimentado en tensin (VFA). En l hay una importante limitacin respecto a la frecuencia: El producto de la ganancia en tensin por el ancho de banda es constante. Como la ganancia en lazo abierto es del orden de 100.000 un amplificador con esta configuracin slo tendra un ancho de banda de unos pocos Hercios. Al realimentar negativamente se baja la ganancia a valores del orden de 10 a cambio de tener un ancho de banda aceptable. Existen modelos de diferentes A.O. para trabajar en frecuencias superiores, en estos amplificadores prima mantener las caractersticas a frecuencias ms altas que el resto, sacrificando a cambio un menor valor de ganancia u otro aspecto tcnico. B Ejemplo del 741

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DIAGRAMA ELECTRNICO DEL OPERACIONAL 741

En el diagrama se destaca en azul el amplificador diferencial. ste es el responsable de que las corrientes de entrada no sean cero, pero si respecto a las de los colectores (Ntese como a pesar de aproximar las corrientes de entrada a 0, si stas realmente fueran 0 el circuito no funcionara). La impedancia de entrada es de unos 2M. Las etapas en rojo son espejos de corriente. El superior de la izquierda sirve para poder soportar grandes tensiones en modo comn en la entrada. El superior de la derecha proporciona una corriente a la circuitera de salida para mantener la tensin. El inferior tiene una baja corriente de colector debido a las resistencias de 5k. Se usa como conexin de gran impedancia a la alimentacin negativa para poder tener una tensin de referencia sin que haya efecto de carga en el circuito de entrada. Los pines llamados Offset null son usados para eliminar las tensiones de offset que pueda haber en el circuito. La etapa de ganancia en tensin es NPN. La seccin verde es un desplazador de tensin. Esto proporciona una cada de tensin constante sin importar la alimentacin. En el ejemplo 1V. Esto sirve para prevenir la distorsin. El condensador se usa como parte de un filtro paso bajo para reducir la frecuencia y prevenir que el A.O oscile. La salida en celeste es un amplificador PNP seguidor con emisor push-pull. El rango de la tensin de salida es de un voltio menos a la alimentacin, la tensin colector-emisor de los transistores de salida nunca puede ser totalmente cero. Las resistencias de salida hacen que la corriente de salida est limitada a unos 25mA. La resistencia de salida no es cero, pero con realimentacin negativa se aproxima. PARMETROS

Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia de tensin en ausencia de realimentacin. Se puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o logartmicas (dB). Son valores habituales 100.000 a 1.000.000 V/V. Tensin en modo comn. Es el valor medio de tensin aplicado a ambas entradas del operacional. Tensin de Offset. Es la diferencia de tensin, aplicada a travs de resistencias iguales, entre las entradas de un operacional que hace que su salida tome el valor cero. Corriente de Offset. Es la diferencia de corriente entre las dos entradas del operacional que hace que su salida tome el valor cero. Margen de entrada diferencial. Es la mayor diferencia de tensin entre las entradas del operacional que mantienen el dispositivo dentro de las especificaciones.

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Corrientes de polarizacin (Bias) de entrada. Corriente media que circula por las entradas del operacional en ausencia de seal Slew rate. Es la relacin entre la variacin de la tensin de salida mxima respecto de la variacin del tiempo. El amplificador ser mejor cuanto mayor sea el Slew Rate. Se mide en V/s, kV/s o similares. El slew rate est limitado por la compensacin en frecuencia de la mayora de los amplificadores operacionales. Existen amplificadores no compensados (con mayor slew rate) usados principalmente en comparadores, y en circuitos osciladores, debido de hecho a su alto riesgo de oscilacin. Relacin de Rechazo en Modo Comn (RRMC, o CMRR en sus siglas en ingls). Relacin entre la ganancia en modo diferencial y la ganancia en modo comn. APLICACIONES BASICAS

SUMADOR INVERSOR

La salida est invertida Para resistencias independientes R1, R2,... Rn

o

La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor Impedancias de entrada: Zn = Rn

INTEGRADOR IDEAL

Integra e invierte la seal (Vin y Vout son funciones dependientes del tiempo)

Vinicial es la tensin de salida en el origen de tiempos

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Nota: El integrador no se usa en la prctica de forma discreta ya que cualquier seal pequea de DC en la entrada puede ser acumulada en el capacitor hasta saturarlo por completo. Este circuito se usa de forma combinada en sistemas retroalimentados que son modelos basados en variables de estado (valores que definen el estado actual del sistema) donde el integrador conserva una variable de estado en el voltaje de su capacitor. DERIVADOR IDEAL

Deriva e invierte la seal respecto al tiempo

Este circuito tambin se usa como filtro

NOTA: Es un circuito que no se utiliza en la prctica porque no es estable, esto se debe a que al amplificar ms las seales de alta frecuencia se termina amplificando el ruido por mucho. Otros

Osciladores, como el puente de Wien Convertidores carga-tensin Convertidores corriente-tensin Filtros activos Girador permite construir convertidores de inmitancias (empleando un condensador simular un inductor, por ejemplo)

EJEMPLOS DE SUS APLICACIONES

Calculadoras analgicas Filtros Preamplificadores y buffers de audio y video Reguladores Conversores Evitar el efecto de carga Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)

ESTRUCTURA Aunque es usual presentar al A.O. como una caja negra con caractersticas ideales es importante entender la forma en que funciona, de esta forma se podr entender mejor las limitaciones que presenta.

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Los diseos varan entre cada fabricante y cada producto, pero todos los A.O. tienen bsicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:
1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja amplificacin del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una salida diferencial. 2. Amplificador de tensin: proporciona una ganancia de tensin. 3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente necesaria, tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, proteccin frente a cortocircuitos.

FUNCIONAMIENTO Un trigger Schmitt cambia su estado de salida cuando la tensin en su entrada sobrepasa un determinado nivel; la salida no vuelve a cambiar cuando la entrada baja de ese voltaje, sino que el nivel de tensin para el cambio es otro distinto, ms bajo que el primero. A este efecto se conoce como ciclo de histresis. sta es la principal diferencia con un comparador normal, que es un simple amplificador operacional sin realimentacin, y que su salida depende nicamente de la entrada mayor. El trigger Schmitt usa la histresis para prevenir el ruido que podra solaparse a la seal original y que causara falsos cambios de estado si los niveles de referencia y entrada son parecidos. Para su implementacin se suele utilizar un amplificador operacional realimentado positivamente. Los niveles de referencia pueden ser controlados ajustando las resistencias R1 y R2:

Por ejemplo, si el trigger inicialmente est activado, la salida estar en estado alto a una tensin Vout = +Vs, y las dos resistencias formarn un divisor de tensin entre la salida y la entrada. La tensin entre las dos resistencias (entrada +) ser V+, que es comparada con la tensin en la entrada , que supondremos 0V (en este caso, al no haber realimentacin negativa en el operacional, la tensin entre las dos entradas no tiene porque ser igual). Para producir una transicin a la salida, V+ debe descender y llegar, al menos, a 0V. En este caso la tensin de entrada es . Llegado este punto la tensin a la salida cambia a Vout=Vs. Por un razonamiento equivalente podemos llegar a la condicin para pasar de Vs a +Vs:

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Con esto se hace que el circuito cree una banda centrada en cero, con niveles de disparo (R1/R2)VS. La seal de entrada debe salir de esa banda para conseguir cambiar la tensin de salida. Si R1 es cero o R2 es infinito (un circuito abierto), la banda tendr una anchura de cero y el circuito funcionar como un comparador normal. Para indicar que una puerta lgica es del tipo trigger Schmitt se pone en el interior de la misma el smbolo de la histresis:

SIMBOLO

FUNCIONAMIENTO DEL OP-AMP

Un amplificador operacional (A.O., habitualmente llamado op-amp) es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G(V+ V) El primer amplificador operacional monoltico data de los aos 1960, era el Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild A709 (1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms tarde sera sustituido por el popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar. Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemticas (suma, resta, multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, etc) en calculadoras analgicas. De ah su nombre. El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin se dice que las corrientes de entrada son cero.

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Osciladores de Onda Senoidal

Introduccin
Un oscilador es un circuito que produce una oscilacin propia de frecuencia, en forma de onda y amplitud determinadas.

Enfoque intuitivo:

Se entiende por oscilador a una etapa electrnica que, siendo alimentada con una tensin continua, proporciona una salida peridica, que puede ser aproximadamente senoidal, o cuadrada, o diente de sierra, triangular, etc. O sea que la esencia del oscilador es crear una seal peridica por s mismo, sin que haya que aplicarle seal alguna a la entrada. En este Curso nos limitaremos al estudio de los osciladores de onda senoidal o en realidad, casi senoidal como se les suele llamar, ya que segn veremos, es indispensable la existencia de un porcentaje pequeo de distorsin para su correcto funcionamiento; y solamente en bajas frecuencias (Audiofrecuencias), ya que inmediatamente se vern las propiedades de los circuitos sintonizados, utilizados en los osciladores de Radiofrecuencia. Una primera idea sobre la forma que adquiere este oscilador, se puede tener del concepto de realimentacin que hemos visto anteriormente. Serunexcelentetcnicosiempredependerdetiydelgustoconquehacestutrabajo

Circuito resonante
Un circuito resonante, circuito RLC en serie, o circuito en estado de resonancia elctrica, es un circuito donde la reactancia inductiva inductancia es igual a la reactancia capasitiva capasitancia, ( ). Por lo tanto, la impedancia ser mnima e igual a la resistencia ohmica. Esto tambin equivale a decir, que el circuito estar en fase. y siendo, , entonces , y as En el estado de resonancia elctrica, al ser la impedancia mnima, la intensidad eficaz de la corriente ser mxima. Simultneamente, la diferencia y , tiene valores de potencial o tensin elctrica correspondiente a mximos iguales. Otra caracterstica de los circuitos resonantes es que la energa liberada por un elemento reactivo (inductor o capacitor) es exactamente igual a la absorbida por el otro. Es decir, durante la primera mitad de un ciclo de entrada el inductor absorbe toda la energa liberada por el capacitor, y durante la segunda mitad del ciclo el capacitor vuelve a capturar la energa proveniente del inductor. Es precisamente esta condicin "oscilatoria" que se conoce como resonancia, y la frecuencia en la que esta condicin se da es llamada frecuencia resonante. Los circuitos resonantes son especialmente tiles cuando se desea hacer "sintonizadores" o "tuners", en los cuales se quiere dar suficiente potencia a slo una frecuencia dentro de un espectro. Por ejemplo cuando sintonizamos una emisora de radio en nuestro receptor lo que se ha producido es una condicin de resonancia para la frecuencia central de esa radio-emisora. En el caso de los receptores de radio comerciales tienen un circuito resonante "ajustable" para poder seleccionar la frecuencia resonante adecuada. En las emisoras de FM los rangos de frecuencia varan entre 88 y 108 MHz. Circuitos resonantes

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RLC Serie

RLC paralelo

Amplificacin con retroalimentacin

Esta dada por la siguiente formula: Ar = Ao / 1+

x Ao

Donde Ao es la amplificacin de la caja que se realimenta y es el coeficiente de realimentacin. En el caso de que la realimentacin sea de tipo negativa, tanto Ao como son ambas positivas o ambas negativas, y el mdulo de la ganancia es menor que el de Ao en circuito abierto. Pero si invertimos un signo, ya sea de Ao o de , la realimentacin se hace positiva; si el mdulo de .Ao es menor que la unidad, el mdulo de la ganancia con realimentacin(circuito cerrado) aumenta, tanto ms en cuanto el denominador se va aproximando a 0; al llegar a ser nulo, se tendra

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Amplificacin infinita, vale decir: estamos obteniendo una salida, sin necesidad de poner tensin de entrada, lo que coincide con la definicin del oscilador. Se ve inmediatamente que para lograr este efecto hacen falta dos condiciones: a): Que la realimentacin sea positiva. b): Que dicha realimentacin positiva sea suficiente (Ganancia de lazo = 1)

Oscilador de puente de Wien

En electrnica un oscilador de puente de Wien es un tipo de oscilador que genera ondas senoidales sin necesidad de ninguna seal de entrada. Puede generar un amplio rango de frecuencias. El puente est compuesto de cuatro resistores y dos capasitores. El circuito est basado en un puente originalmente desarrollado por Max Wien en 1891. El circuito moderno est derivado de la tesis final de William Hewlett, para obtener el master en la Universidad de Stanford. Hewlett, junto con David Packard fundaron la empresa Hewlett Packard. Su primer producto fue el HP 200A, un oscilador de ondas sinusoidales de precisin basado en el puente de Wien. El 200A se convirti en un instrumento electrnico clsico conocido por su baja distorsin. La frecuencia de oscilacin est dada por:

La clave del oscilador de baja distorsin de Hewlett es una efectiva estabilizacin de amplitud. La amplitud de los osciladores electrnicos tiende a aumentar hasta que la seal es recortada o se alcanza alguna limitacin de ganancia. Esto lleva a una distorsin de los armnicos de frecuencias altas, lo que en la mayora de los casos es un efecto indeseado.

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Hewlett us una lmpara incandescente en la realimentacin del oscilador para limitar la ganancia. La resistencia de las lmparas incandescentes (as como otros elementos similares que producen calor) aumenta a medida que su temperatura aumenta. Si la frecuencia de oscilacin es significativamente superior que la constante trmica del elemento que produce calor, la potencia irradiada ser proporcional a la potencia del oscilador. Debido a que los elementos que producen calor son cuerpos negros, estos siguen la Ley de Stefan- Boltzman. La potencia irradiada es proporcional a T4, por lo que la resistencia aumenta a una mayor proporcin que la amplitud de la seal. Si la ganancia es inversamente proporcional a la amplitud de la oscilacin, la ganancia del oscilador alcanza un estado estable en dnde opera como un amplificador de clase A casi ideal, logrando de esta manera una baja distorsin. La relacin entre la resistencia de realimentacin y la resistencia de entrada es:

donde Ad es la ganancia del operacional, Rf es la resistencia de realimentacin y Ri es la resistencia de entrada. Las ecuaciones bsicas para obtener estas especificaciones son:

Pasando todas estas ecuaciones al dominio de la transformada de Laplace se obtiene:

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y por tanto la condicin de oscilacin es:

Anlisis de la impedancia de entrada

Si se aplica una tensin directamente en la entrada de un amplificador ideal con realimentacin, la corriente de entrada ser:

Donde vin es la tensin de entrada, vout es la tensin de salida, y Zi es la impedancia de realimentacin. Si definimos la ganancia de voltaje como:

Y la admitancia de entrada se define como:

La admitancia de entrada puede ser redefinida como:

Para el puente de Wien, Zi est dada por:

Substituyendo y resolviendo:

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Si Av es mayor a 1, la admitancia de entrada es una resistencia negativa (NDR) en paralelo con una inductancia. La inductancia es:

Si se coloca un capacitor con el mismo valor de C en paralelo con la entrada, el circuito tiene una resonancia natural a:

Substituyendo y resolviendo para la inductancia:

Si necesita un Av con un valor de 3: Lin = R2C Substituyendo:

O tambin:

Similarmente, la resistencia de entrada a la frecuencia determinada arriba es:

Para Av = 3: Rin = R

Oscilador de desplazamiento de fase

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El oscilador de cambio de fase consiste en un amplificador de ganancia negativa con una realimentacin constituida por una seccin RC de tercer orden en escalera. Esta red de realimentacin introduce un desfase de 180 para ser compatible con la ganancia negativa del amplificador que introduce a su vez otro desfase de 180.

Oscilador LC

Curvas de tensin en un oscilador LC Un oscilador LC est formado por una bobina y un condensador en paralelo. Su funcionamiento se basa en el almacenamiento de energa en forma de carga elctrica en el condensador y en forma de campo magntico en la bobina El condensador, en un tiempo igual a cero, ofrece una impedancia cercana a cero ohmios, por lo que permite que fluya una gran corriente a travs de l, la cual va disminuyendo hasta que sus placas sean llenadas de tantas cargas positivas y negativas como lo permita el tamao de las mismas y la permisividad elctrica del aislante que hay entre ellas. En este instante el condensador acta como un aislante, ya que no puede permitir ms el paso de la corriente, y se crea un campo elctrico entre las dos placas, que es el que crea la fuerza necesaria para mantener almacenadas las cargas elctricas positivas y negativas, en sus respectivas placas. Por otra parte, en un tiempo igual a cero la bobina posee un impedancia casi infinita, por lo que no permite el flujo de la corriente a travs de ella y, a medida que pasa el tiempo, la corriente empieza a fluir, crendose entonces un campo magntico proporcional a la magnitud de la misma. Pasado un tiempo, la bobina acta prcticamente como un conductor elctrico, por lo que su impedancia tiende a cero.

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Al estar el condensador y la bobina en paralelo, la energa almacenada por el campo elctrico del condensador (en forma de cargas electrostticas), es absorbida por la bobina, que la almacena en su campo magntico, pero a continuacin es absorbida y almacenada por el condensador, para ser nuevamente absorbida por la bobina, y as sucesivamente. Esto crea un vaivn de la corriente entre el condensador y la bobina. Este vaivn constituye una oscilacin electromagntica, en la cual el campo elctrico y el magntico son perpendiculares entre s, lo que significa que nunca existen los dos al mismo tiempo, ya que cuando est el campo elctrico en el condensador no existe campo magntico en la bobina, y viceversa. La caracterstica de este tipo de circuito, tambin conocido como circuito tanque LC, es que la velocidad con que fluye y regresa la corriente desde el condensador a la bobina o viceversa, se produce con una frecuencia (f) propia, denominada frecuencia de resonancia, que depende de los valores del condensador (C) y de la bobina (L), y viene dada por la siguiente frmula:

donde: f se mide en Hertz, C en Faradios y L en Henrios.

Oscilador Colpitts

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El oscilador Colpitts es un circuito electrnico basado en un oscilador LC diseado por Edwin H. Colpitts. Se trata de un oscilador de alta frecuencia que debe obtener a su salida una seal de frecuencia determinada sin que exista una entrada.

La estructura de un oscilador de Colpitts es muy parecida a la de un oscilador de Hartley, pero cambiando la posicin de sus componentes. El elemento central es un transistor, hay una bobina entre el colector y la base y dos condensadores, uno entre el colector y el emisor y otro entre la base y el emisor. El circuito de polarizacin debe afectar lo mnimo posible a ste, para lo cual se suelen emplear condensadores de desacoplo (de capacidad mucho ms elevada que los del circuito de oscilacin) y choques de radiofrecuencia (bobinas de elevado valor). Una mejora de este circuito es el oscilador Clapp. A partir de los criterios de Barkhausen y del modelo equivalente del transistor se pueden obtener las siguientes expresiones: Frecuencia de oscilacin:

Condicin arranque para que el circuito empiece a oscilar espontneamente es la siguiente:

Si el transistor utilizado es un BJT:

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Si el transistor utilizado es un FET: gm > 0

En la prctica, para evitar derivas en frecuencia por el calentamiento de los componentes, los osciladores Colpitts son realizados con capacitores NP0, o sea, cuyos coeficientes de temperatura son prcticamente cero. Los capacitores cermicos deben evitarse, porque su coeficiente de temperatura es sumamente elevado. Por otro lado, la inductancia no debe ser muy pequea. Valores prcticos de capacitores de osciladores Colpitts son del orden de los 560 pF.

Oscilador Hartley
El oscilador Hartley es un circuito electrnico basado en un oscilador LC. Se trata de un oscilador de alta frecuencia que debe obtener a su salida una seal de frecuencia determinada sin que exista una entrada.

El circuito bsico usando un transistor bipolar, considerando slo el circuito de oscilacin, consta de un condensador entre la base y el colector (C) y dos bobinas (L1 y L2) entre el emisor y la base y el colector respectivamente. La carga se puede colocar entre el colector y L2. En este tipo de osciladores, en lugar de L1 y L2 por separado, se suele utilizar una bobina con toma intermedia. Para poder ajustar la frecuencia a la que el circuito oscila, se puede usar un condensador variable, como sucede en la gran mayora de las radios que usan este oscilador, o bien cambiando la relacin entre L1 y L2 variando una de ellas como en los receptores Collins; a esta ltima tcnica se la llama "sintona por permeabilidad". El circuito de polarizacin se disea de tal forma que afecte lo menos posible al circuito de oscilacin, para ello se pueden emplear condensadores de

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desacoplo, choques de radiofrecuencia, etc. Esta es la razn por la cual en la imagen no se dibujan. A partir de los criterios de Barkhausen y del modelo equivalente de parmetros h del transistor se pueden obtener las siguientes expresiones que describen el comportamiento de un oscilador Hartley: Frecuencia de oscilacin:

Condicin arranque:

Si el transistor utilizado es un BJT:

Si el transistor utilizado es un FET: gm > 0

Ventajas:

Puede tener fcilmente una frecuencia variable. Amplitud de salida constante.

Desventajas:

Gran contenido en armnicos. No obtiene una onda senoidal pura.

Oscilador de cristal
Es aquel oscilador que incluye en su realimentacin un resonador piezoelctrico.

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El oscilador de cristal se caracteriza por su estabilidad de frecuencia y pureza de fase, dada por el resonador. La frecuencia es estable frente a variaciones de la tensin de alimentacin. La dependencia con la temperatura depende del resonador, pero un valor tpico para cristales de cuarzo es de 0' 005% del valor a 25C, en el margen de 0 a 70C.
Estos osciladores admiten un pequeo ajuste de frecuencia, con un condensador en serie con el resonador, que aproxima la frecuencia de este, de la resonancia serie a la paralela. Este ajuste se puede utilizar en los VCO para modular su salida.

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UN POCO DE HISTORIA DEL 555 El 555 fue creado en 1971 por la compaa Signetics Corporation y entonces, al ser el primer timer integrado, fue llamado algo similar a "la mquina del tiempo en circuito integrado". Proporciona desde entonces una forma cmoda y fiable para la realizacin de circuitos monoestables, biestables y astables (explicaremos stos trminos ms adelante). Desde entonces cientos de circuitos novedosos han sido ampliamente publicados y difundidos a travs de revistas, foros, pginas web, libros... y est presente en los mbitos profesional y domstico.

Estructura de 555 El 555 es un circuito integrado que incorpora dentro de si dos comparadores de voltaje, un flip flop, una etapa de salida de corriente, divisor de voltaje resistor y un transistor de descarga. Dependiendo de como se interconecten estas funciones utilizando componentes externos es posible conseguir que dicho circuito realiza un gran numero de funciones tales como la del multivibrador astable y la del circuito monoestable. El 555 tiene diversas aplicaciones, como: Control de sistemas secuenciales, divisor de frecuencias, modulacin por ancho de pulso, generacin de tiempos de retraso, repeticin de pulsos, etc.

Funcionamiento: Se alimenta de una fuente externa conectada entre sus terminales 8 (+Vcc) y 1(GND) tierra; el valor de la fuente de esta, va desde 5 V hasta 15 V de corriente continua, la misma fuente exterior se conecta a un circuito pasivo RC exterior, que proporciona por medio de la descarga de su capacitor una seal de voltaje que esta en funcin del tiempo, esta seal de tensin es de 1/3 de Vcc y se compara contra el voltaje aplicado externamente sobre la terminal 2 (TRIGGER) que es la entrada de un comparador. La terminal 6 (THRESHOLD) se ofrece como la entrada de otro comparador, en la cual se compara a 2/3 de la Vcc contra la amplitud de seal externa que le sirve de disparo. La terminal 5(CONTROL VOLTAGE) se dispone para producir modulacin por anchura de pulsos, la descarga del condensador exterior se hace por medio de la terminal 7 (DISCHARGE), se descarga cuando el transistor (NPN) T1, se encuentra en saturacin, se puede descargar prematuramente el capacitor por medio de la polarizacin del transistor (PNP) T2. Se dispone de la base de T2 en la terminal 4 (RESET) del circuito integrado 555, si no se desea descargar antes de que se termine el periodo, esta terminal debe conectarse directamente a Vcc, con esto se logra mantener cortado al transistor T2 de otro modo se puede poner a cero la salida involuntariamente, aun cuando no se desee.

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La salida esta provista en la terminal (3) del microcircuito y es adems la salida de un amplificador de corriente (buffer), este hecho le da ms versatilidad al circuito de tiempo 555, ya que la corriente mxima que se puede obtener cuando la terminal (3) sea conecta directamente al nivel de tierra es de 200 mA. La salida del comparador "A" y la salida del comparador "B" estn conectadas al Reset y Set del FF tipo SR respectivamente, la salida del FF-SR acta como seal de entrada para el amplificador de corriente (Buffer), mientras que en la terminal 6 el nivel de tensin sea ms pequeo que el nivel de voltaje contra el que se compara la entrada Reset del FF-SR no se activar, por otra parte mientras que el nivel de tensin presente en la terminal 2 sea ms grande que el nivel de tensin contra el que se compara la entrada Set del FF-SR no se activar.

Sus caractersticas ms destacadas son: - Trabaja con tiempos desde microsegundos a horas. - Puede funcionar en modo astable o monoestable. - Ciclo de trabajo ajustable. - Corrientes de salida de +-200mA. - Compatible con TTL con Vcc=5V. - Muy estable con la temperatura 0.005% por C. - Tensin de alimentacin entre 4.5 y 18V . Otras Aplicaciones y Circuitos Alarma para Automvil Se utilizan 2 IC. 555 o 1 IC 556 (tiene dos temporizadores en uno sola integrado) El primer 555 provee el tiempo necesario de retardo para "armar" el circuito (salir del carro) y permite tambin el tiempo de retardo para entrar al auto y desactivar la alarma. Este tiempo depende de los valores de Ra y Ca. Alarma para Auto con 555 Cuando el tiempo dado por el primer temporizador termina, sin que la alarma se apague, ste activa el segundo temporizador que a su vez activa la sirena por un tiempo que depende de los valores de Rb y Cb. Inmediatamente despus de la activacin inicial de la alarma, el SCR previene que le segundo temporizador se dispare. Despus del tiempo de salida dado por el primer temporizador, el segundo temporizador podr se activado por cualquiera de los censores, o por el primero, despus del tiempo de retardo de entrada. Control de Temperatura con 555

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Este circuito mantendr la temperatura de la habitacin a un nivel agradable que depende del termistor (resistencia que vara su valor de acuerdo a la temperatura). Si sube la temperatura ms rpido gira el ventilador. Hay que cuidar de que la temperatura no tenga siempre al ventilador al mximo. Esto se controla variando, si es necesario, la resistencia de 2.7 K. El temporizador esta conectado como oscilador y al frecuencia base es establecida por las 2 resistencias de 100 K y el condensador de 0.047 F

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Oscilador de relajacin Un oscilador de relajacin es un circuito que produce una salida que bascula entre dos valores definidos de tensin, pasando de uno a otro en un tiempo mnimo en comparacin con el tiempo que transcurre en cada uno de los valores extremos. Es decir, la tensin de salida es esencialmente una onda cuadrada. Puede generarse un oscilador de este tipo a partir de un oscilador sinusoidal del tipo de los estudiados en los apartados anteriores haciendo af>>1. Sin embargo, es ms frecuente utilizar circuitos que se basan en la carga y descarga de un condensador. La forma ms sencilla es mediante el comparador regenerativo, tambin llamado Schmitt trigger.

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Oscilador basado en el comparador regenerativo. Un comparador regenerativo o con histresis es un circuito con dos niveles de salida que cambia de uno a otro para distintos valores de la tensin de entrada. La figura 5 muestra la manera ms sencilla de realizar un comparador regenerativo, utilizando un amplificador operacional con realimentacin positiva. En principio, en ausencia de entrada, la salida tambin debera ser nula. Sin embargo, cualquier fluctuacin desequilibrar el sistema. Supongamos, por ejemplo, una fluctuacin positiva en la salida. Esto supondr que la entrada diferencial Vd=V(+) - V() se har positiva, con lo cual la salida aumentar, incrementando a su vez la entrada, y as sucesivamente hasta llegar a la tensin de saturacin. En definitiva, esto significa que un circuito como el de la figura 5 tendr siempre en su salida la tensin de saturacin positiva o negativa. Si, por ejemplo, partimos de una situacin en que la salida se encuentra en saturacin positiva (Vo=Vsat(+)), la tensin en la entrada no inversora (+) ser V(+)=R2Vsat(+)/(R1+R2). Si entonces vamos aumentando la tensin Vi que se aplica a la pata inversora (-), el valor de la salida se mantendr hasta que Vi supere el valor de V(+). En ese momento, la tensin diferencial de entrada pasa a ser negativa (Vd<0) y la salida cambiar bruscamente al valor de saturacin negativo (Vo=-Vsat(-)). A partir de ese momento la tensin en la pata no inversora (+) ser V(+)=-R2Vsat(-)/(R1+R2). Si a continuacin empezamos a disminuir Vi hacindolo incluso negativo, la salida mantendr su valor hasta que V(-)<-R2Vsat/(R1+R2), es decir, hasta que la tensin diferencial de entrada vuelva a ser positiva. Sobrepasado ese umbral, la salida volver al valor de saturacin positivo. Utilizando un comparador regenerativo podemos construir un oscilador de relajacin tal como se muestra en la figura 6. Cuando la salida es positiva el condensador se

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carga positivamente respecto a tierra con una constante de tiempo RC, hasta que la tensin en l alcanza el valor R2Vsat(+)/(R1+R2). En ese momento la salida pasa a ser negativa y el condensador se descarga de su carga positiva y empieza a cargarse negativamente con la misma constante de tiempo. El proceso de carga negativa respecto tierra contina hasta que la tensin en el condensador sea - R2Vsat()/(R1+R2), momento en el cual la salida volver a cambiar, pasando a ser positiva y repitindose el ciclo. Este proceso contina indefinidamente, de modo que la seal de salida tendr la forma de una onda cuadrada. Del anlisis de este proceso se puede calcular el perodo de la onda, que resulta ser: Generador de onda triangular. En la realizacin prctica del apartado anterior hemos observado que la carga y descarga exponencial del condensador C hace que VC (la cada de tensin en l) sea casi una forma de onda triangular. Para linealizar los tringulos se requiere que el condensador sea cargado mediante una corriente constante, de modo que VC vare linealmente con el tiempo, en lugar de la corriente exponencial que le es suministrada a travs de R. Con esta finalidad usaremos un operacional con un condensador C de realimentacin (es decir, un integrador), tal como se muestra en el circuito de la figura 7. Ya conoce este integrador a partir de las prcticas anteriores y sabr por tanto que adems de la integracin lleva acabo una inversin de fase. Por este motivo la salida de esta etapa est realimentada al terminal no inversor del comparador, en lugar de al terminal inversor como ocurra en el oscilador de la figura 6. As, el comparador se comporta ahora como un Schmitt trigger no inversor Modo Oscilador controlado por Tensin En este modo de funcionamiento, el 555 tiene un voltaje de referencia para PCS diferente. Ahora en vez de ser un capacitor, es un potencimetro. Sucede que ahora, la frecuencia podr ser variada en base a un voltaje que se tome de referencia a travs de R. Esta configuracin es denominada VCO (por sus siglas en ingls: Voltage Controlled Oscillator), o tambin Convertidor de Voltaje a Frecuencia. En la figura 4 se muestra el esquema de conexin exterior del 555 en esta configuracin. Configuracin VCO De esta manera mencionar que, el capacitor que se le conecta en el pin 5, en sus modos monoestable y astable, sirve para 2 funciones bsicas: una es la de tomar un voltaje de referencia para PCS, adems de las resistencias internas, y la otra la de filtrar la seal de salida, ya que si le variamos dicho capacitor podramos notar como la seal se va transformando. Este es tambin uno de los modos de funcionamiento ms usado del 555, ya que nos permite variar la frecuencia de oscilacin, lo cual puede cumplir con muchas aplicaciones de la vida diaria. Comparadores Ofrecen a su salida dos estados perfectamente diferenciados (alto y bajo) en funcin de las tensiones aplicadas a sus entradas inversora y no-inversora respectivamente, de tal forma que: Si entonces la salida toma un valor alto (-))( v v>+ Si entonces la salida toma un valor bajo (-))( v v<+

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No se contempla el caso ya que una muy pequea variacin entre ambas entradas hace que la salida adopte el nivel determinado por el sentido de dicha variacin. Flip flop RS Como se desprende del anlisis anterior, el flipflop se comporta como una especie de interruptor o caja de seguridad con memoria que atrapa o captura un 1 o un 0, y no cambia de estado hasta que no se establezca la combinacin apropiada de niveles en las entradas R y S. El pin 4 (RESET o RST) hace baja la salida Q cuando recibe un nivel bajo, sin importar el nivel de las entradas R y S. En condiciones normales, este pin debe mantenerse a un nivel alto para que el dispositivo opere correctamente. No se recomienda dejarlo al aire. La salida del flip flop alimente el buffer o amplificador de corriente U4 y la salida Q la base del transistor Q1. El propsito del buffer es aumentar la capacidad de corriente del flip flop. La salida del buffer es accesible externamente desde el pin 3 (OUTPUT o OUT). Este pin es la salida del chip. El transistor Q se utiliza como un interruptor controlado digitalmente.cuando la salida Q es alta, Q1 conduce, es decir se cierra y cuando Q es baja deja de conducir , es decir se abre. en el primer caso se dice que Q1 esta on o saturado y en el segundo que esta off o en corte 2 Transistor de descarga Lo constituye un transistor que es gobernado por la salida del biestable y que, sirve para ofrecer un camino de descarga al condensador que determine la constante RC de temporizacin.

Concepto de temporizador Disparo En el pin 7 es donde se establece el inicio del tiempo de retardo, si el 555 es configurado como monoestable. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por debajo del nivel de 1/3 del voltaje de alimentacin. Este pulso debe ser de corta duracin, pues si se mantiene bajo por mucho tiempo la salida se quedar en alto hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez.

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Dagrama en bloques del 555

Monoestable

Aestable

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Circuito Modo Monoestable El 555 en modo monoestable, funciona de la misma manera que un multivibrador monoestable. Esto es, que funciona como un temporizador que reacciona con una seal de entrada, y despus de un tiempo W ste vuelve a su estado normal. Para poder enviar una seal de salida que active una de las entradas del FlipFlop. Los puntos de conmutacin se determinan con las siguientes frmulas: PCS = 2Vcc/3 PCI = Vcc/3 Estos puntos de conmutacin determinan la cantidad de voltaje necesario para activarse. Inicialmente Q est en alto, lo que satura el transistor NPN y descarga el capacitor, lo que hace que Q' est en bajo. Cuando se pone una entrada de disparo, la cual es negativa, el PCI se activa poniendo a Q' en alto y Q en bajo, lo que corta el NPN y provoca que el capacitor se cargue a travs de la resistencia, eso ser lo que de el tiempo de retardo. Cuando el voltaje da carga del capacitor sea mayor del PCS, anteriormente establecido por la frmula, el OPAM del PCS dar un uno a su salida y pondr a Q en alto, y por lo tanto a Q' en bajo. Lo que satura el transistor y descarga al capacitor. Entonces el 555 se mantiene as hasta que vuelva a poner una entrada de disparo. Todo esto dar una grfica como la que se muestra en la figura 2.3. La frmula para calcular el tiempo de retardo es: W = 1.1* R* C 2 Las aplicaciones de un 555 monoestable son infinitas y adems es fcil de disear. El intervalo es independiente del voltaje de Vcc. Cuando el terminal reset no se usa, debe atarse alto para evitar disparos espontneos o falsos.

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Aplicaciones del cirucito monoastable Alarmas de autos,ciruito de disparo, activadores de sistemas automaticos , entre otros Circuito Modo Astable bsico: Si se usa en este modo el circuito su principal caracterstica es una forma de onda rectangular a la salida, en la cual el ancho de la onda puede ser manejado con los valores de ciertos elementos en el diseo.Para esto debemos aplicar las siguientes formulas: TA = 0.693 (R1+R2) C1 TB = 0.693 (R2*C1) Donde TA es el tiempo del nivel alto de la seal y TB es el tiempo del nivel bajo de la seal. Estos tiempo dependen de los valores de R1 y R2. Recordemos que el periodo es = 1/f. La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula: f = 1/(0.693 x C1 x (R1 + 2 x R2))

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Aplicaciones de circuito astable Relojes de pared, Replicadores de seal, Sensores, Semaforos, entre otros

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Reguladores conmutados de tensin

Los circuitos reguladores vistos hasta ahora: Lineal Serie y Lineal Paralelo; trabajan de la misma manera: El elemento de control (transistor) opera como una resistencia variable que es accionada por la seal de error que surge de comparar la tensin de salida con una referencia, de modo de mantener la salida estable. La tensin de salida es siempre menor que la de entrada y una potencia importante es disipada en el elemento de control [IL (VE - VS)]. Los reguladores lineales, series y paralelos, sufren cuando deben suministrar grandes corriente de carga; obteniendo eficiencias muy bajas, tpicamente del 40%.

Existe otra manera de generar una tensin regulada, que es fundamentalmente distinta a la vista, mediante los reguladores conmutados (Switching Regulator o Switched-mode power supplies SMPS ). En estos un transistor trabaja como una llave (al corte y saturacin) que peridicamente aplica, a la carga, toda la tensin noregulada a travs de un inductor por cortos intervalos de tiempo. Los reguladores conmutados operan a frecuencias iguales o mayores a los 20KHz y bsicamente utilizan la energa, en forma de campo magntico, almacenada en el inductor (1/2LI 2 ) durante una porcin del ciclo de operacin para suministrar potencia a la carga durante el segmento remanente del ciclo.

Los reguladores conmutados poseen propiedades que los hacen muy populares. Como el elemento de control est, ya sea al corte o a la saturacin, muy poca potencia es disipada en el mismo (Notar: en la expresin PD=VCE IC cuando IC es mxima VCE= VCEsat y cuando VCE es mxima IC= corriente de prdida del transistor al corte) an cuando la diferencia de tensin entre la entrada y la salida sea muy grande. Los reguladores conmutados operan a niveles de eficiencia mucho mayores que los lineales, generalmente en el orden del 80%, reduciendo la energa disipada en el proceso de regulacin. Pueden generar tensiones a la salida "mayores" a la de la entrada no-regulada y adems de polaridad opuesta. Finalmente pueden operar desde la tensin de lnea directamente rectificada y filtrada sin el transformador reductor; resultando en diseos muy livianos y compactos, como los utilizados en las populares fuentes de las PCs. Los reguladores conmutados poseen sus problemas: Son ruidosos, poseen una importante cantidad de ripple a la salida, son de respuesta ms lenta ante variaciones rpidas de la carga que los lineales y los circuitos

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resultantes son complejos.

En resumen se puede decir que han ganado mucho popularidad en computadoras personales, aparatos de televisin, equipos porttiles y de escritorio; con un mercado en permanente expansin. Su uso redunda en fuentes ms livianas, menor tamao, alta eficiencia, alto rango de tensiones de entrada y menor costo en altas potencias. En las secciones que siguen se vern las topologas de los circuitos reguladores conmutados bsicos operando a partir de una fuente no-regulada convencional (Transformador reductor + Rectificador + Filtro), para finalizar con un circuito que opera directamente de la tensin de lnea rectificada y filtrada

Clasificacin

Las configuraciones bsicas se pueden resumir en: Descenso de Tensin (Step-down) con tensin de salida menor que la de entrada, Ascenso de Tensin (Step-up) con tensin de salida mayor que la de entrada e Inversores de tensin (Inverting) con tensin de salida de polaridad opuesta a la de entrada.

Regulator de Descenso de Tensin (Step-down)

Las Figs. 1 y 2, muestran dos diagramas simplificados de un regulador step-down.

Fig.1

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El circuito trabaja como sigue: Q1 es utilizado como una llave, la cual tiene intervalos de TON y TOFF controlados por un modulador de ancho de pulso (PWM: Pulse Width Modulator), que opera variando el ciclo de trabajo del transistor (TON/T), segn el error resultante entre la tensin de salida y la de referencia.

Cuando la llave se cierra, (Vin-Vout-VSAT) se aplica sobre la inductancia, causando un incremento lineal de la corriente (recordar dI/dt = V/L) que circula a travs del inductor; esta corriente circular hacia el capacitor y la carga, almacenando energa (1/2LI 2 ) en forma de campo magntico. Al final de TON, cuando la llave se abre, la corriente sobre la inductancia contina circulando en el mismo sentido. La corriente por la inductancia no puede cambiar instantneamente; esta genera una tensin que polariza en directo el diodo, llevndolo a conduccin de modo de cerrar el circuito. La inductancia ahora encuentra la tensin Vout+0.6V a travs de ella con lo cual la corriente decrece linealmente. El capacitor de salida acta como un filtro que alisa la diente de sierra, de ripple, que se produce.

Fig. 2

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Partiendo de la relacin para la corriente sobre una inductancia:

(1) di/ dt =VL / L

Asumiendo que la tensin de salida permanece prcticamente constante durante un perodo, se puede escribir (1) como:

IL/

t = VL/ L

Donde se ve que la corriente por la inductancia crecer o decrecer a esta velocidad, si no hay saturacin de la misma, dependiendo solo del tiempo que tiene aplicada tensin.

En la Fig. 3 se ven las distintas formas de onda, de tensin y corriente, resultantes en distintos puntos del circuito de la Fig. 2.

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Fig. 3

Durante TON y despreciando la VSAT en la llave, se puede deducir de (2) el crecimiento de la corriente por la inductancia como:

IL= (VIN VOUT) X tON / L

Considerando que se parte de una corriente inicial igual a cero se puede calcular IPK (ver Fig. 3) como:

(4) IPK = (VIN VOUT) X tON / L

Durante el TOFF, si se desprecia la VD, de cada en el diodo, la corriente en la inductancia decaer segn:

(5) IPK IL = VOUT X tOFF / L

Asumiendo que la corriente por la inductancia, IL, alcanza el valor de cero al final de TOFF, la expresin (5) se puede rescribir como:

(6) IPK = VOUT X tOFF / L

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Igualando (4) y (6) resulta la siguiente relacin entre la tensin de entrada y de salida:

VOUT = VIN ( tON / tOFF + tON ) = VIN ( tON / T)

Se puede observar que:

Las variaciones en la fuente primaria (VIN), debidas a variaciones en la tensin de lnea y en la corriente de carga, son compensadas variando el ciclo de trabajo (TON/T)del interruptor (Transistor Q1). VOUT<VIN ya que TON<T, de all el nombre de esta configuracin de Descenso de Tensin (step-down). El ciclo de trabajo mximo y el ciclo de trabajo mnimo depender de la frecuencia mxima de trabajo del transistor.

Regulator de Ascenso de Tensin (Step-up)

Las Figs. 4 y 5, muestran dos diagramas simplificados de un regulador step-down.

Fig. 4

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La operacin del circuito se puede resumir como sigue:

El transistor Q1 es utilizado como una llave que alternativamente aplica VIN sobre la inductancia L. Durante TON, Q1 entra en conduccin y la energa es tomada de la fuente primaria, VIN, y almacenada en la inductancia; D1 est polarizado en forma inversa y la corriente de carga es suministrada por el capacitor C0. Cuando Q1 pasa al corte, TOFF, la tensin en VA crecer en forma positiva hasta el punto donde D1 comience a conducir, permitiendo que la circulacin de la corriente por la inductancia contine. La corriente de carga es ahora suministrada por L, a travs de D1 y la carga perdida por C0 durante el TON es recuperada.

Fig. 5

Haciendo las mismas consideraciones que en el regulador de Descenso de Tensin para la corriente en la inductancia, ecuacin (2), se puede hallar las expresiones para la corriente en L, durante TON y TOFF. La Fig. 6 se ven las distintas formas de onda, de tensin y corriente, resultantes en distintos puntos del circuito de la fig.5. Durante TON y despreciando la VSAT en la llave, se puede deducir de (2) el crecimiento de la corriente por la inductancia como: Serunexcelentetcnicosiempredependerdetiydelgustoconquehacestutrabajo

 IL = VIN X tON / L

Considerando que se parte de una corriente inicial igual a cero se puede calcular IPK (ver Fig. 6) como:

(8) IPK = VIN X tON / L

Fig. 6

Durante el TOFF, si se desprecia la VD, de cada en el diodo, la corriente en la inductancia decaer segn:

(9) IPK IL = (VOUT- VIN) X tOFF / L

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Asumiendo que la corriente por la inductancia, IL, alcanza el valor de cero al final de TOFF, la expresin (9) se puede rescribir como:

(10) IPK = (VOUT- VIN) X tOFF / L

Igualando (8) y (10) resulta la siguiente relacin entre la tensin de entrada y de salida:

VOUT = VIN (1 + tON / tOFF )

Se puede observar que:

Las variaciones en la fuente primaria (VIN), debidas a variaciones en la tensin de lnea y en la corriente de carga, son compensadas variando el ciclo de trabajo del interruptor (Transistor Q1). VOUT>VIN ya que VIN est multiplicada por un factor mayor que uno, de all el nombre de esta configuracin, Ascenso de Tensin (step-up). Se pueden realizar iguales consideraciones sobre el ciclo de trabajo mximo y mnimo, que las realizadas en la configuracin Descenso de Tensin.

Regulator Inversor (Inverting)

Las Figs. 7 y 8, muestran dos diagramas simplificados de un regulador Inverting.

Fig. 7

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La operacin del circuito se puede resumir como lo sigue:

El transistor Q1 es utilizado como una llave que alternativamente aplica VIN sobre la inductancia L. Durante TON, Q1 entra en conduccin y la energa es tomada de la fuente primaria, VIN, y almacenada en la inductancia; D1 est polarizado en forma inversa y la corriente de carga es suministrada por el capacitor C0. Cuando Q1 pasa al corte, TOFF, la inductancia inducir, en VA, una tensin decreciente hasta el punto donde D1 comience a conducir. Esto permite que la circulacin de la corriente por la inductancia contine. La corriente de carga es ahora suministrada por L, a travs de D1 y la carga perdida por C0 durante el TON es recuperada. Haciendo las mismas consideraciones que en el regulador de Descenso de Tensin para la corriente en la inductancia, ecuacin (2), se puede hallar las expresiones para la corriente en L, durante TON y TOFF.

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Fig. 8

La Fig. 9 se ven las distintas formas de onda, de tensin y corriente, resultantes en distintos puntos del circuito de la Fig. 8. Durante TON y despreciando la VSAT en la llave, se puede deducir de (2) el crecimiento de la corriente por la inductancia como:

IL = VIN X tON / L

Considerando que se parte de una corriente inicial igual a cero se puede calcular IPK (ver Fig. 9) como:

(12) IPK = VIN X tON / L

Fig. 9.

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Durante el TOFF, si se desprecia la VD, de cada en el diodo, la corriente en la inductancia decaer segn:

(13) IPK IL = - VOUT X tOFF / L

Asumiendo que la corriente por la inductancia, IL, alcanza el valor de cero al final de TOFF, la expresin (13) se puede rescribir como:

(14) IPK = - VOUT X tOFF / L

Igualando (12) y (14) resulta la siguiente relacin entre la tensin de entrada y de salida:

VOUT = -VIN ( tON / tOFF)

Se puede observar que:

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Las variaciones en la fuente primaria (VIN), debidas a variaciones en la tensin de lnea y en la corriente de carga, son compensadas variando el ciclo de trabajo del interruptor (Transistor Q1). VOUT puede ser mayor, menor o igual a VIN ya que est multiplicada por un factor (TON/TOFF) que puede tomar un valor mayor, menor o igual a uno. VOUT posee polaridad opuesta a VIN (Ver el sentido de las corrientes en las Fig. 8 y 9), de all el nombre de esta configuracin, Inversora (Inverting). Se pueden realizar iguales consideraciones sobre el ciclo de trabajo mximo y mnimo, que las realizadas en la configuracin Descenso de Tensin.

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Introduccin a la lgica digital

Sistemas analgicos y sistemas digitales

Un sistema analgico es aquel utiliza infinitos valores comprendidos entre un mximo y un mnimo, por ejemplo, una resistencia variable de 100puede tomar cualquier valor comprendido entre 0 y 100. Un sistema digital es el que utiliza un nmero finito de valores. Si el conjunto est formado por dos valores, se denomina sistema binario. Si el sistema utiliza ocho valores se denomina octal y si son 16 hexadecimal. El ejemplo ms sencillo de un sistema digital es un simple interruptor, que slo tiene dos posibles posiciones, abierto y cerrado. Nosotros usamos un sistema de numeracin que utiliza diez dgitos y se denomina decimal.

Sistema binario

Como hemos visto anteriormente, el sistema binario es aquel que trabaja con dos valores. Este sistema slo tiene dos dgitos o bit, el cero y el uno. Por esto, tambin se denomina sistema de numeracin de base dos. Aunque cuente slo con dos valores, cualquier nmero decimal puede ser representado en binario. Antes de ver cmo se representa un nmero en binario vamos a recordar cmo se hace en decimal. Cualquier nmero en decimal nos est indicando, mediante sus cifras, cuntas veces se repite la base del sistema (10), elevada a la potencia correspondiente a su posicin. Como ejemplo, veamos que indica el nmero 231:

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Para escribir un nmero en binario se aplica el mismo principio que en el sistema decimal. La nica diferencia es que slo usaremos dos dgitos, el cero y el uno, que multiplican a potencias de dos. Por tanto, las cifras de un nmero binario sern los multiplicadores de una serie de potencias de dos. Veamos que indica un nmero binario de 4 dgitos:

EJEMPLO

Representacin el numero 14 en binario: Lo primero que se calcula es cuntos dgitos se necesitan para representar el nmero en cuestin. Con cinco dgitos se puede representar hasta 24+23+22+21+20=31 y con Serunexcelentetcnicosiempredependerdetiydelgustoconquehacestutrabajo

cuatro, 23+22+21+20=15, por lo que bastan cuatro dgitos binarios para representar el nmero 14. El primer dgito ser 1, pues 23 es menor que 14 El segundo ser tambin 1 ya que 14 menos 23 es 6 que es mayor que 22 El tercer lugar tambin ser 1 pues 21 es igual que 2 =14-8-4 El ltimo digito ser cero ya que ya hemos completado 14 con las cifras anteriores Por lo tanto, el nmero 14 equivale a 1110 en binario. 1110=1x23+1x22+1x21+0x20=1x8+1x4+1x2+0x1=8+4+2+0=14

El mtodo aplicado en la actividad anterior es til para nmeros pequeos, pero a la hora de convertir un nmero grande a binario resulta ms sencillo dividirlo sucesivamente por dos sin tomar decimales hasta que resulte indivisible. El nmero buscado se obtiene leyendo los restos de las divisiones de derecha a izquierda. Vemoslo con un ejemplo: Pasar 132 a binario

Paso de binario a decimal

Un nmero binario se puede pasar a decimal simplemente sumando el valor de cada una de sus cifras multiplicado por la potencia de dos a la que representa:

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Sistema Decimal
Su origen lo encontramos en la India y fue introducido en Espaa por los rabes. Su base 10 emplea 10 caracteres o dgitos diferentes para indicar una determinada cantidad: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9. El valor de cada smbolo depende de su posicin dentro de la cantidad a la que pertenece. Vemoslo con un ejemplo:

Sistema octal
Posee ocho smbolos: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7. Su base es 8. Este sistema tiene una peculiaridad que lo hace muy interesante y es que la conversin al sistema binario resulta muy sencilla ya que, 8 = 23 . As, para convertir un nmero de base 8 a binario se sustituye cada cifra por su equivalente binario en el apartado 1.5. Conversiones se estudiar esta conversin.

Sistema Hexadecimal
Est compuesto por 16 smbolos: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F. Su base es 16. Es uno de los sistemas ms utilizados en electrnica, ya que adems de simplificar la escritura de los nmeros binarios, todos los nmeros del sistema se pueden expresar en cuatro bits binarios al ser 16 = 24. La conversin de un nmero hexadecimal a uno binario es muy sencilla al igual que en el sistema octal, profundizaremos en ello en el apartado 1.5.

Conversiones

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Conversin entre Binario Y Decimal

Si la conversin es de binario a decimal, aplicaremos la siguiente regla: se toma la cantidad binaria y se suman las potencias de 2 correspondientes a las posiciones de todos sus dgitos cuyo valor sea 1. Veamos dos ejemplos: 1011112 = 1.25+0.24+1.23+1.22+1.21+1.20 = 4510 101012= 1.24+0.23+1.22+0.21+1.20 = 2110 Si la conversin es de decimal a binario, aplicaremos la siguiente regla: se toma la cantidad decimal dada y se divide sucesivamente entre 2. Los restos obtenidos en cada divisin (0, 1), forman la cantidad binaria pedida, leda desde el ltimo cociente al primer resto. Se presentaran los ejemplos en forma de tabla debido a la dificultad que supone utilizar el sistema tradicional de divisin con el editor:

N Decimal Base 107 53 26 13 6 3 2 2 2 2 2 2

Cociente 53 26 13 6 3 1

Resto 1 1 0 1 0 1 10710= 11010112

Cuando tengamos un nmero con decimales seguiremos el siguiente procedimiento: multiplicaremos por 2 la parte decimal y se toma como dgito binario su parte entera. El proceso se repite con la fraccin decimal resultante del paso anterior, hasta obtener una fraccin decimal nula, o bien hasta obtener el nmero de cifras binarias que se desee. Ejemplo: 107,645. Como anteriormente convertimos 107 a binario, el resultado de la conversin quedara as: 1101011, 101001012

Fraccin decimal 0,645

Multiplicado por: 2

Resultado 1,290

Dgito binario 1

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Ejemplo: 11011111,111112

Agrupacin

Equivalente octal

0,290 0,580 0.160 0,320 0.64 0.28 0.56

2 2 2 2 2 2 2

0,580 1,160 0,320 0.64 1.28 0.56 1.12

0 1 0 0 1 0 1

Conversin entre octal y Binario

Si la conversin es de octal a binario cada cifra se sustituir por su equivalente binario. Tendremos en cuenta la siguiente tabla para hacer la conversin de modo ms rpido:

Carcter octal 0 1 2 3 4 5 6 7

N binario 000 001 010 011 100 101 110 111

Ejemplo: 55,358 Resultado: 101 101, 011 1012

Si la conversin es de binario a octal se realiza de modo contrario a la anterior conversin, agrupando los bits enteros y los fraccionarios en grupos de 3 a partir de la coma decimal. Si no se consiguen todos los grupos de tres se aadirn, los ceros que sean necesarios al ltimo grupo, vemoslo con un ejemplo:

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010 011 111 , 111 110

2 3 7 , 7 6

Conversin entre octal y Decimal

Si la conversin es de octal a decimal se proceder como observas en el ejemplo: 7408= 7.82+4.81+4.80 = 48410 Si la conversin es de decimal a octal se proceder de modo similar a la conversin de decimal a binario, pero dividiendo entre 8. Comprueba los resultados en el siguiente ejemplo: 42610 = 6528

Conversin entre Binario y Hexadecimal

La conversin entre binario y hexadecimal es igual al de la conversin octal y binario, pero teniendo en cuenta los caracteres hexadecimales, ya que se tienen que agrupar de 4 en 4. La conversin de binario a hexadecimal se realiza segn el ejemplo siguiente:

Sistema binario 0000

Sistema Hexadecimal Ejemplo: 1011111,110001 2 0 Agrupando obtenemos el siguiente resultado:

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0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111

1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F

0101 1111, 1100 01002 Sustituyendo segn la tabla logramos la conversin esperada: 5F, C416

La conversin de hexadecimal a binario simplemente sustituiremos cada carcter por su equivalente en binario, por ejemplo: 69DE16= 0110 1001 1101 11102

Compuertas Digitales
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Todos los sistemas digitales funcionan de manera binaria, los voltajes de entrada y salida son (dependiendo de su valor), separados en tres bloques: 1. Estado ALTO (1) Entre 2 y 5V, Suponiendo que la alimentacin de de 5V. 2. Estado BAJO (0) Entre 0 y 0.8V, Suponiendo que la alimentacin de de 5V. 3. Estado Indefinido (Cualquier voltaje entre 0.9 y 1.99V). (Estos valores pueden variar dependiendo la tecnologa utilizada en las compuertas) Para el manejo de sistemas digitales, Solamente los primeros dos bloques son tiles, ya que el tercer bloque nunca podra utilizarse, ya que producira salidas inestables o aleatorias.

Debido a que slo existen dos posibles estados de voltaje, el lgebra Booleana es la herramienta ideal para el desarrollo, anlisis y reparacin de sistemas digitales.

lgebra Booleana
Slo como aclaracin. El lgebra Booleana es muy diferente al lgebra normal, ya que mientras que en la normal podemos utilizar cualquier smbolo para representar los ms diversos valores, en el lgebra Booleana slo es posible utilizar los smbolos para representar dos valores o variables, el 1 y el 0. Por lo tanto, cualquier variable Booleana puede tener (en determinado caso) un valor de 1 o 0. De esta manera podemos utilizar el lgebra Booleana para conocer el comportamiento de las distintas entradas y salidas de un circuito digital cualquiera, as como para encontrar el mejor uso de una funcin en algn circuito.

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Para facilitar el uso del lgebra Booleana, normalmente se utilizan las primeras letras del alfabeto para ser asignadas a las entradas, y las ltimas para las salidas. Por ejemplo: Para saber cul es el comportamiento de un circuito lgico con 3 entradas y 2 salidas, podramos usar la siguiente notacin:

Entrada 1 = A Entrada 2 = B Entrada 3 = C Salida 1 = Z Salida 2 = Y

Debido a que slo podemos utilizar dos valores el lgebra Booleana es ms fcil de operar en relacin al algebra normal. Adems de que no existen las Fracciones, Decimales, Raz cuadrada, Nmeros negativos, etc. El lgebra Booleana slo cuenta con tres operaciones bsicas: OR, AND y NOT.

Compuertas Lgicas
La construccin de las compuertas lgicas, est basada en componentes discretos (Transistores, Diodos, y Resistencias), pero con la enorme ventaja de que en un solo circuito integrado podemos encontrar 1, 2, 3 o 4 compuertas (dependiendo de su nmero de entradas y propiedades). Todos los circuitos internos de las compuertas estn conectados de manera que las entradas y salidas puedan manejar estados lgicos (1 o 0).

Tablas de verdad
Una tabla de verdad es una tabla que nos muestra la manera en que reacciona la salida de una compuerta o circuito lgico, en funcin de sus entradas. En la tabla se

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describen todas las posibles variables de entrada y las consiguientes variables de salida. Operaciones Lgicas Las operaciones lgicas bsicas son 3 OR (suma), AND (multiplicacin) y NOT (negacin), Tomando como base la operacin que ejecutan, se le da a cada compuerta su nombre y smbolo en un diagrama, veamos con ms detalle cada una de ellas:

Operacin OR (+) Tomemos una compuerta con dos entradas (Variables A y B), y una salida (Variable Z), al realizar la operacin OR sobre las entradas A, B, el valor de la salida, Z sera:

Z = A + B (o de manera grfica) Z = A OR B

La siguiente tabla representa la tabla de verdad para una compuerta tipo OR, y su smbolo grfico.

La tabla de verdad nos lleva a la conclusin de que si cualquiera de las entradas de una compuerta OR es ALTA, la salida tambin ser ALTA; cualquier otra combinacin nos dar una salida BAJA. Por lo que podramos resumir la operacin OR como:

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Si A o B son 1, Z ser 1. Z = A + B se "traducira" como Z es igual a A mas B. La operacin OR es bsicamente una suma, pero como slo podemos tener 0 o 1, la suma de 1 + 1 ser siempre igual a 1. Si nuestra compuerta tuviera ms entradas, la operacin sera la misma, por ejemplo: Z = A + B + C + D se "traducira" como Z es igual a A mas B mas C mas D.

Operacin AND Tomemos una compuerta con dos entradas (Variables A y B), y una salida (Variable Z), al realizar la operacin AND sobre las entradas A, B, el valor de la salida, Z sera:

Z = A * B (o de manera grfica) Z = A AND B

La siguiente tabla representa la tabla de verdad para una compuerta tipo AND, y su

smbolo grfico. La tabla de verdad nos lleva a la conclusin de que si todas las entradas de una compuerta AND son ALTAS, la salida tambin ser ALTA, cualquier otra combinacin nos dar una salida BAJA. Por lo que podramos resumir la operacin AND como: Si A y B son 1, Z ser 1 Z = A * B se "traducira" como Z es igual a A por B La operacin AND es bsicamente una multiplicacin, pero como slo podemos tener

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0 o 1, la suma de 1 * 1 siempre ser igual a 1. Si nuestra compuerta tuviera ms entradas, la operacin sera la misma, por ejemplo: Z = A * B * C * D se "traducira" como: Z es igual a A por B por C por D. Z = 1 *1 * 1* 1 = 1 Operacin NOT Tomemos una compuerta NOT, este tipo de compuertas slo tienen una entrada, nuestra salida siempre ser el opuesto a la entrada, al realizar la operacin NOT en la entrada, el valor de X sera:

Z = A Negada (o de manera grfica) Z = A_

La siguiente tabla representa la tabla de verdad para una compuerta tipo AND, y su smbolo grfico.

La tabla de verdad nos lleva a la conclusin de que la salida de una compuerta NOT (Inversora) siempre ser el nivel contrario a la entrada.

Combinaciones entre compuertas

Una vez comprendido los resultados que obtenemos con las operaciones de las compuertas lgicas bsicas, podemos analizar las combinaciones bsicas entre las compuertas. Cada una de las uniones de las tres compuertas bsicas, nos dan como resultado dos compuertas ms, OR con NOT, y AND con NOT (De hecho seran tres, faltando la unin NOT y NOT, pero esta unin directa no es til si se tiene slo una salida, ya que el resultado de la misma sera igual a la entrada). Otro tipo de compuertas combinadas (no tan bsicas ya que incluyen ms de dos compuertas) que pueden utilizarse son la compuertas OR y NOR EXCLUSIVAS, veamos cmo estn conformadas.

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Compuerta NOR
La siguiente imagen nos muestra el proceso de unin de las compuertas OR y NOT para darnos como resultado la compuerta NOR.

La tabla de verdad nos revela la diferencia entre una compuerta OR y una NOR.

La salida de una compuerta NOR es la inversin (negacin) de la salida OR, en cualquier combinacin de las entradas. Por lo tanto, las expresiones seran:

NOTA: La lnea que se encuentra encima de la operacin A + B significa negacin o inversin.

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Compuerta NOR equivalente. Teorema de De Morgan

Circuito NOR equivalente La compuerta NOR equivalente es una forma alternativa de lograr el mismo resultado de una compuerta NOR (No "O") como la que ya se conoce. Ver en la siguiente grfico una compuerta NOR y su circuito equivalente implementado con una compuerta AND y dos compuertas NOT

Comparando las tablas de verdad que se presentan a continuacin, se puede ver que el valor de la salidas (F) es igual.

Se puede ver tambin que la frmula booleana utilizada para el circuito equivalente da un resultado (F) igual al resultado de la frmula booleana de la compuerta NOR (F). F=A+B

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Teorema de De Morgan
Comparando los diagramas superiores (la compuerta NOR y su circuito equivalente) se obtiene la siguiente igualdad: A + B=A B Esta ltima igualdad es llamada "El teorema de Morgan". Este teorema es muy til para simplificar circuitos combinacionales booleanos, especialmente cuando existen expresiones grandes y complejas que estn negadas (que tienen una lnea horizontal en la parte superior) una o ms veces. El circuito NOR equivalente se representa tambin de la siguiente manera: Los pequeos crculos que estn a la entrada de la compuerta NAND reemplazan a las compuertas NOT o compuertas inversoras (el circulo pequeo es un inversor)
Los microcontroladores estn conquistando el mundo. Estn presentes en nuestro trabajo, en nuestra casa y en nuestra vida, en general. Se pueden encontrar controlando el funcionamiento de los ratones y teclados de los computadores, en los telfonos, en los hornos microondas y los televisores de nuestro hogar. Pero la invasin acaba de comenzar y el nacimiento del siglo XXI ser testigo de la conquista masiva de estos diminutos computadores, que gobernarn la mayor parte de los aparatos que fabricaremos y usamos los humanos.

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Compuerta NAND
La siguiente imagen nos muestra el proceso de unin de las compuertas AND y NOT para darnos como resultado la compuerta NAND.

La tabla de verdad nos revela la diferencia entre una compuerta AND y una NAND.

La salida de una compuerta NAND es la inversin (negacin) de la salida AND, en cualquier combinacin de las entradas. Por lo tanto, las expresiones seran:

NOTA: La lnea que se encuentra encima de la operacin A + B significa negacin o inversin.

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Compuertas OR y NOR Exclusivas

Este circuito combinado especial es utilizado en su gran mayora para la generacin, muestreo y verificacin de paridad para los circuitos digitales que trabajan con datos. La siguiente imagen nos muestra el proceso de unin de las compuertas AND, OR y NOT para darnos como resultado la compuerta OR Exclusiva.

La siguiente tabla representa la tabla de verdad para una compuerta tipo OR Exclusiva (EX - OR).

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La tabla de verdad nos lleva a la conclusin de que si las dos entradas de una compuerta OR Exclusiva son de igual valor, la salida siempre ser BAJA, y si son de diferente valor, la salida siempre ser ALTA. Por lo que podramos resumir la operacin EX - OR como: Si A y B son 1, Z ser 0 Si A y B son 0, Z ser 0 Si A es 1 y B es 0, Z ser 1 Si A es 0 y B es 1, Z ser 1

La siguiente imagen nos muestra el proceso de unin de las compuertas AND, OR y NOT para darnos como resultado la compuerta NOR Exclusiva.

La siguiente tabla representa la tabla de verdad para una compuerta tipo NOR Exclusiva (EX - NOR).

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La tabla de verdad nos lleva a la conclusin de que si las dos entradas de una compuerta OR Exclusiva son de igual valor, la salida siempre ser ALTA, y si son de diferente valor, la salida siempre ser BAJA.

Por

lo

que

podramos

resumir

la

operacin

EX

NOR

como:

Si Si Si A

A A es

y y 1

B B y

son son B es

1, 0, 0,

Z Z Z

ser ser ser

1 1 0

Si A es 0 y B es 1, Z ser 0

NOTA: Las compuertas Exclusivas OR y NOR slo tienen dos entradas

Smbolos grficos alternativos para las compuertas lgicas

Hasta ahora, hemos visto tres compuertas bsicas y dos uniones bsicas de compuertas lgicas con sus smbolos "Normales", pero tambin existen otros smbolos

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alternativos

para

representar

las

mismas

compuertas.

Si observamos los smbolos con detenimiento, observaremos que al cambiar un smbolo comn al smbolo alternativo hay dos grandes caractersticas comunes estas son: 1. Se invierten las entradas y salidas de cada smbolo comn (es decir, si la salida tiene un pequeo crculo, se quita, si no lo tiene, se le pone) 2. Se intercambian los smbolos de las compuertas (es decir, los smbolos OR se cambian por AND, y los smbolos AND, se cambian por OR), La excepcin a la regla es el inversor, el cual no cambia de smbolo. Tambin hay ciertos puntos que debemos tener en cuenta al usar los diferentes smbolos, como: 1. Los smbolos son equivalentes entre compuertas sin importar el nmero de entradas que tengan. 2. Se pueden diferenciar rpidamente los smbolos clsicos de los alternos, por la sencilla razn de que ningn smbolo clsico tiene crculo en las entradas, y todos los smbolos alternos tienen crculos en las entradas.

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3. En el caso de las compuertas NAND y NOR, al ser compuertas de inversin, sus smbolos alternos no tendrn crculo en las salidas. Al contrario, las compuertas AND y OR, al ser compuertas no inversoras, sus smbolos alternos tendrn crculos en sus salidas. Interpretacin de los diferentes smbolos lgicos Cada smbolo de las compuertas lgicas nos presenta una imagen nica de la manera en que la compuerta que representa va a funcionar, para poder comprender estas representaciones, primero debemos conocer que son lo niveles lgicos activos. Qu es un nivel lgico activo? La ausencia del crculo (ya sea en una entrada o en una salida), significa que esa entrada o salida ser activa en el estado ALTO, cuando la entrada o salida tengan un crculo, significa que ser activa en el estado BAJO. Esta informacin es de vital importancia al interpretar la operacin de la compuerta en un circuito complejo. Tomemos por ejemplo una compuerta NOR, siguiendo la tabla de verdad de esta compuerta, sabemos que su salida ser la suma negada de sus entradas, pero al utilizar el smbolo alterno, su salida ser la multiplicacin de A negada por B negada, utilizando los smbolos clsico y alterno sera:

Veamos dos de las posibles combinaciones con el smbolo clsico:

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Veamos dos de las posibles combinaciones con el smbolo alterno:

El resultado en ambas operaciones con cualquiera de los smbolos siempre es el mismo. Qu smbolo usar en los circuitos? La mayora de las personas que disean circuitos lgicos utilizan los smbolos comunes, aunque en teora esto no implica ningn problema en cuanto a los resultados de cada operacin lgica se refiere, es ms fcil seguir un diagrama hecho con smbolos alternos, ya que la vista general del circuito que ofrecen suele ser ms clara.

Analgico y Digital
Algunas mediciones pueden representarse en forma "analgica" otras en forma "digital".

El trmino: Digital
Se refiere a cantidades discretas como la cantidad de personas en un una sala, cantidad de libros en una biblioteca, cantidad de autos en una zona de estacionamiento, cantidad de productos en un supermercado, etc... Ver reloj digital (lado derecho del diagrama) Los Sistemas digitales tienen una alta importancia en la tecnologa moderna, especialmente en la computacin y sistemas de control automtico. La tecnologa digital se puede ver en diferentes mbitos: -mecnico: llaves -electromecnico: el rel / relay
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- hidrulico - neumtico - electrnico. Los dos ltimos dominan la tecnologa

El trmino: Analgico
Se refiere a las magnitudes o valores que varan con el tiempo en forma continua como la distancia y la temperatura, la velocidad, que podran variar muy lento o muy rpido como un sistema de audio. Ver reloj analgico (lado izquierdo del diagrama)

En la vida cotidiana el tiempo se representa en forma analgica por relojes (de agujas), y en forma discreta (digital) por displays digitales. En la tecnologa analgica es muy difcil almacenar, manipular, comparar, calcular y recuperar informacin con exactitud cuando esta ha sido guardada, en cambio en la tecnologa digital (computadoras, por ejemplo), se pueden hacer tareas muy rpidamente, muy exactas, muy precisas y sin detenerse. La electrnica moderna usa electrnica digital para realizar muchas funciones que antes desempeaba la electrnica analgica. Un ejemplo muy evidente es el hecho de que la msica actualmente se graba en discos compactos (CD's), que previamente ha sido convertida a formato digital del original que es el formato analgico. El equipo creado para reproducir la msica grabada de esta manera est lleno de circuitos lgicos digitales. A diferencia, los discos de acetato (los discos de 45 r.p.m. y L.P. de color negro) utilizaban una aguja que recorra los surcos en el disco para poder reproducir la msica grabada en forma analgica. Nadie duda de la calidad de los discos compactos de hoy, pues tienen un sonido excelente.

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Convertidor Analgico - Digital: ADC - CAD

En el mundo real las seales analgicas varan constantemente, pueden variar lentamente como la temperatura o muy rpidamente como una seal de audio. Lo que sucede con las seales analgicas es que son muy difciles de manipular, guardar y despus recuperar con exactitud. Si esta informacin analgica se convierte a informacin digital, se podra manipular sin problema. La informacin manipulada puede volver a tomar su valor analgico si se desea con un DAC (convertidor Digital a Analgico)

Exactitud - resolucin de un CAD

Hay que definir con que exactitud ser la conversin entre la seal analgica y la digital, para lo cual se define la resolucin que tendr. Primero se define el nmero mximo de bits de salida (la salida digital). Este dato permite determinar el nmero mximo de combinaciones en la salida digital. Este nmero mximo est dado por: 2n donde n es el nmero de bits. Tambin la resolucin se entiende como el voltaje necesario (seal analgica) para lograr que en la salida (seal digital) haya un cambio del bit menos significativo.(LSB) Para hallar la resolucin se utiliza la frmula: Resolucin = ViFS/[2n - 1] Donde: n = nmero de bits del ADC - ViFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una conversin mxima (todas las salidas son "1")

Niveles lgicos (alto, bajo, 0, 1)

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En los circuitos digitales es muy comn referiste a las entradas y salidas que estos tienen como si fueran altos o bajos. (Niveles lgicos altos o bajos) A la entrada alta se le asocia un "1" y a la entrada baja un "0". Lo mismo sucede con las salidas. Si estuviramos trabajando con circuitos integrados TTL que se alimentan con +5 voltios, el "1" se supondra que tiene un voltaje de +5 voltios y el "0" voltios. Esto es as en un anlisis ideal de los circuitos digitales. En la realidad, estos valores son diferentes. Los circuitos integrados trabajan con valores de entrada y salida que varan de acuerdo a la tecnologa del circuito integrado. Por ejemplo:

Niveles de voltaje para diferentes familias lgicas

En las compuertas TTL un nivel lgico de "1", ser interpretado como tal, mientras el voltaje de la entrada est entre 2 y 5 Voltios. En la tecnologa CMOS una nivel lgico de "0", ser interpretado como tal, mientras el valor de voltaje de la salida est entre 0V. y 1.5V Un voltaje de entrada nivel alto Un voltaje de entrada nivel bajo Un voltaje de salida nivel alto Un voltaje de salida nivel bajo se denomina VOL se se se denomina denomina denomina VIH VIL VOH

Adems de los niveles de voltaje, tambin hay que tomar en cuenta, las corrientes presentes a la entrada y salida de las compuertas digitales. La corriente de entrada nivel alto se denomina: La corriente de entrada nivel bajo se denomina La corriente de salida nivel alto se denomina: La corriente de salida nivel bajo se denomina IOL IIH IIL IOH

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CAD con comparadores

Funcionamiento del CAD

Para comprender mejor el funcionamiento interno de un convertidor analgico digital se expondr el siguiente ejemplo de un convertidor simple con comparadores. Se supone que una entrada analgica que puede variar entre 0 y 2 voltios y se desea convertir sta en una salida digital de 2 bits. Con estos datos y con la frmula que ya se conoce, la resolucin que se puede obtener de este convertidor ser:

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Resolucin = ViFS / [ 2n - 1] = 2 / (22 - 1) = 2 / 3 = 0.5 voltios Donde: - n = nmero de bits del Convertidor Analgico Digital (ADC) - ViFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una conversin mxima (todas las salidas son "1")

Como se ve es una resolucin bastante baja, tomando en cuenta que la entrada mxima es slo de 2 voltios (ViFS)

Convertidor Analgico Digital con comparadores

Analizando el grfico, se ve que al circuito de comparadores hay que aumentarle un otro circuito que transforme su salida en un cdigo de dos bits que ser el resultado final (la salida digital). Lo que hace el grupo de comparadores mostrado es censar la entrada analgica y dar una salida que indicar cual es el dato digital ms cercano a la seal analgica de entrada. Si se aumentara el nmero de comparadores la resolucin aumentara debido a que el nmero de bits del Convertidor Analgico Digital aumentara. Esta situacin no es prctica pues el nmero de comparadores aumenta rpidamente. La alternativa es utilizar comparadores integrados como los analizados antes, que tienen la desventaja de ser ms lentos. Nota: Las salidas de los comparadores tendrn un nivel alto (1 lgico) cuando la entrada no inversora (+) que est conectada a la tensin de entrada
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analgica sea igual o superior a la tensin establecida por la divisin de tensin hecha por las resistencias y que est conectada a la entrada inversora (-)

CAD con DAC, contador, comparador y 555

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Convertidor Analgico Digital con comparador, contador y temporizador 555.

Este Convertidor Analgico Digital es mucho ms lento, pero ms barato. Una tensin desconocida es aplicada a la entrada inversora del comparador (Vin). Ver el diagrama A la entrada no inversora se le aplica la tensin de salida del DAC (convertidor Digital Analgico) que a su vez es alimentado con la salida de un contador. El contador cuenta ascendentemente desde "0" hasta su cuenta mxima y despus vuelve a comenzar, en forma continua. Esto se hace al ritmo de un circuito de un reloj que puede ser un temporizador 555. Esta cuenta muestra a la salida del DAC una escalera que se repite en forma continua. Normalmente el nivel de la salida del comparador es alto, no afectando el funcionamiento del 555, pero cuando las dos entradas del comparador son iguales la salida pasa a nivel bajo deteniendo el funcionamiento del temporizador 555 (el reloj) En este momento el contador se detiene y su cuenta equivale, en digital, al valor analgico desconocido que alimentaba una de las entradas del comparador. Slo es necesario medir los valores en las salidas del contador. Se podra tener estas salidas alimentando unos LEDs y los datos se obtendran visualmente. Nota: El interruptor de inicio de conteo se utiliza para reiniciar el contador (ponerlo en la cuenta "0") para medir una nueva tensin analgica

Convertidor Digital - Analgico (CDA - DAC)

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En el mundo real las seales analgicas varan constantemente, pueden variar lentamente como la temperatura o muy rpidamente como una seal de audio. Lo que sucede con las seales analgicas es que son muy difciles de manipular, guardar y despus recuperar con exactitud. Si esta informacin analgica se convierte a informacin digital, se podra manipular sin problema. La informacin manipulada puede volver a tomar su valor analgico si se desea con un DAC (convertidor Digital a Analgico) Un DAC contiene normalmente una red resistiva divisora de tensin, que tiene una tensin de referencia estable y fija como entrada. Hay que definir qu tan exacta ser la conversin entre la seal analgica y la digital, para lo cual se define la resolucin que tendr. En la siguiente figura se representa un convertidor Digital - Analgico de 4 bits. cada entrada digital puede ser slo un "0" o un "1". D0 es el bit menos significativo (LSB) y D3 es el ms significativo (MSB). El voltaje de salida analgica tendr uno de 16 posibles valores dados por una de las 16 combinaciones de la entrada digital.

La resolucin se define de dos maneras:

Primero se define el nmero mximo de bits de salida (la salida digital). Este dato permite determinar el nmero mximo de combinaciones en la salida digital. Este nmero mximo est dado por: 2n donde n es el nmero de bits. Tambin la resolucin se entiende como el voltaje necesario (seal analgica) para lograr que en la salida (seal digital) haya un cambio del bit menos significativo. (LSB) Para hallar la resolucin se utiliza la siguiente frmula: Resolucin = VoFS / [2n - 1] Donde: -n=nmero de bits del ADC - VoFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una conversin mxima (todas las salidas son "1") Ejemplo: Se tiene un convertidos digital - analgico de 8 bits y el rango de voltaje de salida de 0 a 5 voltios. Con n = 8, hay una resolucin de 2N = 256 o lo que es o mismo: El voltaje de salida puede tener 256 valores distintos (contando el "0") Tambin: resolucin = VoFS / [2n - 1] = 5 / 28-1 = 5 / 255 = 19.6 mV / variacin en el bit menos significativo. Con n = 4 bits, se consiguen 2n = 16 posibles combinaciones de entradas digitales

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La salida analgica correspondiente a cada una de las 16 combinaciones depender del voltaje de referencia que estemos usando, que a su vez depender del voltaje mximo que es posible tener a la salida analgica. Si el voltaje mximo es 10 Voltios, entonces el Vref. (voltaje de referencia) ser 10 / 16 = 0.625 Voltios. Si el voltaje mximo es 7 voltios, Vref = 7 / 16 = 0.4375 Voltios. Se puede ver estos voltajes de referencia sern diferentes (menores) si se utiliza un DAC de 8 o ms bits. Con el de 8 bits se tienen 256 combinaciones en vez de 16. Esto significa que el voltaje mximo posible se divide en mas partes, logrndose una mayor exactitud. Si el Vref = 0.5 Voltios Entrada digital D3 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 D2 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 D1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 D0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida analgica Voltios 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5

# de bits del Resolucin DAC 4 bits 8 bits 16 bits 15 voltios / 15 = 1Voltio 15 voltios / 255 = 58.8 milivoltios 15 voltios / 65536 = 0.23 milivoltios 15 voltios 4294967296 0.0000035 milivoltios / =

32 bits

Se puede ver que mientras ms bits tengan el convertidor ms exacto ser la conversin

Circuitos Integrados
Los circuitos integrados son unidades funcionales completas. Esto no quiere decir que por si mismos son capaces de cumplir la funcin para los que estn diseados. Para ello sern necesarios unos componentes pasivos y activos para completar dicha funcionalidad. Si los circuitos integrados no existieran las placas de circuito impreso para los aparatos seran muy grandes y adems estaran llenos de componentes. Serunexcelentetcnicosiempredependerdetiydelgustoconquehacestutrabajo

Como antes se indic los semiconductores, bsicamente, los transistores y diodos, presentan menos problemas y menor costo en la integracin. Igualmente tanto resistencias como condensadores se pueden integrar pero aumenta el coste. Por ltimo las bobinas no se integran por la dificultad fsica que entraan, as mismo ocurre con rels, cristales de cuarzo, displays, transformadores y componentes tanto pasivos como activos que disipan una potencia considerable respecto de la que podran soportar una vez integrados. El proceso de fabricacin de un circuito integrado es como se observa en la figura de un modo esquemtico:

a) Diseo del circuito que se quiere integrar.

b) Mscara integrada con los semiconductores necesarios segn el diseo del circuito.

c) Oblea de silicio donde se fabrican en serie los chips.

d) Corte del microchip.

e) Ensamblado del microchip en su encapsulado y a los pines correctos.

Ventajas e Inconvenientes de los Circuitos Integrados

Bajo costo. Debido a su integracin, es ms fcil almacenarlos por el espacio que ocupan. Tienen un consumo energtico inferior al de los circuitos anteriores. Permiten que las placas de circuitos impresos de las distintas aplicaciones existentes

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tengan un tamao bastante ms pequeo. Son ms fiables.

Reducida potencia de salida. Limitacin en los voltajes de funcionamiento. Dificultad en la integracin de determinados componentes (bobinas, resistencia y condensadores de valores considerables...).

Tipos de tecnologa en la Fabricacin de Circuitos Integrados Los diseadores de circuitos integrados solucionan los problemas que se plantean en la integracin, esencialmente, con el uso de transistores. Esto determina las tecnologas de integracin que, actualmente, existen y se deben a dos tipos de transistores que toleran dicha integracin: los bipolares y los CMOS y sus variantes. Escalas de Integracin Las escalas de integracin hacen referencia a la complejidad de los circuitos integrados, dichas escalas estn normalizadas por los fabricantes.

Escala de integracin

N Aplicaciones tpicas componentes Puertas lgica y biestables Codificadores, registros... sumadores,

SSI: pequea escala de integracin <100 MSI: media escala de integracin +100 y -1000 +1000 y 100000

LSI: gran escala de integracin

- Circuitos aritmticos complejos, memorias... memorias,

VLSI: Muy alta escala de integracin ULSI: Ultra integracin alta escala de

+100000 y - Microprocesadores, 106 microcontroladores... + 106

Procesadores digitales microprocesadores avanzados

Clasificacin de los Circuitos integrados por su Aplicacin

Circuitos de aplicacin especifica: circuitos diseados para una funcin concreta (tarjeta de sonido, de video, amplificadores, temporizadores, reguladores..)

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Circuitos de propsito general: aquellos circuitos que pueden realizar diferentes funciones (micro controlador, familia 74XX y 40XX). Circuitos programables: presentan caractersticas intermedias a los anteriores (Dispositivos Lgicos Programables (PLD), Arrays de Puertas Programables (FPGA). Encapsulados

Encapsulado DIP (Dual In Line)

DIL

Encapsulado flat-pack

Encapsulado SOIC (Small Outline Integrated Circuit)

Encapsulado LCCC ( Encapsulado PLCC (Plastic Leaded Ceramic Chip Encapsulado SIP Lead Chip Carrier) Carrier)

Encapsulado DIP o DIL.- Este es el encapsulado ms empleado en montaje por taladro pasante en placa. Este puede ser cermico (marrn) o de plstico (negro). Un dato importante en todos los componentes es la distancia entre patillas que poseen, en los circuitos integrados es de vital importancia este dato, as en este tipo el estndar se establece en 0,1 pulgadas (2,54mm). Se suelen fabricar a partir de 4, 6, 8, 14, 16, 22, 24, 28, 32, 40, 48, 64 patillas, estos son los que ms se utilizan. Otra norma que tambin suele cumplirse se refiere a la identificacin de la numeracin de las patillas o pines: la patilla nmero uno se encuentra en un extremo sealada por un punto o una muesca en el encapsulado y se continua la numeracin en sentido antihorario (sentido contrario a las agujas del reloj), mirando al integrada desde arriba. Encapsulado FLAT-PACK.- se disean para ser soldados en mquinas automticas o semiautomticas, ya que por la disposicin de sus patillas se pueden soldar por puntos. El material con el que se fabrican es cermico. La numeracin de

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sus patillas es exactamente igual al anterior. Sus terminales tienen forma de ala de gaviota. La distancia entre patillas es de 1,27mm, la mitad que en los DIP. Encapsulado SOIC.- Circuito integrado de pequeo contorno. Son los ms populares en los circuitos de lgica combinacional, tanto en TTL como en CMOS. Tambin la terminacin de las patillas es en forma de ala de gaviota. Se sueldan directamente sobre las pistas de la placa de circuito impreso, en un rea denominada footprint. La distancia entre patillas es de 1,27mm (0,05"). La numeracin de los pines es exactamente igual a los casos anteriores. Encapsulado PLCC.- Se emplea en tcnicas de montaje superficial pero, generalmente, montados en zcalos, esto es debido a que por la forma en J que tienen sus terminales la soldadura es difcil de verificar con garantas. Esto permite su uso en tcnicas de montaje convencional. Se fabrican en material plstico. En este caso la numeracin de sus patillas vara respecto de los anteriores. El punto de inicio se encuentra en uno de los lados del encapsulado, que coincide con el lado de la cpsula que acaba en chafln, y siguiendo en sentido antihorario. La distancia entre terminales es de 1,27mm. Encapsulado LCC.- Al igual que el anterior se monta en zcalo y puede utilizarse tanto en montaje superficial como en montaje de taladro pasante. Se fabrica en material cermico y la distancia entre terminales es cermico. Los encapsulados que aparecen en este tema son los ms importantes y los ms utilizados. Como es lgico esta es una pequea seleccin de la infinidad de tipos de cpsulas que existen. Si pulsas en el siguiente botn vers una clasificacin de circuitos integrados bajo dos criterios que se refieren a la forma fsica y disposicin de patillaje, as como, al montaje en placa de circuito impreso (Montaje convencional y SMD).

Montaje convencional

Montaje Superficial

Controlador y Microcontrolador.
Recibe el nombre de controlador el dispositivo que se emplea para el gobierno de uno o varios procesos. Por ejemplo, el controlador que regula el funcionamiento de un horno dispone de un sensor que mide constantemente su temperatura interna y, cuando traspasa los lmites prefijados, genera las seales adecuadas que accionan los efectores que intentan llevar el valor de la temperatura dentro del rango estipulado. Serunexcelentetcnicosiempredependerdetiydelgustoconquehacestutrabajo

Un microcontrolador es un circuito integrado de alta escala de integracin que incorpora la mayor parte de los elementos que configuran un controlador. Un microcontrolador dispone normalmente de los siguientes componentes: Procesador o UCP (Unidad Central de Proceso). Memoria RAM para Contener los datos. Memoria para el programa tipo ROM/PROM/EPROM. Lneas de E/S para comunicarse con el exterior. Diversos mdulos para el control de perifricos (temporizadores, Puertas Serie y Paralelo, CAD: Conversores Analgico/Digital, CDA: Conversores Digital/Analgico, etc.). Generador de impulsos de reloj que sincronizan el funcionamiento de todo el sistema. Los productos que para su regulacin incorporan un microcontrolador disponen de las siguientes ventajas: Aumento de prestaciones: un mayor control sobre un determinado elemento representa una mejora considerable en el mismo. Aumento de la fiabilidad: al reemplazar el microcontrolador por un elevado nmero de elementos disminuye el riesgo de averas y se precisan menos ajustes. Reduccin del tamao en el producto acabado: La integracin del microcontrolador en un chip disminuye el volumen, la mano de obra y los stocks. Mayor flexibilidad: las caractersticas de control estn programadas por lo que su modificacin slo necesita cambios en el programa de instrucciones.

El microcontrolador es en definitiva un circuito integrado que incluye todos los componentes de un computador. Debido a su reducido tamao es posible montar el controlador en el propio dispositivo al que gobierna. En este caso el controlador recibe el nombre de controlador empotrado (embedded controller).

Diferencia entre Microprocesador y Microcontrolador.

El microprocesador es un circuito integrado que contiene la Unidad Central de Proceso (UCP), tambin llamada procesador, de un computador. La UCP est formada por la Unidad de Control, que interpreta las instrucciones, y el Camino de Datos, que las ejecuta. Las patitas de un microprocesador sacan al exterior las lneas de sus buses de direcciones, datos y control, para permitir conectarle con la Memoria y los Mdulos de E/S y configurar un computador implementado por varios circuitos integrados. Se dice

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que un microprocesador es un sistema abierto porque su configuracin es variable de acuerdo con la aplicacin a la que se destine.

Estructura de un sistema abierto basado en un microprocesador. La disponibilidad de los buses en el exterior permite que se configure a la medida de la aplicacin. Si slo se dispusiese de un modelo de microcontrolador, ste debera tener muy potenciados todos sus recursos para poderse adaptar a las exigencias de las diferentes aplicaciones. Esta potenciacin supondra en muchos casos un despilfarro. En la prctica cada fabricante de microcontroladores oferta un elevado nmero de modelos diferentes, desde los ms sencillos hasta los ms poderosos. Es posible seleccionar la capacidad de las memorias, el nmero de lneas de E/S, la cantidad y potencia de los elementos auxiliares, la velocidad de funcionamiento, etc.

Por todo ello, un aspecto muy destacado del diseo es la seleccin del microcontrolador a utilizar.

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El microcontrolador es un sistema cerrado. Todas las partes del computador estn contenidas en su interior y slo salen al exterior las lneas que gobiernan los perifricos.

Aplicaciones de los Microcontroladores.

Cada vez existen ms productos que incorporan un microcontrolador con el fin de aumentar sustancialmente sus prestaciones, reducir su tamao y coste, mejorar su fiabilidad y disminuir el consumo. Algunos fabricantes de microcontroladores superan el milln de unidades de un modelo determinado producidas en una semana. Este dato puede dar una idea de la masiva utilizacin de estos componentes. Los microcontroladores estn siendo empleados en multitud de sistemas presentes en nuestra vida diaria, como pueden ser juguetes, horno microondas, frigorficos, televisores, computadoras, impresoras, mdems, el sistema de arranque de nuestro coche, etc. Y otras aplicaciones con las que seguramente no estaremos tan familiarizados como instrumentacin electrnica, control de sistemas en una nave espacial, etc. Una aplicacin tpica podra emplear varios microcontroladores para controlar pequeas partes del sistema. Estos pequeos controladores podran comunicarse entre ellos y con un procesador central, probablemente ms potente, para compartir la informacin y coordinar sus acciones, como, de hecho, ocurre ya habitualmente en cualquier PC.

El mercado de los Microcontroladores.

Aunque en el mercado de la microinformtica la mayor atencin la acaparan los desarrollos de los microprocesadores, lo cierto es que se venden cientos de microcontroladores por cada uno de aqullos. Existe una gran diversidad de microcontroladores. Quiz la clasificacin ms importante sea entre microcontroladores de 4, 8, 16 32 bits. Aunque las prestaciones de los microcontroladores de 16 y 32 bits son superiores a los de 4 y 8 bits, la realidad es que los microcontroladores de 8 bits dominan el mercado y los de 4 bits se resisten a desaparecer. La razn de esta tendencia es que los microcontroladores de 4 y 8 bits son apropiados para la gran mayora de las aplicaciones, lo que hace absurdo emplear micros ms potentes y consecuentemente ms caros. Uno de los sectores que ms tira del mercado del microcontrolador es el mercado automovilstico. De hecho, algunas de las familias de microcontroladores actuales se desarrollaron pensando en este sector,

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siendo modificadas posteriormente para adaptarse a sistemas ms genricos. El mercado del automvil es adems uno de los ms exigentes: los componentes electrnicos deben operar bajo condiciones extremas de vibraciones, choques, ruido, etc. y seguir siendo fiables. El fallo de cualquier componente en un automvil puede ser el origen de un accidente. En cuanto a las tcnicas de fabricacin, cabe decir que prcticamente la totalidad de los microcontroladores actuales se fabrican con tecnologa CMOS 4 (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Esta tecnologa supera a las tcnicas anteriores por su bajo consumo y alta inmunidad al ruido. La distribucin de las ventas segn su aplicacin es la siguiente: Una tercera parte se absorbe en las aplicaciones relacionadas con los computadores y sus perifricos. La cuarta parte se utiliza en las aplicaciones de consumo (electrodomsticos, juegos, TV, vdeo, etc.) El 16% de las ventas mundiales se destin al rea de las comunicaciones. Otro 16% fue empleado en aplicaciones industriales. El resto de los microcontroladores vendidos en el mundo, aproximadamente un 10% fueron adquiridos por las industrias de automocin. Tambin los modernos microcontroladores de 32 bits van afianzando sus posiciones en el mercado, siendo las reas de ms inters el procesamiento de imgenes, las comunicaciones, las aplicaciones militares, los procesos industriales y el control de los dispositivos de almacenamiento masivo de datos.

Qu microcontrolador emplear?
A la hora de escoger el microcontrolador a emplear en un diseo concreto hay que tener en cuenta multitud de factores, como la documentacin y herramientas de desarrollo disponibles y su precio, la cantidad de fabricantes que lo producen y por supuesto las caractersticas del microcontrolador (tipo de memoria de programa, nmero de temporizadores, interrupciones, etc.): Costes. Como es lgico, los fabricantes de microcontroladores compiten duramente para vender sus productos. Y no les va demasiado mal ya que sin hacer demasiado ruido venden 10 veces ms microcontroladores que microprocesadores. Para que nos hagamos una idea, para el fabricante que usa el microcontrolador en su producto una diferencia de precio en el microcontrolador de algunas pesetas es importante (el consumidor deber pagar adems el coste del empaquetado, el de los otros componentes, el diseo del hardware y el desarrollo del software). Si el fabricante desea reducir costes debe tener en cuenta las herramientas de apoyo con que va a contar: emuladores, simuladores, ensambladores, compiladores, etc. Es habitual que muchos de ellos siempre se decanten por microcontroladores pertenecientes a una nica familia.

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Herramientas para el desarrollo de aplicaciones.

Uno de los factores que ms importancia tiene a la hora de seleccionar un microcontrolador entre todos los dems es el soporte tanto software como hardware de que dispone. Desarrollo del software: Ensamblador. La programacin en lenguaje ensamblador puede resultar un tanto ardua para el principiante, pero permite desarrollar programas muy eficientes, ya que otorga al programador el dominio absoluto del sistema. Los fabricantes suelen proporcionar el programa ensamblador de forma gratuita y en cualquier caso siempre se puede encontrar una versin gratuita para los microcontroladores ms populares. Compilador. La programacin en un lenguaje de alto nivel (como el C el Basic) permite disminuir el tiempo de desarrollo de un producto. No obstante, si no se programa con cuidado, el cdigo resultante puede ser mucho ms ineficiente que el programado en ensamblador. Las versiones ms potentes suelen ser muy caras, aunque para los microcontroladores ms populares pueden encontrarse versiones demo limitadas e incluso compiladores gratuitos. Depuracin: debido a que los microcontroladores van a controlar dispositivos fsicos, los desarrolladores necesitan herramientas que les permitan comprobar el buen funcionamiento del microcontrolador cuando es conectado al resto de circuitos.

Simulador. Son capaces de ejecutar en un PC programas realizados para el microcontrolador. Los simuladores permiten tener un control absoluto sobre la ejecucin de un programa, siendo ideales para la depuracin de los mismos. Su gran inconveniente es que es difcil simular la entrada y salida de datos del microcontrolador. Tampoco cuentan con los posibles ruidos en las entradas, pero, al menos, permiten el paso fsico de la implementacin de un modo ms seguro y menos costoso, puesto que ahorraremos en grabaciones de chips para la prueba in-situ.

Placas de evaluacin. Se trata de pequeos sistemas con un microcontrolador ya montado y que suelen conectarse a un PC desde el que se cargan los programas que se ejecutan en el microcontrolador. Las placas suelen incluir visualizadores LCD, teclados, LEDs, fcil acceso a los pines de E/S, etc. El sistema operativo de la placa recibe el nombre de programa monitor.

Emuladores en circuito. Se trata de un instrumento que se coloca entre el PC anfitrin y el zcalo de la tarjeta de circuito impreso donde se alojar el microcontrolador definitivo. El programa es ejecutado desde el PC, pero para la tarjeta de aplicacin es como si lo hiciese el mismo microcontrolador que luego

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ir en el zcalo. Presenta en pantalla toda la informacin tal y como luego suceder cuando se coloque la cpsula.

El programa monitor de algunas placas de evaluacin, aparte de permitir cargar programas y datos en la memoria del microcontrolador, puede permitir en cualquier momento realizar ejecucin paso a paso, monitorizar el estado del microcontrolador o modificar los valores almacenados los registros o en la memoria.

Antes de seleccionar un microcontrolador es imprescindible analizar los requisitos de la aplicacin:

Procesamiento de datos: puede ser necesario que el microcontrolador realice clculos crticos en un tiempo limitado. En ese caso debemos asegurarnos de seleccionar un dispositivo suficientemente rpido para ello. Por otro lado, habr que tener en cuenta la precisin de los datos a manejar: si no es suficiente con un microcontrolador de 8 bits, puede ser necesario acudir a microcontroladores de 16 32 bits, o incluso a hardware de coma flotante. Una alternativa ms barata y quiz suficiente es usar libreras para manejar los datos de alta precisin. Entrada Salida: para determinar las necesidades de Entrada/Salida del sistema es conveniente dibujar un diagrama de bloques del mismo, de tal forma que sea sencillo identificar la cantidad y tipo de seales a controlar. Una vez realizado este anlisis puede ser necesario aadir perifricos hardware externos o cambiar a otro microcontrolador ms adecuado a ese sistema. Consumo: algunos productos que incorporan microcontroladores estn alimentados con bateras y su funcionamiento puede ser tan vital como activar una alarma antirrobo. Lo ms conveniente en un caso como ste puede ser que el microcontrolador est en estado de bajo consumo pero que despierte ante la activacin de una seal (una interrupcin) y ejecute el programa adecuado para procesarla. Memoria: para detectar las necesidades de memoria de nuestra aplicacin debemos separarla en memoria voltil (RAM), memoria no voltil (ROM, EPROM, etc.) y memoria no voltil modificable (EEPROM). Este ltimo tipo de memoria puede ser til para incluir informacin especfica de la aplicacin como un nmero de serie o parmetros de calibracin.

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El tipo de memoria a emplear vendr determinado por el volumen de ventas previsto del producto: de menor a mayor volumen ser conveniente emplear EPROM, OTP y ROM.. Ancho de palabra: el criterio de diseo debe ser seleccionar el microcontrolador de menor ancho de palabra que satisfaga los requerimientos de la aplicacin. Usar un microcontrolador de 4 bits supondr una reduccin en los costes importante, mientras que uno de 8 bits puede ser el ms adecuado si el ancho de los datos es de un byte. Los microcontroladores de 16 y 32 bits, debido a su elevado coste, deben reservarse para aplicaciones que requieran sus altas prestaciones (Entrada/Salida potente o espacio de direccionamiento muy elevado). Diseo de la placa: la seleccin de un microcontrolador concreto condicionar el diseo de la placa de circuitos. Debe tenerse en cuenta que quiz usar un microcontrolador barato encarezca el resto de componentes del diseo.

Los microcontroladores ms populares se encuentran, sin duda, entre las mejores elecciones:
8048 (Intel). Es el padre de los microcontroladores actuales, el primero de todos. Su precio, disponibilidad y herramientas de desarrollo hacen que todava sea muy popular. 8051 (Intel y otros). Es sin duda el microcontrolador ms popular. Fcil de programar, pero potente. Est bien documentado y posee cientos de variantes e incontables herramientas de desarrollo. 80186, 80188 y 80386 EX (Intel). Versiones en microcontrolador de los populares microprocesadores 8086 y 8088. Su principal ventaja es que permiten aprovechar las herramientas de desarrollo para PC. 68HC11 (Motorola y Toshiba). Es un microcontrolador de 8 bits potente y popular con gran cantidad de variantes. 683xx (Motorola). Surgido a partir de la popular familia 68k, a la que se incorporan algunos perifricos. Son microcontroladores de altsimas prestaciones. PIC (Microchip). Familia de microcontroladores que gana popularidad da a da. Fueron los primeros microcontroladores RISC. Es preciso resaltar en este punto que existen innumerables familias microcontroladores, cada una de las cuales posee un gran nmero de variantes. de

Recursos comunes a todos los microcontroladores.

Al estar todos los microcontroladores integrados en un chip, su estructura fundamental y sus caractersticas bsicas son muy parecidas. Todos deben disponer de los bloques esenciales Procesador, memoria de datos y de instrucciones, lneas de E/S, oscilador de reloj y mdulos controladores de perifricos. Sin embargo, cada fabricante intenta

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enfatizar los recursos ms idneos para las aplicaciones a las que se destinan preferentemente. En este apartado se hace un recorrido de todos los recursos que se hallan en todos los microcontroladores describiendo las diversas alternativas y opciones que pueden encontrarse segn el modelo seleccionado.

Arquitectura Bsica
Aunque inicialmente todos los microcontroladores adoptaron la arquitectura clsica de von Neumann, en el momento presente se impone la arquitectura Harvard. La arquitectura de von Neumann se caracteriza por disponer de una sola memoria principal donde se almacenan datos e instrucciones de forma indistinta. A dicha memoria se accede a travs de un sistema de buses nico (direcciones, datos y control). La arquitectura Harvard dispone de dos memorias independientes una, que contiene slo instrucciones y otra, slo datos. Ambas disponen de sus respectivos sistemas de buses de acceso y es posible realizar operaciones de acceso (lectura o escritura) simultneamente en ambas memorias.

La arquitectura Harvard dispone de dos memorias independientes para datos y para instrucciones, permitiendo accesos simultneos. Los microcontroladores PIC arquitectura Harvard. responden a la

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El procesador o UCP
Es el elemento ms importante del microcontrolador y determina sus principales caractersticas, tanto a nivel hardware como software. Se encarga de direccionar la memoria de instrucciones, recibir el cdigo OP de la instruccin en curso, su decodificacin y la ejecucin de la operacin que implica la instruccin, as como la bsqueda de los operandos y el almacenamiento del resultado. Existen tres orientaciones en cuanto a la arquitectura y funcionalidad de los procesadores actuales. CISC: Un gran nmero de procesadores usados en los microcontroladores estn basados en la filosofa CISC (Computadores de Juego de Instrucciones Complejo). Disponen de ms de 80 instrucciones mquina en su repertorio, algunas de las cuales son muy sofisticadas y potentes, requiriendo muchos ciclos para su ejecucin. Una ventaja de los procesadores CISC es que ofrecen al programador instrucciones complejas que actan como macros.

El procesador RISC
Tanto la industria de los computadores comerciales como la de los microcontroladores estn decantndose hacia la filosofa RISC (Computadores de Juego de Instrucciones Reducido). En estos procesadores el repertorio de instrucciones mquina es muy reducido y las instrucciones son simples y, generalmente, se ejecutan en un ciclo. La sencillez y rapidez de las instrucciones permiten optimizar el hardware y el software del procesador.

El procesador SISC
En los microcontroladores destinados a aplicaciones muy concretas, el juego de instrucciones, adems de ser reducido, es "especfico", o sea, las instrucciones se adaptan a las necesidades de la aplicacin prevista. Esta filosofa se ha bautizado con el nombre de SISC (Computadores de Juego de Instruccin Especfico).

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Memorias
En los microcontroladores la memoria de instrucciones y datos est integrada en el propio chip. Una parte debe ser no voltil, tipo ROM, y se destina a contener el programa de instrucciones que gobierna la aplicacin. Otra parte de memoria ser tipo RAM, voltil, y se destina a guardar las variables y los datos. Hay dos peculiaridades que diferencian a los microcontroladores de los computadores personales:

No existen sistemas de almacenamiento masivo como disco duro o disquetes.

Como el microcontrolador slo se destina a una tarea en la memoria ROM, slo hay que almacenar un nico programa de trabajo.

La RAM en estos dispositivos es de poca capacidad pues slo debe contener las variables y los cambios de informacin que se produzcan en el transcurso del programa. Por otra parte, como slo existe un programa activo, no se requiere guardar una copia del mismo en la RAM pues se ejecuta directamente desde la ROM.

Los usuarios de computadores personales estn habituados a manejar Megabytes de memoria, pero, los diseadores con microcontroladores trabajan con capacidades de ROM comprendidas entre 512 bytes y 8 k bytes y de RAM comprendidas entre 20 y 512 bytes.

Segn el tipo de memoria ROM que dispongan los microcontroladores, la aplicacin y utilizacin de los mismos es diferente. Se describen las cinco versiones de memoria no voltil que se pueden encontrar en los microcontroladores del mercado.

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Tipos de memoria ROM

Es una memoria no voltil de slo lectura cuyo contenido se graba durante la fabricacin del chip. El elevado coste del diseo de la mscara slo hace aconsejable el empleo de los microcontroladores con este tipo de memoria cuando se precisan cantidades superiores a varios miles de unidades Estas memorias utilizan diodos y transistores slo realizan operaciones de lectura. No son voltiles pueden utilizarse para almacenar cdigos, generadoras de caracteres, unidades de control microprogramadas,(BIOS), entre otras. La organizacin interna de estas memorias es similar a las RAM . A pesar que las ROM son memorias RAM, se suele utilizar este ltimo trmino para hacer referencia a las memorias.

OTP
El microcontrolador contiene una memoria no voltil de slo lectura "programable una sola vez" por el usuario. OTP (One Time Programmable). Es el usuario quien puede escribir el programa en el chip mediante un sencillo grabador controlado por un programa desde un PC. La versin OTP es recomendable cuando es muy corto el ciclo de diseo del producto, o bien, en la construccin de prototipos y series muy pequeas. Tanto en este tipo de memoria como en la EPROM, se suele usar la encriptacin mediante fusibles para proteger el cdigo contenido.

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EPROM
Los microcontroladores que disponen de memoria EPROM (Erasable Programmable Read OnIy Memory) pueden borrarse y grabarse muchas veces. La grabacin se realiza, como en el caso de los OTP, con un grabador gobernado desde un PC. Si, posteriormente, se desea borrar el contenido, disponen de una ventana de cristal en su superficie por la que se somete a la EPROM a rayos ultravioleta durante varios minutos. Las cpsulas son de material cermico y son ms caros que los microcontroladores con memoria OTP que estn hechos con material plstico.Las celdas estn constituidas por puertas flotantes de transistores MOS. La descarga se realiza con luz ultravioleta exponiendo la celda a la misma por varios minutos. La reprogramacin es elctrica aplicando tensiones superiores a las de funcionamiento. La reprogramacin es permanente hasta que vuelva a grabarse.

EEPROM
Se trata de memorias de slo lectura, programables y borrables elctricamente EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read OnIy Memory). Tanto la programacin como el borrado, se realizan elctricamente desde el propio grabador y bajo el control programado de un PC. Es muy cmoda y rpida la operacin de grabado y la de borrado. No disponen de ventana de cristal en la superficie. Los microcontroladores dotados de memoria EEPROM una vez instalados en el circuito, pueden grabarse y borrarse cuantas veces se quiera sin ser retirados de dicho circuito. Para ello se usan "grabadores en circuito" que confieren una gran flexibilidad y rapidez a la hora de realizar modificaciones en el programa de trabajo. El nmero de veces que puede grabarse y borrarse una memoria EEPROM es finito, por lo que no es recomendable una reprogramacin continua. Son muy idneos para la enseanza y la Ingeniera de diseo.

Se va extendiendo en los fabricantes la tendencia de incluir una pequea zona de memoria EEPROM en los circuitos programables para guardar y modificar cmodamente una serie de parmetros que adecuan el dispositivo a las condiciones del entorno.

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Este tipo de memoria es relativamente lenta.

Usos
1) el almacenamiento de memoria de seleccionadores del cauce o los mandos analgicos (volumen, entonacin, etc.) 2) almacenamiento de baja potencia, detector de fallas diagnostico de errores. 4) el almacenamiento de la configuracin 5) para ver ltimos nmeros discados

Descripcin de los pines AO, A1, A2: son los pines de entrada, la cual es usada por el 24C256 para mltiples operaciones. Los niveles de entrada son comparados con los bits correspondientes en la direccin del esclavo. El chip selecciona si la comparacin es verdad. SDA Data serial: Es un pin bidireccional (entrada y salida de data). Para habilitar el pin de SDA debe tener conectado una resistencia del pin (SDA) a VCC (10 k desde 100 khz y 2k desde 400 khz y 1 khz.). SDA puede estar habilitado solo cuando el pin SCL est en nivel bajo. La cual puede trabajar en dos condiciones START o STOP. SCL SERIAL CLOCK: Sincroniza la transferencia de datos del dispositivo. WP: Es de seleccin de escritura y lectura va conectado a tierra o a Vcc. Puede leer o escribir desde 0000- hasta 7FFF.

FLASH
Se trata de una memoria no voltil, de bajo consumo, que se puede escribir y borrar. Funciona como una ROM y una RAM pero consume menos y es ms pequea. A diferencia de la ROM, la memoria FLASH es programable en el circuito. Es ms rpida y de mayor densidad que la EEPROM.

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La alternativa FLASH est recomendada frente a la EEPROM cuando se precisa gran cantidad de memoria de programa no voltil. Es ms veloz y tolera ms ciclos de escritura/borrado. Las memorias EEPROM y FLASH son muy tiles al permitir que los microcontroladores que las incorporan puedan ser reprogramados "en circuito", es decir, sin tener que sacar el circuito integrado de la tarjeta. As, un dispositivo con este tipo de memoria incorporado al control del motor de un automvil permite que pueda modificarse el programa durante la rutina de mantenimiento peridico, compensando los desgastes y otros factores tales como la compresin, la instalacin de nuevas piezas, etc. La reprogramacin del microcontrolador puede convertirse en una labor rutinaria dentro de la puesta a punto.

Puertas de Entrada y Salida La principal utilidad de las patitas que posee la cpsula que contiene un microcontrolador es soportar las lneas de E/S que comunican al computador interno con los perifricos exteriores. Segn los controladores de perifricos que posea cada modelo de microcontrolador, las lneas de E/S se destinan a proporcionar el soporte a las seales de entrada, salida y control.

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Reloj principal Todos los microcontroladores disponen de un circuito oscilador que genera una onda cuadrada de alta frecuencia, que configura los impulsos de reloj usados en la sincronizacin de todas las operaciones del sistema. Generalmente, el circuito de reloj est incorporado en el microcontrolador y slo se necesitan unos pocos componentes exteriores para seleccionar y estabilizar la frecuencia de trabajo. Dichos componentes suelen consistir en un cristal de cuarzo junto a elementos pasivos o bien un resonador cermico o una red R-C. Aumentar la frecuencia de reloj supone disminuir el tiempo en que se ejecutan las instrucciones pero lleva aparejado un incremento del consumo de energa.

Recursos Espciales
Cada fabricante oferta numerosas versiones de una arquitectura bsica de microcontrolador. En algunas ampla las capacidades de las memorias, en otras incorpora nuevos recursos, en otras reduce las prestaciones al mnimo para aplicaciones muy simples, etc.

La labor del diseador es encontrar el modelo mnimo que satisfaga todos los requerimientos de su aplicacin. De esta forma, minimizar el coste, el hardware y el software. Los principales recursos especficos que incorporan los microcontroladores son: Temporizadores o "Timers".

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 Perro guardin o "Watchdog". Proteccin ante fallo de alimentacin o "Brownout". Estado de reposo o de bajo consumo. Conversor A/D. Conversor D/A. Comparador analgico. Modulador de anchura de impulsos o PWM. Puertas de E/S digitales. Puertas de comunicacin.

Temporizadores o "Timers"
Se emplean para controlar periodos de tiempo (temporizadores) y para llevar la cuenta de acontecimientos que suceden en el exterior (contadores). Para la medida de tiempos se carga un registro con el valor adecuado y a continuacin dicho valor se va incrementando o decrementando al ritmo de los impulsos de reloj o algn mltiplo hasta que se desborde y llegue a 0, momento en el que se produce un aviso. Cuando se desean contar acontecimientos que se materializan por cambios de nivel o flancos en alguna de las patitas del microcontrolador, el mencionado registro se va incrementando o decrementando al ritmo de dichos impulsos.

Perro guardin o "Watchdog"

Cuando el computador personal se bloquea por un fallo del software u otra causa, se pulsa el botn del reset y se reinicializa el sistema. Pero un microcontrolador funciona sin el control de un supervisor y de forma continuada las 24 horas del da. El Perro guardin consiste en un temporizador que, cuando se desborda y pasa por 0, provoca un reset automticamente en el sistema. Se debe disear el programa de trabajo que controla la tarea de forma que refresque o inicialice al Perro guardin antes de que provoque el reset. Si falla el programa o se bloquea, no se refrescar al Perro guardin y, al completar su temporizacin, "ladrar y ladrar" hasta provocar el reset.

Proteccin ante fallo de alimentacin o "Brownout"

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Se trata de un circuito que resetea al microcontrolador cuando el voltaje de alimentacin (VDD) es inferior a un voltaje mnimo ("brownout"). Mientras el voltaje de alimentacin sea inferior al de brownout el dispositivo se mantiene reseteado, comenzando a funcionar normalmente cuando sobrepasa dicho valor.

Estado de reposo de bajo consumo

Son abundantes las situaciones reales de trabajo en que el microcontrolador debe esperar, sin hacer nada, a que se produzca algn acontecimiento externo que le ponga de nuevo en funcionamiento. Para ahorrar energa, (factor clave en los aparatos porttiles), los microcontroladores disponen de una instruccin especial (SLEEP en los PIC), que les pasa al estado de reposo o de bajo consumo, en el cual los requerimientos de potencia son mnimos. En dicho estado se detiene el reloj principal y se "congelan" sus circuitos asociados, quedando sumido en un profundo "sueo" el microcontrolador. Al activarse una interrupcin ocasionada por el acontecimiento esperado, el microcontrolador se despierta y reanuda su trabajo.

Conversor A/D (CAD)

Los microcontroladores que incorporan un Conversor A/D (Analgico/Digital) pueden procesar seales analgicas, tan abundantes en las aplicaciones. Suelen disponer de un multiplexor que permite aplicar a la entrada del CAD diversas seales analgicas desde las patitas del circuito integrado.

Conversor D/A (CDA)

Transforma los datos digitales obtenidos del procesamiento del computador en su correspondiente seal analgica que saca al exterior por una de las patitas de la cpsula. Existen muchos efectores que trabajan con seales analgicas.

Comparador analgico
Algunos modelos de microcontroladores disponen internamente de un Amplificador Operacional que acta como comparador entre una seal fija de referencia y otra variable que se aplica por una de las patitas de la cpsula. La salida del comparador proporciona un nivel lgico 1 0 segn una seal sea mayor o menor que la otra. Tambin hay modelos de microcontroladores con un mdulo de tensin de referencia que proporciona diversas tensiones de referencia que se pueden aplicar en los comparadores.

Modulador de anchura de impulsos o PWM

Son circuitos que proporcionan en su salida impulsos de anchura variable, que se ofrecen al exterior a travs de las patitas del encapsulado. Todos los microcontroladores destinan algunas de sus patitas a soportar lneas de E/S digitales. Por lo general, estas lneas se agrupan de ocho en ocho formando Puertos.

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Las lneas digitales de los Puertos pueden configurarse como Entrada o como Salida cargando un 1 un 0 en el bit correspondiente de un registro destinado a su configuracin.

Puertos de comunicacin
Con objeto de dotar al microcontrolador de la posibilidad de comunicarse con otros dispositivos externos, otros buses de microprocesadores, buses de sistemas, buses de redes y poder adaptarlos con otros elementos bajo otras normas y protocolos. Algunos modelos disponen de recursos que permiten directamente esta tarea, entre los que destacan: UART, adaptador de comunicacin serie asncrona. USART, adaptador de comunicacin serie sncrona y asncrona Puerta paralela esclava para poder conectarse con los buses de otros microprocesadores. USB (Universal Serial Bus), que es un moderno bus serie para los PC. Bus I2C, que es un interfaz serie de dos hilos desarrollado por Philips. CAN (Controller Area Network), para permitir la adaptacin con redes de conexionado multiplexado desarrollado conjuntamente por Bosch e Intel para el cableado de dispositivos en automviles. En EE.UU. se usa el J185O.

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