Fsica de Semiconductores Investigar cmo se fabrican los circuitos integrados, hecho en hoja blanca.

El dispositivo fundamental del mundo digital es el circuito integrado, un pequeo cuadro de silicio que contiene millones de transistores. Es probablemente el ms complejo de los productos hechos por el hombre. Aunque se le ve plano, de hecho es una estructura tridimensional obtenida al construir cuidadosamente sobre una base de silicio varias capas microscpicamente delgadas de materiales que pueden ser aislantes o conductores de electricidad. Se ensamblan de acuerdo a un patrn o modelo previamente diseado, y as, estas capas forman los transistores, que pueden funcionar como conmutadores o interruptores y controlar el flujo de la electricidad a travs del circuito. Una vez finalizada su fabricacin, se les conoce como chips . De esta manera, estos chips de "encendido" y "apagado" manipularn un cdigo binario que es la esencia del funcionamiento de una computadora. La construccin de un chip requiere tpicamente de varios cientos de pasos de fabricacin que, as mismo, toman semanas en completarse. Cada paso debe ser ejecutado perfectamente si se quiere que el chip trabaje adecuadamente. Las condiciones son rigurosas. Por ejemplo, debido a que una partcula de polvo puede arruinar a un chip, la fabricacin tiene que hacerse en un "cuarto limpio" que contenga menos de una millonsima de partculas de polvo por pie cbico de aire (en comparacin, una habitacin normal puede tener entre 100 000 y un milln de partculas por pie cbico de aire). Gran cantidad del equipo para hacer chips ocupa la ms alta tecnologa, con lo cual se tiene que, las fabricas de chips estn entre las ms costosas de las plantas de fabricacin. La tecnologa bsica de fabricacin de chips se le denomina proceso "planar" visualizado en 1957 por Jean Hoerni de Fairchild Semiconductors. Hoerni proporcion el mtodo para crear una estructura de capas construidas sobre una base de silicio. Esta tecnologa fue fundamental la fabricacin de los circuitos integrados logrados por primera vez por Robert N. Noyce en 1958. (Ms tarde, Noyce se convierte en cofundador con Gordon E. Moore de Intel Corporation, la compaa inventora del microprocesador y actualmente la empresa lder mundial en el suministro de chips semiconductores. Estableciendo el puente entre el transistor (inventado en 1947) y el circuito integrado, la tecnologa planar abri el camino a un proceso de manufactura con el que ahora se producen los chips. Los cientos de pasos individuales en el proceso de fabricacin del transistor individual pueden ser agrupados en unas cuantas operaciones bsicas. DISEO DEL CHIP. La primera operacin para la fabricacin de un chip es su diseo. Ya que se construirn decenas de millones de transistores sobre un pequeo cuadro de silicio del tamao aproximado de una ua del dedo de un nio, su colocacin y las interconexiones entre ellos deben ser cuidadosamente realizadas previamente y fuera del rea a construir. Cada transistor se disea para la funcin deseada, y grupos de transistores se combinan para crear circuitos elementales tales como inversores, sumadores y decodificadores. El personal que disea el chip debe tomar en cuenta cual ser la funcin que realizar el circuito. Por ejemplo, un chip procesador ejecuta instrucciones en una computadora, y un chip de memoria almacena datos. Los dos tipos anteriores difieren algo en su estructura. Debido a la complejidad de los chips actuales, su diseo se hace por medio de computadora, aunque los ingenieros a menudo imprimen un diagrama aumentado de la estructura del chip para examinarlo detalladamente.

FABRICACIN DE UN CIRCUITO INTEGRADO En los circuitos integrados monolticos todos los componentes se encuentran en una sola pastilla de silicio. Para fabricar un circuito integrado monoltico se parte de una lmina de silicio denominada "oblea" la cual a su vez est dividida en un gran nmero de plaquetas cuadradas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un CI. Por lo tanto, con una oblea se puede fabricar a la vez un montn de CI. Se suele partir de un semiconductor tipo P y por la tcnica epitaxial se coloca encima una capa de silicio tipo N.

Para este proceso se utiliza un horno epitaxial. Este tipo de crecimiento va a asegurar que la regin tipo N que se acaba de aadir tiene estructura de un solo cristal, al igual que la regin tipo P. Seguidamente, le se coloca una capa de xido a la oblea, para ello se introduce en un horno de oxidacin formndose una capa delgada de dixido de silicio (SiO2) que recubre a la oblea y cuyas funciones ms importantes van a ser la de proteger al circuito contra la contaminacin. La siguiente etapa se denomina fotoproteccin. Consiste en colocar una sustancia orgnica que sea sensible a la luz ultravioleta, denominada fotoprotector, sobre la capa de xido.

En esta capa se coloca una mscara que tiene unas ventanas opacas en la zona donde se va a realizar la siguiente difusin (por ejemplo, se quiere integrar un transistor NPN se tiene que tener bien definidas tres regiones: el colector, la base y el emisor. Estas tres zonas determinarn cmo ser la mscara y dnde tendr las ventanas opacas) . Se expone la oblea a rayos ultravioleta y el barniz fotosensible que haba debajo de las ventanas opacas se va a eliminar y va a aparecer la capa de dixido de silicio.

Despus se ataca a la oblea con cido fluorhdrico y las zonas de SiO2 que han quedado al descubierto se van a destruir quedando ahora al descubierto la capa de material tipo N.

El siguiente paso es realizar una difusin tipo P. Se introduce la oblea en un horno de difusin y se dopa con gran cantidad de impurezas tipo P. As se convierte en tipo P la zona que queda al descubierto de la capa epitaxial tipo N. Se ha conseguido aislar una zona tipo N, que ha quedado rodeada por semiconductor tipo P y por dixido de silicio. Si se estuviese haciendo un transistor esta zona aislada podra ser, por ejemplo, el colector. Se repite el proceso de oxidacin y de fotoproteccin y se colocan unas mscaras diferentes, por ejemplo, para formar la base. Se difunde nuevamente impurezas tipo P. Para formar el emisor se podran repetir todos los pasos pero con la diferencia de que al final se aaden impurezas tipo N. Para conectar todas las regiones "n" y "p" se suele usar una pelcula delgada de un material conductor por ejemplo el aluminio. Se coloca nuevamente una capa de oxidacin y un fotoprotector y la mscara que pone ahora tiene ventanas que van a permitir que se realicen las conexiones elctricas, por ejemplo, entre la base y el colector. Despus de realizar la metalizacin y una vez que las conexiones elctricas se hayan hecho, se cortan los diferentes chips de la oblea.

Despus de separarlos, se realizan las conexiones necesarias de cada chip con los pines de la cpsula que va a contener el circuito integrado, estas conexiones se realizan soldando hilo de aluminio muy delgado. Para acabar, se introduce el chip dentro de la cpsula que lo va a proteger, y as termina el proceso de fabricacin de un CI.

AISLAMIENTO DE LOS ELEMENTOS DEL CI Dentro de un circuito integrado puede encontrarse una gran cantidad de componentes. Estos componentes pueden ser de diferentes tipos: resistencias, transistores, condensadores, etc., o del mismo tipo. Una de las necesidades que se presenta es separar los elementos, no fsicamente ya que todos forman parte del mismo circuito integrado, sino que han de ser aislados elctricamente para que cada uno pueda seguir comportandose segn sus caractersticas, es decir, que, por ejemplo, los transistores sean exactamente iguales y cumplan las mismas propiedades que tiene un transistor discreto (que no forma parte de un circuito integrado). Hay varias formas de conseguir el aislamiento elctrico entre los diferentes elementos que componen un circuito integrado: la ms usada de todas ellas, debido a lo econmica que resulta, es la denominada "aislamiento de unin". Supngase que se quieren separar dos transistores, este mtodo consiste en polarizar inversamente las regiones N y P y, al no circular corriente, se produce el deseado aislamiento elctrico entre los dos transistores. Otra forma es usando dixido de silicio, SiO2, recubriendo cada regin de colector de cada uno de los transistores, el dixido de silicio se comporta como un aislante. Por ltimo, hay un tipo de aislamiento denominado "tipo viga" que es parecido al aislamiento de unin. La diferencia radica en que en el tipo viga, al realizar la metalizacin, se forma una capa muy gruesa encima de la oblea. Despus se remueve el silicio que sobra en el substrato tipo P. Se forma una estructura con los circuitos conectados semirrgidamente y todos los elementos separados unos de otros. TECNOLOGA DE PELCULA DELGADA Y GRUESA En los circuitos integrados monolticos se ha visto que se forman todos los componentes a la vez en un substrato semiconductor. En la tecnologa de pelcula delgada y en la de pelcula gruesa no ocurre lo mismo. Las resistencias y condensadores de valores pequeos se fabrican en el substrato, pero las resistencias y los condensadores de valores grandes y algunos circuitos monolticos son exteriores al chip y se conectan formando un circuito hbrido. Este tipo de circuitos tiene la peculiaridad de que no se forman sobre la superficie de un semiconductor sino que lo hacen sobre un material aislante que puede ser vidrio o un material cermico. La tcnica de fabricacin de pelculas delgadas consiste en ir haciendo una deposicin por medio de una evaporacin al vaco o pulverizacin catdica. La superficie que contiene el substrato acta como el nodo, y el material que se va depositando por la deposicin como ctodo. Los pasos para el procesamiento de un circuito integrado por tecnologa de pelcula delgada son muy similares a los que se han explicado de los circuitos monolticos. En la tecnologa de pelcula gruesa se utiliza un circuito impreso sobre el cual se van a depositar las resistencias, condensadores, etc. Una de las ventajas de esta tecnologa es que resulta ms barata que la de pelcula delgada.

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