Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS
2 Curso de Instalaciones Electromecnicas Mineras Tema 1: Componentes Electrnicos El transistor bipolar

Profesor: Javier Ribas Bueno

Nota: Las animaciones contenidas en esta presentacin requieren Office XP o posterior
Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Componentes electrnicos: El transistor bipolar

Introduccin: tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar El fototransistor Conclusiones

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Introduccin: tipos de transistores

NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES

CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

+ -

+ +

+ +

P
Concentracin de huecos

+ -

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base Emisor

Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Base Emisor

Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha. 2) El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C

NP B N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada + IC + VCE IE En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes: IC, IB, IE VCE, VBE, VCB En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente: IE = IC + IB

VCB + VBE IB -

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

VCB = VCE - VBE

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada IC IB + VCE VBE VCE

+ VBE -

IB

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida IC IC + VCE IB

+ VBE -

IB

VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Equivalente hidrulico del transistor

h2

Caudal

Apertura

h1 - h2

h1

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC IB IC (mA)
40 30 20 10

+ VCE -

Zona activa: IC=IB IB (A)

400 300 200 100 0 VCE (V)

+ VBE -

Zona de saturacin

Zona de corte

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE IC IB + VCE Ideal IB

+ VBE -

VBE

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + VBE IB + VCE -

Zona activa
VBE

+ -

IB

+ VCE -

IB IC

IC

Zona de saturacin
IB VBE

+ -

IB

IC<IB VCE=0 IC=0 + VCE -

VCE
Universidad de Oviedo

Zona de corte
VBE

+ -

IB

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN

12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital Universidad de Oviedo

12 V 36 W 12 V I 3A = 100

IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF) ON IB = 40 mA

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada IC IB VEC VEB + + IB VEC

VEB

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida IC IB VEC IB IC

VEB +

VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

12 V 36 W 3A 12 V I 12 V 40 mA I = 100 3A 12 V 36 W IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A OFF ON

IB = 40 mA

VEC 12 V PF (OFF)
Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales (NPN)

Activa

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2

IC I
CMax

Avalancha Secundaria IB6 IB5

Saturacin IB3 IB2 IB1

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0 1V Corte VCEMax VCE

Caracterstica de Entrada

Caracterstica de Salida

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT HFE Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin Ganancia PMAX ICMAX B E C

SOAR
VCE-MAX VCE

rea de operacin segura (Safety Operation Area)

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

El fototransistor

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO: Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica. Deteccin de obstculos.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres

Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.

Universidad de Oviedo

Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres