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CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE SERGIPE UNIDADE DE ENSINO DESCENTRALIZADA DE LAGARTO COORDENADORIA DO CURSO TCNICO DE INDSTRIA COM HABILITAO

EM ELETROMECNCIA

APOSTILA DE ELETRNICA ANALGICA

Prof. Ivanildo de Souza Maciel Jnior

2006 / 2 SUMRIO

CAPTULO 1...............................................................................................................................1 DIODO SEMICONDUTOR............................................................................................................1 1.1. INTRODUO.....................................................................................................................1 1.2. ESTRUTURA QUMICA DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES...............................................1 1.3. PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO DO DIODO......................................................................2 1.4. REGIMES MXIMOS DO DIODO EM CC...............................................................................3 1.5. TESTE DE DIODOS SEMICONDUTORES...............................................................................4 1.6. EXERCCIOS PROPOSTOS...................................................................................................5 1.7. DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO............................................................................7 1.7.1. LED.................................................................................................................................7 1.7.2. FOTODIODO....................................................................................................................7 1.8. DIODO ZENER....................................................................................................................7 1.8.1. CARACTERSTICAS DO DIODO ZENER..............................................................................8 1.8.2. TENSO ZENER: VZ. TENSO QUE SER MANTIDA CONSTANTE ENTRE CATODO E ANODO, QUANDO O DIODO ALCANAR A REGIO TIVER A REGIO ZENER....................................................8 1.8.3. POTNCIA ZENER: PZ.......................................................................................................8 1.8.4. CORRENTE ZENER MXIMA: IZM = PZ/VZ. ESTA CORRENTE NO DEVE SER ULTRAPASSADA PARA QUE O DIODO NO SEJA DANIFICADO..............................................................................................8 1.8.5. CORRENTE ZENER MNIMA: IZM. A CORRENTE MNIMA NECESSRIA PARA QUE O DIODO ZENER ENTRE NA REGIO DE CONDUO, OU REGIO ZENER. QUANDO NO ESPECIFICADO NO MANUAL DO FABRICANTE, UTILIZA-SE COMO IGUAL A 10% DO VALOR DA CORRENTE MXIMA IZM. ..................8 CAPTULO 2...............................................................................................................................9 PARMETROS DA CORRENTE ALTERNADA.................................................................................9 2.1. INTRODUO.....................................................................................................................9 2.2. ONDA SENOIDAL................................................................................................................9 2.3. O TRANSFORMADOR..........................................................................................................9 CAPTULO 3.............................................................................................................................11 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA..............................................................11 3.1. RETIFICAO DE MEIA ONDA...........................................................................................11 3.1.1. RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM DIODO SEMICONDUTOR........................................11 3.1.2. RETIFICAO DE MEIA ONDA COM TRANSFORMADOR..................................................14 3.2. RETIFICAO DE ONDA COMPLETA..................................................................................15 3.2.1. RETIFICAO DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR EM CENTER-TAP...............16 3.2.2. RETIFICAO DE ONDA COMPLETA EM PONTE..............................................................17 3.3. COMPARAO ENTRE OS TIPOS DE RETIFICAO...........................................................19 3.4. EXERCCIOS PROPOSTOS.................................................................................................19 CAPTULO 4.............................................................................................................................22 FILTRAGEM CAPACITIVA.........................................................................................................22 4.1. FILTROS CAPACITIVOS PARA FONTES RETIFICADORAS....................................................22 4.2. CAPACITOR......................................................................................................................22 4.2.1. CARGA E DESCARGA DO CAPACITOR.............................................................................23 4.3. RETIFICADORES COM FILTRO CAPACITIVO......................................................................24 4.4. CORRENTE DE SURTO......................................................................................................26 4.5. EXERCCIOS PROPOSTOS.................................................................................................26 CAPTULO 5.............................................................................................................................28 REGULADORES........................................................................................................................28 5.1. ESTABILIZAO................................................................................................................28 5.2. REGULADOR EM CIRCUITO INTEGRADO...........................................................................29 5.3. EXERCCIOS RESOLVIDOS................................................................................................29 5.4. EXERCCIOS PROPOSTOS.................................................................................................32 CAPTULO 6.............................................................................................................................33 TRANSISTORES BIPOLARES.....................................................................................................33 6.1. INTRODUO....................................................................................................................33 6.2. ESTRUTURA BSICA E SIMBOLOGIA..................................................................................33 6.3. ENCAPSULAMENTO DO TRANSISTOR.................................................................................34 6.4. PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO.......................................................................................35 6.5. CONTROLE DA CORRENTE DE BASE SOBRE A CORRENTE DE COLETOR.............................36 6.6. O CIRCUITO DE COLETOR.................................................................................................37 6.7. REGIES DE OPERAO DO TRANSISTOR.........................................................................38 BIBLIOGRAFIA.........................................................................................................................40

ANEXOS...................................................................................................................................41 ANEXO A: TABELA DE DIODOS................................................................................................41

Captulo 1 Diodo Semicondutor

CAPTULO 1
DIODO SEMICONDUTOR
1.1. INTRODUO

Antes de falarmos do diodo semicondutor vamos entender o conceito de: Materiais Semicondutores: So aqueles que apresentam caractersticas de isolao e conduo da corrente eltrica, dependendo de sua estrutura qumica. Exemplo de material semicondutor: Carbono. As duas formas bem conhecidas de matria formada por tomos de carbono so: Diamante que possui seu arranjo de tomos de carbono em forma de estrutura cristalina e eletricamente isolante. Grafite que possui seu arranjo de tomos de carbono em forma triangular e condutor de eletricidade.

1.2.

ESTRUTURA QUMICA DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

Os materiais semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que tem 4 eltrons na camada de valncia (tetravalentes). Atravs de um processo conhecido como dopagem os cristais de silcio e de germnio ganham caractersticas eltricas, ou seja, condutor ou isolante. Dopagem Tipo P- Introduzindo-se tomos de substancias trivalente, o cristal de silcio ou germnio passa a ter caracterstica de isolante pela falta 1 (um) eltron para que o cristal ganhe estabilidade atmica, formando assim o que denominamos de lacuna. Dopagem Tipo N- Introduzindo-se tomos de sustncias pentavalentes, o cristal de silcio ou germnio passa a ter caracterstica de condutor pelo excesso de eltron , sobra um eltron formando o se chama eltron livre no cristal. A unio do cristal dopado N com o P forma uma juno P-N, dando origem assim ao diodo semicondutor. A figura 1.1 representa uma juno P-N. O lado positivo da juno denomina-se ANODO e o negativo CATODO (algumas literaturas tcnicas grafam KATODO)

N
Figura 1.1: Juno PN

Devemos observar que aps a formao da juno P-N ocorre um processo de acomodamento qumico ente os cristais dopados, vamos ento entend-lo, pois a esta o ponto chave para a compreenso do principio de funcionamento do diodo semicondutor. Na regio da juno alguns eltrons (bolinhas pretas da figura 1.2) livres saem da do material N e passam a desloca-se para o material P, recombinando-se com as lacunas (bolinhas brancas) existentes nas proximidades.

P+

N-

Figura 1.2: Movimento dos eltrons

Captulo 1 Diodo Semicondutor

P+

N-

O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e se recombinam com os eltrons livres (Figura 1.3).
Figura. 1.3: Movimento das lacunas

Com estes deslocamentos forma-se na juno do diodo uma regio onde no existem portadores de carga, porque esto todos recombinados, neutralizando-se assim. Esta regio denominada de regio de depleo como representa a figura 1.4.
Figura 1.4: Regio de Depleo

Como conseqncia da passagem de cargas de um cristal para outro se cria um desequilbrio eltrico na regio da juno. Os eltrons que se movimentaram do material N para o P geram um pequeno potencial eltrico negativo. As lacunas que se movimentaram para o material N geram um pequeno potencial eltrico positivo. Pode-se ento verificar que na regio da juno existe uma diferena de potencial, proporcionado pelo movimento da lacunas e eltrons de um cristal para o outro. de depleo Regio Este desequilbrio eltrico e denominado de Barreira de Potencial vista na figura 1.5.
Figura 1.5: Barreira de Potencial

P+

N-

P+

N-

No funcionamento do diodo esta barreira funciona como uma pequena resistncia em forma de tenso eltrica, que devera ser vencida para que o diodo entre em conduo. Esta barreira de potencial apresenta dois valores dependendo do tipo de cristal usado para a fabricao do diodo. Germnio = 0,2 a 0,3 volts Silcio = 0,6 a 0,7 volts Obs.: No possvel medir a barreira de potencial com um voltmetro enquanto o diodo no estiver conectado a um circuito eltrico, pois esta tenso existe apenas internamente ao componente.

1.3.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO DO DIODO

O principio de funcionamento do diodo baseia-se em sua polarizao direta ou inversa, uma vez que o componente apresenta polaridade definida.

a)

Polarizao direta - denomina-se polarizao direta do diodo, quando a tenso positiva aplicada ao material P (anodo) e a tenso negativa aplicada ao material N(catodo). Observe o circuito da figura 1.6.
Figura 1.6: Polarizao Direta

P +

N -

Captulo 1 Diodo Semicondutor

Veja como o diodo se comporta: 1. Ele conduz quando aplicado sobre seus terminais a tenso mnima da Bp. 2. A corrente flui entre anodo e catodo. 3. Assemelha-se a uma chave fechada.

A I

O circuito de funcionamento mostrado na figura 1.7.


Figura 1.7: Funcionamento de circuito com diodo polarizado diretamente

Nesta polarizao o diodo como um condutor de corrente eltrica. Retirando-se a tenso ele volta a cortar, deixando de fluir corrente entre seus terminais. I Obs.: a simbologia do diodo aponta o sentido convencional da corrente, ou seja, fluindo do positivo para o Carga ativa negativo da fonte de alimentao.

N + semicondutor - comporta-se

b)

Polarizao inversa - denomina-se polarizao inversa do diodo, quando a tenso positiva aplicada ao material N (catodo) e a tenso negativa aplicada ao material P(anodo). Observe o circuito da figura 1.8.

P Figura 1.8: Polarizao Inversa (reversa) N + -

Veja como o diodo se comporta: 1. Ele no conduz quando aplicado sobre seus terminais. 2. A corrente no flui entre anodo e catodo. 3. Assemelha-se a uma chave aberta.

A P + N I-

O circuito de funcionamento mostrado na figura 1.9. I Figura 1.9: Funcionamento de circuito com diodo polarizado inversamente

Nesta polarizao o diodo semicondutor comporta-se como isolante da corrente eltrica, at a tenso de ruptura inversa.

Carga inativa

1.4.

REGIMES MXIMOS DO DIODO EM CC

Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contnua, sem provocar danos a sua estrutura. Analisando o comportamento do diodo em conduo e bloqueio verifica-se que os fatores dependem diretamente do circuito ao qual o diodo est conectado so: a) Corrente de conduo (I F); b) Tenso reversa (V R). A tenso de conduo VD no depende do circuito (0,7 para Si e 0,2 para Ge), e a corrente de fuga tambm depende do material do diodo (na faixa de alguns microampres). a) Corrente de conduo (IF) Corrente mxima de conduo A corrente de conduo mxima de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em folhetos e manuais de dados tcnicos. Nestes a corrente mxima de conduo aparece designada pela sigla IF .

I F CORRENTE (FORWARD) DE CONDUO CORRENTE MXIMA DE CONDUO EM REGIME CONTINUO

Captulo 1 Diodo Semicondutor

Exemplo com os diodos comerciais abaixo:

TIPO - SKE 1 / 12

IF = 1,0 A

TIPO- 1N 4004

IF = 1,0 A

b)

Tenso reversa mxima (VR)

As tenses reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condio toda a tenso reversa superior ao especificado para cada diodo a corrente de fuga aumenta excessivamente e o diodo danifica-se, ou seja, entra em curto.

VR

TENSO REVERSA MXIMA EM REGIME CONTNUO

Na tabela 1.1r esto colocados alguns tipos de diodos com suas respectivas tenses reversas mximas, tambm denominadas de tenso de ruptura. Tabela 1.1: Tenso reversa de alguns diodos TIPO VR 1N4007 1000V BY 127 800V SKE 1/12 1200V

1.5.

TESTE DE DIODOS SEMICONDUTORES

Podemos verificar as condies de funcionamento de um diodo atravs da medio da resistncia atravs de um multmetro. Na realidade os testes com o ohmmetro resumem-se a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e bloqueio, atravs da tenso presente na bateria do multmetro. TESTE

Captulo 1 Diodo Semicondutor

Conduo Condies normais Bloqueio -

baixa resistncia interna (em torno de 50 ohm) altssima resistncia interna (vrios K ohm)

O diodo pode apresentar-se nos seguintes estados: diretamente baixa resistncia (conduz) Para umabom Diodo anlise mais precisa necessrio que seja observado se o diodo encontra-se em curto ou em aberto quando danificado. Se inversamente altaem curto deduzir-se que a causa foi uma sobretenso que o diodo estiver resistncia, infinita (no conduz) ultrapassou o limite de VR. Caso contrrio, estando o diodo em aberto, a causa dever ter sido uma sobrecarga de corrente que ultrapassou o limite de IF. Estas observaes ajudam bastante na anlise de defeitos.

1.6.

inversamente baixa resistncia (conduz) 1. Desenhe o smbolo de um diodo semicondutor, identificando o anodo e o catodo. 2. Qual a tenso tpica da barreira de potencial nos diodos: diretamente alta resistncia, infinita (no conduz) a) Si Diodo aberto b) Ge inversamente alta resistncia, infinita (no conduz) 3. O que acontece com o diodo quando ele recebe uma tenso superior a VR ? 4. Indique a polaridade da fonte para que se estabeleam as condies necessrias para o esquema abaixo.

Diodo em curto

diretamente baixa resistncia (conduz) EXERCCIOS PROPOSTOS

I V
5. De que depende a conduo ou bloqueio do diodo? 6. Quais os dados tcnicos mais importantes para a especificao do diodo? 7. No teste de diodos foram encontradas as seguintes medies abaixo, relacione as colunas de forma a determinar os estados dos diodos. a) Alta resistncia alta resistncia b) Baixa resistncia baixa resistncia c) Baixa resistncia alta resistncia ( ( ( ) Diodo bom ) Diodo em curto ) Diodo aberto

8. Identifique a condio das lmpadas (I, II ou III) no circuito abaixo: Condies: I - Lmpada acende II - Lmpada no acende III - Lmpada acende com sobrecarga de tenso podendo danificar. Especificaes das lmpadas: VL = 6V; 12mW 9. Determine Eo na figura abaixo: PL =

Captulo 1 Diodo Semicondutor

10. Supondo os diodos do circuito da figura 1 ideais, determine a leitura do voltmetro para as posies das chaves A e B, conforme a tabela 1. C Chave B 1 1 2 2 1 2 1 2 Voltmetro

Figura 1

Tabela 1

Captulo 1 Diodo Semicondutor

1.7.

DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO

1.7.1. Led
O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento. A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um resistor limitador de corrente, como mostrado na Figura 1.10.
Figura 1.10: Polarizao do LED

O LED esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A corrente que circula no LED dada pela equao 1.1: (1.1) Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA.

1.7.2. Fotodiodo
um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa. Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo.

1.8.

DIODO ZENER

O diodo zener um tipo particular de diodo possuindo algumas caractersticas especiais. Confeccionado em material com alto nvel de dopagem, quando est polarizado diretamente o diodo zener se comporta como um diodo comum, porm, quando polarizado inversamente, devido as suas caractersticas especiais, uma tenso reversa especfica denominada Tenso Zener provoca o chamado efeito zener ou efeito avalanche, causando uma sbita ruptura na juno, fato esse que leva o dispositivo a atuar como um ESTABILIZADOR DE TENSO. Por isso, bastante utilizado em fontes de alimentao, com o objetivo de manter a tenso de sada estabilizada. O smbolo padro que usado para identificar o diodo zener nos circuitos eletrnicos e a sua curva caractersticas so mostrados na figura 1.11 e 1.12, respectivamente.

Figura 1.11: Smbolo do diodo zener

Captulo 1 Diodo Semicondutor

8
Figura 1.12: Curva caracterstica do diodo zener

A regio de operao do diodo zener chamada Regio Zener e est indicada na curva. Atravs desta curva, no primeiro quadrante observa-se o comportamento normal, da polarizao direta. Com a polarizao direta o diodo zener comporta-se como um diodo retificador, entrando em conduo e assumindo uma queda de tenso tpica. Na polarizao inversa, terceiro quadrante, a corrente mnima at atingir o nvel da tenso zener. Na regio zener, devido a acentuada reduo na resistncia da juno, ocorre uma rpida elevao na corrente que, como conseqncia assegura um valor estvel de tenso nos terminais do diodo. Esta tensso estvel conhecida com tenso Zener. Deste ponto em diante o diodo entra em conduo, apesar de polarizado inversamente. A corrente inversa aumenta rapidamente e a tenso sobre o zener mantm-se praticamente constante.

1.8.1.

Caractersticas do Diodo Zener


As caractersticas eltricas importantes so: Tenso Zener: VZ. Tenso que ser mantida constante entre catodo e anodo, quando o diodo alcanar a regio tiver a regio zener. 1.8.3. Potncia Zener: Pz 1.8.4. Corrente Zener Mxima: IZM = PZ/VZ. Esta corrente no deve ser ultrapassada para que o diodo no seja danificado. 1.8.5. Corrente Zener Mnima: IZm. a corrente mnima necessria para que o diodo Zener entre na regio de conduo, ou regio Zener. Quando no especificado no manual do fabricante, utiliza-se como igual a 10% do valor da corrente mxima IZM.

1.8.2.

Captulo 2 Parmetros da Corrente Alternada

CAPTULO 2
PARMETROS DA CORRENTE ALTERNADA
2.1. INTRODUO

comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se necessrio a criao de um circuito que transforme a tenso alternada de entrada em uma tenso contnua compatvel com a bateria. O diodo um componente importante nesta transformao.

2.2.

ONDA SENOIDAL

A onda senoidal um sinal eltrico bsico. Sinais mais complexos podem ser representados por uma soma de sinais senoidais. Uma forma de onda senoidal mostrada na figura 2.1
Figura 2.1: Forma de onda senoidal

(t) A equao que representa a curva da Figura 2.1 dada por:

V(t) = VP.sen (w.t) VP onde: (VP) - Tenso de pico positivo (-VP) Tenso de pico negativa (T/2) Meio perodo (T) Perodo completo Algumas maneiras de se referir aos valores da onda: T

(1)

Valor de pico VP - Valor mximo que a onda atinge; T/2

Valor de pico a pico ( VPP ) - Diferena entre o mximo e mnimo que a onda atinge VPP = VP - (- VP ) = 2 VP; Valor eficaz ( VRMS) ( Root Mean Square). O valor RMS valor indicado pelo voltmetro quando na escala CA. O valor RMS de uma onda senoidal definido como a tenso CC que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que: VRMS = 0,707 VP (2)

-VP

Valor mdio. O valor mdio quantidade indicada em um voltmetro quando na escala CC. O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo tem um valor igual, mas de sinal contrrio na segunda metade do ciclo.

2.3.

O TRANSFORMADOR

As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 30VCC enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127VRMS ou 220VRMS. Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O componente utilizado o transformador. O transformador a grosso modo constitudo por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia passa de uma bobina para outra atravs do fluxo magntico. A figura 2.2 mostra um exemplo de transformador:
Figura 2.2: Exemplo de um transformador

Captulo 2 Parmetros da Corrente Alternada

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A tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a tenso de sada ao enrolamento secundrio. No transformador ideal tem-se a equao 3. (3) Onde: tenso no primrio tenso no secundrio nmero de espiras no enrolamento primrio nmero de espiras no enrolamento secundrio A corrente eltrica no transformados ideal dada pela equao 4. (4) Exemplo 1: Se a tenso de entrada for 115 VRMS, a corrente de sada de 1,5ARMS e a relao de espiras 9:1. Qual a tenso no secundrio em valores de pico a pico? E a corrente eltrica no primrio? Soluo:

U1 U2 N1 N2

obs.: a potncia eltrica de entrada e de sada num transformador ideal so iguais.

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

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CAPTULO 3
RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA
3.1. RETIFICAO DE MEIA ONDA

Denomina-se retificao o processo de transformao da corrente alternada em corrente contnua. A retificao utilizada nos equipamentos eletrnicos com a finalidade de permitir que equipamentos de corrente continua sejam alimentados a partir da rede eltrica alternada. A retificao de meia onda um processo de transformao de CA em CC que permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de entrada na carga. A figura 3.1 mostra o funcionamento de um retificador de meia onda.
Figura 3.1: Retificao de meia onda

semiciclo Retificador de meia onda 1 ciclo


A retificao de meia onda proporciona um baixo rendimento CC, em conseqncia de aproveitar apenas um semiciclo da CA de entrada. O rendimento CC fica em torno de 45% da CA aplicada. Ou seja:

tenso na carga

VCC = 0,45 x VCA


3.1.1. Retificador de meia onda com diodo semicondutor

(3.1)

Pelo principio de funcionamento do diodo, ou seja, conduo ou bloqueio pode-se obter uma retificao de meia onda a partir da corrente alternada da rede eltrica.

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

12

A
C A

Carga RL

A
C A

Carga RL

VRL

B
O circuito mostrado na da figura 3.2 funciona como um retificador de meia onda.
Figura 3.2: Cicuito retificado de meia onda

1 Primeiro semiciclo
Durante o primeiro semiciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto B. Esta polaridade da tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo a circulao de corrente. A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada. Observe a figura 3.3.
Figura 3.3: Sada de retificador de meia onda positivo com entrada no semiciclo positivo

Devemos atentar para o fato de que a tenso sobre a carga ser menor que o valor do pico da tenso de entrada devido a queda de tenso causada pela barreira de potencial do diodo VD (tenso direta), que de 0,7 para o silcio e 0,2 para o germnio. Conforme assinala os grficos da figura 3.4.

V ENTRADA

VDIODO

VRL = VENTRADA - VDIODO

Figura 3.4: Grfico de sada e de diodo no ideal para retificador de meia onda com entrada no semiciclo positivo

Na maioria dos casos a queda de tenso do diodo pode ser desconsiderada devido ao seu valor pequeno em relao a tenso de pico da CA ser retificada. Deve-se considerar a queda de tenso apenas quando ao circuito retificador for aplicado a tenses pequenas menores que 10V.

2 Segundo semiciclo

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

13

A
C A

+ Carga RL

VRL

B
Durante o segundo semiciclo a tenso de entrada negativa no ponto A com relao ao ponto B. Esta polaridade da tenso de entrada coloca o diodo em bloqueio, impedindo a circulao de corrente. Observe a figura 3.5.
Figura 3.5: Sada de retificador de meia onda positivo com entrada no semiciclo negativo

Nesta condio toda a tenso de entrada est aplicada sobre o diodo, que no permite a circulao de corrente atuando como uma chave aberta, fazendo com que a tenso sobre a carga seja nula. Observe a representao grfica na figura 3.6.

V ENTRADA

VDIODO

VRL

Figura 3.6: Grfico de sada e de diodo no ideal para retificador de meia onda com entrada no semiciclo negativo

Pode-se observar que para cada ciclo completo da tenso de entrada apenas um semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Nos grficos mostrados na figura 3.7 podemos observar o descrito. A tenso encontrada na carga tem uma forma de onda denominada tenso continua pulsante, porque a corrente flui sempre no mesmo sentido e pulsante porque a circulao ocorre em forma de pulsos.

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

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VENTRADA VP

-VP VDIODO VD t

-VP VCARGA VP - VD t
CONDUO BLOQUEIO

Figura 3.7: Formas de onda do retificador de meia onda

3.1.2. Retificao de meia onda com transformador


A retificao de meia onda pode ser feita tambm com o uso de um transformador. Este tipo de configurao alm de fazer um isolamento da rede eltrica tambm proporciona a adequao da tenso que se quer retificar. A figura 3.8 mostra um circuito retificado de meia onda com transformador.

+ + VCA -

VSADA

VCC Positiva

Figura 3.8: Circuito retificador de meia onda positivo com transformador

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

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VCA +

VSADA

VCC Negativa
Figura 3. 9: Retificador de meia onda negativo com tranformador

Invertendo-se o diodo, a polaridade da tenso de sada tambm invertida, como observado na figura 3.9.

A Tenso de sada contnua (VCC) dada pela equao (3.2).

VCC =
(3.3).

VP VRMS . 2 = = 0,45.VCA 3,1415

VCC = 45% X VCA

(3.2)

J a Corrente de sada dada pela equao

ICC = VCC RL

(3.3)

Deve-se considerar muito importante o clculo da corrente mdia de sada , pois servir como base para a escolha do diodo retificador. O circuito de meia onda apresenta a desvantagem de que a tenso de sada pulsante e no contnua pura como pode ser visto na figura 3.10.

Sinal contnuo puro

VP

Sinal contnuo pulsante

Figura 3.10: Retificao no produz uma onda contnua pura

O rendimento baixo (45%) da tenso aplicada na entrada CA.

110 VCA
3.2.

RETIFICAO

49,5 VCC mdio

RETIFICAO DE ONDA COMPLETA

a transformao da corrente alternada em contnua atravs do aproveitamento dos dois semiciclos da tenso CA de entrada. Observe os grficos da figura 3.11.

VENTRADA VCARGA
RETIFICADOR ONDA COMPLETA

1 ciclo
Figura 3.11: Forma de Onda de retificador de onda completa positivo

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

16

O circuito retificador de onda completa o mais utilizado nos equipamentos eletrnicos porque realiza um melhor aproveitamento da tenso CA aplicada na entrada. Podemos ter a retificao de onda completa em duas configuraes bsicas:

1 Com transformador de derivao central e dois diodos. 2 Empregando 4 diodos em ponte retificadora.
3.2.1. Retificao de onda completa com transformador em Center-Tap A figura 3.12 mostra um circuito retificador de onda completa com transformador.

D1 Sada VCA D2
D1 D2

Figura 3.12: Circuito retificador de onda completa positivo com transformador em Ceter-Tap

Princpio de funcionamento Vamos analisar o funcionamento dos dois semiciclos nos extremos do transformador. Quando chega o semiciclo positivo da rede o diodo fica polarizado diretamente, por isso entra em conduo. A tenso sobre a carga positiva. O diodo comporta-se como uma chave fechada, permitindo a circulao de corrente pela carga, como demonstra o circuito da figura 3.13.
Figura 3.13: Sada de retificador de onda completa positivo com entrada no semiciclo positivo

D1 + VCA + D2

I +

O valor da tenso sobre a carga a mesma tenso existente entre o terminal central e o extremo superior do transformador (desconsiderando a queda de tenso do diodo). Quando ocorre a inverso da alimentao, temos a condio mostrada no circuito da figura 3.14.

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

17

Figura 3.14: Sada de retificador de onda completa positivo com entrada no semiciclo negativo

+ VCA + + D1 D2

A Tenso de sada contnua (VCC) definida pela equao (3.4).

VCC = 2.

V . 2 VP = 2. RMS = 0,9.VCA 3,1415

(3.4)

VCC = VCA x 90%


E a corrente de sada definida pela equao (3.5): (3.5)

ICC = VCC RL
3.2.2. Retificao de onda completa em Ponte
A figura 3.15 mostra um circuito retificador de onda completa em ponte.

D1

D2

+
VO D3 D4

Figura 3.15: Circuito retificador de onda completa positivo em ponte

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

18

Princpio de funcionamento
Vamos analisar o funcionamento dos dois semiciclos nos extremos do transformador. No semiciclo positivo da rede os diodos D2 e D3 ficam polarizados diretamente, comportando-se como chaves fechadas, permitindo a circulao da corrente I1 pela carga. J os diodos D1 e D4, reversamente. A tenso sobre a carga positiva, como mostra o circuito da figura 3.16.

+ + I1 D1 I1 I1 I1 I1 I1 D3 D4 I1 D2 + +

VO

Figura 3.16: Sada de retificador em ponte com entrada no semiciclo positivo

O grfico da tenso sobre a carga a mesma da tenso existente entre as extremidades do transformador, desconsiderando as quedas de tenso dos diodos (Figura 3.17).

VO

Figura 3.17: Grfico da tenso Vo sobre a carga

Quando ocorre a inverso da alimentao, temos a condio mostrada no circuito da figura 3.18. No semiciclo negativo da rede os diodos D1 e D4 ficam polarizados diretamente, comportando-se como chaves fechadas, permitindo a circulao da corrente I2 pela carga. J os diodos D2 e D3, reversamente. A tenso sobre a carga tambm positiva, como mostra o circuito da figura 3.18.

D2 e D3

I2 D1 I2 I2 I2 + + I2 I2 D3 D4 I2 D2

+ VO

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

19

Figura 3.18: Sada de retificador de onda em ponte com entrada no semiciclo negativo

O grfico da tenso sobre a carga agora invertido com relao a tenso existente entre as extremidades do transformador, desconsiderando as quedas de tenso dos diodos (Figura 3.19).

VO

D1 e D4

Figura 3.19: Grfico da tenso Vo sobre a carga

As equaes da tenso de sada contnua (VCC) e da corrente de sada so as mesmas da configurao em Center-Tap, ou seja, equaes (3.4) e (3.5). O que ir diferenciar entre o resultado obtido entre o circuito em Center-Tap e o em ponte que a queda de tenso para o circuito em Center-Tap devido a apenas um diodo por semiciclo, j para o em ponte ser devido a dois diodos em cada semiciclo.

3.3.

COMPARAO ENTRE OS TIPOS DE RETIFICAO

Na tabela 1 mostrada uma comparao entre os tipos de retificao descritos anteriormente, sendo considerado os diodos idias. Tabela 1: Comparao entre os tipos de retificao ONDA COMPLETA Center-Tap 2 0,5UP 0,318 UP UP 2 fent 0,45 UP Ponte 4 UP 0,636 UP UP 2 fent 0,9 UP

MEIA ONDA N. de Diodos Tenso Pico de Sada Tenso cc de Sada Tenso Pico Inversa no Diodo Freqncia de Sada Tenso de sada (rms) 1 UP 0,318 UP UP fent 0,45 UP

3.4.

EXERCCIOS PROPOSTOS

1. Defina retificao eletrnica. 2. O que caracteriza a retificao de meia onda em relao a CA aplicada ? 3. Qual a equao da tenso e corrente mdia na sada de uma retificao de meia onda ? 4. Cite as desvantagens da retificao de meia onda. 5. Desenhe a forma de onda presente sobre a carga em uma retificao de onda completa. 6. Esquematize um circuito retificador de onda completa definindo a funo de cada elemento do circuito.

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

20

7. O que aconteceria na sada de uma fonte retificadora de onda completa se um dos diodos abrir? 8. Qual o procedimento correto antes de substituir um fusvel aberto em uma fonte de alimentao? 9. Com que finalidade associaramos diodos em paralelo em uma retificao? 10. O que aconteceria em circuito retificador de onda completa se um dos diodos entrasse em curto? Utilizando-se um transformador de com as seguintes especificaes: 127V 12V+12V, determine a tenso DC de sada, obtida sobre uma carga de 100, e atravs da utilizao de: (Considere que os diodos so ideais). a) Retificador de meia onda; b) Retificador de onda completa utilizando a configurao em ponte. c) Determine as vantagens e desvantagens obtidas por cada configurao empregada para a retificao; 12. O que acontece com a ondulao quando transformamos uma retificao de meia onda em onda completa? Por que? 13. Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta se a tenso de diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA? Considere o circuito da figura a seguir para responder as questes 14, 15, 16 e 17.

11.

14.

No circuito medido 0V atravs do diodo. A seguir testa-se a tenso da fonte, e ela indica uma leitura de +5V com relao ao terra (-). O que h de errado com o circuito? 15. Considerando que a tenso da fonte de 5V e o valor da resistncia Rs igual a 1K. Calcule a corrente atravs do diodo. 16. Se agora a tenso da fonte for de 100V e a resistncia Rs igual a 220. Quais os diodos relacionados na tabela 1 a seguir podem ser utilizados? Explique. DIODO 1N914 1N4001 1N1185 Tabela 1 VRuptura 75 V 50 V 120 V VMx 200 mA 1A 35 A

17. Qual dever ser o valor de Rs para se obter uma corrente de diodo de 10mA? (suponha VS=5V).

18.

Alguns sistemas como alarme contra roubo, computadores, etc. utilizam uma bateria auxiliar no caso da fonte de alimentao principal falhar. Descreva como funciona o circuito abaixo.

Captulo 3 Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

21

Captulo 4 Filtragem Capacitiva

22

CAPTULO 4
FILTRAGEM CAPACITIVA
4.1. FILTROS CAPACITIVOS PARA FONTES RETIFICADORAS
As fontes retificadoras possuem em suas sadas tenses contnuas pulsantes, que na maioria das vezes tornam-se imprprias para alimentar circuitos de tenso continua pura. Por isso, torna-se necessrio a introduo de um componente de filtragem, ou seja, capaz de transformar a tenso continua pulsante em continua pura. Este componente o capacitor, que pela sua propriedade de carga e descarga consegue realizar esta transformao.

4.2.

CAPACITOR

O capacitor um componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas por um material isolante como mostrado na figura 4.1.

Figura 4.1: Smbolo de um capacitor

Quando se conecta um capacitor descarregado a uma bateria, haver uma distribuio de cargas. Com esta distribuio de cargas uma corrente eltrica gerada devido a diferena de potencial existente entre a tenso sobre o capacitor (inicialmente igual a zero) e a tenso da bateria. Esta corrente ir, ento, carregar o capacitor que, aos um certo tempo, estar com a mesma tenso da bateria (figura 4.2).

Figura 4.2: Carga capacitiva

Aps a carga total, a corrente eltrica cessar. Se o capacitor for desconectado da bateria, as cargas eltricas acumuladas permaneceram no capacitor, mantendo-se a diferena de potencial no capacitor (figura 4.3).
Figura 4.3: Capacitor mantendo a carga aps a retirada da bateria

VDC

Captulo 4 Filtragem Capacitiva

23

Sendo assim podemos dizer que: O capacitor pode armazenar carga eltrica e; O capacitor se ope a variao de tenso eltrica. A capacidade que tem um capacitor para armazenar cargas depende da sua capacitncia, que dada pela equao 4.1. (4.1) onde: = constante dieltrica (F/m) S = rea de uma das placas (so iguais) (m2) d = Espessura do dieltrico em metro (m) C = Capacitncia em Farads (F) em geral usam-se submltiplos do Farad: F, nF, pF Os capacitores podem ser de diversos tipos, tais como: papel, cermica, mica, eletroltico, Tntalo, varivel (distncia / rea). As placas paralelas do capacitor separadas pelo dieltrico podem ser dispostas de acordo com a figura 4.4.

Figura 4.4: Disposio das placas de um capacitor

4.2.1. Carga e Descarga do Capacitor


CARGA CAPACITIVA Tomando com exemplo o circuito da figura 4.5, para explicar a carga capacitiva e considerando-se que o capacitor esteja descarregado inicialmente.
Figura 4.5: Circuito RC

S A partir do instante inicial (t=0 segundos) a chave S do circuito da figura 4.5 fechada. Observando a tenso sobre o capacitor e sobre o resistor teremos os grficos mostrados na figura 4.6. VDC
Figura 4.6: Tenses no capacitor (a) e no resistor (b)

A equao matemtica que regem a curva de carga capacitiva mostrada na figura 3.20 (a) dada pela VDC VDC equao (4.2). (4.2) J a equao representante da tenso sobre o resistor, cuja curva foi mostrada na figura 4.6 (b) dada pela equao (4.3).

VC = VDC (1 e ) VR = VDC e
t

(4.3)

Nas equaes (4.2) e (4.3) a constante de tempo = R C determina o tempo em que a tenso no capacitor atinge 63% da tenso da fonte (VDC) e a tenso sobre o resistor cai a 37% do valor da tenso da fonte. DESCARGA CAPACITIVA Na descarga capacitiva a equao matemtica que a representa dada pela equao (4.4).

(a)

(b)

VC = VDC (1 e )

(4.4)

Captulo 4 Filtragem Capacitiva

24

Considerando duas situaes com o capacitor carregado teremos:

a)

Resistor em srie com o capacitor O circuito da figura 4.7 exemplifica a configurao em que o resistor encontra-se em srie com o capacitor.
Figura 4.7: Circuito com resistor em srie com o capacitor

As tenses sobre o capacitor e sobre o resistor obtidas do circuito da figura 4.7 so mostradas na figura 4.8.
Figura 4.8: Tenses sobre capacitor e resistor em circuito srie S

VDC

Como inicialmente o capacitor encontra-se carregado, enquanto a chave S no for fechada a corrente VDC do circuito fica igual a zero no havendo diferena de potencial sobre o resistor (VR=0). Quando a chave S for fechada (instante t), dado um curto na fonte (o que na prtica no o faremos) e toda a tenso sobre o capacitor descarregado pelo resistor.

b) Resistor em paralelo com o capacitor O circuito da figura 4.9 exemplifica a configurao em que o resistor encontra-se em paralelo com o capacitor.
Figura 4.9: Circuito com resistor em paralelo com o capacitor

As tenses sobre o capacitor e sobre o resistor obtidas do circuito da figura 4.9 so mostradas na figura 4.10.
Figura 4.10: Tenses sobre capacitor e resistor em circuito paralelo

t S

VDC

Para oV circuito com o capacitor em paralelo com o resistor (figura 4.9), a chave encontra-se t DC inicialmente fechada. Sendo assim, a fonte estar tambm, em paralelo com os dois. Logo a tenso inicial sobre o resistor e sobre o capacitor sero iguais a da fonte (VDC) Quando a chave S for aberta (instante t), toda a tenso carregada sobre o capacitor ser da mesma forma do circuito em srie descarregado pelo resistor. Considerando por ltimo o circuito da figura 4.11, em que o resistor encontra-se em srie com o capacitor e com um gerador de onda quadrada teremos como tenses sobre o capacitor e sobre o resistor os grficos mostrados na figura 4.12. V
DC

VDC

VDC

Figura 4.11: Capacitor em srie com um resistor e fonte de onda quadrada

Figura 4.12: Tenses sobre o Capacitor e Resistor em srie com uma fonte de onda quadrada

VDC

4.3.

RETIFICADORES COM FILTRO CAPACITIVO

No circuito retificador com o filtro capacitivo, o capacitor conectado diretamente nos terminais da carga na sada do circuito retificador. Observe a figura 4.13. t MEIA ONDA ONDA COMPLETA

VDC

Figura 4.13: Circuito com filtro capacitivo

VDC

Captulo 4 Filtragem Capacitiva

25

Principio de funcionamento Durante os intervalos de tempo em que o diodo conduz circula corrente atravs da carga e do capacitor. Neste perodo o capacitor armazena energia. Observe a figura 4.14.

Filtro + Carga -

Figura 4.14: Circuito com filtro capacitivo dom o diodo conduzindo

Nos intervalos de bloqueio do diodo o capacitor tende a descarregar a tenso armazenada atravs da carga, pois no possvel a descarga atravs da retificao porque o diodo est em bloqueio. Observe a figura 4.15.

Filtro + Carga Figura 4.15: Circuito com filtro capacitivo dom o diodo aberto

Como o capacitor est em paralelo com a carga, a tenso das armaduras do capacitor aplicada carga. Logo a corrente absorvida pela carga fornecida pelo capacitor, que com o passar do tempo diminui a tenso em suas placas devido a descarga (figura 4.16).

GRFICO DA DESCARGA

VC = VRL

t
Figura 4.16: Descarga Capacitiva

O capacitor permanece descarregado at que o diodo conduza novamente, realizando uma recarga em suas armaduras. Com a introduo do capacitor no circuito retificador a carga passa a receber tenso durante todo tempo de funcionamento do circuito. Observe a figura 4.17.

Captulo 4 Filtragem Capacitiva

26

Diodo Conduzindo Capacitor em carga Diodo Aberto Capacitor em descarga

Diodo Conduzindo Capacitor em carga

TENSO SOBRE A CARGA

Figura 4.17: Grfico de sada de retificador de meia onda positivo com filtro capacitivo

A colocao de um filtro aumenta o valor da tenso mdia de sada de um circuito retificador. Mesmo com a colocao do filtro existe uma ondulao (fator ripple) sobre a carga, a que faz com que a tenso de sada no seja uma tenso continua pura.

4.4.

CORRENTE DE SURTO

Instantes antes de energizar o circuito retificador, o capacitor do filtro est descarregado. No momento em que o circuito ligado, o capacitor se aproxima de um curto. Portanto, a corrente inicial circulando no capacitor ser muito alta. Este fluxo alto de corrente chamado corrente de surto (impulsiva). O nico elemento que limita a carga a resistncia dos enrolamentos e a resistncia interna dos diodos. O pior caso o capacitor estar totalmente descarregado e o retificador ser ligado no instante em que a tenso da linha mxima. Assim a corrente ser dada por: (4.5) Esta corrente diminui to logo o capacitor v se carregando. Em um circuito retificador tpico, a corrente de surto no uma preocupao. Mas, quando a capacitncia for muito maior do que 1000uF, a constante de tempo se torna muito grande e pode levar vrios ciclos para o capacitor se carregar totalmente. Isto tanto pode danificar os diodos quanto o capacitor. Um modo de diminuir a corrente de surto incluir um resistor entre os diodos e o capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele somado ao enrolamento e resistncia interna dos diodos. A desvantagem dele , naturalmente, a diminuio da tenso de carga cc.

4.5.
1.

EXERCCIOS PROPOSTOS

Encontre a capacitncia de um capacitor de placas paralelas se a dimenso de cada placa retangular de 1x0,5 cm, a distncia entre as placas 0,1mm e o dieltrico o ar. Depois, encontre a capacitncia tendo a mica como dieltrico. Ar=8,85x10-12 F/m mica=5xar Um capacitor possui como dieltrico um disco feito de cermica com 0,5 cm de dimetro e 0,521 mm de espessura. Esse disco revestido dos dois lados com prata, sendo esse revestimento as placas. Encontre a capacitncia. cermica = 7500 x ar Ao que se deve a existncia de ondulao na sada de uma fonte retificadora com filtro capacitivo? No instante t=0s, uma fonte de 100V conectada a um circuito srie formado por um resistor de 1k e um capacitor de 2F descarregado. Qual : a) A tenso inicial do capacitor? b) A corrente inicial? c) O tempo necessrio para o capacitor atingir a tenso de 63% do seu valor mximo?

2.

3. 4.

Captulo 4 Filtragem Capacitiva

27

5.

Ao ser fechada, uma chave conecta um circuito srie formado por uma fonte de 200V, um resistor de 2M e um capacitor de 0,1F descarregado. Encontre a tenso no capacitor e a corrente no instante t=0,1s aps o fechamento da chave. Um retificador em ponte com um filtro capacitivo de entrada tem uma tenso de pico na sada de 25V. Se a resistncia de carga for de 220 e a capacitncia de 500F, qual a ondulao de pico a pico (Ripple)? A figura abaixo mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao central aterrada, as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais as tenses de sada para uma tenso do secundrio de 17,7Vac e C=500F? Qual a ondulao de pico a pico? Qual polaridade de C1 e C2?

6. 7.

Captulo 5 Reguladores

28

CAPTULO 5
REGULADORES
5.1. ESTABILIZAO
A estabilizao eliminar a ondulao do sinal aps a filtragem capacitiva a de estabilizao ou regulao. Esta etapa consiste em projetar um circuito que mantenha constante a tenso de sada para uma tenso de entrada oscilando em torno de um valor. Portanto, o circuito de estabilizao deve ser projetado de acordo com tenso de ripple do sinal a ser estabilizado. Um circuito regulador com diodo Zener mostrado na figura 5.1. O sinal de entrada V E aquele obtido na sada do filtro capacitivo apresentando variaes de VE.

Figura 5.1: Circuito estabilizador com carga

O circuito regulador dever ser projetado de forma que, havendo variaes na tenso de entrada, a tenso de sada VL dever permanecer constante e igual tenso zener VZ. Observa-se que a corrente total do circuito IS = IZ + IL constante para uma carga fixa RL. As variaes da corrente IS (variao da tenso de entrada) e da corrente IL sero compensadas pela corrente IZ limitada por IZmin e IZmx. No circuito da figura 5.1 o resistor RS tem como funo limitar a corrente no diodo zener. A corrente sobre o diodo zener ser mxima (IZmx) quando a carga for infinita (IL=0) e a tenso de entrada for mxima (VEmx = VE + VE). Para este a resistncia RS ser mnima e definida pela equao 5.1.

RS min =

VEmx VZ I Zmx + I L min

RS min =

VEmx VZ ( I L min = 0) I Zmx


(5.1)

O valor mximo para RS, definido pela equao 5.2, ser aquele que ir impor sobre o diodo zener uma corrente mnima (IZmin). Esta corrente pode ser considerada igual a 10% do valor da corrente mxima quando no for especificada no manual do fabricante. Para assegurar esta corrente a tenso de entrada considerada como mnima (VEmin = VE - VE).

RSmx =

VE min VZ I Z min + I Lmx

(5.2)

Escolhido o valor da resistncia RS, pode-se encontrar o valor mximo da corrente que poder ser fornecida para a carga atravs da equao 5.3.

(V V ) (V V ) (V V ) I L m = IxS I Z m i n I L m = x E m i n Z + I Z m i InL = ISm+ IZm i IxLn = mEm Z +IiZm nx i n I L m =x I S + I Z m i n I L m =x E m i n Z I Z m i n RS RS RS

(5.3)

Para finalizar, poderemos calcular os valores mnimo e mximo que a tenso de entrada poder apresentar para que a tenso sobre uma carga RL fixa mantenha-se estvel. Desta forma tem-se as equaes 5.4 e 5.5:

IL =

VL RL

V E = RS .I S + VZ

IS = IZ + IL

(5.4)

Captulo 5 Reguladores

29

VE m i=n RS .( I Z m i+n I L ) + VZ

VE m = Rx S .( I Z m + IxL ) + VZ

VEm = R.( ZS m i L)++ VII Zn ie n VE = RS.( Z L)++ VII mZ m x x V = R S .(I Zmx )+ V Z Emx

(5.5)

5.2. REGULADOR EM CIRCUITO INTEGRADO Com o avano tecnolgico passou-se a usar reguladores de tenso em forma de circuito integrado. Eles apresentam vantagens em relao ao controle da tenso ser estabilizada, alm de valores mais precisos na estabilizao. O regulador mais conhecido o da famlia 78 e 79. A nomenclatura utilizada por estes reguladores mostrada na tabela 5.1. Tabela 5.1: Nomenclatura de reguladores da srie 78 e 79 Srie 78_XX 78 regulador de tenso positiva e; XX valor da tenso estabilizada fornecida. Exemplos: 7805: regulador para + 5V na sada 7812: regulador para + 12V na sada Srie 79_XX 79 regulador de tenso negativa e; XX valor da tenso estabilizada fornecida. Exemplos: 7905: regulador para 5V na sada. 7912: regulador para 12V na sada.

O espao preenchido pelo underline _ utilizado para indicar a capacidade de corrente fornecida pelo regulador tendo-se os seguintes valores: L: corrente de sada mxima de 100mA. Ex. 78L05, 79L05; M: corrente de sada mxima de 500mA. Ex. 78M05, 79M05; Sem letras: corrente de sada mxima de 1A. Ex. 7805, 7905;

Para utilizar estes circuitos integrados em reguladores deve-se levar em considerao os capacitores indicados no manual do fabricante. Desta forma, a configurao a ser utilizada e indicada no manual, mostrada na figura 5.2.

Vi _

C1 + + --

78_XX Vi Vo GND

C2

Vo _

Figura 5.2: Configurao de regulador da famlia LM. Os capacitores C1 e C2 mantm o nvel DC e filtram os sinais de freqncias altas.

Um outro regulador muito utilizado o LM317, que diferentemente do da famlia 78 e 79 a sua tenso de sada pode ser regulada a valores de sada positivos e entre 1,2 e 37V. Estes valores so escolhidos utilizando resistores externos. A configurao utilizada e a relao entre os resistores de sada necessria para a obteno da tenso de sada mostrada na figura 5.3.

LM317: sada regulvel em valores positivos; VREF = 1,25V e IAjust=100A


Figura 5.3: Configurao do LM317

Vi
5.3.

VREF
EXERCCIOS RESOLVIDOS

Vo
R V =V .1+ 2 + I .R o REF R Ajust 2 1

1.

CIRCUITOS COM Vi E R FIXOS:

Captulo 5 Reguladores

30

Procedimento para resolver o circuito: a) Determinar o estado do diodo zener, removendo este do circuito e calculando a tenso atravs do circuito aberto resultante.

V = VL =
Se:

R LVi R + RL

V VZ Zener est ligado; V VZ Zener est desligado.


circuito

b) Substituir o equivalente, e resolver: quando o zener est ligado teremos a seguinte situao:

VL = VZ IR = IR IL PZ = VZ I Z
Ex. 1: No circuito abaixo determine: a) VL, VR, IZ, PZ; b) Repita o item a com RL=5K.

IL = IR =

VL RL VR Vi VL = R R

Vi = 20V

DADOS:

R = 5 K VZ = 15V PZMx = 30mW R L = 2 K

RESOLUO:

a) determinao do estado do diodo:

V L = 13,3V V R = 20 13,3 = 6,7V IZ = 0A PZ = I Z VZ = 0 13,3 = 0W

V =

R LVi 2000 20 = = 13,3V R + R L 1000 + 2000 V > VZ


o zener est desligado.

Como

5000 20 V = = 16,6V 1000 + 5000

b)

Com RL=5K como

V > VZ

o zener est ligado, ento teremos:

Captulo 5 Reguladores

31

VR = Vi VZ = 20 15 = 5V 15 = 3mA 5000 V 5 IR = R = = 5mA R 1000 IL = I Z = 0,005 0,003 = 0,002 = 2mA PZ = 15 0,002 = 30mW

Ex. 2: No circuito abaixo determine: a) VL, IR, IZ, IL se RL=180; b) Repita o item a se RL=470; c) Determine o valor de RL que estabelece as condies de mxima potncia para o diodo zener; d) Determine o valor mnimo de RL que assegura que o diodo zener est no estado ligado.

Vi = 20V
DADOS:

VZ = 10V R = 220 PZMx. = 400 mW

RESOLUO:

a)
Ento: IZ=0

V = VL =

180 20 = 9V 180 + 220

como V<VZ o diodo est desligado.

IR=IL

IR =

20 20 = = 50 mA R L + R 400

b) V = V L =

470 20 = 13,62V 470 + 220

como V>VZ o diodo est ligado.

V R = Vi VZ = 20 10 = 10V 10 = 45,45mA 220 10 IL = = 21,27 mA 470 I Z = I R I L = 45,45 21,27 = 24,18mA IR =


c) Mxima potncia PZmx=400mW

PZ = I Z VZ 0,4 = I ZMx 10 I ZMx = 40 mA IL = IR IZ I L = 45,45 40 = 5,45mA


d) Temos que determinar a corrente mnima do zener:

RL =

VL 10 = = 1830 I L 0,00545

I ZMx 40 = = 4mA 10 10 I L = 45,45 4 = 41,45mA I ZK =

RL =

10 = 241,25 0,04145

Captulo 5 Reguladores

32

5.4.

EXERCCIOS PROPOSTOS

1. Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificaes: tenso da carga de 6,8V, tenso da fonte de 20V 20%, e corrente de carga de 30mA 50%. Considere o uso de um diodo Zener de 6,8V e PZ = 2W. 2. Um regulador zener tem Vz = 15V e Izmax=100mA. VS pode variar de 22 a 40V. RL pode variar de 1k a 50k. Qual o maior valor que a resistncia srie pode assumir?

Transistores

33

CAPTULO 6
TRANSISTORES BIPOLARES
6.1. INTRODUO
O transistor, inventado em 1947 por cientistas da Bell Telephone, para substituir as vlvulas apresentava diversas vantagens. Dentre as vantagens tem-se: menor e mais leve; mais robusto; mais eficiente; no necessita de perodo de aquecimento. Aps o transistor outros dispositivos foram inventados, tendo em sua constituio bsica a presena de milhares de transistores, como o caso do circuito integrado (CI). O transistor bipolar funciona como um dispositivo controlador de corrente sendo utilizado em circuitos amplificadores de sinais ou em circuitos de chaveamento eletrnico, possibilitando assim uma ampla variedade de aplicaes, tais como: equipamentos de som, imagem e de controle industrial; circuitos de alarmes residenciais e industriais; controle de motores.

6.2.

ESTRUTURA BSICA E SIMBOLOGIA

O transistor bipolar um dispositivo eletrnico formado atravs da juno de materiais semicondutores. As junes, em nmero de duas, podem ser formadas por dois semicondutores do tipo P e um do tipo N e denominado de transistor PNP, ou por dois semicondutores do tipo N e um do tipo P denominado de transistor NPN. A configurao da estrutura de um transistor, em forma de sanduche, apresenta duas junes, uma PN e outra NP, da o nome de bipolar, sendo a juno central mais fina como observado nas figuras 6.1a e 6.1b. (a) (b)

Figura 6.1: Tipos de transistores: a) NPN; b) PNP

Os dois tipos de transistores NPN e PNP apresentam as mesmas caractersticas de construo diversificando um do outro apenas pelo fato de que as corrente que circulam pelas junes encontram-se com polaridades invertidas. Cada um dos materiais semicondutores, que formam o transistor, conectado a um terminal atravs do qual realiza-se o contato e a ligao nos circuitos eletrnicos. Estes terminais (figura 6.2) encontram-se definidos como: base (B): terminal conectado ao material semicondutor central P (NPN) ou N (PNP); emissor (E): terminal conectado a um dos materiais semicondutores externos; coletor (C): o outro terminal conectado a um dos materiais semicondutores externos.

B
Figura 6.2: Terminais do transistor

Embora os terminas do coletor e do emissor estejam conectados a um material semicondutor do mesmo tipo, no possvel trocar as ligaes de um terminal com o outro nos circuitos eletrnicos, porque existe diferena de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre os materiais. Os transistores so graficamente simbolizados de acordo com a figura 6.3, que difere entre os dois tipos apenas na seta indicativa do sentido da corrente convencional do emissor.

Transistores

34

C E NPN

C E PNP

Figura 6.3: Simbologia do transistor

Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem. Esta blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas semicondutoras, que tem por finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos eltricos ou magnticos do ambiente. Estes transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem para que esta possa ser ligada ao terra do circuito eletrnico. Observe que a simbologia deste tipo de transistor (figura 6.4) apresenta um quarto terminal.
Figura 6.4: Transistor com um terminal para blindagem

C B E Blindagem

6.3.

ENCAPSULAMENTO DO TRANSISTOR

Os transistores podem se apresentar nos mais diversos encapsulamentos, que variam em funo do fabricante, do tipo de montagem e da potncia. Para se identificar os terminais de um transistor, deve sempre ser feita uma consulta ao manual tcnico do fabricante e atravs de um multmetro realizar as medies entre os terminais para detectar algum defeito. A figura 6.5 exibe a identificao dos terminais de um transistor obtida do manual tcnico do fabricante.

Pino 1 2 3

Descrio emissor base coletor

Figura 6.5: Identificao dos terminais do BC337

Teste de Transistores
Existem equipamentos destinados especificamente ao teste de transistores, que fazem os mais diversos testes no componente. Entretanto, pode-se realizar um teste nos transistores, usando um multmetro, que permite detectar os seus defeitos mais comuns. Da mesma forma, que em um diodo, o teste de transistores com o multmetro no definitivo. Um diodo pode passar no teste som o multmetro e mesmo assim apresentar fuga quando funcionando com tenses elevadas. O teste com o multmetro detecta apenas os defeitos mais comuns nos transistores e diodos: curto em uma juno PN; abertura de uma juno NP. Analisando-se a estrutura de um transistor observa-se uma juno PN entre a base e o coletor que para fins de teste pode ser tratada como um diodo (figura 6.6).

Transistores

35

C N B P N B

C P N P
Figura 6.6: Juno base-coletor do transistor

Da mesma forma, entre a base e o emissor forma-se outra juno PN, que para fins de teste pode ser tratada tambm como um diodo (figura 6.7).

N B P N B

P N P

E
Figura 6.7: Juno base-emissor do transistor

Desta forma verifica-se que o transistor, para fins de teste com o multmetro pode ser tratado como dois diodos ligados em oposio como pode ser observado na figura 6.8.
Figura 6.8: Configurao do transistor

Portanto, a realizao do teste do transistor com o multmetro e feita com o objetivo de se verificar se existe um curto ou uma abertura entre as junes BC (base-coletor) e BE (base-emissor).

B
6.4.

C E

C E

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

O princpio bsico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor o mesmo para os transistores NPN e PNP. Por esta razo, estudando-se apenas um tipo a anlise do outro pode ser similarmente realizada, bastando inverter o sentido de circulao das correntes. A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento dos eltrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina. NPN PNP O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs terminais do transistor. Estas correntes so representadas pelas notaes IE (corrente de emissor), IB (corrente de base) e IC (corrente de coletor), como indicado na figura 6.9.
Figura 6.9: Correntes que circulam pelos terminais do transistor

Uma tenso aplicada entre a base e o emissor (VBE) do transistor do tipo PNP polarizar a juno BE E IB diretamente. Haver um movimento de portadores majoritrios do emissor (P) para a base (N). Chegando na base estes portadores passaro a ser portadores minoritrios, devido a mudana da regio de P para N e, devido a alta resistncia que encontraro uma pequena quantidade sara pelo terminal de base do transistor , enquanto que a maioria ser injetada, atravs da juno NP, no material tipo P conectado ao terminal de coletor. E Com a aplicao da lei das correntes de Kirchhoff ao transistor, e de acordo com a explicao dada no pargrafo anterior, as correntes de base (IB), emissor (IE) e coletor (IC) esto relacionadas atravs da seguinte equao:

Transistores

36

Pequena corrente IB B

Controla

Corrente muito maior IC C

IE = IC + IB O valor da corrente de base e tipicamente da ordem de microampres, enquanto que as correntes de emissor e coletor apresentam valores da ordem de miliampres. Devido a diferena na ordem de grandeza entre a corrente de base e as correntes de emissor e coletor, e a relao entre elas dada pela equao anterior a aproximao a seguir satisfeita: IC = IE

6.5.

CONTROLE DA CORRENTE DE BASE SOBRE A CORRENTE DE COLETOR

A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base exerce um controle sobre a corrente de coletor. Ao aumentar a tenso base emissor (VBE) e conseqentemente aumentando a corrente de base, verifica-se tambm um amento na corrente de coletor. Desta forma, conclui-se que: VBE aumenta Por analogia, pode-se afirmar: VBE diminui IB diminui IC diminui IB aumenta IC aumenta

Desta forma, atravs de um transistor possvel, atravs de uma pequena corrente (IB), controlar a circulao de uma corrente de valor bem maior (IC). A corrente de coletor e a corrente de base esto relacionadas atravs da equao a seguir: IC = .IB O fator definido como ganho de corrente contnua entre base e coletor podendo ser tambm representado por hFE. O valor de pode ser obtido no manual de especificao do transistor e depende das caractersticas do

Transistores

37

transistor e da temperatura de trabalho. O valor de se manter fixo enquanto a temperatura de trabalho do transistor se manter estvel e os limites de operao do transistor, indicados no manual, no forem extrapolados.

6.6.

O CIRCUITO DE COLETOR

Na grande maioria dos circuitos transistorizados o coletor do transistor conectado a fonte de alimentao atravs de um resistor, denominado de resistor de coletor, geralmente abreviado por Rc como visto na figura 6.10.

Figura 6.10: Circuito a transistor com resistor de coletor

O resistor de coletor completa o circuito ou malha de coletor, composto pelo grupo de componentes onde circula a corrente de coletor como indicado na figura 6.11.
Figura 6.11: Malha do coletor

Ainda na figura 6.11 se verifica que a malha Ide coletor composta pelo resistor de coletor Rc em srie C com o transistor (Coletor-emissor), aos quais est aplicada a tenso Vcc. Utilizando a Segunda Lei de Kirchhoff, a equao da malha de coletor dada por: VCC RC.IC VCE = 0

IB

VCC = VRC + VCE

Onde: Vcc a tenso fornecida pela bateria ao circuito. Desconsiderando-se a influncia da resistncia interna pode-se admitir que Vcc tem um valor constante, independente da corrente que o circuito solicitar. VRC a queda de tenso no resistor de coletor. O valor desta queda de tenso, segundo a Lei de Ohm, depende de dois fatores: do valor do resistor (RC) e da corrente que est circulando (Ic) e dada por: VRC = RC.IC. VCE a tenso coletor emissor. Ex.1: Para o circuito da figura 6.12, determine a queda de tenso do resistor de coletor (VRC) e a tenso coletor-emissor (VCE).
Figura 6.12

Soluo: VRC = RC x IC VRC = 680 x 6.10-3 VCE = 12 - 4,1

6mA
VRC = 4,1 Volts VCE = 7,9 Volts

VCE = VCC VRC

A queda de tenso no resistor de coletor RC pode ser determinada atravs de outra equao equivalente, que depender da corrente de base IB. Desenvolvendo a equao da queda de tenso no resistor de coletor tem-se: VRC =RC x IC VRC = RC x ( x IB) (IC = x IB)

Nesta equao os valores de Rc e so constantes, logo se pode dizer que o valor da queda de tenso no resistor de coletor depende diretamente da corrente de base. Calculando-se os parmetros de um circuito a transistor para dois valores diferentes de corrente de

Transistores

38

base, pode-se verificar a relao entre os valores de IB, IC, VRC e VCE. Ex.2: Para o circuito da figura 6.13, determine os valores da corrente de coletor (I C), da queda de tenso no resistor de coletor (VRC) e a queda de tenso coletor-emissor, admitindo-se primeiro uma corrente de base de 40A e depois para uma corrente de base de 70A e compare os resultados encontrados.
Figura 6.13

Soluo: a) para IB = 40A IC = x IB VRC = RC x IC VCE = VCC - VRC IC = 100 x 40.10-6 VRC = 4.10-3 x 820 VCE = 10 3,3 IC = 100 x 70.10-6 VRC = 7.10-3 x 820 VCE = 10 5,8 IC = 4mA VRC = 3,3V VCE = 6,7V IC = 7mA VRC = 5,8V VCE = 4,2V

= 100

b) para IB = 70A IC = x IB VRC = RC x IC VCE = VCC - VRC

Os valores obtidos so mostrados na tabela 6.1. Tabela 6.1: Resultados obtidos Corrente de coletor Tenso no resistor IC de coletor (VRC) 4mA 3,3V 7mA 5,8V

Corrente de base IB 40A 70A

Tenso coletor emissor (VCE) 6,7V 4,2V

Comparando-se os valores obtidos, nas duas situaes, e mostrados na tabela 6.1 conclui-se que: - Se IB aumenta IC aumenta - Se IC aumenta VRC aumenta; - Se VRC aumenta VCE diminui.

6.7.

REGIES DE OPERAO DO TRANSISTOR

No circuito da figura 6.14, variando-se as tenses VBB e VCC, diferentes valores de tenses e correntes podem ser obtidos. Medindo-se os valores de IC e VCE para uma dada corrente de base IB, obtm-se a curva IC x VCE como mostrada na figura 6.15. Observe que para cada valor de IB ter-se- uma curva diferente.
Figura 6.14: Circuito Emisssor comum

VCC

Transistores

39
Figura 6.15: Curva Caracterstica de transistor

IC (mA) 25 60 50 40 30 20 10 1 4 7 20 15 10 5 10 13 16 19 IB (A)

VCE (V)

Definindo-se um valor de trabalho para a corrente de base o transistor poder ser configurado para trabalhar em trs regies de operao, dependendo dos valores da corrente de coletor e da tenso coletoremissor VCE. Estas regies so denominadas de: Regio Ativa; Regio de Corte e; Regio de Saturao.

Na figura 6.15, estas regies esto demarcadas segundo as linhas tracejadas. Alm destas trs regies, existe uma quarta regio de operao, chamada regio de ruptura, onde o transistor no pode trabalhar para no ser danificado. Esta regio ocorre quando a tenso VCE do transistor ultrapassar o seu valor nominal mximo indicado na folha de especificao do transistor. Na figura 6.15 esta regio delimitada pela linha tracejada vertical para VCE maior que 19 V. A regio ativa toda regio compreendida entre as duas linhas verticais tracejadas. Nesta regio a juno Base-Emissor encontra-se diretamente polarizada e a juno Base-Coletor encontra-se reversamente polarizada. a regio normal de operao do transistor onde o mesmo configurado para trabalhar como amplificador. Observa-se que nesta regio a corrente de coletor praticamente constante para uma variao de VCE entre 1 V e 19 V. As outras duas regies, de saturao e de corte, so regies em que o transistor configurado para trabalhar como chave, aberta ou fechada. A regio de corte a regio abaixo da linha tracejada horizontal. Nesta regio, diz-se que o transistor est no corte. O transistor estar funcionando nesta regio como uma chave aberta, devido a no se ter corrente circulando pelo coletor, j que a corrente de base I B igual a zero. Desta forma, quase toda a tenso de alimentao VCC estar sobre o coletor (VC VCC), visto que a corrente de coletor aproximadamente igual a zero. Para o circuito exemplo, como o terminal de emissor encontra-se aterrado, VCE = VC = VCC. Portanto, a tenso de coletor-emissor mxima para o circuito ser alcanada quando o transistor estive no corte. Na regio de saturao o transistor funciona como chave fechada, onde a tenso coletor-emissor VCE apresenta um valor abaixo de 1V. Na figura 6.15 a regio esquerda da linha tracejada vertical mais esquerda. Os manuais tcnicos informam a tenso de saturao de coletor-emissor (VCESAT). Dependendo dos parmetros do circuito a corrente de saturao (ICSAT) ir se modificar, no podendo ultrapassar a corrente mxima permitida pelo transistor e indicada no manual. A corrente de saturao a mxima corrente possvel fornecida para o circuito podendo ser determinada, atravs da malha coletor-emissor, fazendo-se a tenso VCE aproximadamente igual a zero (tenso de saturao). Na figura 6.15, a equao da malha coletor-emissor dada por: VCC RC x IC VCE VE = 0 como VE = 0 e fazendo VCE = 0 (saturao), a equao anterior se resumir em: VCC RC x ICSAT = 0 logo a corrente de saturao, ou seja, a corrente de coletor mxima para o circuito pode ser calculada como:

Transistores

40

I C SAT =

VCC RC

Ex.1: Para o circuito da figura 6.16, responda:

a)

qual o valor da corrente de saturao (ICSAT) e da tenso de corte do coletor. (Considere que o manual indique uma tenso de saturao coletor-emissor VCESAT = 0,3V e uma corrente de corte de coletor ICcorte=0)

b) em que regio de operao o transistor se encontra (corte, saturao ou ativa) c) Caso o transistor no esteja nem no corte nem na saturao, quais mudanas poderiam ser realizadas para que o transistor fosse para o corte e para a saturao.
Figura 6.16

=50

BIBLIOGRAFIA

[1] BOYLESTAD, Robert. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice/Hall do Brasil, 8 Edio, 2004, Rio de Janeiro RJ. [2] MARKUS, Otavio. Ensino Modular - Sistemas Analgicos e Circuitos com Diodos e Transistores. 5 Ed, Editora rica. [3] ALMEIDA, Jos Luiz Antunes. Dispositivos Semicondutores. Ed. rica. 1996.

Anexos A Tabela de Diodos

41

ANEXOS
ANEXO A: TABELA DE DIODOS
1. DIODOS ZENERS
ZENER 1N746A 1N747A 1N748A 1N750A 1N751A 1N752A 1N753A 1N754A 1N755A 1N756A 1N757A 1N758A 1N962B 1N759A 1N964B 1N965B 1N966B 1N967B 1N968B 1N969B 1N970B 1N971B 1N972B 1N973B 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 1N4734A 1N4735A 1N4736A 1N4737A 1N4738A 1N4739A 1N4740A 1N4741A 1N4742A 1N4743A 1N4744A 1N4745A 1N4746A 1N4747A 1N4748A 1N4749A 1N4750A 1N4751A 1N4752A ZENER BZX79C3V3 BZX79C3V6 BZX79C3V9 BZX79C4V7 BZX79C5V1 BZX79C5V6 BZX79C6V2 BZX79C6V8 BZX79C7V5 BZX79C8V2 BZXT9C9V1 BZX79C10 BZX79C11 BZXT9C12 BZX79C13 BZX79C15 BZX79C16 BZX79C18 BZX79C20 BZX79C22 BZX79C24 BZX79C27 BZX79C30 BZX79C33 BZX81C3V3 BZX81C3V6 BZX81C3V9 BZX81C4V3 BZX81C4V7 BZX81C5V1 BZX81C5V6 BZX81C6V2 BZX81C6V8 BZX81C7V5 BZX81C8V2 BZX81C9V1 BZX81C10 BZX81C11 BZX81C12 BZX81C13 BZX81C15 BZX81C16 BZX81C18 BZX81C20 BZX81C22 BZX81C24 BZX81C27 BZX81C30 BZX81C33 TENSO (V) 3,3 3,6 3,9 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 ZENER 1W ----------------------POTNCIA (W) 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ZENER 5W ---------------------

TENSO (V) 2,4 2,7

ZENER 0,5W 1N5221B 1N5223B

Anexos A Tabela de Diodos

42
3.0 3.3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,0 6,2 6,8 7,5 8,2 8,7 9,1 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 27 28 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 120 150 200 1N5225B 1N5226B 1N5227B 1N5228B 1N5229B 1N5230B 1N5231B 1N5232B 1N5233B 1N5234B 1N5235B 1N5236B 1N5237B ----------1N5239B 1N5240B 1N5241B 1N5242B 1N5243B ----------1N5245B 1N5246B 1N5248B 1N5250B 1N5251B 1N5252 1N5254B ----------1N5256B 1N5257B 1N5258B 1N5259B 1N5260B 1N5261B 1N5262B 1N5263B 1N5265B 1N5266B 1N5267B 1N5268B 1N5270B ---------------------------------------------------1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 1N4734A ------------1N4735A 1N4736A 1N4737A 1N4738A ------------1N4739A 1N4740A ------------1N4742A 1N4743A ------------1N4744A 1N4745A 1N4746A 1N4747A 1N4748A 1N4749A 1N4750A ------------1N4751A 1N4752A 1N4753A 1N4754A 1N4755A 1N4756A 1N4757A 1N4758A 1N4759A 1N4760A 1N4761A 1N4762A 1N4763A 1N4764A ----------------------------------------------1N5333B 1N5334B 1N5335B 1N5336B 1N5337B 1N5338B 1N5339B 1N5340B 1N5341B 1N5342B 1N5343B 1N5344B 1N5345B 1N5346B 1N5347B 1N5348B 1N5349B 1N5350B 1N5351B 1N5352B 1N5353B 1N5355B 1N5357B 1N5358B 1N5359B 1N5361B 1N5362B 1N5363B 1N5364B 1N5365B 1N5366B 1N5367B 1N5368B 1N5369B 1N5370B 1N5372B 1N5373B 1N5374B 1N5375B 1N5377B 1N5378B 1N5380B 1N5383B 1N5388B

2. DIODOS GERAIS
TIPO 1N914 1N4148 BB119 BB809 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 USO detetor/alta velocidade detetor/alta velocidade varicap usado em CAF varicap usado em VHF retificador retificador retificador retificador retificador retificador retificador CORRENTE 75ma 200mA ------------------------1A 1A 1A 1A 1A 1A 1A TENSO REVERSA MXIMA 75 volts 75 volts ------------------------50 volts 100 volts 200 volts 400 volts 600 volts 800 volts 1000 volts

ANOTAES

Noes de Eletrnica Analgica Ivanildo Maciel

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