Prctica 3

1 de septiembre de 2012

Generacin de Energa Elctrica: Sistemas Fotovoltaicos Agosto-Diciembre 2012

Prctica 3: Modelo Matemtico de Mdulos FV y sus Curvas V-I. Universidad Autnoma de San Luis Potos, UASLP Coordinacin Acadmica Regin Altiplano Instructor: Dr. Diego Rivelino Espinoza Trejo. e-mail: drespinozat@ieee.org

1.

Marco Terico

Usualmente, las caractersticas V I para un mdulo FV compuesto de Ns celdas fotovoltaicas (FV) en serie se representan por la Ec. (1). Esta expresin es obtenida a travs del circuito equivalente simplicado que se presenta en la Fig. 1. La fuente de corriente Iph modela la corriente generada por la luz, mientras que el diodo representa la unin pn.

I + V -

Iph

ID

Figura 1: Circuito Equivalente Simplicado de una Celda FV. [ I = Iph Is exp ( qV Ns kAT ) ] 1 .

(1)

En este modelo, q es la carga fundamental y su valor es de q = 1.6e19 c, k la constante de Boltzman cuyo valor es k = 1,3806504e23 J/K, Ns es el nmero de celdas en serie, y T la temperatura a la que est expuesta la celda FV. Este modelo presenta tres incgnitas: Iph , Is y A. La corriente Iph se calcula por la Ec. (2): Iph = G(Isc + T ). (2)

Donde G es la irradiacion solar expresada en KWh/m2 , Isc es la corriente de corto circuito en condiciones de prueba estndar (CPE), T es la diferencia entre la temperatura del mdulo FV T , y la temperatura en CPE (T0 ), es decir, T = T T0 . Por ltimo, es el coeciente de 1

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temperatura en corriente del mdulo FV, el cual se proporciona en la hoja de datos del mdulo FV. Por otro lado, la corriente Is se calcula a partir de la Ec. (3): ( ) ||T q exp Ns KT A G [Isc + T ] Is = ( ) T0 ( ) T ||T q GIsc +1 exp Ns KT A Irs Donde Irs es la corriente de saturacin en CPE, y se calcula a travs de la Ec. (4): Irs = [ exp ( Isc
qVoc Ns kT0 A

(3)

].

(4)

Por ltimo, el parmetro A se obtiene a partir de cPE mediante la Ec. (5): q Vm Voc A= . Ns kT0 ln 1 Im
Isc

(5)

En estas expresiones, Voc es el voltaje de circuito abierto, Vm es el voltaje en el punto de mxima potencia (PMP), Isc la corriente de cortocircuito, Im la corriente en el PMP, y el coeciente de temperatura de voltaje. Finalmente, a travs de las Ecs. (1-5) se puede implementar el modelo del mdulo FV con un enfoque sencillo como se muestra en la Fig. 2. En lo siguiente considerar los parmetros del
I + V V -

I = f(V) Ec. (1)

Figura 2: Implementacin en simulacin del modelo mostrado en 1. mdulo S72MC-175, los cuales se muestran en la Tabla 1: 2. Problemas

P1 Use el modelo descrito anteriormente para simular el comportamiento del mdulo FV S72MC175. P2 Verique el modelo del diodo en un libro de electrnica, y compare ste con el modelo presentado en esta prctica. 2

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Tabla 1: Parmetros del Mdulo FV. Parmetro Voltaje de circuito abierto Voltaje en le PMP Corriente de corto circuito Corriente en el PMP Coeciente de temperatura de corriente Coeciente de temperatura de voltaje Nmero de celdas Valor 44,4 V 36.3 V 5,3 A 4,82 A 0,036 0,346 36

P3 Use Matlab/Simulink para realizar las simulaciones necesarias. P4 Construya la curva V I para 5 diferentes radiaciones solares S, incluyendo la medida estndar (1KW/m2 en 25 C). En esta grca considere que la temperatura de las celdas es la estndar. Ubique el voltaje de salida del arreglo V en el eje de las x, y la corriente del arreglo I en el eje de las y. P5 Construya la curva P V para las mismas 5 distintas radiaciones solares S, incluyendo la medida estndar (1KW/m2 en 25 C). En esta grca considere que la temperatura de las celdas es la estndar. Ubique el voltaje de salida del arreglo V en el eje de las x, y la potencia del arreglo I en el eje de las y. P6 Repita los puntos 3 y 4 pero ahora vare la temperatura de la celda a 56 C, mientras que la temperatura de referencia permanece en 25 C. 3. RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS Cual es el punto de mxima potencia? Ante variaciones de irradiacin solar qu pasa con el PMP? Ante variaciones de temperatura qu pasa con el PMP? 4. FECHA DE ENTREGA Mircoles 5 de Septiembre de 2012. En la Hora Clase se analizarn los resultados.