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Dispositivos Eletrnicos o Experimento 5: Transistor MOS.

Prof. Rubens Hideo Korogui 2o Semestre de 2011


Neste experimento determinaremos alguns parmetros que caracterizam o transistor a de efeito de campo MOS. Para este m, utilizaremos o CI 4007, esquematizado na Figura 1, que contm 6 transistores MOS: 3 canal N e 3 canal P . Eles so conectados de maneira e a a formar 3 pares de transistores complementares, cada um com a porta em comum. As portas dos transistores esto protegidas contra descargas eletrostticas atravs de diodos a a e conectados reversamente entre a porta e o substrato.
13 2 1 11 14

12

7 8 3 4 5 10 9

Figura 1: Pinagem do CI 4007 e esquema eltrico. e

Ensaio 1: Regies de operao do MOSFET canal N o ca


Procedimento experimental
1. Monte o circuito esquematizado na Figura 2 a m de analisarmos o comportamento do transistor canal N. 2. Considerando dois valores de VDS , varie o valor de VGS em intervalos de 0,25 [V] at o valor de 5,0 [V], mea o correspondente valor de ID e complete a Tabela 1. e c 3. Considerando 3 valores de VGS , varie o valor de VDS segundo a Tabela 2 e anote os valores correspondentes de ID . 1

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14

10 [k]

3 ID 5

VGG 4

7 VDD

Figura 2: Montagem para o Ensaio 1. VGS [V] VDS = 0,5 [V] ID [mA] VDS = 5 [V] ID [mA]

Tabela 1: Caracter stica ID VGS para o NMOS.

Discusso a
1. Trace, em um mesmo grco, as curvas de ID em funo de VGS para os dois valores a ca de VDS empregados na obteno da Tabela 1. ca 2. A partir das curvas obtidas, determine o valor da tenso de limiar Vt para o NMOS. a

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VDS [V] 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 10,0 12,0

VGS = 2,0 [V] ID [mA]

VGS = 5,0 [V] ID [mA]

VGS = 7,0 [V] ID [mA]

Tabela 2: Caracter stica ID VDS para o NMOS. 3. Trace, em um segundo grco, as curvas de ID em funo de VGS para os dois a ca valores de VDS empregados na Tabela 1. A partir das curvas obtidas, detemine o valor do parmetro a W kn L para o NMOS. 4. Trace, em um terceiro grco, as curvas de ID em funo de VDS para os trs a ca e valores de VGS empregados na obteno da Tabela 2. Comente o comportamento ca das curvas, identicando as regies de operao do transistor. o ca 5. Utilizando as guras do grco do item 4, estime a tenso de efeito Early VA . a a

Regies de operao do MOSFET canal P o ca


1. Monte o circuito esquematizado na Figura 3 a m de analisarmos o comportamento do transistor canal P . 2. Considerando dois valores de VDS , varie o valor de VGS em intervalos de 0,25 [V] at o valor de 5,0 [V], mea o correspondente valor de ID e complete a Tabela 3. e c 3. Considerando 3 valores de VGS , varie o valor de VDS segundo a Tabela 4 e anote os valores correspondentes de ID .

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14 2 ID 10 [k] 3 1 VDD

VGG

Figura 3: Montagem para o Ensaio 2. VGS [V] VDS = 0,5 [V] ID [mA] VDS = 5,0 [V] ID [mA]

Tabela 3: Caracter stica ID VGS para o PMOS.

Discusso a
1. Trace, em um mesmo grco, as curvas de |ID | em funo de |VGS | para os dois a ca valores de VDS empregados na obteno da Tabela 3. ca 2. A partir das curvas obtidas, determine o valor da tenso de limiar Vt para o NMOS. a 3. Trace, em um segundo grco, as curvas de a
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|ID | em funo de |VGS | para os dois ca

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VDS [V] 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 10,0 12,0

VGS = 2,0 [V] ID [mA]

VGS = 5,0 [V] ID [mA]

VGS = 7,0 [V] ID [mA]

Tabela 4: Caracter stica ID VDS para o PMOS. valores de VDS empregados na Tabela 3. A partir das curvas obtidas, detemine o valor do parmetro a W kp L para o PMOS. Compare com o valor do parmetro correspondente ao NMOS. a 4. Trace, em um terceiro grco, as curvas de |ID | em funo de |VDS | para os trs a ca e valores de VGS empregados na obteno da Tabela 4. Comente o comportamento ca das curvas, identicando as regies de operao do transistor. o ca 5. Utilizando as guras do grco do item 4, estime a tenso de efeito Early VA . a a

Referncias e
[1] A. S. Sedra e K. C. Smith. Microeletrnica. Prentice Hall. o [2] P. E. Gray e C. L. Searle. Princ pios de Eletrnica. LTC. o