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Escola Tcnica Estadual Lauro Gomes Gabriel Felipe Gregori Uilton Souza Erick Cavalcanti Wesley

Transistor

So Bernardo do Campo 2010 Escola Tcnica Estadual Lauro Gomes Gabriel Felipe Gregori Uilton Erick Cavalcanti Wesley

Transistor

Prof. Elizabeth Portugus Ensino Tcnico 2C - Matutino

So Bernardo do Campo 2010 SUMRIO


Introduo..................................................................................05 1 - Semicondutores..................................................................06 1. - Formao bsica do tomo.................................................06 2. - Processo de purificao......................................................06 3. - Foras de atrao entre o ncleo e os eltrons..................07 4. - Distribuio dos eltrons nas camadas...............................07 5. - Elementos instveis e estveis...........................................08 6. - Processo de dopagem........................................................08 7. - Comentrio.........................................................................10 2. 2 - Transistor bipolar..........................................................11 3. 3 - Polarizao de transistor.............................................13 4. 3.1 - Estudo da polarizao da base comum...........................14 3.2 - Estudo da polarizao do emissor comum......................15 3.3 - Estudo da ligao do coletor comum...............................16 4 - Circuitos com transistor...............................................17 4.1 - Transistor como corrente de base constante..................19 4.2 - Transistor operando como chave....................................20 4.3 - Circuito com resistor de emissor.....................................21 4.5 - Refletindo o resistor de emissor......................................23 4.6 - A questo da estabilidade do circuito.............................23 4.7 - O Beta e o Alfa...............................................................24

5. 6. 7. 8.

9. 4.8 - O transistor como fonte de corrente constante..............25 4.9 - Transistor como fonte de corrente com divisor de tenso na base..................................................................26 5 - Evoluo dos transistors..............................................28 10. 5.1- A inveno do transistor..................................................30 5.2- Do laboratorio para industria...........................................32 11. 5.3- Transistor se espalha pelo mundo..................................34 12. 6 - Concluso.......................................................................36 7 - Referencias Blibliograficas...........................................37

Introduo
Transistor

Objetivo desse trabalho proporcionar a estudantes tcnicos ou profissionais, uma fonte de estudo sobre o mais importante invento da eletrnica que so os transistores, que revolucionaram a historia toda da tecnologia. Para entender bem o transistor, o trabalho aborda o estudo dos semicondutores para entender bem o processo de dopagem e de diviso de corrente e controle. Tambm abordado como o transistor funciona dentro de um circuito, um assunto que poucos tcnicos entendem realmente, pois realmente muito difcil entender , e aqui est exposto de uma maneira simples um assunto to complexo.

Estudo dos Semicondutores


Formao Bsica dos tomo O atomo formado basicamente por um ncleo, no qual os protons e os neutrons esto presos por uma eletrosfera, onde os eletrons esto posicionados circulando em volta do ncleo, vide figura 1; os prtons tm cargas positivas, ao passo que os eltrons tm cargas negativas, com valores iguais e opostas as do protons. O neutron , como o proprio nome surgere , no tem caraga neutro sendo considerado um subproduto resultante das cargas positivas e negativas dos protons com eletrons. Processo de purificao

Os elementos quimicos tanto o germnio como o silcio que so a base dos semicondutores so encontrados em abundancia na natureza principalmente

na regiao de poos de caldas MG. Quando ele removido do subsolo no seu estado bruto, ele no puro. junto a sua estrutura, esto agregadas diversas impurezas indesejveis, estranhas ao cristal, como por exemplo, ouro, cobre ferro e muitas outras. No seu estado natural ele tem aparencia de um cristal transparente na forma de um basto , com seis faces planas , formando um hexagono. O processo de purificao ao qual o cristal submetido consiste em remover-se todas as impurezas indesejaveis ou pelo menos parte delas , deixando o mais puro possvel , As impurezas remanescentes so prejudiciais na fabricao dos semicondutores (diodos e transistor) , principalmente quando estes so polarizados inversamente. Aps a remoo das impurezas , tornando-se 100% germanio ou silicio ele comporta-se como um isolante.

Foras de atrao entre o ncleo e os eletrons Os eltrons esto presos ao ncleo por duas foras: a fora eletrosttica, que puxa o eltron para o ncleo, mantendo-o preso a ele, e a fora centrifuga que joga o eletron para fora da orbita, devido fora de acelerao do mesmo. A ao conjunta das duas foras faz com que o eletron descreva uma orbita circular em volta do nucleo. Mas dependendo da difrena de foras , o eletron pode abandonar sua orbita original tomando diversas direes. Por exemplo:se a fora eletrostatica for maior que a centrifuga , ou simplesmente se ela no existir a tendencia de que o eletron seja traido pelo nucleo. Se acontecer o contrario , a fora centrifuga for maior , ou se a eletrostatica no existr , o eletron jogado para fora da sua orbita tomando diversas direes.No caso das duas foras serem iguais o eletron descrevera uma orbita circular.

Distribuio dos Eltrons nas camadas O numero de eletrons existentes em um atomo no distribuido de maneira aleatria , mas sim , em amadas ou niveis bem determinados. As camadas so distribuidas do nucleo para fora , identificadas pelas letras K , L , M , N , O e P , como j deve ter visto na escola , e sendo que cada camada suporta um numero maximo de eltrons como podemos observar na tabela ao lado dessa figura. Se tomamos o atomo de germanio como exemplo , com um total de 32 eletrons (z=32) girando em torno do seu nucleo , a distribuio deles nas camadas sera feita obedecendo a seguinte ordem: sero colocados 2 na camad k (com capacidade para 2 eletrons) , os 30 restantes colocados na camada L ( com capacidade para 8) , os 22 restantes na cadamada M (com capacidade para 18) e finalmente os 4 restantes na

camada N. O numero de eletrons posicionados na ultima camada determina a valencia do elemento em questo.Quando a ultima camada termina com um eletron , o material monovalente; com dois , bivalente e assim por diante.Os elementos mais usados na fabricao de semicondutores so:Boro, Galio , Indio , Silicio , Germanio , Fosforo , Arsenio e Antimonio , que so pelo ordem ; trivalente , tetravalente e pentavalente. Os trs primeiros e os tres ultimos so usados como impurezas dopantes , os demias foram estruturado cristal.

Elementos instveis e estveis Como podemos observar atravs da tabela 1, os elementos quimicos tanto o germanio quanto o silicio , possum na sua ultima cmaada somente quatro eletrons , ento nesta condio ele est instavel.Ele s ira atingir a estabilidade , quando a sua ultima camada estiver completa com oito eletrons. Quando permanece instavel significa que ele pode se aproximar tanto do estado de um isolante quanto de um condutor. No estado estavel , o cristal comporta-se como um isolante.Para passar ao estado de um semicondutor necessario introduzir-se na sua estrutura , de mandeira controlada , diversas impurezas dopantes.

Processos de Dopagem Semicondutor intrnseco Um cristal de material semicondutor que contenha no-intecionalmente no mais que apenas um (1) tomo de elemento qumico estranho (qualquer que seja) para cada um bilho (109) de tomos do material em foco, dito semicondutor intrnseco, para caracterizar que as suas propriedades fsicoqumicas so, em essncia (ou "intrinseca", propriamente) as do semicondutor. Note-se que o teor relativo de impurezas ou a razo de impureza para o cristal intrnseco expresso por 1:109 ou, como tambm se usa dizer, 1 ppb (uma parte por bilho). Essa presena diga-se apenas acidental de teor to insignificante (um PPB) no suficiente para interferir na estabilidade tetracovalente do material semicondutor base (germnio ou silcio, usualmente), vale dizer, no processo de manuteno das quebras ou rupturas de ligaes (gerando eltrons e buracos aos pares), e consequentemente, na constncia da recombinao de pares. O cristal permanece, pois, estvel. Contudo, deve ficar suficientemente claro que intrnseco no o mesmo que quimicamente puro, vez que, para esta espcie o teor de impurezas no virtualmente, seno realmente nulo, ausente qualquer trao ou vestgio de elemento estranho. Essa considerao, contudo, tem importncia apenas em pesquisas dedicadas ultra-refinadas.

Semicondutor dopado Em contraste, o cristal de semicondutor que contenha intencionalmente cerca de um (1) tomo de elemento qumico desejado (no qualquer elemento) para cada um milho (106) de tomos do material em foco, dito semicondutor dopado, para assim caracterizar que as suas propriedades fsico-qumicas j no so mais, em essncia (ou "intrinseca", propriamente) as do semicondutor e, sim, ditadas pela presena do (ou dos, pois s vezes se utilizam dois ou mais agregados) dopante(s). Note-se que o teor relativo de impurezas ou a razo de impureza para o cristal dopado expresso por 1:106 ou, como tambm se usa dizer, 1 ppm (uma parte por milho). Assim, semicondutores dopados para controle exibem cerca de mil vezes mais "impurezas" que os semicondutores intrnsecos. Dopados, pois, em teores na faixa citada (cerca de 1 ppm), dizem-se semicondutores extrnsecos. Quando o nvel de dopagem (ou de impurezas) significativamente mais elevado, eventualmente descontrolado, dizem-se semicondutores degenerados. Aceitadoras e doadoras Como impurezas qumicas elementares aceitadoras eletrnicas figuram boro, alumnio, glio, ndio e tlio, com uso mais frequente do ndio (todos trivalentes), permitindo, portanto, a constituio de cristais semicondutores controlados tipo P. Como impurezas qumicas elementares doadoras eletrnicas comparecem fsforo, arsnio, antimnio e bismuto, com uso mais frequente do fsforo (todos pentavalentes), permitindo, assim, a constituio de cristais semicondutores controlados tipo N. Cristais semicondutores dopados do tipo P apresentam lacunas como portadores majoritrios de carga eltrica (eltrons sendo minoritrios). J o contrrio ocorre com os cristais semicondutores dopados do tipo N, que apresentam eltrons como portadores majoritrios de carga eltrica (sendo as lacunas os minoritrios). Isso faz toda a diferena de comportamento entre os dois tipos de cristais dopados e precisamente do "casamento", conotativamente, de ambos os tipos em vrias modalidades que nasce a Eletrnica semicondutora em toda a sua pujana.

Comentrios

Durante todo o processo de dopagem visto acima, partimos do principio que era adicionado ao semicondutor, tanto P como N, s uma impureza dopante, mas na pratica no uma mais sim milhares delas provocando isso o surgimento de milhares de cargas moveis tanto eltrons quanto lacunas,

vagando na estrutura o semicondutor. Independente do smeicondutor ser do tipo P ou N ele neutro, As impurezas dopantes adicionadas tem igual numero de cargas negativas (eletrons) e de cargas positivas (protons), o mesmo acontece com tomos de estrutura, tambm esto completos com quatro eltrons e quatro prtons. Na estrutura, como um todo, no houve ganhado nem perda de cargas ,assim como aps o processo de dopagem , ele continua neutro.

Transistor Bipolar
Entre os anos de 1904 e 1947 a vlvula indubitavelmente foi o dispositivo eletrnico de maior interesse e desenvolvimento. Em 1904, o diodo a vlvula foi criado por J.A Fleming.Log. depois,em 1906.Lee De Forest adicionou um terceiro elemento chamado de grade de controle ao diodo a vlvula eletrnica,resultando no primeiro amplificador trio do.Nos anos seguintes, o radio e a televiso proporcionaram um grande estimulo a industria de vlvulas.A produo subiu de aproximadamente um milho de vlvulas em 1922 para cerca de cem milhes em 1937. No inicio da dcada de 30, o tetrodo de quatro elementos e o pentodo de cinco elementos ganharam proeminncia na indstria de vlvulas eletrnicas. Com o passar dos anos, essa indstria tornou-se uma das mais importantes, obtendo rpidos avanos em termos de projetos, tcnicas de fabricao, aplicaes de alta potncia, alta freqncia e miniaturizao. No entanto, em 23 de dezembro de 1947, a indstria eletrnica estava prestes a experimentar um redirecionamento de interesse e desenvolvimento. Na tarde daquele dia, Walter H Brattain e John Bardeen demonstraram a funo de amplificao do primeiro transistor nos laboratrios da empresa Bell Telephone. O transistor original (um transistor de contato de ponto).

S vantagens de dispositivo de estado slido de trs terminais em relao vlvula eram obvias era menor, mais leve, no necessitava de aquecimento nem apresentava perda por aquecimento; era mais robusto e eficiente, pois absorvia menos potencia; estava pronto para o uso sem a necessidade de um perodo de aquecimento e, ainda, funcionava com tenses de operaes mais baixas. A abreviao TBJ, transistor bipolar de juno (em ingls, BJT- bipolar junction transistor), normalmente aplicada a esse dispositivo de trs terminais bipolar vem do fato de que lacunas e eltrons participam do processo de injeo no material com polarizao oposta. Se apenas um portador empregado (eltron ou lacuna), o dispositivo considerado unipolar. O principio do transistor controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente eltrica entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transistor. A extremidade soa chamadas de emissor e coletor, e a camada do centro chamada de base. O transistor bipolar formado por trs regies alternadas de materiais semicondutores tipo P e tipo N, de modo a se obter duas junes. Vemos esquematizados, os dois tipos existentes de transistores bipolares, o PNP e o NPN, dependendo da regio que a intermediria. A operao bsica do transistor agora ser descrita utilizando um transistor pnp da figura 3.2. A operao do transistor npn exatamente a mesma se as funes das lacunas e eltrons so trocadas Na figura 3.3 o transistor pnp foi redesenhado sem a polarizao base-coletor. Observe as semelhanas entre essa situao. A regio de depleo teve a largura reduzida devido tenso aplicada resultando em um fluxo denso de portadores majoritrios do tipo p para o material tipo n. Removeremos agora a polarizao base-emissor do transistor pnp da figura3. 2 como mostrado na figura 3.4. Note a semelhanas entre essa situao .Lembre-se de que o fluxo de portadores majoritrios zero, o que resulta em apenas um fluxo de portadores minoritrios, como mostra a figura 3.4. Portanto: Uma juno p-n de um transistor e polarizada reversamente, enquanto a outra polarizada diretamente. Na figura 3.5, os dois potenciais de polarizao foram aplicados a um transistor pnp, com o fluxo de portadores majoritrios e minoritrios resultante indicados. Observe na figura 3.5 a largura das regies de depleo indicando claramente qual juno est polarizada diretamente e qual est polarizada reversamente. Como indica a figura 3.5, muitos portadores majoritrios vo se difundir do material do tipo n atravs da juno p-n polarizada diretamente . A questo , ento, se esses portadores contribuiro diretamente para a corrente de base Ib ou se passaro diretamente para o material do tipo p. Como o material do tipo n muito fino e tem baixa condutividade, um numero muito baixo de tais portadores seguira esse caminho de alta resistncia para o terminal da base. O valor da corrente de base da ordem de microamperes, enquanto a corrente do coletor e emissor e de miliamperes. A maior parte desses portadores

majoritrios entrar atravs da juno polarizada reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do coletor.

POLARIZAO DOS TRANSISTORES


Convenes relacionadas ao transistor bipolar. Nomenclatura dos terminais. Os trs terminais de um transistor recebem os nomes de emissor, base e coletor, da mesma maneira que os terminais de um diodo so chamados de catodo, grade e placa. A Fig.3.10 mostra um transistor PNP e um NPN com a denominao dos terminais e a representao simblica que usaremos daqui por diante em todos os circuitos. Os nomes escolhidos para os terminais do transistor justificam-se da seguinte maneira: o terminal da esquerda chamado emissor, pois aquele que emite os portadores de carga em direo parte central chamada de baseportadores esses que so recolhidos ou coletados pelo terminal direito, conseqentemente chamado coletor. Na representao simblica,o transmissor PNP diferencia-se do NPN unicamente pelo sentido da seta representativa do terminal emissor. Podemos reparar que esse sentido est de acordo com a direo convencional da corrente eltrica: no transistor PNP, o emissor, sendo do tipo P, Emite buracos cujo sentido de deslocamento coincide com a corrente convencional; no caso do transmissor NPN, o emissor, tambm emite portadores para base, mas, como nesse caso se trata de eltrons a corrente por eles produzida ter o sentido inverso do deslocamento desses portadores e, portanto, para fora do transistor. O sentido de deslocamento real,fsico,dos buracos e dos eltrons,bem como o sentido das correntes convencionais nos transistores PNPeNPN,so indicados na Fig.3.11.Nesta figura,estamos agora usando as correntes Ele,Ib,Ic,respectivamente,correntes de emissor,base e coletor.

LIGAES: Existem trs maneiras de ligar um transistor bipolar num circuito, dependendo de qual terminal comum entrada e sada, sendo tais configuraes indicadas nas Fig.3.1 Na Fig.3.17(a), vemos que a base comum entrada e sada do circuito; essa ligao chama-se ligao ou configurao base comum (abreviada de ligao BC), s vezes ainda chamada base em terra, porque, geralmente, colocamos o terminal comum na terra do circuito. Vemos ainda que essa

ligao exatamente aquela que utilizamos para descrever anteriormente o funcionamento de um transistor,quando procuramos verificar a relao existente entre a corrente de coletivo (corrente do terminal de sada) e a cor ente do emissor (corrente do terminal de entrada). As Figs. 3.17(b) e 3.17(c) ilustram as duas outras possibilidades para ligao de um transistor: a ligao emissor comum (ou emissor terra) e coletor comum (ou coletor terra), abreviadas, respectivamente, por ECeCC. O leitor pode facilmente verificar a correspondncia entre as ligaes de um transistor e as ligaes de um triodo: grade comum, catodo do comum e placa comum, respectivamente. ESTUDO DA POLARIZAO BASE COMUM. Consideremos, por exemplo, um transistor PNP, ligado com base comum como est indicado na Fig.3.18. Inicialmente, observamos que o transistor est polarizado normalmente, isto a juno base-emissora polarizada diretamente e a juno coletora,inversamente (na pratica,pode utilizar apenas uma bateria para a polarizao das duas junes, com a ajuda de um circuito de polarizao resistivo). Se abrirmos o circuito no terminal do emissor, a corrente neste terminal ser nula conforme ilustra a Fig.3.19. Neste caso, estaremos em presena de um diodo (coletor-base) polarizado inversamente, circulando no mesmo a corrente de fuga que chamaremos de Icbo. conveniente explicarmos ETA nomenclatura para as correntes de fuga. De um modo geral, nesta nomenclatura, os dois primeiros ndices representam os terminais entre os quais os parmetro medido, o ultimo, o estado em que se encontra o terceiro terminal. Por exemplo, Icbo representa a corrente de fuga entre o coletor e a base, quando o emissor est aberto; do mesmo modo, Iceo representa a corrente de fuga entre o coletor e o emissor, quando a base est aberta. Se, agora fecharmos o circuito de entrada, de acordo com a Fig.3.18, ser injetado uma corrente pelo emissor. Sabemos que aparecer no coletor essa mesma corrente de emissor multiplicada pelo ganho de corrente do transistor,mais a corrente Icbo que j existia na ausncia de Ele.A expresso da corrente do coletor Ic ser,ento: Ic=Icbo+*Ie, onde *=ganho de corrente. Variando a resistncia em serie com o emissor, podemos variar a corrente do emissor. Crescendo o valor de Ie, obtemos os valores correspondentes de Ic, usando a formula acima. ESTUDO POLARIZAO EMISSOR COMUM. Na ligao emissor comum, o terminal comum entrada e sada o emissor. Essa ligao tambm chamada emissor em terra, porque o terminal comum geralmente colocado na terra do circuito. A entrada o terminal da base e a sada continua sendo o coletor (Fig.3.30) No funcionamento normal do transistor, as regras de polarizao j explicadas devem se respeitadas, em qualquer ligao: juno emissor-base polarizada diretamente e juno coletor-base polarizada inversamente. No caso do transistor PNP da Fig. 3.30, a juno base-emissor polarizada diretamente por meio da bateria Vbb e a juno coletor-base inversamente, pela bateria

Vcc, com o terminal negativo no coletor. Novamente, salientamos que, em geral, no so usadas duas baterias para polarizao do transistor, mas uma s, com auxilio de um divisor resistivo. Nesta nova ligao, estamos interessados na relao entre as correntes do coletor e da base, respectivamente, grandezas de sada e de entrada. Ora, j conhecemos a relao entre a corrente do coletor e a do emissor, apresentada no estudo da ligao base comum. E conhecemos tambm a relao que existe entre as trs correntes do transistor, pois j vimos que a corrente de base a diferena entre as correntes do emissor e do coletor. Por analogia, conclumos, ento, que o parmetro o ganho de corrente em emissor comum, isto , a relao entre as correntes de sada e entrada, da mesma maneira que foi definida como ganho de corrente em base comum. necessrio frisar que esses ganhos so internos, intrnsecos do transistor: os ganhos reais dos circuitos iro depender das resistncias colocadas nos mesmos. Alm disto, salientamos que devemos considerar como sendo os ganhos DC ou AC do transistor, dependendo de que analise esteja sendo feita. ESTUDO DA LIGAO COLETOR COMUM. A terceira maneira de ligar o transistor colocar o coletor como terminal comum, obtendo-se a configurao coletor comum, tambm chamada coletor em terra, ou ainda, seguidor de emissor, (Fig. 3.40). O terminal de entrada a base e o de sada agora o emissor, em vez do coletor, como na ligao emissor comum. O ganho de corrente de ligao CC ligeiramente superior ao da ligao EC (porque, para o mesmo valor de Ib,Ie ligeiramente maior que Ic), mas, em primeira aproximao , pode-se considerar o ganho de corrente da ligao CC como sendo igual. Quanto ao ganho em tenso, prova-se que sempre menor que a unidade, da mesma maneira que o ganho em corrente da ligao BC menor que um. Conseqentemente, o ganho em potncia da ligao CC geralmente, menor que o da ligao EC. Do estudo acima para as trs ligaes, conclui que do ponto de vista da amplificao EC a que apresenta as melhores caractersticas, pois fornece amplificao de corrente e tenso e, portanto ganho de potencial elevado. conseqentemente a ligao mais utilizada. A ligao BC capaz de fornecer amplificao de tenso, mas no de corrente, e a ligao CC fornece amplificao de corrente, mas no de tenso. Ambas as ligaes tem, portanto, ganhos de potencia reduzida e so utilizadas em casos especiais, principalmente quando se exige obter circuitos com impedncias de entrada ou sadas ele evadas ou reduzidas. Apos o estudo do prximo item, estaremos em condies de concluir com mais preciso acerca das propriedades das trs ligaes do transistor.

Analise de Circuitos com Transistor


Para analisar um circuito com transistor voc devera usar as j conhecidas leis da eletrnica: Lei de Ohm. Lei das Malhas Lei dos nos. A diferena agora consiste na incluso na equao de malhas das equaes do transistor:

A equao mais importante e a do ganho do transistor:

A queda de tenso entre a base e o emissor sera de 0,7 para transistores de silcio, que so a maioria do mercado, no entanto para transistores de germnio esta tenso sera de 0,3V. Vbe=0.7V A equao da corrente de emissor possui duas verses: Equao exata considerando a corrente de emissor como a soma da corrente de base com a corrente de coletor. Equao aproximada que considera a corrente de emissor igual a corrente de coletor. Na pratica vamos considerar a corrente de emissor igual a corrente de coletor desde que o ganho seja muito maior do que 10. Este e o caso da maioria dos circuitos e esta e a equao que voc deve usar na analise dos circuitos deste trabalho! Ie=Ib+Ic=Ic

A Corrente de Fuga

O transistor e o diodo so formados por junces semicondutoras que permitem que a corrente circule somente em um sentido. O sentido exato depende do tipo de transistor: No transistor NPN existe uma corrente circula entre a base e o emissor e outra entre o coletor e o emissor. No transistor PNP existe uma corrente circula entre o emissor e a base e outra entre o emissor e o coletor. Estas so mostradas na figura abaixo!

Quando o transistor esta cortado no existe corrente na base nem corrente no coletor, no entanto na pratica aparece uma pequena corrente reversa tanto na base como no coletor esta corrente e chamada de corrente de fuga e e indicada pelo simbolo: IO A corrente de fuga e desprezada na maioria das vezes, no entanto em circuitos que trabalham com sinais muito pequenos (da ordem de mili volt) estas correntes podem ter uma grande influencia no circuito. A corrente de fuga e gerada internamente ao transistor e depende da energia que esta incidindo sobre o transistor. Destas energias a temperatura e a que tem maior influencia pelo aparecimento da corrente de fuga, mas energias como a luz e radiaes eletromagnticas tambm podem gerar a corrente de fuga. A corrente de fuga pode ser considerada uma praga na maioria dos circuitos, no entanto existem casos em que pode ser usados para detectar a presena de outros tipos de energia, assim, transistores podem ser usados para medir temperatura e intensidade de luz! Uma das principais aplicaes da deteco da corrente de fuga e em sensores de luz como o foto transistor e foto diodo! O surgimento da corrente de fuga com a variao da energia e devido ao surgimento de cargas eltricas no cristal semicondutor que compe um transistor. Esta e uma caracterstica intrnseca do semicondutor.

A variao do ganho beta


Um aspecto importante quanto ao ganho do transistor e que o ganho beta pode variar, diferente do valor de um resistor que e preciso. Existem trs fatores importantes que podem alterar o valor do beta: O beta varia com a temperatura. O beta varia de um componente para outro. O beta varia com a luz. A variao do ganho beta com a variao da temperatura e devido a caracterstica intrnseca do transistor, como foi visto no capitulo anterior, assim como a temperatura a luz e outras formas de energia tambm alteram o ganho beta do transistor. , A variao do beta com a luz no ocorre em transistores encapsulados, uma vez que a luz no alcana o interior do transistor. A variao do ganho de um componente para outro e devido a dificuldade do fabricante construir dois transistores perfeitamente iguais, assim, a maioria dos manuais especifica uma faixa para o ganho beta do transistor, por exemplo, entre 100 e 500! A variao do ganho beta e um grande problema na maioria dos circuitos, e pode ser considerado um defeito do semicondutor. Em dias quentes o circuito opera de maneira diferente de dias frios, o aumento da temperatura pode fazer um aparelho eletrnico parar de funcionar! Muitos aparelhos eletrnicos possuem sistemas prprios de refrigerao que vai de um simples ventilador (cooler) ate um equipamento de ar condicionado. Alguns componentes so construdos para usarem esta falha, e o caso dos sensores de temperatura com semicondutor, estes so dispositivos bem prticos, fcil de usar e de grande preciso, no entanto so suados para medir temperaturas baixas ate 500oC, como por exemplo, o LM35! Voc vera nos captulos posteriores que os circuitos eletrnicos so projetos para dependerem o minimo possvel do ganho beta e serem menos dependentes da temperatura.

O transistor com corrente de base constante


Este e o circuito mais simples utilizando transistores, nele a corrente de base e fixada pela resistncia RB e a corrente de coletor IC e funo da corrente de base. A corrente de base pode ser determinada pela malha por onde esta corrente circula! A corrente de coletor e determinada pela caracterstica do transistor. A tenso entre o coletor e o emissor VCE pode ser determinada pela malha por

onde circula a corrente de coletor IC!

Analise do circuito: Determinando a corrente de base pela malha 1 em azul!

Determinando a corrente de coletor via caracterstica do transistor! IC = .IB Determinando da tenso coletor emissor VCE via malha da corrente de coletor em verde!

Circuito de transistor operando como chave


Um transistor opera como chave quando opera em dos dois estados: Saturado ou cortado. Um transistor esta cortado quando a corrente de de coletor e zero, isto ocorre quando a corrente de base e zero! Um transistor esta saturado quando a tenso VCE se aproxima de zero, neste trabalho vamos considerar como sendo zero, na pratica esta tenso pode variar de zero volt ate meio volt! Este tipo de aplicao e muito comum em circuitos digitais. O circuito de um transistor operando como chave e mostrada abaixo note que e o mesmo circuito da corrente de base constante, no entanto a

corrente de base e bem maior nesse circuito do que o circuito anterior de forma a forcar uma corrente de coletor tao grande que a queda de tenso sobre o circuito de coletor e igual a tenso de alimentao, restando zero volt par a tenso VCE! Uma forma de forcar o transistor a saturar e calcular o circuito de base para uma corrente de 10% da corrente de coletor, isto e, considerar o beta como sendo 10. Esta alternativa funciona bem para transistores com ganho beta maior do 20, quanto maior o ganho mais garantido de que o transistor esta operando na saturao! Se o ganho beta do transistor variar um pouco, isto no vai influir no circuito uma vez que o beta considerado no calculo e muito menor do que o beta real! Uma alternativa para determinar o resistor de base e considerar este resistor como 10xRC do valor do resistor de coletor!

Circuito com Resistor de Emissor


Um

circuito com resistor de emissor e melhor do ponto de vista da variao do ganho com a temperatura. Este tipo de circuito e mostrado na figura abaixo.

Para analisar este circuito voc tem duas malhas: Malha da corrente de base e malha da corrente de coletor. Olhando para a corrente de base:

Observe que a tenso no resistor de emissor e a soma da corrente de base com a corrente de coletor. Se voc aplicar a relao do transistor para determinar IC voc conseguira determinar a corrente de base!

A equao da corrente de base pode ser simplificada se o beta for maior do que dez, e, isto e o que ocorre na pratica, assim, a equao anterior pode ser reduzida a equao abaixo:

Note que esta equao e similar a equao do circuito com corrente de base constante considerando um resistor extra no circuito de base constituda do produto do resistor de base multiplicado pelo ganho beta do transistor! A corrente de coletor e determinada pela j conhecida relao do transistor Tendo a corrente coletor e possvel determinar a tenso em cada um dos componentes e ento voc pode isolar a tenso entre o coletor e o emissor VCE!

Refletindo o Resistor de Emissor


Baseado na equao da corrente de base levantada no circuito do paragrafo

anterior e mostrada abaixo voc pode usar uma tcnica que simplifica o circuito para determinar a corrente de base.

Note que a equao e similar a equao do circuito com corrente de base constante desde que voc considere que a parcela .RE e simplesmente um novo resistor colocado no circuito de base, este novo resistor e o resistor de emissor refletido na base! Quando voc reflete o resistor de emissor para a base ele passa multiplicado pelo valor do beta do transistor! O circuito equivalente com o resistor de emissor refletido na base e mostrado abaixo. Notar que esta tcnica serve para simplificar o circuito para determinar a corrente de base, o restante do circuito continua como antes!

A questo da estabilidade do circuito


Observe que o circuito com resistor de emissor apresenta uma boa estabilidade, isto pode ser visto a partir da equao da corrente de base mostrada abaixo!

Se temperatura aumentar o valor do ganho beta do transistor, no circuito com um resistor somente na base, sem resistor de emissor, a corrente de coletor aumenta

de forma proporcional ao ganho beta do transistor, pois, a corrente de coletor e a corrente de base multiplicada pelo ganho beta do transistor! J no circuito com resistor de emissor quando o ganho beta aumentar devido a temperatura o valor do denominador na equao acima tambm aumenta e a corrente de base diminui, mantendo a corrente de coletor mais estvel! A experiencia mostra que para um circuito ter uma boa estabilidade com respeito a variao do beta com a temperatura a tenso sobre o resistor de emissor deve ser da ordem de 10% da tenso de alimentao VCC! Estabilidade=> VRE = 0,1VCC

O Beta e o Alfa
Como voc j sabe o ganho beta () do transistor e a relao entre a corrente de coletor e a corrente de base, e a indicao de quantas vezes o transistor amplificou a corrente que entrou na base e saiu no coletor! Existe um segundo parmetro no transistor chamado de alfa () que mede a relao entre a corrente de coletor e a corrente de emissor para uma tenso VCB constante. Na maioria dos circuitos voc deve considerar a corrente de coletor igual a corrente de emissor, mas na verdade a corrente de coletor e um pouco menor do que a corrente de emissor, pois, a corrente de emissor e a soma da corrente de coletor mais a corrente de base.

O valor do alfa e bem prximo de um, uma vez que, que a corrente de coletor e emissor possui praticamente o mesmo valor. Quando voc considera a corrente de coletor igual a corrente de emissor voc esta atribuindo o valor de um para o alfa! Existe uma relao entre o beta e o alfa, esta relao pode ser levantada em funo da corrente de base e e mostrado a seguir!

Como: IC = b .IB

O transistor como fonte de corrente constante


O circuito do transistor como fonte de corrente e mostrado na figura abaixo, note que este circuito tambm usa um resistor de emissor, no entanto a tenso entre a base e o terra e fixada pela tenso do zener tornando este circuito muito mais estvel do que o circuito somente com o resistor de emissor. No circuito do transistor como fonte de corrente constante a corrente de coletor e fixada pela corrente no resistor de emissor. A corrente no emissor pode ser determinada pela malha que passa por VB (em vermelho na figura)!

Analisando a malha de entrada em vermelho para determinar a corrente de coletor:

Observe que a corrente de coletor no depende do beta, isto torna este circuito praticamente imune as variaes do beta! Na verdade este circuito apresenta uma soluo simplificada uma vez que

considera a corrente de coletor igual a corrente de base, na pratica a influencia da corrente de base presente emissor altera muito pouco a de emissor, esta relao e exatamente o fator alfa! Note que a tenso de base VB e exatamente a tenso sobre o zener!

Transistor como fonte de corrente constante com divisor de tenso na base


A filosofia deste circuito e a mesma do circuito com zener, a diferena e que a tenso VB so e determinada pela tenso de um zener, mas, pela tenso de um divisor de tenso! O circuito com zener e mais preciso do que o circuito com divisor de tenso, no entanto, o circuito com resistor e mais simples. Este circuito e o preferido para polarizar o transistor, isto e, fazer o transistor funcionar com amplificador (VCE > zero volt)!

Analise do circuito: Para que este circuito funcione bem a corrente que passa pelos resistores RB1 e RB2 deve ser bem maior do que a corrente que entra na base, para isto o projetista do circuito deve considerar esta corrente como sendo 10% da corrente de coletor e usar um transistor com ganho beta maior do que 100, quanto maior o ganho beta tanto mais estvel sera o circuito! A tenso no resistor RE e fixada pela tenso VB como no caso do diodo zener,

somente que agora a tenso VB e determinada pelo divisor de tenso formado por RB1 e RB2. As equaes do circuito so mostradas abaixo:

Para efeito de projeto voc devera considerar que a corrente nos resistores do divisor de tenso sera igual a 10% da corrente de coletor. O transistor devera ter um ganho beta alto, maior do que 100. Para dar um circuito uma boa estabilidade quanto a variao do beta a tenso sobre o resistor de emissor devera ser de 10% da tenso de alimentao e ainda para que o transistor possa operar com segurana como amplificador a tenso VCE devera ser especificada como metade da tenso de alimentao!

Evoluo do Transistor
EVOLUO DOS TRANSISTORES. Um fabuloso dispositivo eletrnico que encontrou lugar em todo tipo de aparelhos e equipamentos eletrnicos e que mudou drasticamente nossas vidas : o transistor. Desde a hora em que acordamos de manh at a hora em que vamos para a cama noite, estamos a todo momento em contato com aparelhos e equipamentos repletos de transistores -- como rdios, televisores, relgios digitais, fornos de microondas, telefones, carros, avies, etc. Sem falar, claro, do computador.

Os computadores de hoje possuem diversos microchips, cada um contendo milhares ou at milhes de transistores. Inventado por cientistas do Bell Telephone Laboratories no dia 16 de dezembro de 1947 (cinqenta anos depois da descoberta do eltron por Joseph John Thomson e cem anos depois do nascimento de Alexander Graham Bell ) o transistor valeu aos seus inventores o prmio Nobel de fsica de 1956. citado na edio de janeiro de 1998 da revista Proceedings of the IEEE (edio comemorativa dos 50 anos do transistor) como "a inveno da engenharia eltrica mais revolucionria do sculo 20, cujo impacto sentido a todo momento, em todo lugar na era da informao". A histria do transistor comea h mais de cinqenta anos, em 1947. A Segunda Guerra havia terminado, e as indstrias de todo o mundo procuravam tomar novos rumos. Armas e equipamentos blicos no eram mais a prioridade. A economia do ps-guerra trazia novas necessidades. A expanso das telecomunicaes e da informtica naquele perodo, por exemplo, era bastante promissora. Contudo, a tecnologia da poca no favorecia esse desenvolvimento potencial. Sistemas telefnicos, equipamentos de telecomunicaes e computadores empregavam um grande nmero de dispositivos amplificadores e comutadores. Mas os sistemas eletromecnicos disponveis eram lentos, pouco confiveis e dissipavam grande quantidade de calor. Um desses dispositivos eletromecnicos amplamente utilizados era o rel. A limitao dos rels era sua velocidade ( levavam cerca de um milsimo de segundo para abrir ou fechar um contato). Havia ainda a vlvula, cujo funcionamento baseava-se no fluxo de eltrons no vcuo. A vlvula podia comutar e amplificar, e como os eltrons podiam viajar velozmente no vcuo, era bem mais rpida que o rel (cerca de um milho de vezes mais rpida). Mas o problema que as vlvulas exigiam fornecimento de energia constante e sua vida til era bastante limitada. Assim, a vlvula era boa em aplicaes que empregavam um pequeno nmero delas. Onde milhares eram necessrias, como em computadores, a vlvula no era adequada. Os semicondutores A busca de tecnologias alternativas foi uma conseqncia natural. Cientistas em laboratrios de todo o mundo estavam em busca de um dispositivo eletrnico que substitusse rels e vlvulas. Na poca, os cientistas estudavam as propriedades eltricas de todo tipo de material. Submetiam amostras a dezenas de testes e classificavam os materiais em dois grupos: aqueles que conduziam eletricidade, os condutores, e aqueles que no conduziam, os isolantes(ou dieltricos). Mas, depois de muitos testes, uma surpresa: alguns materiais no se comportavam nem como condutores nem como isolantes: ora conduziam corrente eltrica ora a bloqueavam. Descobriu-se os semicondutores e surgiu finalmente uma alternativa tecnolgica interessante para os rels e vlvulas. Percebeu-se que esse comportamento conduz/no conduz dos semicondutores podia ser usado para construir comutadores e moduladores eletrnicos. A grande expectativa era que o emprego de dispositivos construdos com semicondutores prometia inmeras vantagens: eltrons viajando pequenas distncias em um slido, nada de partes mveis, nada de filamentos aquecidos e nada de vcuo. Deveria ento ser rpido, barato e confivel.

No vero de 1945, um grupo de pesquisa neste campo foi organizado no Bell Telephone Laboratories em Murray Hill, estado de New Jersey, nos Estados Unidos. A iniciativa foi do diretor de pesquisas do Bell Labs, Mervin Kelly. H anos Kelly sonhava em encontrar um substituto eletrnico para os rels do sistema telefnico. Ele havia organizado um programa de pesquisa com esse objetivo na dcada de 30, mas o trabalho foi interrompido com a guerra. Com o fim da guerra, o programa foi reativado. No incio de 1946, o grupo j estava praticamente formado. O fsico William Shockley, o engenheiro eltrico John Bardeen e o fsico Walter Brattain.

Da esq. para dir., Bardeen, Shockley e Brattain Os cientistas estava surpresos com as pesquisas de dispositivos que empregavam germnio e silcio em detetores para radar. Esperava-se descobrir outras propriedades promissoras desses materiais semicondutores. Dessa forma, por volta de janeiro de 1946, duas decises crticas foram tomadas. A primeira foi a deciso de focalizar a ateno do grupo em cristais de silcio e germnio, ignorando outros materiais mais complexos utilizados em outras pesquisas. A segunda deciso consistiu em investigar o efeito de campos eltricos em semicondutores. Shockley imaginou que seria possvel alterar a condutividade de um pequeno bloco de germnio aplicando sobre sua superfcie um campo eltrico adequado. Esse campo poderia modificar a distribuio de cargas eltricas no corpo do semicondutor e, consequentemente, alterar sua capacidade de conduzir eletricidade. Tipicamente, o campo era criado aplicando-se uma tenso a uma placa de metal prxima, porm isolada, do material semicondutor. Variando-se a tenso na placa de metal, podia-se variar a corrente fluindo atravs do semicondutor, obtendo-se assim um ganho de potncia. Contudo, todas as tentativas nesse sentido foram frustradas. Foi Bardeen quem descobriu por qu. Ele sugeriu que o campo eltrico aplicado no penetrava apropriadamente no semicondutor. Isso devia-se a cargas eltricas imveis, situadas na superfcie do material. Essas cargas, embora em nmero reduzido, acabavam por criar uma blindagem que "protegia" o semicondutor do campo eltrico aplicado. Brattain conduziu experimentos que confirmaram o modelo proposto por Bardeen. Finalmente algum progresso era feito. A inveno do transistor

Os pesquisadores do Bell Labs tentaram, ento, encontrar formas de minimizar o efeito das cargas na superfcie. Tentaram diversos tipos de montagens e configuraes a fim de verificar o to esperado efeito de campo. No dia 16 de dezembro de 1947, em uma dessas montagens, Brattain utilizou dois contatos de ouro separados por apenas alguns milmetros e pressionados contra a superfcie de um pequeno bloco de germnio. Com as devidas tenses eltricas aplicadas, os cientistas verificaram que uma corrente eltrica flua pelo material semicondutor, configurando assim o efeito de amplificao to desejado (efeito transistor). O primeiro transistor construdo por Bardeen e Brattain ficou conhecido como transistor de ponto de contato. Esse transistor fazia o trabalho de uma vlvula termoinica sem requerer um anodo de alta tenso e um catodo em alta temperatura para emitir eltrons.

O primeiro transistor, construdo por Bardeen e Brattain No dia 24, o dispositivo foi apresentado diretoria do Bell Labs, desta vez funcionando como um oscilador (a oscilao uma caracterstica fundamental em telecomunicaes, sendo usada em equipamentos de gerao e recepo de sinais). Contudo, ainda no se entendia perfeitamente o funcionamento do dispositivo. Seria um efeito de superfcie ou a ao estava ocorrendo no corpo do semicondutor? Bardeen e Brattain continuaram pesquisando os efeitos na superfcie. Shockley, contudo, havia percebido a importncia da movimentao de cargas eltricas no interior do semicondutor. No final de janeiro de 1948, ele completou a formulao terica de um dispositivo semicondutor que mais tarde seria chamado de "transistor de juno". O anncio da descoberta do transistor, contudo, foi adiado at junho de 1948. Estes seis meses foram gastos pesquisando-se mais sobre o dispositivo, buscando entend-lo melhor e investigando suas possveis aplicaes. O objetivo era obter uma posio melhor para o registro das patentes. No dia 17 de junho de 1948, Bardeen e Brattain entraram com um pedido de patente para o transistor de ponto de contato. No dia 26, Shockley registrou um pedido de patente para o seu transistor de juno. At ento, o transistor era um segredo do Bell Labs. No dia 30 de junho de 1948, o transistor de Brattain e Bardeen foi demonstrado para a imprensa nas instalaes do Bell Labs em Nova York.

A imprensa comum deu pouca ateno, mas a imprensa especializada reconheceu sua importncia. O jornal The New York Times reportou a histria quase na ltima pgina no dia 1 de julho de 1948 na sua coluna "As Notcias do Rdio" : "Um dispositivo chamado transistor, com inmeras aplicaes no rdio, onde as vlvulas so amplamente empregadas, foi demonstrado pela primeira vez ontem no Bell Telephone Laboratories, na rua West, 463, onde foi inventado. O dispositivo foi usado num receptor de rdio, que no continha nenhum tipo de vlvula convencional. Foi mostrado tambm num sistema telefnico e num aparelho de televiso . Em cada caso, o transistor foi empregado como amplificador, embora seja dito que ele possa ser usado tambm como oscilador, de forma a criar e enviar ondas de rdio. No formato de um pequeno cilindro metlico com pouco mais de meia polegada de comprimento, o transistor no contm vcuo, grade, placas ou invlucro de vidro para manter o ar afastado. Sua ao instantnea, no havendo atrasos por aquecimento, uma vez que no gerado calor como em uma vlvula. As partes funcionais do dispositivo consistem somente de dois finos fios que se ligam a uma placa de material semicondutor soldada a uma base de metal. O material na base de metal amplifica a corrente que chega at ela por um dos fios. O outro fio conduz a corrente amplificada." Em 15 de julho de 1948, a revista especializada Physical Review publicou trs artigos sobre o transistor: dois de Brattain e Bardeen e um de Shockley. Foram os primeiros artigos tcnicos amplamente difundidos explicando os princpios bsicos do novo dispositivo. Do laboratrio para a indstria Mais alguns anos se passaram e outros experimentos e descobertas se sucederam. Assim, num perodo de poucos anos aps o estabelecimento do grupo de semicondutores no Bell Labs, a inveno do transistor estava essencialmente completa, entendida e documentada. (Em 1950, Shockley publicou o livro "Electrons and Holes in Semiconductors".) A fase cientfica estava chegando ao fim. A prxima fase consistia em resolver problemas mais prticos para a produo de transistores em grande escala. Em primeiro lugar, havia dois tipos de transistor que eventualmente poderiam ser fabricados: o transistor de ponto de contato e o transistor de juno. O transistor de ponto de contato tinha muitas desvantagens. Era difcil de fabriclo e suas caractersticas eltricas estavam longe de ser ideais ( eram muito variveis, difceis de ser controladas e muito instveis). O transistor de juno, por outro lado, tinha caractersticas eltricas mais desejveis e estveis. Sua fabricao, contudo, tambm era bastante complexa; exigia tcnicas bastante apuradas e sensveis, sendo difcil automatizar a produo. Havia ainda muitos outros problemas, como conseguir que o transistor funcionasse em altas freqncias, como as vlvulas, e que fosse capaz de suportar potncias elevadas, como os rels. Para operar em altas freqncias, os transistores deviam ser pequenos, mas para suportar elevada potncia, tinham que ser grandes. Alm das dificuldades tecnolgicas, havia uma inrcia muito grande por parte da indstria para aceitar o transistor. Os engenheiros e tcnicos da poca j estavam acostumados com as vlvulas, cujo funcionamento era relativamente simples e intuitivo. J o transistor era um componente complexo, seu funcionamento envolvia at fsica quntica. Era natural que surgisse um clima de insegurana frente

necessidade de aprender novas tcnicas de projeto e construo de circuitos eletrnicos. Algumas companhias chegaram a afirmar que o transistor, devido a sua baixa confiabilidade e sujeio inerente a rudos, nunca iria substituir a vlvula. Alm disso, o transistor ainda era mais caro do que as vlvulas, que dominavam completamente a indstria. Com poucas excees, os fabricantes de vlvulas no estavam nada entusiasmados com o transistor. O equipamento para a produo das vlvulas j estava em boa parte amortizado, ento a fabricao de vlvulas era uma mquina de ganhar dinheiro. Mas, aos poucos, o transistor e sua fabricao foram sendo aprimorados e suas vantagens sobre as vlvulas tornavam-se cada vez mais evidentes. Algumas empresas ainda tentavam resistir. Na poca, a RCA chegou a introduzir uma pequena vlvula de baixa tenso chamada "Nuvistor". Tinha um invlucro de cermica e era pouco maior que os transistores da poca. Mas foi uma batalha perdida. O Nuvistor foi empregado por um curto perodo em aparelhos de TV da RCA, e em seguida desapareceu juntamente com a maioria das outras vlvulas medida que a era do estado slido emergiu. Dessa forma, os primeiros fabricantes de transistores eram na sua maioria fabricantes de vlvulas. Contudo, algumas empresas iniciantes foram bemsucedidas. Talvez o maior exemplo seja a Texas Instruments, que na poca fabricava instrumentos geofsicos. A companhia viu uma grande oportunidade nos transistores e, em 1953, obteve uma licena do Bell Labs, estabeleceu um laboratrio prprio e chamou pesquisadores de renome para conduzi-lo. Um ano depois, a Texas Instruments anunciou o primeiro transistor de silcio. O silcio apresentava diversas vantagens sobre o germnio: suas caractersticas eltricas eram melhores, podia suportar muito mais potncia e podia operar em uma faixa de temperatura ambiente bem mais ampla, alm de haver suprimento de matria prima praticamente infinito. As desvantagens do silcio eram seu ponto de fuso elevado (que exigia processos metalrgicos mais complexos) e o fato de o silcio ser mais reativo quimicamente do que o germnio (o que facilitava a contaminao). Essas dificuldades, contudo, foram logo superadas e a fabricao de dispositivos de silcio tornou-se dominante. Com o advento do transistor de silcio, a Texas Instruments tornou-se instantaneamente uma poderosa concorrente no mercado. Alm disso, para combater a resistncia da indstria contra o transistor, foi decisiva a atuao do Bell Labs no sentido de promover uma ampla difuso de informaes sobre o dispositivo. Em 1951 e 1952 foram organizados simpsios para interessados do governo, indstria e do meio acadmico. A idia era divulgar as tcnicas de fabricao de transistores e esclarecer detalhes sobre seu funcionamento. Alm disso, por apenas 25 mil dlares, conseguia-se do Bell Labs a licena para produzir transistores. Mas, poderamos nos perguntar: por que o Bell Labs no manteve essa valiosa inveno como uma propriedade exclusiva sua? Por que concedia a licena para fabricao de transistores por to pouco? Qual era a inteno da empresa ao promover a disseminao do dispositivo? A idia por trs dessa estratgia aparentemente insensata era que outras empresas entrassem no negcio, alavancando o setor e desenvolvendo novas tecnologias que pudessem ser empregadas nos sistemas de telecomunicaes. O Bell Labs certamente ganharia muito dinheiro com isso.

Um outro motivo era a forte cultura de troca informaes na indstria de semicondutores, embora essa indstria fosse bastante competitiva. O rpido progresso na fabricao de transistores deveu-se em grande parte ao intenso intercmbio tecnolgico entre companhias, centros de pesquisa do governo e laboratrios de universidades. O incio da dcada de 50 foi marcado por rpidas melhorias nas caractersticas e na fabricao de transistores. Avanos sucediam-se rapidamente e os novos dispositivos eram capazes de operar em freqncias cada vez maiores. Alguns pesquisadores desenvolviam outros tipos de dispositivos semicondutores, e finalmente foi construdo o transistor por efeito de campo (tecnologia batizada de FET -- field effect transistor). Os primeiros JFETs (junction field effect transistors) foram produzidos pela Crystalonics em Cambridge, Massachusetts, em 1960. O transistor espalha-se pelo mundo... Tendo superado as dificuldades de fabricao em larga escala do transistor, era hora de empreg-lo na prtica, buscando substituir a vlvula no maior nmero de aplicaes possvel. Essa no era uma tarefa fcil, j que os transistores eram ento fabricados em tamanhos reduzidos, o que dificultava sua capacidade de suportar altas potncias. Alm disso, no suportavam freqncias de operao to elevadas quanto s das vlvulas. Enquanto isso, outras iniciativas tomavam corpo e mais tarde fariam surgir aquilo que hoje conhecemos como Vale do Silcio (Silicon Valley). Em 1954, William Shockley deixou o Bell Labs e mudou-se para Palo Alto, uma pequena cidade no estado da Califrnia, Estados Unidos, onde iniciou sua prpria companhia, a Shockley Semiconductor Laboratory. Para lev-la adiante, Shockley contratou um grupo de fsicos e engenheiros jovens e ambiciosos de companhias de eletrnicos , incluindo um grupo de oito pesquisadores que logo deixariam sua marca na histria da microeletrnica, embora sem a companhia de Shockley. Os oito (Julius Blank, Victor Grinich, Jean Hoerni, Eugene Kliner, Jay Last, Gordon E. Moore, Robert N. Noyce e Sheldon Roberts ) no conseguiram se entender com Shockley e com sua maneira de conduzir os negcios. Depois de dois anos, em 1957, saram para formar sua prpria companhia. Nasceu assim a Fairchild Semiconductor (hoje conhecida por originar uma srie de outras empresas sediadas na Vale do Silcio). Com a sada em massa, a companhia de Shockley acabou perdendo o rumo e depois de ter sido comprada por duas vezes, acabou fechando as portas em 1969. A Fairchild iniciou logo suas atividades e introduziu e aperfeioou processos e tcnicas com sucesso. Entre as inovaes bem-sucedidas, estava a fabricao de transistores utilizando um processo chamado de difuso. Consistia em envolver o material semicondutor em um gs contendo determinados elementos qumicos (chamados de impurezas). Em seguida, variava-se a temperatura de modo que as impurezas penetrassem no semicondutor. Tal processo permitia controlar com preciso a penetrao de impurezas no semicondutor. Com isso, podia-se criar no semicondutor regies bastante finas dopadas com impurezas. Essas regies dotadas de diferentes propriedades eltricas que tornavam o efeito transistor possvel. A espessura da base (uma dessas regies) era importante para que o transistor funcionasse com freqncias elevadas.

Dessa forma, apesar de a lmina de semicondutor ter de ser grossa o suficiente para ser mecanicamente resistente, a base devia ser bastante fina. Uma base com espessura de 10 mcrons propiciava freqncias de operao de apenas alguns megahertz. Era necessrio aperfeioar as tcnicas de fabricao para se conseguir bases ainda mais estreitas e consequentemente dispositivos que pudessem ser usados nas diversas aplicaes eletrnicas. Esse problema foi resolvido com um outro processo: o processo epitaxial. Esta nova tcnica aprimorava o processo de difuso, permitindo a fabricao de transistores que suportavam alta freqncia de operao e elevada potncia. Logo foram fabricados transistores com freqncias da ordem de centenas de megahertz. O processo de difuso e o processo epitaxial tiveram um impacto fundamental na fabricao de dispositivos semicondutores e foram decisivos para o surgimento dos circuitos integrados. Outros avanos importantes deram-se com a descoberta de que uma camada de dixido de silcio podia impedir a difuso de certos tomos de impurezas na lmina de silcio. A difuso, contudo, poderia ocorrer desimpedida atravs de "janelas" na camada de dixido de silcio. Essas descobertas deram incio ao emprego de tcnicas de fotolitografia para a "impresso" de padres sobre o silcio. Esses padres podiam determinar as regies onde a difuso iria ocorrer. O transistor, contudo, apresentava ainda outros problemas. Era muito sensvel a variaes de temperatura e umidade. No incio tentou-se empregar blindagens de vidro, aproveitando a experincia com a fabricao de vlvulas. Mas definitivamente esta no era uma soluo adequada. No incio de 1958, pesquisadores da Fairchild descobriram como usar o prprio dixido de silcio como uma efetiva proteo que impedisse a degradao do transistor. Essa proteo praticamente resolveu o problema de confiabilidade do dispositivo.

Concluso
No transistor de juno bipolar ou TJB (BJT Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. O transstor tem como funes principais amplificar e chavear sinais eltricos. O termo vem de transfer resistor (resistor de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores. O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transstor varia dentro de determinados parmetros pr-estabelecidos pelo projetista do circuito

eletrnico; esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais chamado base, que conseqentemente ocasiona o processo de amplificao de sinal. Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco em mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, injetado em um circuito eletrnico (transistorizado por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas mas com potncia suficiente para excitar os altofalantes, a este processo todo se d o nome de ganho de sinal.

Referencias Bibliogrficas
Livros Diodos e Transistores Editora Erica 2008 Analise de Circuitos Eletronica vol.1 millman halkias McGraw Hill Artigos e Revistas Saber Eletronica Edio 148 2011 Anlise Circuitos com Transistor Eng.: Roberto Bairros dos Santos 2008 Web-Sites USP Historia dos Transistors http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/aulas/Transistor.pdf USP Caractersticas gerais dos transistors http://www.lsi.usp.br/~bariatto/fatec/aca/aula6-transistores_geral.pdf