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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS CENTRO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE FSICA

ELETRNICA (Prof. Dr. Jos Carlos Rossi) RELATRIO DO EXPERIMENTO 1 TRANSISTOR

Alunos:

Kelvi Gomes Gustavo Cardoso da Silva Evandro Santos Willian Rafael Fernandes

RA: 414808 RA: 418510 RA: 418816 RA: 418315

So Carlos - SP 2012

1- Objetivo
Neste trabalho ser estudar os componentes semicondutores, como transistores e diodos e suas curvas caractersticas, tendo como principal objetivo levantar as curvas de corrente no coletor em funo da ddp entre o coletor e o emissor do transistor, pra verificar o possvel controle de corrente atravs da base.

2 Resumo
No Tpico I estudou-se os componentes semicondutores de um circuito e verificou-se a dependncia existente entre a corrente no coletor (Ic), a ddp coletoremissor (VCE) e a corrente de base, pois como mostra o relatrio possvel controlar a corrente que entra em um dos terminais do transistor injetando corrente em outro.

3 - Material Utilizado
Transistor npn 2N2222NPN, resistncias de 1 k, lmpada (para visualizar o funcionamento do circuito), multmetros, fios condutores e um protoboard.

4 - Fundamentos Tericos
Um Transistor um dispositivo que permite controlar a corrente que entra em um dos terminais, atravs de certa corrente injetada em outro terminal, a sua construo semelhante de um diodo exceto por ter duas junes muito prximas, alm de poder se apresentar de duas formas diferentes de acordo com a sequncia do material semicondutor que o constitui. A primeira forma a pnp como mostrado na figura 1:

Figura 1: smbolo do transistor pnp e sua forma de construo. J a segunda forma de construo a npn que nada mais que o inverso da forma pnp como mostra a figura 2:

Figura 2: smbolo do transistor npn e sua forma de montagem. Deve-se conferir as restries importantes do transistor pois este deve estar afastado das zonas de corte e de saturao. Se tais condies so satisfeitas temos: IC = IB VB-IBRB-VBE = 0 VC-ICRC- VCE = 0 IE = IC + IB Onde pode-se observar a dependncia entre ddp coletor - emissor e corrente de base. O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado possvel revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios. praticamente impossvel serem encontrados circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo milhes de transistores, juntamente com outros componentes como resistncias e condensadores. Por exemplo, o microprocessador Cell do console Playstation 3 tem aproximadamente 234 milhes de transistores, usando uma arquitetura de fabricao de 45 nanmetros, ou seja, a porta de controle de cada transistor tem apenas 45 milionsimos de um milmetro.

5 - Procedimento Experimental
Para execuo do trabalho selecionou-se os componentes do circuito iniciando pelas resistncias de modo a permitir que as correntes envolvidas no fossem superiores a 100 mA, uma vez que essa a sensibilidade mxima do transistor utilizado. Aps a escolha dos componentes procurou-se montar o circuito minimizando o nmero de conexes por fios, pois foi constatado a principio que esse tipo de ligao causa flutuaes na tomada de dados. A montagem do circuito esta relacionada na figura 3.

Figura 3: Circuito utilizado para levantar as curvas de IC versus VCE. Como mostrado no circuito utilizou-se um ampermetro no ramo do coletor e um voltmetro no ramo do emissor medindo assim simultaneamente a corrente IC e a voltagem VCE, variando a voltagem da fonte do coletor de 0 at 6 volts com um passo de 0,6 V gerando um total de dez pontos para levantar a primeira curva. Aps esse procedimento aumentou-se a voltagem de base de 0,5 volts para 1 volt e repetiu-se todo o processo novamente, aumentando a voltagem de base com passo de 0,5 volt, at 2,5 volts. Aps a coleta de dados verificou-se qual a dependncia entre a corrente de base, a corrente no coletor e a ddp coletor-emissor.

6 Resultados e discusso
Com a tomada de dados foi possvel verificar que de fato como o esperado quanto maior a corrente de base maior e a corrente que passa no coletor em funo da ddp coletor-emissor, como mostra o Grfico 1.

Grfico 1: curvas de Ic versus VCE.com variao na voltagem de base. No Grfico 1 fica evidente a possibilidade de controle da corrente do circuito atravs da variao da corrente de base, pois ao variar a tenso da base automaticamente varia a corrente na mesma.

7 Concluso
A utilizao de transistor em vrios setores da eletrnica de suma importncia, pois como pode ser visto no experimento o transistor funciona analogamente como uma torneira mecnica, na qual controla a passagem de maneira parametrizada. Assim foi possvel estudar o comportamento do circuito e verificou-se que de fato possvel controlar a corrente do circuito atravs da injeo de corrente na base como mostrado no Grfico1.

8 - Bibliografia
1- ROSSI, J. C., Apostila de Eletrnica, Parte I, Universidade Federal de So Carlos, 2012. 2- GONZALEZ, G. Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design. Prentice Hall, Canada, Second Edition, 1997.