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Eletrnica Bsica Transistor bipolar

Transistor bipolar
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Conceito Estrutura bsica Tipos de transistores Terminais do transistor Simbologia Aspecto real dos transistores Teste de transistores Defeitos comuns nos transistores Tenses nos terminais do transistor Junes do transistor e polaridade das tenses nos terminais Polarizao simultnea das junes Princpio de funcionamento do transistor bipolar Ganho de corrente do transistor Configuraes de ligao do transistor Curvas caractersticas de um transistor

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Eletrnica Bsica Transistor bipolar

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Eletrnica Bsica Transistor bipolar

Conceito
O transistor bipolar um componente constitudo por materiais semicondutores, capaz de atuar como controlador da corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico. Em qualquer uma das duas funes, o transistor encontra ampla aplicao: amplificador de sinais equipamentos de som e imagem e controles industriais; interruptor eletrnico controles industriais e computadores eletrnicos. O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento eletrnica, devido sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave de grande parte dos equipamentos eletrnicos.

Estrutura bsica
A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de material semicondutor com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao semelhante a um sanduche. (Fig. 1)

Material com dopagem diferente

Mesma dopagem

Fig. 1

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Tipos de transistores
A configurao de estrutura em forma de sanduche permite que se obtenham dois tipos distintos de transistores: um, com pastilhas externas de material N e pastilha central de material P. (Fig. 2) Este tipo de transistor denominado de transistor bipolar NPN.

N P N

Fig. 2

outro, com pastilhas externas de material P e pastilha central de material N, denominado de transistor bipolar PNP. (Fig. 3)

P N P

Fig. 3

Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes, diferindo apenas na forma como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.

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Terminais do transistor
Cada uma das pastilhas formadoras do transistor conectada a um terminal que permite a interligao da estrutura do componente aos circuitos eletrnicos. (Fig.4)

Fig. 4

Os terminais recebem uma designao que permite identificar cada uma das pastilhas: a pastilha central denominada de base, representada pela letra B; uma das pastilhas externas denominada de coletor, representada pela letra C; a outra pastilha externa denominada de emissor, representada pela letra E. A figura 5 apresenta os dois tipos de transistores com a identificao dos terminais.

P E

P C

N E

N C

B Fig. 5

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor, no possvel trocar as ligaes de um terminal com o outro nos circuitos eletrnicos porque existe diferena de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas.

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Simbologia
A figura 6 apresenta o smbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a designao dos terminais.
NPN C B B PNP C

Fig. 6

Observe que a diferena entre os smbolos dos dois transistores apenas o sentido da seta no terminal emissor. Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem. Essa blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas semicondutoras, que tem por finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos eltricos ou magnticos do ambiente. Esses transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem para que esta possa ser ligada ao terra do circuito eletrnico. O smbolo desses transistores mostra a existncia do quarto terminal.(Fig. 7)

C B Blindagem

Fig. 7

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Aspecto real dos transistores


Os transistores podem se apresentar nos mais diversos formatos (encapsulamentos), que geralmente variam em funo: do fabricante; da funo da montagem; do tipo de montagem; da capacidade de dissipar calor. Por essa razo, a identificao dos terminais do transistor deve sempre ser feita com auxlio de um manual de transistores ou folheto tcnico especfico do fabricante do componente.

Fig. 8

A figura 8 apresenta alguns tipos construtivos de transistores.

A figura 9, abaixo, parte de um folheto tcnico de um transistor, mostrando a posio dos seus terminais.

Vista inferior

Vista frontal

Vista lateral

Fig. 9 SENAI-RJ 109

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Teste de transistores
Existem equipamentos destinados especificamente aos mais diversos testes nos transistores. Entretanto, pode-se realizar um teste nos transistores usando um multmetro, o que permite detectar os seus defeitos mais comuns. Da mesma forma que em um diodo, o teste de transistores com multmetro no definitivo. Um diodo pode no apresentar defeito no teste com multmetro e mesmo assim apresentar mau funcionamento quando operando com tenses elevadas. O teste com o multmetro detecta apenas os defeitos mais comuns nos transistores e diodos como: curto em uma juno PN; abertura de uma juno PN.

Relembrando o teste de diodos


Para testar um diodo com multmetro, primeiro realiza-se a identificao da polaridade real das pontas de prova do multmetro. Aps essa identificao, realiza-se o teste do diodo. (Fig. 10)

Baixa resistncia

Alta resistncia

Fig. 10

Se a juno PN (diodo) em teste estiver em curto ou aberta, as leituras indicaro.

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Ateno Uma juno PN em curto ou aberta pode ser detectada usando-se um multmetro.

Teste entre os terminais de um transistor


Analisando-se a estrutura do transistor, observa-se que entre a base e o coletor se forma uma juno PN que para fins de teste pode ser tratada como um diodo. (Fig. 11)
C C N B P N B B P N P B

C C

Fig. 11

Da mesma forma, entre a base e emissor forma-se outra juno PN, que para fins de teste tambm pode ser tratada como diodo. (Fig. 12)

P B N P E E B B

N B P N E E

Fig. 12

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Dessa forma verifica-se que o transistor, para fins de teste com o multmetro, pode ser tratado como dois diodos ligados em oposio. (Fig. 13)
c c

B NPN

E c PNP B

c B

E Fig. 13

A partir dessa concluso, pode-se afirmar que testar um transistor verificar se existe curto-circuito ou abertura entre cada par de terminais (BC, BE, CE).

Teste das junes base-coletor e base-emissor


Atravs desse teste pode-se verificar se h curto-circuito ou abertura das junes PN entre baseemissor e basecoletor. A polaridade apresentada nas pontas de prova das figuras que seguem corresponde a sua polaridade real (ponta de prova preta - (sinal negativo); ponta de prova vermelha + (sinal positivo). Tomando como base um transistor NPN para a realizao do teste de abertura das junes, temos a situao mostrada na figura 14.
C preto vermelho B NPN

preto

Os diodos devem conduzir

Fig. 14 112 SENAI-RJ

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Com potencial positivo aplicado base (anodos dos diodos), o instrumento deve indicar que existe continuidade entre basecoletor e baseemissor. Pode-se afirmar, ento, que no existe juno aberta (BC ou BE). Se houver uma juno aberta (BC ou BE) o instrumento indicar resistncia altssima (infinita) quando esta juno estiver sendo testada. Confira agora o teste de curto-circuito nas junes, apresentado na figura 15.

NPN C

Os diodos devem bloquear

Fig. 15

Observa-se que agora a polaridade aplicada aos diodos tal que deve fazer com que estes se bloqueiem, indicando alta resistncia. Se isto ocorrer, ser possvel afirmar que no existe curto entre basecoletor e baseemissor. Se houver uma juno em curto, o instrumento indicar baixa resistncia. Deve-se ainda proceder a teste entre coletor e emissor do transistor NPN, que deve apresentar alta resistncia nas duas medies, como mostram as figuras 16 e 17.

Fig. 16

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Fig. 17

Ateno Todos os testes devem ser feitos na escala R X 10 e com o transistor desligado de qualquer circuito.

As figuras 18, 19 e 20 ilustram o teste de um transistor PNP.

Teste de abertura
PNP

E Os diodos devem conduzir

Fig. 18

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Teste de curto-circuito
PNP

Os diodos devem bloquear

Fig. 19

Teste de coletor-emissor

Alta resistncia nas duas medidas Fig. 20

Importante Os testes devem ser realizados utilizando as escalas de resistncia R X 10 partes metlicas das pontas de prova, pois isso pode provocar erro nos testes. ou

R X 100 (preferencialmente usa-se a escala R X 10). No se podem encostar uma na outra as

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Defeitos comuns nos transistores


As junes basecoletor e baseemissor so diodos. Assim sendo, devem indicar conduo em um sentido e bloqueio em outro, quando se invertem as ponteiras do multiteste sobre os terminais do transistor. Se isso no ocorre, h um defeito que deve ser identificado. Com este teste identificam-se os seguintes defeitos:

Curto em juno
Se, ao realizar o teste em uma das junes, foi verificada conduo nos dois sentidos, a juno est em curto e o transistor est danificado. A figura 21 ilustra a existncia de um curto na juno basecoletor do transistor.
Vermelho C B Vermelho B Preto C

Preto

E Conduo Fig. 21

E Conduo

Abertura de uma juno


Se, ao realizar teste em uma das junes, se verifica bloqueio nos dois sentidos, houve rompimento na ligao entre as duas pastilhas semicondutoras. Diz-se que a juno em teste est aberta e, neste caso, o transistor est danificado. A figura 22 mostra os resultados do teste realizado em uma juno baseemissor aberta.

Bloqueio C Preto B

Bloqueio Vermelho B

Vermelho

Preto

Fig. 22 116 SENAI-RJ

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Curto ou fuga entre coletor e emissor


Se qualquer uma das medidas entre coletor e emissor provocar um movimento no ponteiro do ohmmetro (em escala X 10), existe fuga ou curto-circuito entre coletor e emissor do transistor. O teste com o multmetro no permite detectar alteraes de caractersticas no transistor. Isto significa que: se o transistor no passar no teste com o multmetro, pode-se garantir que ele est danificado. se o transistor passar no teste, ainda h a possibilidade de que existam alteraes nas suas caractersticas que o tornem imprprio para funcionar em um circuito.

Tenses nos terminais do transistor


O estudo do princpio de funcionamento do transistor consiste em uma anlise do movimento dos eltrons livres e de lacunas no interior do componente, provocados pela aplicao de tenses externas ao coletor, base e ao emissor. Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura do transistor, necessrio aplicar tenses aos seus terminais. O movimento dos eltrons livres e lacunas est intimamente ligado polaridade da tenso aplicada a cada um dos terminais do transistor. Por esta razo, a polaridade da tenso de funcionamento dos terminais do transistor NPN diferente dos transistores PNP.

Junes do transistor e polaridade das tenses nos terminais


A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes entre cristais P e N: uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno base emissor. (Fig. 23)
C Juno BE P B N P E Fig. 23 B N P N E C

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uma juno PN entre o cristal de base e o cristal do coletor, chamada de juno basecoletor. (Fig. 24)
C Juno CB P B N P E B N P N E C

Fig. 24

Ao se unirem as trs pastilhas semicondutoras de um transistor, ocorre um processo de difuso dos portadores. Como em um diodo, esse processo de difuso d origem a uma barreira de potencial em cada juno. No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial que se formam com a juno dos cristais: a barreira de potencial na juno baseemissor. a barreira de potencial na juno basecoletor. As figuras 25 e 26 mostram as barreiras de potencial nos dois tipos de transistor.

N P N

P N P

Fig. 25

Fig. 26

Juno baseemissor
Na condio de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa, a juno baseemissor polarizada diretamente. A conduo da juno baseemissor provocada pela aplicao de tenso externa entre base e emissor, com polaridade correta (tenso positiva no material P e negativa no material N).

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As figuras 27 e 28 mostram a polaridade das tenses de base e de emissor em cada tipo de transistor.
C NPN B N P N E Fig. 27

C PNP B P N P E Fig. 28

Juno base-coletor
Na regio de funcionamento ativo, a juno basecoletor polarizada inversamente. O bloqueio da funo basecoletor provocado pela aplicao de tenso externa entre base coletor, com polaridade adequada (tenso positiva no material N e negativa no material P). As figuras 29 e 30 mostram a polaridade das tenses de coletor em relao base em cada tipo de transistor.

NPN C N B P N E

PNP C P B N P E Fig. 30

Fig. 29

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Polarizao simultnea das junes


Para que o transistor funcione corretamente, as duas junes devem ser polarizadas ao mesmo tempo. Isto pode ser feito aplicando duas tenses externas entre os terminais do transistor. (Figs. 31 e 32)
NPN C N B P N E Fig. 31

PNP C P B N P E Fig. 32

Observao As baterias representam as tenses de polarizao.

Pode-se, ainda, obter a polarizao correta das junes com outra configurao de ligao das baterias. A figura 33 mostra a forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN como exemplo.

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B1

B2

Fig. 33

Analisando a figura observa-se que: a bateria B1 polariza a juno baseemissor do transistor diretamente. a bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor, maior que a tenso positiva da base. Se o coletor mais positivo que a base, ento esta mais negativa que aquele, de forma que a juno basecoletor fica polarizada inversamente. (Fig. 34)

Fig. 34

Ateno Transistor regio ativa a juno baseemissor deve ser polarizada diretamente. a juno basecoletor deve ser polarizada inversamente.

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A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem a trs tenses entre os terminais do transistor. Observe:

tenso de base a emissor (denominada de VBE). (Fig. 35)

C B

V BE

Fig. 35

tenso de coletor a base (denominada de VCB). (Fig. 36)

VCB C B

Fig. 36

tenso de coletor a emissor (denominada de VCE). (Fig. 37)

C B VCE

Fig. 37

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Dispondo as trs tenses em uma mesma figura, observa-se que as tenses VBE + VCB, somadas, so iguais a VCE. (Fig. 38)

V CB

VCE V BE

VCE = VBE + VCB


Fig. 38

Para o transistor NPN a regra tambm vlida, invertendo-se apenas a polaridade das baterias de polarizao. (Fig. 39)

V CB

VCE V BE

VCE = VBE + VCB

Fig. 39

Princpio de funcionamento do transistor bipolar


A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento dos eltrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina.

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O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs terminais do transistor. (Fig. 40)
I

I I

Fig. 40

A corrente do terminal emissor denominada de corrente emissor (representada pela notao IE); a do terminal base, de corrente de base (IB) e a do terminal coletor, de corrente de coletor (IC). Por conveno, toda corrente que entra no transistor positiva; a corrente que sai negativa. As figuras 41 e 42 mostram os dois tipos de transistor com suas correntes.

C IB B

IC IB

IC

E IE

IE

Fig. 41

Fig. 42

O princpio bsico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor, o mesmo para os transistores NPN e PNP. Por esta razo usa-se estudar o princpio de funcionamento apenas de um tipo. O comportamento do tipo no analisado semelhante, diferindo apenas na polaridade das baterias e no sentido das correntes.

Corrente de base
A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE). Tomando-se como exemplo o transistor PNP, para analisar o efeito causado pela tenso VBE tem-se: o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direo base (Fig. 43)

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P B N Barreira de potencial P

V BE

Fig. 43

Se a tenso VBE tiver um valor adequado (0,6 V para o silcio e 0,3 V para o germnio), as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na juno baseemissor, recombinando-se com os eltrons livres da base. Esta recombinao d origem corrente de base. (Fig. 44)

P B N IB VBE > 0,6 V (silcio) P

Fig. 44

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Devido pequena espessura da base e tambm ao seu pequeno grau de dopagem, a recombinao acontece em pequena escala (poucos portadores que provm do emissor podem se recombinar). Isto faz com que a corrente de base seja pequena, com valores que se situam na faixa de microampres ou miliampres. Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em direo base, repelido pela tenso positiva do emissor e atrado pela tenso negativa da base. A base, entretanto, no tem eltrons livres suficientes para recombinar com a maior parte destas lacunas que provm do emissor. Assim, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se recombina, por falta de eltrons livres disponveis. (Fig. 45)

B N IB

VBE > 0,6 V (Transistor de silcio)

Fig. 45

Ateno A corrente de base provocada pela aplicao de um potencial VBE ao transistor. Essa corrente muito pequena porque se deve recombinao de portadores na base.

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Corrente de coletor
As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam caracterizam-se por serem portadores minoritrios na base do transistor que de material N. A barreira de potencial da juno coletorbase favorece o deslocamento das lacunas para o coletor, onde existe um alto potencial negativo. As lacunas que atingem o coletor, passando atravs da juno basecoletor do origem corrente de coletor. (Fig. 46)
Grande IC (Devido ao grande nmero de lacunas no recombinadas na base.)

IC Pequena IB Pequena recombinao na base N IB P P

Fig. 46

A corrente de coletor tem valores muito maiores que a corrente de base, porque a grande maioria das lacunas que partem do emissor no se recombinam, sendo absorvidas pelo coletor.

IC

>>

IB

IC muito maior que IB

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Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP, apenas 5% ou menos correspondem corrente de base. Os restantes 95% (ou mais) correspondem corrente de coletor. (Fig. 47)
IC 95%

IC P IB 5% N IE P 100%

Fig. 47

Corrente de emissor
Analisando um transistor PNP e suas correntes, verifica-se que: a corrente de emissor entra no transistor. as correntes de base e coletor saem do transistor. (Fig. 48)

IC IB

IE

Fig. 48

A corrente de base formada por portadores que vm do emissor e se recombinam na base. A corrente de coletor formada por portadores que vm do emissor e no se recombinam, dirigindo-se ao coletor.

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Conclui-se, portanto, que tanto a corrente de base como a corrente de coletor provm do emissor, de forma que se pode afirmar IC + IB = IE. (Fig. 49)
C IC

B IB

IE

Fig. 49

Controle da corrente de base sobre a corrente de coletor


A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena corrente) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor (IC). Esse controle se deve ao fato de que a corrente de base influi na largura de barreira de potencial da juno baseemissor. Quando a tenso VBE aumenta, a barreira de potencial na juno baseemissor torna-se mais estreita. (Fig. 50)
C

N IB aumenta B P N VBE aumenta E Fig. 50 a barreira de potencial torna-se mais estreita

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O estreitamento da barreira de potencial entre base e emissor permite que um maior nmero de portadores do emissor atinja a base. Esta maior quantidade de portadores absorvida pelo coletor, uma vez que a base no tem capacidade para recombin-los. Verifica-se ento um aumento na corrente de coletor. Concluso:

IB aumenta

IC aumenta

Por analogia pode-se afirmar que:

IB diminui

IC diminui

Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle e a corrente de coletor, como corrente controlada.

IB controla IC

Ganho de corrente do transistor


Atravs de um transistor possvel utilizar uma pequena corrente (IB) para controlar a circulao de uma corrente de valor muito maior (IC) que a outra. A corrente IC e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar quantas vezes uma maior que a outra: IC resulta em um nmero que indica quantas vezes a corrente de coletor maior que a corrente de base IB. O resultado dessa relao denominado tecnicamente de ganho de corrente contnua entre base e coletor, representado pela letra grega (beta) em corrente contnua ou hFE.

hFE ou BDC =

IC IB

ganho de corrente contnua entre base e coletor

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Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor do transistor (BDC), possvel determinar a corrente de coletor a partir da corrente de base: IC IB

BDC =

IC = BDC IB

importante salientar que o fato de o transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor no significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior. Todas as correntes que circulam em um transistor so provenientes da fonte de alimentao, cabendo ao transistor apenas controlar a quantidade de corrente fornecida por estas fontes.

Ateno Os transistores no geram corrente, atuando apenas como controladores das quantidades de corrente fornecidas pelas fontes de alimentao.

Configuraes de ligao do transistor


No transistor, a corrente de base atua como corrente de controle, determinando a corrente de coletor que poderia ser denominada de corrente controlada. Em princpio, a circulao de duas correntes de valores diferentes em um componente pressupe a existncia de quatro terminais (dois terminais para cada corrente). (Fig. 51)

IB Corrente de controle

IC Corrente controlada

Fig. 51

Como o transistor no dispe de quatro terminais (dois de entrada e dois de sada) sua ligao aos circuitos eletrnicos feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e de sada simultaneamente.

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Configurao de emissor comum


Quando o terminal emissor utilizado como terminal comum, a forma de ligao do transistor denominada tecnicamente de configurao de emissor comum. (Fig. 52)

IC IB Sada Entrada

Fig. 52

Observao As baterias de polarizao no foram colocadas para dar maior clareza figura.

Configurao de base comum


Quando a base utilizada como terminal comum, a forma de ligao do transistor denominada de configurao de base comum. (Fig. 53)

IE

IC

Entrada Sada

Fig. 53

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Configurao de coletor comum


a denominao dada forma de ligao em que o coletor do transistor comum entrada e sada do circuito. (Fig. 54)

Entrada Sada

IB

IE

Fig. 54

Curvas caractersticas de um transistor


Quando se analisa o comportamento de um componente eletrnico, procura-se colocar este componente sob as mais diversas situaes em termos de correntes e tenses. No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente circulante depende do valor e da polaridade da tenso aplicada aos seus terminais. Assim , por exemplo, com o diodo zener. Aplicam-se diversos valores de tenso direta e reversa aos seus terminais e mede-se a corrente circulante. A figura 55 mostra a curva caracterstica de um diodo zener.
IZ 60 40 20 VZ 6V 10 30 50 70 IZ Fig. 55 SENAI-RJ 133 VZ

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O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas caractersticas, que so grficos obtidos atravs de medidas eltricas no transistor em vrios circuitos, sob condies de tenso e corrente controladas. As curvas caractersticas do transistor assumem grande importncia no projeto de circuitos, porque expressam o comportamento do componente em ampla faixa de condies de funcionamento, levando em considerao a forma como o transistor est ligado.

Parmetros eltricos nas curvas caractersticas do transistor


Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais (diodo semicondutor, diodo zener) so necessrios apenas dois parmetros eltricos para expressar o comportamento em grfico: tenso entre dois terminais (Ex.: VD). corrente no dispositivo (Ex.: ID) No transistor, pelo fato de serem trs terminais, existem seis valores em jogo: IC: corrente de coletor IB: corrente de base IE: corrente de emissor VBE: tenso de base a emissor VCE: tenso de coletor a emissor VCB: tenso de coletor a base A figura 56 mostra os parmetros eltricos do transistor.
IC V CB IB V CE VBE IE

Fig. 56

Com base nestes valores e ainda outros no eltricos, tais como a temperatura, pode ser levantada uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condies.

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