Principios Electricosy Aplicaciones Digitales

INSTITUTO TECNOLGICO DE CHETUMAL
Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales.

I.S.C. BRAULIO AZAAF PAZ GARCA
Unidad I Electrnica analgica.

1.1. Corriente alterna y corriente directa
1.1.1. Caractersticas 1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD
1.2. Dispositivos pasivos

1.2.1. Caractersticas 1.2.2. Tcnicas de solucin en circuitos RLC
1.2.3. Aplicaciones
1.3. Dispositivos activos

1.3.1. Caractersticas de semiconductores
1.3.1.1. Estructura elctrica del Silicio 1.3.1.2. Estructura elctrica del Germanio
1.3.1.3. Materiales tipo N y tipo P

1.3.2. Dispositivos semiconductores 1.3.2.1. Diodos
1.3.2.1.1. LED
1.3.2.1.2. Rectificadores 1.3.2.1.3. Zener

1.3.2.2. Transistores
1.3.2.2.1. Bipolares 1.3.2.2.2. FET
1.3.2.2.3. MOSFET
1.3.2.3. Tiristores 1.3.2.3.1. SCR
1.3.2.3.2. SCS
1.3.2.3.3. DIAC 1.3.2.3.4. TRIAC

1.3.3. Tcnicas de diseo con semiconductores
1.3.4. Aplicaciones con semiconductores 1.3.4.1. Rectificadores 1.3.4.2. Amplificadores 1.3.4.3. Conmutadores
1.3.4.4. Fuentes de voltaje

1.4. Amplificadores operacionales 1.4.1. Configuraciones

1.4.1.1. Seguidor unitario
1.4.1.2. Comparador 1.4.1.3. Multiplicador
1.4.1.4. Sumador
1.4.1.5. Restador 1.4.1.6. Integrador
1.4.2. Aplicaciones

Adems de la existencia de fuentes de FEM de corriente directa o continua (C.D.) (como la que suministran las pilas o las bateras, cuya tensin o voltaje mantiene siempre su polaridad fija), se genera tambin otro tipo de corriente denominada alterna (C.A.), que se diferencia de la directa por el cambio constante de polaridad que efecta por cada ciclo de tiempo.

Una pila o batera constituye una fuente de suministro de corriente directa, porque su polaridad se mantiene siempre fija.
La caracterstica principal de una corriente alterna es que durante un instante de tiempo un polo es negativo y el otro positivo, mientras que en el instante siguiente las polaridades se invierten tantas veces como ciclos por segundo o hertz posea esa corriente. No obstante, aunque se produzca un constante cambio de polaridad, la corriente siempre fluir del polo negativo al positivo, tal como ocurre en las fuentes de FEM que suministran corriente directa.
Corriente alterna pulsante de un ciclo por segundo o hertz (Hz) .
Si hacemos que la pila gire a una determinada velocidad, se producir un cambio constante de polaridad en los bornes donde hacen contacto los dos polos de dicha pila.

La corriente continua se puede dividir en tres clases: constante, decreciente y pulsante.
Corriente continua constante Es aquella que permanece invariable desde que es aplicada, en ese momento alcanza su valor, y durante todo el tiempo que permanece sigue manteniendo el mismo. Corriente continua decreciente
Es una corriente que siempre tiene el mismo sentido, pero que a medida que va pasando el tiempo su valor va decreciendo, un claro ejemplo lo podemos tener en las pilas o bateras. Si permanecen largo tiempo conectadas, su valor va disminuyendo a medida que se van

descargando.
Corriente continua pulsatoria No cambia su sentido de circulacin pero s sus valores de tensin, alcanzando en ciertos momentos su valor mximo, mantenindose un tiempo para despus bajar instantneamente al valor cero.
Onda cuadrada alcanza su valor mximo instantneamente, permanece durante un tiempo y baja a cero su valor, para permanecer sin tensin durante el mismo tiempo que la ha mantenido

Onda triangular es muy empleada en televisin.
Onda senoidal se emplea mucho en electrnica, y es similar a la onda cuadrada, con la diferencia de que su valor mximo se va alcanzando poco a poco, permanece durante un instante y va decayendo, empleando el mismo tiempo hasta desaparecer; puede darse en forma de impulsos o de forma continua.

Esta accin har que se genere una corriente alterna tipo pulsante, cuya frecuencia depender de la cantidad de veces que se haga girar la manivela a la que est sujeta la pila para completar una o varias vueltas completas durante un segundo.
En este caso si hacemos una representacin grfica utilizando un eje de coordenadas para la tensin o voltaje y otro eje para el tiempo en segundos, se obtendr una corriente alterna de forma rectangular o pulsante, que parte primero de cero volt, se eleva a 1,5 volt, pasa por 0 volt, desciende para volver a 1,5 volt y comienza a subir de nuevo para completar un ciclo al pasar otra vez por cero volt.
1.1.1. Caractersticas

En Europa la corriente alterna que llega a los hogares es de 220 volt y tiene una frecuencia de 50 Hz, mientras que en la mayora de los pases de Amrica la tensin de la corriente es de 110 120 volt, con una frecuencia de 60 Hz.
La frecuencia (f) es el nmero de ciclos, vueltas o revoluciones que realiza la espira en 1 segundo.

Existe otra magnitud, inversa a sta, que es el periodo (T) que es el tiempo que invierte la espira es dar una vuelta.
Velocidad angular ambas magnitudes estn relacionadas con la velocidad con que gira la espira ().

C.D. PILAS
La primera pila fue creada en el ao 1800 por Alejandro Volta. Consista en una serie de discos de cobre y cinc separados por un filtro empapado con una disolucin cida, los discos estaban dispuestos en forma de columna o pila, de ah su nombre. Era de bajo rendimiento y corta duracin. Pilas salinas Estn constituidas por dos electrodos, uno de carbn y otro de Zinc. El polo negativo lo forma el propio recipiente y el polo positivo es una barra de carbn con un terminal metlico recubierto por dixido de manganeso, para evitar que el
1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD

hidrgeno que se desprende lo asle interrumpiendo el paso de la corriente elctrica. El electrolito est compuesto por cloruro amnico o sal de amonio.
Pilas alcalinas Estn formadas por dos electrodos, el negativo es de Zinc y superficie extensa, el positivo es dixido de manganeso con elevada densidad. El electrolito es de hidrxido de potasio, no es un cido, sino una base, de ah su nombre de alcalina.

Pilas botn
Tienen un tamao muy reducido, como el de un botn, poco peso y una tensin elevada, en comparacin con el tamao de las anteriores. Pueden ser de: Mercurio, pila de zinc y xido de mercurio dentro de un recipiente de acero que forma el polo positivo, el polo negativo es de zinc y se encuentra en el centro. El electrolito es cincado de potasio. Tienen larga duracin y proporcionan una tensin constante de 1,35 v. xido de plata, similar a las de mercurio, el nodo es de xido de plata, el ctodo es de zinc y el electrolito es hidrxido de potasio. La tensin que

proporcionan es de 1,55 v.
Litio, de constitucin similar a las anteriores, proporcionan una tensin de 3 v, y tienen larga duracin. BATERAS Las pilas secundarias o bateras, tambin son conocidas como acumuladores, una vez agotada la sustancia que provoca la reaccin qumica pueden recargarse haciendo pasar a travs de ellas una corriente elctrica continua. Acumulador de plomo, acumulador de plomocalcio, acumulador de nquel-cadmio.

C.A. Generador de corriente alterna.
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/i nduccion/generador/generador.htm

Son aquellos que no necesitan una fuente de energa para su correcto funcionamiento. No tienen la capacidad de controlar la corriente en un circuito.
Los componentes pasivos se dividen en : Componentes Pasivos Lineales Condensador o capacitor su funcin es el almacenamiento de energa, filtrado, adaptacin impedancia. Inductor o Bobina almacena o atena el cambio de energa debido a su poder de autoinduccin. Resistor o Resistencia divide la intensidad o tensin, limitacin de intensidad o tensin.

Componentes Electromecnicos:
Interruptores, Fusibles y Conectores. Componentes Optoelectrnicos: Son aquellos que transforman la energa luminosa en energa elctrica, denominados fotosensibles, o la energa elctrica en luminosa, denominados electroluminiscentes.

Capacitor
Es un elemento pasivo diseado para almacenar energa en su campo elctrico. Junto con los resistores, los componentes mas comunes son los capacitores, los cuales sus aplicaciones abarcan la electrnica, las comunicaciones, computadoras y sistemas de potencia. Un capacitor esta compuesto por dos placas conductoras separadas por un aislante (o dielctrico). En contraste con un resistor, el cual consume o disipa energa en forma irreversible, un capacitor almacena o libera energa.
1.2.1 Caractersticas.
Cuando una fuente de tensin v se conecta al capacitor, como en la figura anterior, deposita una carga positiva q en una placa y una carga negativa q en la otra. El monto de carga almacenada, representada por q, es directamente proporcional a la tensin aplicada v de modo que:

=
donde C la constante de proporcionalidad, se conoce como la capacitancia del capacitor. La unidad de la capacitancia es el farad (F), en honor al fsico ingles Michael Faraday. La capacitancia es la proporcin entre la carga en una placa de un capacitor y la diferencia de tensin entre las dos placas, medida en farad(F).
1 farad=1 coulomb/volt
La capacitancia esta dada por: C=

donde A es el rea superficial de cada placa, d es la distancia entre placas y es la permitividad del material dielctrico entre las placas.
Tres factores capacitancia: determinan el valor de la
1. El rea superficial de las placas, cuanto ms grande el rea mayor capacitancia. 2. El espaciamiento entre las placas, a menor espaciamiento, mayor capacitancia. 3. La permitividad del material, a permitividad, mayor capacitancia. mayor
Capacitores fijos: a)capacitor de polister, b)capacitor cermico, c)capacitor electroltico.
Capacitores variables:
a) capacitor de compensacin. b) capacitor de placa variable.

La ecuacin para representar la energa almacenada en el campo elctrico que existe entre las placas del capacitor es: 1 = 2 2
Ejercicio: Calcule la carga almacenada en un capacitor de 3pF con 20V a travs de el. Halle la energa almacenada en el capacitor.

Capacitores en serie y paralelo
Por los circuitos resistivos se sabe que la combinacin en serie-paralelo es una eficaz herramienta para reducir circuitos.
Para obtener el capacitor equivalente de N capacitores en paralelo, como en el siguiente circuito, hay que tomar en cuenta que los capacitores tienen la misma tensin v entre ellos. Al aplicar la LCK( ley de corrientes de kirchhoff) se obtiene que:
= 1 + 2 +

La capacitancia equivalente de N capacitores conectados en paralelo es la suma de las capacitancias individuales.

Los capacitores en paralelo se combinan de la misma manera que los resistores en serie.
Para obtener la de N capacitores conectados en serie comparando el siguiente circuito, a travs de los capacitores fluye la misma corriente i, al aplicar la LTK al lazo del circuito, se obtiene que: 1 1 1 1 = + + + 1 2 La capacitancia equivalente de capacitores conectados en serie es reciproco de la suma de los recprocos de las capacitancias individuales.
Los capacitores en serie se combinan de la misma manera que los resistores en paralelo. Cuando N=2 se convierte en: 1 2 = 1 + 2

Ejercicio:
Hallar la capacitancia equivalente entre las terminales a y b del siguiente circuito.

Inductor o bobina
Un inductor es un elemento pasivo diseado para almacenar energa en su campo magntico. Los inductores encuentran numerosas aplicaciones en sistemas electrnicos y de potencia. Se usa en alimentaciones de potencia, transformadores, radios, televisores, radares y motores elctricos. Todos los conductores de corriente elctrica tienen propiedades inductivas y pueden considerarse inductores. Un inductor practico suele formarse en una bobina cilndrica con muchas vueltas de alambre conductor, esto quiere decir un inductor costa de una bobina de alambre conductor.
Si se permite que pase corriente por el inductor, se descubre que la tensin es directamente proporcional a la velocidad de cambio de la transformacin de la corriente. =

Donde L es la constante de proporcionalidad, llamada inductancia del inductor.
La unidad de la inductancia es el Henry(H), as llamado en honor al estadounidense Joseph Henry. La inductancia es la propiedad por la cual un inductor presenta oposicin al cambio de la corriente que fluye por el, medida en henrys (H).
La inductancia depende de sus dimensiones y composicin fsica. 2 =

donde N es el numero de vueltas, la longitud,

A el rea de la seccin transversal y permeabilidad del ncleo. la
La inductancia aumenta si se incrementa el numero de vueltas de la bobina, usando material con mayor permeabilidad a la del ncleo, aumentando el rea de la seccin transversal o disminuyendo la longitud de la bobina. Los inductores prcticos usuales tienen los valores de inductancia que van de unos cuantos microhenrys () como en los sistemas de comunicacin, a decenas de henrys(H), como en los sistemas de potencia. Los inductores pueden ser fijos o variables, el ncleo puede ser de hierro, acero, platico o aire, bobina o reactancia son los

sinnimos de un inductor.
Tipos de inductores: A) Solenoide B) Inductor toroidal. C) Inductor compacto. Smbolos de circuitos de los inductores: a) Ncleo de aire. b) Ncleo de hierro. c) Variable de ncleo de hierro.

La relacin corriente-tensin puede obtenerse:
1 =
0
+ (0 )
La energa almacenada en un inductor es: = 1 2 2
Propiedades de un inductor: 1. La tensin de un inductor es de cero cuando la corriente es constante. Acta como un cortocircuito para cd.

2. La oposicin al cambio en la corriente que fluye por el. La corriente que circula por un inductor no puede cambiar instantneamente.
3. Como el capacitor ideal, el inductor ideal no disipa energa. La energa almacenada en el puede recuperarse en un momento posterior. El inductor toma potencia del circuito al almacenar la energa y suministra potencia al circuito al devolver la energa previamente almacenada. 4. Un inductor practico no ideal tiene una componente resistiva, se debe al hecho que el inductor es un material conductor como el

cobre el cual tiene una resistencia de devanado, y aparece en serie con el inductor.
Ejercicio: Considere el siguiente circuito, en condiciones de cd, hallar a), . b) la energa almacenada en el capacitor y el inductor.

Inductores en serie y paralelo
Considere el siguiente circuito en serie con N inductores. Al aplicar la Ley LTK al lazo: = 1 + 2 + 3 + + As queda:
= 1 + 2 + 3 +

La inductancia equivalente de inductores conectados en serie es la suma de las inductancias individuales.
Los inductores en serie se combinan exactamente de la misma manera que los resistores en serie. Ahora considrese el siguiente circuito en paralelo de N inductores, entre los inductores ocurre la misma tensin al aplicar la LCK. = 1 + 2 + 3 + + , Quedando : 1 1 1 1 1 = + + + + 1 2 3

La inductancia equivalente de inductores en paralelo es el reciproco de la suma de los recprocos de las inductancias individuales. En el caso de dos inductores N=2 se convierte en: 1 2 = 1 + 2
Ejercicio: Hallar la inductancia equivalente del siguiente circuito.

Los circuitos que contienen dos elementos de almacenamiento se les conoce como circuitos de segundo orden, porque sus respuestas se describen con ecuaciones diferenciales que contienen segundas derivadas.
Los circuitos de segundo orden son los circuitos RLC, en los que estn presentes los tres tipos de elementos pasivos.
1.2.2 Tcnicas de solucin de circuitos RLC.

Un circuito de segundo orden se caracteriza por una ecuacin diferencial de segundo orden. Consta de resistores y el equivalente de dos elementos de almacenamiento de energa.
Valores iniciales y finales Hay dos puntos clave que se deben tener presentes en la determinacin de las condiciones iniciales. Primero, como siempre en anlisis de circuitos, se debe manejar con cuidado la polaridad de la tensin v(t) en el capacitor y la direccin de la corriente i(t) en el inductor.

Segundo, tenga presente que la tensin del capacitor siempre es continua, de modo que: 0+ = (0 )
Y que la corriente del inductor siempre es continua, de modo que: 0+ = (0 ) donde = 0 denota el momento justo antes de un evento de conmutacin y = 0+ es el momento justo despus el evento de conmutacin, suponiendo que este tiene lugar en = 0. Para determinar las condiciones iniciales primero hay que enfocarse en las variables que no pueden cambiar abruptamente, la tensin del

capacitor y la corriente del inductor.
Ejercicio: El interruptor del siguiente circuito ha estado cerrado mucho tiempo. Se abre en = 0. Hallar
a) 0+ , (0+ )
b) 0+ /, (0+ )/
c) , ()

Circuitos RLC en serie sin fuente
En el circuito siguiente se excita con la energa inicialmente almacenada en el capacitor y el inductor, esta energa esta representada por la tensin inicial del capacitor 0 y la corriente inicial del inductor 0

Asi = 0
1 0 =
= 0
0 = 0
Al aplicar LTK a lo largo de la malla 1 + +
= 0
Para eliminar la integral se deriva con respecto a t y se reordenan los trminos

2 + + =0 2
Esta es una ecuacin diferencial de segundo orden y es por ello que a los circuitos RLC se les llama circuitos de segundo orden. Al resolver esta ecuacin diferencial llegamos a la solucin de obtener una ecuacin cuadrtica que se conoce como ecuacin caracterstica de la ecuacin diferencial, ya que sus races dictan el carcter i. 1 = + 2 1 2 2

2 1 2 2
2 =
La forma compacta de expresar las races es: 1 = + 2 0 2 2 = 2 0 2

1
Donde
denominan frecuencias naturales, medidas en nepers por segundo (Np/s), porque se asocian
= 2
0 =
las races 1 2
se

con la respuesta natural del circuito, 0 se conoce como frecuencia resonante, o mas estrictamente como frecuencia natural no amortiguada, expresada en radianes por segundo (rad/S) y es la frecuencia neperiana o factor de amortiguamiento, expresada en nepers por segundo.
En trminos de 0 , puede escribirse como: 2 + 2 + 0 2
Los dos valores de s en la ecuacin de las races indican que hay dos posibles soluciones para i.
1 = 1 1 , 2 = 2 2

As la respuesta natural del circuito RLC en serie es: = 1 1 + 2 2
Donde las constantes 1 2 se determinan a partir de los valores iniciales de i(0) y di(0)/dt. De la ecuacin de las races se puede inferir que hay tres tipos de soluciones:
1. Si > 0 , se tiene el caso sobreamortiguado.

2. Si = 0 , se tiene el caso crticamente amortiguado. 3. Si < 0 , se tiene el caso subamortiguado.

Caso sobreamortiguado
Implica que C > 4/2 , cuando esto sucede las races 1 2 son negativas y reales. La respuesta es = 1 1 + 2 2 la cual decrece y tiende a cero al aumentar t.

Caso crticamente amortiguado
Cuando = 0 C = 4/2 1 = 2 = = 2, La respuesta natural del circuito crticamente amortiguado es una suma de dos trminos: una exponencial negativa multiplicada por un trmino lineal o sea,
= (2 + 1 )
La grafica siguiente representa = la cual alcanza un valor mximo de 1 / = 1 una constante de tiempo y despus decrece a cero.
Caso subamortiguado Para < 0 , < 4/2 . Las races pueden escribirse como: 1 = + (0 2 2 ) = +
2 = 0 2 2 =

Donde j = 1 = 0 2 2 , la cual se llama frecuencia de amortiguamiento. Tanto 0 son frecuencias naturales, porque contribuyen a determinar la respuesta natural, mientras que a 0 suele llamarse frecuencia natural no amortiguada. La respuesta natural es:
= 1 ( ) + 2 (+ ) = (1 + 2 ) Usando las entidades de Euler se obtiene: = (1 + 2 )
Con la presencia de las funciones seno y coseno, es claro que la respuesta natural para este caso esta amortiguada exponencialmente y es de naturaleza oscilatoria.

Ejercicio
En el siguiente circuito, calcule las races caractersticas del circuito la respuesta natural esta sobre, sub o crticamente amortiguada?

Los elementos como resistores y capacitores se expanden tanto en forma discreta o como circuitos integrados. A diferencia de los capacitores y resistores, los inductores con inductancia significativa son difciles de producir sobre sustratos de CI. En consecuencia los inductores usualmente se presentan en forma discreta y tienden a ser mas voluminosos y costosos. Los inductores se usan rutinariamente en relevadores, retrasadores, dispositivos sensores, fonocaptadores, circuitos telefnicos, receptores de radio y televisin, fuentes de alimentacin, motores elctricos, micrfonos y altavoces.
1.2.3 Aplicaciones.

Los capacitores y los inductores poseen las siguientes tres propiedades especiales que los vuelven muy tiles en los circuitos elctricos:
1. La capacidad para almacenar energa los hace tiles como fuentes temporales de tensin o corriente. Pueden usarse para generar una elevada cantidad de corriente o tensin en un breve periodo. 2. Los capacitores se oponen a cambios abruptos de tensin, mientras que los inductores se oponen a cambios abruptos de corriente. Por ello los inductores son tiles para la supresin de chispas o arcos para la conversin de una tensin intermitente de cd
1.2.3 Aplicaciones.

en una tensin de cd relativamente uniforme.
3. Los capacitores e inductores son sensibles a la frecuencia. Los hace tiles para la discriminacin de frecuencia.
1.2.3 Aplicaciones.

Son aquellos que son capaces de excitar los circuitos o de realizar ganancias o control del mismo. Fundamentalmente son los generadores elctricos y ciertos componentes semiconductores. Estos ltimos, en general, tienen un comportamiento no lineal, esto es, la relacin entre la tensin aplicada y la corriente demandada no es lineal.
Los componentes activos semiconductores derivan del diodo de Fleming y del trodo de Lee de Forest. En una primera generacin aparecieron las vlvulas que permitieron el desarrollo de aparatos electrnicos como la radio o la televisin.
1.3 Dispositivos activos

Posteriormente, en una segunda generacin, apareceran los semiconductores que ms tarde daran paso a los circuitos integrados (tercera generacin) cuya mxima expresin se encuentra en los circuitos programables (microprocesador y microcontrolador) que pueden ser considerados como componentes, aunque en realidad sean circuitos que llevan integrados millones de componentes.
1.3 Dispositivos activos

La denominacin semiconductor advierte en si misma sus caractersticas. El prefijo semi es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos limites.
El termino conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo generoso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales. Un aislante o dielctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de conductividad cuando se encuentra bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de conductividad que se

localiza entre los extremos de un dielctrico y de un conductor.
Inversamente con la conductividad de un material, se encuentra la resistencia al flujo de carga o corriente, es decir, mientras mayor sea el nivel de conductividad, menor ser el nivel de resistencia.

Los semiconductores son la base sobre la que actualmente se construyen la mayora de los componentes electrnicos, desde los mas simples (diodos) hasta los mas complejos (microprocesadores). Todo se fundamenta en cristales semiconductores unidos en forma adecuada.
Los dos semiconductores ms importantes son el germanio y el silicio, tienen 4 electrones de valencia que enlazan covalentemente a los electrones de valencia de los tomos vecinos. Una unin de tomos, reforzado por electrones compartidos se denomina enlace covalente.
1.3.1.1. Estructura elctrica del Silicio

Los materiales intrnsecos, son aquellos semiconductores que se han refinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las impurezas hasta un nivel muy bajo, tan puros como sea posible mediante la utilizacin de la tecnologa moderna.
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede ocasionar un incremento sustancial en el numero de electrones libres en el material.
1.3.1.1. Estructura elctrica del Silicio
El tomo del germanio contiene 32 electrones en orbita mientras que el silicio cuenta con 14 de ellos. En ambos casos, tenemos 4 electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial (de ionizacin) que se requiere para sacar de la estructura a cualquiera de estos 4 electrones de
1.3.1.2. Estructura elctrica del Germanio

valencia es menor que el que se requiere para sacar a otro electrn de la estructura. En el caso de un cristal puro de silicio o germanio, estos 4 electrones de valencia se encuentran enlazados con 4 tomos adyacentes.

Materiales semiconductores con el silicio o germanio que presentan una reduccin en la resistencia cuando se incrementa la temperatura se dice que tienen un coeficiente de temperatura negativo.
En la estructura atmica aislada existen niveles discretos de energa (individuales) asociados con cada electrn que orbita. Cada material tendr su propio conjunto permitido de niveles de energa para los electrones en su estructura atmica.

Mientras mas distante se encuentre el electrn del ncleo, mayor ser su estado de energa. Adems cualquier electrn que haya abandonado a su tomo tendr un estado de energa mayor que cualquier electrn dentro de la estructura atmica.

Existen dos tipos de semiconductores: tipo P es el que representa un mayor numero de cargas positivas que de cargas negativas. Al aplicar un campo elctrico externo estas cargas positivas sern atradas por el terminal negativo, estableciendo una circulacin de corriente.

El tipo N, es el que representa un mayor numero de cargas negativas que de positivas.
Los electrones sern atrados por el terminal positivo de la batera.
Al unir un semiconductor de tipo P con otro tipo N, se forma una unin tipo PN.

Se obtiene un dispositivo mientras no se rompa su estructura cristalina que se le conocer como diodo y su funcin es que deja pasar la corriente elctrica en una sola direccin. Algunos electrones prximos a la unin la atravesaran y se recombinaran con los huecos de la zona P. Por lo tanto aparecer una zona de carga positiva y negativa a ambos lados de la unin, que se conoce como zona de transicin o deplexin.
La acumulacin de cargas elctricas de signos contrarios origina un campo elctrico a travs de la zona de transicin. La cada de tensin en la unin PN es de 0.7 v para el silicio.

Polarizacin directa:
Al conectar el polo positivo de una batera a la zona P y el negativo a la zona N hay potencial suficiente para que los portadores atraviesen la zona de transicin. La unin PN se considera directamente polarizada se comporta como un circuito cerrado, permitiendo el paso de una corriente llamada directa.

El objetivo de la polarizacin directa es disminuir la barrera de potencial ya que el campo creado por la batera se opone al creado por la acumulacin de cargas a ambos lados de la zona de unin.
Polarizacin inversa: Si conectamos el terminal positivo de la pila a la zona N y el negativo a la zona P la zona de transicin aumenta establecindose un campo elctrico a travs del cristal que se opone al paso de corriente. La unin PN polarizada inversamente se comporta como un circuito abierto. La corriente circulara por la unin es muy

pequea y se llama corriente inversa.
Los campos originados por la batera y las cargas coinciden por lo que su efecto es el de tender a aumentar la barrera de potencial.

Diodos
a) Tipo LED Las caractersticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en una sola direccin. Estos tipos de diodos al estar en conduccin emiten luz, los podemos encontrar en casi todos los circuitos electrnicos, computadoras, controles remotos, etc. Se diferencian de los diodos de unin en que estos tienen mayor tensin umbral y soportan mayor tensin inversa.
1.3.2. Dispositivos semiconductores

b) Tipo Rectificadores
El diodo de unin o rectificador es un componente electrnico compuesto por dos cristales semiconductores, uno tipo P y el otro tipo N. El terminal unido a la zona P se llama nodo y el correspondiente a la zona N ctodo.

Este elemento solo permite el paso de la corriente en un sentido. La intensidad elctrica circulara siempre desde el nodo hacia el ctodo. El diodo solo conduce si la tensin en el ctodo es menor que en el nodo, se tiene que cumplir que vk < va.
Permite el paso de la corriente.
Impide el paso de la corriente en el otro sentido.

b) Tipo Zner
El diodo Zner o de ruptura es un componente que funciona como un diodo unin, con la peculiaridad de que est diseado para poder disipar la potencia generada en la zona de ruptura. El diodo Zner se usa para estabilizar tensiones. Si este diodo lo polarizamos inversamente vemos que no conduce. Pero que pasa si seguimos aumentando la tensin inversa llegaremos a un valor para que la corriente aumenta bruscamente. Conocida como tensin de ruptura.

Transistores
a) Bipolares Es un elemento semiconductor formado por dos uniones PN, estas uniones se forman utilizando tres cristales semiconductores, dos del mismo tipo P o N y un tercero del otro tipo. Podemos distinguir dos tipos de transistores: Transistor NPN Transistor PNP A cada una de las zonas del transistor ira un terminal accesible a los que llamaremos emisor, base y colector.

b) FET o JFET
Los transistores de efecto de campo son mas fciles de fabricar resultan particularmente adecuados para su uso en tcnicas de conmutacin y en el diseo de circuitos integrados. Es un dispositivo controlado por tensin, es decir que el paso de la corriente es controlado por un campo elctrico y no por una corriente elctrica como sucede en los transistores bipolares Su funcionamiento se basa en el llamado efecto de campo, que consiste en controlar la conductividad de un solido por medio de la

aplicacin de un campo elctrico transversal.
Hay dos tipos de transistores JFET: Canal N
Canal P

c) IGFET o MOS
Estos transistores grandes grupos: estn clasificados en dos
MOS de empobrecimiento. MOS de enriquecimiento.
MOS de empobrecimiento: El comportamiento de estos transistores es similar a los JFET, pueden ser canal N, canal P. El terminal de puerta esta aislado elctricamente mediante una capa de oxido.

MOS de enriquecimiento:
Son los de mayor importancia practica ya que aparecen en la mayora de componentes integrados industriales. Son unos dispositivos muy importantes en los circuitos digitales y computadoras, otra ventaja es que ocupa poco espacio. Los MOS de enriquecimiento pueden ser de tipo canal N y canal P, su diferencia es que en su estructura no hay canal por el que pueda circular la corriente.

Tipos de Silicio
Silicio amorfo: oxido de silicio buen dielctrico. Silicio cristalino: material base para el diseo de semiconductores. Silicio poli cristalino: utilizado en la construccin de la puerta del MOS.
Superficies de implementacin
Monolticos: la implementacin se realiza sobre la superficie de la oblea. Peliculares: dicha implementacin se realiza sobre una cermica, donde se implementan las pistas

Hbridos: tecnologa que utiliza las dos anteriores.
Tecnologas de implementacin Planar: utiliza solo la superficie de la oblea de silicio para hacer la circuitera. Bulk: utiliza todo el grosor de la oblea (0.5mm) tambin llamado sustrato, para implementar la circuitera(muy utilizado en la fabricacin de circuitos discretos como diodos, triacs, etc.) Procesos de fabricacin del silicio El silicio natural, obtenido de la arena esta altamente contaminado ya que es bsicamente

dixido de silicio, para depurarlo o descontaminarlo, aplicamos carbono a alta presin y conseguiremos dejar puro al 98% a su vez liberamos CO2, a este silicio resultante se le llama silicio metalrgico.
Corte y marcacin de las obleas A continuacin, se toma el misil y se lima con laser uno o varios de sus lados para marcar por un lado, el tipo de cristal que lo forma ( P o N ) y por otro lado la orientacin cristalogrfica. La orientacin ms apropiada para las aplicaciones en microelectrnica son la <100> til para tecnologa MOS y <111> tecnologa BJT.

Finalmente se proceder a cortar el misil en pequeas rebanadas generalmente de 500 micras de grosor (bien por laser o bien con agua a 1000 bares de presin y posteriormente pulirlas y limpiarlas con agua electrnicamente pura.
Crecimiento epitaxial Esta tcnica consiste en hacer crecer un silicio delgado sobre la oblea, manteniendo la estructura cristalina de la misma, existen tres tcnicas de crecimiento epitaxial: VPE Vapour phase epitaxy. LPE liquid phase epitaxy.
y MBE Mollecular beam epitaxy.

VPE Vapour phase epitaxy.
En un horno a alta temperatura, se depositan las obleas de silicio, en una ambiente rico de gas que contiene silicio.
LPE liquid phase epitaxy.

Consiste en aplicar cada oblea, una resina rica en silicio, o en sustancias dopantes de esta forma se dopa una oblea y se crea regiones en la misma para elaborar transistores, resistencias. MBE Mollecular beam epitaxy. Consiste en bombardear con tomos de silicio o de sustancias dopantes, a la oblea. La velocidad de crecimiento es muy poca, pero es til para

hacer pozos enterrados a diferentes profundidades de la oblea. De esta forma se pueden crear trincheras enterradas para evitar defectos elctricos en los transistores.
Procesos tecnolgicos bsicos Las operaciones bsicas que se realizan durante la fabricacin de un CI reciben el nombre de procesos tecnolgicos bsicos. Una tecnologa particular es un conjunto de procesos bsicos aplicados en un orden determinado. Oxidacin, deposicin (por evaporacin sputtering), grabado, difusin e implantacin. o

Oxidacin
El aislamiento entre las distintas pistas que forman el CI se consigue haciendo crecer una capa de xido de silicio entre ellas. El espesor de estas capas determina en gran medida las caractersticas elctricas de los dispositivos que formaran el CI, de forma que el control del crecimiento del xido es extremadamente importante. Bsicamente la oxidacin se consigue metiendo las obleas de silicio en O2 o vapor de agua a una temperatura muy alta.

Deposicin o metalizacin
Consiste en colocar sobre la oblea una fina capa de una determinada substancia (polisilicio o aluminio) que convenientemente recortada por tcnicas fotolitogrficas dar lugar a las pistas conductoras o aislantes. En contra de lo que ocurra en el proceso de difusin, en la deposicin no se produce ninguna reaccin qumica con el sustrato todos los componentes se suministran desde fuentes externas.

Grabado
Este proceso se encarga de eliminar selectivamente un determinado material de todas aquellas zonas en las que ste no esta protegido. Las dos caractersticas principales son: Su selectividad: esto es, los materiales a los que el proceso de grabado afecta y a los que no afecta.
Su grado de anisotropa: se llama grabado anistropo aquel que tiene lugar en una nica direccin, mientras que se llama grabado istropo aquel en que el ataque se realiza en todas direcciones.

Difusin
Permiten el movimiento de tomos dentro de un solido, utilizando altas temperaturas y se utilizan para dopar determinadas zonas de la oblea. Implantacin inica Se utilizan con el mismo fin que los procesos de difusin cuando es necesario controlar muy finamente el espesor y la concentracin de la zona a dopar. El proceso de implantacin inica consiste en introducir los dopantes en el silicio por bombardeo inico a alta energa.

Rectificadores
Una aplicacin muy importa para la que se utilizan los diodos es la rectificacin de tensiones senoidales. Solo permiten el paso de una parte de una seal y bloquean el resto. As conseguimos aproximar o convertir una tensin alterna a una continua. Amplificadores Un transistor esta en montaje emisor comn cuando el terminal de emisor esta conectado a masa. La seal de entrada se aplica a la base y en el
1.3.4. Aplicaciones con semiconductores

colector, obtendremos la seal amplificada de salida.
Conmutador de rel Un actuador de seal TTL consiste en un circuito capaz de controlar cualquier dispositivo de potencia mediante una pequea seal de control. Esta seal proviene de un circuito digital TTL. Por medio de este circuito podemos controlar un rel de potencia con solo una seal de 5V. El diodo LED nicamente nos sirve para indicar cuando est activada la salida.

Fuentes de voltaje
Los equipos electrnicos generalmente funcionan con tensiones de alimentacin continuas. Para alimentar estos sistemas se debe recurrir a bateras o fuentes de alimentacin lineales. Fuentes de alimentacin transforman la tensin alterna que nos suministra la compaa elctrica en una tensin continua de menor valor. El paso de una seal alterna a una continua se puede dar en tres fases:

1. Primero se adapta la amplitud de la seal de la compaa a la que precisa nuestra fuente mediante un transformador.
Mediante diodos se rectifica la seal. Por ultimo se filtra y estabiliza la seal rectificada mediante condensadores y diodos zner.
2. 3.

Es un componente ampliamente extendido en el mundo de la electrnica analgica. Debido a su versatilidad, est presente en casi todos los circuitos electrnicos. En principio se diseo para realizar operaciones de clculo analgico como sumar, restar, invertir, seales, pero actualmente se usan en numerosas aplicaciones como amplificadores, comparadores (circuito de dos entradas, una de referencia y una de salida, dependiendo de cual de las entradas es mayor, conmuta entre dos posiciones), osciladores (circuito electrnico que genera seales alternas).
1.4. Amplificadores operacionales

El elemento tiene, a parte de los dos terminales de alimentacin tres patillas importantes, que se corresponden con dos entradas, una inversora, otra no inversora y una salida. Tambin tiene otras patillas para compensar pequeos desequilibrios.

El elemento tiene, a parte de los dos terminales de alimentacin tres patillas importantes, que se corresponden con dos entradas, una inversora, otra no inversora y una salida. Tambin tiene otras patillas para compensar pequeos desequilibrios.
La admisin de la seal de este elemento se hace por lo que se llama una entrada de diferencial. Esto significa que encontramos a la salida la diferencia entre las seales aplicadas en las entradas no inversora e inversora y todo ello por la ganancia del amplificador. Salida=ganancia*(entrada(+)-entrada(-))

Si partimos de que la salida del amplificador es la diferencia entre las dos seales de entrada amplificada, si una de estas seales hacemos que sea cero, en la salida estar la otra entrada amplificada.
Unidad II Electrnica digital.

2.1 Tablas de verdad y compuertas lgicas.
2.1.1 NOT, OR y AND. 2.1.2 Otras (NOR, NAND, XOR, etc.).
2.1.3 Expresiones booleanas.

2.2 Diseo de circuitos combinacionales. 2.2.1 Metodologa de diseo.
2.2.2 Minitrminos y Maxitrminos.

2.2.3 Tcnicas de simplificacin.

2.2.3.1 Teoremas y postulados del algebra de Boole.
2.2.3.2 Mapas Karnaugh. 2.2.4 Implementacin y aplicacin de circuitos combinacionales. 2.3 Lgica secuencial. 2.3.1 FLIP-FLOP con compuertas. 2.3.2 FLIP-FLOP JK, SR, D. 2.3.3 Diseo de circuitos secuenciales

2.3.4 Aplicacin de circuitos secuenciales.
2.4 Familias lgicas. 2.4.1 TTL. 2.4.2 ECL. 2.4.3 MOS.
2.4.4 CMOS.
2.4.5 Bajo voltaje (LVT, LV, LVC, ALVC)

El algebra booleana difiere de manera importante del algebra ordinaria en que las constantes y variables booleanas slo pueden tener dos valores posibles, 0 o 1. Una variable booleana es una cantidad que puede, en diferentes ocasiones, ser igual a 0 o a 1. Las variables booleanas se emplean con frecuencia para representar el nivel de voltaje presente en un alambre o en las terminales de entrada y salida de un circuito.
En un sistema digital el valor booleano de 0 podra asignarse a cualquier voltaje de 0 a 0.8V, en tanto que el valor booleano de 1 podra ser asignado a cualquier voltaje en el mbito de 2 a 5V.

As pues, el 0 y el 1 booleanos no representan nmeros si no que en su lugar representan el estado de una variable de voltaje o bien lo que se conoce como su nivel lgico.
Se dice que un voltaje digital en un circuito digital se encuentra en el nivel lgico 0 o en el 1, segn su valor numrico real. En el campo de la lgica digital se emplean otros trminos como sinnimos.

El lgebra booleana se utiliza para expresar los efectos que los diversos circuitos digitales ejercen sobre las entradas lgicas y para manipular variables lgicas con objeto de determinar el mejor mtodo de ejecucin de cierta funcin de un circuito.
En el lgebra booleana solo existen tres operaciones bsicas: OR, AND y NOT. Estas operaciones bsicas se llaman operaciones lgicas. Es posible construir circuitos digitales llamados compuertas lgicas que con diodos, transistores y resistencias conectados de cierta manera hacen que la salida del circuito sea el resultado de una operacin lgica bsica sobre la entrada.

Una tabla de verdad es un medio para describir la manera en que la salida de un circuito lgico depende de los niveles lgicos que haya en la entrada del circuito. En la siguiente figura se ilustra una tabla de verdad para un tipo de circuito lgico de dos entradas.

Operacin OR
Suponga que A y B representan dos variables lgicas independientes. Cuando A y B se combinan con la operacin OR, el resultado x, se puede expresar como: = + En esta expresin el signo + no representa la adicin ordinaria; en su lugar se denota la operacin OR cuyas reglas podemos observar en la siguiente tabla.
2.1.1 NOT, OR y AND.

Por lo tanto, podemos decir que en la operacin OR el resultado ser 1 si una o ms variables es un 1. La expresin = + se lee como x es igual a A o B
Compuerta OR En un circuito digital la compuerta OR es un circuito que tiene dos o mas entradas y cuya es salida igual a la suma OR de las entradas. Las entradas A y B son niveles de voltaje lgicos y la salida x es un nivel de voltaje lgico cuyo valor es el resultado de la operacin OR de A y B; esto es = + .

La compuerta OR opera en tal forma que su salida es ALTA (nivel lgico 1) si la entrada A, B o ambas estn en un nivel lgico 1. La salida de la compuerta lgica OR ser BAJA (nivel lgico 0) si todas sus entradas estn en el nivel lgico 0.

La operacin OR produce un resultado de 1 cuando cualquiera de las variables de entrada es 1.
La operacin OR genera un resultado de 0 slo cuando todas las variables de entrada son 0. En la operacin OR, 1+1=1, 1+1+1=1, etc. Operacin AND Si dos variable lgicas A y B se combinan mediante la expresin AND, el resultado, x, se puede expresar como: =

En esta expresin el signo representa la operacin booleana AND, cuyas reglas se dan en la siguiente tabla:
La operacin AND es exactamente igual que la multiplicacin ordinaria. Siempre que A o B sean cero, su producto ser cero, cuando A y B sean 1, su producto ser 1. Por tanto, podemos decir que en la operacin AND el resultado ser 1 slo si todas las entradas son 1; de lo contrario ser cero.

La expresin = se lee x es igual a A AND B, el signo de multiplicacin se omite como en el lgebra ordinaria, por lo que queda, = . Compuerta AND:
En la siguiente figura se muestra, una compuerta AND de dos entradas. La salida de la compuerta AND es igual al producto AND de las entradas lgicas, es decir, = . La compuerta AND es un circuito que opera en forma tal que su salida es ALTA slo cuando todas sus entradas son ALTAS. En todos los otros casos la salida de la compuerta es BAJA.
La operacin AND se ejecuta exactamente igual que la multiplicacin ordinaria de unos y ceros.
Una salida igual a 1 ocurre slo en el caso de que todas las entradas sean 1.
La salida es cero en cualquier caso donde una o ms entradas sean cero.

Operacin NOT:
La operacin NOT difiere de las operaciones AND y OR en que est puede efectuarse con una sola variable de entrada. = Donde la barra sobrepuesta representa la operacin NOT. Esta expresin se lee x es igual a NO A o x es igual a la inversa de A, o tambin x es igual al complemento de A. 1 = 0 1 0 0 = 1 0 1 La operacin NOT tambin se conoce como inversor o complementacin.

Circuito NOT(Inversor):
A este circuito se le llama comnmente inversor, este circuito siempre tiene una sola entrada y su nivel lgico de salida siempre es contrario al nivel lgico de est entrada.

Otros tipos de compuertas lgicas, NOR y NAND, se utilizan extensamente en los circuitos digitales, estas compuertas combinan las operaciones AND, OR y NOT.
Compuerta NOR: Es igual al smbolo de la compuerta OR excepto que tiene un circulo pequeo en la salida, que representa la operacin de inversin. De este modo, la compuerta NOR opera como una compuerta OR seguida de un inversor, de manera que los circuitos a) y b) siguientes son equivalentes y la expresin de salida es: = +
2.1.2 Otras (NOR, NAND, XOR, etc.).
La tabla de verdad muestra que la salida de la compuerta NOR es el inverso de la salida de la compuerta OR en todas las posibles condiciones de entrada. Mientras que la salida de una compuerta OR se torna ALTA cuando cualquier entrada es ALTA, la salida de la compuerta NOR pasa a BAJA cuando cualquier entrada es ALTA.

Compuerta NAND:
Se muestra el smbolo correspondiente a una compuerta NAND de dos entradas. Es el mismo que el de la compuerta AND, excepto por el pequeo circulo en su salida. Este circulo denota inversin. De este modo la compuerta NAND, opera igual que la AND seguida de un inversor, es decir los circuitos a) y b) siguientes son equivalentes entre s, y la expresin de salida de la compuerta NAND es = .
La tabla de verdad, muestra que la salida es la inversa exacta de la compuerta AND en todas las posibles condiciones de entrada. La salida AND se vuelve ALTA solo cuando las entradas son ALTAS, en tanto que las salidas NAND se vuelve BAJA slo cuando las entradas son ALTAS

Compuerta XOR:
La compuerta XOR o EXOR es una puerta lgica digital que se comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. Cuando todas sus entradas son distintas entre s para dos entradas A y B, o cuando el nmero de 1 (unos) da una cantidad impar para el caso de tres o ms entradas, su salida est en 1 o en ALTA. Se puede ver claramente que la salida X solamente es "1" (1 lgico, nivel alto) cuando la entrada A es distinta a la B. Esta situacin se representa en lgebra booleana como: = +

Cualquier circuito lgico, sin importar que tan complejo sea, puede describirse completamente mediante las operaciones anteriores, ya que los circuitos de las compuertas OR,AND y NOT son los elementos bsicos de los sistemas digitales.
Ejercicio. Escribe su expresin booleana del siguiente circuito y haz su simulacin en multisim.

En ocasiones puede existir confusin con respecto cual operacin se efecta primero. Las operaciones AND se efectan primero, a menos que haya parntesis en la expresin, en cuyo caso la expresin dentro del parntesis se realizara primero.
Ejercicio. Escribe su expresin booleana del siguiente circuito y haz su simulacin en multisim.

Ejercicio.
Escribe su expresin booleana del siguiente circuito y haz su simulacin en multisim.

Ejercicio.
Escribe su expresin booleana del siguiente circuito y haz su simulacin en multisim.

Si la operacin de un circuito se define por medio de una expresin booleana, se puede implantar directamente un diagrama de circuito lgico a partir de esa expresin.
Ejercicio. Construir el circuito a partir de la siguiente expresin: = + + , simular en multisim.

Cuando se da el nivel de salida deseado de un circuito lgico en todas las posibles condiciones de entrada, los resultados se pueden mostrar adecuadamente en una tabla de verdad. La expresin booleana para el circuito requerido se puede determinar a partir de la tabla de verdad.
2.2 Diseo de circuitos combinacionales.

Una vez que se ha determinado la expresin de salida a partir de la tabla de verdad en forma de suma de productos, sta se puede construir fcilmente utilizando compuertas AND y OR e INVERSORES, con lo que se obtiene un circuito mas eficiente.
Ejercicio
Disee un circuito lgico que tenga tres entradas A, B, C y cuya salida sea ALTA slo cuando la mayor parte de las entradas sean ALTAS.
2.2.1 Metodologa de diseo.

Paso 1. Establecer la tabla de verdad
Sobre la base del enunciado, la salida x debe ser 1 siempre que dos o ms entradas sean 1. Para el resto de los casos deben ser 0.

Paso 2. Escribir el trmino AND para cada caso donde la salida sea 1.
Paso 3. Escribir la expresin de suma de productos para la salida. = + + +

Paso 4. Simplificar la expresin de salida.
Esta expresin puede simplificarse de varias maneras. La forma ms rpida sea darse cuenta que el ltimo trmino tiene dos variables en comn con cada uno de los otros trminos. Entonces podemos usar el trmino ABC para factorizarlo con cada uno de los otros. = + + + + + = + + + + ( + ) = + + Paso 5. Implantar el circuito para la expresin final. Dibuje el circuito correspondiente y simule.

Una variable binaria puede aparecer ya sea en forma normal o en su forma complementaria . Ahora considrese dos variables binarias combinadas con un operador AND. En el siguiente ejemplo hay cuatro combinaciones posibles , , , . Cada uno de esos cuatro trminos AND representa una de las reas diferentes en el diagrama de venn y se denomina un minitermino o un producto estndar.

Pueden combinarse n variables para formar 2 miniterminos. Los numero binarios desde 0 a 2 1 se listan bajo las n variables. Cada minitermino se obtiene de un termino AND de las n variables, con cada variable vuelta prima si el bit correspondiente del numero binario es un 0 y no prima si es un 1.
De manera semejante, n variable forman un trmino OR, con cada variable vuelta prima o no prima, proporcionando 2 combinaciones posibles, denominadas maxiterminos o sumas estndar. Cualesquiera 2 maxiterminos para n variables pueden determinarse en forma similar. Cada maxitermino se obtiene de un termino OR de las n variables, con cada variable no prima si

el bit correspondiente es 0 y prima si es un . Obsrvese que cada maxitermino es el complemento de su minitermino correspondiente y viceversa.
Una funcin booleana puede expresarse en forma algebraica mediante una tabla de verdad dada, formando un minitermino para cada combinacin de variables que produce un 1 en la funcin y, tomando entonces los OR de todos esos trminos. Ejemplo: La funcin 1 se expresa de las combinaciones 001, 100 y 111 de la siguiente tabla.
Ya que cada uno de estos miniterminos resulta 1 = 1 1 = + + = 1 + 4 + 7 En forma similar, es posible leer la expresin para 2 de la tabla:

2 = + + + + + + + + = 0 1 2 4
Forma de expresar las funciones de los miniterminos y maxiterminos en forma cannica. , , = (1, 4, 7) minitrmino
, , = (0,1,2,4) maxitrmino

Los mtodos de diseo y simplificacin de circuitos requieren que la expresin lgica este en forma de suma de productos.
Una vez que se ha obtenido esta expresin para un circuito lgico, podemos reducirla a una forma mas simple que contenga menos trminos o variables en uno o ms trminos. La nueva expresin puede utilizarse para implantar un circuito que se equivalente al original pero que contenga menos compuertas y conexiones. Utilizaremos dos mtodos de simplificacin los teoremas y postulados de Boole y los mapas de Karnaugh.
2.2.3 Tcnicas de simplificacin.

Use los teoremas de y postulados de algebra de Boole para simplificar el siguiente circuito:
2.2.3.1 Teoremas y postulados del algebra de Boole.

El mapa de Karnaugh es un mtodo grafico que se utiliza para simplificar una ecuacin lgica para convertir una tabla de verdad a su circuito lgico correspondiente en un proceso simple y ordenado. Aunque un mapa de Karnaugh se puede utilizar para resolver problemas con cualquier numero de variables de entrada, su utilidad practica se limita a seis variables. Formato de mapa de Karnaugh
1. La tabla de verdad da el valor de la salida X para cada combinacin de valores de entrada. La condicin A=0 y B=0 corresponde a la figura de dos entradas en el mapa con un 1, y as
2.2.3.2 Mapas Karnaugh.
sucesivamente como se muestra en la anterior figura, los dems cuadrados se llenan con ceros, es la misma idea que se usa en mapas K de tres y cuatro variables.

2. Los cuadrados del mapa K se marcan de modo que los cuadrados horizontales adyacentes solo difieran de una variable. Por ejemplo el cuadrado superior de la izquierda del siguiente mapa K de cuatro variables es , en tanto que el cuadrado que se encuentra a la derecha es , solo la variable D es diferente. De la misma manera, los cuadrados verticalmente adyacente difieren slo en una variable. El cuadrado superior izquierdo es , en tanto que el que se encuentra a la derecha es , solo la variable B es diferente.
3. A fin de que los cuadrados que son adyacentes tanto vertical como horizontal difieran en una sola variable, el marcado de arriba hacia abajo debe hacerse en el orden indicado , , , es izquierda- derecha.

4. Una vez que el mapa K se ha llenado con ceros y unos, la expresin de suma de productos para la salida X se puede obtener operando con OR aquellos que contienen 1. Se puede observar en la imagen del mapa K de 3 variables los cuadrados , , , , contienen un 1, o sea que: = + + + .
Agrupamiento La expresin de salida X se puede simplificar adecuadamente combinando los cuadros en el mapa K que contengan 1, este proceso se le denomina agrupamiento.

Agrupamiento de grupos de dos (pares)
En la siguiente figura se tiene un par de unos que son verticalmente adyacentes entre si. Estos dos trminos se pueden agrupar para dar un resultante que elimine la variable A aparece en forma normal y complementada.

Agrupamiento de grupos de cuatro (cudruples)
Un mapa K puede contener un grupo de cuatros unos que sean adyacentes entre si. Este grupo se denomina cudruple.

Agrupamiento de grupos en ocho (octetos)
Un grupo de ocho unos que son adyacentes entre si se denomina octeto.

Un sistema combinacional es un circuito lgico cuyas salidas estn completamente determinadas en cualquier instante por los valores aplicados a sus variables de entrada.
Son circuitos que no tienen bucles de realimentacin, es decir una salida no puede usarse como entrada en una etapa anterior. Tampoco se puede unir entre si dos salidas porque puede darse un conflicto. La implementacin de un sistema es composicin en unidades mas pequeas. su
Ejemplo: implementar un circuito elctrico de encendido de un foco a partir de una pila,
2.2.4 Implementacin y aplicacin de circuitos combinacionales.

un interruptor y un foco.
La especificacin de un sistema combinacional consiste en traducir el enunciado de un problema concreto a variables y funciones booleanas cuya tabla de verdad permita encontrar un circuito lgico que resuelva la situacin. Especificacin de alto nivel
Se dice que es de alto nivel cuando se encuentra una tabla de verdad en la que se reflejan los casos que se pretenden contemplar de manera similar al enunciado del problema.

Ejemplo
Una maquina expendedora automtica, proporciona productos con diversos precios: botella de agua 0.50, lata de refresco 1.00, paquete de galletas 1.50 y caja de chocolates 2.00. Solo admite una moneda de 0.50, 1.00 o 2.00 para adquirir el producto y solo devuelve cambio de una moneda, en caso de que tuviera que devolver cambio. Habr casos en los que, al no poder proporcionar el cambio correcto, devolver la moneda introducida, sin proporcionar el producto.

Especificacin de bajo nivel
Se dice que es de bajo nivel cuando los casos posibles se codifican en forma binaria a partir de la especificacin de alto nivel .
Vamos a codificar los distintos tipos de monedas con 2 bits y los distintos tipos de productos tambin con 2 bits.
El proceso de diseo combinacional consiste en: de un circuito
1. Determinar el nmero de variables de entrada y de salida necesarias, identificar las variables de entrada, asignarles un nombre y hacer lo mismo con las de salida.

2. Deducir la tabla de verdad que define las relaciones entre las variables de entrada y de salida.
3. Simplificar las funciones representadas en la tabla de verdad. 4. Obtener el circuito a partir de las funciones simplificadas. Tarea
Investigar que es un decodificador y multiplexor.

Realizar la practica 3 de simulacin de un decoder de 2x4 por medio de compuertas lgicas.

Los circuitos digitales hasta ahora considerados han sido combinacionales, es decir, las salidas en un instante dado de tiempo son enteramente dependientes de las entradas presentes en ese mismo tiempo. Aunque cada sistema digital debe tener circuitos combinacionales, la mayora de los sistemas encontrados en la practica incluyen tambin elementos de memoria, los cuales requieren que el sistema se describa en trminos de lgica secuencial.
Un circuito secuencial, consiste en un circuito combinacional al cual se le conectan elementos de memoria para formar un camino de realimentacin.
2.3 Lgica secuencial..

Los elementos de memoria son capaces de almacenar informacin binaria dentro de ellos. La informacin binaria almacenada en los elementos de memoria en un tiempo dado define el estado del circuito secuencial.
La figura anterior demuestra que las salidas externas en un circuito secuencial son una funcin no solamente de las entradas externas sino del presente estado de los elementos de memoria.

Un circuito secuencial se especifica por medio de una secuencia de tiempo de las entradas, salidas y estados internos.
Los circuitos secuenciales se clasifican en:
Sincrnico:
Es un sistema cuyo comportamiento puede definirse a partir del conocimiento de sus seales en instantes discretos de tiempo.
Asincrnico:
Depende del orden en que cambien las seales de entrada y puedan ser afectadas en un instante dado de tiempo.

Los elementos de memoria comnmente usados en los circuitos secuenciales asincrnicos son mecanismos retardadores de tiempo. La capacidad de memoria de los mecanismos retardadores de tiempo se debe al hecho de que la seal gasta un tiempo finito para propagarse a travs del dispositivo.
Un sistema lgico secuencial sincrnico, por definicin puede usar seales que afecten los elementos de memoria solamente en instantes de tiempo discreto. Los sistemas lgicos secuenciales sincrnicos prcticos usan amplitudes fijas tales como niveles de voltaje para las seales binarias. La sincronizacin se logra por un dispositivo de tiempo llamado generador maestro de tiempo el

cual genera un tren peridico de pulsos de reloj.
Los circuitos secuenciales sincrnicos que usan pulsos de reloj en las entradas de los elementos de memoria se llaman circuitos secuenciales temporizados.

Los elementos de memoria usados en los circuitos secuenciales temporizados se llaman flip-flops.
Estos circuitos son celdas binarias capaces de almacenar un bit de informacin. Un circuito flipflop tiene dos entradas, una para el valor normal y uno para el valor complemento del bit almacenado en el. Un circuito flip-flop puede mantener un estado binario indefinidamente (siempre y cuando se este suministrando potencia al circuito) hasta que se cambie por una seal de entrada para cambiar estados. La principal diferencia entre varios flip-flops es el numero de entradas que poseen y la manera en la cual las entradas afectan el estado binario.
2.3.1 FLIP-FLOP con compuertas.

Un circuito flip-flop puede construirse con dos compuertas NAND o dos compuertas NOR.

En las anteriores figuras cada circuito forma un flip-flop bsico del cual se puede construir uno ms complicado. La conexin de acoplamiento intercruzado de la salida de una compuerta a la entrada de la otra constituye un camino de realimentacin.

Estos circuitos se clasifican como circuitos secuencial asincrnicos. Cada flip-flop tiene dos salidas Q y Q y dos entradas S(set) y R(reset). Este tipo de flip-flop se llama flip-flop RS acoplado directamente o bloqueador SR(SR latch).
Un flip-flop tiene dos entradas tiles. Cuando Q=1 y Q=0 estar en el estado puesta a uno (o estado 1). Cuando Q=0 y Q=1 estar en el estado de puesta a cero (o estado 0). Las salidas Q y Q son complementos entre si y se les trata como salidas normales y de complemento respectivamente. El estado binario de un flip-flop se toma como el valor de su salida normal.
2.3.2 FLIP-FLOP JK, SR, D.

El circuito flip-flop bsico NAND opera con ambas entradas normalmente en 1 a no ser que el estado del flip-flop tenga que cambiarse.
Flip-flop RS temporizado
El flip-flop bsico por si solo es un circuito secuencial asincrnico. Agregando compuertas a las entradas del circuito bsico, puede hacerse que el flip-flop responda a los niveles de entrada durante la ocurrencia del pulso de reloj.

En la figura anterior el flip-flop bsico NOR consiste en dos compuertas AND. Las salidas de dos compuertas AND permanecen en cero mientras el pulso de reloj sea cero, independiente de los valores de entrada de S y R. El estado de puesta a uno se logra con S=1, R=0 y CP=1. Para cambiar el estado de puesta a cero (o borrado) las entradas deben ser S=0, R=1 y CP=1.

La anterior figura muestra el smbolo grafico del flip-flop RS sincronizado. Tiene tres entradas S, R y CP, la entrada CP no se escribe se representa por un triangulo, este es un smbolo para el indicador dinmico y denota el hecho que el flip-flop responde a una transicin de reloj de entrada o flanco de subida de una seal de un nivel bajo (o binario) a un nivel alto (binario 1).
Flip-flop D
El flip-flop D es una modificacin del flip-flop RS sincronizado. Las compuertas NAND 1 y 2 forman el flip-flop bsico y las compuertas 3 y 4 las modifican para conforman el flip-flop RS sincronizado. La entrada D va directamente a la

entrada S y su complemento se aplica a la entrada R a travs de la compuerta 5.
El flip-flop D recibe su nombre por la habilidad de trasmitir datos a un flip-flop. Es bsicamente un flip-flop RS con un inversor en la entrada R.

El inversor agregado reduce el numero de entradas de dos a uno. Este tipo de flip-flop se llama bloqueador D con compuertas o flip-flop de bloqueo.
Flip-flop JK Es un refinamiento del flip-flop RS ya que el estado indeterminado del tipo RS se define en el JK. Las entradas J y K se comportan como R y S para poner a uno o a cero al flip-flop, la letra J se usa para la entrada de puesta a uno y la letra K para la entrada puesta a cero. Cuando ambas entradas se aplican a J y K simultneamente, el flip-flop cambia a su estado complemento, esto es, Q=1 cambia a Q=0 y viceversa.
Este es un flip-flop sincronizado la salida Q se aplica con K y CP a una compuerta AND de tal manera que el flip-flop se ponga a cero durante un pulso de reloj solamente si Q fue 1 previamente. De manera similar la salida Q se aplica con J y CP a una compuerta AND de tal manera que el flip-flop se ponga a uno con un pulso de reloj, solamente si Q fue 1.

El diseo de un circuito secuencial temporizado comienza a partir de un conjunto de especificaciones y culmina en un diagrama lgico a una lista de funciones de Boole de las cuales se puede obtener el diagrama lgico.
En contraste con el circuito combinacional, el cual est especificado completamente por una tabla de verdad, un circuito secuencial requiere una tabla de verdad para su especificacin.
El primer paso en el diseo de los circuitos secuenciales es obtener una tabla de estado o una representacin equivalente tal como un diagrama de estado o ecuaciones de estado.
2.3.3 Diseo de circuitos secuenciales.

El diseo del circuito consiste en escoger los flipflops y luego encontrar una estructura de compuertas combinacional, la cual, conjuntamente con los flip-flops, produce un circuito que copa las caractersticas enunciadas.
Este procedimiento se minimiza por medio de la lista siguiente:
1. Se establece la descripcin en palabras del comportamiento del circuito. Esto puede acompaarse por el diagrama de estado, un diagrama de tiempos, u otra informacin pertinente.

2. De la informacin dada del circuito se obtiene la tabla de estado.
3. El numero de estados puede reducirse por los mtodos de reduccin de estados si el circuito secuencial puede caracterizarse por las relaciones de entrada-salida independientes del nmero de estados. 4. Se asignan valores binarios a cada estado si la tabla de estado obtenida en los pasos 2 3 contienen smbolos de letras. 5. Se determina el nmero de flip-flops necesarios para asignar una letra a cada una. 6. Se escoge el tipo de flip-flops que se va a usar.

7. A partir de las tablas de estado, se deduce la excitacin del circuito y las tablas de salida.
8. Usando un mapa o cualquier otro mtodo de simplificacin, se deduce las funciones de salida del circuito y las funciones de entrada del flipflop. 9. Se dibuja el diagrama lgico.

Un circuito secuencial que pasa por una secuencia prestablecida de estados despus de la aplicacin de pulsos se llama contador. Los pulsos de entrada, llamados pulsos de cuenta, pueden ser pulsos de reloj, o ellos pueden originarse en una fuente externa y pueden ocurrir en intervalos establecidos de tiempo o aleatoriamente. En un contador, la secuencia de estados puede seguir una cuenta binaria o cualquier otra secuencia de estados.
Un contador que sigue la secuencia binaria se llama contador binario. Un contador de n bits consiste en n flip-flops y puede contar en binario de 0 hasta 2 1.
Un registro es un grupo de celdas de almacenamiento binario capaz de retener informacin binaria. Un grupo de flip-flops constituyen un registro ya que cada flip-flop es una celda binaria que acumula un bit de informacin. Un registro de n-bits tiene un grupo de n flip-flops y tiene capacidad de acumular cualquier informacin binaria que contiene n bits.

Un contador es esencialmente un registro que pasa por una secuencia predeterminada de estados despus de la aplicacin de pulsos de entrada. Las compuertas de un contador se conectan de tal manera que se produce una secuencia prestablecida de estados binarios en el registro.
Una unidad de memoria es una coleccin de celdas de almacenamiento conjuntamente con los circuitos asociados necesarios para trasferir la informacin de entrada y salida.

La tecnologa de CI ha avanzado con mucha rapidez, desde la integracin a pequea escala (SSI) con menos de 12 compuertas por CI, pasando por la mediana escala (MSI) con 12 a 99 compuertas por CI, hasta llegar a la integracin a grande y muy grandes escalas (LSI y VLSLI), donde se tienen decenas de miles de compuertas por CI y ms recientemente a la escala ultra grande (ULSI) que tiene mas de 100,000 compuertas por CI.
Los CI contienen mucho ms circuitera en un encapsulado, lo que permite disminuir el tamao de casi cualquier sistema digital. El costo tambin disminuye de manera considerable.
2.4 Familias lgicas

Existen algunas cosas que los CI no pueden hacer. No son capaces de manejar grandes flujos de corriente o voltaje porque el calor generado en espacios tan pequeos puede provocar que la temperatura aumente por encima de los limites aceptables. Asimismo los CI no pueden implantar con facilidad ciertos dispositivos elctricos como inductores, transformadores y capacitores grandes. Por estas razones los CI se emplean principalmente para llevar a cabo operaciones en circuitos de baja potencia, lo que comnmente se conoce como procesamiento de informacin.
2.4 Familias lgicas

Las familias lgicas difieren en el tipo de componente principal que emplean en su circuitera. Las familias TTL y ECL utilizan transistores bipolares, PMOS, MOS, NMOS y CMOS usan transistores unipolares MOSFET.
1) DIP de 24 terminales. 2)Encapsulado de montaje en la superficie de 16 terminales. 3) 28 terminales de montaje en la superficie.
2.4 Familias lgicas

La familia lgica-transistor-transistor (TTL) todava disfruta de un extenso uso en aplicaciones que requieren de dispositivos SSI y MSI, que sirve como lgica que conecta a los dispositivos mas complejos en los sistemas digitales.
La tendencia actual sin embargo indica una declinacin en el uso de TTL a favor de los CMOS. Un estudio reciente practicado a equipo medico indica que las series 74HC y 74HCT de dispositivos CMOS remplazan a la serie TTL 74LS. El circuito lgico bsico TTL es la compuerta NAND.
2.4.1 TTL.

En la siguiente figura, el transistor 1 tiene dos emisores de este modo tiene dos uniones baseemisor que se pueden utilizar para encender 1 . Este transistor de entrada con emisores mltiples, puede tener hasta 8 emisores para una compuerta NAND de 8 entradas.
2.4.1 TTL.

Operacin de circuito estado bajo.
A y B son entradas ALTAS de +5v, estos +5v en los ctodos apagaran los diodos y casi no conducirn corriente.
2.4.1 TTL.

Operacin de circuito estado alto.
Esta situacin puede ser producida conectando una u otra, o ambas entradas a BAJO.
2.4.1 TTL.

Accin de suministro de corriente.
Una salida TTL acta como un suministro de corriente en el estado ALTO. Cuando una salida TTL se encuentra en el estado BAJO 4 acta como un vertedor de corriente, misma que obtiene de la carga , en el estado ALTO de la salida 3 acta como una fuente de corriente que la proporciona a la compuerta de carga. Se puede observar en la siguiente figura.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.

Todos los circuitos TTL tienen una estructura similar. Las compuertas NAND y AND usan entradas de emisor mltiple, las compuertas NOR y OR usan transistores de entrada separados. En cualquiera de los casos, la entrada ser el ctodo (regin N) de una unin P-N de modo que un voltaje de entrada ALTO, provocara que la unin deje de conducir, fluyendo solamente una pequea corriente de fuga. Por otro lado, un voltaje de entrada BAJO har que la unin conduzca y una corriente relativamente grande fluir a travs de la fuente de seal. La mayora pero no todos los circuitos tienen algn tipo de configuracin de poste ttem en su salida.
2.4.1 TTL.

La familia TTL utiliza transistores que operan en el modo saturado, como resultado su velocidad de conmutacin est limitada por el retraso de tiempo por almacenamiento asociado con un transistor que se conduce a saturacin. Se ha desarrollado otra familia lgica bipolar que evita la saturacin de transistores, con los que se incrementa la velocidad total de conmutacin. A esta familia se le denomina lgica acoplada en emisor (ECL) y opera sobre el principio de la conmutacin de corriente, por el cual una corriente de polarizacin fija menor que Ic es conmutada del colector de un transistor a otro. Esta operacin, en modo de corriente, est forma lgica se conoce como lgica de modo de
2.4.2 ECL.

corriente (CML).
Circuito ECL bsico. El circuito bsico para la lgica acoplada en emisor es esencialmente la configuracin del amplificador diferencial.
2.4.2 ECL.

Con adiccin de emisores seguidores
2.4.2 ECL.

El circuito anterior se puede expandir a ms de una entrada, colocando en paralelo el transistor 1 con otros transistores para las entradas.
NOT/OR ECL
2.4.2 ECL.

Caractersticas del ECL
1. Los transistores nunca se saturan, as que la velocidad de conmutacin es muy alta. El tiempo comn de retraso en la propagacin es 1ns, que hace a la ECL un poco mas rpida que el TTL Schottky (74AS). 2. Los niveles lgicos son nominalmente de -0.8V y -1.70V para el 1 y o lgicos respectivamente.
3. Los mrgenes de ruido ECL en el peor de los casos son aproximadamente 250mV. Estos mrgenes de ruidos bajos hacen a ECL un tanto insegura para utilizarse en medios industriales con mucho volumen de trabajo.
2.4.2 ECL.

4. Un bloque lgico ECL por lo general produce una salida y su complemento. Esto elimina la necesidad de inversores.
5. Los factores de carga se encuentran comnmente alrededor de 25, debido a las salidas emisor-seguidor de baja impedancia. 6. La disipacin tpica de potencia de una compuerta bsica ECL es de 25mW, valor mayor que el correspondiente a la serie 74AS. 7. El flujo de corriente total en un circuito ECL permanece relativamente constante, sin importar su estado lgico. Ayuda a mantener un consumo de corriente invariable en el suministro de potencia en el circuito, aun
2.4.2 ECL.

durante transiciones de conmutacin. As no se generan internamente ruidos como los producidos por los circuitos TTL tipo totem.
2.4.2 ECL.

La tecnologa MOS (semiconductor-metal-oxido) deriva su nombre de la estructura bsica del electrodo metlico sobre un xido aislante que a su vez est sobre el substrato semiconductor.
Los transistores en la tecnologa MOS son del tipo de efecto de campo, por lo que son llamados MOSFET. La mayor parte de los CI MOS se construyen completamente de MOSFET y no de otros componentes.
La principal ventaja de los MOSFET es relativamente simple y poco costoso proceso de fabricacin, es pequeo y consume poca energa.
2.4.3 MOS.

Los CI MOS pueden acomodar un nmero mucho mayor de elementos de circuito en un solo chip que los CI bipolares. La gran densidad de elementos en los encapsulados de los CI MOS los hacen especialmente bien adaptados para CI complejos tales como microprocesadores o chips de memoria.
Su principal desventaja es su relativamente baja velocidad de operacin cuando se les compara con las familias de CI bipolares. Interruptor MOSFET bsico En la siguiente figura observamos la operacin de conmutacin del MOSFET canal N. Para el dispositivo de canal N, el drenaje siempre se
2.4.3 MOS.

polariza en forma positiva en relacin con la fuente. El voltaje de la compuerta a la fuente es el voltaje de entrada, que se utiliza para controlar la resistencia entre el drenaje y la fuente es decir la resistencia del canal, y por lo tanto determina si el dispositivo esta encendido o apagado.
2.4.3 MOS.

Los circuitos digitales que emplean MOSFET se dividen en tres categoras:
1. P-MOS que utiliza solo enriquecimiento de canales P. MOSFET de
2. N-MOS que utiliza solamente MOSFET de enriquecimiento de canales N. 3. CMOS, MOS complementaria dispositivos de canales P y N. que usa
2.4.3 MOS.

Inversor N-MOS
Este contiene dos MOSFET de canales N. El circuito funciona como un inversor, puesto que una entrada BAJA produce una salida ALTA y viceversa. Este inversor bsico puede ser modificado para formar compuertas NAND y NOR.
2.4.3 MOS.

Compuerta NAND N-MOS
2.4.3 MOS.

Compuerta NOR N-MOS
Dos compuertas NOR o NAND N-MOS pueden acoplarse transversalmente para formar flip-flops simples. Los flip-flops N-MOS son importantes en algunos tipos de circuitos de memoria para computadora.
2.4.3 MOS.

En comparacin con las familias lgicas bipolares, las familias lgicas MOS son mas lentas en cuanto a velocidad de operacin, requieren mucho menos potencia, tienen un mejor margen de ruido, un mayor intervalo de suministro de voltaje y un factor de carga mucho mas elevado, requieren de mucho menos espacio.
2.4.3 MOS.

La familia lgica MOS complementaria (CMOS) utiliza ambos MOSFET de canales P y N en el mismo circuito, para obtener varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS. Es decir CMOS es ms rpida y consume aun menos potencia que las otras familias MOS.
Inversor CMOS
Los smbolos estndar del MOSFET se han sustituido por bloques marcados como P y N para representar un P-MOSFET y un N-MOSFET
2.4.4 CMOS.
Compuerta NAND CMOS Se pueden construir otras funciones lgicas modificando el inversor bsico. La compuerta esta formada por la adiccin de un MOSFET de
2.4.4 CMOS.

canal P en Paralelo y un MOSFET en serie de canal N.
2.4.4 CMOS.

Compuerta NOR CMOS
Esta compuerta se forma agregando un P-MOSFET en serie y un N-MOSFET en paralelo al inversor bsico.
2.4.4 CMOS.

Dos compuertas NOR CMOS o compuertas NAND CMOS se pueden acoplar transversalmente para formar un flip-flops ESTABLECER-BORRAR bsico en flip-flops D y JK sincronizados por el reloj.
2.4.4 CMOS.

Los fabricantes de CI buscan continuamente la forma de colocar los semiconductores ms cercanos entre s, es decir aumentar la densidad del microcircuito. Esta ms alta densidad tiene por lo menos dos beneficios principales:
1. Siempre permite empacar ms circuitos en el microcircuito. 2. Con los circuitos ms cercanos entre s, se reducir el tiempo para que las seales se propaguen de un circuito a otro, con lo cual se mejora la velocidad total de funcionamiento del circuito.
2.4.5 Bajo voltaje (LVT, LV, LVC, ALVC).

El realizar este proceso tiene sus desventajas: cuando se empacan los circuitos ms cerca entre s, el material aislante que hay entre un circuito y otro es mas estrecho. Esto ocasiona que se reduzca el voltaje que puede soportar el dispositivo sin que ocurran interrupciones dielctricas.
El aumento de la densidad del microcircuito incrementara su disipacin total de corriente, lo cual puede elevar la temperatura del microcircuito a un valor no permitido de funcionamiento correcto. Todo esto de puede neutralizar si se hace trabajar el microcircuito con valores de voltaje bajos.

Es por ello que se han creado dispositivos lgicos que funcionan con un voltaje nominal de suministro de 3.3V en lugar de la actual norma 5V.
Esta tecnologa de bajo voltaje (LTV) se disean para aplicaciones que van desde los juegos electrnicos hasta estaciones de trabajo de ingeniera.
El funcionamiento con bajo voltaje es de particular valor en el equipo alimentado con bateras, donde el numero requerido de bateras se reduce de tres a dos.

Los dispositivos LTV pueden actuar como interfaz entre circuitos lgicos que trabajen a 3.3V y los que trabajen a 5V.

Principios Electricosy Aplicaciones Digitales

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Principios Electricosy Aplicaciones Digitales

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

INSTITUTO TECNOLGICO DE CHETUMAL

Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales.

Unidad I Electrnica analgica.

1.2. Dispositivos pasivos

Unidad I Electrnica analgica.

1.3.1.3. Materiales tipo N y tipo P

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

1.3.4.4. Fuentes de voltaje

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

1.1. Corriente alterna y corriente directa

Unidad I Electrnica analgica.

1.1. Corriente alterna y corriente directa

Unidad I Electrnica analgica.

Corriente alterna pulsante de un ciclo por segundo o hertz (Hz) .

1.1. Corriente alterna y corriente directa

Unidad I Electrnica analgica.

1.1. Corriente alterna y corriente directa

Unidad I Electrnica analgica.

1.1. Corriente alterna y corriente directa

Unidad I Electrnica analgica.

1.1. Corriente alterna y corriente directa

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD

Unidad I Electrnica analgica.

1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD

Unidad I Electrnica analgica.

1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD

Unidad I Electrnica analgica.

1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD

Unidad I Electrnica analgica.

1.1.2. Generacin de corriente en CA y CD

Unidad I Electrnica analgica.

1.2. Dispositivos pasivos

Unidad I Electrnica analgica.

1.2. Dispositivos pasivos

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Capacitores fijos: a)capacitor de polister, b)capacitor cermico, c)capacitor electroltico.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

La inductancia depende de sus dimensiones y composicin fsica. 2 =

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

La energa almacenada en un inductor es: = 1 2 2

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.

Unidad I Electrnica analgica.