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UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PUEBLA

ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA INDUSTRIAL

MATERIA :ELECTRONICA 1

PRACTICA 6 : TRANSISTORES BIPOLARES

ELABORO : ING. TEC. AGUAYO CANO JOSE ABRAHAM

OBJETIVO :
En la prctica se estudiar un nuevo dispositivo semiconductor el transistor, se estudiarn sus polarizaciones, la curva del transistor y los parmetros ms importantes del mismo con el objeto de introducir al estudiante a predecir su funcionamiento y detectar averas en el dispositivo.

INTRODUCCION
Desde la invencin del transistor en 1951 por W. Schockley la electrnica sufri avances impresionantes que la condujeron al CI. El transistor es un dispositivo de tres terminales capaz de amplificar seales elctricas. Un transistor tiene tres zonas de dopaje: el emisor, la base y el colector. Es un dispositivo npn por que tiene una zona p entres dos zonas n.

n p n

El Colector es la zona que esta dopada de forma intermedia y su tarea es recolectar la mayor cantidad de electrones que se encuentran en la base. La Base es la zona menos dopada y en la base se recombinan los electrones inyectados El emisor es la zona mas grande de las tres y su tarea es inyectar la mayor cantidad de electrones a la base y que se recombienen para llegar al

Smbolo de un transistor:

npn

pnp

El transistor de la figura anterior tiene dos uniones: una entre la base y el emisor y la otra entre la base y el colector, por tanto el transistor es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo tiene una cada de potencial de 0.7V para Silicio a temperatura ambiente, por eso se les denomina simplemente Diodo emisor y Diodo colector. Curva de Salida de un Transistor

Midiendo Ic y Vce se obtienen los datos para la curva de Ic en funcin de Vce:

Ic Zona Activa Zona de Saturacin Zona de Corte Zona de Ruptura Vce

Zonas de Funcionamiento:

La curva exhibe cuatro zonas de funcionamiento en un transistor. La zona central donde Vce puede variar y Ic se mantiene casi constante es la zona mas importante del transistor ya que representa el funcionamiento normal y se le llama zona activa, para estar en ella hay que polarizar al diodo emisor directamente y al diodo colector inversamente. Otra zona de funcionamiento es la zona de ruptura, el transistor nunca debe trabajar ah ya que podra causar su destruccin o degradacin. Despus tenemos la parte ascendente de la curva, donde Vce esta desde 0 hasta pocas decenas de voltio, esta pendiente es la zona de saturacin, para estar en esta zona ambos diodos tanto el de emisor y de colector estn polarizados directamente. Finalmente otra zona inesperada es la de la parte inferior de la curva , esta es la zona de corte donde la corriente de base es cero y existe una pequea corriente de fugas por el colector. Polarizacin del Transistor

Si se conectan fuentes de alimentacin a las terminales del transistor se obtienen corrientes a travs de l y se puede saber en que zona de funcionamiento esta trabajando. N P N Al polarizar el diodo emisor y el diodo colector directamente obtendremos el funcionamiento del transistor en saturacin.

N Al polarizar el diodo emisor y el diodo colector inversamente el transistor funcionar en la zona de corte.

Al polarizar directamente el diodo emisor e inversamente el diodo colector el transistor funcionar en la zona activa

Parmetros del Transistor

La Alfa de un transistor es una medida del cociente de la corriente de colector con respecto a la corriente de emisor y representa que tan eficaz es el paso de esa corriente a travs del transistor: aCD= Ic Ie La Beta del transistor es una medida de la ganancia que existe de la corriente de colector con respecto a la corriente de base: b CD= Ic Ib Hoja de Caractersticas

Estos transistores de pequea seal pueden disipar un vatio o menos, cuando se estudian estos dispositivos se debe comenzar por las limitaciones mximas. Algunos parmetros son los siguientes: Corriente de colector mxima Ic Potencia mxima del transistor PD Ganancia de corriente bCd = hFE

Material:
Fuente de Alimentacin CD Transistor (npn) BC548 o 2N3904 y hoja de caractersticas del dispositivo Resistencias (150W,1kW, potencimetro de 500W) a 14 W Multimetro digital Protoboard Alambre delgado

ELABORACIN DE LA PRCTICA: TRANSISTOR BIPOLAR 1.- Montar en la tableta para prototipos el siguiente circuito:
R2 R1 V1
5V 1.0kohm

Q1 150ohm
2N3391

V2
5V

2.- Realizar los clculos correspondientes de: Ib, Ic, Vce, etc. Despus comprobar prcticamente los resultados obtenidos y llegar a una conclusin. 3.- La siguiente prueba consiste en colocar la terminal de base a tierra y realizar los mismos clculos, despus comprobar los resultados con el Multimetro y llegar a una conclusin.
R2
150ohm

R1
1.0kohm

Q1

V2
5V

2N3904

4.- Finalmente monte el mismo circuito utilizado en el punto nmero 1 y agregue el potencimetro de 500W en el lado de la resistencia de base, observe lo que sucede cuando el potencimetro cambia de valor.
R2
150ohm

V1

12V

Key = a 50% 1K_LIN

R1

Q1

V2

2N3904

12V

5.- Trace la recta de carga del transistor y grafique 3 puntos en ella, despus de eso concluya en que zona esta trabajando el transistor.

Preguntas:
1.- El transistor tiene tres zonas de dopaje, explique la tarea de cada una de ellas? 2.- Cules son las dos formas en que un transistor se puede emplear? 3.- Para polarizar en la zona activa al transistor como deben de polarizarse los diodos base-emisor y base-colector? 4.-Al aumentar la tensin de la fuente de polarizacin del colector, Qu le sucede a la corriente de colector y la corriente de base? 5.-Cuales son las tres corrientes en un transistor y cual es la relacin entre cada una de ellas? 6.- Cuales son los parmetros mas importantes del transistor que se ha utilizado en esta prctica?

Bibliografas:
1.- Principios de Electrnica Autor : Albert Paul Malvino Edit. Mc Graw-Hill

2.- Teora de Circuitos Autor : Boylestad Edit. Mc Graw-Hill

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