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Cincia e Tecnologia dos Materiais

CAPTULO IV MATERIAIS SEMICONDUTORES


Um dos triunfos das teorias cintica e atmica sua capacidade de dar conta de quase todas as propriedades fsicas da matria, explicando, por exemplo, por que alguns materiais so bons condutores de calor, enquanto outros no o so. Existe uma classe intermediria de substncias, chamadas semicondutores, que possuem um nvel de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Desta forma, so melhores condutores do que os isolantes de eletricidade, mas no to bons condutores como o cobre. Tais materiais se mostram extremamente teis para a eletrnica. Em comparao com os metais e com os isolantes, as propriedades eltricas dos semicondutores so afetadas por variao de temperatura, exposio luz e acrscimos de impurezas. Um semicondutor puro como o elemento silcio apresenta uma condutividade eltrica bastante limitada; porm se pequenas quantidades de impurezas so incorporadas sua estrutura cristalina, suas propriedades eltricas alteram-se significativamente. O material pode passar, por exemplo, a conduzir eletricidade em um nico sentido, da forma como age um diodo. A adio de uma outra impureza lhe confere a propriedade de conduzir eletricidade apenas no outro sentido.

Em sentido horrio, de cima para baixo: um chip, um LED e um transistor so todos feitos de material semicondutor

Para uma correta compreenso do funcionamento destes materiais, faz-se necessrio recordar alguns conceitos j vistos.

4.1 Nveis de Energia


A maneira com que os eltrons se distribuem nas rbitas em torno do ncleo do tomo no aleatria. Segue regras bem definidas, que so as mesmas para todos os elementos. Um eltron em rbita tem uma energia potencial que depende da sua distncia at o ncleo e uma energia cintica que depende da sua velocidade. A soma de ambas a energia total do eltron. Conforme a Teoria Quntica os estados da matria no variam continuamente, mas sim em pequenos intervalos discretos, chamados quanta. No mundo prtico isso no perceptvel porque os valores so muito pequenos, mas, os eltrons so partculas elementares e o seu comportamento bem definido por tais intervalos. Assim, a energia total que o eltron pode ter

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definida em valores discretos e, portanto, ele s pode ocupar determinadas rbitas ou nveis de energia. Os nveis possveis so sete podendo ser representados pelos nmeros 1, 2, 3, 4, 5, 6 e 7 ou pelas letras K, L, M, N, O, P e Q. Para os 113 elementos qumicos conhecidos, segundo o princpio de excluso de Pauli, o nmero mximo de eltrons em cada nvel 2, 8, 18, 32, 32, 18, 4, respectivamente, conforme representado na figura seguinte.

2n2
onde n o nmero do nvel. Assim, o nvel 1 poder possuir no mximo 2 eltrons, o nvel 2 poder ter no mximo 8 e assim sucessivamente.

regra geral na natureza a estabilizao na menor energia possvel. Assim, os nveis so preenchidos na seqncia do menor para o maior e um nvel s poder conter eltrons se o anterior estiver completo. Em cada camada ou nvel de energia, os eltrons se distribuem em subcamadas ou subnveis, representados pelas letras s, p, d, f, em ordem crescente de energia. O nmero mximo de eltrons de cada subnvel tambm foi determinado experimentalmente: Subnvel Nmero mximo de eltrons S 2 p 6 d 10 f 14

O nmero de subnveis que constituem cada nvel de energia depende do nmero mximo de eltrons que cabem em cada nvel. Assim, como no primeiro nvel cabem no mximo 2 eltrons este nvel apresenta apenas um subnvel s, no qual cabem os dois eltrons. O subnvel s do primeiro nvel de energia representado por 1s. Como no segundo nvel cabem no mximo 8 eltrons, o segundo nvel constitudo de um subnvel s, no qual ficam 2 eltrons, e um subnvel p, com no mximo 6 eltrons. Deste modo o segundo nvel e formado por dois subnveis representados por 2s 2p, e assim por diante.

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Linus Gari Pauling (1901-1994), qumico americano, elaborou um dispositivo prtico que permite colocar todos os subnveis de energia conhecidos em ordem crescente de energia. o processo das diagonais, denominado Diagrama de Pauling, representado a seguir.

Vejamos um exemplo: A camada de valncia do As (arsnio), cujo nmero atmico 33, a camada N, pois o ltimo nvel que contm eltrons. A distribuio eletrnica deste tomo fica assim: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p3 O nmero 4 corresponde camada N. O subnvel p da camada N, neste caso no est completo, pois sobraram apenas 3 eltrons para este subnvel. A camada N, neste caso formada pelos subnveis s e p, soma um total de 5 eltrons. Quando completa, esta camada (N) comporta at 32 eltrons, pois formada pelos subnveis s, p, d e f.

4.2 Valncia
Utilizando-se o mesmo exemplo dado anteriormente, percebe-se o nvel mais externo do tomo de arsnio (a camada N) com apenas 3 eltrons. Este nvel denominado nvel de valncia e os eltrons presentes nele so os eltrons de valncia. O nmero de eltrons de valncia um fator importante do elemento. Ele define a capacidade do tomo de ganhar ou perder eltrons e de se combinar com outros elementos. Muitas das propriedades qumicas e eltricas dependem da valncia.

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4.3 Bandas de Energia


Quando os tomos no esto isolados, mas juntos em um material slido, as foras de interao entre eles so significativas. Isso provoca uma alterao nos nveis de energia acima da valncia. Podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da valncia. Para que um material conduza eletricidade, necessrio que os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de conduo. Conforme a figura ao lado, em um material condutor quase no existem nveis ou banda de energia proibidos entre a conduo e a valncia e, portanto, a corrente flui facilmente sob a ao do campo eltrico. Um material isolante apresenta uma banda proibida de grande extenso entre a valncia e conduo. Pos isso, dificilmente h conduo da corrente. Os semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermedirias. Isso significa que podem apresentar alguma conduo, melhor que a dos isolantes, mas pior que a dos condutores.

Os materiais semicondutores so slidos ou lquidos, capazes de mudar com certa facilidade de sua condio de isolante para a de condutor. Isto , podem sofrer grandes alteraes em sua condutividade, pois a quantidade de energia necessria para retirar um eltron da banda de valncia e lev-lo para a banda de conduo intermediria entre a energia necessria para o isolante e o condutor. Em baixas temperaturas, os semicondutores puros comportam-se como isolantes. Sob temperaturas mais altas, ou luz ou com a adio de impurezas, porm, pode ser aumentada drasticamente a sua condutividade, podendo-se alcanar nveis que se aproximam dos metais.

4.4 Materiais Intrnsecos


Na figura ao lado apresentam-se os tomos de dois materiais semicondutores intrnsecos ou puros, o silcio (Si) e o germnio (Ge). Os semicondutores intrnsecos ou puros so aqueles encontrados em estado natural. Ambos so elementos tetravalentes, ou seja, que possuem quatro eltrons na camada de valncia, permitindo, assim, que os seus tomos faam quatro ligaes covalentes ou de compartilhamento de eltrons, para tornarem-se estveis.

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Existem, ainda, os semicondutores III-V que so formados por um elemento trivalente, o GaAs (Arseneto de Glio) e por um elemento pentavalente, InP (Fosfeto de ndio). Porm, o material semicondutor intrnseco mais utilizado o silcio que abundante na natureza, sendo encontrado nos cristais de quartzo (areia).

4.5 Conduo Eltrica nos Semicondutores


Num determinado instante quando recebe um acrscimo de energia e sai da banda de valncia, o eltron livre deixa em seu lugar uma lacuna. Esta lacuna um on positivo, conforme apresenta a figura seguinte:

No instante seguinte, verifica-se que a lacuna tambm se move. Porm, a movimentao da lacuna ocorre sempre no sentido contrrio movimentao do eltron. Este fenmeno ocorre sempre que existe a conduo eltrica no material semicondutor. Num material condutor o movimento das lacunas desprezvel.

4.6 Semicondutores do Tipo N e P


No estado puro, cada par de eltrons de tomos distintos forma a chamada ligao covalente, de modo que cada tomo fica no estado mais estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa. O resultado uma estrutura cristalina homognea conforme ilustrado na figura abaixo.

Representao Plana do tomo de Silcio

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Para a maioria das aplicaes no h eltrons livres suficientes num semicondutor intrnseco para produzir uma corrente eltrica utilizvel. Portanto, para se obter esta corrente foram criados os semicondutores do tipo N e P. Quando certas substncias, denominadas impurezas, so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente modificadas. Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado e alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo conforme mostra a figura seguinte.

O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons), denominado semicondutor tipo N. Nota-se que o material continua eletricamente neutro, pois os tomos tm o mesmo nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a conduo. Agora imagine a situao inversa, conforme ilustrado abaixo: uma impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio, por exemplo) adicionada.

Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza, criando um buraco (lacuna) positivamente carregado no nvel de valncia e o cristal ser um semicondutor tipo P, devido carga positiva dos portadores (buracos). O processo de introduzir tomos de impurezas num cristal de silcio, de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto de lacunas, chama-se dopagem. Quando um cristal de silcio foi dopado, ele passa a ser chamado de semicondutor extrnseco.

4.7 Aplicaes
4.7.1 Diodo Semicondutor
A unio fsica de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N forma uma juno PN, mostrada na figura ao lado. Esta juno PN recebe o nome de diodo semicondutor. Um diodo composto por uma seo de material tipo-N ligado a uma seo de material tipo-P, com eletrodos em cada extremidade. Essa combinao conduz 78

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eletricidade apenas em um sentido. Na formao da juno PN ocorre o processo de recombinao, no qual os eltrons do lado N, mais prximos da juno, migram para o lado P. Este processo ocorre at que haja o equilbrio eletrnico e a estabilidade qumica, ou seja, 4 ligaes covalentes em cada tomo. Durante o processo de recombinao forma-se, prximo juno, a camada de depleo. Ao final deste processo, a camada de depleo fica ionizada formando a barreira de potencial (V) ou zona vazia. Isto ocorre quando nenhuma diferena de potencial aplicada ao diodo, ou seja, os eltrons do material tipo-N preenchem os buracos do material tipo-P ao longo da juno entre as camadas. Em uma zona vazia, o material semicondutor volta ao seu estado isolante original - todos os buracos esto preenchidos, de modo que no haja eltrons livres ou espaos vazios para eltrons, e assim a carga no pode fluir.

Na juno, eltrons livres do material tipo-N preenchem buracos do material tipo-P. Isto cria uma camada isolante no meio do diodo, chamada de zona vazia.

Para se livrar da zona vazia, necessrio que os eltrons se movam da rea tipo-N para a rea tipo-P e que buracos se movam no sentido inverso. Para fazer isto, conecta-se o lado tipo-N do diodo ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-P ao terminal positivo. Desta forma, os eltrons livres no material tipo-N so repelidos pelo eletrodo negativo e atrados para o eletrodo positivo. Os buracos no material tipo-P se movem no sentido contrrio. Quando a diferena de potencial entre os eletrodos alta o suficiente, os eltrons na zona vazia so retirados de seus buracos e comeam a se mover livremente de novo. A zona vazia desaparece e a carga se move atravs do diodo. A figura a seguir ilustra este processo.

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Quando o terminal negativo do circuito preso camada tipo-N e o terminal positivo preso camada tipo-P, eltrons e buracos comeam a se mover e a zona vazia desaparece

Caso a conexo da fonte seja no sentido oposto, com o lado tipo-P conectado ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-N conectado ao plo positivo, a corrente no fluir. Os eltrons negativos no material tipo-N so atrados para o eletrodo positivo. Os buracos positivos no material tipo-P so atrados para o eletrodo negativo. Assim, nenhuma corrente fluir atravs da juno porque os buracos e os eltrons esto cada um se movendo no sentido oposto, aumentando ainda mais a zona vazia (camada de depleo).

Quando o terminal positivo do circuito est ligado camada tipo-N e o terminal negativo est ligado camada tipo-P, eltrons livres so coletados em um terminal do diodo e os buracos so coletados em outro. A zona vazia se torna maior.

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A ilustrao a seguir apresenta o smbolo eltrico do diodo semicondutor e o componente eletrnico, propriamente dito. No lado P do diodo semicondutor conecta-se um terminal que recebe o nome de nodo (A). J no lado N, o terminal denominado de ctodo (K). No smbolo eltrico do diodo semicondutor o lado que tem o trao transversal, corresponde ao ctodo. Logo, o outro lado o nodo.

No componente eletrnico o lado que contm o anel cinza, ou prateado, o ctodo. Consequentemente, o outro lado o nodo. Os diodos so projetados para assumir diferentes caractersticas: diodos retificadores so capazes de conduzir altas correntes eltricas em baixa freqncia, diodos de sinal caracterizamse por retificar sinais de alta freqncia, diodos de chaveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das caractersticas dos materiais e dopagem dos semicondutores h uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo:

DIODO ZENER Diodo Zener um tipo de diodo especialmente projetado para trabalhar na regio de ruptura de tenso reversa da juno PN onde grandes variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenses permitindo, desta forma, que se construa um regulador de tenso.

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DIODO EMISSOR DE LUZ - LED

O LED (Light Emitting Diode) um diodo semicondutor (juno P-N) que quando energizado emite luz visvel. A luz produzida pelas interaes energticas do eltron atravs de um processo chamado eletroluminescncia. A recombinao de lacuna e eltron exige que a energia possuda pelo eltron, que at ento era livre, seja liberada, o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz. No silcio e no germnio, elementos bsicos dos diodos e transistores, entre outros componentes eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida (devido a opacidade do material), e os componentes que trabalham com maior capacidade de corrente chegam a precisar de irradiadores de calor (dissipadores) para ajudar na manuteno dessa temperatura em um patamar tolervel. J em outros materiais, como o arsenieto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), o nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante eficientes. Em geral, os LEDS operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os circuitos de estado slido. interessante notar que a tenso dependente do comprimento da onda emitida. Assim, os LEDS infravermelhos geralmente funcionam com menos de 1,5V, os vermelhos com 1,7V, os amarelos com 1,7V ou 2.0V, os verdes entre 2.0V e 3.0V, enquanto os LEDS azuis, violeta e ultravioleta geralmente precisam de mais de 3V. A potncia necessria est na faixa tpica de 10 a 150 mW, com um tempo de vida til de 100.000 horas, ou mais. Enquanto todos os diodos liberam luz, a maioria no o faz muito eficientemente. Em um diodo comum, o prprio material semicondutor termina absorvendo parte da energia da luz. Os LEDs so fabricados especialmente para liberar um grande nmero de ftons para fora. Alm disso, eles so montados em bulbos de plsticos que concentram a luz em uma direo especfica. Como pode ser visto na figura ao lado, a maior parte da luz do diodo ricocheteia pelas laterais do bulbo, viajando na direo da ponta redonda. Os LEDs tm muitas vantagens sobre lmpadas incandescentes convencionais. Uma delas que eles no tm um filamento que se queime e ento duraro muito mais tempo. Alm disso, seus pequenos bulbos de plstico os tornam muito mais durveis. Eles tambm cabem mais facilmente nos modernos circuitos eletrnicos. OLEDS (Organic Light-Emitting Diode ou Diodo Orgnico Emissor de Luz) Uma tecnologia um pouco mais recente comea a chamar a ateno da indstria. Chamada OLED (Organic Light-Emitting Diode ou Diodo Orgnico Emissor de Luz) esta tecnologia promete suprir os grandes problemas atuais dos dispositivos de vdeo a um custo aceitvel para o mercado de produtos de consumo. O OLED tem basicamente a mesma estrutura dos LEDs mas diferem no tipo de material utilizado, apresentando em sua construo substncias eletroluminescentes compostas de

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Carbono que, ao serem excitadas por uma corrente eltrica, emitem luz em uma freqncia determinada por sua composio qumica. Em outras palavras, so clulas de diodo impressas na tela que so polarizadas de acordo com a imagem. Painis de vdeo compostos por OLEDs podem ser extremamente finos (como uma folha de papel) e flexveis (executados em materiais plsticos, como polmeros). Essa possibilidade surge do fato de que as substncias qumicas que compe o OLED podem ser impressas em um filme plstico (como um documento impresso em papel) para marcar os pixels. Ao colar outro filme plstico sobre a impresso cria-se pequenas capsulas que aprisionam cada pixel. A aplicao de eletrodos minsculos cada clula permite que se leve ela a corrente eltrica necessria para excitar cada uma das cores primrias que iro compor as imagens. Esta tcnica permite a construo de monitores muito pequenos ou grandes, resistentes gua devido sua natureza plstica, e flexveis ou at mesmo dobrveis.

As primeiras aplicaes de monitores OLED ocorreram em dispositivos mveis, como celulares, PDAs e at mesmo notebooks; onde a pequena espessura e o baixo peso da tela so mais importantes que outros fatores. Entretanto o preo de produo de monitores com essa tecnologia tem cado bastante e hoje j possvel construir telas OLED mais baratas e to durveis quanto telas LCD equivalentes. Alm da simplicidade construtiva e das vantagens fsicas os monitores OLED ainda superam seus rivais em vrios aspectos tcnicos. Monitores OLED so capazes de criar a cor preta, gerando o chamado real black e conseguem taxas de contraste 10 vezes maiores que monitores LCD produzidos atualmente. No so susceptveis ao efeito burn-out que agride monitores CRT e Plasma, situao onde a exibio prolongada de uma mesma imagem marca a tela de forma definitiva, fato ocorrido na maioria das telas de Plasma produzidas hoje em dia. Ainda que uma nova tecnologia de Plasma tenha sido desenvolvida para evitar o burn-out ela resulta em telas mais caras, razo que levou muitos fabricantes ignor-la. A rigor, ao comprar uma tela de Plasma, dificilmente ser possvel saber se aquele modelo especfico resistente ou no ao efeito danoso. Isso pode levar desagradvel situao de se observar, por exemplo, um pequeno smbolo da emissora no canto inferior direito da tela durante uma reproduo de DVD. Alm disto, o OLED dispensa iluminao de background, necessria nos LCDs, o que o torna a tecnologia mais econmica em termos de consumo de energia disponvel atualmente. Ademais uma excelente soluo para dispositivos que operam com baterias j que atualmente a economia de energia uma preocupao global. O OLED capaz de reproduzir cores to bem quanto o Plasma e apresentar um tempo de resposta muito menor que o do LCD. Tempo de resposta o tempo que um pixel leva para acender, atingir a cor ideal e ento apagar voltando ao estado de negro.

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Entretanto alguns fatores continuam a atrasar a adoo em massa da nova tecnologia. Mesmo tendo custos de produo mais baixos que outras tcnicas o OLED relativamente recente. Muitas empresas que desenvolveram partes importantes da tecnologia, ainda cobram valores excessivamente altos pelas patentes e licenas de produo em busca de ressarcirem seus gastos em pesquisa e desenvolvimento. Alm disso, os altos gastos na implementao das tecnologias atuais ainda no foram completamente amortizados. Muitos fabricantes no desejam tirar seus monitores LCD e Plasma de linha por entenderem que ainda h muito comrcio com esses produtos antes que uma nova tecnologia possa ser levada ao mercado de massa. Entretanto a queda significativa nos preos dos monitores LCD e Plasma verificada em todos os mercados uma mostra de que, assim que essas tecnologias tornem-se o padro, estar aberto o caminho para que outra possa ser implementada. Mas o OLED ainda tem alguns detalhes a resolver antes que seja a tecnologia usada nas prximas geraes de televisores: A fragilidade dos filmes plsticos, que se rompidos inutilizam o monitor; A durabilidade dos compostos, especialmente os que reproduzem freqncias azuis. Entretanto parece claro que o OLED a tecnologia que ir assumir o lugar do LCD e do Plasma no futuro, por unir as qualidades de ambos e ainda apresentar caractersticas que nenhuma delas pode reproduzir. A figura a seguir mostra a estrutura de um OLED.

4.7.2 Transistor de Juno Bipolar


Uma combinao de tipos diferentes de semicondutores compe o transistor, um dispositivo que pode ser empregado como uma vlvula de triodo, substituindo-a em amplificadores e outros circuitos eletrnicos. E, admiravelmente, ao contrrio da vlvula, o

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transistor no consome energia (a vlvula usa energia para aquecer seu catodo) e pode ser confeccionado em dimenses microscpicas, de maneira que centenas deles possam ser incorporados a um chip de slica medindo apenas uns poucos milmetros. O material semicondutor mais usado na fabricao de transistores o silcio. Contudo, o primeiro transistor foi fabricado em germnio. O silcio prefervel, essencialmente, porque possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 C, quando comparado com os ~75C dos transistores de germnio) e tambm porque apresenta correntes de fuga menores. O transistor permite a amplificao e comutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas termo-inicas na maior parte das aplicaes. O transistor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na Eletrnica. um dispositivo com trs terminais, sendo possvel usar a tenso entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal, ou seja, obter uma fonte controlvel. Este dispositivo formado por duas junes PN em srie, podendo apresentar as configuraes PNP e NPN.

Os transistores NPN so os mais comuns, basicamente, porque a mobilidade dos eltrons muito superior das lacunas, isto , os eltrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina, o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta freqncia. E so, tambm, mais adequados produo em massa. No entanto, deve-se salientar que, em vrias situaes, muito til ter os dois tipos de transistores num circuito.

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A figura seguinte apresenta o transistor de juno bipolar NPN adequadamente polarizado e construdo segundo alguns critrios, tendo a funo de amplificador, onde: A juno base-emissor polarizada diretamente pela fonte Vbe. A juno base-coletor polarizada inversamente pela fonte Vce. Vce significativamente maior que Vbe. Exemplo: 6V e 1V.

A base fisicamente delgada e tem uma concentrao de impurezas menor que os semicondutores N do emissor e coletor. Nessa forma, o fluxo de eltrons vindo do emissor tem pouca probabilidade de combinao com os buracos na juno da base para formar Ib e a maior parte rompe a polarizao inversa da juno base-coletor devido ao campo eltrico maior de Vce. Portanto, a polarizao base-emissor atua como um acelerador do fluxo e controla a corrente Ic, fazendo o efeito da amplificao. Pelo circuito, pode-se concluir que Ie = Ib + Ic. Em componentes reais, Ib pode ser 5% (ou menos) de Ie e Ic pode ser 95% ou mais de Ie, ou seja, a amplificao considervel. Na parte esquerda superior da figura, mostrado o smbolo normalmente usado para esse componente. Um parmetro usual para o transistor o fator de corrente , que a relao entre as correntes de coletor e emissor. Assim, = Ic/Ie ou Ic = Ie. Como Ib pequena, o fator prximo da unidade. E ocorre tambm: Ib = Ie Ic = Ie Ie = (1 ) Ie. E o ganho de corrente , caracterstico do transistor, dado por: = Ic/Ib = / (1 ). 86

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No transistor de juno PNP, os tipos de semicondutores so invertidos em relao ao NPN (coletor e emissor so semicondutores tipo P e base tipo N). A operao similar, com inverso dos portadores de cargas e tenses de polarizao de sinais contrrios aos da figura anterior (a) e smbolo conforme (b) da mesma figura.

4.7.3 Transistor de Unijuno


Os transistores de unijuno ou UJT (Unijunction Transistor) podem ser utilizados em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em sistemas temporizados. Basicamente o transistor de unijuno constitudo por uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com dois contatos B1 e B2 extremos. Tais contactos no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora interna. Na altura da juno P haver uma tenso na barra que depender da sua resistncia hmica e de Vb. Enquanto Ve for menor que essa tenso, a juno do emissor estar inversamente polarizada e, portanto, a corrente ser nula. Se Ve aumenta de forma que a juno fique diretamente polarizada, haver um fluxo de portadores entre o emissor e base B1 e a corrente aumenta mesmo que Ve diminua. Isto d ao dispositivo uma caracterstica de resistncia negativa, conforme indicado no grfico da figura ao lado. Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2), conforme o circuito equivalente apresentado ao lado. Princpio de Funcionamento: O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 relativamente alto (tipicamente entre 4 K e 12 K ). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito pequena circular por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de tenso, em cujo ponto intermdio surge uma tenso menor, porm proporcional quela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores iguais, de 5 K cada um. Assim, se aplicarmos (com a +
6 a 30 Volt

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polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o ctodo do diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma tenso de entrada no emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a barreira de potencial intrnseca da juno PN (0,6V) e, em seguida, superar a prpria tenso que polariza o ctodo (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a tenso aplicada ao terminal do emissor (E) no atingir 5,6 Volts (0,6V + 5V) no haver passagem de corrente pelo emissor atravs de Rb1 para a linha de negativo da alimentao. Mantendo-se, no exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do que 5,6 Volts haver a passagem de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a 5,6V) ser incapaz de originar passagem da corrente eltrica pelo emissor (E) e por Rb1. Portanto, enquanto os 5,6V no forem atingidos, a corrente ser nula, como atravs de um interruptor aberto. Alcanando os 5,6V, tudo se passa como se o interruptor estivesse fechado e, assim, a corrente que circular estar limitada unicamente pelo valor resistivo intrnseco de Rb1. Como a transio de corrente nula para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1), se d sempre de forma abrupta (quando a tenso de emissor chega tenso/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples interruptor acionado por tenso.

4.7.4 Transistor de Efeito de Campo


Os transistores bipolares e os transistores de efeito de campo distinguem-se pela sua estrutura e princpio de funcionamento; h, no entanto, uma diferena que determina a sua utilizao: O transistor bipolar comandado por corrente, enquanto o de efeito de campo comandado por tenso. Um transistor de efeito de campo (FET - Junction Field Efect Transistor) pode ser de dois tipos:

a) J-FET O J-FET canal N constitudo basicamente por uma juno PN, sendo ambos os extremos da regio N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate ou porta) um anel em volta da regio N. Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N circular uma corrente limitada apenas pela resistncia do material semicondutor. Porm, se polarizarmos inversamente a juno PN (Gate negativa em relao Fonte), formar-se- uma zona de depleo em volta da juno PN. Devido a esse fato, ficar mais estreito o canal o que equivale a um aumento da resistncia interna da regio N.
Zona de depleco

VDS VGS

NOTA: Para o J-Fet canal P devemos inverter a polaridade das tenses aplicadas aos terminais.

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Atravs da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tenso dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) ser funo da polarizao inversa do Gate que variar a espessura do canal por variao da zona de depleo. Princpio de Funcionamento: Para o FET funcionar, o Gate deve ser inversamente polarizado (no J-FET canal N: Gate negativo em relao Fonte, no J-FET canal P: gate positivo em relao Fonte), o Dreno (D) positivo em relao Fonte (S). A VDS RD corrente dreno-fonte (IDS) ou simplesmente corrente de dreno (ID) inversamente proporcional tenso gate-fonte (VGS), conhecida por tenso de gate (VG). Assim se: VG IDS ID (isto porque a zona de depleo vai aumentar e o canal vai estreitar o que provoca um aumento de resistncia e consequentemente uma diminuio da RG RS corrente) Mantendo-se constante VDS e fazendo variar VG, ID sofrer uma certa variao e a relao ID/VG d-nos a transcondutncia em Siemens do FET, representada por J-Fet canal N Gm. Considerando ID como sada e VGS como entrada, o J-FET surge como uma fonte de corrente controlada por tenso.

b) MOS-FET Os transistores de gate isolada (Mos-FET ou Ig-FET) recebem esse nome em virtude da gate ser uma pelcula metlica (de alumnio) isolada eletricamente do canal (semicondutor) atravs de uma finssima camada de xido de silcio. Um efeito semelhante ao anterior pode ser obtido com a porta totalmente isolada do canal. Este dispositivo, que usa uma camada de xido para a isolao da porta, denominado MOS-FET. Deve-se evitar tocar com as mos nos terminais dos FET j que todos eles, mas especialmente os de tecnologia MOS, so sensveis a cargas eltricas estticas, que podem danificar permanentemente a sua estrutura interna. A sua resistncia de entrada muito elevada (da ordem dos 1015 ). Tipos de MOS-FET: 1. de empobrecimento ou depleo Tal como no J-FET um dos extremos do canal a Fonte, e o outro o Dreno; e sobre o canal existe uma delicada capa de xido de silcio (SiO2) sobre a qual aplicada uma camada de alumnio (Al) para formar a Porta ou Gate.

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O Dreno ligado ao plo positivo da bateria e a Fonte ao negativo. Se a tenso na Gate ou Porta for zero (VG= 0 Volt) a corrente de dreno (ID) ser limitada apenas pela resistividade do canal n (que no elevada). Porm, se aplicarmos uma tenso inversa entre o gate e a fonte (Gate negativo em relao Fonte) forma-se Substrato Al um campo eletrosttico que repelir os eltrons livres que no material N so os portadores de corrente, formando-se, desta forma, uma zona de depleo, cuja profundidade depender da tenso aplicada. Quando a tenso de porta se torna negativa o campo eltrico produzido pelo condensador (formado pela SiO2 Figura: Porta SiO2 canal N) vai atrair cargas positivas para NMOS de empobrecimento o canal. A presena das cargas positivas atrai as Canal N Substrato P negativas e isso produz um estreitamento do canal. Desta forma, tal como sucede nos J-FETs, a intensidade da corrente entre Fonte e Dreno (ID) ser inversamente proporcional tenso entre Gate e Fonte (VG) VG ID H um valor da tenso de Gate, chamado tenso de corte, no qual o canal ficar totalmente fechado e a corrente de dreno ser igual a zero. O menor valor negativo da tenso de Gate que elimina o canal designa-se por tenso limiar ou tenso de threshold (VT) ou VGS off. Os Mos-FETs tipo depleo so semelhantes aos J-FET, tendo aplicaes semelhantes, geralmente como amplificadores de sinais.

2. de enriquecimento ou reforo A zona P mais larga, sendo o canal restrito a Canal induzido pequenas pores de material N junto fonte e ao dreno. Tal como no FET de empobrecimento, o gate ou porta isolado do canal por uma camada de xido de silcio. Neste transistor, no entanto, a porta ou gate recebe uma tenso positiva em relao fonte, de modo que o campo eletrosttico assim formado, em vez de repelir os Figura: NMOS de enriquecimento eltrons, os atrai, formando um canal N entre a Canal N Substrato P fonte e o dreno (o tracejado na figura). A formao deste canal permite, ento, a circulao da corrente de dreno (ID) cuja intensidade ir depender da tenso de gate (VG), j que a profundidade do canal entre a Fonte e o Dreno ser determinada pelo campo eletrosttico. Se a tenso gate fonte (VGS) for nula no se formar o canal induzido e logo no haver corrente de dreno (ID).

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No caso do Mos-FET de canal N o dreno deve ser ligado ao positivo da bateria, e a Fonte ao negativo, sendo a gate ou porta ligada ao positivo atravs de um divisor de tenso destinado a fornecer a exata tenso de gate. importante recordar que, como a resistncia de entrada infinita (j que o gate eletricamente isolado do canal) o gate de um MosFET no consome qualquer corrente, da a necessidade do divisor. Os Mos-FETs tipo depleo so semelhantes aos JFETs, tendo aplicaes semelhantes como as de amplificadores de sinais.

4.7.6 Retificador controlado de silcio


Um dispositivo com duas junes de silcio PN, conforme ilustrado ao lado, denominado retificador controlado de silcio (sigla SCR - Silicon Controled Rectifier). No circuito dado, as junes externas so polarizadas diretamente e a central, inversamente. Ele pode ser considerado como a combinao de um transistor NPN com um PNP. Aplicando a lei de Kirchhoff: Ic = a I a + c I c

Para todo o conjunto: Ic = Ip + Ia

Resolvendo, Ic = a Ip / (1 a c). Se a soma dos fatores de corrente de ambos os transistores for prxima de 1, a corrente Ic ser muito grande em relao a Ip, o que ocorre na prtica. Os valores de Ip so realmente muito baixos e, uma vez iniciada a conduo, Ip pode ser reduzido a zero, pois o dispositivo conserva a polarizao, mantendo a conduo. Esses dispositivos so bastante utilizados no o controle de cargas de alta potncia, como rotao de motores de corrente contnua, resistncias de aquecimento, etc.

4.7.7 Termistores
Termstor (ou termistor) so resistores semicondutores sensveis temperatura. Existem basicamente dois tipos de termistores:

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a) NTC (Negative Temperature Coefficient) - termistores cujo coeficiente de variao de resistncia com a temperatura negativo: a resistncia diminui com o aumento da temperatura. Podem ser usados como sensores de temperatura em diversas aplicaes com limitador de picos de corrente (Inrush Current Limiting Devices), por exemplo. b) PTC (Positive Temperature Coefficient) - termistores cujo coeficiente de variao de resistncia com a temperatura positivo: a resistncia aumenta com o aumento da temperatura. Geralmente so usados como fusveis resetveis, elementos de aquecimento, sensores de temperatura. Conforme a curva caracterstica do termistor, o seu valor de resistncia pode diminuir ou aumentar em maior ou menor grau em uma determinada faixa de temperatura. Assim alguns podem servir de proteo contra sobreaquecimento, limitando a corrente eltrica quando determinada temperatura ultrapassada. Outra aplicao, no caso a nvel industrial, a medio de temperatura (em motores, por exemplo), pois o termistor possibilita a obteno da variao de uma grandeza eltrica em funo da temperatura em que este se encontra. A combinao de sensibilidade, estabilidade e preciso faz do termistor a melhor relao custo x benefcio dentre todas as tecnologias para medio de temperatura. aplicado em:
ar condicionado refrigeradores e freezers desumidificadores aquecedores de hidromassagem equipamentos teraputicos chocadeiras ar condicionado automotivo cafeteiras fornos/autoclave fritadeiras chuveiros odontolgicos filtro de gua encubadeiras termostatos eletrnicos mquinas de fast food gndolas trmicas equipamentos mdicos expositores gerenciamentos de energia

4.7.8 Fotocondutores
O fotocondutor , essencialmente, um componente semicondutor sensvel radiao, sendo a sua condutividade varivel com a incidncia de luz. O esquema de operao de um fotocondutor pode ser visto na figura ao lado. Um fton de energia hv maior que o gap de energia da banda absorvido para produzir um par eltron-lacuna, alterando conseqentemente a condutividade eltrica do semicondutor. Quase sempre, a mudana na condutividade medida por meio de eletrodos fixados no semicondutor. Utilizam, geralmente, uma juno PN composta por dois semicondutores que so

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escolhidos em funo das caractersticas que o detector dever possuir. O fotocondutor , ento, um outro resistor tipo NTC e um transdutor do tipo que converte energia luminosa na forma de energia eltrica. O exemplo de fotocondutor o LDR (Light Dependent Resistor). Este possui a interessante caracterstica de ser um componente eletrnico cuja resistncia eltrica diminui quando sobre ele incide energia luminosa. Isto possibilita a utilizao deste componente para desenvolver um sensor que ativado (ou desativado) quando sobre ele incidir energia luminosa. composto de um material semicondutor, o sulfeto de cdmio, CdS, ou o sulfeto de chumbo. O processo de construo de um LDR consiste na conexo do material fotossensvel com os terminais, sendo que uma fina camada simplesmente exposta incidncia luminosa externa. Com o LDR pode-se fazer o controle automtico de porta, alarme contra ladro, controle de iluminao em um recinto, contagem industrial, controle de iluminao pblica, todos estes fotocontrolados para a operao de um rel. Dispositivos fotocondutores comerciais so chamados de clulas fotocondutivas. So utilizados para medir a quantidade de iluminao (como um medidor de luz), para registrar uma modulao de intensidade luminosa e como um rel de luz liga-desliga (como um circuito digital ou de controle), neste caso, pode ser chamado de Rel-fotoclula, capaz de perceber a luz do sol, assim, identificando se dia ou noite, acendendo as lmpadas automaticamente quando o dia escurece e desligando aps o amanhecer, com grande aplicao em iluminao pblica (figura ao lado). O dispositivo fotocondutor de maior aplicao a clula de sulfeto de cdmio dopada com uma pequena quantidade de prata, antimnio ou ndio. As vantagens desses fotocondutores so: Alta capacidade de dissipao; Excelente sensibilidade no espectro visvel; Baixa resistncia quando estimulados pela luz (em escurido, em torno de 2M e, com luz forte, menos de 100 ) Podem ento, controlar um circuito de vrios Watts operando um rel diretamente, sem circuitos amplificadores intermedirios. Outros materiais fotocondutores: Sulfeto de chumbo, sendo usado para deteco ou medidas de absoro de infravermelho; Selenium, sensvel em toda a parte do espectro visvel, particularmente perto do azul. Os fotocondutores so tambm usados utilizados em mquinas de xrox que funcionam da seguinte maneira: 1) Quando se inicia a operao de uma mquina de xerox, acende-se uma lmpada, que "varre" todo o documento a ser copiado. A imagem projetada por lentes e espelhos sobre a superfcie de um cilindro fotossensvel (de alumnio, revestido por material fotocondutor). 2) Uma imagem latente formada na superfcie do cilindro; 3) O cilindro recebe uma carga de material conhecido como toner ou tonalizador (tinta em p) que atrado pelas cargas que formam a imagem.

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4) Transfere-se o toner para o papel, atrvs de cargas eltricas, e fixa-se o mesmo atravs de um processo que envolve calor e presso. Atualmente, no processo digital, a imagem latente formada no cilindro atravs de raios laser ou diodos emissores de luz (LEDs), semelhante s impressoras laser.

4.7.9 Clulas Fotovoltaicas


As Clulas Fotovoltaicas so muito usadas em residncias rurais distantes de linhas de distribuio, pequenas calculadoras, relgios de pulso e aparelhos que precisam de pouca energia. A clula fotovoltaica construda de silcio ao qual so adicionadas substncias ditas dopantes de modo a criar um meio adequado ao estabelecimento do efeito fotovoltaico, isto , converso direta da potncia associada radiao solar em potncia eltrica em corrente contnua (DC ou CC). Composio e funcionamento de uma clula fotovoltaica cristalina: 1 eletrodo negativo; 2 eletrodo positivo; 3 camada tipo N; 4 camada tipo P; 5 camada de limite (depleo)

Quando os eltrons e lacunas atingem a juno PN, eles so separados pelo campo interno da regio de depleo. O elemento fotovoltaico fora a corrente a fluir no circuito externo, portanto, a energia luminosa convertida em energia eltrica. Em outras palavras, a clula solar trabalha segundo o princpio de que os ftons incidentes, colidindo com os tomos de certos materiais, provocam um deslocamento dos eltrons, carregados negativamente, gerando uma corrente eltrica. Este processo de converso

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no depende do calor, pelo contrrio, o rendimento da clula solar cai quando sua temperatura aumenta. Deste modo, as clulas solares no s so apropriadas para regies ensolaradas, mas tambm parecem promissoras para reas em que outros tipos de sistemas de energia solar perecem sem perspectivas como as de baixa insolao. As clulas solares continuam a operar mesmo sob cu nublado. A converso da energia solar em energia eltrica, com o uso de painis fotovoltaicos j comercialmente vivel para pequenas instalaes. Seu uso particularmente vantajoso em regies remotas ou em zonas de difcil acesso. Os sistemas de comunicao, e, de modo geral, todos os equipamentos eletrnicos com baixo consumo de potncia, podem ser facilmente alimentados por painis fotovoltaicos. A figura abaixo mostra uma configurao tpica de instalao do sistema fotovoltaico. Para sua utilizao em residncias se faz necessrio o uso de alguns dispositivos tais como controlador de carga, baterias para armazenar a energia para uso noturno e um inversor para converter a tenso contnua e alternada. Tambm torna-se especialmente notvel a utilizao de energia solar na alimentao de dispositivos eletrnicos existentes em foguetes, satlites e astronaves.

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CAPTULO V MATERIAIS MAGNETICOS


Os primeiros fenmenos magnticos observados foram aqueles associados aos chamados ims naturais (magnetos) que eram fragmentos grosseiros de ferro encontrados perto da antiga cidade de Magnsia, distrito de Thessally na Grcia (da o termo magneto). Estes ims tinham a propriedade de atrair ferro desmagnetizado, sendo que esta propriedade era mais acentuada em certas regies deste material denominadas plos. Existem dois tipos de ims: Ims Naturais so aqueles que encontramos na natureza e so compostos por minrio de ferro (xido de ferro). Este tipo de ferro magntico denominado magnetita. Ims Artificiais so aqueles que adquirem propriedade magntica ao serem atritados com um im natural. A capacidade magntica destes ims pode superar a dos ims naturais. Os ims possuem dois plos (norte - N e sul - S). O plo sul de um im atrado pelo plo norte do Planeta Terra e vice-versa. Descobriu-se ento que, quando uma barra de ferro era colocada perto de um im natural ela adquiria e retinha esta propriedade do im natural e que, quando suspensa livremente em torno de um eixo vertical, ela alinhava com a direo norte-sul, que originou os instrumentos de navegao como, por exemplo, a bssola. A fora que atrai o ferro, ou outros metais, a um m chamada linha de fora. Um conjunto de linhas de fora que saem do plo N e entram no im pelo S forma o campo magntico. Ao espalharmos limalha de ferro sobre um m pode-se perceber a forma do campo magntico por meio das linhas de induo, este fato est ilustrado na figura abaixo.

Quanto mais forte o im: Maior o nmero de linhas de fora; Maior a rea abrangida pelo campo magntico.

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O magnetismo ou fora magntica fundamental na gerao e aproveitamento da corrente eltrica. Todo tipo de sistema ou equipamento eletromecnico contem efeitos magnticos em seus circuitos. Desta forma, a existncia de equipamentos como motores, geradores, transformadores, indutores, instrumentos eltricos, medidores, componentes magnticos, etc. seria impossvel se os fenmenos magnticos no fossem compreendidos e dominados. Hoje em dia, pesquisas so feitas para se desenvolver outros tipos de materiais que tenham essa propriedade ainda mais acentuada e que possam ser manipulados de maneira a permitir novas configuraes e formatos de ncleos reduzindo-se assim as perdas destes ncleos, bem como seus tamanhos. Os materiais magnticos mais importantes em aplicaes eltricas gerais so chamados ferromagnticos. Estes permitem o estabelecimento de fenmenos magnticos devido sua caracterstica de conectar linhas de fora magntica, sofrendo atrao por estas foras. O exemplo mais antigo deste material a magnetita (O4Fe3). Este e outros tipos de materiais magnticos sero estudados a seguir.

5.1 Classificao dos Materiais Magnticos


Os materiais magnticos podem ser classificados conforme os domnios magnticos. Estes correspondem menor unidade de um material que se caracteriza por possuir uma nica orientao magntica, isto , um vetor campo magntico prprio. Em um material magntico, os domnios podem estar orientados ao acaso de modo que seus momentos magnticos se anulam. Ao aplicarmos um campo magntico externo, os domnios se alinham na direo deste campo e podem permanecer ou no alinhados depois de retirarmos o campo. Sob esta anlise os materiais magnticos podem ser: Duros: So aqueles que ao retirarmos o campo magntico externo, o alinhamento dos domnios permanece. Tambm chamados ms. Moles, macios ou doces: o alinhamento dos domnios desaparece ao retirarmos o campo magntico externo. Algumas aplicaes exigem materiais duros e outras aplicaes exigem materiais moles. Um m de geladeira, por exemplo, deve ser feito de um material magntico duro, para que possa permanecer imantado por muito tempo. J os motores eltricos exigem materiais magnticos moles, para que eles possam se adaptar rapidamente s alteraes da corrente eltrica alternada.

Por outro lado, fisicamente, os materiais magnticos podem ser classificados, quanto permeabilidade, como:

Ferromagnticos (ferro, nquel, cobalto, ao) caracterizam-se por uma magnetizao espontnea, que totalmente independente de campos magnticos externos. A grandeza desta magnetizao depende da temperatura que, quando crtica (Temperatura de Curie - varivel para cada material. Exemplo: ferro 7700C, cobalto 7700C, nquel 3650C) o material perde suas propriedades magnticas 97

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passando de ferromagntico para diamagntico. Os ferromagnticos possuem uma permeabilidade magntica () centenas ou milhares de vezes, maior que a do vcuo (o), onde 0 = 4 10 7 H/m. Estes materiais provocam uma forte concentrao das linhas de fluxo do campo que os interceptam. Na seqncia, so apresentadas a permeabilidade magntica de alguns materiais:

Diamagnticos (vidro, gua, antimnio, bismuto, chumbo, cobre, gases raros) Estes materiais afastam ligeiramente as linhas de fluxo que os interceptam. A direo do campo adicional (formado atravs da teoria dos domnios) oposta do campo externo fazendo com que o campo resultante seja menor que o campo externo. Sua permeabilidade magntica menor que a do vcuo. Por exemplo:

O bismuto apresenta uma variao em sua resistncia eltrica quando atravessado pelo fluxo magntico, sendo por isso aproveitado em instrumentos de medio de campo magntico.

Paramagnticos (oxignio, sdio, sais de ferro e de nquel, alumnio, silcio) Estes materiais tendem a concentrar ligeiramente as linhas de fluxo que os interceptam. A direo do campo adicional a mesma do campo externo, portanto, o campo resultante maior que o campo externo. Sua permeabilidade magntica ligeiramente maior que a do vcuo. Por exemplo:

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5.2 Caractersticas dos Materiais Magnticos


5.2.1 Retentividade
a maior ou menor capacidade de um material reter o magnetismo. O ao, por exemplo, possui maior retentividade do que o ferro doce.

5.2.2 Relutncia
a oposio ao estabelecimento do fluxo no circuito magntico. Apenas como referncia pode-se pensar na resistncia e sua oposio passagem de corrente eltrica e ser possvel estabelecer uma analogia. A Relutncia pode ser obtida a partir das caractersticas magnticas e geomtricas do material, conforme mostrado na equao abaixo:

5.2.3 Permencia
a recproca da relutncia (anlogo condutncia).

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5.2.4 Permeabilidade
a caracterstica do material quanto maior ou menor facilidade de se deixar atravessar pelo fluxo magntico circulante, opondo-se em maior ou menor grau orientao das molculas. A permeabilidade funo da temperatura e da intensidade de campo magntico aplicado.

5.2.5 Permeabilidade Relativa


A permeabilidade do vcuo dada por: 0 = 4 10 H/m A permeabilidade dos demais materiais geralmente referenciada permeabilidade do vcuo, no que chamada de permeabilidade relativa, dada por:
7

A permeabilidade do ar normalmente considerada como a permeabilidade do vcuo.

5.2.6 Meios de Propagao do Fluxo Magntico

Material no saturvel: materiais onde = o = cte -> r = 1; o Material diamagntico; o Material paramagntico Material Saturvel: qualquer material ferromagntico. >> o -> r >> 1.

5.2.7 Intensidade de Campo Magntico


a relao entre a densidade de fluxo no material e sua permeabilidade. dado por:

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Quando um condutor conduz uma corrente eltrica um campo magntico produzido a sua volta, como ilustrado ao lado. A direo das linhas de fluxo ou a intensidade (H) do campo magntico pode ser determinada pela regra da mo direita. Se o condutor retilneo, imagine o polegar da mo direita, esticado e apontando no sentido da corrente, e os outros quatro dedos fechados sobre o condutor. Ento estes quatro dedos apontam o sentido do campo como ilustrado na figura ao lado.

Adio e Subtrao de Campo Magntico: corrente saindo do condutor corrente entrando no condutor

1 ilustrao: adio Por terem o mesmo sentido formam um campo total mais forte. 2 e 3 ilustraes: subtrao Por terem o sentidos contrrios formam um campo total mais fraco.

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5.2.8 Densidade de Fluxo


a relao entre o fluxo, expresso em weber, Wb, e a rea da seo reta, em m2, atravessada por este fluxo, expressa pela equao abaixo:

5.2.9 Fora Magnetomotriz


Um solenide ou um eletrom pode ser feito a partir de um ncleo de ar ou material magntico e um enrolamento ou conjunto de espiras, normalmente sobre uma forma, atravs das quais faz-se passar uma corrente. A passagem de corrente cria um campo magntico, que pode ser concentrado caso o ncleo seja de material magntico. A fora magnetomotriz obtida por:

A relutncia pode ser ento definida partir de :

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5.2.10 Curva de Magnetizao (BxH)


A curva de magnetizao um grfico, obtido experimentalmente, que relaciona a induo magntica B com a intensidade do campo magntico ou excitao magntica H. O grfico pode tambm relacionar o fluxo magntico com a corrente de excitao I. Considerando uma bobina com ncleo de ar, o aumento da corrente eltrica na bobina (e, consequentemente, a excitao magntica H) provoca um aumento do fluxo magntico (e, consequentemente, a induo magntica B). A relao entre e I linear, ou seja, o aumento de diretamente proporcional ao aumento de I.

Introduzindo um ncleo de material ferromagntico no interior da bobina, o fluxo magntico toma valores muito maiores que com ncleo de ar, para os mesmos valores da corrente I. Este grande aumento do fluxo em relao bobina com ncleo de ar deve-se contribuio dada pelos tomos que so, na realidade, pequenos ms. Estes tomos, inicialmente desordenados, alinham-se segundo as linhas de fora do campo magntico produzido pela corrente. Ao alinhar-se, o fluxo que possuem soma-se ao fluxo inicial. Quanto maior for o valor da corrente, maior o nmero de tomos que se alinham e maior o valor do fluxo total. medida que a corrente aumenta, o nmero de tomos que resta por alinhar cada vez menor e, por isso, o fluxo no aumenta mais proporcionalmente corrente. Portanto, aps o aumento inicial linear do fluxo, entra-se na chamada zona de saturao. Quando todos os tomos estiverem alinhados, o aumento do fluxo com a corrente volta a ser linear (mas pequeno, to pequeno quanto era com a bobina com ncleo de ar), dependendo apenas do valor da corrente. A partir do ponto de saturao, a linha do grfico fica, ento, paralela linha correspondente bobina com ncleo de ar.
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5.2.11 Lao de Histerese


Quando o campo magntico aplicado em um material for aumentado at a saturao e em seguida for diminudo, a densidade de fluxo B no diminui to rapidamente quanto o campo H. Desta forma, quando H chega a zero, ainda existe uma densidade de fluxo remanescente, Br. Para que B chegue a zero, necessrio aplicar um campo negativo, chamado de fora coercitiva. Se H continuar aumentando no sentido negativo, o material magnetizado com polaridade oposta. Desse modo, a magnetizao inicialmente ser fcil, at quando se aproxima da saturao, passando a ser difcil. A reduo do campo novamente a zero deixa uma densidade de fluxo remanescente, -Br, e, para reduzir B a zero, deve-se aplicar uma fora coercitiva no sentido positivo. Aumentando-se mais ainda o campo, o material fica novamente saturado, com a polaridade inicial. Este fenmeno que causa o atraso entre densidade de fluxo e campo magntico chamado de histerese magntica que tanto maior quanto mais forte for a oposio apresentada pelo material ferromagntico. O ciclo traado pela curva de magnetizao chamado de ciclo ou lao de histerese.
Uma famlia de curvas de histerese medida com uma densidade de fluxo modulada senoidalmente com freqncia de 50 Hz e campo magntico varivel de 0,3 T a 1,7 T. Onde: B = Densidade de fluxo magntico H = Campo magntico BR = valor da densidade magntica residual; a densidade de fluxo que permanece quando a fora magnetizante ( H ) retirada HC = fora coercitiva = o valor da fora magnetizante necessria para anular o magnetismo residual.

Quando o ferro no est magnetizado, seus domnios magnticos esto dispostos de maneira aleatria. Porm, ao aplicar uma fora magnetizante, os domnios se alinham com o campo aplicado. Se invertermos o sentido do campo, os domnios tambm invertero sua orientao. Num transformador, o campo magntico muda de sentido muitas vezes por segundo, de acordo com o sinal alternado aplicado. E o mesmo ocorre com os domnios do material do ncleo. Ao inverter sua orientao, os domnios precisam superar o atrito e a inrcia. Ao fazer isto, dissipam certa quantidade de potncia na forma de calor, que chamada de perda por histerese. Em determinados materiais, a perda por histerese muito grande. O ferro doce um exemplo. J no ao, esse tipo de perda menor. Por isto, alguns transformadores de grande

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potncia utilizam um tipo de liga especial de Ferro-silcio, que apresenta uma perda por histerese reduzida. Este tipo de problema tambm aumenta junto com a freqncia do sinal. Um transformador que apresenta baixa perda nas freqncias menores pode ter uma grande perda por histerese ao ser usado com sinais de freqncias mais altas. A histerese produzida devido ao gasto de energia para inverter os dipolos durante uma mudana de campo eletromagntico.

5.3 Lei de Faraday e Lei de Lenz


Michael Faraday, baseando-se nos trabalhos de Hans Christian Oersted e Andr-Marie Ampre, em meados de 1831, comeou a investigar o efeito inverso do fenmeno por eles estudado, onde campos magnticos produziam correntes eltricas em circuitos. Faraday descobriu que um campo magntico estacionrio prximo a uma bobina, tambm estacionria e ligada a um galvanmetro no acusa a passagem de corrente eltrica. Observou, porm, que uma corrente eltrica temporria era registrada no galvanmetro quando o campo magntico sofria uma variao. Este efeito de produo de uma corrente em um circuito, causado pela presena de um campo magntico, chamado de induo eletromagntica e a corrente eltrica que aparece denominada de corrente induzida. O fenmeno de induo eletromagntica est ilustrado na seqncia. 1 2

Nas ilustraes, observa-se que a fem induzida produz uma corrente cujo sentido cria um campo magntico que se ope a variao do fluxo magntico original. Este fenmeno conhecido como lei de Lenz. A lei de Lenz a garantia de que a energia do sistema se conserva. Isto significa que a direo da corrente induzida tem que ser tal que se oponha as mudanas ocorridas no sistema. Caso contrrio, a lei de conservao de energia seria violada.

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Existem vrios modos de se obterer correntes induzidas em um circuito, os quais so enumeradas a seguir: O circuito pode ser rgido e, no entanto, pode mover-se como um todo em relao a um campo magntico, de modo que o fluxo magntico atravs da rea do circuito varia no decorrer do tempo. Sendo o campo B estacionrio, o circuito pode ser deformvel de tal modo que o fluxo de B atravs do circuito varie no tempo. O circuito pode ser estacionrio e indeformvel, mas o campo magntico B, dirigido para a superfcie varivel no tempo. Em resumo, em todos os trs casos, verifica-se que o ponto chave da questo est na variao do fluxo magntico com o tempo. Isto se d/dt diferente de zero, ento uma corrente eltrica ser induzida no circuito. Estes resultados experimentais so conhecidos como lei de Faraday a qual pode ser enunciada da seguinte forma: A fora eletromotriz induzida (fem) em um circuito fechado determinada pela taxa de variao do fluxo magntico que atravessa o circuito. A Lei de Faraday garante a gerao de um campo magntico por um campo eltrico varivel e a gerao de um campo eltrico por um campo magntico varivel. Esta Lei pode ser expressa por:

Onde

a fora eletromotriz induzida (fem) e fluxo magntico dado por

Sendo S a superfcie por onde flui o campo magntico. Sabendo que a forca eletromotriz pode ser expressa em funo do campo eltrico temos que;

O sinal negativo que aparece na equao acima representa a direo da fem induzida. Um exemplo tpico da aplicao desta lei pode ser visto no princpio de funcionamento de transformadores. Sob a aplicao de uma tenso alternada em um dos seus terminais (primrio), percorrer um fluxo magntico varivel em seu ncleo magntico resultando em uma tenso induzida alternada no outro terminal (secundrio). Os nveis de tenso estaro associados ao nmero

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de espiras dos enrolamentos primrio e secundrio.

5.4 Circuitos Magnticos Equivalentes


Quando os circuitos magnticos so analisados para determinar o fluxo e a induo magntica nos principais caminhos atravs do ncleo, o campo magntico fora do ncleo e no entreferro so, usualmente, desprezados. Entretanto, quando dois ou mais enrolamentos esto colocados sobre um circuito magntico, como em transformadores ou mquinas rotativas, os campos fora do ncleo, chamados campos de disperso, so muito importantes na determinao do acoplamento entre os enrolamentos. Ao longo do circuito magntico, o fluxo magntico (dado em Wb) contnuo e definido como:

= Bda
s

Dentro do ncleo, a induo magntica pode ser considerada uniforme atravs da rea A da seo transversal de modo que o fluxo :

= A
Que pode ser escrita em termos da induo magntica no ncleo:

Ni =

l =

l A

O termo Ni representado aqui por chamado de fora magnetomotriz (fmm). Os coeficientes do segundo membro so chamados de permencia P ou relutncia e so definidos como:

1 l = P A

Logo a equao da induo magntica reescrita como:

Note que esta ltima equao anloga a lei de Ohm (E=R I). Esta analogia com os circuitos eltricos nos permite representar o campo magntico por um circuito magntico

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equivalente e fazer a sua anlise como um circuito eltrico, com as referncias mostradas na tabela seguinte: CIRCUITO ELTRICO E(fem) CIRCUITO MAGNTICO (fmm)

Uma fonte de Produz um Que limitada

i = E/ = l / A

= /

[Wb]

=l/A

O circuito equivalente mostrado abaixo representa o campo magntico de uma bobina toroidal.

5.4.1 Circuito Magntico em Entreferro de Ar


Como j comentado, em transformadores e mquinas eltricas rotativas no se pode desprezar o campo magntico fora do ncleo. Em mquinas eltricas rotativas, o rotor est fisicamente isolado por um entreferro de ar. Na figura seguinte representado um corte radial em uma mquina CC, onde se pode observar que, praticamente, o mesmo fluxo magntico est presente nos plos (ncleo de material ferromagntico) e no entreferro (ar).

Naturalmente, para manter as mesmas densidades de fluxo, o entreferro exige uma fmm muito maior que o ncleo = / , o que pode provocar a saturao do ncleo mantendo o entreferro no saturado pois a curva B-H do ar linear, ou seja, constante. Um circuito magntico composto de caminhos magnticos de diferentes materiais pode ser representado por suas respectivas relutncias magnticas, como mostrado na seqncia:

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Do circuito equivalente identificamos:

c = g =

lc c Ac

lg g Ag

Ni = c + g

Ni = Hc lc + Hg lg
Onde: lc = comprimento mdio do ncleo lg = comprimento do entreferro de ar As densidades de fluxo so:

Bc = Bg =

c
Ac

g
Ag

Verifica-se que Ag = Ac e que desprezando a distoro das linhas de fluxo, obtm-se:

Bg = Bc =

c
Ac

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No entreferro de ar, as linhas de fluxo so arqueadas nas extremidades dos plos (espraiamento), como ilustrado na figura abaixo. Este efeito incrementado com o aumento da rea do entreferro e pode ser desprezado para pequenos valores do mesmo.

5.5 Aplicaes dos Materiais Magnticos


Atualmente, os materiais magnticos desempenham papel muito importante nas aplicaes tecnolgicas do magnetismo. Nas aplicaes tradicionais, como em motores, geradores, transformadores, etc, eles so utilizados em duas categorias: ms permanentes so aqueles que tm a propriedade de criar um campo magntico constante. materiais doces, ou permeveis, so aqueles que produzem um campo proporcional corrente num fio nele enrolado, muito maior ao que seria criado apenas pelo fio sem nenhum outro material (ncleo de ar). A terceira aplicao tradicional dos materiais magnticos, que adquiriu grande importncia nas ltimas dcadas, a gravao magntica. Esta aplicao baseada na propriedade que tem a corrente numa bobina, na cabea de gravao, em alterar o estado de magnetizao de um meio magntico prximo. Isto possibilita armazenar no meio a informao contida num sinal eltrico. A recuperao, ou a leitura, da informao gravada feita, tradicionalmente, atravs da induo de uma corrente eltrica pelo meio magntico em movimento na bobina da cabea de leitura. A gravao magntica a melhor tecnologia da eletrnica para armazenamento no-voltil de informao que permite re-gravao. Ela essencial para o funcionamento dos gravadores de som e de vdeo, de inmeros equipamentos acionados por cartes magnticos, e tornou-se muito importante nos computadores. As aplicaes mencionadas so baseadas em propriedades e fenmenos clssicos, todos conhecidos e compreendidos desde o incio do sculo XX. A evoluo tecnolgica destas aplicaes ocorreu em decorrncia da descoberta de novos materiais, aperfeioamento das tcnicas de preparao, etc. Porm, nos ltimos 15 anos, a pesquisa em materiais magnticos ganhou um grande impulso por conta de descobertas feitas com estruturas artificiais de filmes muito finos. Estes filmes podem ser preparados por vrios mtodos diferentes, dependendo da composio, espessura e aplicao. Todos eles se baseiam na deposio gradual de tomos ou molculas do material desejado sobre a superfcie de outro material que serve de apoio, chamado substrato. A fabricao de filmes ultrafinos, com espessuras da ordem ou frao de 1 nanmetro (1 nm = 10-9 m), tornou-se possvel graas evoluo das tcnicas de alto vcuo.

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Hoje possvel fabricar estruturas artificiais controlando a deposio de camadas no nvel atmico, com alto grau de perfeio e pureza. tambm possvel depositar sobre um filme com certa composio qumica, outro filme de composio diferente. Isto possibilita a fabricao de estruturas com propriedades magnticas muito diferentes das tradicionais, cuja compreenso microscpica exige o conhecimento detalhado dos filmes, das interfaces e das interaes entre os tomos. Estas estruturas compreendem filmes simples de uma nica camada magntica sobre um substrato, ou filmes magnticos e no-magnticos intercalados, e tambm estruturas com mais de uma dimenso na escala nanomtrica, chamadas nano-estruturas magnticas de maiores dimenses. As diversas aplicaes destes fenmenos na eletrnica esto dando origem a um novo ramo da tecnologia, chamado spintrnica, no qual as funes dos dispositivos so baseadas no controle do movimento dos eltrons atravs do campo magntico que atua sobre o spin.

5.3.1 Eletroms
Eletrom um dispositivo que utiliza a eletricidade para gerar um campo magntico. Possui funcionamento muito similar aos ms permanentes. Sua construo faz uso de um condutor eltrico, normalmente um fio ou barramento de cobre com exterior eletricamente isolado, o qual moldado em forma espiral de modo a compor um enrolamento chamado de bobina. No centro desta bobina normalmente utilizado um ncleo de material ferromagntico, podendo ser de ferro, ao, nquel ou cobalto. Conforme visto anteriormente, todo campo magntico, ao ser passado atravs de um condutor eltrico gera corrente eltrica, e o contrrio tambm ocorre, ou seja, toda corrente eltrica que passa por um condutor eltrico gera um campo magntico. O campo magntico gerado pela conduo de uma corrente em um condutor retilneo muito pequena, praticamente imperceptvel, mas quando o condutor enrolado de forma espiralada, os pequenos campos gerados em cada parte do condutor se combinam, formando um nico campo maior e de mesmo sentido. No caso de uma bobina, para determinar o sentido das linhas de fluxo magntico, utilizase a regra da mo direita: ao se fechar a mo direita sobre uma bobina os dedos fechados indicam o sentido do fluxo de corrente, consequentemente o dedo indica o plo norte do campo magntico gerado. A figura a seguir ilustra esta regra.

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Eletroms so utilizados em indstrias, veculos automotores, dentre outras aplicaes. Nas indstrias, os eletroms so utilizados em rels eletrnicos e contatores eltricos, componentes muito comuns em automao industrial, mquinas e aparelhos eletroeletrnicos. Possuem tambm grande aplicao em siderrgicas, para manipulao de produtos de ferro e ao. Veculos automotores utilizam eletroms em pequenos motores e no alternador, que utiliza o princpio de gerao eltrica atravs do campo magntico. Monitores de computadores CRTs (mais antigos) utilizam eletroms para fazer correes na imagem da tela, com uma funo chamada Desmagnetizar. O eletrom a base do motor eltrico e do transformador. So empregados em freios e embreagens eletromagnticos e para levantar ferro e sucata, assim como, so aplicados tecnologia dos trens de levitao magntica (Maglev) estudada no item relativo a supercondutores.

5.3.2 Rels
Um rel eletromecnico um interruptor ou chave eletromecnica que normalmente usado em circuitos que necessitam de cortes de energia. A tecnologia mais antiga usada na fabricao de rels a eletromagntica.

Em um rel eletromagntico, quando atingido um determinado valor da corrente, o disparador do rel (um eletrom) atua e ele abre, por exemplo, um circuito. Existe um determinado tempo de atuao. Este tipo de rel usado na proteo contra curtos-circuitos. Em um rel trmico, quando atingida uma determinada temperatura, o rel dispara. Esta temperatura pode ser provocada por uma corrente que atingiu um valor determinado durante um tempo suficiente para atingir o limiar de disparo. O elemento sensor , normalmente, uma lmina bimetlica ou bi-lmina. Conforme j visto este tipo de atuao usado na proteo contra sobrecargas. H rels que se destinam a realizar operaes de tipos diversos em automatismos. So chamados rels auxilares . Existem ainda os rels eletrnicos que no tm peas mveis, o que os torna mais rpidos, menos consumidores de energia e menos sujeitos a avarias do que os demais.

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REL ELETROMAGNTICO

REL TRMICO

REL AUXILIAR

REL ELETRNICO

Os rels podem ter diversas configuraes quanto aos seus contatos: podem ter contatos NA, NF ou ambos, neste caso com um contato comum ou central (C). Os contatos NA (normalmente aberto) so os que esto abertos enquanto a bobina no est energizada e que fecham, quando a bobina recebe corrente. Os NF (normalmente fechado) abrem-se quando a bobina recebe corrente, ao contrrio dos NA. O contato central ou C o comum, ou seja, quando o contato NA fecha com o C que se estabelece a conduo e o contrrio com o NF. A principal vantagem dos Rels em relao aos SCR e os Triacs que o circuito de carga est completamente isolado do de controle, podendo inclusive trabalhar com tenses diferentes entre controle e carga. A desvantagem o fator do desgaste, pois em todo o componente mecnico h uma vida til, que muito superior nos tiristores, por exemplo. Os rels tm uma grande diversidade de aplicaes, em vrias reas, como no setor de energia, automobilstico, na indstria, automaes residenciais e comerciais. Devem ser observadas as limitaes dos rels quanto a corrente e tenso mxima admitida entre os terminais. Se no forem observados estes fatores a vida til do rel estar comprometida, ou at a do circuito controlado.

5.3.3 Contatores
Contator um dispositivo eletromecnico que permite, a partir de um circuito de comando, efetuar o controle de cargas num circuito de potncia. Tais cargas podem ser de qualquer tipo, desde tenses diferentes do circuito de comando e at conter mltiplas fases. Os principais elementos construtivos de um contator so:

Contato Principal; Contato Auxiliar; Sistema de Acionamento; Carcaa;


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Acessrios Contatos Principais Os contatos principais tm a funo de estabelecer e interromper correntes de motores e chavear cargas resistivas ou capacitivas. O contato realizado por meio de placas de prata cuja vida til termina quando as mesmas so reduzidas a 1/3 de seu valor inicial. Os contatos auxiliares so dimensionados para comutao de circuitos auxiliares para comando, sinalizao e intertravamento eltrico. Eles podem ser do tipo NA (normalmente aberto) ou NF (normalmente fechado) de acordo com a sua funo. O acionamento dos contatores pode ser feito com corrente alternada ou corrente contnua. Aps a desenergizao da bobina de acionamento, o retorno dos contatos principais (bem como dos auxiliares) para a posio original de repouso garantido pelas molas de compresso. A carcaa constituda de 2 partes simtricas (tipo macho e fmea), unidas por meio de grampos. O princpio de funcionamento do contator atravs da atrao magntica criada pela corrente eltrica ao atravessar um fio condutor. A bobina eletromagntica quando alimentada por um circuito eltrico forma um campo magntico que se concentra no ncleo fixo e atrai o ncleo mvel. Como os contatos mveis esto acoplados mecanicamente com o ncleo mvel, o deslocamento deste no sentido do ncleo fixo movimenta os contatos mveis. Quando o ncleo mvel se aproxima do fixo, os contatos mveis tambm devem se aproximar dos fixos, de tal forma que, no fim do curso do ncleo mvel, as peas fixas imveis do sistema de comando eltrico estejam em contato e sob presso suficiente. O Comando da bobina efetuado por meio de uma corrente eltrica que passa num circuito em srie com a bobina. A velocidade de fechamento dos contatores resultado da fora proveniente da bobina e da fora mecnica das molas de separao que atuam em sentido contrrio. As molas so tambm as nicas responsveis pela velocidade de abertura do contator, o que ocorre quando a bobina magntica no estiver sendo alimentada ou quando o valor da fora magntica for inferior fora das molas. Basicamente, existem contatores para motores e contatores auxiliares.

Os contatores para motores tm as seguintes caractersticas:


Dois tipos de contatos com capacidade de carga diferentes ( principal e auxiliares); Maior robustez de construo; Possibilidade de receber rels de proteo; Existncia de cmara de extino de arco voltaico; Variao de potncia da bobina do eletrom de acordo com o tipo do contator; Tamanho fsico de acordo com a potncia a ser comandada; Possibilidade de ter a bobina do eletrom secundrio;

Os contatores auxiliares so utilizados para aumentar o nmero de contatos auxiliares dos contatores de motores para comandar contatores de elevado consumo e para sinalizao. Possuem as seguintes caractersticas:

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Tamanho fsico varivel conforme o nmero de contatos Potncia da bobina do eletrom praticamente constante Corrente nominal de carga mxima de 10 A para todos os contatos Ausncia de necessidade de rel de proteo e de cmara de extino

5.3.4 Disjuntores Termo-magnticos


Os disjuntores termo-magnticos utilizam de dois dispositivos de proteo: o primeiro para sobrecarga que emprega a tecnologia dos bimetais (visto no captulo II) e o segundo para proteo contra curtos-circuitos, atravs da tecnologia dos circuitos magnticos. As figuras a seguir ilustram passo a passo este processo.

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Cincia e Tecnologia dos Materiais 5.3.5 Campainha


A campainha composta por um eletrom E, cuja armadura A tem uma extremidade presa a uma mola de ao flexvel B e a outra extremidade a uma haste C que mantm na ponta uma esfera D. A mola B obriga a armadura a ficar em contato com uma placa metlica F . A corrente fornecida por uma pilha P, ou pelo circuito que serve a uma residncia, conforme a figura a seguir.

Quando se fecha a chave S a corrente segue o seguinte caminho: eletrom, mola B, armadura A, placa F chave S e volta pilha. Mas, logo que a corrente passa acontece o seguinte: 1o) o eletrom atrai a armadura; esta leva consigo a haste C, e a esfera D bate no tmpano T ; o 2 ) quando a armadura atrada, ela se afasta da placa F e o circuito se abre; 3o) com o circuito aberto, cessa a atrao sobre a armadura, e a mola B leva novamente a armadura em contato com F ; 4o) ento o circuito se fecha, e tudo se repete. Assim, enquanto a chave S permanecer fechada, a esfera D alternadamente bate no tmpano e recua. Essa chave S o que vulgarmente chamado de o boto da campainha; quando o mesmo acionado, fechado o circuito.

5.3.6 Motores e Geradores Eltricos


Motor eltrico uma mquina destinada a transformar energia eltrica em mecnica. O gerador realiza o processo inverso, transforma energia mecnica em energia eltrica. Os motores eltricos, essencialmente, so compostos por duas partes: Rotor: que a parte mvel Estator ou Carcaa: que a parte fixa O rotor do motor precisa de um torque para iniciar o seu giro. Este torque (momento) normalmente produzido por foras magnticas desenvolvidas entre os plos magnticos do rotor e aqueles do estator. Foras de atrao ou de repulso, desenvolvidas entre estator e rotor, puxam ou empurram os plos mveis do rotor, produzindo torques, que fazem o rotor girar

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mais e mais rapidamente, at que os atritos ou cargas ligadas ao eixo reduzam o torque resultante ao valor 'zero'. Aps este ponto, o rotor passa a girar com velocidade angular constante. Tanto o rotor como o estator devem ser 'magnticos', pois so estas foras entre plos que produzem o torque necessrio para fazer o rotor girar. A figura a seguir mostras as etapas deste processo.

Os motores eltricos podem ser: a) Motor de corrente contnua (CC) : Na maioria dos motores eltricos CC, o rotor e um eletrom que gira entre os plos de ms permanentes estacionrios. Para tornar esse eletrom mais eficiente o rotor contm um ncleo de ferro, que se torna fortemente magnetizado, quando a corrente flui pela bobina. O rotor girar desde que esta corrente inverta seu sentido de percurso cada vez que seus plos alcanam os plos opostos do estator. O modo mais comum para produzir tais reverses usando um comutador. b) Motor sncrono: funciona com velocidade estvel; utiliza-se de um induzido que possui um campo constante pr-definido e, com isto, aumenta a resposta ao processo de arraste criado pelo campo girante. geralmente utilizado quando se necessita de velocidades estveis sob a ao de cargas variveis. Tambm pode ser utilizado quando se requer grande potncia, com torque constante.

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c) Motor de induo: funciona normalmente com velocidade constante, que varia ligeiramente com a carga mecnica aplicada ao eixo. Devido a sua grande simplicidade, robustez e baixo custo o motor mais utilizado de todos, sendo adequado para quase todos os tipos de mquinas acionadas encontradas na prtica. Atualmente possvel controlarmos a velocidade dos motores de induo com o auxlio de conversores de freqncia.

5.3.7 Transformadores
Um transformador um dispositivo destinado a transmitir energia eltrica ou potncia eltrica de um circuito outro, transformando tenses, correntes e ou de modificar os valores das Impedncias de um circuito eltrico. Trata-se de um dispositivo de corrente alternada que opera baseado nos princpios eletromagnticos da Lei de Faraday e da Lei de Lenz. Consiste de duas ou mais bobinas ou enrolamentos e um "caminho", ou circuito magntico, que "acopla" estas bobinas. H uma variedade de transformadores com diferentes tipos de circuito, mas todos operam sobre o mesmo princpio de induo eletromagntica. No caso dos transformadores de dois enrolamentos, comum denomin-los como enrolamento primrio e secundrio. Existem transformadores de trs enrolamentos sendo que o terceiro chamado de tercirio. Existe tambm um tipo de transformador denominado autotransformador, no qual o enrolamento secundrio possui uma conexo eltrica com o enrolamento do primrio. Transformadores de potncia so destinados primariamente transformao da tenso e das correntes operando com altos valores de potncia, de forma a elevar o valor da tenso e conseqentemente reduzir o valor da corrente. Este procedimento utilizado, pois ao se reduzir os valores das correntes, reduzem-se as perdas por efeito Joule nos condutores. O transformador constitudo de um ncleo de material ferromagntico, como ao, a fim de produzir um caminho de baixa relutncia para o fluxo gerado. Geralmente o ncleo de ao dos transformadores laminado para reduzir a induo de correntes parasitas ou de corrente de Foucault no prprio ncleo, j que essas correntes contribuem para o surgimento de perdas por aquecimento devido ao efeito Joule. Tambm se utilizam ao-silcio com o intuito de se diminuir as perdas por histerese.

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Outra aplicao para os transformadores a sua utilizao para o casamento de impedncias, que consiste em modificar o valor da impedncia vista pelo lado primrio do transformador, geralmente os de baixa potncia. H outros tipos de transformadores, como os com ncleo de ferrite com grande aplicao na eletrnica.

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