1 Funcionamento Basicamente, um transistor constitudo pela combinao de dois diodos de juno PN.

N. Uma juno PN polarizada diretamente e a outra inversamente. A unio desses dois componentes poder ser feita de duas formas: unio atravs do material P, para produzir um transistor NPN e unio atravs do material N, para produzir um transistor PNP.

Funcionamento de um transistor NPN A juno emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. A corrente circula do emissor para a base. Os eltrons provenientes da rea do emissor que chegam rea da base, so solicitados por duas foras de atrao: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal, tambm positivo da bateria do emissor. A tenso existente entre o emissor e a base possui tenso muito baixa, da ordem de 0,1 V enquanto a tenso entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado, por exemplo 6 V. Com isso podemos notar que a grande maioria dos eltrons, cerca de 97%, ao entrar na rea da base ser atrada pela rea de maior tenso, a rea do coletor; apenas uma pequena parte no penetra na rea da base e atrada para o terminal positivo da bateria de polarizao. Esses poucos eltrons fornecem a corrente de base, que possui um valor muito pequeno. Cada eltron que deixa o coletor deve ser substitudo e essa substituio feita pelo emissor que tambm deve ter seus eltrons substitudos, isso gera um fluxo contnuo de corrente. Funcionamento de um transistor PNP De forma similar ao transistor do tipo NPN, o transistor PNP tem a juno emissor-base polarizada diretamente, enquanto a juno base coletor polarizada inversamente. Os portadores majoritrios no transistor PNP so lacunas. O eltrons do circuito externo passam para o coletor e da para o emissor. As lacunas que penetram na rea da base, passam para o coletor onde sero preenchidas com eltron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor. Os eltrons que chegam ao emissor so atrados para o terminal positivo da bateria de polarizao. Cada eltron que passa do emissor para a bateria de polarizao, deixa uma lacuna em seu lugar. Como ocorre no transistor NPN, podemos aplicar uma pequena tenso de sinal a fim de produzir um sinal amplificado na sada do coletor. 2 Curva caracterstica As curvas caractersticas so geradas em funo de VCE x IC para cada faixa de IB. Par obteno da curva caracterstica do transistor, devemos seguir os seguintes passos: Tomamos um transistor com montagem emissor-comum e no eixo "Y" de um grfico traamos os valores de IC (corrente do coletor) contar os valores de VCE (tenso coletor-emissor) que sero traados no eixo "X". Para cada curva IB (corrente de base), dever ser constante. Em resumo, a famlia de curvas caractersticas do transistor gerada a partir da variao de VCE e IC e mantendo-se constante IB. Aps traada a primeira curva, IB variado e comea-se o mesmo processo de variao de VCE e IC para que seja traada uma nova curva.

3 Configurao

a. Emissor comum
Um transistor encontra-se na montagem emissor comum, quando a entrada na base e a sada no coletor, tendo o emissor como eletrodo comum.

Caractersticas da montagem:

o o o o o o o

Ganho em corrente: grande. Ganho em tenso: mdio. Resistncia de entrada: mdia. Resistncia de Sada: mdia. Ganho em potncia: Grande (40 a 50dB). Defasagem: 180 (defasagem da base para o coletor). Sinal: entra na base e sai no coletor.

b. Base comum Neste caso a base est na entrada e na sada do circuito, ou seja, a base o eletrodo comum.

Caractersticas de montagem:

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Ganho em corrente: aproximadamente igual a 1. Ganho de tenso: grande. Resistncia de entrada: pequena. Resist6encia de sada: grande. Ganho de potncia: mdio. Defasagem: 0 (no h defasagem do emissor para o coletor). Sinal: entrada no emissor e sada no coletor.

c. Coletor comum Aqui a entrada na base e a sada no emissor, tendo o coletor como eletrodo comum.

Caractersticas de montagem:

o o o o

Ganho de corrente: grande. Ganho de tenso: pequeno aproximadamente 1. Resistncia de entrada: grande. Resistncia de sada: pequena.

o o o

Ganho de potncia: pequeno (10 a 20dB). Defasagem: zero (no h defasagem entre base e emissor). Sinal: entrada na base e sada no emissor.

4 Condies de Amplificao, Corte e Saturao Conforme a polarizao um transistor pode atuar em trs regies: regio de corte, regio ativa e regio de saturao. Na regio ativa o transistor opera como amplificador e nas regies de corte e saturao como chave, ou seja, serve para comutao, conduzindo ou no. O transistor trabalhar na regio de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero, dessa forma a corrente de coletor ser nula. Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturao (IBSAT), iremos operar na regio ativa. Para uma corrente de base acima de IBSAT, o transistor operar na regio de saturao, ou seja, circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT), imposta de acordo com a polarizao.

(Retirado da Internet)