TEORIA ATOMICA

1.1 EL DESCUBRIMIENTO DE LA ELECTRICIDAD

La palabra electricidad deriva del griego "elektron" que significa "mbar". Tales de Mileto (600 aos A.C.) descubri que, frotando una varilla de mbar con un pao, aqulla atraa pequeos objetos como cabellos, plumas, tc. Se dice que la varilla se ha electrizado. No todas las materias poseen la propiedad de cargarse de electricidad y, aunque lo hagan, pueden comportarse de distintas maneras. El siguiente experimento explicar estas diferencias:

Fig. 1.1 Se construye un pndulo con una bolita de mdula de saco y un hilo. Si ahora se le acerca una varilla de mbar previamente cargada de electricidad (por frotamiento), la bolita se acerca a la varilla, pero en el momento que la toca, se siente repelida. La explicacin es la siguiente: Inicialmente, la bolita estaba descargada y la varilla cargada. La varilla atrae la bolita. (Por tener cargas de distinto signo). Cuando se tocan, parte de la electricidad de la varilla pasa al pndulo cargndolo; (ya tienen cargas del mismo signo) entonces se repelen. El pndulo est cargado. Si ahora se le aproxima otra varilla cargada por frotamiento, pero de vidrio, aquel ser atrado hacia esta. De esta experiencia se deduce: Que existen dos tipos de electricidad: la que adquiere el vidrio y la que adquiere el mbar. Que la electricidad del mismo signo se repele, y de distinto tipo se atrae. Para distinguir estos dos tipos, se les da el nombre de "positivo" (+) y "negativo" (-). Los fenmenos elctricos encuentran su explicacin en la Teora Atmica.

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1.2 EL ATOMO DE BHOR.
La materia est formada por molculas, y estas a su vez, por tomos. El tomo es, por tanto, la parte ms pequea de la materia. Pero, de qu est constituido el tomo ?. El modelo de Bhor nos da la siguiente explicacin: Existen tres tipos de partculas subatmicas: El electrn, el protn, el neutrn. o El electrn tiene una masa muy pequea y una unidad de carga elctrica, del tipo que llamamos negativa. o El protn tiene una masa mucho mayor que el electrn, y tambin una unidad de carga elctrica, pero del tipo que llamamos positiva. o El neutrn no tiene carga elctrica y posee una masa igual que la del protn. El tomo est formado por ncleo y corteza. o En el ncleo se encuentran aglutinados protones y neutrones, en nmero diferente segn el elemento de que se trate. Por ejemplo, el hidrgeno tiene un solo protn. En cambio el sodio tiene once protones y doce neutrones. o La corteza est formada por capas, en las cuales giran los electrones en rbitas circulares alrededor del ncleo.

FIG. 1.2
En cada capa hay uno o varios electrones. El nmero total de electrones de la corteza es igual al nmero de protones del ncleo, de tal manera que la carga elctrica total de un tomo es nula. Nmero de cargas negativa "electrones" = nmero de cargas positivas "protones" Cuando un electrn salta de una capa a otra inferior, desprende energa radiante. Para que un electrn salte de una capa a otra superior, es preciso comunicarle energa exterior.

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1.3 IONES.
Un tomo es, como se ha dicho, elctricamente neutro. Ahora bien, debido a fuerzas externas, puede perder o ganar electrones procedentes de otros tomos. En el caso de que gane o acepte electrones, se queda con exceso de carga negativa (es decir tiene ms electrones que protones), por el contrario, cuando pierde o cede electrones, se queda con exceso de carga positiva (tiene ms protones que electrones). En ambos casos, dicho tomo con exceso de carga (positiva o negativa) se comportar como si fuera l mismo una carga susceptible de moverse, siendo atrado o repelido, segn el caso, por otras cargas. Debido a esa capacidad de moverse que tiene ahora ese tomo cargado se le da el nombre de in (viajero, en griego). El tomo que ha cedido electrones ser pues un in positivo o catin. El tomo que ha ganado electrones ser pues un in negativo o anin. El tomo que ha ganado electrones ser pues un in negativo o anin

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1.4 NIVELES DE ENERGIA.
En un tomo, los electrones estn girando alrededor del ncleo formando capas. En cada una de ellas, la energa que posee el electrn es distinta. En efecto; en las capas muy prximas al ncleo, la fuerza de atraccin entre ste y los electrones es muy fuerte, por lo que estarn fuertemente ligados. Ocurre lo contrario en las capas alejadas, en las que los electrones se encuentran dbilmente ligados, por lo que resultar ms fcil realizar intercambios electrnicos en las ltimas capas. El hecho pues, de que los electrones de un tomo tengan diferentes niveles de energa, nos lleva a clasificarlos por el nivel energtico (o banda energtica) en el que se encuentra cada uno de ellos. Las bandas que nos interesa a nosotros para entender mejor el comportamiento del tomo son:
La Banda de Valencia y la Banda de Conduccin.

La Banda de Valencia es un nivel de energa en el que se realizan las combinaciones qumicas. Los electrones situados en ella, pueden transferirse de

un tomo a otro, formando iones que se atraern debido a su diferente carga, o sern compartidos por varios tomos, formando molculas. El tomo de Sodio (Na) tiene 11 electrones, 2 en la primera capa, 8 en la segunda y 1 en la tercera, y el Cloro (Cl) tiene 17 electrones, 2 en la primera, 8 en la segunda y 7 en la tercera. Debido a que todos los tomos tienden a tener 8 electrones en la ltima capa (regla del octete): el Sodio ceder 1 electrn al Cloro con lo que el primero se quedar con 8 electrones en su ahora ltima capa, en cambio el Cloro aceptar ese electrn pasando su ltima capa de tener 7 electrones a 8
As pues. el tomo de Sodio que ha perdido un electrn se ha transformado en un in positivo:

Na -> Na+

Atomo de Sodio (Na)

In Sodio (Na+)

y el Cloro que lo ha ganado se transforma en un in negativo:

Cl -> Cl-

Atomo de Cloro (Cl)

In Cloruro (Cl-)

Ambos se atraern y formarn la molcula de Cloruro Sdico o Sal comn (Cl Na)

La Banda de conduccin es un nivel de energa en el cual los electrones estn an ms desligados del ncleo, de tal forma que, en cierto modo, todos los electrones (pertenecientes a esa banda) estn compartidos por todos los tomos del slido, y pueden desplazarse por este formando una nube electrnica.

Cuando un electrn situado en la banda de valencia se le comunica exteriormente energa, bien sea elctricamente, por temperatura, luz, tc. puede (al ganar energa) saltar a la banda de conduccin, quedando en situacin de poder desplazarse por el slido.

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1.5 CONDUCTIVIDAD
De lo anteriormente expuesto se concluye que hay sustancias que tienen ms electrones en la Banda de Conduccin que otras, o que en un mismo material, cuando las condiciones exteriores cambian, se comporta de diferente manera. Cada capa electrnica puede tener un nmero determinado de electrones. En el caso de la ltima capa, que es la que origina la valencia o conduccin, este nmero es de ocho, y todos los tomos tienden a completar su ltima capa con ocho electrones (regla del octete). Por ejemplo, un tomo que tenga siete electrones en la ltima capa, tendr fuerte tendencia a captar uno de algn otro tomo cercano, convirtindose en un anin. En cambio, un tomo que tenga slo un electrn en su ltima capa, tendr tendencia a perderlo, quedndose con los ocho de la penltima capa, y convirtindose en un catin. Estas posibilidades dependen del tipo de tomo, es decir del tipo de sustancia (hay 103 tomos distintos conocidos), y dan lugar a las combinaciones qumicas o a la conduccin elctrica. La propiedad que poseen algunas sustancias de tener electrones libres (en la Banda de Conduccin), capaces de desplazarse, se llama conductividad. Estos materiales sern capaces, baja la accin de fuerzas exteriores, de "conducir" la electricidad, ya que existe una carga elctrica (los electrones) que pueden moverse en su interior. Basndose en el criterio de mayor o menor conductividad, se pueden clasificar los materiales en tres grupos: CONDUCTORES: Son aquellos con gran nmero de electrones en la Banda de Conduccin, es decir, con gran facilidad para conducir la electricidad (gran conductividad). Todos los metales son conductores, unos mejores que otros. Buenos conductores son: la plata, el cobre, el aluminio, el estao. Malos conductores son: el hierro, el plomo. AISLANTES O DIELECTRICOS: Son aquellos cuyos electrones estn fuertemente ligados al ncleo y por tanto, son incapaces de desplazarse por el interior y, consecuentemente, conducir. Buenos aislantes son por ejemplo: la mica, la porcelana, el polister, el aire. SEMICONDUCTORES: Algunas sustancias son poco conductoras, pero sus electrones pueden saltar fcilmente de la Banda de Valencia a la de Conduccin, si se les comunica energa exterior: son los semiconductores, de gran importancia en la electrnica. Algunos ejemplos son: el Silicio, el Germanio, el Arseniuro de Galio.

Hasta ahora se ha hablado de la conduccin elctrica por medio de electrones; no obstante, existe otro mecanismo de conduccin, por medio de iones. Los gases y las disoluciones electrolticas (disoluciones de sustancias inicas, tales como cidos, sales, lcalis) pueden conducir la electricidad por medio de iones. A este tipo de conductores, para distinguirlos de los metales, se les denomina conductores de segunda especie.

1.6 APENDICE
Dimetro del tomo 10-8 cm. Dimetro del electrn 10-13 cm. Masa del electrn 9,1 x 10-28 g. Masa del protn 1,673 x 10-24 g. Masa del neutrn 1,673 x 10-24 g. Carga del electrn - 1,602 x 10-19 Cul. Carga del protn +1,602 x 10-19 Cul.

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2.1 CONCEPTO Y UNIDADES DE CARGA ELECTRICA

Se ha visto que existen en la Naturaleza dos tipos de cargas, positiva y negativa, y que la cantidad ms pequea de carga es el electrn (misma carga que el protn, pero de signo contrario). Tambin se ha visto que existe una fuerza entre las cargas. Pues bien, teniendo en cuenta esto, se puede definir la unidad de carga elctrica en dos sentidos: el natural y el prctico. La unidad natural de carga elctrica es el electrn, que es:
La menor cantidad de carga elctrica que puede existir.

Como esta unidad es extremadamente pequea para aplicaciones prcticas y para evitar el tener que hablar de cargas del orden de billones o trillones de unidades de carga, se ha definido en el Sistema Internacional de Unidades el culombio: Un Culombio es la cantidad de carga que a la distancia de 1 metro ejerce sobre otra cantidad de carga igual, la fuerza de 9 x 109 Nw.* * Recordar que la fuerza de 1 Kg es igual a 9,8 Nw As pues de esta definicin resulta ser que : 1 Culombio = 6,23 x 1018 electrones

Como el culombio puede no ser manejable en algunas aplicaciones, por ser demasiado grande, se utilizan tambin sus divisores: 1 miliculombio = la milsima parte del culombio por lo que : 1 Cul = 1.000 mCul 1 microculombio = la millonsima parte del culombio por lo que : 1 Cul = 1.000.000 mCul Cul 1 Cul = 1 1 mCul = 10-3 1 mCul = 10-6 mCul 103 1 10-3 mCul 106 103 1

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2.2 LEY DE COULOMB.

Se ha hablado de que existe una fuerza entre las cargas elctricas, pero no se ha dicho nada sobre cunto vale esa fuerza. La Ley de Coulomb nos da su valor:

Donde F es la fuerza (medida en Newton (N)) ejercida entre dos cargas de valores Q1 y Q2 (ambas en culombios) separadas una distancia d (expresada en metros) y K es una constante universal que vale: 9 x 109.

Si las dos cargas son del mismo signo (ambas son positivas o negativas) la fuerza tiende a separarlas (fuerza de repulsin) Si son de signo contrario (una positiva y otra negativa), la fuerza tiende a unirlas (atraccin)

2.3 CAMPO ELECTROSTATICO

Existen tantos tipos distintos de campos como orgenes de fuerzas:

Campo gravitatorio Campo elctrico Campo magntico.

En el tema que nos ocupa, los orgenes de fuerzas son las cargas. Entonces:

Campo elctrico creado por una carga es la regin del espacio en la que se manifiesta la accin de dicha carga. Esta accin se traducir en fuerzas ejercidas sobre otras cargas. En cualquier tipo de campo se define la INTENSIDAD DE CAMPO o simplemente CAMPO, como: "La fuerza ejercidad sobre la unidad de carga" La intensidad de campo elctrico se representa por la letra E y valdr: E=F/Q Donde F es la fuerza que dada por la Ley de Coulomb, entonces dividiendo por Q obtendremos el campo elctrico E. E = K x Q / d2

2.4 POTENCIAL Y DIFERENCIA DE POTENCIAL.

Para explicar el potencial elctrico nos valdremos de un smil mecnico. En el campo gravitatorio, las cargas "gravitatorias" son las masas. Una masa situada a cierta altura, tiende a caer hacia el suelo, (atraida por la masa de la Tierra) y es capaz de desarrollar ms trabajo cuanto ms alta se la coloque, se dice entonces que tiene ms potencial gravitatorio. En el campo elctrico, esa "altura" elctrica (esa capacidad de desarrollar un trabajo), se denomina POTENCIAL ELECTRICO, y las cargas tienden a "caer" desde los potenciales ms altos a los ms bajos, desarrollando un trabajo. Como se desprende de la comparacin gravitatoria, el concepto de potencial es relativo: (por ejemplo, cuando hablamos de la altura de un edificio, nos referimos a la altura respecto a la calle, sin embargo, cuando hablamos de la altura de una montaa, nos referimos a la altura sobre el nivel del mar) as pues en algn punto habr que fijar la referencia. Igualmente en Electrosttica, hay que fijar un origen de potenciales que, por otra parte, ser arbitrario. Algunas veces se toma como origen el potencial de la Tierra, y se dice entonces que la Tierra est a potencial cero. Otras veces es el infinito el que se toma como punto de referencia. De todos modos, para nosotros ese no va a ser lo importante, ya que lo que ms nos interesa no es el potencial a que est la carga, sino la DIFERENCIA DE POTENCIAL, es decir la "diferencia de alturas" o diferencia entre los potenciales de dos puntos entre los cuales se va a mover nuestra carga. As pues, se define la diferencia de potencial (d.d.p.) entre dos puntos como el trabajo que realiza la unidad de carga (el culombio) al caer desde el potencial ms alto al ms bajo. El potencial se representa con la letra V. El potencial del punto A se representa por VA (V sub A). y VA-VB (V sub A menos V sub B) 0 simplemente VAB (V sub AB) es la diferencia de potencial entre el punto A y el punto B (en ese sentido y no al revs). Ya que VBA es igual a -VAB. Si VAB es, por ejemplo 5, VBA ser -5. Los potenciales y diferencias de potencial, en el Sistema Internacional, se expresan en VOLTIOS.
Divisores ms usuales del voltio:

Voltios milivoltios

microvoltios

3.1 CORRIENTE ELECTRICA.

Se ha dicho que las cargas elctricas pueden moverse a travs de diferencias de potencial. Naturalmente, debern de hacerlo por medio de los conductores (excepto en el caso especial de las vlvulas de vacio, pero tambin stas estn terminadas en conductores). A este movimiento de cargas se le denomina corriente elctrica. La causa que origina la corriente elctrica es la diferencia de potencial. Las cargas "caen" del potencial ms alto al ms bajo. Las nicas partculas que pueden desplazarse a lo largo de los conductores, debido a su pequeo tamao, son los electrones, que como se sabe, son cargas de signo negativo. Entonces, la corriente elctrica se mueve desde el potencial negativo, que es la fuente de electrones, hacia el positivo, que atrae las cargas negativas. Esta circulacin recibe el nombre de CORRIENTE ELECTRONICA, para distinguirla de la CORRIENTE ELECTRICA, que fluye al revs, de positivo a negativo. Este ltimo acuerdo fu tomado en los principios de la electricidad, por considerar que las cargas "caen" del potencial ms alto al ms bajo, cuando se crea que eran las cargas positivas las que se desplazaban. En la actualidad, coexisten ambos criterios, uno real y otro ficticio. A la hora de resolver circuitos puede aplicarse uno u otro, ya que, tratndose de convenios, ambos dan el mismo resultado. Es evidente que no en cualquier circunstancia, circular el mismo nmero de electrones. Este depende de la diferencia de potencial y de la conductividad del medio. Una forma de medir el mayor o menor flujo de cargas es por medio de la INTENSIDAD DE CORRIENTE (o tambin, simplemente, CORRIENTE), que se define como la cantidad de carga que circula por un conductor en la unidad de tiempo (un segundo). Segn esto: I=Q/t Q=I x t

La intensidad de corriente elctrica se expresa en AMPERIOS que, por definicin, es el nmero de culombios por segundo. Los divisores ms usuales del amperio son: El miliamperio (mA) que es la milsima parte del amperio, por lo que: 1 A. = 1.000 mA. El microamperio (mA) que es la millonsima parte del amperio, por lo que: 1 A. = 1.000.000 mA

Amperios

Miliamperios

Microamperios

A
1 Amperio = 1 Miliamperio = 1 10-3

mA
10 1
3

A
106 103

1 Microamperio =

10-6

10-3

3.2 LEY DE OHM

Debe existir alguna relacin entre la diferencia de potencial aplicada en los extremos de un conductor y la corriente que atraviesa ese conductor. Ohm encontr experimentalmete que esta relacin era proporcional, es decir, que para un conductor dado, cuando, por ejemplo, se duplica o se triplica la diferencia de potencial, se duplica o se triplica la coriente, respectivamente. Dicho de otro modo, cuando una corriente elctrica atraviesa un conductor, cra en ste una diferencia de potencial directamente proporcional a la corriente. A esta constante de proporcionalidad se le llama resistencia. La mayor o menor resistencia de un conductor es la mayor o menor dificultad que opone al paso de la corriente. Y as tendremos buenos y malos conductores de la corriente en funcin de que tengan pequea o alta resistencia respectivamente. Obviamente, los aislantes ( no conducen la corriente) tendrn una resistencia altsima. Si se representa la resistencia del conductor por la letra R, la diferencia de potencial en los extremos del conductor por la letra V, y la corriente que circula por l, con la letra I la ley de Ohm puede formularse como: V= I x R que es lo mismo que decir I=V/R R=V/I

La unidad de resistencia elctrica es el OHMIO, simbolizado por la letra griega W (omega) Los mltiplos ms usuales del Ohmio son: El Kilohmio que es igual a 1.000 Ohmios => 1KW = 1.000 W El Megaohmio ques es igual a 1.000.000 Ohmios => 1MW = 1.000.000 W En el lenguaje normal, muchas veces se abrevian estos nombres y, en vez de decir Kilohmio, se dice sencillamente K o, en vez de decir Megaohmio, sencillamente Mega. o M. La resistencia de un conductor depende de sus dimensiones: es decir, tendr ms resistencia cuanto ms estrecho y largo sea dicho conductor. Esto resulta intuitivo si se considera la resistencia como la dificultad que opone al paso de la corriente. Dicha proporcionalidad se expresa como: Donde: R es la resistencia medida en ohmios R = x l/S

l es la longitud medida en metros. S es la seccin (rea) transversal del conductor, en metros cuadrados. es una constante que depende del material con que est fabricado el conductor y se llama RESISTIVIDAD o RESISTENCIA ESPECIFICA del material en cuestin, y que da la resistencia por cada unidad de longitud y de seccin. (Ver Tabla de resistividades) A veces se utiliza el inverso de la RESISTIVIDAD, al que se le llama CONDUCTIVIDAD ( )
=1/ = 1 / representacin grfica de la ley de Ohm

Toda ley matemtica puede representarse grficamente por medio de un sistema de ejes coordenados; en el eje horizontal ( llamado eje de abscisas o eje de las X) se representan los valores de una variable y en el eje vertical ( eje de ordenadas o eje de las Y) se representan los valores de la funcin que correspondan a los dados de la variable. De este modo se puede ver por medio de la grfica el comportamiento de esa ley, resultando ser un mtodo rpido y sencillo, por lo que ser profusamente usado en Electrnica.

V(V)

25 20 15 10 5 0

V=8V I=1A

0,5

1 1,5 I (A)

2,5

Representacin grfica Supngase una determinada resistencia por la que se hacen circular distintas corrientes, producindose sendas cadas de potencial, segn la tabla: Para 0,5 A....................... 4 V. Para 1 A....................... 8 V. Para 2 A....................... 16 V. Para 3 A....................... 24 V.

Una vez determinada la unidad de longitud en cada eje, (en el eje del voltaje V se han tomado de 5 en 5 voltios, y en el eje de la corriente I de 0,5 en 0,5 amperios) se proceder a tomar sobre ellos los valores de la tabla. Cada pareja define un punto: el valor de 0,5 en el eje horizontal corresponde 4 en el eje vertical, y a 1 en el horizontal corresponde 8 en el vertical, y as sucesivamente. La lnea que pasa por los puntos as formados (ver figura) es la representacin grfica de la funcin. En este caso (Ley de Ohm), resulta ser una recta, y diremos que esta ley es LINEAL. Una vez dibujada la funcin, en nuestro caso la recta, se puden obtener de ella nuevos valores.
Por ejemplo, qu caida de potencial se produce para una corriente de 2,5 A. ? Respuesta (viendo la figura): 20 V. Qu corriente circula cuando la d.d.p. (diferencia de potencial) es de 10 V. ? Respuesta (viendo la figura ): 1,25 A. Cunto vale la resistencia ? Respuesta: R = V / I

Viendo la figura V = 8 V

I = 1 A.

R=8 / 1 R=8

y ese valor lo obtendremos para cualquier V que elijamos de la figura

3.3 RESISTORES (Tambin llamados RESISTENCIAS)

Los circuitos electrnicos necesitan incorporar resistencias. Es por esto que se fabrican un tipo de componentes llamados resistores cuyo nico objeto es proporcionar en un pequeo tamao una determinada resistencia, especificada por el fabricante. El smbolo de un resistor es:

Hay resistencias de varios tipos. Los tipos ms usuales son:

BOBINADAS: Sobre una base de aislante en forma de cilindro se arrolla un hilo de alta resistividad (wolframio, manganina, constantn). La longitud y seccin del hilo, asi como el material de que est compuesto, darn una resistencia. Esta suele venir expresada por un nmero impreso en su superficie. Se utilizan para grandes potencias, pero tienen el inconveniente de ser inductivas. AGLOMERADAS: Una pasta hecha con grnulos de grafito (el grafito es una variedad del carbono puro; la otra es el diamante). El valor viene expresado por medio de anillos de colores, con un determinado cdigo. DE PELICULA DE CARBON: Sobre un cilindro de cermica se deposita una fina pelcula de pasta de grafito. El grosor de sta, y su composicin, determinan el valor de la resistencia. PIROLITICAS: Similares a las anteriores, pero con la pelcula de carbn rayada en forma de hlice para ajustar el valor de la resistencia. Son inductivas.

3.4 RESISTORES VARIABLES

Hay veces en que interesa disponer de una resistencia cuyo valor pueda variarse a voluntad. Son los llamados reostatos o potencimetros. Se fabrican bobinados o de grafito, deslizantes o giratorios. Se suelen llamar potencimetros cuando poseen un eje practicable, y resistencias ajustables cuando para vararlas se precisa la ayuda de una herramienta, porque una vez ajustados no se van a volver a retocar ms.

Los potencimetros se representan en los circuitos por :

3.5 RESISTORES ESPECIALES

Existen resistores fabricados con materiales especiales, comnmente semiconductores, cuya resistencia no es constante, sino que depende de algn parmetro exterior. Por ejemplo:
LDR VDR PTC NTC LDR (Litgh Dependent Resistance) Resistencia dependiente de la luz VDR (Voltage Dependent Resistance) Resistencia dependiente del Voltaje PTC (Positive Temperature Coefficient) Coeficiente de Temperatura Positivo NTC ( Negative Temperature Coefficient) Coeficiente de Temperatura Negativo

3.6 LIMITACIONES DE LOS RESISTORES

A la hora de escoger un resistor hay que tener en cuenta, adems de su valor hmico, otros parmetros, tales como la mxima potencia que es capaz de disipar y la tolerancia. Respecto a la primera, es preciso considerar que una resistencia se calienta al paso por ella de una corriente (como se ver ms adelante). Debido a esto, hace falta dimensionar el resistor de acuerdo con la potencia calorfica que vaya a disipar en su funcionamiento normal. Se fabrican resistores de varias potencias nominales, y se diferencian por su distinto tamao. La tolerancia es un parmetro que expresa el error mximo sobre el valor hmico nominal con que ha sido fabricado un determinado resistor. Por ejemplo, un resistor de valor nominal 470 W con una tolerancia del 5 % quiere decir que el valor hmico real de ese resistor puede oscilar entre el valor nominal ms el 5 % del mismo, y el valor nominal menos el 5 %. Es decir, entre :
470 - 0,05 x 470 = 446,5 470 + 0,05 x 470 = 493,5

Si no se usan siempre resistores de alta precisin (baja tolerancia) es porque el coste es elevado y para las aplicaciones normales es suficiente con una tolerancia relativamente alta.

3.7 VALORES COMERCIALES

No se fabrican resistores de todos los valores posibles por razones obvias de economa. Adems sera absurdo, ya que, por ejemplo, en un resistor de 100 W y 10 % de tolerancia, el fabricante nos garantiza que su valor est

comprendido entre 90 W y 100 W , por lo tanto no tiene objeto alguno fabricar resistores de vaolres comprendidos entre estos dos ltimos. Hay tolerancias del 1 por mil, del 1 %, 5 %, 10 % y 20 %. Para la serie de resistores que se fabrican con una tolerancia del 10 % que es la ms utilizada, los valores comerciales son: 10 18 33 56 12 22 39 68 15 27 47 82 y los mismos seguidos de ceros. Resistores de valores muy pequeos no son comunes, por la dificultad que entraa ajustar su valor. Resistores de valores muy grandes son difciles de conseguir, porque en ellos comienza a tener importancia fenmenos como la resistencia superficial, condiciones ambientales, tc. y tampoco es normal su uso. Por ejemplo: En la serie de resistores con tolerancia del 10 % el valor ms pequeo es de 4,7 W y el mayor de 22 MW . En la serie del 5 % los valores extremos son 0,33 W 7 10 MW .

3.8 CONDUCTANCIA
La conductancia es una magnitud elctrica que se define como la inversa de la resistencia y se representa con la letra G. Por analoga con la resistencia, podra decirse que la conductancia es la facilidad que un conductor ofrece al paso de la corriente a travs de l.
G=1/R R=1/G

La unidad de conductancia es el MHO (inverso de Ohm), y se representa por la letra omega invertida.

3.9 CODIGO DE COLORES

Ya se ha dicho que los valores hmicos de los resistores se suelen representar por medio de unos anillos de color pintados en el cuerpo de los mismos. Suelen ser en nmero de cuatro, y su significado es el siguiente:

1er. 2. 3er. 4.

anillo : 1 cifra anillo : 2 cifra anillo : Nmero de ceros que siguen a los anteriores. anillo : Tolerancia

Los resistores del 1 % llevan cinco bandas de color : Cuatro para el valor y una para la tolerancia. Los resistores de valor inferior a 1W llevan la tercera banda de color oro, que

representa la coma. Por ejemplo, una resistencia de colores amarillo, violeta, oro,oro tiene un valor de 4,7 W y una tolerancia del 5 %.

3.15 PUENTE DE WHEATSTONE

Un montaje como el de la figura siguiente se le denomina puente. Si dicho puente est formado por resistencias se le denomina puente de Wheatstone. En otras lecciones se vern otros tipos de puentes, como el de Fraetz y el de Wien.

Para entender el funcionamiento de este circuito es necesario remarcar que: Las diferencias de potencial son diferencias (restas) entre los potenciales de dos puntos. Haremos un simil, suponga usted que se encuentra al pie de una montaa que se encuentra a auna altura C y asciende hasta el punto que tiene una altura A y mide la diferencia entre estas dos alturas HA= altura del punto A HC= altura del punto C lgicamente dir que la diferencia de alturas es HA - HC que llamaremos HAC del mismo modo si asciende desde C hasta el punto B encontrar una diferencia de alturas HB - HC que llamaremos HBC

Si le pregunto qu diferencia de alturas hay entre los puntos A y B ? Lgicamente usted me dir que, la diferencia de alturas entre los puntos A y B, que llamaremos HAB, es igual, a la medida que hemos hecho en el primer recorrido HAC, menos la medida en el segundo recorrido HBC

As pues tendremos que:

HAB = HAC - HBC = (HA-HC) - (HB-HC) = HA - HC -HB + HC = HA - HB Con los potenciales y diferencias de potencial ocurre lo mismo que con las alturas con lo que nos queda que: VAB = VAC - VBC = (VA-VC) - (VB-VC) = VA - VC -VB + VC = VA - VB

es decir, que para conocer la diferencia de potencial entre dos puntos A y B, se pueden medir por separado las tensiones repecto a un tercer punto de referencia, C, y restarlas. Este mtodo se usa mucho en la prctica y el punto de referencia comn a todo un circuito suele llamarse masa, y diremos que este punto de referencia puede tener cualquier valor por lo que tomaremos como tensin de referencia el punto de masa a 0 voltios. Observa que en el caso de las alturas no nos importa a que altura est el punto C si conocemos las diferencias de altura de A y B respecto a C. Volviendo a nuestro circuito puente se cumple como hemos dicho:
VAB = VAC - VBC = (VA-VC) - (VB-VC) = VA - VC -VB + VC = VA - VB I1 = V/ (R1 + R3) I2 = V/ (R2 + R3) => VAC= I1 x R3 = V x R3 / (R1+ R3) => VBC= I2 x R4 = V x R4 / (R2+ R4)

VAB = VAC - VBC = V x [ ( R3 / (R1+ R3) ) - ( R4 / (R2+ R4) ) ]

Se dice que el puente est equilibrado cuando la tensin en el punto A VA es igual a la tensin en el punto B, VB entonces VAB = 0 Supongamos pues que nuestro puente est equilibrado VAB = 0 En nuestra ltima frmula y marcado en azul claro vemos dos trminos que se restan, si esos dos trminos son iguales entonces VAB = 0
R3 / (R1+ R3) = R4 / (R2+ R4)

operando

R3 x (R2+ R4) = R4 x (R1+ R3) R3 x R2+ R3 x R4 = R4 x R1+ R4 x R3 R3 x R2+ R3 x R4 = R4 x R1+ R4 x R3

los trminos en rojo son iguales y como estn a ambos lados de la igualdad se restan y desaparecen

R3 x R2= R4 x R1

R1 / R2 = R3 / R4

El puente de Wheatstone tiene dos aplicaciones fundamentales: A) Medida de resistencias de alta precisin

Tres de las resistencias R1, R2 y R3 son patrones de alta estabilidad y baja tolerancia y una de ellas variable. La cuarta es la resistencia incgnita, a determinar su valor Rx. Observar que entre el punto A y B hemos conectado un galvanmetro, que es un instrumento de medida de alta sensibilidad, el cul nos indicar si hay paso de corriente a travs de l. Ajustando los patrones R1, R2 y R3 hasta que nuestro galvanmetro indique que no hay paso de corriente, en cuyo momento, claro est, el potencial en el punto A es igual al potencial en el punto B. VAB = 0 y se cumplir lo ya demostrado antes, que
R1 / R2 = R3 / R4

Nuestra resistencia incgnita que en vez de R4 la hemos llamado Rx valdr:

Rx =R3 x R2 / R1 R2 / R1 toma los valores .... 1000, 100, 10, 1, 0,1, 0,01, 0,001 .... Es el multiplicador Rx = R3 Variable. Es el ajustador.

B) Puente de error Si en el ltimo puente dibujado sustituimos R3 por una resistencia dependiente de un parmetro exterior (por ejemplo una LDR, resistencia de pendiente de la luz), se puede utilizar el puente para medir las variaciones de ese parmetro, a travs del desequilibrio del puente.

3.16 LEYES DE KIRCHOFF

Aunque el concepto de generador y fuerza electromotriz se ver en otro captulo, adelantaremos que la fuerza electromotriz (f.e.m.) es la tensin que suministra un generador (pila o bateria) cuando no se le conecta ninguna resistencia. Concepto de malla: Se llama malla en un circuito a cualquier camino cerrado.

FIG. 1 En el ejemplo de la figura hay tres mallas: ABEF BCDE ABCDEF El contorno de la malla est formado por ramas. Hay tres ramas: EFAB BE BCDE Concepto de nudo: Se llama nudo en un circuito a cualquier punto en el que concurren ms de dos ramas. En el ejemplo de la figura hay dos nudos: los puntos B y E.
Convenios:

Se fijan en cada malla un sentido de referencia arbitrario, que no tiene por qu ser el mismo en todas las mallas. En el ejemplo se ha escogido el sentido de las agujas del reloj para ambas. Basta con tomar las mallas que sean independientes. La ABCDEF no es independiente, porque est formada por las otras dos. Se conviene en asignarle a los generadores signo positivo cuando tienden a producir corriente en el mismo sentido que el de referencia, y negativo en caso contrario. 1 Ley de Kirchoff o ley de mallas A lo largo de una malla, la suma de fuerzas electromotrices es igual a la suma de las diferencias de potencial producidas en las resistencias. Otra manera de expresar esto es: la suma algebraica de las tensiones a lo largo de una malla es cero. Obsrvese que esta ley no es sino la ley de Ohm generalizada. 2 Ley de Kirchoff o ley de nudos En un nudo, la suma de las corrientes que entran es igual a las de que salen. O vien, la suma algebraica de corrientes en un nudo es nula. Esto es evidente, ya que los electrones no se pueden acumular en un nudo, ni tampoco pueden producirse all. Como aplicacin, se resolvera el jemplo propuesto: (ver Fig. 1) Aplicamos la 1 ley de Kirchoff a la malla I : - 3 V + 5 V = I1 x 1 + I1 x 2 + I1 x 5 - I3 x 3 2 V = I1 x 8 - I3 x 3 ( I ) Aplicamos la 1 ley de Kirchoff a la malla II : 0 V = I2 x 2 + I2 x 4 + I2 x 1 + I3 x 3 0 V = I2 x 7 + I3 x 3 ( II ) Aplicamos la 2 ley de Kirchoff al nudo B: I1 + I3 = I2 ( III ) Resolviendo el sistema de ecuaciones ( I ) ( II ) ( III ) I1 = 20 / 101 = 0,198 A. I2 = 6 / 101 = 0,0594 A. I3 = -14 / 101 = - 0,138 A. El signo negativo de I3 quiere decir que, en realidad, dicha corriente tiene sentido contrario al que hemos supuesto y dibujado en nuestra figura 1. Recordemos la asociacin de resistencias en serie y paralelo: A) Asociacin en serie

La flecha que he puesto al lado de E significa que el generador nos eleva la tensin en el valor que tenga E. Las flechas puestas encima de las VI ,VII , VIII significan que la tensin disminuye en esos

valores.La corriente I circula en el sentido del polo positivo de la bateria (el supeior en E = VI + VII + VIII la figura) al negativo En este montaje tenemos UNA sola malla. No hay, por lo tanto, nudos. La corriente I que circula por la nica malla es atravesndo las resistencias. la MISMA para todas las resistencias. Lo que cambia es la tensin en cada una de ellas. La suma de todas las tensiones ser igual a la f.e.m. E producida por el generador (1 Ley de Kirchoff) B) Asociacin en paralelo En este montaje hay varias mallas , apareciendo, por lo tanto, NUDOS. La tensin en extremos de todas las resistencias es la MISMA. Lo que cambia es la corriente a travs de cada una de ellas. La suma de todas las corrientes ser igual a la corriente total suministrada por el generador (2 Ley de Kirchoff)

I= I1 + I2 + I3

4.1 ENERGIA Y POTENCIA ELECTRICA.

Cuando una corriente elctrica circula por un circuito, ste opone una resistencia al paso de la misma. Los electrones, en su camino, se ven frenados, experimentando diversos choques con los tomos. En estos choques se desprende calor, y este efecto se utiliza para construir estufas y bombillas elctricas. Por otra parte, es bien sabido que existen mquinas elctricas capaces de transformar la corriente en trabajo mecnico (motores). Llegados a este punto debemos preguntarnos cunto trabajo puede producir una corriente. Para responder a ello es preciso concretar antes las siguientes definiciones: a) TRABAJO: Se denomina trabajo al desplazamiento de una fuerza en la propia direccin de la fuerza, y su valor es, precisamente, el producto de la fuerza por el desplazamiento. W=Fxd Si se empuja una pared, existe una fuerza, pero no hay desplazamiento, con lo que el trabajo resulta ser nulo. Si, para arrastrar un carro, es preciso comunicar una fuerza de F = 100 N (N=newton) y se desplaza una distancia d = 20 metros el trabajo resulta ser: W = F x d = 100 x 20 = 2.000 J. (J = Julio). Recordar: La fuerza se mide en Newtons y el Trabajo en Julios. Siempre que multipliquemos Newtos x metros (N x m) obtendremos Julios. b) ENERGIA: Es todo lo susceptible de transformarse en trabajo. Existen muchos tipos de energa: energa potencial, gravitatoria, cintica, qumica, elctrica, nuclear, calorfica, luz, radiaciones, tc.

Puesto que la energa puede transformarse en trabajo, se expresar en las mismas unidades que ste. c) POTENCIA: Un mismo trabajo puede desarrollarse en ms o menos tiempo: los 2000 J. de trabajo realizado en el ejemplo anterior pueden realizarse en un segundo o en una hora. El trabajo realizado es el mismo, pero no asi la velocidad con la que se realiza. A esta velocidad con que se realiza dicho trabajo se le llama POTENCIA. En el primer caso, realizar un trabajo de 2000 Julios en un segundo, supone realizar una potencia de: P = W / t = 2000 / 1 = 2000 J / s es decir 2000 watios. al cociente entre Julios y segundos obtendremos Watios. asi pues, la Potencia en este primer caso ser de 2000 watios. En el segundo caso, si realizamos un trabajo de 2000 Julios en una hora, es decir en 60 x 60 = 3600 segundos la potencia ser: P = W / t = 2000 / 3600 = 0'55 J / s es decir 0,55 watios. Observemos que la potencia desarrollada en el primer caso es mucho mayor que en el segundo, aunque hayamos realizado el mismo trabajo, lo hemos hecho en menos tiempo. De la misma manera podemos decir que: el trabajo es igual a la potencia por el tiempo. W = P x t Con esto podemos decir que para una misma potencia realizaremos ms trabajo cuanto ms tiempo la estemos empleando. UNIDADES: En el sistema internacional de unidades: El Trabajo y la Energa se expresan en JULIOS o JOULES 1 Julio = 1 Newton x 1 metro (1 J = 1 N x 1 m) La potencia se expresa en Watios 1 Watio = 1 Julio / 1 segundo (1 W = 1 J / 1 s) 1 kilowatio = 1000 watios => 1Kw = 1000 w. Como estas unidades resultan relativamente pequeas, existen otras de tipo prctico: -Trabajo energa: KILOWATIO-HORA (Kwh): Es el trabajo realizado por un kilowatio durante una hora: 1 Kwh = 1000 watios x 3600 segundos = 3.600.000 Julios -Potencia: CABALLO DE VAPOR (C.V.) Horse Power (H.P.)

1 C.V. = 736 watios = 0'736 Kw. 1 Kw = 1 / 0,736 = 1,36 C.V. Algunas veces se necesitan unidades ms pequeas: 1 MILIVATIO (mW) = 0,001 W. = 10-3 W. 1 MICROVATIO (W) = 0,000001 W. = 10-6 W 1 PICOVATIO (pW) = 0,000000000001 W. 10-12 W

4.2 POTENCIA CALORIFICA Y CALOR. LEY DE JOULE.

Se ha dicho en la leccin anterior que la corriente elctrica puede producir calor o trabajo. Si queremos desplazar una determinada carga elctrica Q desde un potencial a otro, cuya diferencia sea de V voltios, el trabajo que desarrollaremos ser tanto mayor cuanta ms carga Q queramos desplazar y tambin tanto mayor cuanta ms diferencia de potencial haya entre los puntos que queramos desplazar dicha carga Q. Por lo que dicho trabajo ser igual al producto de la carga Q por la diferencia de potencial V entre los dos puntos: W = V x Q por otro lado sabemos que Q = I x t (ver leccin 3.1) W = V x I x t Como hemos dicho que Potencia es igual al trabajo dividido por el tiempo: P = W / t tendremos que P=VxIxt/tP=VxI Sabemos por la Ley de Ohm que V = R x I =>luego P = R x I x I = R x I2 o tambin I = V / R => luego tambin podemos poner que P = V x V / R = V2 / R as pues tenemos tres formas de calcular la potencia elctrica: P=VxI P = R x I2 P = V2 / R Evidentemente, el trabajo: W W=VxIxt W = R x I2 x t W = (V2 / R) x t Cuando el trabajo elctrico se manifiesta en forma de calor, suele expresarse en CALORIAS. El nmero de caloras es fcil de calcular sabiendo que:

1 julio = 0,24 calorias (llamado equivalente calorfico del trabajo) o bien: 1 caloria = 4,18 julios (llamado equivalente mecnico del calor) * Estos valores fueron demostrados por el fsico ingls Joule (1845) donde encontr por primera vez la equivalencia entre calor y trabajo. Su experiencia estaba proyectada para comprobar que cuando una cierta energa mecnica se consume en un sistema, la energa desaparecida es exactamente igual a la cantidad de calor producido. En su clebre experiencia, un agitador de paletas se pona en movimiento en el seno del agua y el calor desarrollado en sta era comparado con el trabajo mecnico realizado sobre el agitador. As pues podemos decir que (LEY DE JOULE): C (calor) = 0,24 x R x I2 x

4.3 GENERADORES Y RECEPTORES.

Hemos visto que hay dispositivos capaces de CONSUMIR energa elctrica y transformarla (bombillas, motores, estufas... ) Estos dispositivos se llaman, en general, RECEPTORES. Existen otros, por el contrario, que son capaces de PRODUCIR energa. A stos se les agrupa bajo el nombre genrico de GENERADORES (pilas, dinmo, alternadores... ). A los receptores de energa se les conoce ms usualmente con el nombre de CARGAS. Se dice que un cierto generador, o un cierto circuito "se carga" cuando se le conecta un receptor, es decir, un dispositivo que consume corriente. Se dir que una carga es muy grande, o que un circuito est fuertemente cargado, cuando el consumo producido por esa carga sea alto. En caso contrario se dir que se trata de una carga pequea, o que el circuito est dbilmente cargado. A la resistencia de carga se le suele representar con el subndice L (RL). As mismo, la corriente que circula por dicha carga se le denomina IL y a la tensin en extremos de la carga se le denomina VL. La letra L proviene de la palabra inglesa Load que significa carga. Distinguiremos dos tipos de generadores:

GENERADOR IDEAL DE TENSIN:

Es un dispositivo capaz de suministrar una tensin constante, independientemente de la carga que se le conecte. Ser, por tanto, capaz de suministrar

Smbolo de un generador de

altsimas intensidades de

tensin ideal

corriente

Ejemplo: Un generador ideal de tensin de 10 V. proporcionar, lgicamente, 10 voltios, y como decimos que es ideal, los 10 voltios los proporcionar sea cual sea la carga que le conectemos. As pues si le conectamos una resistencia de carga de 10 W el generador de tensin proporcionar una corriente de valor I = V/R (ley de OHM) y en nuestro caso valdr I = 10 / 10 = 1 Amperio. Si ahora en vez de una garga de 10 W colocamos una de 0,001W la corriente ser de I =10 / 0,001 que dos da un valor de corriente de 10000 Amperios. La realidad no es as, ya que, para que un generador de tensin sea ideal es necesario que su resistencia interna sera cero. ( La resistencia interna es la resistencia que se "ve" en sus bornas de salida mirando hacia el generador).

GENERADOR IDEAL DE CORRIENTE:

Es un dispositivo capaz de suministrar una corriente constante, independientemente de la carga que se le conecte. Ser, por lo tanto, capaz de suministrar enormes diferencias de potencial.

Smbolo de un generador de corriente ideal

Ejemplo: Un generador ideal de corriente de 10 Amperios. proporcionar 10 A. sea cual sea la carga que e conectemos. As pues, si le conectamos una resistencia de carga de 10 W producir una diferencia de potencial de valor V = R x I (ley de OHM), en nuestro caso V = 10 x 10 = 100 voltios.Si ahora en vez de una garga de 10 W colocamos una de 0,0001W la tensin que producir es de (otra vez la ley de OHM) V = R x I = 0,001 x 10 = 0,01 voltio. En este caso, la condicin para que un generador de corriente sea ideal es que su resistencia interna sea infinita. GENERADORES REALES: Obviamente, no existe en la prctica ningn dispositivo capaz de proporcionar tensiones o corrientes infinitas.

Dicho de otro modo, no existe la resistencia cero (no existe el conductor perfecto) ni la resistencia infinita (no existe el aislante perfecto). Consideraremos que un GENERADOR DE TENSION es tanto mejor cuanto ms pequea sea su resistencia interna o, dicho de otro modo, cuando sea capaz de mantener una diferencia casi constante de tensin en un cierto margen de cargas. Un generador real de tensin puede considerarse para su estudio como un generador ideal en serie con una resistencia interna y su circuito equivalente sera:

generador de tensin ideal V en serie con una resistencia interna Ri = generador real de tensin

Del mismo modo, se considerar que un GENERADOR DE CORRIENTE es ideal cuando su resistencia interna sea muy grande o, de otro modo, cuando sea capaz de mantener una corriente casi constante en un cierto margen de cargas. Un generador real de corriente puede considerarse para su estudio como un generador ideal EN PARALELO con una resistencia interna y su circuito equivalente ser:

generador de corriente ideal I en paralelo con una resistencia interna Ri = generador real de corriente

En la prctica, se construyen generadores que, para muchos efectos y en un cierto margen, pueden considerarse como ideales: De TENSION : Una bateria, un transistor en colector comn, cirtos circuitos realimentados, tc. De CORRIENTE : Una bateria en serie con una resistencia muy grande, un transistor en base comn, ciertos circuitos realimentados, etc.

ALIMENTACION Y SEAL: Cuando se aplica tensin a un circuito para ponerlo en funcionamiento, se dice que se ALIMENTA dicho circuito. A la tensin aplicada se le llama TENSION DE ALIMENTACION y a la corriente que el circuito consume, CORRIENTE DE ALIMENTACION. Es importante no confundir la alimentacin, que es lo que hace funcionar al circuito, con la SEAL, que es la corriente o tensin que se quiere tratar de amplificar, conformar, tc.

4.4 FUERZA ELECTROMOTRIZ, CONTRAELECTROMOMOTRIZ Y DIFERENCIA DE POTENCIAL.

El concepto de diferencia de potencial (d.d.p.) ha sido suficientemente tratado: Es la diferencia entre los potenciales de dos puntos de un circuito, y se expresa en voltios. Se le puede llamar tambien voltaje o tensin. Ahora bien, una diferencia de potencial puede ser producida por dos causas bien distintas:

1. Una corriente I, proviniente de algn dispositivo exterior, circula por una

resistencia R, produce en ella una d.d.p. de valor V = R x I. Esto se conoce como CAIDA DE POTENCIAL. Se dice, por ejemplo, que : Una corriente de 2 A. a travs de una resistencia de 10 W produce una caida en sus extremos de 20 V. (V = R x I = 10 x 2 = 20 V).

2. Un generador produce una d.d.p., y es capaz de entregar corriente a

otros dispositivos.

Esto es, al contrario que en el caso anterior, una SUBIDA DE POTENCIAL. Los generadores crean subidas de potencial que contrarrestan las caidas que se producen en las cargas (Obsrvese que esto es la 1 Ley de Kirchoff). Esta diferencia de potencial producida por los generadores, capaz de elevar las cargas elctricas de un potencial a otro ms alto, es lo que se conoce como FUERZA ELECTROMOTRIZ. La fuerza electromotriz (f.e.m.) de un generador es

la diferencia de potencial que se mide en sus bornes (sus extremos) cuando est en circuito abierto, es decir, sin suministrar corriente. En efecto, cuando se carga un generador, (porque conectamos por ejemplo una resistencia o cualquier otro tipo de receptor), circula una corriente. Esta corriente produce una caida de potencial en la propia resistencia interna del generador, que se resta de su f.e.m., dando como resultado que la tensin presente en bornes del generador cargado es menor que su f.e.m. Recordar : que la resistencia interna del generador es una resistencia fictcia, (no existe como tal resistencia en su interior) sino que el generador se comporta como si la tuviera. Ri = 1

Tensin en vacio = 10 V
+ RL = 4 -

(f.em.).-Es la tensin entre los puntos A y B cuando RL no est conectada y por tanto no circula corriente.

Entre los puntos A y B y mirando hacia la izquierda hemos colocado el circuito equivalente a un generador real, que se compone de un generador ideal de E = 10 V. en serie con una resistencia (resistencia interna del generador) de valor Ri = 1W Al conectar la resistencia de carga RL = 4 W , (ver figura anterior) circular una corriente desde el el punto A hacia el B a travs de la resistencia de carga RL de valor: I = E / (Ri + RL) = 10 / (1 + 4) = 10 / 5 = 2 A. La diferencia de potencial entre los puntos A y B, extremos de la carga RL = 4 W se le denomina tensin de carga VL. Qu diferencia de potencial tenemos entre los puntos A y B que son los extremos por un lado de la carga y por el otro de nuestro generador real ? Podemos calcularlo de dos maneras: 1.- La tension VL es igual a la f.e.m.E = 10 V. menos la caida de tensin en los extremos de su resistencia interna Ri. La caida de tensin o voltaje en Ri es igual al producto de dicho valor por la corriente I VRi = Ri x I = 1 x 2 = 2V. por lo que: VL = E - VRi = 10 - 2 = 8 V. 2.- Aplicando directamente la ley de OHM en los extremos de RL tenemos que: VL = RL x I = 4 x 2 = 8 V.

que es el mismo valor, lgicamente, del que hemos calculado en primer lugar. Existen otros tipos de cargas distintas a las puramente resistivas, como son, por ejemplo, los motores. En stos, parte de la energa elctrica consumida se disipa en forma de calor (prdida de energa) y otra fraccin de dicha energa se emplea en producir un trabajo mecnico (trabajo til). Para el estudio de los motores, se pueden suponer stos como un generador, cuya fuerza electromotriz se opone al paso de la corriente, por lo que se le llama FUERZA CONTRAELECTROMOTRIZ, en serie con una resistencia interna. La potencia disipada en dicha resistencia interna ser precisamente la potencia perdida en forma de calor, y la potencia disipada en el generador en forma de fuerza contraelectromotriz, ser la potencia til transformada en trabajo mecnico. Ejemplo: Un generador de E =10 V. de f.e.m. y 0,5 de resistencia interna est conectado a un motor de E' = 8 V. de f.c.e.m. y 1,5 de resistencia interna

0,5

1,5

10 V

8 V.

<----------generador real---------> real--------------->

<-----------motor

Aqu tenemos el circuito equivalente, donde observamos que, todos sus elementos estn en serie. Por lo que la corriente I que circula, es la misma para todos, y ser igual al cociente entre: la suma de las tensiones de los generadores del circuito y la suma de las resistencias.- (Ley de OHM). Como la f.c.e.m. del motor se opone a la f.e.m. del generador, tendremos que la primera es negativa respecto a la segunda, con lo que dicha suma de tensiones es igual a 10 - 8 = 2 V. La suma de todas las resistencias es igual 0,5 + 1,5 = 2 . Por lo que I = (10 - 8) / (0,5 + 1,5) = 2 / 2 = 1 A. Veamos las potencias:

Potencia suministrada por el generador: (recordar que P = V x I) PG = E x I = 10 x 1 = 10 W. Potencia disipada en calor en el interior del generador: (recordar que P = R x I2) P1 = 0,5 x 12 = 0,5 W. Potencia disipada en calor en el interior del motor: P2 = 1,5 x 12 = 1,5 W. Potencia transformada en trabajo mecnico del motor: PW = E' x I = 8 x 1 = 8 W. En efecto, observar que la potencia suministrada por el generador es igual a la suma de los otros tres trminos de potencia: (la energa ni se pierde ni se destruye sino que se transforma) P G = P1 + P2 + PW 10 = 0,5 + 1,5 + 8 Un motor ideal ser aquel que no tenga resistencia interna, es decir, que no disipe calor y, por tanto, toda la energa elctrica recibida la transforme en trabajo mecnico. La f.c.e.m. debe ser siempre menor que la f.e.m. del generador, ya que, en caso contrario, funcionaran al revs: sera el motor el que entregar energa al generador.(Y eso no es posible).

4.5 PILAS QUIMICAS

Una pila es un GENERADOR: Es decir un dispositivo que transforma la energa potencial qumica en energa elctrica. Hay un famoso experimento que consita en colgar mediante un gancho de cobre a una rana recin decapitada, de un balcn de hierro. En dicho experimento se observ que el cadver experimentaba contracciones musculares. Este fenmeno se atribuy en un principio a la entonces llamada "energa vital". Pero las experiencias de Galvani demostraron que este tipo de hechos eran una manifestacin ms de la energa elctrica (por aquel entonces era conocida ya la energa electrosttica); a esta manifestacin de la energa elctrica se le llam POTENCIAL DE CONTACTO. Cuando dos materiales conductores distintos se ponen en contacto, debido a la diferencia de sus potenciales de barrera (que significa que tienen distinta distribucin de energa en sus bandas de conduccin), se produce entonces una

fuerza electromotriz, capaz pues de generar corriente elctrica. Este es el fundamento de la pla elctrica. Pueden construirse pilas con dos materiales cualesquiera. Lo que sucede es que, generalmente, las fuerzas electromotrices obtenidas son tan sumamente pequeas que no son utilizables en la prctica, lo que convierte la fabricacin de una pila en un delicado estudio fsico-qumico. La primera pila, (de la que por su construccin vino el nombre de pila), es la de Volta: sta consista en una serie de discos de cobre y cinc alternativamente "apilados", separados por un cartn empapado en cido sulfrico de dbil concentracin. Su f.e.m. era de aproximadamente 1,2 V. y podan obtenerse corrientes considerables. Otro tipo de pila, muy usado en los laboratorios por su alta estabilidad, es la de Daniell, pero poco manejable en aplicaciones prcticas, ya que el electrolito empleado es lquido. En la actualidad, el tipo ms usado es el de Leclanch, muy manejable porque el electrolito es semislido (pila seca), robusta, de larga duracin y de una tensin nominal de 1,5 V.
precinto de asfalto grafito (nodo)

Consta de un electrodo cilndrico de grafito (el grafito es una de las dos formas
electrolito

naturales del carbono), alojado en el interior de una cuba de cinc. El elemento de grafito es el terminal positivo o nodo, y el de cinc, el negativo o ctodo. Entre los dos va alojado el electrolito, en forma de pasta.

cinc (ctodo)

Ni la fuerza electromotriz ni la resistencia interna de una pila permanecen constantes. Cuando la pila sale de fbrica, su fuerza electromotriz es ligeramente superior a la nominal, y su resistencia interna muy baja. Debido al uso, o simplemente por el transcurso del tiempo, la pila "envejece". El electrolito se polariza y pierde su capacidad de reaccin qumica, originando que la fuerza electromotriz disminuya y la resistencia interna aumente, hasta que la pila es prcticamente inutilizable: se dice que se ha "agotado"; lo que ha ocurrido es que ha utilizado toda su energa potencial qumica, transformndola en energa elctrica. Una vez agotada no se puede recargar y se debe desechar, aunque se observa una cierta regeneracin al cabo de un tiempo de reposo.

Para demorar el agotamiento, en el electrolito se mezclan cierta sustancias que actan como despolarizantes. En la pila Leclanch el despolarizante es bixido de manganeso. De unos aos a esta parte y debido a la miniaturizacin, se han desarrollado otros tipos de pilas, tambin secas, y sumamente pequeas. Las ms tpicas son llamadas de mercurio, con forma de pldora. Sometidas a una descarga relativamente fuerte, mantienen muy poco tiempo su fuerza electromotriz nominal, pero tienen un alto poder de regeneracin, por lo que resultan muy adecuadas para funcionamiento en rgimen intermitente durante largos periodos de tiempo.

4.6 ASOCIACION DE PILAS

Las pilas son dispositivos dipolo, es decir, tienen dos terminales. Como todo dipolo, pueden conectarse en serie, en paralelo o en agrupaciones mixtas. Hay que tener en cuenta que la pila es un generador real y, como tal, es equivalente a un generador ideal en serie con su resistencia interna. ASOCIACION DE PILAS EN SERIE Las pilas pueden conectarse en serie cualesquiera que sean las fuerzas electromotrices y la mxima corriente que cada una dee ellas pueda suministrar. Evidentemente, al conectarlas en serie, las fuerzas electromotrices se suman, as como sus resistencias internas. EJEMPLO: Una pila de 1,5 V. con una Ri de 2 W Otra pila de 3,5 V. con una Ri de 3,5 W Otra pila de 9 V. con una Ri de 7 W Al conectarlas en serie, se puede considerar que el conjunto es equivalente a una sola pila de f.e.m. = 1,5 + 3 + 9 = 13,5 V. Con una resistencia interna Ri = 2 + 3'5 + 7 = 12'5 W Observaremos la pila equivalente al conjunto de las tres nos ha resultado con una f.e.m. mayor, pero, con una resistencia interna mayor, lo cual empeora la situacin en este punto. Se debe considerar, adems, la corriente mxima que puede suministrar cada una de ellas. Supngase que la primera de 1,5 V.es capaz de darnos 0,4 A. La segunda de 3 V. es capaz de darnos 0,2 A. La tercera de 9 V. es capaz de darnos 0,1 A.

La asociacin serie slo podra suninistrar 0,1 A.- Es decir, la corriente de la pila que menos puede suministrar. ASOCIACION DE PILAS EN PARALELO Al conectar pilas en paralelo debe tenerse en cuenta que sean todas de la misma f.e.m., ya que, en caso contrario, fluira corriente de la de ms f.e.m. a la de menos, disipndose potencia en forma de calor en las resistencias internas, agotndolas rpidamente. Si todas ellas son del mismo voltaje el conjunto equivale a una sola pila de la misma tensin, pero con menor resistencia interna. Adems, la corriente total que puede suministrar el conjuanto es la suma de las corrientes de cada una de ellas, por concurrie en un nudo. La asociacin en paralelo por tanto, podr dar ms corriente que una sola pila, o, dando la misma corriente, tardar ms en descargarse. (Recordar que la corriente entregada depender de la carga que le conectemos). ASOCIACION MIXTA DE PILAS Algunas veces interesar conectar paralelos de series o series de paralelos. Se explicar con los ejemplos: Asocin de pilas del tipo : SERIE DE PARALELOS RAMA 1 -------->

RAMA 2 -------->

RAMA 3 --------> Explicacin de la figura anterior: En primer lugar, en la RAMA 1 tenemos en paralelo dos pilas de 1.5 V. (con R i= 1W ), conectadas en serie con otras dos pilas en paralelo de 3 V. (con R i = 1.5 W ). La dos pilas en paralelo de 1.5 V equivalen a una sola pila tambin de 1.5 voltios, pero con una resistencia interna que ser el paralelo de las dos Ri de cada una de ellas de 1 W que equivalen a 0.5 W. (Ver RAMA 2). La dos pilas en paralelo de 3 V equivalen a una sola pila tambin de 3 voltios, pero con una resistencia interna que ser el paralelo de las dos Ri de cada una de ellas de 1.5 W que equivalen a 0.75 W. (Ver RAMA 2).

Viendo ahora la RAMA 2, observamos dos pilas en serie una de 1.5 V. (Ri =0.5 W ) y otra de 3 V. (Ri = 0.75 W ). Esta dos pilas son equivalentes a una sola pila de valor 1.5 + 3 = 4.5 V y una Ri = 0.5 + 0.75 = 1.25 W. Y ya tenemos la RAMA 3, que por supuesto es equivalente al montaje original que era la RAMA 1. Asocin de pilas del tipo : PARALELO DE SERIES

El razonamiento del clculo de esta segunda fgura la dejamos para la discusin por parte del lector. Obsrvese que en la RAMA 2, de esta ltima figura, es la asociacin en paralelo de dos pilas de igual valor, en nuestro caso 4.5 V. Recordar que: Al conectar pilas en paralelo debe tenerse en cuenta que sean todas de la misma f.e.m., ya que, en caso contrario, fluira corriente de la de ms f.e.m. a la de menos, disipndose potencia en forma de calor en las resistencias internas, agotndolas rpidamente.

4.7 ACUMULADORES
Las pilas, una vez agotadas, no se pueden recargar, debido a que en ellas, durante el funcionamiento, se origina una reaccin qumica irreversible. Existen unos dispositivos, basados en los mismos fenmenos que gobiernan el funcionamiento de una pila, en los que la reaccin qumica es reversible; es decir, que una vez descargados, se pueden recargar suministrndoles corriente. A estos dispositivos se les llama acumuladores. El ms conocido y usado es el llamado de acumulador de plomo que consiste : En una cubeta se alojan unas placas de plomo. Entre ellas hay una disolucin de cido sulfrico (electrolito). En la operacin de carga, sobre las placas de plomo, conectadas al polo positivo, se forma sulfato de plomo. Este conjunto, una vez cargado, es capaz de proporcionar corriente hasta que dicho sulfato de plomo se descomponga. Durante el funcionamiento se elimina agua, que hay que reponer de cuando en cuando.

La fuerza electromotriz nominal de cada clula es de 2 V. Suelen ir montados en serie dentro de una cubeta de un material impermeable y no atacable por el cido, formando las BATERIAS DE ACUMULADORES. Tanto las pilas como los acumuladores, aunque no se usen, se descargan con el tiempo, sobre todo en ambientes hmedos. Como los acumuladores son recargables, conviene suministrarles una CORRIENTE DE MANTENIMIENTO. De cuando en cuando, segn recomendaciones del fabricante para cada tipo en particular, es conveniente someterlos a una fuerte descarga. CAPACIDAD DE UN ACUMULADOR Se llama capacidad de un acumulador, la cantidad de electricidad (carga elctrica) que es capaz de almacenar y, por tanto, de suministrar. Se expresa en AMPERIOS-HORA (Ah) y tiene el significado siguiente: Una bateria de 60 Ah puede suministrar 60 A. durante una hora. Podra suponerse que, por la misma razn, podra suministrar en media hora , el doble de corriente es decir 120 A. en 10 minutos 360 A. Aunque esto no es exacto, porque la capacidad depende del rgimen de trabajo, se podra hacer este clculo en primera aproximacin

5.1 DEFINICION.
Ya se ha adelantado el concepto de circuito equivalente, al decir, por ejemplo, que un generador real es equivalente a uno ideal con su resistencia interna en serie. La idea es ms general: Circuito equivalente de uno dado es otro ficticio que, visto desde sus terminales, se COMPORTA igual que el dado. Dicho de otra manera, es un artificio matemtico por medio del cual se consigue estudiar el comportamiento de un circuito mediante otro ms sencillo. El circuito equivalente NO es igual que el original: tan slo su comportamiento hacia el exterior es igual que el del original.

REPASEMOS : Las Leyes de Ohm y Kirchoff

La Ley de Ohm establece la relacin que existe entre la corriente en un circuito y la diferencia de potencial (voltaje) aplicado a dicho circuito. Esta relacin es una funcin de una constante a la que se le llam resistencia.

FIGURE 1. LEY DE OHM La 1 Ley de Kirchoff establece que la suma algebraica de los voltajes alrededor cualquier bucle cerrado es igual a cero. La suma incluye fuentes independientes de tensin, fuentes dependientes de tensin y cadas de tensin a travs de resistores.

Sumatorio de Fuentes de Tensin = Sumatorio de cadas de tensin

FIGURE 2. 1 LEY DE KIRCHOFF

La 2 Ley deKirchoff establece que la suma algebraica de todas las corrientes que entran en un nudo es igual a cero. Esta suma incluye las fuentes de corrientes independientes, las fuentes de corriente dependientes y las corrientes a travs de los componentes.

La suma de corrientes que entran en un nudo es igual a cero FIGURE 3. 2 LEY DE KIRCHOFF Divisores de Tensin y Corriente

Los divisores de Tensin se usan frecuentemente en el diseo de circuitos porque son tiles para generar un voltaje de referencia, para la polarizacin de los circuitos activos, y actuando como elementos de realimentacin. Los divisores de corriente se ven con menos frecuencia, pero son lo suficientemente importantes como para que los estudiemos. Las ecuaciones para el divisor de tensin, en donde suponenos que no hay ninguna carga conectada a nuestro circuito se ven en la Figura 4.

FIGURE 4. DIVISOR DE TENSION Las ecuaciones del divisor de corriente, suponiendo que la carga es slamente R2, vienen dadas en la Figura 5.

FIGURE 5. DIVISOR DE CORRIENTE Teoremas de Thvenin y Norton

Hay situaciones donde es ms sencillo concentrar parte del circuito en un slo componente antes que escribir las ecuaciones para el circuito completo. Cuando la fuente de entrada es un generador de tensin, se utiliza el teorema de Thvenin para aislar los componentes de inters, pero si la entrada es un generadorde corriente se utiliza el teorema de Norton.

5.2 TEOREMA DE THEVENIN

Cualquier circuito, por complejo que sea, visto desde dos terminales concretos, es equivalente a un generador ideal de tensin en serie con una resistencia, tales que:
La fuerza electromotriz del generador es igual a la diferencia de potencial que se mide en circuito abierto en dichos terminales La resistencia es la que se "ve" HACIA el circuito desde los terminales en cuestin, cortocircuitando los generadores de tensin y dejando en circuito abierto los de corriente

Para aplicar el teorema de Thvenin, por ejemplo, en el caso de la Figura 6, elegimos los puntos X e Y y, suponemos que desconectamos todo lo que tenemos a la derecha de dichos puntos, (es decir, estamos suponiendo que las resistencias R3 y R4, las hemos desconectado fsicamente del circuito original) y miramos atrs, hacia la izquierda.

FIGURE 6. CIRCUITO ORIGINAL En esta nueva situacin calculamos la tensin entre estos dos puntos (X,Y) que llamaremos la tensin equivalente Thvenin Vth que coincide con la tensin en bornas de la resistencia R2 y cuyo valor es :

El siguiente paso es, estando nosotros situados en los puntos indicados (X Y) mirar hacia la izquierda otra vez y calcular la resistencia que vemos, pero teniendo en cuenta que debemos suponer que los generadores de tensin son unos cortocircuitos y los generados de corriente son circuitos abiertos, en el caso de nuestro circuito original, slo hay un generador de tensin que, para el clculo que debemos hacer lo supondremos en corcocircuito y que es lo que vemos ?
Pues si miris la figura 6, lo que vemos es que, las resistencias R1 y R2 estn en paralelo. Por lo que la resistencia equivalente Thvenin, tambin llamada impedancia equivalente, Z th. vale:

El circuito estudiado a la izquierda de los puntos X, Y se reemplaza ahora por el circuito equivalente que hemos calculado y nos queda el circuito de la figura 7, donde ahora es mucho ms fcil realizar los clculos para obtener el valor Vo

FIGURE 7. CIRCUITO EQUIVALENTE THEVENIN

La otra forma de calcular Vo es, la de la teora de mallas, que calculamos en la figura 8 y donde observamos que los resultados son los mismos. Pero las ecuaciones resultantes son bastante ms laboriosas.

FIGURE 8. ANALISIS DEL MISMO CIRCUITO de LA FIGURA 6 PERO APLICANDO LAS ECUACIONES POR MALLAS

As pues, hemos observado que, aplicando el Teorema de Thvenin para el anlisis de ciruitos, seremos capaces de simplificar nuestros clculos, lo que nos ser siempre muy til, sobre todo, en otros circuitos ms complejos.

Superposicin

El principio de superposicin establece que la ecuacin para cada generador independiente puede calcularse separadamente, y entonces las ecuaciones (o los resultados) pueden acumularse para dar el resultado total. Cuando usemos dicho principio de superposicin la ecuacin para cada generador se calcula con los otros generadores (si son de tensin: se cortocircuitan; y si son de corriente se dejan en circuito abierto). Las ecuaciones para todos los generadores se acumulan para obtener la respuesta final.

FIGURE 9. EJEMPLO DE SUPERPOSICION

En primer lugar se calcula la tensin de salida Vo, proporcionada por el generador V1, suponiendo que el generador V2 es un cortocircuito. A esta tensin as calculada la llamaremos V01 (cuando V2 = 0) Seguidamente se calcula la tensin de salida Vo, proporcionada por el generador V2, suponiendo que el generador V1 es un cortocircuito. A esta tensin as calculada la llamaremos V02 (cuando V1 = 0)

El valor de Vo ser igual a la suma de los valores V01 + V02 obtenidos anteriormente.

5.3 TEOREMA DE NORTON

Cualquier circuito, por complejo que sea, visto desde dos terminales concretos, es equivalente a un generador ideal de corriente en paralelo con una resistencia, tales que:
La corriente del generador es la que se mide en el cortocircuito entre los terminales en cuestin. La resistencia es la que se "ve" HACIA el circuito desde dichos terminales, cortocircuitando los generadores de tensin y dejando en circuito abierto los de corriente.-( Coincide con la resistencia equivalente Thvenin)

FIGURA 10 CIRCUITO EQUIVALENTE NORTON

Aplicando el Teorema de Norton al circuito de la figura 6, nos quedar el sigiente circuito:

Donde hemos cortocircuitado los puntos X Y de la figura 6. La corriente que circula por entre estos dos puntos la llamaremos Ith y lgicamente es igual a la tensin V del generador de tensin dividido por la resistencia R1 (Ley de OHM) Ith = V / R1 la resistencia Thvenin es la misma que la calculada anteriormente, que era el paralelo de R1 y R2 Zth =R1//R2 = R1 x R2 / (R1 + R2)

5.4 EQUIVALENCIA ENTRE THEVENIN Y NORTON

Sea cual sea el equivalente obtenido es muy fcil pasar al otro equivalente sin ms que aplicar el teorema correspondiente, as por ejemplo, supongamos que hemos calculado el equivalente Thvenin de un circuito y hemos obtenido el circuito de la izquierda de la figura siguiente : Aplicando el teorema de Norton a la figura de la izquierda, cortocircuitaremos la salida y calcularemos la corriente que pasa entre ellos que sera la corriente : Ith = 10 / 20 = 0,5 A. y la resistencia Norton es 20 W . por lo que nos quedar el circuito equivalente Norton de la derecha

6.1 CAPACIDAD DE UN CONDUCTOR.

Cuando un conductor se carga, es decir, se le comunica una carga elctrica, adquiere un cierto potencial, que depende de consideraciones geomtricas ( de su forma). Pues bien; a la relacin entre carga y potencial se le llama CAPACIDAD de ese

conductor. C = Q / V Un conductor que, con la misma carga que otro, adquiera menor potencial, tendr ms capacidad que el segundo, y viceversa.

La unidad de capacidad es el FARADIO. El faradio es una unidad tan sumamente grande que no resulta en absoluto prctica.. Los submltiplos del Faradio son:

El microfaradio (m F) = 0,000001 F. (10-6 F ) El nanofaradio (nF) = 0,000000001 F. (10-9 F) El picofaradio (pF) = 0,000000000001 F. (10-12 F)

Cuando se da la capacidad en "K", no quiere decir Kilofaradio, sino Kilopicofaradio (1000 picofaradios); y como 1000 picofaradios es igual a 1 nanofaradio, cuando alguien nos dice que un condensador tiene 4K7, nos est diciendo que tiene 4,7 kilopicofaradio, que es lo mismo que decir 4,7 nanofaradio. En algunos textos antiguos se representa el picofaradio (pF) como mmF (micromicrofaradio).

6.2 CONDENSADORES.
Es sabido que cargas del mismo signo se repelen, y de signo contrario se atraen. Debido a ello, un conductor puede cargarse por influencia de otro, como indica la figura:

FIG. 1 Aproximando al conductor A, (previamente cargado con carga positiva), el conductor B (descargado, es decir que sus cargas negativas son las mismas que las positivas), las cargas negativas de ste se ven atradas por el potencial positivo del A, concentrndose stas en el extremo izquierdo. Esta "fuga" de cargas negativas hacia el lado izquierdo deja el extremo derecho cargado positivamente.

FIG. 2 Si el conductor B, en vez de estar aislado, como en la figura 1, estuviera conectado a tierra, como en la figura 2, la carga positiva del extremo derecho se descargara a tierra (es decir, fluiran electrones de tierra al conductor B,

neutralizando su carga positiva, con lo que dicho conductor B quedara cargado negativamente. Este es el principio del CONDENSADOR: dos conductores prximos, llamados armaduras, separados por un dielctrico (aislante). Este conjunto, sometido a una diferencia de potencial V, adquiere en cada armadura una carga Q, lo que supone la existencia de una capacidad C = Q / V Esta capacidad se denomina CAPACIDAD DEL CONDENSADOR, que es mayor que la que posee un solo conductor. Los condensadores se utilizan para almacenar carga elctrica.

6.3 CAPACIDAD DE UN CONDENSADOR PLANO.

El condensador plano est formado, como se ve en la figura 3, por dos armaduras metlicas (A y B) cada una con una superficie S, separadas por un dielctrico (que puede ser aire u otro) de espesor d y constante dielctrica e. Cuando se trata del aire, la constante dielctrica es eo). La capacidad resulta ser: C = e x S / d Lo que quiere decir que:

cuanto ms alta se la constante dielctrica e (tambin llamada permitividad dielctrica) mayor ser la capacidad. cuanto ms superficie S tengan las armaduras mayor capacidad cuanto ms separadas (d ms grande) estn las armaduras, menor capacidad

FIG. 3

6.4 TIPOS DE CONDENSADORES. LIMITACIONES. CODIGO DE COLORES

Se diferencian unos condensadores de otros por el dielctrico. As, hay condensadores de aire, papel, mica, styroflex, electrolticos, tantalio, policarburo, cermicos. Por la forma exterior: tubulares, cilndricos, planos, de lenteja, de perla, pin-up, pasachasis. Hay adems otra clasificacin: fijos, variables y ajustables. Condensadores fijos son aqullos cuya capacidad se fija en fbrica. Hay ocasiones en que se precisan condensadores cuya capacidad pueda ser regulada. Cuando disponen de un mando mecnico fcilmente accesible para tal fin, se llaman variables. Condensadores ajustables son un tipo especial de condensadores variables, generalmente de pequea capacidad, cuyo mando mecnico es menos manejable, ya que, una vez ajustados no suelen volverse a retocar. Incluso se fija el ajuste por medio de una gota de lacre o cera. Se les llama generalmente padders y trimmers. Para conseguir que un condensador se de capacidad variable, se puede hacer que varie cualquiera de las tres magnitudes de la que depende la capacidad como son: la superficie enfrentada de sus armaduras, la separacin entre ellas o el dielctrico

(permitividad). Generalmente se varia la superficie, enfrentando ms o menos las armaduras, por medio de un mando giratorio, aunque algunos padders varan la distancia.

LIMITACIONES En un condensador, las armaduras estn separadas por un aislante, lo que imposibilita el paso de la corriente elctrica (excepto en casos particulares, como se ver ms adelante). No obstante, no existe el aislante perfecto; por tanto, todo condensador llevar asociada una RESISTENCIA DE FUGAS, que dar idea de su mayor o menor calidad. Ser tanto mejor cuanto menos fugas o prdidas tenga (cuanto mayor sea su resistencia de fugas). Esta orientacin se suele dar por medio de la TANGENTE DEL ANGULO DE PERDIDAS, cuyo concepto se ampliar en el estudio de la corriente alterna. De otro parte, el grosor del dielctrico condicionar la mxima tensin que puede soportar el condensador entre sus armaduras antes de que se perfore el mismo (la perforacin se produce cuando salta una chispa entre las armaduras; una caracterstica de cada aislante en particular es su campo de ruptura, expresado en tensin/distancia; por ejemplo, el campo de ruptura del aire seco es de unos 30000 V/cm. Esto quiere decir que para que salte una chispa a 1 cm. de distancia se necesita una diferencia de potencial de 30000 voltios. Por lo tanto, el espesor y tipo de dielctrico determinarn la mxima tencin admisible). Esta orientacin, para cada condensador en particular, nos la proporciona el fabricante, indicndonos cul es su TENSIN DE TRABAJO. Las variaciones de temperatura alteran el comportamiento del dielctrico, de tal manera que la capacidad vara, aunque poco, con la temperatura. En aplicaciones en las que se requiera alta precisin habr que tener este punto en consideracin. As pues, otra caracterstica de un condensador es, el COEFICIENTE DE TEMPERATURA, que expresa la variacin relativa de la capacidad sobre su valor nominal a temperatura ambiente por cada grado de temperatura. En los condensadores ELECTROLITICOS, debido al proceso qumico de formacin del dielctrico, habr que considerar, adems, que tienen POLARIDAD: el polo positivo del condensador debe ir conectado al positivo del circuito y, el negativo, al negativo del circuito. CODIGO DE COLORES EN LOS CONDENSADORES Al igual que ocurra con los resistores, algunos tipos de condensadores llevan su valor impreso en la envoltura (principalmente los electrolticos y los cilndricos), pero la mayora utilizan un cdigo de colores que, en lo que se refiere al valor de la capacidad (expresada en PICOFARADIOS, como ya se dijo) y a la tolerancia, sigue el mismo criterio que aqullos. Algunos condensadores de alta calidad llevan, adems, otras franjas de color para expresar el COEFICIENTE DE TEMPERATURA y la TANGENTE DEL ANGULO DE PERDIDAS, segn un determinado cdigo.

7.1 DESCUBRIMIENTO DEL MAGNETISMO.

Desde la ms remota antigedad se tena conocimiento de que un mineral, la magnetita (xido ferroso-frrico), tena la propiedad de atraer al hierro.

A esta propiedad se le llama magnetismo, e imanes a los cuerpos que la poseen. Gracias al conocimiento del imn natural (magnetita), pudo construirse la brjula. Se observ que un cuerpo magntico puede comunicar su propiedad al hierro (imantar). En el caso del hierro, la imantacin cesa cuando se vuelve a separar del imn que la caus; en cambio, el acero, una vez imantado mantiene el magnetismo.Todos estos fenmenos encuentran su explicacin en la teora elctrica del magnetismo.

7.2 TEORIA ELECTRICA DEL MAGNETISMO.

Las experiencias de Oersted demostraron que una corriente elctrica (cargas elctricas en movimiento), producen efectos magnticos (por ejemplo, es capaz de desviar una brjula). Experiencias posteriores vinieron a demostrar que, efectivamente, una corriente crea un campo magntico, y un campo magntico puede crear una corriente, de tal manera que existe una interaccin entre campo magntico y campo electrico. En el caso de los imanes naturales, o de los cuerpos imantados, la corriente que origina el magnetismo es el conjunto de todas las corrientes elementales que son los electrones girando alrededor de sus ncleos. En la mayora de las sustencias, estos imanes elementales estn desordenados, cada uno orientado en una direccin del espacio, por lo que su resultante es nula, y no presentan magnetismo. En cierta sustancias, estos pequeos dominios magnticos pueden orientarse muy fcilmente, debido a influencias externas (puede ser el mismo magnetismo terrestre); cuando varios dominios elementales magnticos se orientan en una misma direccin espacial, su resultante ya no es nula, y el cuerpo resulta imantado. Los cuerpos cuyos dominios magnticos son fcilente orientables (son fciles de magnetizar) se llaman PARAMAGNETICOS. Aquellos otros que, por el contrario, resultan difcilmente o nada imantables, se llaman DIAMAGNETICOS. Existe un grupo de materiales (hierro, cobalto, nquel y compuestos especiales) que son extremadamente paramagnticos. Dado que el hierro es el primero que se descubri con tal comportamiento, estos materiales reciben el nombre de FERROMAGNETICOS.

7.3 CAMPO MAGNETICO. FLUJO. INDUCCION.

Campo magntico es la regin del espacio en la que se manifietan los fenmenos magnticos. Estos actan segn unas imaginarias "lneas de fuerza": stas son el camino que sigue la fuerza magntica. Se suele visualizar colocando un imn bajo una cartulina espolvoreada con limaduras de hierro; stas se colocan siguiendo las lneas de fuerza

Se observa que hay una diferencia fundamental entre el campo magntico y el elctrico: en ste, el campo nace en las cargas positivas y muere en las negativas. En aqul, por el contrario no existen ni fuentes ni sumideros: se cierra sobre s mismo. Se define el flujo magntico que pasa por una superficie dada como el nmero de lneas de fuerza que lo atraviesan. La induccin magntica es el nmero de lneas de fuerza que atraviesan cada unidad de superficie. Entoces si F es el flujo, S la superficie y B la induccin magntica, resulta:
F = B . S B = ---------S

La unidad internacional de flujo es el WEBBER (Wb), y por lo tanto, al de induccin magntica es el Wb/m2, que se llama TESLA: La intensidad de campo magntico, o simplemente, campo magntico (H), est relacionada con la induccin magntica a travs de una constante que depende del medio y que se llama permeabilidad magntica (m). Resulta:
B = . H H = ------

La constante permeabilidad magntica da una idea de lo buen o mal conductor del magnetismo que es un cuerpo. Las sustancias paramagnticas tienen una permeabilidad mayor que la del aire (mo ) , y las diamagnticas, menor. Esto implica que, para un mismo valor del campo H, un material paramagntico tendr mayor induccin magntica B, ( y por consiguiente, para una superficie dada, mayor flujo, f) que otra diamagntica, por tener mayor permeabilidad m.

7.4 CAMPOS MAGNETICOS CREADOS POR CORRIENTES.

a) CAMPO MAGNETICO CREADO POR UNA CORRIENTE RECTILINEA

Una corriente restilnea I crea un campo magntico cuyas lneas de fuerza son circunferencias que estan contenidas en un plano perpendicular a I y siguen el sentido del sacacorchos que avanza en el sentido de la I, y cuyo valor es: I
I H = ---------2r

b) CAMPO MAGNETICO CREADO POR UNA ESPIRA PLANA

Una espira plana recorrida por una corriente I crea un campo magntico perpendicular a la espira, cuya direccin es la del sacacorchos que gira en el sentido de la corriente, y cuyo valor es:
I H = ---------2 r

b) CAMPO MAGNETICO EN EL INTERIOR DE UN SOLENOIDE Se llama solenoiede a un conjunto de espiras planas recorridas todas ellas por la misma corriente I. En la prctica, un solenoiede es un carrete de hilo con las espiras bobinadas muy juntas unas a otras.

El valor del campo para un punto situado en el eje, y en el interior del solenoide es:

nI H = ------L

Aplicaciones del solenoide: Por medio de solenoides se construyen los electroimanes: bobinas que, al ser excitadas por una corriente elctrica, atraen los cuerpos ferromagnticos. Un caso tpico de aplicacin es el relevador o rel. 7.5 FUERZA CREADA POR UN CAMPO MAGNETICO SOBRE UNA CORRIENTE. Sea un conductor de longitud L recorrido por una corriente elctrica de intensidad I sumergido en el seno de un campo magntico, cuya induccin vale B.

Sobre el conductor se ejerce una fuerza perpendicular a I y a B, dirigida segn el sacacorchos que gira del primero al segundo, y cuyo valor es:
F = I x L x sen

como indica la figura Cuando I y L sean perpendiculares ( = 90 => sen = 1), la fuerza es mxima, y cuando sean paralelos, es decir el sentido de la corriente sea el mismo que el campo magntico, la fuerza ejercida es nula. La corriente I puede circular por un conductor, o estar formada por cargas movindose en el espacio, como ocurre en un tubo de imagen de televisin.

7.6 HISTRESIS
Cuando un material ferromagntico, sobre el cual ha estado actuando un campo magntico, cesa la aplicacin de ste, el material no anula completamente su magnetismo, sino que permanece un cierto magnetismo residual. Para desimantarlo ser precisa la aplicacin de un campo contrario al inicial. Este fenmeno se llama HISTERESIS magntica, que quiere decir, inercia o retardo.

Los materiales tiene una cierta inercia a cambiar su campo magntico.

La figura representa el llamado CICLO DE HISTERESIS (tambin lazo o bucle de histresis) de un determinado material magntico.Se supone que una bobina crea sobre dicho material magntico una intensidad de campo H, el cual induce en ese material magntico una induccin (valga la redundancia) de valor B. As a una intensidad de campo H0 le corresponder una induccin de valor B0. Si ahora aumenta H (aumentando la corriente que circula por la bobina) hasta un valor H1, B tambin aumentar hasta B1. (Ver figura) Pero si ahora restituimos H a su valor inicial H0 , B no vuelve a B0 , sino que toma un valor diferente B2. (Obsrvese que el camino "a la ida" es distinto que "a la vuelta" lo que implica que para restituir la induccin en el ncleo a su primitivo valor, es preciso aplicar una corriente suplementaria de signo opuesto). El punto S representa la saturacin del ncleo magntico. Una vez saturado el ncleo, B no puede aumentar por mucho que lo haga H. Cada material tiene su propio lazo de histresis caracterstico. Hay veces en que interesa acentuar la histresis, como ocurre en los ncleos de las memorias magnticas, por lo que se fabrican ferritas doc ciclo como el de la figura siguiente:

Otras veces por el contrario, como ocurre en la mayora de las mquinas elctricas (transformadores, motores, generadores), interesa un ncleo cuyo ciclo de histresis se lo ms estrecho posible ( el camino "a la ida" coincida con el camino "a la vuelta") y lo ms alargado posible (difcilmente saturable), como el de la figura siguiente:

Esta pretensin tiene su razn de ser. En efecto: se invierta una potencia exclusivamente en magnetizar el ncleo, esta potencia no tiene ninguna otra aplicacin prctica, por lo que se puede hablar de potencia perdida en imantacin del ncleo y, efectivamente, se consideran las llamadas PERDIDAS POR HISTERESIS. Como quiera que stas resultan ser directamente propocionales al rea del lazo de histresis, interesa pues que esta rea sea lo menor posible.

7.7 CIRCUITOS MAGNETICOS.

Estableceremos un smil entre el comportamiento de la corriente elctrica y el flujo magntico: Recordar que: en un circuito elctrico, bajo la accin de una fuerza electromotriz, circula una corriente, que depende tanto del valor de la f.e.m. como de la constante del circuito que denominamos resistencia, y esta dependencia se expresa por la conocida ley de Ohm. En un circuito magntico creado por la bobina recorrida por una corriente, aparece un flujo magntico que atraviesa un determinado medio. El campo magntico creado por la bobina es directamente proporcional a la corriente I y al nmero de espiras o vueltas (n) de aquella. Por comparacin con la tensin elctrica, llamaremos TENSIN MAGNETICA o FUERZA MAGNETOMOTRIZ (f.m.m.) al producto de I por n, de tal manera que, resulta:

f.m.m. = I n
cuya unidad es el AMPERIOVUELTA (Av) El papel de la corriente en los circuitos elctricos, en los magnticos ser asumido por el flujo . Y lo que en los circuitos elctricos se llamaba resistencia,

(que una vez ms recordaremos que es la dificultad que el medio opone al paso de la corriente), en los circuitos magnticos llamaremos RESISTENCIA MAGNETICA o RELUCTANCIA ( ), que es la dificultad que el medio opone al paso del flujo

y que depender naturalmente de la permeabilidad ( ):

Con esta comparaciones, puede formularse en cierto modo la LEY DE OHM DEL CIRCUITO MAGNETICO: Y en vez de decir

V=IR
diremos:

Que quiere decir que: la f.m.m. (que depende su valor de quien la produce, es decir, es el producto de I por n) es igual al producto del flujo magntico

por la reluctancia

La reluctancia no es, en general, constante a lo largo de un circuito magntico. Por ejemplo, una discontinuidad del medio (paso del hierro al aire), crea una variacin de reluctancia. Adems, sta depende, debido a la histresis, del valor del campo magntico H y, por supuesto, es muy distinta cuando el ncleo se encuentra saturado.

7.8 CORRIENTES INDUCIDAS. LEY DE FARADAY. LEY DE LENZ

Ya se anticip que, al igual que una corriente crea un campo magntico, un campo magntico puede crear una corriente elctrica. Esto es una consecuencia del princpio de conservacin de la energa: Un sistema tiende a mantener su energa constante.

Como quiera que el magnetismo no es sino una de las formas en que se manifiesta la energa, resulta que una bobina intenta mantener su flujo magntico (su energa magntica almacenada) constante. Si causas externas lo hacen disminuir, la bobina reaccionar creando una corriente que mantenga el flujo inicial. Si, por el contrario, causas externas lo hacen aumentar, la bobina reaccionar creando una corriente que origine un flujo contrario, a fin de disminuir el flujo y mantenerlo en su valor inicial. Naturalmente esta situacin no se puede mantener, ya que una bobina, por s sola, no es capaz de generar energa indefinidamente. Pasado un cierto tiempo, la reaccin de la bobina cesar y "aceptar" las condiciones impuestas desde el exterior. Este comportamiento de las bobinas fu descubierto experimentalmente por Lenz, quien enunci su Ley de la siguiente manera:

Ley de Lenz

"Cuando vara el flujo magntico que atraviesa una bobina, esta reacciona de tal manera que se opone a la causa que produjo la variacin"
Es decir, si el flujo aumenta, la bobina lo disminuir; si disminuye lo aumentar. Para conseguir estos efectos, tendr que generar corrientes que, a su vez, creen flujo que se oponga a la variacin. Se dice que en la bobina ha aparecido una CORRIENTE INDUCIDA, y, por lo tanto, UNA FUERZA ELECTROMOTRIZ INDUCIDA. Se ver un ejemplo aclaratorio: Supongamos que la bobina, situada a la izquierda en la figura siguiente, tiene un flujo nulo.Por lo que la corriente I ser nula tambin. Si le acercamos un imn, parte del flujo de ste atravesar la propia bobina, por lo que el flujo de la bobina pasar de ser nulo a tener un valor. La bonina reaccionar intentando anular este aumento de flujo y cmo lo har ? Lo har creando una corriente I en el sentido indicado en la figura, porque de esa manera, esta corriente crear un flujo contrario oponindose al aumento impuesto desde el exterior. Una vez transcurrido cierto tiempo, la bobina se ha amoldado a las nuevas condiciones y el flujo que la atraviesa ser el que le impone el imn. Al amoldarse dejar de crear la corriente indicada, que pasar de nuevo a ser cero.

Si ahora se aleja el imn, el flujo que estaba ahora atravesando la bobina disminuir, por lo que la bobina reacionar creando de nuevo una corriente est vez de signo contrario al anterior, para producir un flujo que se oponga a la disminucin. LEY DE FARADAY.- La Ley de Lenz slamente habla de la forma en que se comporta la bobina pero no dice nada acerca de la magnitud de la corriente o de la fuerza electromotriz inducida. Faraday lleg a la conclusin que esta (la fuerza electromotriz E) vale:

siendo:

E: n:

f.e.m. inducida nmero de espiras de la bobina

Variacin del flujo : t: Tiempo en que se produce la variacin de flujo

El signo menos (-) indica que se opone a la causa que lo produjo (Ley de Lenz)
Por ejemplo: Si el flujo que atraviesa una bobina de 5 espiras aumenta de 10 a 11 Webbers en una dcima de segundo, la f.e.m. inducida vale: 11 - 10 E = 5 --------------- = 5 x 10 = 50 V. 0,1

7.9 CORRIENTES DE FOUCAULT. NUCLEOS

Se ha visto que la variacin de flujo engendra una corriente, y este efecto se aprovechar para muchas aplicaciones prcticas. Ahora bien, los ncleos ferromagnticos, aunque no buenos, son conductores elctricos. En ellos se crearn corrientes inducidas cuando estn sometidos a un flujo variable. Estas corrientes son llamadas CORRIENTES DE FOUCAULT. En general, estas corrientes son indeseables, puesto que calentarn el ncleo y aparecer una prdida de potencia en forma de calor: PERDIDAS POR CORRIENTES DE FOUCAULT. En las mquinas elctricas se procura evitar al mximo la circulacin de estas corrientes, cortando el camino elctrico por medio de ncleos especiales: NUCLEOS DE CHAPA.- Para frecuencias bajas se utilizan los ncleos de chapa. Estos consisten en una serie de chapas de material ferromagntico de pequeo grosor apiladas, recubiertas cada una de ellas de barniz aislante. Las chapas permiten el paso del flujo magntico, pero no el de las corrientes de Foucault, ya que estas son perpendiculares a aqul. NUCLEOS DE FERRRITA.- Para frecuencias altas es insuficiente el aislamiento que se consigue con los ncleos de chapa y se recurre a unos materiales especiales denominados ferritas; estos estn formados por grnulos de material ferromagntico separados por un cemento cermico. NUCLEOS DE AIRE.- Para frecuencias muy altas se recurre a dejar la bobina sin ncleo ferromagntico, y se dice que tiene ncleo de aire. Como ste es un buen aislante elctrico, la prdida por corrientes de Foucault en este tipo de bobinas es prctcamente nula. Los smbolos de estos tres tipos de bobinas son:

No siempre son indeseables las corrientes de Foucault. Algunas veces se aprovecha su efecto calorfico para aplicaciones industriales o domsticas. Tal es el caso de la fusin del platino (infusible a la llama) o de los hornos microondas.

8.1 CORRIENTE ALTERNA

Hasta ahora se ha considerado que la corriente elctrica se desplaza desde el polo positivo del generador al negativo (la corriente electrnica o real lo hace al revs: los electrones se ven repelidos por el negativo y atrados por el positivo).

En una grfica en la que en el eje horizontal se expresa el tiempo y en el vertical la tensin en cada instante, la representacin de este tipo de corriente, que llamaremos CORRIENTE CONTINUA, es el de la figura 1, si el valor de la tensin es constante durante todo el tiempo y ...

Fig.1 : Corriente continua

la de la figura 2 si dicho valor vara a lo largo del tiempo ( pero nunca se hace negativa) Fig.2 : Corriente continua variable Ahora bien, existen generadores en los que la polaridad est constantemente cambiando de signo, por lo que el sentido de la corriente es uno durante un intervalo de tiempo, y de sentido contrario en el intervalo siguiente. Obsrvese que siempre existe paso de corriente; lo que varia constantemente es el signo (el sentido) de sta.

Fig.3 : Corriente alterna

Naturalmente, para cambiar de un sentido a otro, es preciso que pase por cero, por lo que el valor de la tensin no ser el mismo en todos los instantes. A este tipo de corriente se le llama CORRIENTE ALTERNA, y, por el mismo motivo, se habla de TENSION ALTERNA. La figura 3 muestra un ejemplo de corriente alterna. La corriente contnua se abrevia con las letras C.C.(Corriente Continua) o D.C. (Direct Current), y la alterna, por C.A. (Corriente Alterna) o A.C.(Alternated Current)

8.2 FUNCIONES PERIODICAS

El caso ms importante de corrientes alternas son las llamadas corrientes alternas peridicas: son aquellas en las que los valores se repiten cada cierto tiempo. El tiempo que tarda en repetirse un valor se llama PERIODO de la corriente, se expresa en unidades de tiempo y se representa por la letra T

En las figuras se muestran varios tipos de corrientes alternas peridicas. Si en el eje horizontal se ha representado el tiempo, el periodo es el intervalo que hay entre dos puntos consecutivos del mismo valor

Al mximo valor, se le llama precisamente, VALOR MAXIMO, o VALOR DE PICO o VALOR DE CRESTA, o AMPLITUD.

.. <-periodo-> Fig.1 : Corriente rectangular

El punto en que toma el valor mximo se llama CRESTA o PICO. El punto en que toma el valor mnimo es el VIENTRE o VALLE,

Fig.2 : Corriente triangular

Los puntos en los que toma el valor cero se les llama NODOS o CEROS. La forma ms cmoda de medir el periodo es entre picos, o valles, o nodos

Fig.3 : Corriente en diente de sierra

consecutivos.

La diferencia entre un pico y un valle da el VALOR DE PICO A PICO que, naturalmente, ser el doble del valor de pico.

Fig.4 : Corriente sinusoidal El valor de la corriente en cada instante es el VALOR INSTANTANEO. el nmero de alternancias o ciclos que describe la corriente en un segundo se le llama FRECUENCIA y se expresa en c/s (ciclos por segundo) o HERTZIOS (Hz). Los mltiplos ms usuales del hertzio son:

KILOHERTZIO (KHz.) = 103 Hz. (1.000 Hz) MEGAHERTZIO (KHz.) = 106 Hz. (1.000.000 Hz) GIGAHERTZIO (KHz.) = 109 Hz. (1.000.000.000 Hz)

La frecuencia resulta ser la inversa del perodo:

f = --T 1

T = --f

8.3 CORRIENTE SINUSOIDAL

La ms importante de las corrientes alternas peridicas es la llamada corriente sinusoidal o senoidal, porque es la nica capaz de pasar a travs de resistencias, boninas y condensadores sin deformarse. Puede demostrarse que cualquier otra forma de onda se puede construir a partir de una suma de ondas sinusoidales de determinadas frecuencias. Se llama sinusoidal porque sigue la forma de la funcin matemtica SENO. Que es la representada en la figura.

Figura 1
Esta funcin es (si se trata de tensiones) :

vi = Vp sen kt ii = Ip sen kt donde:

o bien (si se trata de corrientes)

vi es el valor instantneo de la tensin, es decir, el valor en un determinado instante t. ii es el valor instantneo de la corriente, es decir, el valor en un determinado instante t. Vp es el valor de pico de la tensin, tambin llamado amplitud de la tensin Ip es el valor de pico de la corriente, tambin llamado amplitud de la corriente k es una constante propia de la corriente de que se trate, relacionada con la frecuencia, y cuya explicacin se var ms adelante. t es el tiempo expresado en segundos ( para cada instante t la tensin tendr un valor)

EJEMPLO: Sea una corriente de amplitud 10 A. y k = 628. Calcular los valores instantneos al cabo de 1,5 ms., 2,5 ms., y 7,5 ms.

Comprueba los datos calculados por t con los de la tabla que sigue ms abajo, donde: la primera columna est el tiempo ( t ) en ms. la segunda columna est calculado el producto de la constante k por el tiempo t. ( k t ). Y la tercera columna se a multiplicado la amplitud de 10 por el sen de kt.-

La tabla I de valores obtenida es con la que se ha dibujado la seal de la figura 1.

Tabla I

8.4 RELACION ENTRE EL MOVIMIENTO SINUSOIDAL Y EL CIRCULAR

CONCEPTO DE VELOCIDAD ANGULAR La velocidad se expresa como la relacin que existe entre el espacio recorrido y el tiempo empleado en dicho recorrido. Si el espacio recorrido es e y el tiempo empleado en recorrerlo es t diremos que la velocidad v = e / t Si usted recorre con su vehculo una distancia de 144 Km. en 2 horas, podemos decir que su velocidad (media) es de v = 144 / 2 = 72 Km./h. Del mismo modo, en un movimiento circular, es decir, en aquel cuya trayectoria es una circunferencia, se puede definir de otra manera la velocidad. Ahora nos interesa, ms que el camino recorrido, el ngulo que ha descrito nuestro movimiento durante un tiempo determinado. Y as diremos que si nuestro mvil se traslada a lo largo de la circunferencia un ngulo de 70 en 2 segundos diremos que se ha movido con una velocidad de 70/2 = 35 en un segundo. Esta nueva manera de expresar la velocidad se denomina VELOCIDAD ANGULAR.

La velocidad angular nos expresa la relacin que existe entre el ngulo recorrido por nuestro mvil y el tiempo empleado en recorrer dicho ngulo.
Dado que la unidad natural del ngulo es el RADIAN (La circunferencia tiene 2 radianes). La velocidad angular se expresar en RADIANES POR SEGUNDO (Rad/seg.). La velocidad angular, tambin llamada PULSACION o FRECUENCIA ANGULAR, se representa por la letra griega w (omega). Entonces , si un mvil lleva una velocidad angular w ( por ejemplo, 4 rad/seg.), al cabo de un tiempo t ( por ejemplo, 2 segundos), habr descrito un angulo ( ): que ser igual al producto de la velocidad angular w por el tiempo t: = w t = 4 . 2 = 8 radianes MOVIMIENTO CIRCULAR

Fijaros que al moverse el punto A a lo largo de la circunferencia, proyecta una sombra (roja en la figura) de longitud OX

Si llamamos al ngulo que forman la lnea OA con la lnea OX se define el coseno del ngulo a como el cociente entre la distancia OX y la distancia OA: OX cos = -----OA Por lo que podemos decir que OX = OA cos Es decir que la proyeccin del punto A es igual, al producto de OA por el coseno del ngulo que forma con la horizontal. En la figura de abajo vemos que es la distancia del punto al eje vertical (de color rojo en la figura) y marcada con una flecha en azul

T es el tiempo que tarda el punto en recorrer la circunferencia, a este tiempo le llamaremos periodo Si el punto A se mueve a lo largo de la circunferencia, observamos que: en t=0 la proyeccin es mxima, en t = T/4 es nula y en t=T/2 es mxima pero negativa. Hemos dividido la parte superior de la circunferencia en 12 partes y para cada punto la distancia al eje vertical, la hemos llevado a la parte inferior, y uniendo los puntos obtenemos la curva del coseno. EL MOVIMIENTO SINUSOIDAL ES LA PROYECCION DEL MOVIMIENTO CIRCULAR.

Resumiendo lo dicho:

Veamos el radio de amplitud A de la figura, que suponemos que incialmente forma un ngulo 0 con la horizontal y que en cierto momento comienza a girar con una velocidad Al cabo de t segundos, se habr desplazado un ngulo t, por lo que se encontrar formando un angulo con la horizontal de valor 0 + t. La proyeccin en cada instante del extremo del radio sobre el eje horizontal valdr :
x = cos (t + 0 )

Sobre el movimiento circular (peridico) se definirn unos conceptos que sern de aplicacin en el movimiento sinusoidal:
= PULSACION : La pulsacin del movimiento sinusoidal equivale a la velocidad

angular del movimiento circular. Se expresar, por tanto, en radianes por segundo.(Recordar que una circunferencia tiene 2 radianes) T = PERIODO : es el tiempo que tarda el radio en describir una vuelta completa, que es, a su vez, el tiempo que tarda en repetir su valor.

f = FRECUENCIA : Es el nmero de vueltas por segundo y, por tanto, el nmero de periodos por segundo.- (Su valor es la inversa de dicho periodo)
0 = FASE : Es el ngulo inicial formado por el radio antes de empezar a contar

el tiempo. En el movimiento sinusoidal representa el desplazamiento del eje vertical respecto del comienzo de la sinusoide.

A = AMPLITUD o VALOR MAXIMO de la sinusoide: Es el valor del radio en el movimiento circular x(t) = VALOR INSTANTANEO. Es el valor de la sinusoide en cada instante. En el movimiento circular es la proyeccin del radio sobre el eje horizontal

As pues, hay una relacin entre frecuencia, periodo y pulsacin. En efecto:

Si para describir una vuelta se necesitan T segundos ( por jemplo T = 0,5 seg.) Cuntas vueltas describir en 1 segundo ? Lgicamente 2 vueltas. Es decir f = 1 / T o lo que es lo mismo T = 1 / f Cada circunferencia tiene como ya se ha dicho 2 radianes. Por lo tanto si se describen f vueltas por segundo ( por ejemplo 2 vueltas por segundo) equivale a decir que la velocidad angular es de 2 . 2 radianes por segundo es decir 4 rad /s. = 2 f = 2 / T
La frecuencia resulta ser la inversa del perodo:

f = --T 1 T = ---

8.5 VALOR MEDIO Y VALOR EFICAZ

VALOR MEDIO
Se llama valor medio de una tensin (o corriente) alterna a la media aritmtica de todos los valores instantneios de tensin ( o corriente), medidos en un cierto intervalo de tiempo.

En una corriente alterna sinusoidal, el valor medio durante un perodo es nulo: en efecto, los valores positivos se compensan con los negativos. Vm = 0

En cambio, durante medio periodo, el valor medio es

siendo V0 el valor mximo.

VALOR EFICAZ
Se llama valor eficaz de una corriente alterna, al valor que tendra una corriente continua que produjera la misma potencia que dicha corriente alterna, al aplicarla sobre una misma resistencia.

Es decir, se conoce el valor mximo de una corriente alterna (I0). Se aplica sta sobre una cierta resistencia y se mide la potencia producida sobre ella. A continuacin, se busca un valor de corriente continua que produzca la misma potencia sobre esa misma resistencia. A este ltimo valor, se le llama valor eficaz de la primera corriente (la alterna). Para una seal sinusoidal, el valor eficaz de la tensin es:

y del mismo modo para la corriente

la potencia eficaz resultar ser:

Es decir que es la mitad de la potencia mxima (o potencia de pico) La tensin o la potencia eficaz, se nombran muchas veces por las letras RMS. O sea, el decir 10 VRMS 15 WRMS sifnificarn 10 voltios eficaces 15 watios eficaces, respectivamente.

8.6 REPRESENTACION VECTORIAL

Introduccin
Una forma muy cmoda de representar grficamente las tensiones y corrientes alternas es la llamada vectorial.

Para ello se debe tener en cuenta que, en un determinado circuito, la frecuencia, y, por tanto, la pulsacin, ser la misma en todos los puntos del circuito. Lo nico verdaderamente importante es la fase relativa entre cada tensin o cada corriente. De este modo, se asigna fase cero a una determinada tensin o corriente, y las dems se representan con su fase relativa a sta. Cada corriente o cada tensin se representa pues, por medio de un vector, (una flecha con origen en el origen de coordenadas) formando un ngulo con la horizontal igual a su fase, y con una magnitud (su longitud) igual a su valor eficaz o de pico, como se prefiera. Componentes de un vector
Breve repaso de trigonometra: Recordemos que en un tringulo rectngulo como el de la figura siguiente se denomina hipotenusa al lado opuesto al ngulo recto (un ngulo recto = 90) y catetos a los otros dos lados

Si es el ngulo formado entre el cateto b y la hipotenusa c,

se llama seno del ngulo ( sen ) al cociente entre el cateto opuesto (a) y la hipotenusa (c). Y se escribe:

se llama coseno del ngulo ( cos ) al cociente entre el cateto contiguo (b) y la hipotenusa (c). Y se escribe:

se llama tangente del ngulo ( tag ) al cociente entre el cateto opuesto (a) y el cateto contiguo (b). Y se escribe:

As pues, si tenemos un vector, del que conocemos su mdulo V (tambin llamado amplitud) y su fase , podremos descomponerlo en dos componentes, una horizontal y otra vertical, que llamaremos Vx y Vy ; como se indica en la figura siguiente:

y por el repaso de trigonometra sabemos que podemos poner lo siguiente, que: La componente horizontal vale:

y la componente vertical:

8.7 SUMA DE VECTORES

Se define la suma geomtrica de dos vectores como indica la figura:

Cmo se halla ? Por el extremo de uno de ellos (V1) se traza la paralela al otro y por el extremo del segundo (V2) se traza la paralela al primero; de esta manera se ha definido un paralelogramo, cuya diagonal se llamar vector suma ( V ) de los dos primeros vectores. Para realizar la suma matemticamente ( o numricamente), de los vectores V1 y V2 se calculan sus proyecciones sobre el eje de las X de cada uno de ellos. Y as tendremos que el vector V1 proyectado sobre el eje X obtendremos lo que llamaremos componente V1x y sobre el eje de las Y que llamaremos componente V1y
V1x = V1 cos 1 V1y = V1 sen 1
Y haciendo lo mismo con el vector V2 tendremos que el vector V2 proyectado sobre el eje X obtendremos lo que llamaremos componente V2x y sobre el eje de las Y que llamaremos componente V2y

V2x = V2 cos 2 V2y = V2 sen 2

El vector resultante V tendr tambin dos componentes, su proyeccin sobre el eje las X ser la suma de las proyecciones, tambin sobre el eje de las X de los vectores V1 y V2, es decir que:

Vx= V1x + V2x

y su proyeccin sobre el eje las Y ser la suma de las proyecciones, tambin sobre el eje de las Y de los vectores V1 y V2, es decir que:
Vy = V1y + V2y

Conocidas pues, las dos componentes del vector V (Vx, Vy), se puede calcular V, por medio de:

(Segn el Teorema de Pitgoras)

(De la definicin de coseno) SUMA DE VARIOS VECTORES Para sumar varios vectores , se suman primeramente dos de ellos ; el resultado de esta operacin con el siguiente, y asi sucesivamente. RESTA DE VECTORES Para hacer la operacin V1 - V2, se halla primeramente el opuesto de V2 y despus se suma ste con V1. Hay que tener en cuenta que el opuesto de un vector es el mismo vector girado 180.

8.8 PRODUCTO Y COCIENTE DE VECTORES

Para multiplicar dos vectores, se multiplican sus mdulos y se suman sus fases Para dividir dos vectores, se dividen sus mdulos y se restan sus fases

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

16.1 INTRODUCCION.
La tensin continua disponible a la salida del filtro del rectificador puede que no sea lo suficientemente buena, debida al rizado, o que vare su valor ante determinado tipo de perturbaciones, como variaciones de la tensin de entrada, de la carga o de la temperatura. En estos casos se necesitan circuitos de regulacin o estabilizacin para conseguir que la tensin continua a utilizar sea lo ms constante posible. Lo ideal sera que la tensin de salida fuera constante para cualquier condicin del circuito. pero esto es imposible debido a: a) La tensin de red puede tener variaciones de hasta el 20% de su valor nominal. b) El circuito de carga conectado al rectificador puede absorver ms o menos corriente. Al aumentar la corriente por la carga, la tensin de salida disminuir debido a la caida en la resistencia del transformador y la de los diodos. c) En la salida aparece un rizado. d) Cuando se utilizan dispositivos semiconductores, la tensin de salida vara con la temperatura

16.2 FUENTE ESTABILIZADA O REGULADA.

Una fuente de tensin estabilizada o regulada es aquella que cumple:

Vs / Vs < Ve / Ve
Una fuente de corriente estabilizada o regulada es aquella que cumple:

Is / Is < Ie / Ie

16.3 TIPOS DE FUENTES.

Adems de la clasificacin en fuentes de corriente y fuentes de tensin, cabe distinguir dos tipos: a) Fuentes estabilizadas: Consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida (tensin corriente) utilizando directamente la caracterstica no lineal de un dispositivo electrnico.

b) Fuentes reguladas: consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida mediante un sistema de control o de realimentacin negativa que corrige automticamente dicha magnitud de salida.

16.4 FUENTE ESTABILIZADA DE TENSION.

El rizado y la resistencia de salida de una fuente no estabilizada (transformador, rectificador filtro ) resultan ser demasiado grandes para algunas aplicaciones. Se trata de reducirlos mediante una fuente estabilizada que utiliza un diodo zener.

F A. no estabilizada carga Los datos de salida suelen ser:

estabilizador

Vs deseada Is mxima e Is mnima Rr

Se desea calcular el zener y Rs El margen de variacin de la resistencia de carga ser: RLmx = Vs / Ismn Eleccin del zener: La tensin nominal del zener ha de ser igual a la tensin deseada: Vz = Vs Eleccin de Rs: Para calcularla deberemos ver primero el circuito equivalente del zener RLmn = Vs / Ismx

Diodo ideal rz

Vz rz , Iz y Vz son caractersticas de cada zener en particular, y son suministradas por el fabricante

El circuito resultante es:

en el que R's = Rr + Rs Resulta:

Vs = Iz rz + Vz
Vs = Is RL

Ve = Ie R's + Vs = (Iz + Is) R's + Vs

De donde operando :

Los valores lmites de

que garantizan que el zener trabaja en la zona deseada son :

El valor de R's que se escoja debe cumplir : R's mn < R's < R's mx Se deber procurar que el valor comercial de R's escogido est ms cerca de R's mx evitar que el zener se caliente excesivamente. Recurdese que R's = Rr + Rs que de R's mn, a fin de

16.5 FUENTES REGULADAS.

Una fuente regulada de tensin utiliza una realimentacin negativa que detecta de un modo instantneo las variaciones de tensin de salida, actuando como control que las corrige automticamente. La regulacin puede ser en serie o en paralelo.

16.6 REGULACION SERIE

Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR < m Vs => El control debe conducir menos para disminuir la tensin a la salida. Si VR > m Vs => El control debe conducir ms para aumentar la tensin a la salida.

REGULACION SERIE

16.7 REGULACION EN PARALELO

En este montaje, el control trabaja en corriente (en la regulacin serie lo hace en tensin), siendo RS la encargada de producir la caida de tensin necesaria. El comparador compara una fraccin de la tensin de salida, m Vs, con una tensin de referencia, VR. La diferencia entre estas dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

Si VR = m Vs Si VR > m Vs corriente por salida. Si VR < m Vs corriente por

=> El control no acta. => El control debe conducir menos, para, al drenar menos RS, disminuir la cada de tensin en sta y aumentar la de => El control debe conducir ms para, al drenar ms Rs, aumentar la cada en sta y disminuir la salida.

REGULACION EN PARALELO

16.8 COMPARACION ENTRE LOS DOSTIPOS

La diferencia entre los dos tipos estriba en el elemento de control. Regulacin en serie El control soporta toda la corriente de carga. Est sometido a una diferencia de potencial en extremos igual a Vs - Ve. Regulacin en paralelo El control deriva menos corriente cuanto mayor es la corriente de carga. Con cargas muy fuertes, el control estar trabajando con pequeas corrientes. La diferencia de potencial aplicada al control es Vs, ya que est en paralelo con la salida. De las anteriores consideraciones se deduce que, a fin de no cargar excesivamente el control, la regulacin en serie es apropiada para pequeas corrientes de carga y/o grandes tensiones de salida, en tanto que la regulacin en paralelo es apta para grandes corrientes de carga y/o pequeas tensiones de salida. En algunos casos, en que el margen de tensiones y corrientes en que va a trabajar la fuente es muy grande, se recurre al montaje de dos fuentes, una en serie y otra en paralelo, con un conmutador que selecciona una u otra, segn las condiciones de trabajo. Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

16.9 ELEMENTO DE REFERENCIA

al comparador

Deber ser tal que proporcione una tensin VR lo ms constante posible. Se utilizar un diodo zener. Es preciso que IZ sea lo ms constante posible. Para ello ha de procurarse que I1 >> I2 Las variaciones de la tensin de salidaafectarn a la de referencia (al aumentar IZ, aumenta VR, y al contrario) Si rZ es pequea (idealmente, cero), VR = VZ independiente de IZ

16.10 ELEMENTO DE MUESTRA

Ha de tomarse una fraccin de la tensin de salida para medir sus variaciones y compararlas con la de referencia.

Se utiliza un divisor resistivo La corriente que absorbe el comparador debe ser despreciable frente a I1, a fin de no cargar apreciablemente al divisor. En estas condiciones: R ( 1 - a) + R2 m Vs = --------------------- x Vs R1 + R + R 2

16.11 ELEMENTO COMPARADOR

La seal de salida del comparador debe ser proporcional a la diferencia entre la tensin suministrada por el muestreador (m Vs) y la de referencia (VR).

Si m Vs aumenta, aumentar la corriente de base o, lo que es lo mismo, VBE, produciendo un aumento en la corriente de colector m Vs - VR - VBE m Vs - VR IC = -------------------- -----------rz rz Obsrvese que IC depende pues de la diferencia entre la tensin de muestra y la tensin de referenciam ( VS - VR) Debido pues a que como tanto el zener como el transistor son elementos semiconductores, el funcionamiento de nuestro circuito variar con la temperatura.. Se conseguir una buena compensacin trmica cuando: D VBE ---------DT D VR --------- sean del mismo valor DT

y de signos opuestos. A este fin, son muy apropiados los diodos zener de tensiones nominales alrededor de los seis voltios, por lo que, siempre que se pueda, se utilizarn estos valores.

16.12 AMPLIFICADOR DE LA SEAL DE ERROR

Suele ser un amplificador de acoplo directo, generalmente constituido por un solo transistor. Su objetivo es elevar la seal de error procedente del comparador a un nivel suficiente para atacar el control. En muchos casos, el mismo comparador hace las veces de amplificador de error.

16.13 ELEMENTO DE CONTROL

Interpreta la seal de error y corrige las variaciones de la tensin de salida, VS. Se suele utilizar un transistor conectado como indica la figura:

Si Vs, por ejemplo, tiende a aumentar, la seal de error ha de ejercer sobre el transistor una accin tal que haga que Vs tienda a disminuir (realimentacin negativa), contrarrestando la variacin inicial. Por tanto, deber aumentar VCE en el caso de regulacin en serie, y aumentar Ic en el caso de regulacin en paralelo. Supongamos que Ve tiende a aumentar (debido a fluctuaciones en la red); => Vs tender a aumentar. Este aumento de Vs, a travs del comparador, har que vare Ic. Como la corriente la corriente que entra en el nudo, suministrada por un generador de corriente, es constante, al aumentar Ic disminuir IB, con lo que el transistor conducir menos, aumentando VCE. As pues, vemos que un aumento de de Ve es absorbido entre colector y emisor, mantenindose de ese modo Vs constante. Un aumento de la corriente de carga producir una disminucin de Vs (debida a la resistencia de salida de la fuente). El circuito reaccionar de manera que Ic disminuir, por lo tanto aumentar IB con lo que el transistor conducir ms, disminuyendo la VCE. De esta manera, variaciones de la carga son compensadas por el circuito. En muchos casos, el generador de corriente est constituido por una simple resistencia. Cuando se quiera mayor precisin, se montar un transistor como generador de corriente, es decir, fijando la tensin de base y haciendo la salida por colector. Para obtener la tensin de base constante se utiliza un zener. El conjunto recibe el nombre de prerregulador.

Prerregulador VZ - VBE VZ ----------- ------ = cte. R3 R3

Icte =

Nota: Icte : significa " corriente constante " R2 es la resistencia de polarizacin del zener.

Se debe cumplir que Icte sea mayor o igual que 2 IBmx. En el caso de utilizar una resistencia: Ve - Vs - VBEcontrol Ve - Vs R = ----------------------------------- ------------Icte Icte

16.14 CONSIDERACIONES SOBRE LA TENSION DE SALIDA

A.- Tensin mnima de salida. Vsmn = VR No se puede bajar de este valor, por lo que, si se quieren obtener pequeas tensiones de salida, es preciso utilizar zeners de baja tensin. B.-Tensin mxima de salida. Vsmx = Ve En este punto se pierde la regulacin, por lo que no es aconsejable acercarse a l. Conviene que la tensin de entrada sea bastante mayor que la de salida deseada. Ahora bien, si la de salida es variable (por medio del potencimetro del elemento de muestra), cuando a la salida est presenta la tensin mnima (VR), VCE alcanzar valores elevados, lo que habr que prever a fin de evitar la destruccin del transistor. Habr que contar con el caso peor, en que Vs = VR y Is = mxima. En este caso; VCE = Ve - VR y la potencia disipada por el control P = VCE . Ismx

16.15 CIRCUITO COMPLETO

Un circuito elemental basado en los elementos explicados en los puntos anteriores sera:

Observar que hemos colocado en el elemento de control un transistor ms ( el T3) montado con el T2 en Darlington, de esa manera aumentamos la eficiencia del elemento de control al aumentar la b correspondiente.

16.16 PROTECCION CONTRA CORTOCIRCUITOS

En la fuente regulada en serie, un cortocircuito es fatal para el transistor de control, ya que tiene que soportar toda la corriente de cortocircuito.

No es as en la fuente regulada en paralelo, en la que al producirse un corto y quedar la tensin de salida a cero, todos los elementos quedan sin polarizacin. En este caso, es la resistencia serie, Rs, la que soporta toda la corriente. En las fuentes reguladas en serie es conveniente aadir, pues, un elemento de proteccin contra cortocircuitos, que desconecte el control cuando se produzca alguno. Los dos tipos ms usados son:

En ambos casos, cuando la corriente de slida excede de cierto valor, los diodos conducen en un caso o el transistor conmuta en el otro, saturndose y drenando la corriente de base del transistor de control, que queda sin polarizacin y, por tanto, desconectado.

16.17 OSCILACIONES EN UNA FUENTE

Puede ocurrir, y de hecho ocurre en multitud de ocasiones, que la realimentacin, que en contnua es negativa, se convierta en positiva para alguna frecuencia, generalmente muy alta, dando lugar a que la fuente oscile. Para evitar esta eventualidad, se conecta en paralelo con la salida un condensador de gran capacidad, (condensador C2 de la figura ) que cortocircuitar las componentes de alta frecuencia debidas a la oscilacin. Otra solucin consiste en conectar un condensador (C1) entre el colector y la base del transistor comparador (T1); de este modo queda cortocircuitado para las altas frecuencias, con lo que no hay amplificacin. Algunas veces, en que la fuente tiene fuerte tendencia a la oscilacin, se utilizan las dos soluciones simultneamente.

16.18 FUENTES VARIABLES HASTA CERO VOLTIOS

Se ha dicho que la mnima tensin en una fuente regulada en serie es VR. Cuando se necesita que la fuente suministre tensin variable, desde un cierto valor mximo hasta cero voltios, es preciso recurrir a la alimentacin simtrica: una tensin positiva y otra negativa respecto de masa. De este modo si VR es positiva respecto de su barra de alimentacin, y esta, a su vez, es negativa respecto de masa, puede conseguirse que el emisor del comparador quede a cero voltios respecto de masa, con lo que, realmente, est comparando mVs con cero voltios.

Huelga decir que todo lo que se ha dicho de las fuentes aqu estudiadas, con negativo a masa, es vlido para fuentes con positivo a masa, sin ms que cambiar la polaridad de todos los elementos que la tengan ((transistores, diodos y condensadores electrolticos).

16.19 REGULADORES MONOLITICOS

Existen pastillas de circuito integrado que funcionan como reguladores de tensin, lo que representa ventajas respecto a los circuitos con elementos discretos. Los mdulos bsicos pueden usarse directamente o agregando componentes exteriores. Con este tipo de dispositivos se alcanzan tensiones de salida reguladas que varan entre cero voltios y algunos centenares. El fabricante suministra toda la informacin necesaria para un uso de terminales hacia afuera: tensin de salida (fija o ajustable), corriente mxima de salida, regulacin, rizado, margen de la tensin de entrada, margen de temperatura de funcionamiento, tc. Tambin se indica la misin hacia afuera de los distintos terminales. Como ejemplo, se ver un circuito en que, adems del C.I., se utilizan componentes discretos exteriore, y cul es la funcin de cada terminal. REGULADOR DE TENSION DE PRECISION CA723, CA723C The CA723 and CA723C are silicon monolithic integrated circuits designed for service as voltage regulators at output voltages ranging from 2V to 37V at currents up to 150mA.

Alimentacin positiva o negativa

Serie, shunt, conmutacin u operacin flotante Salida de tensin ajustable de 2 a 37 voltios. Corriente de salida hasta 150 mA. sin transistor externo de paso.

Valores mximos absolutos (TA = 25 C)

Tensin desde V+ a VTensin diferencial entre entrada y salida Mxima corriente de salida Rango de temperaturas

40 V. 40 V. 150 mA. de 0C a 70C.

Diagrama de conexiones:
1.- No conectar 2.-Limitacin de corriente 3.- Sensor de corriente 4.- Entrada inversora 5.- Entrada no inversora 6.- VREF 7.- V8.- No conectar 9.- Vz 10.- Vs 11.- Vc 12.- V+ 13.- Compensacin de frecuencia 14.- No conectar

CIRCUITO EQUIVALENTE

Caractersticas elctricas Parmetro Condiciones de medida F = 50 Hz a 10 Kz. CREF = 0uF F = 50 Hz a 10 Kz. CREF = 5uF Rsc = 10 Vs = 0 Mn Tp Mx Unidades

Rechazo del rizado

74

dB

Rechazo del rizado Corriente de cortocircuito Tensin de referencia Tensin de entrada Tensin diferencial Tensin de salida

86

dB

65

mA

6'80 7'15 7'50 V. 9'5 3 2 40 38 37 V. V. V.

Aplicacin del CA723 como reguladorde tensiones bajas ( 2 a 7 V.)

R3 debe ser igual al paralelo de R1 y R2 (tambin puede ser eliminada) Usando un transistor externo (p-n-p)

R2 Vs = VREF ---------------R1 + R2 Frmula vlida para las dos figuras anteriores

Aplicacin del CA723 como regulador de tensiones de ( 7 a 37 V.)

R3 debe ser igual al paralelo de R1 y R2 (tambin puede ser eliminada) Usando un transistor externo (n-p-n)

R1 + R2 Vs = VREF ---------------Frmula vlida para las dos figuras R2 anteriores

REGULADOR DE TENSION NEGATIVA

VREF R1 + R2 Vs = ---------- --------------2 R1

( R3 = R4 )

REGULADOR DE POSITIVO FLOTANTE

VREF R2 - R1 Vs = ---------- --------------2 R1

( R3 = R4 )

Limitacin de corriente (para todos los casos): VSENSE ILIMIT = ---------------Rsc

TEORA DEL SEMICONDUCTOR

INTRODUCCIN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrnes pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1 Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro

SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de los rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn. El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene. Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor de silicio. Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductores el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen.

Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales.

SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posiblidades: Aplicar una tensin de valor superior Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

OBSERVACIONES
Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco dospado", "muy dopado", etc. Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.

Semiconductor tipo N fuertemente dopado

Semiconductor tipo P fuertemente dopado

Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en adelante (transistores, diodos, tiristores) no son ni ms y menos que un conjunto de semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras.d Volver a lecciones

DIODO SEMICONDUCTOR

UNIN P-N
Casi todos los diodos que se fabrican hoy en da estn formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sera del tipo N, ya que deja un electrn libre pues le sobra del enlace, con lo que el tomo (azul) se convierte en un in positivo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un electrn libre, a este tomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejara un hueco libre, con lo que el tomo se convierte en un in negativo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un hueco libre, a este tomo lo representaremos:

Silicio tipo P y silicio tipo N separados Cuando se efecta esta unin, los electrones y los huecos inmediatos a la unin se atraen, cruzan la unin y se neutralizan.

Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIN P-N Segn este proceso inicial, la zono N prxima a la unin ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P prxima a la unin ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. Al quedar la zona N prxima a la unin cargada positivamente, rechazar a los huecos de la zona P que quieren atravesar la unin. Exactamente igual la zona P prxima a la unin impedir el paso de los electrones provenientes de la zona N

Por tanto en la zona prxima a la unin aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a travs de la unin, no pudiendo existir corriente.

DIODO SEMICONDUCTOR

POLARIZACIN DIRECTA
Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N. <-----------> Regin agotada

o----

----o

zona P

barrera interna de potencial a)Sin polarizacin

zona N

Iones negativos que Iones positivos que Regin han han agotada "recuperado" sus "recuperado" sus <---> huecos electrones + o---o -

zona P

barrera interna de potencial

zona N

b) Polarizacin directa dbil, regin agotada reducida, pero no eliminada

+ o--

--o -

zona P

zona N

c) Al aumentar la polarizacin directa, la zona agotada y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas * En la prctica, un diodo se fabrica a base de una nica pieza de siliceo, introduciendo tipos diferentes de impurezas por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y otros que creen tipo N. Este proceso se realiza a grandes temperaturas. A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prcticos son: Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensin provoca un aumento de la corriente. Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarizacin directa o de funcionamiento. Sus valores tpicos son:

Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo Parece lgico pensar que llegar un momento en que el proceso, aumento de tensin exterior, aumento de corriente en la unin, tendr que parar. Y esto es as, porque a partir de un determinado valor de la tension exterior aplicada, los electrones se neutralizan en mayor nmero con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensin a partir de la cual la corriente a travs del diodo se mantiene constante, (en la prctica aumenta ligeramente) se le denomina tensin de saturacin. Sus valore tpicos son: Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destruccin del diodo.

DIODO SEMICONDUCTOR

POLARIZACIN INVERSA
Si la tensin aplicada externamente al diodo es del mismo signo que la barrera de potencial interna se dice que el diodo est polarizado inversamente. El terminal positivo de la pila atrae a los electrones del material N apartndolos de la unin, mientras que el negativo a trae a las cargas positivas del material P, apartndolos tambin de la unin. Se crea, por tanto, en la unin, una ausencia de carga, formndose una corriente que recibe el nombre de "corriente inversa de saturacin" o "corriente de fuga". Su valor es prcticamente despreciable, pues es del orden de nA (nanoampaerios). El ancho de la capa agotada aumenta al polarizar la unin en sentido inverso. Iones negativos que han Regin Iones positivos que han

agotada"recuperado" sus "recuperado" sus huecos <---> electrones

o--

--o

zona P

barrera interna de potencial <---->

zona N

a)Sin polarizacin inversa

Iones aceptores Regin Iones donadores negativos que han <---- agotada <---- positivos que han "perdido" su hueco -> inicial -> "perdido" sus asociado <---> electrones asociados
<------------------------------>

--o o--

zona P

barrera interna de potencial <----------------------------->

zona N

b) Al aplicar una polarizacin inversa, el ancho de la capa agotada aumenta

Al ir aumentando esta tensin inversa llega un momento en que el diodo pierde su capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa.

Esta tensin recibe el nombre de "tensin de ruptura". Normalmenteen esta situacin el diodo se destruye.

DIODO

DIODO SEMICONDUCTOR

UNIN PN Polarizacin directa Polarizacin inversa Simbolo Circuito equivalente Curva caracterstica Observaciones Volver a lecciones

SIMBOLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR

Estructura

Smbolo grfico El material tipo P recibe el nombre de nodo. El material tipo N recibe el nombre de ctodo

La flecha indica el sentido convencional de la corriente.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL

Si el diodo est polarizado directamente, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado, pequea resistencia.

Con polarizacin inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan calor que har umentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conduccin en el diodo.

Caracterstica I/V de un diodo semiconductor

Vu Vs Vr OA AB OC
Tensin umbral Tensin de saturacin Tensin de ruptura Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente Zona de conduccin Corriente inversa de saturacin A partir de C, zona de avalancha

DIODO SEMICONDUCTOR

OBSERVACIONES
Cada diodo tiene su nomenclatura y caracteristicas La nomenclatura esta directamente relacionada con el uso que se va a hacer del diodo. Las caractersticas nos dirn las tensiones y corrientes que cada uno puede soportar En lo prximos capitulos veremos una relacin de diodos que se utilicen. Por ahora nos contentaremos con saber cmo conocer los terminales y si el diodo

est en buen estado o no, por medio del polimetro. Para ello pondremos el polimetro dispuesto para medir ohmios y la escala en X1 X10 segn el tipo de polimetro. Aplicando las tomas del polimetro en bornas del diodo primero en una posicin y luego en la contraria, pueden darse tres casos: a) En ambos la aguja del polimetro se va a fondo de escala. El diodo est cortocircuitado. b) En ambas posiciones la aguja no parece moverse.. El diodo est en circuito abierto. c) En una posicin la aguja no se mueve y en la contraria la aguja se acerca al fondo de escala. El diodo est bien. En este tercer caso, cuando la aguja tiende a ir a fondo de escala, la toma del polimetro que utiliza cable negro (comn) est aplicada sobre elnodo del diodo. El otro extremo del diodo ser el ctodo.

DIODO ZENER

INTRODUCCIN
Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente.

En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia.

Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo zener El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado

EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l.

FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER

El simbolo del diodo zener es:

y su polarizacin es siempre en inversa, es decir

Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener constante. b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener. Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

INTRODUCCION.El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores analgicos, en los que comenzaron a usarse tcnicas operacionales en una poca tan temprana como en los aos 40. El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas caractersticas de operacin estaban determinadas por los elementos de realimentacin utilizados. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de realimentacin, podan implementarse diferentes operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos. Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente bsico de su tiempo: la vlvula de vaco. El uso generalizado de los AOs no comenz realmente hasta los aos 60, cuando empezaron a aplicarse las tcnicas de estado slido al diseo de circuitos amplificadores operacionales, fabricndose mdulos que realizaban la circuitera interna del amplificador operacional mediante diseo discreto de estado slido. Entonces, a mediados de los 60, se introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito integrado. En unos pocos aos los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en una herramienta estndar de diseo, abarcando aplicaciones mucho ms all del mbito original de los computadores analgicos. Con la posibilidad de produccin en masa que las tcnicas de fabricacin de circuitos integrados proporcionan, los amplificadores operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes cantidades, lo que, a su vez contribuy a rebajar su coste. Hoy en da el precio de un amplificador operacional integrado de propsito general, con una ganancia de 100 dB, una tensin offset de entrada de 1 mV, una corriente de entrada de 100 nA. Y un ancho de banda de 1 MHz. es inferior a 1 euro. El amplificador, que era un sistema formado antiguamente por muchos componentes discretos, ha evolucionado para convertirse en un componente discreto l mismo, una realidad que ha cambiado por completo el panorama del diseo de circuitos lineales. Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al precio de los componentes pasivos, el diseo mediante componentes activos discretos se ha convertido en una prdida de tiempo y de dinero para la mayora de las aplicaciones dc y de baja frecuencia. Claramente, el amplificador operacional integrado ha redefinido las "reglas bsicas" de los circuitos electrnicos acercando el diseo de circuitos al de sistemas. Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien los AOs, cmo funciona, cules son sus principios bsicos y estudiar sus aplicaciones

PRINCIPIOS BASICOS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES

El amplificador operacional ideal.Los fundamentos bsicos del amplificador operacional ideal son relativamente fciles. Quizs, lo mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u otros cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en trminos generales y considere el amplificador como una caja con sus terminales de entrada y salida. Trataremos, entonces, el amplificador en ese sentido ideal, e ignoraremos qu hay dentro de la caja.

Fig. 1 V0 = a Vd a = infinito Ri = infinito Ro = 0 BW (ancho de banda) = infinito V0 = 0 s Vd = 0 En la figura 1 se muestra un amplificador idealizado. Es un dispositivo de acoplo directo con entrada diferencial, y un nico terminal de salida. El amplificador slo responde a la diferencia de tensin entre los dos terminales de entrada, no a su potencial comn. Una seal positiva en la entrada inversora (-), produce una seal negativa a la salida, mientras que la misma seal en la entrada no inversora (+) produce una seal positiva en la salida. Con una tensin de entrada diferencial, Vd, la tensin de salida, Vo, ser a Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos terminales de entrada del amplificador se utilizarn siempre independientemente de la aplicacin. La seal de salida es de un slo terminal y est referida a masa, por consiguiente, se utilizan tensiones de alimentacin bipolares ( ) Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida, podemos definir ahora las propiedades del amplificador ideal. Son las siguientes: 1. La ganancia de tensin es infinita:

2. La resistencia de entrada es infinita:

3. La resistencia de salida es cero: Ro = 0 4. El ancho de banda es infinito:

5. La tensin offset de entrada es cero:

V0 = 0 s Vd = 0 A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia en tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser el resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea.

Luego, en resumen:
A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia en tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser el resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea. Luego, en resumen: La tensin de entrada diferencial es nula. Tambin, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearn repetidamente en el anlisis y diseo del circuito del AO. Una vez entendidas estas propiedades, se pude, lgicamente, deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales.

Configuraciones bsicas del amplificador operacional

Los amplificadores operacionales se pueden conectar segn dos circuitos amplificadores bsicos: las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. Casi todos los dems circuitos con amplificadores operacionales estn basados, de alguna forma, en estas dos configuraciones bsicas. Adems, existen variaciones estrechamente relacionadas de estos dos circuitos, ms otro circuito bsico que es una combinacin de los dos primeros: el amplificador diferencial.

El amplificador inversor
La figura 2 ilustra la primera configuracin bsica del AO. El amplificador inversor. En este circuito, la entrada (+) est a masa, y la seal se aplica a la entrada (-) a travs de R1, con realimentacin desde la salida a travs de R2.

Fig. 2

Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal, las caractersticas distintivas de este

circuito se pueden analizar como sigue. Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollar su tensin de salida, V0, con tensin de entrada nula. Ya que, la entrada diferencial de A es:

Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0.- Y si Vd = 0,

entonces toda la tensin de entrada Vi, deber aparecer en R1, obteniendo una corriente en R1

Vn est a un potencial cero, es un punto de tierra virtual Toda la corriente I que circula por R1 pasar por R2, puesto que no se derivar ninguna corriente hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita), as pues el producto de I por R2 ser igual a - V0

por lo que:

luego la ganancia del amplificador inversor:

Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. La ganancia se puede variar ajustando bien R1, o bien R2. Si R2 vara desde cero hasta infinito, la ganancia variar tambin desde cero hasta infinito, puesto que es directamente proporcional a R2. La impedancia de entrada es igual a R1, y Vi y R1 nicamente determinan la corriente I, por lo que la corriente que circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2. La entra del amplificador, o el punto de conexin de la entrada y las seales de realimentacin, es un nudo de tensin nula, independientemente de la corriente I. Luego, esta conexin es un punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habr el mismo potencial que en la entrada (+). Por tanto, este punto en el que se suman las seales de salida y entrada, se conoce tambin como nudo suma. Esta ltima caracterstica conduce al tercer axioma bsico de los amplificadores operacionales, el cual se aplica a la operacin en bucle cerrado:

En bucle cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial de entrada (+) o

de referencia.
Esta propiedad puede an ser o no ser obvia, a partir de la teora de tensin de entrada de diferencial nula. Es, sin embargo, muy til para entender el circuito del AO, ver la entrada (+) como un terminal de referencia, el cual controlar el nivel que ambas entradas asumen. Luego esta tensin puede ser masa (como en la figura 2), o cualquier potencial que se desee.

El amplificador no inversor
La segunda configuracin bsica del AO ideal es el amplificador no inversor, mostrado en la figura 3. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3.

Fig. 3

En este circuito, la tensin Vi se aplica a la entrada (+), y una fraccin de la seal de salida, Vo, se aplica a la entrada (-) a travs del divisor de tensin R1 - R2. Puesto que, no fluye corriente de entrada en ningn terminal de entrada, y ya que Vd = 0, la tensin en R1 ser igual a Vi. As pues

y como

tendremos pues que:

que si lo expresamos en trminos de ganancia:

que es la ecuacin caracterstica de ganancia para el amplificador no inversor ideal. Tambin se pueden deducir propiedades adicionales para esta configuracin. El lmite inferior de ganancia se

RESISTORES NTC
Son resistencias de coeficiente de temperatura negativo, constituidas por un cuerpo semiconductor cuyo coeficiente de temperatura sea elevado, es decir, su conductividad crece muy rpidamente con la temperatura. Se emplean en su fabricacin xidos semiconductores de nquel, zinc, cobalto, tc. La relacin entre la resistencia y la temperatura no es lineal sino exponencial (no cumple la ley de Ohm). Dicha relacin cumple con la frmula siguiente: R=A.e
B/T

donde A y B son constantes que dependen del resistor. La curva nos muestra esa variacin

Fig. 1 La caracterstica tensin-intensidad (V/I) de un resistor NTC presenta un carcter peculiar, ya que cuando las corrientes que lo atraviesan son pequeas, el consumo de potencia (R I2) ser demasiado pequeo para registrar aumentos apreciables de temperatura, o lo que es igual, descensos en su resistencia hmica; en esta parte de la caracterstica la relacin tensin-intensidad ser prcticamente lineal y en consecuencia cumplir la ley de Ohm. Si seguimos aumentando la tensin aplicada al termistor, se llegar a un valor de intensidad en que la potencia consumida provocar aumentos de temperatura suficientemente grandes como para que la resistencia del termistor NTC disminuya apreciablemente, incrementndose la intensidad hasta que se establezca el equilibrio trmico. Ahora nos encontramos pues, en una zona de resistencia negativa en la que disminuciones de tensin corresponden aumentos de intensidad.

Fig. 2

Aplicaciones
Hay tres grupos: 1. Aplicaciones en las que la corriente que circula por ellos, no es capaz de producirles aumentos apreciables de temperatura y por tanto la resistencia del termistor depende nicamente de la temperatura del medio ambiente en que se encuentra. 2. Aplicaciones en las que su resistencia depende de las corrientes que lo atraviesan. 3. Aplicaciones en las que se aprovecha la inercia trmica, es decir, el tiempo que tarda el termistor en calentarse o enfriarse cuando se le somete a variaciones de tensin

Aplicaciones industriales
Medidas de temperatura

Fig. 3

Fig. 4

En ambos casos el indicador de temperatura (un miliampermetro por ejemplo) depende de la temperatura ambiente en la que se encuentra la NTC. Si estas seales elctricas (tensin o corriente) se aplican a algn circuito de control podemos obtener un eficaz control de temperatura de salas, baos, tc. ya que podemos gobernar el elemento calefactor, con su marcha y parada de acuerdo a cual sea la temperatura a que se encuentra el resistor.

Medida de la velocidad de fluidos

Fig. 5 El fluido (flow) se halla ligeramente calentado por una pequea resistencia que proporciona un determinado nmero constante de caloras. De esta forma tendremos que las indicaciones del micro ampermetro, colocado en una de las ramas del puente, dependern de la diferencia de temperaturas (T1-T0) a que se encuentran los termistores, y naturalmente esta diferencia es funcin de la velocidad del fluido. Vamos a ver, si la velocidad del fluido es nula, los dos termistores estarn a la misma temperatura, para este caso ajustaremos el puente para que el indicador (micro ampermetro) no se desve. Si aumenta la velocidad del fluido, la temperatura T0 disminuir y la T1 aumentar, provocando esta diferencia de temperatura que las variaciones en los termistores desequilibren el puente de resistencias y el micro ampermetro convenientemente graduado nos indique dicha velocidad.

Accionamiento retardo de reles

Fig. 6

Si queremos que el rel acte con cierto retraso, utilizaremos el circuito de la figura 6.

Al aplicar una tensin V, como la NTC tiene una resistencia grande, toda la tensin estar aplicada prcticamente sobre la propia NTC, y el rel no estar accionado. Debido al paso de la corriente por la NTC, esta se calentar, y por tanto disminuir su resistencia, aumentando por tanto la cada de tensin en el rel. En el momento que el rel acte cerrar sus contactos, y con uno de ellos cortocircuitaremos la NTC, para que se enfre y pueda ms tarde poder volver a provocar un retardo en el rel

El tiempo de este retardo puede variar entre algunos segundos hasta varios minutos eligiendo apropiadamente el resistor NTC.

Estabilizacin de tensiones

Fig.7 Se conecta en serie con la NTC, una resistencia normal R1 de valor tal que su pendiente (tag a) sea del mismo valor absoluto a la de la NTC. De esta manera, en bornas de estas dos resistencias en serie, tendremos una tensin constante dentro del margen de valores (Imx-Imn).

RESISTORES PTC
Los termistores PTC son resistencias (aumenta la temperatura, aumenta la resistividad) con un Coeficiente Temperatura Positivo y con un valor alto para dicho coeficiente. Las diferencias con las NTC son:

1. El coeficiente de temperatura de un termistor PTC es nico entre unos determinados mrgenes de temperaturas. Fuera de estos mrgenes, el coeficiente de temperatura es cero o negativo. 2. El valor absoluto del coeficiente de temperatura de los termistores PTC es mucho ms alto que el de los termistores NTC. Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, incluyendo limitacin de corrientes, como sensor de temperatura, para desmagnetizacin y para la proteccin contra el recalentamiento de equipos tales como motores elctricos. Tambin se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardo en circuitos, termostatos, y como resistores de compensacin. COMPOSICION ELECTRICA (Para leer) Los termistores PTC estn fabricados con BaTiO3, usando un mtodo similar al que se utiliz en la preparacin de los termistores NTC, utilizando soluciones slidas de BaTiO3. Electrones extras son aportados al dopar el material con iones con una valencia diferente. El uso de estos compuestos permite dos las alternativas para la preparacin: 1. La sustitucin de iones trivalentes tales como La 3+ o Bi 3+ 2. La sustitucin de iones pentavalentes tales como Sb 5+ o Nb 5+. Ambos mtodos dan resultados idnticos. Si la preparacin se hacia con la ausencia de oxgeno, estos semiconductores se obtenan con un bajo coeficiente de temperatura de resistencia. Un valor alto de este coeficiente se obtiene elevando rpidamente las muestras de carmica a una temperatura alta en una atmsfera rica de oxgeno. Este se logra al penetrar el oxgeno en los poros del cristal durante el periodo de enfriamiento al proceso de descarga.. Los tomos de oxgeno que se han absorbido sobre los superficies de cristal atraen a los electrones a una zona delgada del cristal semiconductor. Esto hace que se formen unas barreras de potencial elctrico que consisten en una superficie de carga negativa con, (sobre ambos lados), capas delgadas que tienen una carga positiva (huecos), como resultado ahora, de la descompensacin por el dopaje con iones. Estas barreras provocan una resistencia extra al termistor, expuesto por la frmula: Rb @= 1/a .e
e.Vb/KT

(@ = directamente proporcional a) donde a representa el tamao de los cristales, y as 1/a es el nmero de barreras por unidad de longitud del thermistor, y Vb representa el potencial de las barreras. Como Vb es inversamente proporcional al valor de la constante dielctrica de los cristales, Rb es sumamente sensible a las variaciones de dicha constante dielctrica. Tal variacin en la constante dielctrica es una propiedad especial de materiales que tienen una naturaleza ferroelctrica como es el caso en el compuesto BaTiO3 y sus soluciones slidas. Si por su ferroelectricidad la temperatura de Curie q es sobrepasada, la constante dielctrica relativa disminuye con el aumento de la temperatura segn la siguiente relacin mostrada en la frmula:

r = C / (T - )

donde C tiene un valor aproximado de 105 K. Como resultado, la resistividad aumenta fuertemente al subir la temperatura de Curie . Ms all de la temperatura de Curie, las barreras son dbiles o no existen, debido por un lado a los altos valores de la constante dielctrica del BaTiO3 en esas zonas, y por otro lado al resultado de la polarizacin espontnea de los cristales para poder compensar los intercambios de la zona de unin. Los electrones son capturados en la zona de unin y gradualmente liberados en proporcin al aumento de la temperatura del termistor PTC con el respecto a su temperatura de conmutacin, ocasionando una disminucin de las barreras de potencial. Esto significa que el termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta. Las aplicaciones de un termistor PTC thermistor estn, por lo tanto, restringidas a un determinado margen de temperaturas. Debido al efecto producido en el cristal por la zona de unin el termistor PTC aparece una resistencia extra Rb que se puede evitar colocando un condensador en paralelo con una capacidad alta Cb. Esto nos lleva a una dependencia de nuestra impedancia Zb con la frecuencia hasta 5 MHz. TERMISTORES PTC.-PROPIEDADES ELECTRICAS Caractersticas Resistencia/Temperatura La figura 1 muestra una comparacin de tpica entre las curvas caractersticas resistancia/temperatura de un termistor PTC y una NTC

Fig. 1

Caractersticas Corriente/Voltaje La caracterstica esttica corriente/voltaje nos muestra los limites de corriente en los que puede trabajar un termistor PTC. Se observa que hasta un determinado valor de voltaje, la caracterstica I/V sigue la ley de Ohm, pero la la resistencia aumenta cuando la corriente que pasa por el termistor PTC provoca un calentamiento y se alcance la temperatura de conmutacin (ver Fig.2).

Fig. 2

La caracterstica I/V depende de la temperatura ambiente y del coeficiente de transferencia de calor con el respecto a dicha temperatura ambiente. Como puede verse en la Fig.2 las caractersticas se dibujan sobre una escala lineal, sin embargo es ms comn dibujarlas sobre una escala logaritmica (ver Fig.3), donde se tiene una visin ms clara de su comportamiento.

Fig. 3 Es posible calcular el pico de la caracterstica I/V si se conocen las caractersticas R/T y el factor de disipacin (D) El factor de disipacin (mW/K) es la razn (a una temperatura ambiente especificada) entre la variacin de la disipacin de potencia en un termistor, y la variacin de la temperatura en el propio cuerpo del resistor. Por convencin, el factor de disipacin solo puede calcularse conocindose el valor de pico de la curva I/V de curva, y haciendo uso del punto correspondiente sobre la caracterstica R/T Por definicin: La potencia elctrica inyectada al termistor PTC es: P = R . I2 donde R es la resistencia (antes de la conmutacin) a Tamb. La potencia disipada por la cermica viene dada por: D = ( Ts - Tamb) donde Ts es la temperatura de conmutacin y Tamb es el la temperatura ambiente, entonces: R . I2 = ( Ts - Tamb) Recordar: Esta ecuacin solamente es vlida para temperaturas inferiores a Ts.

La corriente de disparo (It) se define como la mnima corriente que puede garantizar que se provoque la conmutacin del termistor, y se puede calcular utilizando la frmula: R . It2 = D [Ts - (Tamb + t)] donde R es la resistencia del termistor a la temperatura Ts. Normalmente, se suma + t C a la Tamb para mantener un margen de seguridad en orden de asegurar la conmutacin del termistor debido a posibles inexactitudes en los valores de Ts y Tamb. La corriente de no disparo (Int) se define como la corriente mxima que garantiza la no conmutacin del termistor, y viene dado por: R . Int2 = D [Ts - (Tamb - t)] Por lo tanto: Un margen de seguridad de - t C debe mantenerse para asegurar que el thermistor no conmutar. La inclinacin de la caracterstica R/T est propiciada por una serie de parmetros de produccin. La relacin entre las caractersticas R/T e I/V se demuestra claramente en las figuras 4 y 5.

Fig. 4

Fig 5

Termistores PTC en serie con una carga Puede verse claramente a partir de la caracterstiva I/V que, debido a la no linealidad de la curva del termistor PTC, existen tres posibles puntos de trabajo cuando se conecta una carga RL en serie con un termistor PTC (ver Fig.6).

Fig. 6

La caracterstica de la carga es una lnea recta que cruza partiendo del voltaje Va a la curva en tres puntos donde P1 y P2 son puntos de trabajo estables; P3 es inestable. Cuando aplicamos un voltaje Va alcanzaremos el equilibrio en el punto P1, punto con una corriente relativamente alta. El punto P2 slamente puede alcanzarse cuando el pico de la curva I/V est por debajo de la lnea de carga. Esto puede suceder en un determinado nmero de casos: 1. Incrementando Va (ver Fig.7)

Fig. 7

2. Al aumentar la temperatura ambiente (ver Fig.8)

Fig. 8 3. Al disminuir la resistencia de carga (ver Fig.9).

Fig. 9

Puede por lo tanto verse que el termistor PTC tiene unas excelentes propiedades de proteccin, limitando la corriente de carga si el voltaje de suministro, la temperatura o la corriente excede de un valor crtico. Restablecer la resistencia de la PTC Cuando el termistor PTC thermistor conmuta, es decir, su temperatura se eleva por encima de la temperatura de conmutacin Ts, slamente puede volver desde P2 a P1 si la lnea de carga se encuentra por debajo de la curva caracterstica I/V. Esto significa que: 1. O la tensin de alimentacin Va disminuye (siendo constante la resistencia de carga); ver Fig.10

Fig. 10 o 2. La resistencia de carga aumenta (siendo constante el voltaje);ver Fig.11.

Fig. 11

Nota: Cuando la temperatura del termistor PTC es mayor que Ts (es decir el termistor est en su estado de disparo), el termistor se calentar ocasionando un aumento de la temperatura ambiente (ver Fig.8). Esto debe tenerse en cuenta cuando se calcule valor de la resistencia de carga.

VARISTORES

GENERAL
Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos, conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE ALTERNA. Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas) pero adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio)

CARACTERISTICAS
1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. 2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. 3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. 4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. 5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. 6. Alto grado de aislamiento.

Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos. Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.

Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de: 1. 2. 3. 4. La amplitud de la corriente. El voltaje correspondiente al pico de corriente. La duracin del impulso. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico de corriente. 5. La no linealidad del varistor. A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hata cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal. Esta curva es definida por el el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2) como el mostrado en la Fig.1.

Fig. 1 El clculo de energa durante la aplicacin de tal impulso viene dado por la frmula: E = Vpeak x Ipeak x t2 x K donde: Ipeak = corriente de pico Vpeak = voltaje a la corriente de pico K es un constante que depende de t2, cuando t1 va de 8 a 10 microsegundos; ver Tabla 1. t2 (microsegundos) 20 50 100 K 1 1.2 1.3

1000 Tabla 1

1.4

La energa mxima no representa entonces la calidad del varistor, pero puede ser un indicio valioso cuando comparamos diversas series de componentes que tienen el mismo voltaje. La energa mxima indicada por los fabricantes es vlida para un impulso estndar de duracin entre10 y 1000 microsegundos, que dan como maxima variacin de voltaje un 10 % para 1 mA. Cuando se aplican ms de un impulso, recurriremos a las tabla que a tal efecto nos proporcionan los fabricantes.

CARACTERISTICAS ELECTRICAS
Caractersticas tpica V/I de un varistor de ZnO La relacin entre la tensin y corriente en un varistor viene dada por: V = C x Ib Donde:
o o o o

V es el voltaje C es el voltaje del varistor para una corriente de 1 A. I es la corriente actual que atraviesa el varistor. b es la tangente del ngulo que forma la curva con la horizontal. Este parmetro depende del material con que est fabricado el varistor; en el caso del ZnO su valor es ? = 0.035

Ejemplo: Supongamos una varistor con un valor de C = 230 V. a 1 A. y b = 0.035 (ZnO) Entonces:V = C x Ib Para una I =10-3 A V = 230 x(10-3 ) 0.035 = 180 V 2 Y para una I =10 A V = 230 x(102 ) 0.035 = 270 V

LIMITACION DE TRANSITORIOS DE TENSION CON VARISTORES DE ZnO En la Fig.2 el voltaje de alimentacin Vi es derivado por la resistencia R (p. ej. la resistencia de lnea) y el varistor (-U) seleccionado para la aplicacin.

Fig. 2 VI =VR +VO VI =R x I + C x Ib Si la tensin de alimentacin vara una cantidad DVI la variacin de corriente ser de DI y la tensin de alimentacin podr expresarse como: (VI + DVI )=R x (I + DI) + C x (I+DI)b Dado el valor pequeo de b (0.03 a 0.05), es evidente que la modificacin de C x Ib ser muy pequea comparada a la variacin de R x I cuando VI aumente a VI + DVI . Un aumento grande de VI conduce a un aumento grande de VR y un aumento pequeo de VO EJEMPLO Supongamos un varistor (C = 520; b = 0.04) y una R = 250 W Para VI = 315 V (valor de pico de una alimentacin de 220 V): Continuar...................... Volver a lecciones

ELECTRONICA DIGITAL

Sistemas combinacionales

Introduccin
Vamos a ver una serie de circuitos que se van a caracterizar porque procesan seales que slo tienen dos niveles, y cuyos valores precisos no son importantes con tal que estn en un nivel o en otro de los definidos. Son seales binarias y los circuitos correspondientes se denominan indistintamente, circuitos de conmutacin, circuitos lgicos o circuitos digitales La primera parte de nuestro estudio comprende, primeramente, las bases del lgebra de conmutacin, cuya herramienta matemtica, el lgebra de Boole, nos va a permitir el anlisis y diseo de los circuitos electrnicos digitales. Seguidamente estudiaremos las familias lgicas o circuitos digitales integrados de que disponemos para nuestras realizaciones. Por ltimo presentaremos dos grandes bloques: los circuitos y subsistemas combinacionales y los secuenciales.

Los primeros se podrn definir como aquellos en que el estado lgico de sus salidas depende nicamente de los niveles de sus entradas en ese mismo instante, es decir no hay efectos de tiempos o memoria. En los segundos, el nivel de salida en un instante dado depende no solamente de las entradas en ese instante, sino del estado interno del sistema, el cual es fruto de las entradas en instantes anteriores, es decir, hay memoria.

Algebra de Boole.
Definicin: Un conjunto B dotado con dos operaciones algebraicas ms (+) y por (.) es un lgebra de Boole, s y slo s se verifican los postulados: 1 Las operaciones + y . son conmutativas. 2 Existen en B dos elementos distintos representados por los smbolos 0 y 1, respectivamente, tal que : a + 0 = 0 + a = a Para todo elemento a que pertenece a B a . 1 = 1 . a = a Para todo elemento a que pertenece a B El smbolo 0 es el elemento identidad para la operacin " + " y el smbolo 1 es el elemento identidad para la operacin " . " 3 Cada operacin es distributiva para la otra, esto es: a + (b . c) = (a + b) . (a + c) a . (b + c) = (a . b) + (a . c) 4 Para cada elemento de B, por ejemplo el elemento a, existe un elemento a' tambin perteneciente a B tal que: a + a' = 1 a . a' = 0

Ejemplos: Sea el conjunto B = { 0,1 }, y las dos operaciones + y . definidas 0 0 1 1 + + + + 0=0 1=1 0=1 1=1 0 0 1 1 . . . . 0=0 1=0 0=0 1=1

Interruptor abierto equivale a nuestro 0 lgico Cerrado equivale a nuestro 1 lgico La combinacin es equivalente a es decir : dos interruptores abiertos puestos en serie equivale a un solo interruptor abierto es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 0 . 0 = 0 La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor abierto en serie con un interruptor cerrado equivale a un interruptor abierto es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 0 . 1 = 0 por la misma razn podemos decir que 1 . 0 = 0 La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor cerrado en serie con otro cerrado equivale a un solo interruptor cerrado es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 1. 1 = 1

La combinacin es equivalente a es decir : dos interruptores abiertos puestos en paralelo equivale a un solo interruptor abierto es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 0 + 0 = 0

La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor abierto en paralelo con un interruptor cerrado equivale a un interruptor cerrado

es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 1 + 0 = 0 por la misma razn podemos decir que 0 + 1 = 1

La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor cerrado en paralelo con un interruptor cerrado equivale a un interruptor cerrado es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 1 + 1 = 1

Trminos cannicos
Se llama trmino cannico de una funcin lgica a todo producto o suma en el cual aparecen todas las variables de que depende esa funcin. A los trminos productos se les llama productos cannicos y a los trminos sumas, sumas cannicas.

Formas cannicas
Cuando una funcin se expresa como suma de productos cannicos o como producto de sumas cannicas, se dice que dicha funcin se en cuentra expresada en su forma cannica.

Formas equivalentes
Dos expresiones booleanas, F1 y F2, son equivalentes, es decir F1=F2, s y slo s describen la misma funcin de conmutacin. Comprobaremos que formas booleanas diferentes pero equivalentes, conducirn a circuitos de conmutacin distintos aunque realicen la misma funcin.

Tabla de verdad
La tabla de verdad de una funcin lgica es una forma de representacin de la misma, en la que se indica el valor 0 1 que toma la funcin para cada una de las combinaciones de valores de las variables de dicha funcin Ejemplo: abc F 0 000 0 1 001 1 2 010 1 3 011 0 4 100 1 5 101 1 6 110 1 7 111 1 En la columna de la izquierda se han ido numerando las combinaciones posibles de valores que siempre es igual a 2 elevado al nmero de variables (n), es decir 2n, en nuestro caso 23=8. De la tabla de verdad de una funcin lgica, es fcil deducir las formas cannicas de la funcin.

As pues, si queremos que la funcin F de nuestro ejemplo est expresada como suma de productos cannicos deberemos asegurarnos que para cada una de las combinaciones de la tabla de verdad en que la funcin valga 1 obligaremos a que el trmino cannico valga tambin 1. Por ejemplo para la combinacin a=0 b=0 y c=1 de la tabla de verdad vemos que la funcin vale 1 as pues nuestro trmino cannico ser a'. b'. c , debemos entender que a' significa que la variable a est negada. Observemos que el trmino a'. b'. c vale 1 para la combinacin 0 0 1 y slo para esa combinacin, cualquier otra hara que nuestro producto cannico a'. b'. c sea 0. Construyendo la funcin con todos sus trminos llegaremos a la conclusin que para: La La La La La combinacin combinacin combinacin combinacin combinacin 010 100 101 110 111 el el el el el trmino trmino trmino trmino trmino ser ser ser ser ser a'. a. a. a. a. b. c' b'. c' b'. c b. c' b. c

Con lo que la funcin F correspondiente a la tabla de verdad anterior ser: F = a'. b'. c + a'. b. c' + a . b'. c'+ a . b'. c + a . b . c' + a . b . c Observemos que tenemos 6 trminos que se corresponden con los seis 1 de la funcin. Otra forma de expresarla es F = S ( 1, 2, 4, 5, 6, 7 ) S significa suma F = Sumatorio de trminos cannicos en que la funcin vale 1 Tambin podemos recurrir a realizar la funcin como producto de sumas cannicas, en este caso nos fijaremos en los 0 de la funcin y as para la combinacin 000 y 011 nuestra funcin vale 0. Por tanto el trmino correspondiente a la combinacin 000 ser ( a + b + c ), y observamos que este trmino slo vale 0 para la combinacin 000 y para cualquier otra vale 1.Del mismo modo para la combinacin 011 el trmino ser ( a + b' + c' ) y observamos tambin que este trmino slo vale 0 para la combinacin 011, cualquier otra har que dicho trmino valga 1. Nuestra funcin expresada como producto de sumas cannicas nos quedar: F = ( a + b + c ) ? ( a + b' + c' ) Observemos que tenemos 2 trminos que corresponden con los dos 0 de la funcin. Otra forma de expresarla es F = P ( 0, 3 ) P significa producto

F = Producto de trminos cannicos en que la funcin vale 0

Las tabla de verdad nos permiten comprobar si dos expresiones lgicas distintas son equivalentes, es decir reproducen la misma funcin de conmutacin. F1 = a'. b'. c + a'. b. c' + a . b'. c'+ a . b'. c + a . b . c' + a . b . c F2 = ( a + b + c ) ? ( a + b' + c' ) Estas dos funciones aparentemente distintas son equivalentes pues ambas tienen la misma tabla de verdad.

Algunos teoremas en el lgebra de Boole

1 Para cualquier elemento b del lgebra de Boole se verifica: b=b+b b=b.b Demostracin: Sabemos que (1) b = b + 0 y que (2) b . b' = 0 Sustituyendo el 0 de la ecuacin (1) por su valor en (2) nos queda que b = b + b . b' aplicando la propiedad distributiva no queda entonces b = ( b + b ) . ( b + b' ) como b + b' = 1 entonces b=(b+b).1 luego queda demostrado que b = b + b 2 Para cualquier elemento b perteneciente al lgebra de Boole se verifica: b+1=1 b.0=0 b + 1 = 1 Esto es lgico ya que si hemos asociado que el valor 1 es equivalente a un interruptor cerrado y el signo + a que los dos elementos b y 1 estn en paralelo deduciremos que sea cul sea el valor de la variable b, si est en paralelo con un interruptor cerrado el resultado elctrico es que estamos cortocircuitando a la variable b y el resultado ser 1. b . 0 = 0 Tambin es lgico ya que si asociamos 0 como un interruptor siempre abierto y la operacin ( . = por ) como que est en serie con el elemento b, el resultado ser equivalente a tener siempre un circuito abierto es decir 0. 3 Para cada par de elementos en un lgebra de Boole se verifica Ley de absorcin a+a.b=a a.(a+b)=a Demostracin : Como a . 1 = a y ( 1 + b ) = 1 a +a.b=a.1+a.b=a.(1+b)=a.1=a 4 En un lgebra de Boole las operaciones suma, producto son asociativas. a+(b+c)=(a+b)+c=a+b+c a.(b.c)=(a.b).c=a.b.c 5 Para cada elemento b en un lgebra de Boole su complemento ( negado) b' es nico.

Otros FLIP-FLOP JK
1.8 Otros FLIP-FLOP JK El biestable JK MAESTRO-ESCLAVO presenta el inconveniente que durante la parte alta del impulso de reloj sus entradas son activas, es decir el flip-flop ser sensible a los cambios que se produzcan en ellas durante este intervalo. Como hay muchos casos en que es conveniente disponer de flip-flops en los que el tiempo en que las entradas sean activas sea muy corto, independientemente de la duracin del estado alto del ciclo de reloj, adoptaremos alguna de las siguientes soluciones:

1. 2.

El FLIP-FLOP JK disparado por FLANCO (JK EDGE TRIGGERED) El FLIP-FLOP JK MAESTRO-ESCLAVO con CIERRE DE DATOS (JK M/S WITH DATA LOCKOUT)

Sin entrar en el detalle de la construccin interna de este tipo de biestables resaltaremos sus caractersticas diferenciales. 1.8.1 El FLIP-FLOP JK disparado por FLANCO (JK EDGE TRIGGERED) De los dos flancos del impulso de reloj, solamente uno de ellos es activo tanto para la lectura de las entradas como para la transicin de las salidas. Las entradas deben mantenerse estables un cierto tiempo previo al flanco activo del reloj, producindose la transicin con cierto tiempo de retardo respecto a este mismo flanco. Se encuentran en los catlogos flip-flops disparados por flanco positivo o de subida y flip-flops disparados por flanco negativo o de bajada, siendo ms frecuente los de este ltimo tipo. La duracin del impulso de reloj y, por tanto, la posicin relativa del flanco no activo del mismo carecen de importancia. En la siguiente figura se esquematiza el funcionamiento de un flipflop de este tipo cuyo flanco activo es el negativo.

RELOJ ENTRADAS TOMA DE DATOS SALIDA TRANSICION

Los fabricantes de circuitos integrados utilizan dos tcnicas diferentes para realizar flip-flops que respondan al modo de comportamiento que acabamos de describir. La primera de ellas hace uso del acoplo capacitativo de las entradas, de modo que, solamente son transmitidas las variaciones de las seales aplicadas a las mismas.

En la figura observamos que cada condensador Ca en combinacin con la resistencia Ra forman un diferenciador cuya constante de tiempo se calcula teniendo en cuenta el tiempo de subida de la seal aplicada

as como la capacidad de entrada de cada una de las puertas. Su funcionamiento seria:

S' R' S'' R '' Q

Cuando las seales de entrada S' y R' permanecen fijas, se cual sea el nivel lgico de las mismas en los puntos S'' y R'' se mantiene el nivel "0", por lo que el biestable permanece en ese estado indefinidamente. Si en alguna de las entradas se produce una transicin de bajada, se transmite a travs del diferenciador un pulso negativo que no produce ningn efecto sobre el flip-flop. Sin embargo, las transiciones de subida transmiten un pulso positivo que momentneamente llega a los puntos S'' R'' produciendo la transicin correspondiente. En el ejemplo de la figura se ha supuesto que el biestable estaba inicialmente en RESET ("0"), pasando a SET ("1") al detectar el primer flanco de subida de S' y volviendo a RESET con el primer flanco de subida de R'. En realidad hay que tener en cuenta que la capacidad asociada a las entradas de las puertas no es nula, con lo que el diferenciador no ser perfecto.
Ca V1 Ra V1 V2 Capacidad parsita

SEAL APLICADA V2

RESPUESTA DEL DIFERENCIADOR

ts V'

Por otro lado, las seales aplicadas a las entradas tendrn un cierto tiempo de subida (ts). Todo ello hace que la amplitud de la seal transmitida a travs de los diferenciadores sea menor de la previsible en el caso ideal. As pues la amplitud DV' ser menor cuanto mayor sea el tiempo de subida de la seal aplicada, pudiendo incluso, si ste es demasiado grande, no superar la tensin umbral necesaria para ser interpretado como un "1" lgico. Por esta razn, en este tipo de biestables es necesario especificar el tiempo de subida mximo de las seales de entrada. El otro mtodo de lograr el funcionamiento por flancos es el de almacenamiento capacitativo, utilizado en algunos flip-flops de la familia TTL

En principio las puertas AND de la entrada estarn bloqueadas mientras la seal de reloj sea "0". Supongamos que S=1 y R=0. Cuando llegue el flanco de subida del impulso de reloj Ck, la seal S' subir exponencialmente hacia "1", debido al efecto integrador de C1 en combinacin con la resistencia de salida de la puerta 1. Pero al mismo tiempo que Ck se hace "1", Ck' se hace "0" bloqueamos las puertas 3 y 4. En consecuencia, esta transicin no producir ningn efecto en el estado del flip-flop. Por el contrario, al llegar el impulso de bajada de reloj, las puertas 3 y 4 se abren de nuevo, mientras que los condensadores C1 y C2 tienden a mantener su nivel de tensin anterior durante un cierto tiempo. En este caso, como S' es "1" resulta S(neg)=0 y R(neg)=1 , lo que fuerza el SET del biestable bsico constituido por las puertas 5 y 6.

S R Ck S' R' Ck' S (neg) R (neg) Q

t1

t2

t3

t4

En la figura se representa grficamente el funcionamiento descrito, as como el proceso de RESET cuando S=0 y R=1 En este caso, el tiempo de bajada del flanco de reloj no debe ser superior a un cierto valor con el fin de que los condensadores no tengan tiempo a descargarse y se obtengan las seales S(neg) y R(neg) dibujados en la figura a continuacin de los instantes t2 y t4 respectivamente. Tpicamente se especifica que el tiempo de bajada del impulso de reloj sea inferior a 150 ns. (Familia TTL). Por otro lado, obsrvese que durante los instantes en que el reloj est a "1" los condensadores C1 y/ C2 se cargan, proceso que necesita un cierto tiempo. Es preciso especificar tambin la anchura mnima de los impulsos de reloj. (Tpicamente mayor que 20 ns en TTL). 1.8.2 El FLIP-FLOP JK MAESTRO-ESCLAVO con CIERRE DE DATOS (JK M/S WITH DATA LOCKOUT) En este tipo de biestable las entradas son exploradas durante el flanco de subida del reloj, mientras que la actualizacin de la salida se produce a continuacin del flanco de bajada del mismo. Cualquier cambio que se produzca en las entradas durante el tiempo en que el reloj se mantiene a nivel alto no produce efecto sobre la salida. En este caso el flanco de subida es el activo para la toma de datos mientras que el de bajada lo es para la transicin.

RELOJ ENTRADAS TOMA DE DATOS SALIDA TRANSICION

Con el fin de ilustrar las diferencias entre estos dos tipos de biestable y el MAESTRO/ESCLAVO normal, se presenta un ejemplo en el que se supone que la entrada K se mantiene permanentemente a "1" mientras que en la entrada J se aplica una cierta seal.
RELOJ ENT. J

a) b) c)

a) M/S NORMAL b) DISPARADO POR FLANCO NEG c) M/S CON CIERRE DE DATOS

Como puede observarse, el comportamiento es completamente diferente en cada uno de los tres casos estudiados. Obsrvese que todas las transiciones de las salidas coinciden con los flancos de bajada del reloj. El tipo de transicin viene determinada en: a) por el valor de JK durante la duracin del estado alto del reloj b) por el valor de JK en el mismo flanco de bajada c) por el valor de JK en el flanco de subida anterior 1.9 Parmetros de los FLIP-FLOPS Adems de los parmetros caractersticos de la familia lgica a que pertenecen, como son niveles lgicos, fan-out., tc. Cabe destacar una serie de parmetros, ms o menos normalizados, relativos a la temporizacin de las diferentes seales que intervienen en la conmutacin de los flip-flops. De ellos cabe destacar los siguientes:

1.

Tiempo de establecimiento (SET UP TIME). Es el tiempo anterior al flanco activo de toma de datos durante el cual las entradas no deben cambiar.

2. 3. 4. 5. 6. 7.

Tiempo de mantenimiento (HOLD TIME). Es el tiempo posterior al flanco activo de toma de datos durante el cual las entradas no deben cambiar. Frecuencia mxima de reloj. Es la frecuencia mxima admisible de la seal de reloj que garantiza el fabricante. Duracin del tiempo alto de reloj. Es el tiempo mnimo que debe durar la parte alta del impulso de reloj. Duracin del tiempo bajo de reloj. Es el tiempo mnimo que debe durar la parte baja del impulso de reloj. Tiempo bajo de PRESET Y CLEAR. Es el tiempo mnimo que debe activarse las entradas asncronas para garantizar su funcionamiento. Tiempo de retardo o propagacin. Es el tiempo que transcurre desde el flanco activo del reloj que produce la conmutacin y el momento en que sta tiene lugar.

Oscilador enganchado en fase PLL's

PLL's.-INTRODUCCION
El oscilador enganchado en fase es un sistema de realimentacin consistente en un compador de fase, un filtro paso bajo, un amplificador de la seal error y un oscilador controlado por tensin (VCO) en el camino de la realimentacin.

Fig. 1 El esquema de bloques de un sistema bsico PLL se muestra en la Figura 1. Quizs el punto ms importante a tener en cuenta cuando diseamos el PLL es que es un sistema de realimentacin como cualquier otro y, de lo que se deduce, que est caracterizado matemticamente con las mismas ecuaciones que aplican a los otros sistemas de realimentacin ms convencionales. Sin embargo, los parmetros de las ecuaciones son algo diferentes ya que en los PLL's la seal de error de realimentacin es un error de fase mientras que en los convencionales es una seal error de voltaje o corriente.
FUNCIONAMIENTO DE UN PLL El principio bsico del funcionamiento de un PLL puede explicarse como sigue:

Cuando no hay seal aplicada a la entrada del sistema, la tensin Vd(t) que controla el VCO tiene un valor cero. El VCO oscila a una frecuencia, f0 (o lo que es equivalente en radianes Wo) que es conocida como frecuencia librede oscilacin. Cuando se aplica una seal a la entrada del sistema, el detector de fase compara la fase y la frecuencia de dicha seal con la frecuencia del VCO y genera un voltaje de error Ve(t) que es proporcional a la diferencia de fase y frecuencia entre las dos de seales. Este voltaje de error es entonces filtrado, ampliado, y aplicado a la entrada de control del VCO. De esta manera, la tensin de control Vd(t) fuerza a que la frecuencia de oscilacin del VCO vare de manera que reduzca la diferencia de frecuencia entre f0 y la seal de entrada fi. Si la frecuencia de entrada fi est suficientemente prxima a la de f0, la naturaleza de la realimentacin del PLL provoca que el oscilador VCO sincronize y enganche con la seal entrante. Una vez enganchado, la frecuencia del VCO es idntica a la de la seal de entrada a excepcin de una diferencia de fase finita. Esta diferencia de fase neta es Fe, donde: Fe = Fo - Fi es la diferencia de fase necesaria para generar el voltaje de error corrector Vd para conseguir el desplazamiento de la frecuencia libre del VCO para igualarse a la frecuencia fi de la seal de entrada y as mantener el PLL enganchado. Esta capacidad de autocorreccin del sistema tambin permite al PLL "encarrilar" los cambios de frecuencia con la seal de entrada una vez se ha enganchado. La gama de las frecuencias sobre las que el PLL puede mantener el enganche con una seal de entrada se define como gama de enganche o cierre del sistema. La banda de las frecuencias sobre las que el PLL pueden engancharse con una seal de entrada conocida como gama de captura del sistema y nunca es mayor que la gama de enganche. Otros medios de describir la operacin del PLL est en observar que el comparador de fase es en realidad un circuito multiplicador que mezcla la seal de entrada con la seal del VCO. Esta mezcla produce una gama de frecuencias que son sumas y diferencias de frecuencias (fi + fo) y (fi - fo). Cuando el bucle est enganchado (fi = fo ; entonces fi + fo= 2fi y fi - fo=0); de ah que, a la salida del comparador de fase slamente tengamos una componente DC. El filtro paso bajo anula la componente de frecuencia suma por estar (fi + fo) fuera de su ancho de banda pero deja pasar la DC que se amplifica entonces y ataca al VCO. Observar que cuando el bucle est enganchado, la componente diferencia de frecuencia es siempre DC, de tal manera que la gama de enganche es independiente del flanco del ancho de banda del filtro paso bajo.. ENGANCHE Y CAPTURA Consideremos ahora el caso en que el bucle no est an enganchado. El comparador de fase mezcla nuevamente las seales de la entrada y del VCO produciendo componentes suma y diferencia de frecuencia. Sin embargo, la componente diferencia puede caer fuera del ancho de banda del filtro paso bajo y anularse al mismo tiempo con la componente de frecuencia suma. Si este es el caso, no se transmite ninguna informacin al VCO y este permanece es su frecuencia libre incial. Cunado la frecuencia de entrada se aproxima a la del VCO, la componente diferencia de frecuencias disminuye y se acerca el borde de la banda del filtro paso bajo. Ahora alguna componente de la diferencia de frecuencias pasar, haciendo que la frecuencia del VCO se acerque a la frecuencia de la seal de entrada. Esto, producir a la vez, que disminuya la frecuencia de la componente diferencia lo que permite a su vez que pase ms informacin a travs del filtro paso bajo. hacia el

VCO. Esto es esencialmente un mecanismo de realimentacin positiva que provoca que el VCO enganche con la seal de entrada. Teniendo en cuenta lo dicho, podramos definir de nuevo el trmino gama de captura como la gama de frecuencia alrededor de la cual, la frecuencia libre inicial del VCO puede enganchar con la seal de entrada. La gama de captura es una medida de qu frecuencias de seal de entrada debemos tener para enganchar al VCO. Esta gama de captura puede llegar a tener cualquier valor dentro de la gama de enganche y depende en primer lugar del flanco del ancho de banda del filtro paso bajo y en segundo lugar de la ganancia del lazo-cerrado del sistema. Es este fenmeno de captura de seal, el que le da al bucle, las propiedades selectivas de frecuencia.. Es importante distinguir la gama de captura de la gama de enganche que puede, nuevamente, definirse como la gama de frecuencias normalmente centradas alrededor de la frecuencia inicial libre del VCO por el que el lazo puede encaminar a la seal de entrada una vez logrado el enganche. Cuando el lazo est enganchado, la componente diferencia de frecuencia a la salida del comparador de fase (voltaje error) es DC y pasar siempre a travs del filtro paso bajo. As, la gama de enganche estar limitada por la gama de voltaje de error que puede generarse y la correspondiente desviacin de frecuencia producida por el VCO. La gama de enganche es esencialmente un parmetro DC y no est afectada por el ancho de banda del filtro paso bajo. CAPTURA TRANSITORIA El proceso de captura es altamente complejo y no se presta a un anlisis matemtico simple. Sin embargo, una descripcin cualitativa del mecanismo de captura puede entenderse como se indica a continuacin. Sabiendo que la frecuencia es el derivada de la fase con respecto al tiempo, los incrementos (variaciones) de la frecuencia y de la fase en el bucle pueden relacionarse como df =dFe/dt donde df es la variacin de la frecuencia instantnea entre las frecuencias de la seal y del VCO y Fe es la diferencia de fase entre la seal de entrada y la seal del VCO. Si el lazo de realimentacin del PLL se abriera entre el filtro paso bajo y la entrada del VCO, entonces para una condicin determinada de fo y fi la salida del comparador de fase sera un batido sinusoidal a una frecuencia fija df. Si fo y fi se acercaran suficientemente en su frecuencia, este batido aparecera a la salida de filtro con insignificante atenuacin. Supongamos ahora el lazo de realimentacin se cierra conectando la salida del filtro paso bajo a la entrada de control del VCO. La frecuencia del oscilador VCO estar modulada por ese batido de frecuencia.Cuando esto sucede, df ser una funcin de tiempo. Si, durante este proceso de modulacin, la frecuencia del VCO se desplaza acercndose a fi, (es decir, disminuyendo df), entonces dFe/dt disminuye y la salida del comparador de fase variar lentamente en funcin de tiempo. Del mismo modo, si el VCO se modula lejos de fi, dFe/dt aumenta y el voltaje de error, es decir la salida del comparador de fase variar rpidamente en funcin del tiempo. Bajo esta condicin la forma de onda de la nota de batido no ser sinusoidal; sino que estar formado por una serie de picos aperidicos. A causa de su asimetra, esta nota de batido contiene una componente DC finita cuyo valor medio hace tender la frecuencia del VCO hacia fi y se establezca el enganche. Entonces df vale cero.y el voltaje de error DC permanece constante.

El tiempo total que tarda el PLL en establecer el enganche se llama el pull-in-time. Dicho tiempo depende de las diferencias de fase y frecuencia inicial entre las dos seales as como tambin de la ganancia total del lazo y del ancho de banda del filtro paso bajo.Bajo determinadas condiciones , el pull-in-time puede ser ms corto que el perodo de la nota de batido y el el bucle puede cerrar sin ningna oscilacin transitoria. EFECTOS DEL FILTRO PASO BAJO En la manera de comportarse el lazo. El filtro paso bajo efecta una doble funcin. La primera, atenuar y rechazar las componentes de alta frecuencia a la salida del detector de fase, mejorando las caractersticas de rechazo de interferencias, la segunda, proporcionar durante un corto tiempo (memoria del filtro) al PLL asegurando un rescate rpido de la seal si el sistema se sale del enganche debido a algn ruido transitorio. Disminuir el ancho de banda del filtro paso bajo tiene los efectos siguientes sobre el rendimiento de sistema (Constante de Tiempo grande):

a. El proceso de captura llega a ser ms lento, y el pull-in-time aumenta. b. La gama de fecuencias de captura disminuye. c. Las propiedades de rechado de interferencias del PLL mejoran ya que el d.

voltaje de error ocasionado por una frecuencia perturbadora adicional se atenua por el filtro paso bajo. La respuesta transitoria del bucle (la respuesta del PLL a los cambios sbitos de la frecuencia de entrada dentro de la gama de captura) llega a ser muy amortiguado.

Convertidores Analgico Digitales

Convertidores analgicos-digitales. Los convertidores A/D son dispositivos electrnicos que establecen una relacin biunvoca entre el valor de la seal en su entrada y la palabra digital obtenida en su salida. La relacin se establece en la mayora de los casos, con la ayuda de una tensin de referencia. La conversin analgica a digital tiene su fundamento terico en el teorema de muestreo y en los conceptos de cuantificacin y codificacin. Una primera clasificacin de los convertidores A/D, es la siguiente: Conversores de transformacin directa. Conversores con transformacin (D/A) intermedia, auxiliar. Circuitos de captura y mantenimiento (S/H:Sample and Hold). Los circuitos de captura y mantenimiento se emplean para el muestreo de la seal analgica (durante un intervalo de tiempo) y el posterior mantenimiento de dicho valor, generalmente en un condensador, durante el tiempo que dura la transformacin A/D, propiamente dicha. El esquema bsico de un circuito de captura y mantenimiento, as como su representacin simplificada, se ofrece en la figura:

El funcionamiento del circuito de la figura es el siguiente: El convertidor A/D manda un impulso de anchura tw por la lnea C/M, que activa el interruptor electrnico, cargndose el condensador C, dutrante el tiempo tw. En el caso ideal, la tensin en el condensador sigue la tensin de entrada. Posteriormente el condensador mantiene la tensin adquirida cuando se abre el interruptor. En la siguiente figura se muestran las formas de las seales de entrada, salida y gobierno del interruptor.

El grfico tiene un carcter ideal, puesto que tanto la carga como la descarga del condensador estn relacionadas estrechamente con su valor y con el de las resistencias y capacidades parsitas asociadas al circuito. Se recalca el hecho de que el control de la seal C/M procede del convertidor A/D, que es el nico que conoce el momento en que finaliza la conversin de la seal. Conversor A/D con comparadores. Es el nico caso en que los procesos de cuantificacin y codificacin estn claramente separados. El primer paso se lleva a cabo mediante comparadores que discriminan entre un nmero finito de niveles de tensin . Estos comparadores reciben en sus entradas la seal analgica de entrada junto con una tensin de referencia, distinta para cada uno de ellos. Al estar las tensiones de referencia escalonadas, es posible conocer si la seal de entrada est por encima o por debajo de cada una de ellas, lo cual permitir conocer el estado que le corresponde como resultado de la cuantificacin. A continuacin ser necesario un codificador que nos entregue la salida digital.

Este convertidor es de alta velocidad, ya que el proceso de conversin es directo en lugar de secuencial, reducindose el tiempo de conversin necesario a la suma de los de propagacin en el comparador y el codificador. Sin embargo, su utilidad queda reducida a los casos de baja resolucin, dado que para obtener una salida de N bits son necesarios 2N-1 comparadores, lo que lleva a una complejidad y encarecimiento excesivos en cuanto se desee obtener una resolucin alta. Conversor A/D con contadores. Llamado tambin convertidor con rampa en escalera. Usa el circuito ms sencillo de los conversores A/D y consta bsicamente de los elementos reflejados en la figura siguiente:

Un comparador, reloj, circuito de captura y mantenimiento (S&H), contador, conversor D/A y buffers de salida. Una vez que el circuito de captura y mantenimiento (S/H), ha muestreado la seal analgica, el contador comienza a funcionar contando los impulsos procedentes del reloj. El resultado de este contaje se transforma en una seal analgica mediante un convertidor D/A, proporcional al nmero de impulsos de reloj recibidos hasta ese instante.

La seal analgica obtenida se introduce al comparador en el que se efecta una comparacin entre la seal de entrada y la seal digital convertida en analgica. En el momento en que esta ltima alcanza el mismo valor ( en realidad algo mayor) que la seal de entrada, el comparador bascula su salida y se produce el paro del contador. El valor del contador pasa a los buffers y se convierte en la salida digital correspondiente a la seal de entrada. Este convertidor tiene dos inconvenientes: Escasa velocidad. Tiempo de conversin variable. El segundo inconveniente puede comprenderse fcilmente con la ayuda de la siguiente figura, en la que se aprecia que el nmero de impulsos de reloj (tiempo), precisos para alcanzar el valor Vien el conversor D/A depende del valor de Vi.

Dicho tiempo de conversin viene dado por la expresin:

Conversor A/D con integrador. Este tipo de convertidores son ms sencillos que los anteriores ya que no utilizan convertidores D/A. Se emplean en aquellos casos en los que no se requiere una gran velocidad, pero en los que es importante conseguir una buena linealidad. Son muy usados en los voltmetros digitales. Existen dos tipos: Convertidor A/D de rampa nica Consta, como se refleja en la figura, de un integrador, un comparador, un generador de impulsos y un contador con sus buffers de salida.

fig.13-15 En la puesta en marcha tanto el integrador como el contador son puestos a cero por el circuito de control. ....Continuar...

Teorema del Muestreo

Enunciado: Si una seal contnua, S(t), tiene una banda de frecuencia tal que fm sea la mayor frecuencia comprendida dentro de dicha banda, dicha seal podr recontruirse sin distorsin a partir de muestras de la seal tomadas a una frecuencia fs siendo fs > 2 fm.
En la figura se muestra un esquema simplificado del proceso de muestreo.

El interruptor no es del tipo mecnico, puesto que por lo general fs es de bastante valor. Suelen emplearse transistores de efecto campo como interruptores, para cumplir los requerimientos que se le exigen entre los que se encuentran: Una elevada resistencia de aislamiento cuando los interruptores (transistores)estn desconectados. Una baja resistencia si los interruptores estn conectados o cerrados. Una elevada velocidad de conmutacin entre los dos estados de los interruptores. En la siguiente figura se ofrece las formas de las tres seales principales: S(t) seal a muestrear

Sd(t)

seal muestreadora seal muestreada

Desde el punto de vista de la cuantificacin de la seal muestreada, lo ideal sera que el tiempo en que el interruptor est cerrado, fuese prcticamente cero, ya que de otro modo, la seal muestreada puede variar en dicho tiempo y hacer imprecisa su cuantificacin.

Debe tenerse en cuenta que para la reconstruccin de la seal original, a partir de la muestreada, se emplea un filtro de paso bajo, el cual deber tener una funcin de transferencia como se indica en la figura siguiente:

Obsrvese que la respuesta del filtro, debe ser plana hasta una frecuencia, como mnimo, igual a fm, para caer posteriormente de forma brusca a cero, antes de que la frecuencia alcance el valor de fs-fm. Mediante la aplicacin del Teorema del Muestreo, se pueden transmitir varias seales, por un mismo canal de comunicacin. Para ello se muestrea sucesivamente varias seales S1, S2, S3,.... y las seales muestreadas se mandan por el canal de comunicacin. A este sistema se le denomina "multiplexado en el tiempo" Al otro extremo del canal habr que separar las distintas seales muestreadas para hacerlas pasar despus por el filtro paso bajo que las reconstruya

En la figura anterior el multiplexor y el demultiplexor se han representado mediante conmutadores rotativos sincronizados , los cuales, evidentemente no son adecuados, dada la gran frecuencia de giro fs, necesaria en este sistema. Para ello se emplean multiplexores y demultiplexores electrnicos. En este sistema de transmisin de seales es imprescindible, el perfecto sincronismo entre los dos extremos del canal. INTRODUCCION Una parte importantsima en la mayora de los sistemas digitales es la dedicada a contener la informacin que est tratando dicho sistema. Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son almacenados en la memoria. Cada "celda" de la memoria puede almacenar un bit, estando las memorias constituidas por varios miles de estas celdas. El conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posicin de memoria" Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar una informacin digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir: Alta velocidad Bajo precio Gran capacidad de almacenamiento Bajo consumo

Cada uno de estos objetivos se conseguir en mayor o menor medida dependiendo del medio fsico empleado, su organizacin, tecnologa, tc. Por ejemplo, desde la dcada de los aos 1950, las memorias de ncleos de ferrita han predominado como memorias principales en los ordenadores. Sin embargo gracias al desarrollo tecnolgico de los semiconductores en forma integrada y ms concretamente LSI, ha permitido a partir de 1975 se sustituyeran las memorias de ferritas por memorias de tipo semiconductor, por sus ventajas tanto en rapidez como en precio y espacio. Hoy en da las memorias de tipo semiconductor, constituyen el sector ms expansivo dentro de la tecnologa de los semiconductores. Antes de proceder al estudio de las memorias de tipo semiconductor, expondremos ls caractersticas ms importantes de las memorias y una clasificacin general, que dar a su vez paso a una segunda clasificacin de las de tipo semiconductor en forma integrada. CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS Al estudiar los flip-flops o biestables ya se definieron los trminos de lectura y escritura por tratarse de elementos de memoria. Las caractersticas ms importantes de las memorias son: Tiempo de escritura Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la informacin a almacenar en la memoria y el momento en que la informacin queda realmente registrada. Tiempo de lectura Es el que transcurre entre la aplicacin de la orden de lectura, y el momento en que la informacin est disponible en la salida. Tiempo de acceso Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente. Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega. Tiempo de ciclo Despus de una operacin de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de reinscripcin (memorias de ncleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperacin. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso. Tambin denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que sta se halla en disposicin de efectuar una nueva operacin de lectura o escritura. Acceso aleatorio Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posicin de memoria es siempre el mismo. Cadencia de transferencia Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo) Capacidad Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina tambin volumen. Densidad de informacin Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico. Volatilidad Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se produce un corte de alimentacin MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parmetros: Por el modo de acceso: Acceso Aleatorio (RAM) Acceso Secuencial Asociativas Por el modo de almacenamiento: Voltiles No voltiles Por el tipo de soporte

Semiconductoras Magnticas De papel Por su funcin o jerarqua Tampn o borrador: (LIFO,FIFO) Central o Principal De masas POR LA FORMA DE ACCESO Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier informacin puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la clula de memoria elegida. Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una determinada clula, espreciso leer todas las clulas que le preceden fsicamente Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por una direccin. POR EL MODO DE ALMACENAMIENTO Memoria voltil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la informacin en ella almacenada, al cortar la alimentacin. Memoria no voltil.- Retienen la informacin en modo permanente an despus de eliminar o cortar la alimentacin POR EL TIPO DE SOPORTE Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos semiconductores para registrar la informacin Memorias magnticas.- El registro de la informacin se realiza por magnetizacin de un soporte de este tipo. Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel (cinta perforada o tarjeta) permite almacenar una informacin en forma de marca o perforaciones. POR SU FUNCION O JERARQUIA Memorias tampn.- Son generalmente de tipo semiconductor y se caracterizan porque la informacin en ellas se almacena durante un corto periodo de tiempo. Puede decirse que son memorias borrador, de paso o adaptadoras. Son memorias de baja capacidad y acceso rpido, puesto que normalmente se refieren a los registros generales incluidos dentro del propio sistema microcomputador. Su funcin ser, pues, actuar como memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de informacin entre el sistema y las unidades exteriores. Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampn cuyo nombre proviene de la forma de almacenar y extraer la informacin de su interior. FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de espera LIFO (Last in-first out), la ltima informacin introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento. Memoria Central.- Es la que est incorporada en la Unidad Central de Proceso de un ordenador. Su misin consiste en almacenar los programas y los datos implicados en la ejecucin de las sucesivas instrucciones. Hasta hace algunos aos, las memorias centrales estaban formadas a partir de ncleos de ferrita o por hilos plateados. Actualmente, este tipo de memorias ha sido desplazado definitivamente por las memorias integradas a semiconductores. Y la memoria central del sistema est formada por la asociacin de un nmero de chips de memoria RAM y ROM a semiconductores, mayor o menor, segn la capacidad de almacenamiento requerida por el sistema. Clasificacin:

Segn el modo de lectura

1. Lectura destructiva: al leer el contenido de una posicin de memoria, la informacin almacenada desaparece. Este tipo de memoria precisa de una regeneracin del contenido, despus de efectuada una operacin de lectura. 2. Lectura no destructiva: donde la operacin de lectura no provoca la prdida de la informacin almacenada. Hay que hacer constar que la casi totalidad de las memorias centrales modernas pertenecen a este grupo.

Segn el modo de retener la informacin

1. Voltiles: para que el contenido permanezca memorizado, es necesario una fuente de alimentacin. Al desconectarla, se pierde la informacin almacenada. Las memorias RAM pertenecen a esta categora. 2. No voltiles: la informacin persiste an desconectando la fuente de alimentacin de la unidad de memoria, esto es, el contenido es memorizado sin consumo energtico. Las memorias centrales ROM son ejemplo de lo dicho. Memoria de masas.- Es la memoria auxiliar de tipo externo de un ordenador. Son memorias de acceso aleatorio o directo y de elevada capacidad. No son estrictamente imprescindibles dentro del sistema microcomputador, como ocurre en las centrales. Se emplean como bloques de almacenamiento auxiliar, con una velocidad de transferencia de informacin elevada. Habitualmente este tipo de memorias contiene el archivo de informacin que manipula el sistema dentro del conjunto de aplicaciones al que se halla orientado. Para que el mricroprocesador pueda procesar la informacin almacenada en una memoria de tipo de masas, sta debe pasar primeramente al interior de la memoria central del sistema. En virtud del tipo de transferencia empleado, por bloques, la caracterstica bsica de las memorias de masa es el caudal de transferencia o nmero de palabras de informacin que puede transferirse por unidad de tiempo. El caudal se expresa en Kbytes o Mbytes por segundo. Las memorias de masa que alcanzan mayor difusin en el campo de los microordenadores son los discos magnticos, ms concretamente los discos magnticos flexibles o "Floppy disk". Memorias de fichero Al igual que las anteriores, este tipo de memorias son auxiliares de la meoria central de microcomputador. La diferencia radica en que las memorias de fichero estn caracterizadas por una velocidad de transferencia sustancialmente inferior a las de masa.

El acceso a la informacin almacenada se efecta de forma secuencial. Por lo tanto, el tiempo de acceso a determinada informacin depende de su emplazamiento sobre el soporte fsico. En definitiva, el acceso a las memorias de fichero no es aleatorio, de ahi que su velocidad de transferencia sea variable y en general reducida. Como contrapartida a su baja velocidad de trabajo, las memorias de fichero suelen ser relativamente econmicas (Cintas magnticas o cassettes) Por ltimo, cabe precisar que dada su caracterstica de acceso no aleatorio, la velocidad de una memoria de fichero se define a partir del "Tiempo medio de acceso" respecto a las posiciones extremas de almacenamiento. MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. CLASIFICACION Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en tecnologa bipolar como MOS Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como caracterstica principal, subdividindolas en la forma de almacenamiento y por ltimo en la tecnologa empleada. MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM) Usualmente se reserva el trmino RAM para aquellas memorias que permiten leer y escribir en ellas. Para

aquellas que siendo del siendo del tipo RAM (Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el trmino ROM o RPROM tc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una informacin sobre ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write) respectivamente.

Fig. 1 Su funcionamiento es el siguiente: Situar en los terminales de DIRECCION la combinacin adecuada a la clula de memoria a operar. En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por ltimo permitir el funcionamiento de la memoria, es decir, validar el proceso con C="1". En la salida de datos obtendremos la informacin almacenada en la direccin de memoria correspondiente. En el caso de escritura, adems de la direccin adecuada es preciso situar en los terminales de "entrada de datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deber ponerse a "1". Por ltimo, validar la operacin con C="1", la informacin a la entrada de datos quedar registrada en la direccin de memoria indicada.

Veamos un diagrama de los tiempos de las seales que intervienen en la operacin

Ciclo de lectura

CS

Ciclo de escritura AUTORIZACION DE FUNCIONAMIENTO

Una vez expuesto el principio de una memoria RAM en general, vamos a ver cmo estn realizadas las de tipo semiconductor. Se pueden clasificar en dos grupos: Las RAM estticas estn basadas en estructuras biestable con un tipo de transistor u otro. Las RAM dinmicas estn formadas por clulas dinmicas, (registros de desplazamiento dinmicos), las cuales estn basadas en el aprovechamiento de las capacidades estructurales de los transistores MOS, para almacenar una carga determinada. Como sabemos, cada clula de memoria es capaz de almacenar 1 bit. Sin embargo, la forma de trabajo habitual de los sistemas digitales, obliga a almacenar grandes cantidades de informacin, bien en forma de bits aislados, o bien en forma de palabras. Ello da lugar a dos tipos diferentes de organizacin de las memorias RAM En la organizacin por palabras, al direccionar una posicin de memoria, se tiene a la salida una palabra que puede estar constituida por 6, 8, 12, 16, 32, 64 incluso ms bits. Sin embargo, al direccionar una posicin de memoria organizada en bits, slo se obtiene un bit de salida. Para poder introducir datos en la memoria, y para poder sacarlos de ella, cada posicin de memoria viene dada por su correspondiente "direccin". La direccin es, pues, una palabra binaria que define la posicin. Es importante distinguir entre lo que es una direccin de una posicin de memoria, y el dato que puede ser almacenado en esa direccin. En general a nivel de pastillas de memoria en C.I. los fabricantes, ponen a disposicin del usuario organizaciones de un bit (por ejemplo: 256 X 1 bits, 4096 x 1 bits, tc.) que asociadas en paralelo permiten obtener palabras de la longitud requerida. Memoria RAM esttica.Las memorias estticas tiene clulas de memoria en forma de flip-flops o biestables. Por tanto, como los flip-flops pueden ser unos ms rpidos que otros, as ocurrir con las memorias. Si se desea una memoria rpida puede elegirse una RAM a base de flip-flops en TTL Schottky o ECL. Si se desea una memoria barata aunque lenta, puede realizarse a partir de flip-flops con MOS. Si el consumo ha de ser extremadamente bajo, deber elegirse una RAM CMOS. RAM esttica bipolar Una clula de memoria en una memoria bipolar est constituida por un flip-flop sencillo a base de transistores bipolares. RAM ORGANIZADA EN PALABRAS (Ver Fig. 1)

L i n e a s
A0

d e

A1

P a
ENTRADAS/SALIDAS

l a b r a

RAM ORGANIZADA EN BITS

Estos biestables constan de dos transistores multiemisores en acoplamiento cruzado

LINEA DE SELECCION DE PALABRA En condiciones normales, un transistor se encontrar siempre saturado y el otro en estado de bloqueo. ? Para leer el estado del biestable, se eleva la tensin de la lnea de palabra y el transistor saturado dejar pasar corriente a travs de la lnea de bit, lo que a su vez es detectado para determinar el estado del biestable.. ? Para escribir datos, la tensin de la lnea de palabra se eleva nuevamente y la tensin de una de las lneas de bit se baja, provocando que el transistor asociado a esta lnea de bit se sature. En la matriz de memoria, todas las celdas de una columna comparten la misma lnea de bit, y todas las celdas en una fila tienen la misma lnea de palabra. En cuanto al biestable de una memoria MOS esttica, su celda corresponde a la estructura siguiente, formada utilizando transistores unipolares MOS de acumulacin.

LINEA DE SELECCION DE PALABRA Los transistores T1 y T2 trabajan en conmutacin y son los encargados de almacenar el bit de informacin. Por su parte T3 y T4 actan como puerta de intercambio con el exterior. Cada uno de ellos canaliza una informacin binaria (0 1) desde la lnea de bit correspondiente hasta el transistor de almacenamiento Cuando T3 y T4 se hallen en reposo, el biestable permanece aislado del exterior, preservando la informacin memorizada. La escritura de un bit "0" "1" se produce al excitar, a travs de T3 o T4 , al par T1-T2; uno de los dos transistores pasar a saturacin, mientras que el otro evolucionar hacia el estado de bloqueo (OFF) Dependiendo de la transicin de estados del par T1-T2 , el punto de memoria almacenar un estado lgico u otro. Para leer la informacin almacenada, se introduce un impulso de tensin a travs de la lnea de seleccin, lo que provocar una corriente a travs de la rama T1-T3 o T2-T4, segn sea "0" o "1" el bit almacenado. En definitiva, la lectura se efecta detectando la presencia de corriente en una u otra lnea de bit. Para terminar, diremos que el mayor inconveniente de las RAM estticas lo constituyen su elevado consumo energtico, comparativamente con las dinmicas. Ello se debe, como hemos visto, a que las resistencias R1 y R2 consumen permanentemente, al mantener el estado lgico en el que se halla posicionado el biestable. El hecho de que cada celda de memoria incorpore un notable nmero de componentes, tambin limita las posibilidades de integracin de este tipo de memorias.

Algunos ejemplos comerciales de RAM estticas Nos referiremos a continuacin a modelos reales de memoria de lectura/escritura. Para cada uno de estos integrados se dan sus caractersticas bsicas ms importantes, asi como su esquema de bloques y relacin de patillas. La primera caracterstica de cada una de ellas es su organizacin de almacenamiento o nmero de palabras de "n" bits que memoriza, extremo importante puesto que especificando su capacidad podemos deducir el nmero de lneas de direcciones y datos que acceden a la memoria en cuestin. Por ejemplo, una memoria de 128 palabras de 8 bits cada una (128x8), estar dotada de 7 entradas de direccionamiento y poseer 8 lneas de datos. Esto es lgico ya que para seleccionar los 128 bytes son necesarias 128 configuraciones de direccionamiento, ( 128=27 ), lo que significa que existirn 7 lneas de direcciones. Al mismo tiempo, puesto que cada palabra es de 8 bits, se requerirn 8 lneas para canalizar la entrada y salida de datos. As pues, observaremos los siguientes tipos de lneas: A0-An: entradas de direcionamiento. D0-Dn: entrada/salida de datos R/W : contro lectura/escritura. CS0-CSn: seleccin de chip Las entradas CS pueden ser una o varias y a su vez pueden activarse por niveles "0" "1" lgicos. En el caso de existir varias CS, stas suelen estar cableadas internamente en forma de puerta "Y". En consecuencia, la seleccin de chip se conseguir cuando todas las entradas reciban simultneamente sus posicionamientos activos. RAM esttica 6810 Est organizada en 128 palabras de 8 bits y se emplea mucho en los sistemas basados en el microprocesador 6800 de Motorola, debido a la facilidad de adaptacin. Dispone de 6 entradas CS: dos con activacin alta y cuatro con nivel bajo. Sus caractersticas ms sobresalientes son: Organizacin 128 X 8 bits Tecnologa NMOS Alimentacin 5 V Disipacin tpica 130 mW E/S datos Bidireccional y tri-estado Encapsulado DIL 24 patillas

GND Vcc D0 A0 D1 A1 D2 A2 D3 A3 D4 A4 D5 A5 D6 A6 D7 R/W CS0 CS5

CS1 CS4 CS2 CS3

? RAM esttica 2114 Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lgica tri-estado para permitir su desconexin virtual del bus de datos. Las lneas de control son dos: CS y WE Esta segunda lnea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operacin efectuada ser de escritura; y si WE = 1 ser de lectura. Sus caractersticas ms sobresalientes son: Organizacin 1024 X 4 bits Tecnologa NMOS Alimentacin 5 V Disipacin tpica 300 mW E/S datos Bidireccional y tri-estado Encapsulado DIL 18 patillas Vemos que para direccionar 1024 posiciones necesitamos 10 patillas puesto que 210=1.024 Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla Para selecccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla Para alimentacin 2 patillas El nmero de patillas del integrado es pues de 18.

A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS

Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 GND WE