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EE641 - LABORATRIO DE ELETRNICA BSICA II

Roteiro - Aula 2
Bloco 1 Sensor de temperatura
O objetivo desta primeira etapa projetar um circuito para tratar o sinal de um sensor de temperatura, de forma a obter na sada do circuito um sinal em tenso, com amplitude proporcional temperatura, da forma: Vout = 10 mV x T(oC) Como o intervalo de interesse de medida de temperatura de 0 a 100 oC, o sensor de temperatura que iremos usar ser um transistor bipolar, de preferncia com encapsulamento metlico, para facilitar a troca de calor entre o ambiente onde estamos fazendo a medida e o silcio que forma o transistor. O VBE de um transistor bipolar varia com a temperatura da seguinte forma:
( ) ) ]

( )

[(

( )]

(1.1)

Onde: = tenso de bandgap do silicio extrapolado para 0 K ( 1170 mV) = constante de Boltzmann = carga do eltron = parmetro dependente do processo de fabricao ( 3,5) = temperatura de referncia ( )= tenso de base para o emissor do transistor na temperatura O primeiro termo da equao 1.1 uma CTAT (Complementary To Absolute Temperature) e tem uma variao determinada por:
( ) ) ] ( ) (1.2)

que para valores tpicos de 2 mV/C aproximadamente.

= 570 mV medidos a 300 K apresenta um resultado conhecido de

O segundo termo da equao 1.1 apresenta uma dependncia no linear com a temperatura, porm muito pequena quando comparada ao . Como possvel notar na figura 1, o valor mximo do erro no linear V para uma variao de temperatura de K em torno da temperatura de 296 K. Este um erro de 2 ppm quando comparado ao valor de VBE e para nossa aplicao ele ser desprezado.

Figura 1. No linearidade de VBE(T) em funo da temperatura. O problema do nosso projeto do circuito condicionador de sinal para o sensor de temperatura est, portanto, bem definido. Precisamos de um circuito que transforme as variaes do nosso sensor de temperatura, um transistor bipolar que apresenta VBE/T 2 mV/oC, em um sinal que siga a expresso Vout = 10 mV x T(oC). Um sinal com esta caracterstica ir nos permitir usar o sinal para controlar a temperatura do local onde o sensor est, mas tambm ir informar o valor da temperatura no sensor, se usarmos um voltmetro. No voltmetro teremos uma leitura de 10mV por oC, de forma que, por exemplo, uma leitura de 500mV no voltmetro indica uma temperatura de 50 oC no sensor. Para projetar o circuito vamos precisar de: um circuito para polarizar o transistor, um circuito para amplificar as variaes de VBE/T = 2 mV/oC e transform-las em +10 mV/oC, e, finalmente, um circuito para calibrar o sensor. O primeiro circuito bastante simples, e utiliza um amplificador operacional CI2 para manter a corrente de coletor no transistor constante, alm de manter a tenso no coletor e na base (esto ligados juntos) tambm constante. A tenso na base (e no coletor) idealmente seria zero volt, porm, na realidade, devido s imperfeies do op-amp, esta tenso no ser zero, mas sim alguns mV positivos ou negativos. Na Figura 2 temos o circuito que ser usado para polarizar o transistor. Deve-se projet-lo de forma a fornecer uma corrente de coletor em Q1 da ordem de 500 A.

+12V

Sensor
R0 +12V

R1

6 5 2 7 U1B LM324AN

Q1 2N2222

Q3 BC546B GND

11

R2

P1

-12V Vtemp Vtemp

R3 Q2 BC546B

GND GND

Figura 2. Circuito de polarizao do transistor

Como a base do transistor est com tenso zero (ou muito prxima de zero), a tenso de sada no opamp igual a VBE(Tambiente), e deve ser algo em torno de 600mV, para um transistor conduzindo 500 A. A variao da tenso na sada do op-amp ser a variao do VBE do transistor, ou seja, 2 mV/ oC. O divisor de tenso na sada do op-amp, composto por R2-R3, no necessrio, e foi includo apenas para mostrar como podemos alterar no apenas uma tenso, mas tambm a sua variao com a temperatura. Fazendo R2 = R3, a tenso Vtemp que teremos no divisor ser de VBE/2 (cerca de -300 mV), e a sua variao com a temperatura tambm ser dividida por dois, ou seja, a variao da tenso no divisor com a temperatura ser de (2mV/oC) / 2 = 1 mV/oC. Nesta etapa voc dever projetar R1 de forma a que a corrente no coletor do transistor seja de 500 A (considere a corrente de entrada do op-amp igual a zero e despreze a corrente de base, j que voc est interessado em obter um valor prximo de 500 A no coletor, e a corrente de base Ib do transistor , em geral, para um transistor de baixa potncia, menor do que 1% da corrente Ic). Os transistores Q2 e Q3 formam uma referncia de tenso de aproximadamente 9V com compensao trmica. Q3, polarizado reversamente, opera como um diodo zener, cuja tenso de ruptura fica em torno de 8,4 V para uma corrente de 3,5 mA. Q2 mantem a tenso de VBE em torno de 0,6V para essa mesma corrente. Por estarem opostamente polarizados, as variaes de VBE em funo da temperatura dos dois transistores se anulam, mantendo a referncia de tenso independente da variao da temperatura. O clculo do divisor R2-R3 deve ser feito levando em conta que o op-amp que estamos usando (LM324) no pode absorver correntes elevadas na sua sada (a corrente de absoro mxima garantida pelo fabricante de 5mA).

Podemos utilizar um valor bem baixo de corrente, para economizar energia e no sobrecarregar o opamp. Um valor de corrente no divisor da ordem de 300 A bastante razovel. Se levarmos em conta que o op-amp j est absorvendo 500 A do transistor, teremos a corrente total absorvida pelo op-amp igual a aproximadamente 800 A, o que est bem dentro dos limites suportados pelo op- amp. Devemos, agora, projetar um circuito que transforme a tenso existente na sada do divisor (que de cerca de 300 mV e possui uma variao trmica de 1 mV/oC), em uma tenso que possua as seguintes caractersticas: uma variao de +10 mV/oC apresente um valor de 250 mV temperatura ambiente (assumindo que a temperatura do laboratrio neste momento seja 25 oC). Na realidade, possvel calibrar o sensor, por exemplo, imergindo o transistor em um banho de gua com gelo, em equilbrio trmico, a 0 oC, e ajustando o circuito para que a tenso de sada fosse igual a zero mV. No entanto, no nosso caso, podemos medir a temperatura ambiente com qualquer termmetro calibrado e usar esta referncia para calibrar o circuito. Tambm possvel ter uma ideia de referncia de temperatura ao segurar o transistor firmemente com as mos e calibrar a tenso de sada para cerca de 340 mV (assumindo que a temperatura nas mos seja de 34 oC, um pouco inferior temperatura corprea). A primeira observao importante que temos que fazer observar que a tenso no divisor, como negativa, ao variar 1 mV/oC, ir, efetivamente, aumentar de valor conforme a temperatura aumenta. Basta vermos um exemplo numrico para entender o que acontece. Vamos assumir que a temperatura inicial de 25 oC e a tenso no transistor e no divisor so, respectivamente, - 600 mV e - 300 mV. Se a temperatura aumentar para 35 oC (variao de +10 oC), teremos uma variao no VBE do transistor de 20 mV, pois VBE/T = 2 mV/oC, e a tenso no transistor ir ser de 580 mV, enquanto que no divisor teremos a metade disto, ou seja, 290 mV. Como vemos, as tenses no transistor e no divisor aumentaram, pois ficaram menos negativas! Com isto observado, vemos que para transformar a variao de 1 mV/oC em +10 mV/oC, basta projetarmos um amplificador com ganho igual a 10, e somarmos uma constante a este valor. A constante que se deve somar de 3.250 mV, como vemos na tabela abaixo, onde mostramos todas as tenses no circuito, e a tenso de sada aps somarmos 3.250 mV na sada do amplificador de ganho 10. Temperatura -VBE (mV) 25 35 125 -600 -580 -400 Vdivisor (mV) Vdivisor x 10 (mV) Vdivisor x 10 + 3.250 (mV) -300 -290 -200 -3.000 -2.900 -2.000 250 350 1.250

O circuito que executa esta funo bastante simples, pois precisamos apenas de um amplificador no inversor de ganho 10 e um amplificador somador (para somar os 3250 mV). No entanto, para economizarmos componentes, podemos realizar os dois amplificadores usando apenas um op-amp,

como indicado na Figura 3, onde a tenso de sada no terceiro circuito foi obtida atravs da aplicao do teorema da superposio, que justamente a soma das sadas dos dois primeiros circuitos. Ainda possvel, neste ponto, melhorar a preciso do sensor. Embora a variao de VBE dos transistores seja muito prxima a 2 mV/oC, como os transistores podem apresentar diferentes variaes de VBE em funo do processo de fabricao, desejvel medir o VBE do transistor em uso e aplicar a equao 1.2 para saber a exata variao de VBE deste transistor em funo da temperatura. Em posse desse valor, possvel redimensionar o divisor resistivo de forma que a variao em Vtemp seja de 1 mV/oC, ou mesmo calcular os valores dos resistores R4 e R5 para projetar com melhor exatido o ganho do amplificador, garantindo que sua saida apresente exatamente a variao de +10 mV/oC.
R4 +12V

R5

2 3 1 1 U1A LM324AN Vout

Vtemp GND

+12V

R5 Vcal

2 3 1 1 U1A LM324AN Vout

11

Vout = (1 + R4/R5) x Vtemp

-12V R4

GND -12V R4 = 9R +12V

R5 = R Vcal Vtemp

2 3 1 1 U1A LM324AN Vout

11

Vout = - (R4/R5) x Vcal

11

Vout = (10 x Vtemp) - (9 x Vcal) Vout = 10 x Vtemp + 3.250 mV

Com R5 = R, R4 = 9R e Vcal = -361,11 mV, temos:


-12V

Figura 3 Exemplo do amplificador no inversor de ganho 10 e soma de Vcal