TEORIA DE BANDAS

En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la estructura electrnica de un material como una estructura de bandas electrnicas, o simplemente estructura de bandas de energa. La teora se basa en el hecho de que en una molcula los orbitales de un tomo se solapan produciendo un nmero discreto de orbitales moleculares. Conformacin de las bandas de energa Cuando una gran cantidad de tomos se unen, como en las estructuras slidas, el nmero de orbitales de valencia (los niveles de energa ms altos) es tan grande y la diferencia de energa entre cada uno de ellos tan pequea que se puede considerar como si los niveles de energa conjunta formaran bandas continuas ms que niveles de energa como ocurre en los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos intervalos de energa no contienen orbitales, independiente del nmero de tomos agregados, se crean ciertas brechas energticas entre las diferentes bandas. Dentro de una banda los niveles de energa son tan numerosos que tienden a considerarse continuos si se cumplen dos hechos: 1. Si la separacin entre niveles de energa en un slido es comparable con la energa que los electrones constantemente intercambian en fotones 2. Si dicha energa es comparable con la incertidumbre energtica debido al principio de incertidumbre de Heisenberg, para periodos relativamente largos de tiempo.

Bandas de energa en un solido Bandas de energa La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de valencia de los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin elctrica. La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente elctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente elctrica debe haber poca o ninguna separacin entre la BC y la BV (que pueden a llegar a solaparse), de manera que los electrones puedan saltar entre las bandas. Cuando la separacin entre electrones sea mayor, el material se comportar como un aislante. En ocasiones, la separacin entre bandas permite el salto entre las mismas de solo algunos electrones. En estos casos, el material se comportar como un semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en este caso se produzca deben darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el material se encuentre a altas presiones, a una temperatura elevada o se le aadan impurezas (que aportan ms electrones). Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones.

Teora de Bandas: Conductores, aisladores y semiconductores Conductores y Aisladores Los metales se caracterizan por su alta conductividad elctrica. Considrese, por ejemplo, el magnesio metlico. La configuracin electrnica del Mg es [Ne]3s2, de modo que cada tomo tiene dos electrones de valencia en el orbital 3s. En un metal los tomos se encuentran empacados muy cerca unos de otros de tal forma que los niveles energticos de cada tomo de magnesio se ven afectados por los de los tomos vecinos, lo cual da lugar a traslape de orbitales. La interaccin entre dos orbitales atmicos conduce a la formacin de un orbital molecular de enlace y otro de antienlace. Como el nmero de tomos existente incluso en un pequeo trozo de sodio metlico es demasiado grande, el correspondiente nmero de orbitales moleculares que se forman es tambin muy grande. Estos orbitales moleculares tienen energas tan parecidas que se describen en forma ms adecuada como una "banda". Este conjunto de niveles tan cercanos en energa se conoce como banda de valencia, como se muestra en la figura 1. La parte superior de los niveles energticos corresponde a los orbitales moleculares deslocalizados vacos, que se forman por el traslape de los orbitales 3p. Este conjunto de niveles vacos cercanos energticamente se llama banda de conduccin.

Figura 1 Se puede imaginar al magnesio metlico como un conjunto de iones positivos inmerso en un mar de electrones de valencia deslocalizados. La gran fuerza de cohesin resultante de la deslocalizacin es en parte responsable de la fortaleza evidente en la mayora de los metales. En virtud de que las bandas de valencia y de conduccin son adyacentes, se requiere slo una cantidad despreciable de energa para promover un electrn de valencia a la banda de conduccin, donde adquiere libertad para moverse a travs de todo el metal, dado que la banda de conduccin carece de electrones. Esta libertad de movimiento explica el hecho de que los metales sean capaces de conducir la corriente elctrica, esto es, que sean buenos conductores. Por qu las sustancias como la madera o el vidrio no conducen la electricidad? La figura 1 da una respuesta a esta pregunta. Bsicamente, la conductividad elctrica de un slido depende del espaciamiento y el estado de ocupacin de las bandas de energa. Otros metales se parecen al magnesio en el hecho de que sus bandas de

valencia son adyacentes a las de conduccin y, por lo tanto, estos metales actan fcilmente como conductores. En un aislante la brecha entre las bandas de conduccin y de valencia es considerablemente mayor que en un metal: en consecuencia, se requiere mucho mayor energa para excitar un electrn a la banda de conduccin. La carencia de esta energa impide la libre movilidad de los electrones. El vidrio, la madera y el hule son aislantes comunes. Semiconductores Numerosos elementos, en especial el Si y el Ge del grupo 4A, o grupo 14, tienen propiedades intermedias entre las de los metales y las de los no metales y, por ello se denominan elementos semiconductores. La brecha energtica entre las bandas llenas y las vacas en estos slidos es mucho menor que en el caso de los aislantes (vase la figura 1), si se suministra la energa necesaria para excitar electrones de la banda de valencia a la de conduccin, el slido se convierte en un conductor. Ntese que este comportamiento es opuesto al de los metales. La capacidad de un metal para conducir la electricidad disminuye al aumentar la temperatura, ya que se acenta la vibracin de los tomos a mayores temperaturas y esto tiende a romper el flujo de electrones. Dentro de los slidos semiconductores estn el germanio y el silicio. Tanto uno como el otro tienen cuatro electrones en la rbita externa, la que por su distancia al ncleo correspondera que tuviese ocho electrones para lograr una configuracin estable. Admitiremos como principio que entre varios estados posibles los sistemas de la naturaleza tienden a tomar el de mayor estabilidad, es por esto que tanto el Ge como el Si cuando se solidifican toman una estructura cristalina tal que cada tomo tiene a otros cuatro a su alrededor compartiendo con ellos un electrn en coparticipacin ignorando la estabilidad de ocho electrones que necesita en su ltima capa. En consecuencia cerca del cero absoluto el germanio tiene todos sus electrones con baja energa dentro de las bandas de valencia y se transforma en un aislador absoluto. En cambio a temperatura ambiente alguno de los electrones toma la energa necesaria para pasar a la banda de conduccin y el germanio se comporta como un semiconductor(Ver figura 2.). El electrn que se independiza de la atraccin del ncleo se convierte en electrn libre y origina en la covalencia que se destruye, la ausencia de una carga negativa o pozo positivo, que se denomina, laguna o agujero. Se admite que esta laguna o agujero se va corriendo sucesivamente a travs del slido, pues puede ser llenada por electrones de covalencias vecinas originando en ellas el nuevo hueco (ver figura 3).

Cerca del O K, - Temperatura Ambiente Figura 2.

Figura 3. La movilidad del agujero puede ser simulada por estudiantes. Cinco estudiantes son electrones y una silla vaca es un agujero. Por cada movimiento de los estudiantes una silla hacia la derecha (flechas oscuras) produce un resultado que es equivalente a una silla vaca que mueve a la izquierda (flechas blancas). (Ver analoga en figura 4.)

Figura 4. La conductividad que presenta un semiconductor a temperatura ambiente se denomina conductividad intrnseca y mejora con la temperatura. Si a un trozo de Ge se le aplica una diferencia de potencial sta lograr orientar los electrones de manera tal que recorran el circuito dirigindose hacia el polo positivo mientras que las lagunas se orientan recorriendo el circuito hacia el polo negativo. Por supuesto que un electrn que se dirige al polo positivo saliendo del semiconductor y creando una nueva laguna ser compensado por otro electrn que entra por el polo negativo llenando otra laguna y manteniendo de esta manera el nmero de electrones y lagunas originales.

Las lagunas y los electrones en estado libre en un semiconductor son los llamados portadores de corrientes. Conviene aqu citar las experiencias de Rouland quien demostr que se lograban los mismos efectos electromagnticos haciendo girar a gran velocidad cargas elctricas positivas o negativas en sentido contrario. En otras palabras podramos decir que la corriente elctrica es la accin conjunta del desplazamiento de electrones en un sentido y de lagunas en sentido contrario.

Semiconductores impurificados Semiconductores del tipo "n": La impurificacin consiste en agregar al semiconductor tomos de otros elementos, hablamos de una contaminacin de un tomo contaminante por cada 108 tomos de la red. Una de las impurezas usadas es el Arsnico que tiene 5 electrones en la ltima capa, necesitando 3 para lograr la configuracin estable de 8 electrones. Poniendo en condiciones adecuadas de presin y temperatura cristales de Ge en presencia de As, el mismo desplaza a los tomos de Ge y con 4 de sus electrones forma 4 covalencias compartiendo electrones con otros cuatro tomos de Ge logrando 8 en la ltima capa a expensas de liberar el quinto a la red. El electrn libre que se incorpora al slido mejora la conductividad del mismo porque se aumenta dentro del slido el nmero de portadores de corriente.

El ion arsnico (+) que se forma constituye una laguna fija ya que los electrones de la rbita externa estn formando una configuracin estable sin necesidad que intervenga otro electrn. El nuevo semiconductor formado por la contaminacin se llama semiconductor de tipo "n". La impureza que lo origin, en este caso el arsnico, se llama impureza donadora; porque dona un electrn a la red. Como lo que se ha aumentado es el nmero de electrones libres en los semiconductores del tipo "n", a los electrones se los llama portadores hereditarios, ya que estos predominan respecto de las lagunas. Semiconductores del tipo "p" El Ge se puede contaminar tambin con otras impurezas como el Boro o el Indio. Tanto uno como el otro tienen 3 electrones de valencia en la ltima capa y tambin en condiciones adecuadas de presin y temperatura estos pueden sustituir a un tomo de Ge de la red, pero al hacer esto en las covalencias vecinas faltara un electrn generando un hueco positivo llamado laguna. sta genera estabilidades y tiende a ser llenada con electrones de covalencias vecinas pasando el hueco o la laguna (+) alternativamente entre los tomos de la red, es decir contrariamente a lo que haca el Arsnico , el Boro deja lagunas libres forzando a los electrones a ocuparlas y haciendo que estos queden en minora resultando como portadoras mayoritarias las lagunas. Este nuevo semiconductor se denomina del tipo "p" y a la impureza, "aceptora".

Cuando la conduccin es dominada por impurezas de aceptor o donador el material se denomina semiconductor extrnseco. Unin p-n Una unin p-n se obtiene por la unin de un semiconductor tipo "p" y uno "n". En el tipo "p" los portadores mayoritarios son lagunas y tratarn de difundirse hacia el "n" por lo contrario los portadores mayoritarios del "n" que son los electrones tratarn de difundirse ocupando parte de "p". Pero tanto uno como otro semiconductor son neutros, cada electrn que deja el "n" y pasa al "p" carga negativamente al "p" y positivamente al "n" y cada laguna que pase del "p" al "n" aumenta tambin la positividad de "n" y la negatividad de "p". Al principio los primeros electrones y lagunas que difunden cerca de la juntura no encuentran resistencia de ningn campo elctrico pero a medida que van cruzando la unin van dejando una zona sin portadores y creando un potencial elctrico intenso que acta en contra del movimiento de otros portadores que quieren intentar el mismo camino. Llega un momento que los portadores que no han cruzado la unin, si quieren hacerlo necesitan energa extra para vencer el potencial y pasar la zona deprimida que es del orden de un micrn.

El ancho de la zona deprimida depende de la concentracin de los portadores mayoritarios. El dispositivo que venimos analizando constituye lo que se llama un diodo semiconductor de estado slido. Cuando al diodo se le aplica externamente una diferencia de potencial como si estuviera en paralelo con una pila imaginaria que form el potencial de la unin, los electrones del lado n no pueden pasar al lado p porque la pila con su lado positivo refuerza la barrera de potencial.

Por la misma razn las lagunas tampoco pueden pasar al lado n porque el potencial negativo de la pila refuerza la barrera de potencial de la unin. Tambin podemos decir que no circular ninguna corriente porque la pila exterior ensancha mucho la zona deprimida. En realidad siempre circula una corriente pequea debida a los portadores minoritarios. La polarizacin del diodo realizada de esta forma se llama polarizacin inversa, es decir si el diodo se polariza inversamente no conduce corriente. Si invertimos la polarizacin de los portadores mayoritarios toman la energa necesaria para atravesar la unin venciendo la barrera de potencial y a sta se la denomina polarizacin directa. En forma no muy rigurosa podemos decir que un diodo polarizado directamente se comporta como un interruptor cerrado mientras que inversamente polarizado como uno abierto. El signo que se utiliza para individualizar a un diodo en un circuito es el siguiente:

A veces el ctodo viene marcado con un punto rojo sobre la cpsula del diodo y otras con una banda negra prxima al extremo que hace al ctodo. La relacin que existe entre la tensin aplicada a un diodo y la corriente no sigue la ley de ohm, sino que tiene una dependencia no lineal como muestra la siguiente grfica. La tensin de polarizacin directa que vence la barrera de potencial natural del diodo se denomina tensin de umbral y es menor en los diodos de germanio que en los de silicio. Pasada esta tensin se pueden lograr grandes cantidades de corriente como muy pocas cadas de potencial debido a la resistencia interna del diodo (aprox. 1 V).