Fontes Chaveadas

Conversores CC-CA (Inversores)

Prof. M. Eng. Vi tor Leonardo Yoshimura

1 Introduo
Os onversores - a, mais omumente hamados de

inversores, so ir uitos om que realizam a onverso

estti a de uma tenso (ou orrente) ontnua em uma tenso (ou orrente) alternada. Existem diversas
apli aes para os ir uitos inversores na indstria, tais omo:

A ionamento de mquinas a;

Sistemas ininterruptos de energia (no break ou UPS);

Reatores eletrni os para lmpadas de des arga;

Veremos a on epo de ir uitos inversores a tiristor e a transistor de potn ia. Devemos lembrar
que os transistores de potn ia sempre operaro nas regies de orte e saturao (ou orte e triodo para
o aso do MOSFET).
Veremos que grande parte dos ir uitos inversores so derivados do onversor bu k.

Portanto,

re omenda-se que seja feito um estudo deste onversor antes de ler o presente material.

2 Inversores de Tenso a Transistor de Potn ia

Estes ir uitos so baseados nos onversores - dos tipos push-pull, meia ponte e ponte ompleta.
Portanto, tm as mesmas vantagens e desvantagens destes onversores. So destinados prin ipalmente
ao a ionamento de mquinas a.
As mquinas a podem ser modeladas omo argas monofsi as ou trifsi as (equilibradas) do tipo
RL, onde, por simpli ao, pode ser desprezada a impedn ia de magnetizao, por ser de valor muito
elevado om relao ao ramo da arga. Dis usses mais aprofundadas a respeito deste assunto podem ser
en ontradas em [5, 6.
Utilizaremos sempre o onversor ponte ompleta para fazermos as onsideraes, entretanto, as demais
topologias podem ser utilizadas om as devidas modi aes.

2.1

Inversor Monofsi o

Considere o ir uito da gura 1. Como j foi estudado nos onversores - , os transistores so omandados na forma ruzada, isto ,

S1 S4 S2 S3 S1 S4 .

S1

D1

Vin

S3

D3

S2

D2

S4

D4

Figura 1: Inversor monofsi o de tenso em ponte ompleta om arga RL.

Como foi observado nos onversores - , as formas de onda so afetadas pelo modo de onduo
de orrente ( ontnua, rti a ou des ontnua).

O mesmo verdade nos onversores - a. Faamos o

equa ionamento para a primeira etapa, onde

S1

S4

onduzem. Neste aso, teremos a E.D.O. (equao

diferen ial ordinria) onforme (1).

Vin = R io (t) + L

dio (t)
dt

(1)

A soluo de (1) dada por (2).




Vin
Rt
io (t) =
1 exp
R
L
Consideremos que a primeira etapa tenha uma durao igual a

(2)

ton =

D
,
f

ento seu valor nal ser

dado por (3).






Vin
DR
D
= Io1 =
1 exp
io t = ton =
f
R
fL
Na segunda etapa, todos os transistores estaro bloqueados, onduziro, portanto, os diodos

(3)

D2

D3 .

A E.D.O. da equao (1) ser alterada para a forma da equao (4). Lembremos que, neste aso, no
poderemos adotar que a ondio ini ial do ir uito ser nula, pois vimos no equa ionamento anterior
que a orrente ser igual a

Io1 .
dio (t)
dt

(4)



Rt
Vin
exp

L
R

(5)

Vin = R io (t) + L
Solu ionando a equao (4), obtemos (5).

io (t) =

Io1 +

Vin
R

Substituindo em (5) o resultado obtido em (3) e igualando a zero, obtemos o tempo ne essrio para
que a orrente se anule. Este valor est na equao (6).




L
DR
tx = ln 2 exp
R
fL

(6)

Para que o inversor opere na onduo rti a, ne essrio que a seguinte ondio da equao (7)
seja satisfeita.

D = Dcr = ton + tx =

T
2

(7)

Manipulando esta expresso, hegamos equao (8).




2f L
Dcr R
1=0
ln 2 exp
R(1 2Dcr )
fL

(8)

A equao (8) no possui soluo analti a. Devemos utilizar algum mtodo numri o omputa ional
para en ontrar o valor da razo li a rti a para ada aso. O pro edimento simples, bastando que
faamos a parametrizao dada em (9). Com isto, podemos traar o ba o da gura 2.

Q=

fL
R

(9)

Deve-se atentar para o fato de que, diferentemente dos onversores - , no h onduo rti a,
pois, mesmo na onduo ontnua, a orrente passa pelo zero, no sendo possvel distinguir os dois modos
de onduo de orrente.
Outro fato que deve ser lembrado que o equa ionamento desenvolvido at aqui apli vel a outras
topologias de inversores, omo o meia ponte e o push-pull.

Analisemos, agora, o fun ionamento do

inversor monofsi o om arga RL nos diferentes modos de onduo de orrente.

0.5
0.49
0.48
0.47
0.46
0.45
0.44
0.43
0.42
0.41

Dcr

0.4
0.39
0.38
0.37
0.36
0.35
0.34
0.33
0.32
0.31
0.3
0.29
0.28
0.27
0.26
0.25
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9 0.95

Q
Figura 2: ba o para determinao da razo li a rti a para o inversor monofsi o om arga RL.

Conduo Des ontnua (D < Dcr )

Neste aso, o inversor opera om razo li a inferior rti a. Portanto, a orrente ir se anular antes
que se possa omandar o outro par de transistores e, onseqentemente, havero etapas de orrente nula.
As etapas de fun ionamento esto na gura 3 e as formas de onda tpi as esto na gura 4.
Determinemos algumas grandezas importantes. Comearemos om a tenso e az na arga. f il
notar pela gura 4 que esta grandeza al ulada por (10).

2
Voef

2
=
T

"Z

DT
2
Vin
dt

DT + tx

(Vin ) dt

DT

(10)

Substituindo em (10) o valor determinado em (6), obtemos (11).

Voef

s 



D
= Vin 2 D + Q ln 2 exp
Q

(11)

A orrente e az em um interruptor al ulada om a expresso (12).

2
Isef
=

1
T

DT

Vin
R


2
Rt
1 exp
dt
L

(12)

Solu ionando (12), en ontramos (13).

Isef

v
"
u


2 #
D
Vin u
Q
tD +
1 2 exp
=
R
2
Q

(13)

Cal ulemos a orrente mdia em um interruptor om a expresso (14).

Ismd =

1
T

DT




Rt
Vin
1 exp
dt
R
L
3

(14)

1 etapa

2 etapa

3 etapa

4 etapa

5 etapa

6 etapa

Figura 3: Etapas de fun ionamento para o inversor monofsi o om arga RL em onduo des ontnua.

Resolvendo (14), en ontramos (15).

Ismd





D
Vin
D Q 1 exp
=
R
Q

(15)

Para al ular a orrente mdia em um diodo, devemos resolver (16).

Idmd =

1
T

Z tx 

Io1 +

Vin
R




Vin
Rt
exp

dt
L
R

(16)

Resolvendo (16), en ontramos (17).

Idmd







Vin Q
D
D
=
1 exp
ln 2 exp
R
Q
Q

(17)

Cal ulemos a orrente e az em um diodo. Para isto, usaremos (18).

2
Idef
=

1
T

Z tx 
0

Io1 +

Vin
R
4

exp

Rt
L

Vin
R

2

dt

(18)

vo(t), io(t)
Vin

Io1

DT+tx
T
2

T+DT
2

T
t

DT
T+DT+tx
2

-Io1

-Vin
Figura 4: Formas de onda de tenso (verde) e de orrente (vermelho) na arga para o inversor monofsi o
om arga RL em onduo des ontnua.

Resolvendo (18), obtemos (19).

Idef

Vin
=
R








Q
2D
D
exp
+ 2 ln 2 exp
1
2
Q
Q

(19)

Ainda, possvel mostrar que a orrente de arga pode ser al ulada om a expresso (20).

Ioef =
Exemplo 2.1

r 

2 + I2
2 Isef
def

(20)

Considere um inversor monofsi o em ponte ompleta om arga RL, onde Vin = 180V,

R = 2,5, L = 10mH, D = 0,25 e f = 50Hz.

a) Verique que o inversor de fato opera na onduo des ontnua;

b) Determine o valor e az de tenso na arga;
) Determine os esforos de orrente nos semi ondutores e a orrente e az na arga;
d) Determine a potn ia onsumida pela arga.
Soluo
a) Basta al ularmos o fator Q om a expresso (9).
Q=

fL
50 0,01
=
= 0,2
R
2, 5

Observando o ba o da gura 2, obtemos que Dcr 0,38. Como a razo li a de operao do

onversor igual a 0,25, o onversor est na onduo des ontnua.
b) Basta que se utilize a equao (11).
Voef

Voef

s 



D
= Vin 2 D + Q ln 2 exp
Q

s 



0,25
= 152,2V
= 180 2 0,25 + 0,2 ln 2 exp
0,2
5

 ) Basta utilizarmos as equaes (13), (15), (17), (19) e (20).

v
"
u


2 #
Vin u
Q
D
tD +
=
1 2 exp
R
2
Q

Isef

v
"
u


2 #
0,2
0,25
180 u
t0,25 +
1 2 exp
=
= 17,1A
2,5
2
0,2

Isef

Ismd





180
0,25
0,25 0,2 1 exp
= 7,7A
2,5
0,2

Ismd =

Idmd =

Idmd







Vin Q
D
D
1 exp
ln 2 exp
R
Q
Q







180 0,2
0,25
0,25
=
1 exp
ln 2 exp
= 2,5A
2,5
0,2
0,2
Idef

Idef





D
Vin
D Q 1 exp
=
R
Q

180
=
2,5

Vin
=
R








2D
D
Q
exp
+ 2 ln 2 exp
1
2
Q
Q








0,2
2 0,25
0,25
exp
+ 2 ln 2 exp
1 = 9,1A
2
0,2
0,2

Ioef =

r 
 p
2 + I2
2 Isef
2 (17,12 + 9,12 ) = 27,4A
def =

d) A arga do tipo RL. Como o indutor no onsome energia, a potn ia total aquela onsumida
pela parte resistiva, al ulada omo abaixo:
2
Po = R Ioef
= 2,5 27,42 = 1876,9W


Conduo Contnua (D Dcr )
Na onduo ontnua, as etapas 3 e 6 mostradas na gura 3 no existem, e temos a ex itao da arga
por um tempo que sempre igual a

1
.
2f

Isto o orre devido onduo dos diodos por todo o tempo

restante aps o bloqueio de um par de transistores e a entrada em onduo de outro. Com isto, temos
a equao diferen ial e a ondio ini ial dadas em (21).

Vin = R io (t) + L
io (t = 0) = Io2

dio (t)
dt

(21)

Solu ionando (21), hegamos a (22).

io (t) =

Vin
R





Rt
Rt
1 exp
Io2 exp
L
L

(22)



1
= Io2 .
De (22), possvel determinar a orrente de pi o (Io2 ), simplesmente observando que io t =
2f

A orrente de pi o est em (23).

Io2



1
1 exp
Vin
2Q


=
1
R
1 + exp
2Q

(23)

interessante notar que, de a ordo om (23), o valor de pi o da orrente independe do valor da razo
li a, enquanto o inversor operar na onduo ontnua. As formas de onda de tenso e de orrente na
arga esto na gura 5.

vo(t), io(t)
Vin

Io2

ty

T
2

-Io2

-Vin
Figura 5: Formas de onda de tenso (verde) e de orrente (vermelho) na arga para o inversor monofsi o
om arga RL em onduo ontnua.
Poderamos, numa anlise por demais apressada, dizer que o instante
transistores, isto , dizer que

ty =


1
D T.
2

ty

oin ide om o omando dos

Infelizmente, isto no verdade. Basta que igualemos a

zero a expresso (22) para veri ar este fato. A expresso resultante est em (24), om a parametrizao
adi ional dada em (25).



1
1 + exp 2Q

Qy = ln

Qy =

R ty
L

Portanto, o tempo de durao da etapa do diodo igual a

transistor igual a

T
ty .
2

(24)

(25)

ty

e o tempo de durao da etapa do

H de se notar que a desigualdade dada em (26) sempre verdadeira.

ty


1
D T
2

(26)

Estamos, agora, prontos para determinar os esforos no ir uito. Come emos om a orrente mdia
em um interruptor. Para tanto, observemos a equao (27).

Ismd






Z T 
1
Rt
2 Vin 1 exp Rt
=
Io2 exp
dt
T ty
R
L
L

Resolvendo (27), obtemos (28). Para simpli ar, faremos a denio (29).

(27)

Ismd






Vin
1
0,5 + Qy Q + QQ exp
exp(Qy )
=
R
2Q


1
1 exp
2Q


Q=1+
1
1 + exp
2Q

(28)

(29)

Obteremos, agora, a orrente mdia em um diodo, onforme mostra a equao (30).

1
T

Idmd =

Z ty 
V






Rt
Rt
1 exp
Io2 exp
dt
R
L
L

in

(30)

Resolvendo (30), hegamos a (31).

Idmd = Q


Vin 
Qy + Q (1 exp(Qy ))
R

(31)

Um detalhe a respeito de (31): Ao fazer os l ulos, na verdade, um sinal negativo apare e nesta
equao, o qual foi suprimido pois a orrente ir ula no sentido negativo quele adotado para a orrente
de sada.
A orrente e az em um interruptor al ulada de a ordo om (32).

2
Isef





2
Z T 
1
Rt
2 Vin 1 exp Rt
=
Io2 exp
dt
T ty
R
L
L

(32)

Solu ionando (32), hegamos a (33).

Isef

Vin
=
R










1
1
exp(Qy ) 0,5(Q)2 exp
exp(2Qy )
0,5 + Q Qy + 2Q exp
2Q
Q

(33)

O l ulo da orrente e az no diodo feito de modo semelhante, om (34).

2
Idef
=

1
T

Z ty 
V
0

in




2
Rt
Rt
1 exp
Io2 exp
dt
L
L

(34)

Resolvendo (34), obtm-se (35).

Idef =
Exemplo 2.2

Soluo

Vin
R

q 

Q Qy 2Q(1 exp(Qy )) + 0,5(Q)2 (1 exp(2Qy ))

(35)

Refaa o exemplo 2.1, admitindo que D = 0,45.

a) Neste aso, D > Dcr , o que indi a que o inversor est operando no modo de onduo ontnua de
orrente na arga.
b) O valor e az da tenso na arga, em onduo des ontnua sempre igual ao valor da tenso do
barramento , neste aso, 180V.
) Busquemos o valor de Qy om a equao (24).





1
1

1
+
exp
1
+
exp

2Q
2 0,2
= Qy = ln
= 0,614
Qy = ln

2
2

Cal ulemos Q om (29).





1
1
1 exp
1 exp
2Q
2 0,2


 =1+
 = 1,85
Q=1+
1
1
1 + exp
1 + exp
2Q
2 0,2

Agora, basta utilizarmos as equaes (20), (28), (31), (33) e (35).

Ismd






1
180
0,5 + (0,614)0,2 + 0,2 1,85 exp
exp(0,614)
= 14,9A
=
2,5
2 0,2
Idmd = 0,2

180
[0,614 + 0,2 (1 exp(0,614))] = 3,2A
2,5
Isef = 26,5A

Idef =

180 p
0,2 [(0,614) 2 1,85(1 exp(0,614)) + 0,5 1,852 (1 exp(2 (0,614)))] = 11,4A
2,5
Ioef =

q
p
2 + I2 ) =
2(Isef
2(26,52 + 11,42 ) = 40,8A
def

d) Da mesma forma que no exemplo anterior, fazemos:

2
Po = R Ioef
= 2,5 40,82 = 4160W

2.2

Inversor Trifsi o Tipo 180o

Estudaremos o inversor trifsi o alimentando arga RL sempre equilibrada, pois a arga geralmente
onstituda por um motor de induo trifsi o.

Ainda, a arga pode ser one tada em estrela ou em

tringulo. Consideraremos ada um dos asos e o ir uito da gura 6, onde, obviamente, se a arga for
equilibrada, o ponto mdio da entrada dispensvel.

D1

S1

D2

S2

S3

D3

1V
in
2

Carga
3f
(D ou Y)

1V
2 in
S4

D4

S5

D5

S6

D6

Figura 6: Inversor de tenso trifsi o.

Este inversor dito tipo

180o 

devido ao fato de que ada transistor habilitado por um ngulo

(eltri o) deste valor (o que no signi a que ele efetivamente onduza por este ngulo). A defasagem
o
entre os sinais de ontrole de transistores de fases distintas de 120 . A tabela 1 mostra a evoluo dos
sinais de ontrole.
Como podemos ver, sempre h trs transistores habilitados, um de ada brao. A ada

60o ,

h uma

tro a de omando entre transistores do mesmo brao. Devido ao fato de o omando de ada transistor
o
durar 180 , a tenso imposta arga, isto , a orrente ou ir ular por este transistor ou pelo diodo
que est em anti-paralelo. Esta observao fa ilita muito o equa ionamento do ir uito, o que faremos
agora, para ada ongurao de arga.

Interruptor

0 60

S1
S2
S3
S4
S5
S6

180o .
240 300o

Tabela 1: Sinais de ontrole para o inversor trifsi o tipo

o
o
o
o
o
o
o
o

60 120

120 180

180 240

X
X

X
X
X

300o 360o

Carga em Tringulo
Para argas em tringulo, a tenso apli ada sempre igual ao valor do barramento (positiva ou negativa)
ou zero. As formas de onda de tenso e de orrente na arga (AB) esto na gura 7.

vab(wt), iab(wt)
Vin
Io4

180

Io3

300
120

-Io3

wt
360

-Io4
-Vin

Figura 7: Formas de onda de tenso (verde) e de orrente (vermelho) na arga (AB) para o inversor de
tenso trifsi o om arga RL one tada em tringulo.
Podemos, ento, es rever a equao diferen ial om as ondies dadas em (36), para

Vin = R iab1 (t) + L

iab1 (t = 0) = Io3

diab1 (t)
dt

0o t 120o .
(36)

Solu ionando esta equao,  amos om (37).

iab1 (t) =
Observando que

iab1

1
t=
3f
Io4

Por outro lado, quando






Vin
Rt
Rt
1 exp
Io3 exp
R
L
L

(37)

= Io4 , hegamos a (38).






Vin
R
R
=
1 exp
Io3 exp
R
3f L
3f L

120o t 180o ,

es revemos (39).

(38)

Note que, para fa ilitar, foi feito um

deslo amento no ngulo.

0 = R iab2 (t) + L
iab2 (t = 0) = Io4

A soluo de (39) dada por (40).

10

diab2 (t)
dt

(39)



Rt
iab2 (t) = Io4 exp
L


1
iab2 t =
= Io3 , hegamos a (41).
6f


R
Io3 = Io4 exp
6f L

Onde, se observarmos que

(40)

(41)

As expresses (38) e (41) formam um sistema de equaes que, solu ionadas, forne em os valores de

Io3

Io4 ,

dados, respe tivamente, por (42) e (43), usando o valor do fator  Q denido em (9).

Io3



1


1 exp
1
Vin
3Q
 exp

=
1
R
6Q
1 + exp
2Q


1
1 exp
Vin
3Q


Io4 =
1
R
1 + exp
2Q

(42)

(43)

Para uma arga em tringulo, a orrente de linha, Ib , por exemplo dada por Ib = Ibc Iab . A
Ibc defasada de 120o (atrasada) de Iab , a qual j determinamos, onforme mostra a gura 8.

orrente

Note que a orrente de linha forne ida pelo brao da linha, isto , para
formado por

S2 , S5 , D2

ib (t)

o brao em questo

D5 .

iab(wt), ibc(wt), ib(wt)

120+wtD

Io4
Io3

60
120

-Io3

180

300
240

360

420
480

wt

-Io4

Figura 8: Formas de onda de

iab (t)

(vermelho),

ibc (t)

(verde) e

ib (t)

(azul) para o inversor de tenso

trifsi o om arga RL one tada em tringulo.

Cal ulemos a orrente ib (t), observando a gura 8:

0o t < 60o :
Lembrando que ib (t)

= iab1 (t + 60o ) iab1 (t),

o que nos leva a







R
T
2Vin
Rt
+ exp
t+

exp
L
L
6
R

(44)

= ibc (t) iab (t),

 amos om ib (t)

(44).

ib (t) =

Vin
+ Io3
R

60o t < 120o :

Com ib (t)

= ibc (t) iab (t),

ib (t) =

temos que

ib (t) = iab2 (t 60o ) iab1 (t),

o que nos leva a (45).







Rt
R
T
Vin
Vin
Io4 exp
t

+ Io3 exp
R
L
L
6
R
11

(45)

 120o t < 180o :

Com ib (t)

= ibc (t) iab (t),

temos que

ib (t) = iab1 (t 120o ) iab2 (t 120o ),

o que nos leva a (46).





R
T
Vin
t
+ Io3 + Io4 exp
R
L
3

(46)

Vin
ib (t) =

R
180o t 360o :

Basta que seja notado o fato expresso em (47).

ib (t) = ib (t 180o )

(47)

Voltando gura 8 e observando tambm a gura 6 e a tabela 1, notamos que a orrente ib (t), para
o
ir ula por S5 . Ao hegar a 120 , o omando deste transistor interrompido e o de S2

0o t < 120o ,

ini iado, mas a orrente ainda negativa, o que nos leva a on luir que at que a orrente se anule, esta
passa por

D2

ao invs de

ser al ulado a partir de

S2 .

t indi a
o tempo

 que o diodo onduz. Este tempo
T
(46), onsiderando que ib t = t +
= 0. O resultado est em (48).
3



1


 1 exp
L
1
3Q


t = ln
1
+
exp

1
+

1
R
6Q
1 + exp
2Q
Indi aremos por

pode

(48)

Estamos em ondies de determinar os esforos de orrente nos semi ondutores. Come emos pela
orrente mdia no diodo, que ser al ulada onforme (49).

Idmd =

1
T

id (t)dt =

1
T

T /3+ t

ib (t)dt

(49)

T /3

Solu ionando (49), obtemos (50), onde foram feitas as denies (51), (52) e (53).

Vin
Q[(1 + Io3 + Io4 ) (1 exp(Q )) Q ]
R


1


1 exp
1
R
3Q


exp
Io3 = Io3
=
1
Vin
6Q
1 + exp
2Q


1
1 exp
R
3Q


=
Io4 = Io4
1
Vin
1 + exp
2Q



1


 1 exp

R
1
3Q


Q =
1 + 1 + exp
t = ln

1
L
6Q
1 + exp
2Q
Idmd =

(50)

(51)

(52)

(53)

Cal ulemos a orrente mdia no interruptor, observando (54).

Ismd =

1
T

is (t)dt =

1
T

5T /6

T /3+ t

ib (t)dt

(54)

Resolvendo (54), en ontramos (55).

Ismd =







Vin 2
1
Q
+ Q Io4 (1 + Io3 + Io4 ) exp(Q ) (1 + Io3 ) 1 2 exp
R 3
3Q

A orrente e az no diodo al ulada a partir da expresso (56).

12

(55)

2
Idef
=

1
T

[id (t)]2 dt =

1
T

T /3+ t

[ib (t)]2 dt

(56)

T /3

Fazendo os l ulos ne essrios, o resultado obtido dado por (57).

Idef

Vin
=
R

s 

(1 + Io3 + Io4 )2
Q Q 2(1 + Io3 + Io4 )(1 exp(Q )) +
(1 exp(2Q ))
2

(57)

Exemplo 2.3 Um inversor trifsi o 180o alimenta uma arga em tringulo (R = 15 e L = 150mH por
fase). O barramento do inversor de 300V e a freqn ia de haveamento igual da rede eltri a.
Determine:

a) A tenso e az por fase;

b) As orrentes mdia e e az em um diodo;
) A orrente mdia nos transistores;
Soluo
Antes de solu ionar ada item, al ulemos os fatores Q, om (9) e Q om (53).
fL
60 150 103
=
= 0,6
R
15



1
 1 exp



1
3 0,6


Q = ln
= 0,42
1 + 1 + exp 6 0,6
1
1 + exp
2 0,6
Q=

Pre isamos, tambm, dos termos Io3 e Io4 , al ulados om (51) e (52), respe tivamente.

Io3



1
 1 exp
1
3 0,6
 = 0,225

1
6 0,6
1 + exp
2 0,6


1
1 exp
3 0,6

 = 0,297
=
1
1 + exp
2 0,6


= exp

Io4

a) O l ulo da tenso e az em ada enrolamento independe da arga. Basta observar que a integral
em (58) est orreta, de a ordo om a gura 7.
2
Voef

1
=
T

1
[vo (t)] dt =
T
2

"Z

T /3
2
Vin
dt

5T /6

T /2

(Vin ) dt 0,816 Vin

Ento, a tenso e az na arga de 245V.

b) Usemos as expresses (50) e (57).
Idmd =

300
0,6[(1 + 0,225 + 0,297) (1 exp(0,42)) 0,42] = 1,2A
15
Idef = 2,9A

) Basta utilizar a expresso (55).

Ismd = 2A

13

(58)

3 Exer ios
Faa a adequao do equa ionamento do inversor monofsi o om arga RL em ponte
ompleta para a estrutura em meia ponte.

Exer io 1

Exer io 2

Verique a validade da expresso (20).

Refaa o exemplo 2.1 para Vin = 311V, R = 5, L = 5mH, D = 0,4 e f = 60Hz. Qual a
mxima potn ia que o inversor poder forne er arga? Sob qual ondio isto o orrer?

Exer io 3

Explique por que, no inversor de tenso monofsi o om arga RL em onduo ontnua,

a tenso e az na arga sempre igual tenso do barramento , independentemente do valor da razo
li a.

Exer io 4

Explique por que, no inversor de tenso monofsi o om arga RL em onduo ontnua,

a potn ia onsumida pela arga independe do valor da razo li a, sendo seu valor mximo.

Exer io 5

possvel mostrar que inversor trifsi o de tenso om arga RL em tringulo tem 12

etapas. Desenhe-as e explique-as.

Exer io 6

Exer io 7

Refaa o exemplo 2.3, alterando a indutn ia para 75mH.

Refern ias
[1 BARBI, I.; MARTINS, D. C. Eletrni a de Potn ia: Introduo ao Estudo dos Conversores - a.
a
1 ed. Florianpolis: Ed. dos Autores, 2005.
[2 RASHID, M. H. Eletrni a de Potn ia: Cir uitos, Dispositivos e Apli aes. 1

ed. So Paulo:

Makron Books, 1999.

a
[3 BASCOPE, R. P. T.; PERIN, A. J. O Transistor IGBT Apli ado em Eletrni a de Potn ia. 1 ed.
Porto Alegre: Sagra-Luzzatto, 1997.
[4 LANDER, C. W. Eletrni a Industrial: Teoria e Apli aes. 2
[5 DEL TORO, V. Fundamentos de Mquinas Eltri as. 1
[6 FITZGERALD, A. E.

et al.

ed. So Paulo: Makron Books, 1996.

ed. Rio de Janeiro: LTC, 1994.

Mquinas Eltri as om Introduo Eletrni a de Potn ia. 6

ed.

Porto Alegre: Bookman, 2006.

[7 OGATA, K. Engenharia de Controle Moderno. 4

14

ed. So Paulo: Pearson Edu ation do Brasil, 2004.