siderurgia.etsii.upm.

es

MATERIALES I:

FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFA
por Vicente Lorenzo

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 1 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

NDICE 1. INTRODUCCION 2. SLIDOS CRISTALINOS 3. SISTEMAS CRISTALINOS MS FRECUENTES ENTRE LOS METALES 3.1 SISTEMA CBICO CENTRADO (C.C.) 3.2 SISTEMA CBICO CENTRADO EN LAS CARAS (C.C.C.). 3.3 SISTEMA HEXAGONAL COMPACTO (H.C.) 4. NOTACIONES CRISTALOGRFICAS 4.1 NDICES DE MILLER 4.2 DENSIDAD PLANAR Y DENSIDAD LINEAL 4.3 PLANOS Y DIRECCIONES CRISTALOGRFICOS 4.4 DEFORMACIN PLSTICA POR DESLIZAMIENTO EJERCICIOS 3 3 7 7 12 15 18 18 20 21 23 26

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 2 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

1. INTRODUCCION
En el captulo relativo al enlace metlico se ha discutido como era posible justificar de forma cualitativa las diferencias entre las propiedades de los metales y no metales apoyndose en las particularidades de los diferentes tipos de enlaces. La discusin anterior, aunque ilustrativa, presenta una limitacin fundamental: el grado de desarrollo del concepto de estructura es todava insuficiente para permitir distinguir entre las propiedades de los diferentes metales. El objetivo de este captulo es precisar ms el concepto de estructura de modo que sea posible diferenciar el comportamiento de los distintos metales e, incluso, se pueda predecir cuantitativamente algunas de sus propiedades.

La descripcin estructural de un metal que se ha venido manejando hasta el momento consiste en admitir que el metal est formado por iones distribuidos de forma peridica rodeadas por una nube electrnica, resultando la estabilidad del conjunto consecuencia de las interacciones mutuas de iones y electrones. El paso que se va a dar en este captulo va ser la descripcin sistemtica de la distribucin peridica de iones y, para ello, se pretende estudiar algunas ideas sobre cristalografa.

2. SLIDOS CRISTALINOS
La estructura de un slido cristalino se construye por la repeticin infinita y regular en el espacio de un patrn formado por un conjunto reducido de unidades estructurales bsicas (tomos, iones o molculas). De acuerdo con lo anterior, basta con conocer cul es el patrn que se repite para que el cristal quede completamente definido. La periodicidad de la estructura confiere a los slidos cristalinos su caracterstica distintiva, el orden de largo alcance o, lo que es lo mismo, la invariancia traslacional. Es decir, cuando se conocen las posiciones de unos pocos tomos vecinos, es posible conocer las de tomos muy lejanos o, lo que es lo mismo, la distribucin de tomos no se ve alterada al ser sometida a ciertas traslaciones.

Para describir un slido cristalino hay que precisar qu se repite y cmo se repite. Los conceptos de base y de red permiten dar respuesta a estas preguntas. El concepto de base es puramente geomtrico, una red no es ms que una distribucin peridica de puntos en el espacio mientras que el trmino base hace referencia a un conjunto de tomos ligados a los puntos de la red.
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 3 de 26

siderurgia.etsii.upm.es Como la red, por definicin, es peridica, vendr caracterizada por su periodo, es decir, por el motivo que repitindose llena todo el espacio. A este motivo se le denomina celdilla unidad. En la parte superior de la figura 2-1 se ha dibujado parte de una red bidimensional (cualquier red debe ser infinita por peridica) que se va a utilizar para ilustrar el concepto de celdilla unidad ya que todos los razonamientos que se hagan sobre esta red son inmediatamente extensibles a otra tridimensional. El paralelogramo 1 de la figura es una celdilla unida de la red porque sta se puede construir al cubrir todo el plano con paralelogramos contiguos idnticos al que se considera. Para caracterizar a la celdilla unidad basta con identificar los parmetros de red: la longitud de los lados del paralelogramo, a y b, y el ngulo que forman, . Para redes tridimensionales, la celdilla unidad es un paraleleppedo y los parmetros son las longitudes de sus aristas, a, b y c y los ngulos que forman entre ellas, , y .

Figura 2-1. Red bidimensional + Base = Cristal bidimensional

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 4 de 26

siderurgia.etsii.upm.es En un prrafo previo se ha indicado que la red debe ser invariante frente a determinadas traslaciones. Una vez que se ha definido la celdilla unidad, es fcil identificar estas traslaciones, son aquellas cuyo vector t viene dado por la expresin:

t = n1.a + n2.b con n1 y n2 enteros

[2.1],

cuya generalizacin a tres dimensiones es obvia.

La celdilla unidad no es nica ya que, para cada red, existen infinitas celdillas unidad y, por tanto, su eleccin es convencional. En efecto, cualquiera de los paralelogramos sombreados de la figura define una celdilla unidad de la red. La eleccin de la celdilla se suele realizar en cada caso atendiendo a criterios de simetra, es habitual seleccionar aquella celdilla unidad que resalte de forma ms clara los elementos de simetra de la red. Para el ejemplo que se considera, la celda marcada con el nmero 2 es la eleccin ms lgica ya que muestra claramente que la red tiene dos planos de simetra mutuamente perpendiculares. Obsrvese que la convencionalidad en la eleccin de la celdilla tambin alcanza a su tamao (el rea de la celdilla 3 es doble que la de la 1 o que la de la 2). Se llaman celdillas primitivas a todas las posibles celdillas de rea mnima.

Las redes cristalinas se pueden clasificar atendiendo a sus elementos de simetra o, lo que es lo mismo, a los valores de sus parmetros en los siete sistemas cristalinos que se relacionan en la figura 2-2. Para algunos sistemas cristalinos es posible definir otras redes adems de la red primitiva que es aqulla que slo presenta puntos reticulares en sus vrtices. As, junto a las redes primitivas, identificadas por la letra P, es posible encontrar redes centradas en el cuerpo, I, centradas en las caras, F, o centradas en las bases, C, hasta completar los 14 grupos de simetra posible en tres dimensiones. Es importante recordar que estas catorce redes, que se conocen como redes de Bravais y son las que se muestran en figura 2-2, son abstracciones geomtricas que definen nicamente distribuciones peridicas de puntos y, por tanto, no son cristales.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 5 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

Figura 2-2. Relaciones entre parmetros de red para los siete sistemas cristalinos y las catorce redes de Bravais

La base de un slido cristalino es un conjunto de tomos ligados a cada punto de la red cuya composicin, geometra y orientacin est definida. Para identificar como se disponen los tomos de la base respecto a la red se utiliza un sistema de referencia con los ejes paralelos a las aristas de la celdilla unidad en el que se utiliza los parmetros a, b y c como unidades de medida a lo largo de cada uno de los ejes. Con esta eleccin de la referencia, la posicin de cada tomo de la base viene dada por un vector

ri = x i.a + y i.b + zi.c

[2.2]

con coeficientes xi, y i y zi que, generalmente, toman valores entre 0 y 1. En la parte central de la figura 2-1 se muestra una base formada por dos tomos que, junto con la red que se ha discutido con anterioridad, permite construir el cristal bidimensional que aparece en la parte inferior de la figura. Con la eleccin natural de la celdilla unidad marcada como 2, los vectores que definan la posicin de los tomos de la base el r1 = 0 y el r2 = 0,4.a. La eleccin de la base de un cristal es convencional del mismo modo que lo es la de su red ya que existe una infinidad de posibles bases.
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 6 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

3. SISTEMAS CRISTALINOS MS FRECUENTES EN LOS METALES

En lo que sigue se van a pasar a discutir con cierto detalle los sistemas cristalinos ms frecuentes en materiales metlicos que son el sistema cbico centrado, el cbico centrado en las caras y el hexagonal compacto. Para caracterizar estas estructuras, se va a estudiar tanto la distribucin del espacio ocupado por los tomos como la del espacio libre. Tan importante es la segunda parte del estudio como la primera ya que ciertas propiedades de los slidos cristalinos son funcin de la cantidad de volumen no ocupado y de cmo ste se distribuye.

Antes de comenzar con la descripcin de las estructuras cristalinas, conviene hacer una precisin respecto a la terminologa. En lo que sigue se va a emplear los trminos ion o catin para referirse a la unidad estructural bsica de los cristales metlicos. Gran parte de la descripcin que se presentar a continuacin tambin ser vlida para cristales de los materiales no metlicos, objeto de estudio de la asignatura Materiales II, con la misma estructura o con estructuras anlogas sin ms que cambiar el trmino ion por tomo o molcula cuando sea necesario.

3.1 Sistema cbico centrado (c.c.)

La celdilla de este sistema es la que se muestra en la figura 3-1. Para comenzar con el estudio de este sistema cristalino, se va a determinar el nmero de iones por celdilla. En principio, se va admitir que en la celdilla aparecen dos tipos de iones, los situados en los vrtices y el central. Los iones que se encuentran sobre los vrtices estn compartidos por 8 celdillas (las concurrentes en el vrtice) de modo que a la celdilla que se considera le corresponde 1/8 parte de cada uno de estos iones mientras que el ion central est ntegramente contenido en la celdilla. De acuerdo con lo anterior, el nmero de iones contenidos en la celdilla en cuestin es de 8 x 1/8 + 1 = 2, resultado que demuestra que la celdilla que se ha dibujado no es primitiva.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 7 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

Figura 3-1. Celdilla unidad de un cristal c.c.

El nmero de coordinacin de un sistema cristalino coincide con la cantidad de vecinos ms prximos a cada unos de sus iones. El examen de la celdilla dibujada en la figura 3-1 permite concluir que la distancia entre vecinos prximos en un cristal c.c. es la mitad de la diagonal de la celdilla unidad, 3.a/2, y que el nmero de iones que se encuentran a esa distancia del ion que centra la celdilla es de 8. La misma conclusin se obtendra si se considerara uno de los iones situados en los vrtices de la celdilla cbica que tiene tambin ocho vecinos situados a distancia 3.a/2, los iones que centran las ocho celdillas que concurren en el vrtice en cuestin. Este ltimo resultado no tiene nada de sorprendente, la periodicidad de la estructura cristalina exige que el entorno de cualquiera de sus iones sea idntico y, en consecuencia, hace que carezca de sentido la distincin que se ha hecho hasta ahora entre iones situados en el centro de la celdilla o en sus vrtices.

El tamao de la celdilla unidad, que en este caso viene medido por el parmetro a, est relacionado con el radio, r, de los iones metlicos. Esta relacin se puede establecer empleando el modelo de las esferas rgidas. Segn este modelo, un tomo o un ion puede representarse por una esfera de radio dado y un cristal por un conjunto de esferas en contacto. El modelo se apoya en un hecho experimental, la repeticin de las distancias entre las entidades bsicas que forman los cristales para cada par de entidades y para cada clase de enlace. As, en cristales inicos el radio depender del grado de ionizacin, resultando mayor que el radio atmico para los aniones y menor para los cationes. El radio metlico es muy prximo al radio atmico si bien aparecen pequeas diferencias en funcin del nmero de coordinacin. Los experimentos demuestran que el radio metlico de un ion cae en cerca de un 3% cuando el nmero de coordinacin disminuye de 12 a 8 y cerca de un 4% cuando el nmero de vecinos ms prximos pasa de 12 a 6.
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 8 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

Cuando se aplica este modelo a la estructura c.c., el contacto entre iones debe producirse a lo largo de la diagonal de la celdilla de modo que resulta:

2.r = 3.a/2

a = 4.r/3

[3.1].

Este resultado demuestra que el parmetro de la red de los cristales metlicos es del mismo orden de magnitud que los radios de los iones metlicos, de unas pocas dcimas de nanmetro.

Una vez que se conoce la relacin existente entre el radio metlico y el parmetro de la red, no es difcil cuantificar la eficiencia con la que los tomos del metal ocupan el espacio. La eficiencia del empaquetamiento cristalino se mide por su compacidad, magnitud que se define como la razn del volumen ocupado al volumen total de la celdilla. Para un cristal c.c., el volumen ocupado en una celdilla coincide con el correspondiente a los dos iones contenidos en la misma (2 .4/3. .r ) y el volumen total es a , de modo que se llega a:
3 3

4 2 . ..r 3 compacidad = 3 = a3

3 . = 0,68 8

[3.2].

El resultado anterior muestra que el 68% del volumen de un cristal c.c. est ocupado por los iones mientras que el 32% restante est libre. Ntese que el valor de la compacidad siempre debe ser menor que la unidad y que, en los cristales de los metales puros, es independiente de la naturaleza de los iones. Cuando se consideran cristales en los que intervienen varios iones distintos, la compacidad depende de la razn entre los tamaos de stos.

El concepto de intersticio, trmino que hace referencia a los huecos presentes en una estructura cristalina, permite estudiar como se distribuye el espacio vaco que aparece en todo cristal. En los cristales c.c. aparecen dos tipos diferentes de intersticios que se distinguen por su tamao que se conocen como mayores y menores.

Los intersticios mayores de los cristales c.c. estn limitados por cuatro iones vecinos tal como los A, B, C y D de la figura 3-2(a). Conviene destacar que, a diferencia de lo que sucede en otros sistemas cristalinos, los cuatro iones que limitan los intersticios de este tipo no se encuentran sobre los vrtices de un tetraedro ya que el parmetro de la red, la distancia entre los iones A y B, es mayor que 3.a/2, la que separa los iones A y C. El radio del mayor tomo que puede alojarse en uno de estos intersticios sin deformar el cristal, rI , que se puede determinar a partir de clculos geomtricos basados en el modelo de las esferas rgidas como
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 9 de 26

siderurgia.etsii.upm.es los de la figura 3-2(b), resulta ser 0,291.r. Estos clculos demuestran que los huecos de este tipo que aparecen en metales con estructura c.c. son menores que los iones que forman el cristal y, por tanto, menores que los iones metlicos ya que los tamaos de todos ellos son parecidos. En cada una de las caras de la celdilla unidad aparecen cuatro de estos intersticios en posiciones como las marcadas con la letra E y como cada uno est compartido por dos celdillas contiguas, el nmero de intersticios mayores por celdilla es de 4 x 6 x 1/2 = 12.

Figura 3-2. Intersticios en un cristal c.c.

En los cristales c.c. aparecen tambin otros intersticios, conocidos como menores, que estn rodeados por seis iones tal como el que se encuentra en centro de la cara superior de la celdilla de la figura 3-2. El radio, ri, de los intersticios menores se determina teniendo en cuenta que la mitad de la arista de la celdilla debe ser igual a la suma del radio metlico y del radio del intersticio, llegando a ri = 0,155.r. Estos intersticios se encuentran en el centro de las caras y de las aristas de la celdilla, de modo que su nmero resulta 6 x 1/2 + 12 x 1/4 = 6.

Hay que destacar que los seis iones que rodean un intersticio menor no se encuentran sobre los vrtices de un octaedro porque como ya se ha sealado las distancias AC y AB son diferentes. Por tanto, la deformacin de la red que se produce cuando un tomo mayor que el hueco se introduce en el mismo es anistropa. En efecto, si un tomo con radio comprendido entre 0,155.r y el del circulo de trazo discontinuo de la figura 3-2(b), que es de 0,633.r, entra en uno de estos huecos, slo desplazar los dos tomos que centran las celdillas que comparten
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 10 de 26

siderurgia.etsii.upm.es el intersticio, sin modificar la posicin de los cuatro situados sobre la cara de la celdilla. La importancia de este hecho resultar evidente cuando ms adelante se estudie la estructura de algunos de las fases presentes en las aleaciones metlicas.

Algunos ejemplos de metales que presentan estructuras c.c. son el litio, el sodio, el potasio, el bario, el titanio a temperaturas superiores a los 882C, el vanadio, el cromo, el molibdeno el wolframio y las formas y del hierro que son las estables por debajo de 910C y por encima de 1392C, respectivamente. En la relacin anterior aparecen dos ejemplos del fenmeno conocido como alotropa o polimorfismo, propiedad de ciertos elementos qumicos de presentar diferentes estructuras cristalinas dependiendo de las variables externas presin y temperatura.

Algunos compuestos tanto de carcter metlico como no metlico pueden presentar estructuras que resultan anlogas a la c.c. de los metales puros. La red de estos compuestos, cuya estructura se muestra en la figura 3-3, es cbica y la base est formada por dos iones de diferente naturaleza situados en las posiciones (0, 0, 0) y (1/2, 1/2, 1/2) de modo que la relacin molar entre las especies que forman el compuesto es 1:1. Un ejemplo de compuesto metlico es la forma ordenada de la fase de los latones cuya base est formada por dos iones, uno Cu y otro Zn . El cloruro de cesio es un ejemplo de compuesto inico con estructura similar a la c.c. con la base formada por un ion Cl y un ion Cs .
+ + 2+

Figura 3-3. Celdilla unidad del ClCs o de la fase de los latones

La descripcin que se ha dado de un cristal c.c. es suficiente para calcular algunas de sus propiedades macroscpicas, como por ejemplo, su densidad a partir de datos fundamentales como son el peso y el radio atmicos. Para realizar este clculo hay que apoyarse en la periodicidad de la estructura: la densidad del cristal debe coincidir con la de su celdilla unidad. Para un metal c.c., la densidad resulta ser la masa contenida en una celdilla, la de dos iones (2 x masa atmica/nmero de Avogadro), divida por su volumen a que, de acuerdo con [3.1], est relacionado con r.
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 11 de 26
3

siderurgia.etsii.upm.es

3.2 Sistema cbico centrado en las caras (c.c.c.).

La celdilla del sistema c.c.c. es la que se muestra en la figura 3-4. El nmero de iones por celdilla es 4 ya que cada uno de los ocho iones situados en los vrtices est compartido por las ocho celdillas concurrentes en el mismo y los seis situados en el centro de las caras estn compartidos por dos celdillas contiguas (8 x 1/8 + 6 x 1/2 = 4).

Figura 3-4. Celdilla unidad de un cristal c.c.c.

El nmero de coordinacin para este sistema se puede determinar estudiando el entorno de uno de cualquiera de sus iones. Si se considera el ion situado en uno de los vrtices de la celdilla, los vecinos ms prximos se encuentran a una distancia 2.a/2 en los centros de las caras que concurren en el vrtice. Como hay doce caras que cumplen con esta condicin, el nmero de coordinacin resulta ser 12. Como ya se seal al estudiar el sistema c.c., se llegara a idntica conclusin al considerar los iones que se encuentran en el centro de las caras de la celdilla.

El parmetro de la red, que se calcula a partir de la mnima distancia entre iones que se ha indicado en el prrafo anterior, resulta ser a = 2. 2.r. Una vez que se conoce el parmetro de la red y el nmero de iones por celdilla, es inmediato obtener la compacidad:

4 4 . ..r 3 3 compacidad = = = 0,74 3 a 3. 2

[3.3].

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 12 de 26

siderurgia.etsii.upm.es Los intersticios mayores de un cristal c.c.c. estn limitados por seis tomos dispuestos sobre los vrtices de un octaedro regular, motivo por el que tambin se conocen como intersticios octadricos. Del examen de la figura 3-5(a), en la que se ha representado uno de estos intersticios, se sigue que su radio es rI = 0,41.r. Los intersticios octadricos de un cristal c.c.c. se encuentran en el centro de la celdilla y en el centro de sus doce aristas, de modo que su nmero es de 4 (1 + 12 x 1/4). Los intersticios menores se conocen como intersticios tetradricos ya que estn limitados por cuatro iones que se sitan sobre los vrtices de un tetraedro centrado en el hueco. Segn se muestra en la figura 3-5(b) su radio es ri = 0,225.r y su nmero es de 8 ya que se encuentran en el centro de los ocho cubos que resultan de dividir por la mitad las aristas de la celdilla unidad.

Figura 3-5. Intersticios en un cristal c.c.c.

Algunos ejemplos de metales con estructura c.c.c. son el calcio, el aluminio, el cobalto, el nquel, el platino, el cobre, el oro, la plata, el plomo y el hierro , la variedad alotrpica que es estable entre 910 y 1492C.

En la figura 3-6 se muestran algunas estructuras relacionadas con la c.c.c.:

La estructura 3-6(a) es la correspondiente a ciertos compuestos con frmula AB entre los que se puede destacar al cloruro de sodio, de carcter inico, o al carburo de wolframio, de carcter metlico. La red de la estructura 3-6(a) es c.c.c. y la base est formada por un ion A en posicin (0, 0, 0) y otro ion B que se sita en (1/2, 1/2, 1/2). Tambin se puede describir estas estructuras indicando que los iones de tipo A ocupan las posiciones correspondientes a los puntos de una red c.c.c. y los iones del tipo B ocupan las de los intersticios mayores.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 13 de 26

siderurgia.etsii.upm.es La figura 3-6(b) muestra la estructura del diamante con red c.c.c. y base formada por dos tomos de carbono en posiciones (0, 0, 0) y (1/4, 1/4, 1/4). Esta estructura, que se puede considerar formada por dos redes c.c.c. desplazadas a lo largo de su diagonal en una distancia igual a un cuarto de su longitud, puede aparecer en algunos metales como la variedad gris del estao. Otra forma de considerar esta estructura es como una red c.c.c. en la que se ocupan de forma alternativa la mitad de los intersticios tetradricos. Hay compuestos de frmula AB con estructuras derivadas de la del diamante como, por ejemplo, la que aparece en la figura 36(c) que corresponde a la blenda, SZn. La red de la blenda es c.c.c. y su base est formada por un ion S y otro Zn
= ++

en posiciones (0, 0, 0) y (1/4, 1/4, 1/4).

La estructura que se ha representado en la figura 3-6(d) aparece en algunos compuestos con frmula AB2 de carcter inico como la fluorita o espato de flor, F Ca, o de carcter 2 metlico como el Mg2Pb. La red de esta estructura es c.c.c. y la base est formada por un ion Ca
++ -

que se sita en el origen y dos iones F en (1/4, 1/4, 1/4) y (1/4, 3/4, 1/4).

Figura 3-6. Estructuras del ClNa (a), del diamante (b), de la blenda (c) y de la fluorita (d)

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 14 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

3.3 Sistema hexagonal compacto (h.c.)

La estructura del sistema h.c., a diferencia de las de los sistemas c.c. y c.c.c, no coincide con ninguna de las redes de Bravais. La red de un cristal con estructura h.c. es hexagonal y la base est formada por dos iones situados en posiciones (0, 0, 0) y (2/3, 1/3, 1/2) que son los marcados en la figura 3-7(a). El prisma hexagonal que aparece en la figura 3-7(b), construido uniendo 3 celdillas como la de la figura 3-7(a), permite justificar de modo grfico el porqu del nombre de este sistema.

Figura 3-7. Celdilla unidad del sistema hcp

El nmero de iones contenidos en una celdilla convencional como la de la figura 3-7(b) es de 6 ya que se ha construido con tres celdillas como las de la figura 3-7(a) cada una de las cuales contiene los dos iones de la base asociada a la misma. Un procedimiento alternativo que permite llegar al mismo resultado es el siguiente: cada uno de los 12 iones situados en los vrtices del prisma hexagonal de la figura 3-7(b) est compartido por las 6 celdillas que concurren en el mismo, los iones situados en el centro de las bases estn compartidos por dos celdillas vecinas y los situados en el plano central del prisma estn ntegramente contenidos en el mismo de modo que, como era de esperar, el nmero de iones resulta 12 x 1/6 + 2 x 1/2 + 3 = 6.

Cuando se aplica la condicin de tangencia a lo largo de las aristas de la base, se concluye que el parmetro a debe coincidir con el doble del radio (a = 2.r). De la condicin de tangencia
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 15 de 26

siderurgia.etsii.upm.es entre las esferas situadas en el plano central del prisma y las situadas en las bases, se sigue que la relacin entre la altura del prisma, c, y la arista de la base, a, debe ser doble de la existente entre la altura y la arista de un tetraedro regular, es decir, c/a = 2. 2 / 3 .

El nmero de coordinacin para el sistema h.c. es 12. Los vecinos ms prximos a uno de los iones que centran una de las bases son los seis situados en los vrtices de la misma, los seis que se encuentran en los planos centrales de los prismas hexagonales vecinos de los que forma parte la base que se considera. La misma conclusin se alcanzara al considerar cualquier otro ion por las razones que se han comentado en apartados anteriores.

Cuando se conocen los resultados anteriores, el clculo de la compacidad resulta sencillo, llegndose a:

compacidad =

6 . 4 ..r 3 3 = = 0,74 3. 2 1 .a. 3 .a.c 6. 2 2

[3.4]

Una vez que se ha llegado a este punto, conviene sealar que el nmero de coordinacin y la compacidad en los sistemas c.c.c. y h.c. son iguales y que, adems, alcanzan los valores mximos posibles para apilamientos de esferas idnticas. Para comprender porque esto es as, se va a presentar una demostracin constructiva. El apilamiento ms eficiente de esferas idnticas sobre un plano se consigue cuando cada esfera es tangente a otras seis segn se ilustra en la figura 3-8(a). Para construir un apilamiento tridimensional de esferas de mxima eficiencia deben sobreponerse planos como el descrito sobre el mismo de modo que las distancias interplanares resulten mnimas. Esto se consigue si los centros de las esferas del plano que se sobrepone al que se considera se sitan sobre las posiciones marcadas con las letras B o las marcadas con C. Si el segundo plano se ha dispuesto de modo que los centro de las esferas ocupen posiciones B, los centros de las esferas del tercer plano del apilamiento de mxima eficiencia deben situarse sobre posiciones A o C. No es difcil darse cuenta que, siguiendo el mtodo anterior, se pueden construir infinitos apilamientos con nmero de coordinacin 12 que resultan de mxima compacidad. Los sistemas h.c. y c.c.c. no son ms que casos particulares de este tipo de apilamientos. En el primer caso, la secuencia de apilamiento es del tipo ...ABABAB... mientras que en el segundo lo es del tipo ...ABCABC.... Los planos que presentan un disposicin de los iones como la de la figura 3-8(a) se denominan planos compactos y son los basales en los cristales h.c. y los octadricos en los cristales c.c.c segn se puede ver en las figuras 3.8(b) y 3.8(c). Los planos que se han citado en ltimo lugar reciben su nombre por contener las caras de los octaedros que limitan los intersticios mayores de los cristales c.c.c.
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 16 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

Figura 3-8. Apilamientos de mxima eficiencia: distribucin de los iones sobre los planos compactos (a) y planos compactos en cristales h.c. (b) y c.c.c. (c)

La figura 3-9 muestra que los intersticios de los cristales con mxima compacidad, c.c.c. y h.c., estn limitados por iones situados sobre dos planos compactos contiguos. Como consecuencia, los intersticios del sistema h.c. deben tener la misma geometra (relacin tamao/radio metlico) y deben aparecer en idntica cantidad (relacin nmero de intersticios de cada tipo/nmero de iones por celdilla) que los presentes en los c.c.c. Es decir, en la celdilla de la figura 3-8(b) hay 6 intersticios octadricos con radio rI = 0,41.r tetradricos con radio ri = 0,225.r. y 12 intersticios

Figura 3-9. Intersticios en los sistemas c.c.c. y hcp. Los cuatro iones ms oscuros se encuentran sobre los vrtices de un tetraedro y los seis ms claros lo estn sobre los de un octaedro.

nicamente el helio, slido de Van der Waals a temperaturas prximas al cero absoluto presenta una estructura hcp ideal. Los cristales metlicos con estructura hcp se separan de la
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 17 de 26

siderurgia.etsii.upm.es idealidad en cuanto que el cociente c/a toma valores distintos del terico 1,633 segn se puede ver con los ejemplos que se presentan en la tabla adjunta:

Metal c/a

Be 1,581

Ti 1,586

Co 1,622

Mg 1,623

Zn 1,861

Cd 1,886

La similitud del entorno de un ion en las estructuras c.c.c. y hcp hace que, en general, sus energas sean similares de modo que el paso de una a otra resulta relativamente sencillo y, por tanto, no es difcil encontrar metales con variedades alotrpicas en ambos sistemas. Ejemplos de lo anterior son el Co, que pasa de la estructura cbica a la hexagonal al calentar por encima de 450C, y el hierro, que presenta una variedad alotrpica hexagonal conocida como a presiones superiores a 150 kbar que se transforma en c.c.c. con el calentamiento. Este tipo de comportamientos no slo se da en metales; as, la wurtzita es una de las variedades polimrficas del SZn. Mientras que la secuencia de apilamiento en la blenda es del tipo ...ABCABC..., la de la wurtzita es ...ABABAB...

4. NOTACIONES CRISTALOGRFICAS
Ciertos aspectos del comportamiento de los slidos cristalinos estn relacionados con el modo en que las entidades que forman el cristal se distribuyen sobre algunos planos y direcciones particulares. De ah la necesidad de identificar de una forma precisa los planos y las direcciones en los cristales, identificacin que se consigue por medio de las notaciones cristalogrficas.

4.1 ndices de Miller

El convenio universalmente aceptado para denotar planos y direcciones en un cristal es el de los ndices de Miller. El sistema de referencia que se utiliza es el mismo que se ha descrito para localizar las entidades que forman la base de un cristal, una referencia con los ejes paralelos a las aristas de la celdilla unidad en el que los parmetros a, b y c se utilizan como unidades de medida a lo largo de cada uno de los ejes. De acuerdo con esta eleccin, slo para los sistemas cbicos se trabaja con una referencia en la que los tres ejes son mutuamente perpendiculares y en la que la unidad de medida es la misma para los tres ejes.

La figura 4-1 ilustra el proceso que hay que seguir para obtener los ndices de Miller de un plano. El primer paso es determinar la distancia al origen de los cortes de dicho plano con los
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 18 de 26

siderurgia.etsii.upm.es ejes que, en general, resultan ser p, q y r. A continuacin, se calculan los inversos de las distancias al origen 1/p, 1/q y 1/r y, por ltimo, se reducen las fracciones resultantes para obtener la terna de enteros ms sencilla posible h, k, l. Los ndices de Miller del plano son estas tres cifras escritas entre parntesis sin ninguna separacin, ( hkl). Si como resultado de este proceso apareciera alguna cantidad negativa, en lugar de colocar el signo menos delante de la cifra correspondiente como es habitual, se coloca sobre ella.

Figura 4-1: ejemplo de clculo de los ndices de Miller de un plano

Una cuestin que se puede plantear en este momento es porqu se afirma en el prrafo anterior que los inversos de los cortes de los planos con los ejes se pueden reducir a una terna de enteros. Esto es as porque no todos los planos que se puedan definir en un cristal son interesantes en Cristalografa, slo los planos que contienen infinitos tomos son de importancia para explicar las propiedades de los cristales y para stos la condicin se cumple.

Aunque al introducir el concepto de ndices de Miller resulta cmodo referirse a un plano en particular como el de la figura 4-1, hay que tener presente que, en una estructura peridica como la de un cristal, los planos con idntica orientacin e idntica distribucin de iones son indistinguibles. Realmente la notacin (hkl) hace referencia a un conjunto de planos paralelos al que se ha dibujado en la figura 4-1 con un espaciado interplanar, dhkl, que coincide con la distancia del plano considerado al origen de la referencia. Para el caso particular de los sistemas cbicos, se cumple que:

d hkl =

a h 2 + k 2 + l2

[4.1].

En ocasiones puede resultar de inters referirse a todas las familias de planos con la misma distribucin de iones que la (hkl) sea cual sea su orientacin. En esos casos se utiliza la notacin {hkl}.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 19 de 26

siderurgia.etsii.upm.es El mtodo general descrito no se suele aplicar para identificar los planos en cristales hexagonales. En este caso, se acostumbra a utilizar una notacin con cuatro ndices, (hkil), que permite mostrar de un modo ms claro las simetras de este sistema. En este caso, los ndices h, k y l se determinan por el procedimiento previamente descrito y el ndice i viene dado por la expresin h + k + i = 0.

Los ndices de Miller de una direccin de un cristal se obtienen reduciendo a enteros las componentes de un vector paralelo a la misma y escribiendo las cifras resultantes entre

corchetes sin separacin de comas. En el caso de obtener alguna cantidad negativa se usa el mismo convenio descrito para los planos. Para referirse a todas direcciones con la misma distribucin de iones que la [hkl] se emplea la notacin <hkl>.

Las direcciones en cristales hexagonales se denotan tambin empleando cuatro ndices <hkil>. Si los dos primeros ndices que resultan de aplicar el sistema general son H y K, los ndices nuevos ndices son h = (2.H K)/3, k = (2.K H)/3, h + k + i = 0.

4.2 Densidad planar y densidad lineal

El trmino densidad planar alude al nmero de iones por unidad de superficie presentes en un plano (hkl). La densidad planar se puede calcular a partir del espaciado interplanar por medio de la expresin:

Densidad planar (hkl) = N. de tomos por unidad de volumen x dhkl

[4.2].

Esta ecuacin [4.2] se obtiene por el mtodo general que permite obtener una densidad superficial, , a partir de otra volumtrica, . Cuando se considera una distribucin sobre un volumen con una de sus dimensiones, el espesor e, mucho menor que las otras dos, se puede definir una densidad superficial por la expresin = x e. Como el nmero de tomos por unidad de volumen es una constante para cristal, la densidad planar resulta ser directamente proporcional al espaciado interplanar.

El nmero de iones por unidad de longitud a lo largo de una direccin [hkl] es su densidad lineal.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 20 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

4.3 Planos y direcciones cristalogrficos

Se denominan planos cristalogrficos a las familias {hkl} que cumplen las dos condiciones siguientes:

contienen a todos los iones del cristal. ninguno de los planos de la familia est vaco.

Algunos ejemplos de planos cristalogrficos en los sistemas ms frecuentes entre los metales son los que se muestran en las figuras 4-2, 4-3 y 4-4.

Figura 4-2: planos cristalogrficos en cristales c.c.

Figura 4-3. Planos cristalogrficos en cristales c.c.c.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 21 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

Figura 4-4. Planos cristalogrficos en cristales h.c. Los planos marcados se conocen como prismticos, basales y piramidales, respectivamente.

Los planos cristalogrficos con mxima densidad planar de un cristal se denominan planos densos. De acuerdo con la ecuacin [4.2], los planos densos de un sistema son aquellos a los que corresponde el mayor espaciado interplanar. Como, en general, la distancia interplanar disminuye al aumentar el valor de los ndices, los planos densos coinciden con alguna de las familias (hkl) con valores reducidos de los ndices. Los planos densos de los sistemas cristalinos con planos compactos son precisamente stos. As, los planos densos de los cristales c.c.c. y h.c. son los octadricos y los basales, respectivamente. Para el sistema c.c., que no presenta planos compactos, los planos densos son los {101}.

Se definen las direcciones densas de una cristal como aqullas a lo largo de las cuales la densidad lineal es mxima. Si la densidad lineal a lo largo de una direccin densa toma el mximo valor posible, (2r) , se habla de direcciones compactas. En los tres sistemas metlicos estudiados es posible encontrar direcciones compactas que en los cristales c.c. coinciden con las diagonales de la celdilla, en los c.c.c., con las diagonales de las caras de la celdilla y, en el h.c., con las aristas de la base del prisma
-1

Los planos y las direcciones densas juegan un papel importante a la hora de explicar ciertos aspectos del comportamiento de los slidos cristalinos. As, por ejemplo, los primeros picos que aparecen en los diagramas de difraccin de rayos X son los debidos a los planos densos. En efecto, el ngulo, , correspondiente a las difracciones del plano (hkl) est relacionado con la distancia interplanar por medio de la ley de Bragg:
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 22 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

n . = 2. dhkl . sen

[4.2]

donde n es el orden de la difraccin y es la longitud de onda de la radiacin. Estos picos asociados a los planos densos son, adems, los ms intensos ya que la intensidad crece con el nmero de centros de difraccin.

4.4 Deformacin plstica por deslizamiento

El modo en que se produce la deformacin plstica de un cristal metlico tambin est relacionado con sus planos y direcciones densas. El deslizamiento es uno de los mecanismos microscpicos de deformacin plstica ms importantes en metales. Este fenmeno es fcilmente observable por medio de tcnicas metalogrficas. Las lneas que aparecen en la micrografa 4-1, conocidas como lneas de deslizamiento, son consecuencia del

desplazamiento relativo y paralelo de pequeos bloques de cristal. Las distintas orientaciones de estas lneas muestra que la direccin del deslizamiento en un cristal no es necesariamente nica.

Micrografa 4-1: lneas de deslizamiento en las proximidades de una huella Vickers (zona clara que aparece a la izquierda). La micrografa se ha realizado a 1000 aumentos sobre una probeta de aluminio en estado de pulido.

El deslizamiento elemental se produce cuando la mitad de un cristal se desplaza respecto a la otra mitad sobre un plano cristalogrfico de modo que el cristal queda inalterado. Para que
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 23 de 26

siderurgia.etsii.upm.es las cosas sucedan as, es necesario que el deslizamiento se produzca a lo largo de una direccin cristalogrfica y que la magnitud del desplazamiento coincida con la distancia entre dos iones vecinos situados sobre la misma. Experimentalmente se comprueba que el deslizamiento se produce sobre los planos con mayor densidad y a lo largo de las direcciones densas. Este resultado se puede justificar cualitativamente teniendo en cuenta que los planos ms densos son los que presentan mayores espaciados y, por tanto, cabe esperar que la interaccin entre ellos sea menos intensa que la existente entre familias de planos con espaciados ms reducidas.

Se denomina sistemas de deslizamiento a los pares formados por un plano cristalogrfico con alta densidad planar y una direccin contenida en el mismo a lo largo de la cual se produce el deslizamiento. En la tabla que aparece a continuacin se recogen los sistemas de deslizamiento que se activan con mayor facilidad en los cristales metlicos.

Sistema cristalino c.c.

Direccin de deslizamiento <111>

Plano de deslizamiento {110} {211} {321} {111} {0001} {1010} {1011}

c.c.c. hcp

<110> <1120>

La tabla muestra que en todos los casos, las direcciones de deslizamiento son las direcciones densas y que entre los posibles planos de deslizamiento siempre se encuentran los planos ms densos.

Para el sistema c.c.c., los nicos planos de deslizamiento son los planos compactos {111}. Como los planos octadricos pueden presentar cuatro orientaciones diferentes y para cada una de ellas es posible encontrar tres direcciones compactas distintas, el nmero de sistemas de deslizamiento en los cristales c.c.c. es de doce. Los resultados experimentales muestran que el esfuerzo de cizalla crtico resuelto, nombre que se da al mnimo esfuerzo que hay que aplicar para provocar el deslizamiento elemental, toma valores cercanos a 1 MPa para los cristales c.c.c.

El deslizamiento en cristales c.c. se produce preferentemente sobre los planos densos {110} si bien no resulta difcil que, de forma simultnea, se activen otros sistemas sobre planos que no son paralelos al anterior. Esta particularidad del sistema c.c. hace que las lneas de deslizamiento presenten un aspecto ondulado. Los valores del esfuerzo de cizalla crtico resuelto que se han medido para cristales c.c. son del orden de las decenas de MPa. Si se
Cristalografa Fecha:11/09/01 Pgina 24 de 26

siderurgia.etsii.upm.es comparan estos valores con los obtenidos para cristales c.c.c., se concluye que los metales c.c. resultan ms resistentes que los c.c.c. que, como contrapartida, se pueden deformar plsticamente con mayor facilidad.

El deslizamiento en los cristales metlicos h.c. cuya relacin c/a es mayor o igual que el valor terico 1,633 slo puede producirse sobre los planos basales. Como estos planos no se entrecruzan, es relativamente difcil el cambiar de plano de deslizamiento y los metales con estas estructuras resultan relativamente frgiles. Cuando la relacin c/a es menor que la terica es posible que se activen sistemas de deslizamiento sobre los planos prismticos y piramidales. Como estos planos se cruzan entre s, el cambio de plano de deslizamiento resulta sencillo y estos metales son ms tenaces que los que presentan valores ms elevados de la razn c/a. El esfuerzo de cizalla crtico resuelto para estos metales toma valores intermedios entre los de los cristales c.c.c. y los de los c.c.

Para finalizar hay que insistir en la idea que se presentaba al comienzo de este captulo: las propiedades de un material son funcin de su estructura. La discusin anterior demuestra que la geometra de los cristales metlicos determina el modo en que se produce su deformacin y condiciona sus propiedades mecnicas. Segn se acaba de ver, los valores de la resistencia de los metales, su capacidad para ser conformados por deformacin plstica o su fragilidad dependen del modo en el que se distribuyen los iones en el espacio.

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 25 de 26

siderurgia.etsii.upm.es

EJERCICIOS
1. Considrese la estructura del diamante.

Cul es el nmero de coordinacin?. Calcule el parmetro de la red. Evale su compacidad Estime la densidad Compare los resultados anteriores con los que se obtienen para metales puros y justifique las diferencias

2.

Dibuje un esquema que muestre los sistemas de deslizamiento que se activan en la deformacin plstica de los cristales c.c.

3.

Compruebe que, en cristales cbicos, la direccin [hkl] es perpendicular al plano (hkl).

4.

La figura muestra el diagrama de difraccin de rayos X de una muestra de aluminio que se obtuvo utilizando la radiacin K del cobre que tiene una longitud de onda de 1,542 . Determine el parmetro de la red del aluminio sabiendo que su estructura es cbica. Cul es el radio metlico del aluminio?. Estime la densidad del aluminio

Intensidad (unidades arbitrarias)

38,6
100 75

44,8
50 25 0 20 40 60 80 100 120

65,3

2 (grados)

Cristalografa

Fecha:11/09/01

Pgina 26 de 26