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Electrónica de Potencia Aplicada

Unidad I 1.-Semiconductores de potencia.

1.1. Diodos de potencia.

1.1.1 Características y parámetros.

1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos.

1.1.3 Aplicaciones industriales.

1.1.4 Alimentación de motores de c.c.

1.2. Transistores de potencia.

1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT).

1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS).

1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT).

1.2.4 Características y parámetros.

1.3. Aplicaciones en máquinas eléctricas.

1.4. Circuitos de control híbridos (Electrónicos-

electromecánicos).

¿Que es un semiconductor?

Semiconductor Intrínseco Extrínseco.

HERNÁNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDADI.E.S.MIGUEL

Semiconductor extrínseco: TIPO N

Si SiSi Si SiSi Si SiSi SiSi Si Sb Si SiSi Si + SiSi Si
Si
SiSi
Si
SiSi
Si
SiSi
SiSi
Si
Sb
Si
SiSi
Si
+
SiSi
Si
SiSi
Si
Si
SiSi
Sb Sb + + + Sb Sb + + + Sb Sb + + +
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
ImpurezasImpurezas grupogrupo VV
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
300ºK
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
Sb
Sb
+
+
+
ÁtomosÁtomos dede impurezasimpurezas ionizadosionizados

Sb: antimonio

Impurezas del grupo V de la tabla periódicadede impurezasimpurezas ionizadosionizados Sb: antimonio Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Sb

Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de SbSb: antimonio Impurezas del grupo V de la tabla periódica ElectronesElectrones libreslibres Los portadores

ElectronesElectrones libreslibres

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Electrones libresmayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son Semiconductor extrínseco : TIPO P SiSi Si

Semiconductor extrínseco: TIPO P

SiSi Si SiSi SiSi Si
SiSi
Si
SiSi
SiSi
Si

Al: aluminio

Al Al - - - Al Al - - - Al Al - - -
Al
Al
- -
-
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
-
- -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al
Al
- - -
Al Al - - - Al Al - - - Al Al - - - Al
Al Al - - -
Al
Al
- - -

Impurezas del grupo III de- Al Al - - - Al Al - - - Al Al - - -

la tabla periódica

Es necesaria muy poca

energía para ionizar el átomo de Al

300ºK

Si Al Si SiSi + - SiSi Si SiSi Si SiSi
Si
Al
Si
SiSi
+
-
SiSi
Si
SiSi
Si
SiSi

HuecosHuecos libreslibres

ÁtomosÁtomos dede impurezasimpurezas ionizadosionizados

A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actúan como portadores de
Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actúan como portadores de

Semiconductores. La unión PN: el DIODO.

HERNÁNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDADI.E.S.MIGUEL

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- - - - - - - - - - - - - - - -

Semiconductor tipo P

+ + + + + + + + + + + + + + +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

Semiconductor tipo N

+ + + + + + + + + + + + + Semiconductor tipo N

ZonaZona dede transicitransicióónn

+ - - + - + + - + - - + + - +
+
-
-
+
-
+
+
-
+
-
-
+
+
-
+
-
+
-
+
-
-
-
+
-
+
+
+
+
-
-
+
-

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

-- ++

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada ‘zona de transición’, que actúa como una barrera para el

paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

‘zona de transición’ , que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios
‘zona de transición’ , que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios

Semiconductores. La unión PN: el DIODO.

HERNÁNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDADI.E.S.MIGUEL

La unión P-N polarizada inversamente

N P + - - + - + + - + - - + +
N
P
+
-
-
+
-
+
+
-
+
-
-
+
+
-
+
-
+
-
+
-
-
-
+
-
+
+
+
+
-
-
+
-
++

La zona de transición

se hace más grande.

Con polarización

inversa no hay circulación de corriente.

La unión P-N polarizada en directa

La zona de transición se

hace más pequeña. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensión

directa. P P P N N N
directa.
P
P
P
N
N
N
de un cierto umbral de tensión directa. P P P N N N DIODO SEMICONDUCTOR N

DIODO SEMICONDUCTOR

N P + - - + - + + - + - - + +
N
P
+
-
-
+
-
+
+
-
+
-
-
+
+
-
+
-
+
-
+
-
-
-
+
-
+
+
+
+
-
-
+
-
I
++
Conclusiones:

Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente. Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de corriente eléctrica

hay conducción de corriente. Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de

Semiconductor

Semiconductor

Diodos de potencia

Características estáticas

Parámetros en bloqueo.

Parámetros en conducción. Modelos estáticos de diodo. Características dinámicas Tiempo de recuperación inverso. Influencia del trr en la conmutación.

Tiempo de recuperación directo.

del trr en la conmutación. Tiempo de recuperación directo. Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx).

Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx). Potencia media disipada (PAV). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM). Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM). Características térmicas

Temperatura de la unión (Tjmáx). Temperatura de almacenamiento (Tstg). Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc). Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd).

Diodos de potencia

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones :

son dispositivos unidireccionales, no pudiendo

circular la corriente en sentido contrario al de

conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña

caída de tensión. En sentido inverso, deben ser

capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad

Características Estáticas

Parámetros en bloqueo Tensión inversa de pico de trabajo (V RWM ): es la que

puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensión inversa de pico repetitivo (V RRM ): es la que puede

ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensión inversa de pico no repetitiva (V RSM ): es aquella

inversa de pico no repetitiva (V R S M ) : es aquella que puede ser

que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. Tensión de ruptura (V BR ): si se alcanza, aunque sea una

sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo. Tensión inversa contínua (V R ): es la tensión continua que

soporta el diodo en estado de bloqueo.

Características Estáticas

Parámetros en conducción Intensidad media nominal (I F(AV) ): es el valor medio de la

máxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (I FRM ): es aquella que puede

ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). Intensidad directa de pico no repetitiva (I FSM ): es el

directa de pico no repetitiva (I F S M ) : es el máximo pico de

máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms. Intensidad directa (I F ): es la corriente que circula por el

diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.

Modelos del diodo

Modelos del diodo Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos

escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del

programa.

Características Dinámicas

Tiempo de recuperación Inverso El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I F , la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea I F . Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante.

La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta

llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y

aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo

Características Dinámicas

Tiempo de recuperación Inverso

Características Dinámicas Tiempo de recuperación Inverso • ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que

transcurre desde el paso por cero de la intensidad

hasta llegar al pico negativo.

tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido

desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele

medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

Características Dinámicas

Características Dinámicas Tiempo de recuperación Inverso • Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y

Tiempo de recuperación Inverso

Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.

di/dt: es el pico negativo de la intensidad.

Irr: es el pico negativo de la intensidad.

Características Dinámicas

Características Dinámicas La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo :

como factor de suavizado "SF". Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de

Características Térmicas

Temperatura de la unión (T jmáx ) Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. En ocasiones, en lugar de

la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de

temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (T stg ) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Características Térmicas

Resistencia térmica unión-contenedor (R jc ) Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:

R jc = (T jmáx -

T c ) / P máx

siendo T c la temperatura del contenedor y P máx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (R cd ) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).

DIODOS DE POTENCIA

Características fundamentales

Tensión de ruptura

Caída de tensión en conducción

Corriente máxima

Velocidad de conmutación

Tensión de ruptura

Baja tensión

Media tensión

Alta tensión

15

V

100

V

500

V

30

V

150

V

600

V

45

V

200

V

800

V

55 V

400 V

1000 V

60

V

1200 V

80

V

DIODOS DE POTENCIA

Tensión de codo

i V 0 V 
i
V
0
V 

Curva

característica real

pendiente = 1/r d

A mayor tensión de ruptura , mayor caída de tensión en conducción

 

Señal

Potencia

Alta tensión

V

Ruptura

< 100 V

200 1000 V

10 20 kV

V

Codo

0,7 V

< 2 V

> 8 V

DIODOS DE POTENCIA

Datos del diodo en corte

Tensión inversa V RRM

Repetitive Peak Voltage

i n v e r s a V R R M Repetitive Peak Voltage La tensión
i n v e r s a V R R M Repetitive Peak Voltage La tensión

La tensión máxima es crítica

Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo

DIODOS DE POTENCIA

Datos del diodo en conducción

Corriente directa I F

Corriente directa de pico repetitivo I FRM

Forward Current

Repetitive Peak Forward Current

I F R M Forward Current Repetitive Peak Forward Current La corriente máxima se indica suponiendo

La corriente máxima se indica suponiendo que el dispositivo está

atornillado a un radiador

DIODOS DE POTENCIA

Características dinámicas

Indican capacidad de conmutación del diodo

R i a b + V 2 V 1
R
i
a
b
+
V
2
V
1

-

V

i V 1 /R t
i
V
1 /R
t
V t -V 2
V
t
-V 2

Transición de “a” a “b”

Comportamiento dinámicamente ideal
Comportamiento
dinámicamente ideal

DIODOS DE POTENCIA

Características dinámicas

Transición de “a” a “b”

R i a b + V 2 V 1
R
i
a
b
+
V
2
V
1

-

V

t s = tiempo de almacenamiento (storage time )

t f = tiempo de caída (fall time )

t rr = tiempo de recuperación inversa (reverse recovery time )

i V 1 /R t rr t t s t (i= -0,1·V 2 /R) -V
i
V
1 /R
t
rr
t
t
s
t
(i= -0,1·V 2 /R)
-V 2 /R
f
V
t
-V 2

Características dinámicas

R i a b + V 2 V 1
R
i
a
b
+
V
2
V
1

-

Transición de “b” a “a” (encendido)

El proceso de encendido es más rápido que el apagado.
El proceso de encendido es más rápido
que el apagado.

V

i 0,9·V 1 /R 0,1·V 1 /R t d t t d = tiempo de
i
0,9·V 1 /R
0,1·V
1 /R
t
d
t
t d = tiempo de retraso (delay time )
r
t
t r = tiempo de subida (rise time )
fr
t fr = t d + t r = tiempo de recuperación directa
(forward recovery time )
DIODOS DE POTENCIA

DIODOS DE POTENCIA

Características dinámicas

DIODOS DE POTENCIA Características dinámicas

DIODOS DE POTENCIA

Características Principales

DIODOS DE POTENCIA Características Principales Corriente directa Tensión inversa Tiempo de recuperación Caída de

Corriente directa Tensión inversa Tiempo de recuperación Caída de tensión en conducción

Encapsulado

DIODOS DE POTENCIA

Tiempo de recuperación en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rápidamente del estado de corte al estado de conducción.

El tiempo que tarda en conmutar se llama :

TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA

Los diodos se pueden clasificar en función de su tiempo de

recuperación:

DIODOS DE POTENCIA

Tipos de diodos

Se clasifican en función de la rapidez (t rr )

 

V

RRM

I

F

t

rr

Standard

100

V - 600 V

 

1

A 50 A

 

> 1 s

Fast

100

V - 1000 V

1

A 50 A

100 ns 500 ns

Ultra Fast

200

V - 800 V

1

A 50 A

20 ns 100 ns

Schottky

15 V - 150 V

1

A 150 A

< 2 ns

Las características se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web

www.irf.com

www.onsemi.com

www.st.com

www.infineon.com

se pueden encontrar en Internet (pdf) Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com
se pueden encontrar en Internet (pdf) Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com
se pueden encontrar en Internet (pdf) Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com

DIODOS DE POTENCIA

Aplicaciones:

DIODOS DE GAMA MEDIA:

Fuentes de alimentación Soldadores

DIODOS RÁPIDOS

Aplicaciones en que la velocidad de conmutación es crítica

Convertidores CD CA

DIODOS SCHOTTKY Fuentes de alimentación de bajo voltaje y alta corriente Fuentes de alimentación de baja corriente eficientes

Calculo de parámetros en los diodos

Calculo de parámetros en los diodos La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo :

de suavizado "SF". Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo

También

de suavizado "SF". Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo

DIODOS DE POTENCIA

DIODOS DE POTENCIA Se puede apreciar que en a ecuación 2.10 y 2.11 que el tiempo

Se puede apreciar que en a ecuación 2.10 y 2.11 que el tiempo de recuperación inversa trr y la corriente pico de recuperación inversa IRR dependen de la carga de almacenamiento QRR y de la di/dt inversa (o reaplicada). La carga de almacenamiento depende de la corriente de diodo en sentido directo IF. La corriente de pico de recuperaciòn inversa IRR, la carga en sentido inverso QRR y el FS (factor de suavidad) tienen interes para el diseñador del circuito

Calculo de corriente de recuperación

inversa

Ejemplo: El tiempo de recuperación inversa de un diodo es Trr=3 s y la velocidad de caída de la corriente por el diodo es de di/dt =30 A/s.

Determinar:

a) La carga QRR de almacenamiento

b).- La corriente pico en sentido inverso IRR.

c).- Realiza nuevamente los cálculos si

Trr=1.5s

Diodos conectados en serie

En ocasiones se tienen dos diodos con voltajes

inversos diferentes con los cuales se necesitan

conectar en serie debido a que uno solo no ofrece la capacidad de voltaje inverso al cual será conectado.

se necesitan conectar en serie debido a que uno solo no ofrece la capacidad de voltaje

Diodos conectados en serie

Para igualar las características de los diodos se debe de realizar la siguiente configuración, la cual nos permitirá acoplar sus características

siguiente configuración, la cual nos permitirá acoplar sus características De la cual se cumple la siguiente

De la cual se cumple la siguiente ecuación

siguiente configuración, la cual nos permitirá acoplar sus características De la cual se cumple la siguiente

Ejemplo

Se conectan dos diodos en serie, como se ve en la figura, para compartir un voltaje total de cd en sentido inverso de 5KV. La corriente de fuga inversa de los diodos son 1 = 30 e 2 = 35. Determinar:

a).- Los voltajes de diodo, si las resistencias de voltaje compartido son iguales a 1 = 2 = 100 Ω.

b).- Determinar las resistencias de voltaje compartido 1 2 para que los voltajes en los diodos sean iguales 1 = 2 =

c).- Usar Pspice para comprobar los resultados de la parte a). Los parámetros del modelo Pspice de los diodos son BV = 3kV a IS = 30mA para el diodo 1 , e IS=35 mA para el diodo 2 .

2

.