CMO FUNCIONA En este artculo nos referiremos al principio fsico por el cual se almacena informacin en un flash drive, y no a su circuito

electrnico. Sobre esto, solo mencionamos que tienen un circuito elaborado, que interacta con el microprocesador del computador al que se conecta. En particular, en su interior se distinguen 3 piezas principales: un componente metlico alargado, que es un cristal de cuarzo y dos circuitos integrados planos ("chips") con muchos terminales. Uno de ellos es un tipo de microprocesador, y el otro es la unidad de almacenamiento de informacin, la "memoria" propiamente dicha, de la que trata este artculo. Como la memoria de un flash drive no tiene partes mviles ni bobinas, el almacenamiento no puede ser magntico (ya que, segn la Ley de Faraday-Lenz, requerira la variacin de flujo magntico para inducir voltaje). Por lo tanto, las unidades integradas que guardan la informacin en el interior del chip, lo hacen en forma elctrica: son condensadores integrados. En la naturaleza, los materiales estn formados por molculas compuestas por tomos enlazados entre s. Segn el tipo de enlace atmico y molecular, los electrones exteriores de cada tomo tienen mayor o menor posibilidad de moverse alrededor de los ncleos y electrones ms internos. En los aislantes como muchos cermicos y plsticos, donde los los enlaces son inicos y/o covalentes, los electrones externos estn fuertemente ligados a un tomo y sus "vecinos". Estos enlaces son, en general, complejos, y en algunos materiales, hacen que los electrones no estn uniformemente distribudos. Es decir, pasan ms tiempo en un lado de la molcula que en el otro. Esto significa que un material no conductor, aunque sea elctricamente neutro, puede manifestar una electrizacin interna neta. Desde este punto de vista, los materiales podran separarse en dos grupos antagnicos: los conductores (donde habiendo enlaces metlicos los "electrones libres" pueden ir de un tomo a otro a lo largo del material), y los aislantes o dielctricos. Un condensador es un dispositivo simple esencialmente formado por dos conductores separados por un aislante, a los que se puede aplicar un voltaje para generar un campo elctrico que electrice el dielctrico interior. De este modo se puede guardar carga elctrica. Mientras ms electrizable sea el dielctrico, menor campo elctrico habr en el interior, y ms carga podr acumularse en el condensador. Segn cul sea la aplicacin, se disean para acumular "energa elctrica" o para guardar "informacin". Una vez guardada la (carga) informacin, hay que poder leerla sin eliminarla. Para evitar que se descarguen los condensadores, se usa un tipo de transistores

por efecto de campo (field effect transistors, FETs) integrados, que actan como interruptores de altsima aislacin elctrica. Pero hay algo ms ... si se quita la energa elctrica al sistema, los condensadores tpicos se descargan. Las memorias de este tipo se denominan "voltiles". Por lo tanto falta mencionar lo que hace que los flash drives no tengan pilas, y que sus memorias sean "no voltiles". Existen dos tipos de dielctricos; los que se denominan "lineales", requieren la presencia de un campo elctrico exterior para estar electrizados. Por el contrario, los denominados "ferroelctricos" tienen histresis elctrica, es decir, poseen memoria de haber sido electrizados, y hace falta energa externa para eliminar su estado de electrizacin.

El material dielctrico de los condensadores de estas "memorias de bolsillo" es ferroelctrico.

Cmo funciona un ferroelctrico? Consideremos el compuesto ferroelctrico ms importante hasta el presente: el titanato de bario, BaTiO 3. La mayora de los dielctricos de condensadores tienen este compuesto o algn compuesto relacionado, con una estructura denominada perovskita. En el caso del titanato de bario, por encima de 120 C, la estructura consiste en un catin Ti4+ en el centro de un cubo, con aniones O2- en las caras y cationes Ba2+ en las esquinas. Pero por debajo de la temperatura de Curie (120 C para el BaTiO3), hay una transicin de fase que cambia la estructura cbica a una donde los iones Ba2+ y O2- se desplazan de sus posiciones en el cubo, y el in Ti 4+ se desplaza del centro. Esto da origen a un dipolo elctrico permanente, que genera una polarizacin elctrica espontnea. Esto es la ferroelectricidad. Este fenmeno se conoce desde antes de 1930, pero la integracin a gran escala (que comenz alrededor de 1980) y la alta velocidad de transferencia de informacin, se estn incrementando solo desde las ltimas dcadas. Por lo tanto, se puede decir que este producto estaba conceptualmente inventado y esperando la tecnologa del futuro para ser desarrollado. Las memorias utilizadas en los flash drives son un tipo de FRAM (Ferroelectric Random Access Memory), que utilizan una pelcula o film ferroelctrico en condensadores integrados dentro de un chip. Sus carctersticas ms importantes son que operan a muy alta frecuencia, pueden regrabarse muchas veces, tienen muy bajo consumo y son no-voltiles.