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A Evoluo dos Computadores II - Como so fabricados os processadores Por Carlos E.

Morimoto O componente bsico para qualquer chip o wafer de silcio que obtido atravs da fuso do silcio junto com os materiais que permitiro sua dopagem posteriormente. Inicialmente so produzidos cilindros, com de 20 a 30 centmetros de dimetro, que posteriormente so cortados em fatias bastante finas:

Estas fatias por sua vez so polidas e tratadas, obtendo os wafers de silcio. A qualidade do wafer determinar o tipo de chip que poder ser construdo com base nele. Wafers de baixa qualidade, usados para para construir circuitos rudimentares, com poucos milhares de transstores podem ser comprados a preos bastante baixos, a partir de milhares de fornecedores diferentes. Entretanto, para produzir um processador moderno, preciso utilizar wafers de altssima qualidade, que so extremamente caros. Embora o silcio seja um material extremamente barato e abundante, toda a tecnologia necessria para produzir os wafers faz com que eles estejam entre os produtos mais caros produzidos pelo homem. Cada wafer de 30 centmetros custa de mais de 20 mil dlares para um fabricante como a Intel, mesmo quando comprados em grande quantidade. Cada wafer usado para produzir vrios processadores, que no final da produo so separados e encapsulados individualmente. No seria possvel mostrar todos os processos usados na fabricao de um processador, mas para lhe dar uma boa idia de como eles so produzidos, vou mostrar passo a passo a construo de um nico transstor. Imagine que um Core 2 Duo possui 291 milhes de transstores e cada wafer permite produzir algumas centenas de processadores. Tudo comea com o wafer de silcio em seu estado original:

A primeira etapa do processo oxidar a parte superior do wafer, transformando-a em dixido de silcio. Isto obtido expondo o wafer a gases corrosivos e altas temperaturas. A fina camada de dixido de silcio que se forma que ser usada como base para a construo do transstor.

Em seguida aplicada uma camada bastante fina de um material fotosensvel sobre a camada de dixido de silcio. Usando uma mscara especial, jogada luz ultravioleta apenas em algumas reas da superfcie. Esta mscara tem uma padro diferente para cada rea do processador, de acordo com o desenho que se pretende obter. A tcnica usada aqui chamada de litografia ptica. Existem vrias variaes da tecnologia, como a EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography), usada nos processadores atuais. Quanto mais avanada a tcnica usada, menores so os transstores, permitindo o desenvolvimento de processadores mais complexos e rpidos.

A camada fotosensvel originalmente slida, mas ao ser atingida pela luz ultravioleta transforma-se numa substncia gelatinosa, que pode ser facilmente removida. Depois de remover as partes moles da camada fotosensvel, temos algumas reas do

dixido de silcio expostas, e outras que continuam cobertas pelo que restou da camada:

O wafer banhado com um produto especial que remove as partes do dixido de silcio que no esto protegidas pela camada fotosensvel. O restante continua intacto.

Finalmente, removida a parte que restou da camada fotosensvel. Note que como temos substncias diferentes possvel remover uma camada de cada vez, ora o dixido de silcio, ora a prpria camada fotosensvel. Com isto possvel desenhar as estruturas necessrias para formar os transstores. Temos aqui pronta a primeira camada. Cada transstor formado para vrias camadas, dependendo do projeto do processador. Neste exemplo, temos um transstor simples, de apenas quatro camadas, mas os processadores atuais utilizam um numero muito maior de camadas, mais de vinte em alguns casos, dependendo da densidade que o fabricante pretende alcanar.

Comea ento a construo da segunda camada do transstor. Inicialmente o wafer passa novamente pelo processo de oxidao inicial, sendo coberto por uma nova camada (desta vez bem mais fina) de dixido de silcio. Note que apesar da nova camada de dixido, o desenho conseguido anteriormente mantido.

Em seguida aplicada sobre a estrutura uma camada de cristal de silcio. Sobre esta aplicada uma nova camada de material fotosensvel.

Novamente, o wafer passa pelo processo de litografia, desta vez utilizando uma mscara diferente.

Novamente, a parte da camada fotosensvel que foi exposta luz removida, deixando expostas partes das camadas de cristal de silcio e dixido de silcio, que so removidas em seguida.

Como na etapa anterior, o que restou da camada fotosensvel removida. Terminamos a construo da segunda camada do transstor.

Chegamos a uma das principais etapas do processo de fabricao, que a aplicao das impurezas, que transformaro partes do wafer de silcio num material condutor. Estas impurezas tambm so chamadas de ons. Note que os ons aderem apenas camada de silcio que foi exposta no processo anterior e no nas camadas de dixido de silcio ou na camada de cristal de silcio.

adicionada ento uma terceira camada, composta de um tipo diferente de cristal de silcio e novamente aplicada a camada fotosensvel sobre tudo.

O wafer passa novamente pelo processo de litografia, usando mais uma vez uma mscara diferente.

As partes do material fotosensvel expostas luz so removidas, expondo partes das camadas inferiores, que so removidas em seguida.

Temos agora pronta a terceira camada do transstor. Veja que a estrutura do transstor j est quase pronta, faltando apenas os trs filamentos condutores.

Uma finssima camada de metal aplicada sobre a estrutura anterior. Nos processadores atuais, que so produzidos atravs de uma tcnica de produo de 0.065 mcron, esta camada metlica tem o equivalente a apenas 3 tomos de espessura.

O processo de aplicao da camada fotosensvel, de litografia e de remoo das camadas aplicado mais uma vez, com o objetivo de remover as partes indesejadas da camada de metal. Finalmente temos o transstor pronto.

Cada processador constitudo por vrios milhes de transstores, divididos em diversos grupos de componentes, entre eles as unidades de execuo (onde as instrues so realmente processadas) e os caches. Como todo processador atual processa vrias instrues por ciclo, so includos diversos circuitos adicionais, que organizam e ordenam as instrues, de forma a aproveitar da melhor maneira possvel os recursos disponveis. No final do processo, toda a rea do wafer coberta por processadores. Destes, muitos acabam sendo descartados, pois qualquer imperfeio na superfcie do wafer, partcula de poeira, ou anomalia durante o processo de litografia acaba resultando numa rea defeituosa. Temos tambm os processadores "incompletos", que ocupam as bordas do wafer; que tambm so descartados:

Cada processador testado individualmente, atravs de um processo automtico. O wafer finalmente cortado e os processadores "bons" so finalmente encapsulados, ou seja, instalados dentro da estrutura que os protege e facilita o manuseio e instalao:

O formato do encapsulamento varia de processador para processador. Geralmente temos um spreader, ou seja, uma proteo de metal sobre o die do processador, que fica entre ele e o cooler. Entretanto em muitos processadores, como os Athlons, Durons e Semprons antigos, usado um encapsulamento mais simples, onde a parte central a prpria parte inferior do wafer de silcio, exposta para melhorar a dissipao de calor. Nestes casos, preciso redobrar os cuidados na hora de instalar e remover o cooler, pois qualquer dano ao ncleo ser suficiente para inutilizar o processador:

S a ttulo de curiosidade, o Intel 4004 era produzido numa tcnica de 10 micra, onde cada transstor mede o equivalente a 1/100 de milmetro. Parece pouco, mas estes transistores parecem pirmides se comparados aos atuais. O 486 j foi produzido numa tcnica de 1 mcron, onde cada transstor ocupa uma rea 100 vezes menor. Enquanto o 4004 tinha apenas 2.000 transstores, o 486 tinha um milho deles. Como a velocidade de operao do transstor est diretamente relacionada a seu tamanho, o 486 tambm brutalmente mais rpido. Enquanto o 4004 opera a 740 kHz, o 486 atingiu 100 MHz (nas verses fabricados pela Intel). Mas, isso no nada se comparado com os processadores atuais. Um Core 2 Duo X6800 fabricado numa tcnica de 0.065 mcron (237 vezes menores que os do 486!), possui 291 milhes de transstores e opera a 2.93 GHz. Esto previstos processadores fabricados numa tcnica de 0.045 mcron em 2008 e 0.032 mcron em 2010. Depois disso no se sabe at onde a tecnologia poder evoluir, pois os fabricantes esto se aproximando dos limites da matria. A 0.032 mcron j temos transstores ocupando uma rea equivalente a poucas centenas de tomos de silcio.