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Defeitos cristalinos Defeito cristalino uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal.

. Na realidade, os cristais nunca so perfeitos e contm vrios tipos de imperfeies e defeitos, que afetam muitas das suas propriedades fsicas e mecnicas, o que, por sua vez, altera propriedades de engenharia importantes, tais como a plasticidade (a frio) das ligas, a condutividade eletrnica dos semicondutores (condutividade dos semicondutores depende das impurezas presentes) a velocidade de migrao dos tomos nas ligas (a difuso atmica pode ser acelerada pelas impurezas e imperfeies) a cor e luminescncia de muitos cristais se devem as impurezas ou imperfeies, assim como a corroso dos metais. As imperfeies nas redes cristalinas so classificadas de acordo com a sua geometria e forma. Podem envolver uma irregularidade na posio dos tomos ou no tipo de tomos. O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o cristal processado. Os tipos de defeitos podem ser definidos como: Defeitos pontuais: irregularidades que se estendem sobre somente alguns tomos (defeitos adimensionais - dimenso zero), podendo ser lacunas, intersticiais ou substitucionais; Defeitos lineares: irregularidades que se estendem atravs de uma nica fileira de tomos (unidimensionais), podendo ser discordncias em hlice ou discordncias em cunha; Defeitos planares: irregularidades que se estendem atravs de um plano de tomos (bidimensionais, que incluem as superfcies exteriores e os limites de gro interiores), podendo ser contornos de pequeno ngulo, contornos de gro, interface precipitado - matriz; 1-Defeitos pontuais O defeito pontual mais simples a lacuna, que corresponde a uma posio atmica na qual falta um tomo. As lacunas podem ser originadas durante a solidificao, como resultado de perturbaes locais durante o crescimento dos cristais, ou podem ser criadas pelo rearranjo dos tomos de um cristal, devido mobilidade atmica. Nos metais, a concentrao de equilbrio de lacunas raramente excede cerca de 1 em 10.000 tomos. As lacunas so defeitos de equilbrio dos metais e a sua energia de formao cerca de 1 e V (energia necessria para transferir um tomo do interior do cristal para a superfcie). Metais que cristalizam com estrutura hcp, em temperaturas prximas da temperatura de fuso (Tm) apresentam uma proporo de lacunas da ordem de 10-3 a 10-4, j algumas ligas, em particular em carbetos de metais de transio como o TiC a falta de um componentes pode chegar a 50%. Podem ser introduzidas lacunas adicionais nos metais por deformao plstica, atravs de resfriamento rpido, de temperaturas elevadas at temperaturas baixas, de forma a enclausurar as lacunas, e tambm atravs do bombardeamento com partculas de alta energia como, por exemplo, os nutrons. As lacunas de no equilbrio tm tendncia a agrupar-se, originando bilacunas ou trilacunas. As lacunas podem mover-se por troca de posio com os tomos vizinhos. Este processo importante na migrao ou difuso de tomos no estado slido, particularmente a temperaturas elevadas, quando a mobilidade atmica maior (defeito importante para mecanismo de interdifuso tomo substitucional). A

presena de um vazio significa que as ligaes atmicas na vizinhana do defeito no foram satisfeitas. As lacunas constituem o nico tipo de defeito que est em equilbrio com o cristal. Assim o nmero de lacunas para uma dada quantidade de material funo da temperatura de acordo com a Equao 7.1 onde N o nmero de tomos, T a temperatura absoluta (K), k a constante de Boltzmann (1,38x10-23 J/tomoK ou 8,62x10-5 eV/tomoK). Para grande parte dos metais, a frao de lacunas (Nv/N) logo abaixo da temperatura de fuso da ordem de 10-4 (0,01%). 1.1-Defeitos intersticiais A presena de um tomo em uma posio que no pertence estrutura do cristal perfeito como a ocupao de um vazio intersticial, por exemplo, significa uma distoro na estrutura devido ao desajuste causado pela presena deste tomo (tem efeito endurecedor). importante lembrar que de acordo com a curva do potencial de ligao, desvios ou distores na distncia interatmica de equilbrio causam aumento de energia. Ocorre quando tomos tm tamanho muito menor do que o solvente. Tem maior mobilidade na rede, pois interdifuso no exige mecanismo de lacunas. Caso do H e do C nos aos. 1.2-Defeito substitucional Ocorre quanto tomos tm tamanhos prximos aqueles da matriz com diferenas entre raios menor que 15 %. Gera distoro no reticulado: introduz tenses, atua como barreira ao movimento de discordncias e aumenta a resistncia do material. mais difcil se mover (interdifuso) pela rede cristalina. Exemplos: Ni em aos inoxidveis austenticos esta dissolvido na austenita e Zn (abaixo de 30 %) no cobre forma lato. 1.3-Defeitos pontuais em slidos inicos Nos cristais inicos, os defeitos pontuais so mais complexos, devido necessidade de manter a neutralidade eltrica. Quando, num cristal inico, faltam dois ons de cargas contrrias, origina-se uma bilacuna ction-nion que conhecida por defeito de Schottk. Se, num cristal inico, um ction se move para um interstcio, cria-se uma lacuna catinica no local onde o on se encontrava. Este par lacuna-intersticial designado por defeito de Frenkel. A presena destes defeitos nos cristais inicos aumenta a sua condutibilidade eltrica. tomos de impurezas do tipo substitucional ou intersticial tambm so defeitos pontuais e podem surgir em cristais metlicos ou covalentes. Por exemplo, pequenas quantidades de tomos de impurezas substitucionais podem afetar fortemente a condutibilidade eltrica do Silcio puro usado em dispositivos eletrnicos. Nos cristais inicos, os tomos de impurezas tambm so considerados defeitos pontuais. 2-Defeitos lineares (discordncias) Nos slidos cristalinos, os defeitos lineares ou discordncias so defeitos que originam uma distoro da rede centrada em torno de uma linha. As discordncias so originadas durante a solidificao dos slidos cristalinos. Podem tambm ser originadas por deformao plstica, ou permanente, de slidos cristalinos, por condensao de lacunas e por desajustamentos atmicos em solues slidas.

Os dois principais tipos de defeitos lineares so: discordncias em linha, cunha (aresta) e em hlice espiral (ou parafuso). A combinao destes dois tipos origina as discordncias mistas, que tm componentes a cunha (aresta) e parafuso (espiral). Pode-se criar uma discordncia em cunha (aresta), num cristal, por insero de um semi-plano atmico adicional (ou extra), resultante do deslocamento de um plano atmico em sentidos opostos, imediatamente acima do smbolo T. O "t" invertido. ^, indica uma discordncia cunha positiva, enquanto que o "t" normal, T, indica uma discordncia cunha negativa. O deslocamento dos tomos em torno da discordncia designado por vetor de escorregamento ou vetor de Burgers b e perpendicular linha da discordncia cunha. As discordncias so defeitos de no-equilbrio e armazenam energia na regio distorcida da rede cristalina, em torno da discordncia. Na discordncia cunha (aresta) existe uma regio em compresso, do lado em que o semiplano adicional se encontra, e uma regio em trao abaixo do semiplano atmico adicional. Uma discordncia parafuso (espiral) pode ser formada num cristal perfeito aplicando tenses de corte, para cima e para baixo, em regies do cristal perfeito que foram separadas por um plano de corte. Estas tenses de corte introduzem uma regio com a rede cristalina distorcida, com a forma de uma rampa, em espiral, de tomos distorcidos em torno da linha da discordncia parafuso. A regio distorcida no bem definida e tem um dimetro de, pelo menos, vrios tomos. A energia armazenada na regio distorcida criada em torno da discordncia parafuso. O vetor de escorregamento ou de Burgers da discordncia parafuso (espiral) paralelo linha da discordncia. A discordncia parafuso criada por aplicao, num plano de corte, de tenses de corte (ou tangenciais), para cima e para baixo. Uma discordncia parafuso consiste numa rampa, em espiral, de tomos distorcidos e representada, no desenho, por uma linha. O alcance da distoro no est definido, mas , pelo menos, de vrios tomos. O vetor de escorregamento (vetor de Burgers) da discordncia parafuso paralelo linha da discordncia Nos cristais, a maior parte das discordncias do tipo misto, tendo componentes a cunha (aresta) e parafuso (espiral). A discordncia curvilnea parafuso no ponto, esquerda, onde entra no cristal, e cunha no ponto, direita, onde sai do cristal. No interior do cristal, a discordncia mista, com componentes a cunha e parafuso (aresta e espiral). 3-Defeitos superficiais Os defeitos superficiais so defeitos bidimensionais ou interfaciais que compreendem regies do material com diferentes estruturas cristalinas e/ou diferentes orientaes cristalogrficas. Estes defeitos incluem: superfcies externas; contornos de fase; contorno de gro. 3.1-Superfcies externas tomos da superfcie apresentam ligaes qumicas insatisfeitas e em virtude disto, esto em um estado de energia mais elevado que os tomos do ncleo (com menor nmero de coordenao). As ligaes insatisfeitas dos tomos da superfcie do origem a uma energia de superfcie ou energia interfacial (J/m2).

A reduo desta energia adicional (tudo tende a menor energia) obtida pela reduo da rea superficial. No caso de gotas de lquido, estas tendem a assumir a forma esfrica (maior volume com a menor rea exposta). 3.2-Contorno de fase Os contornos de fase so as fronteiras que separam fases com estruturas cristalinas e composies distintas. 3.3-Limites de gro Os limites de gro so defeitos interfaciais, em materiais policristalinos, que separam gros (cristais) com diferentes orientaes. Nos materiais metlicos, os limites de gro formam-se durante a solidificao, quando os cristais gerados a partir de diferentes ncleos, crescem simultaneamente e se encontram. A forma dos limites de gro determinada pelas restries impostas pelo crescimento dos gros vizinhos. Como so possveis diferentes orientaes entre cristais adjacentes, existem contornos de gro mais ou menos ajustados: quando a desorientao pequena (at 10) o contorno de gro recebe a denominao de contorno de baixo-ngulo e a regio que est separada subgro; nos casos onde a desorientao superior a ~10 tem-se os contornos de gro propriamente ditos. De maneira similar aos contornos de superfcie, o nmero de coordenao nos contornos de gro baixo e assim tambm existe uma energia de contornos de gro similar energia interfacial. As conseqncias prticas da existncia de uma energia interfacial associada aos contornos de gro so: os contornos de gro so regies mais reativas quimicamente; os contornos de gro tendem a reduzir sua rea quando em temperaturas elevadas, aumentando o tamanho mdio do gro; impurezas tendem a segregar em contornos de gro (diminuem a energia do contorno). O limite de gro propriamente dito uma regio de desajustamento atmico entre gros adjacentes, com uma largura de dois a cinco dimetros atmicos. A compactao atmica nos limites de gro mais baixa do que no interior dos gros, devido ao desajustamento dos tomos. Os limites de gro tm tambm alguns tomos em posies distorcidas, o que faz aumentar a energia do limite de gro. Nos materiais metlicos ou cermicos, os limites de gro podem ser identificados numa amostra preparada do material, como linhas escuras. As amostras metlicas e cermicas so, em primeiro lugar, polidas de modo a obter uma superfcie lisa e, em seguida, atacadas quimicamente (contrastadas); os limites de gro so corrodos mais rapidamente do que os gros, originando-se, assim, pequenos sulcos ao longo dos limites de gro. Quando examinadas num microscpio tico, a luz incidente no ser to intensamente refletida pelos limites de gro e, como consequncia, estes aparecero como linhas escuras na ocular do microscpio. Devido sua energia mais elevada e estrutura mais aberta, os limites de gro so regies mais favorveis nucleao e ao crescimento de precipitados. A menor compacidade atmica dos limites de gro tambm permite a difuso mais rpida dos tomos nos limites de gro. As temperaturas normais, os

limites de gro limitam a deformao plstica, dado que dificultam o movimento das discordncias nessas regies.