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Amplificadores MOS de andar nico MOSFETs discretos Visto que em circuitos discretos, a source do MOSFET est usualmente ligada ao substrato, o efeito do corpo no se verifica. Tambm em alguns circuitos ro ser desprezado, afim de tornar a anlise mais simples.
A estrutura bsica A Fig. 52 mostra o circuito bsico utilizado para implementar as vrias configuraes de circuitos de amplificadores MOS. Entre as vrias formas de polarizao dos amplificadores MOS discretos, selecciona-se aquele que utiliza polarizao com fonte de corrente constante. Na Fig. 52 esto ilustradas as correntes e tenses DC nos vrios ns. Fig. 52
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v Ri i ii
Ai
RL =
io ii io vi
Rout
vx ix
Resistncia de entrada
Transcondutncia em c.c.
vsig = 0
Rin
vi ii
Gm
RL = 0
v Avo o vi
RL =
Ganho de tenso.
Ro
Av
vo vi
vx ix
vi = 0
Gvo
vo vsig
vo vsig
RL =
i Ais o ii
Gv
RL = 0
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NOTA 1 (Fig. 53) O amplificador alimentado por uma fonte de sinal, tendo uma tenso em circuito aberto vsig e uma resistncia interna Rsig. Tanto podem ser os parmetros de uma fonte de sinal, como o equivalente de Thvenin do circuito de sada de um outro estgio amplificador, que o precede. De modo similar, RL pode ser a resistncia efectiva de carga ou a resistncia de entrada de um andar amplificador subsequente, num amplificador em cascata.
Fig. 53
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Ri = Rin
RL =
; Ro = Rout
Rsig = 0
NOTA 3 Para amplificadores no-unilaterais, Rin pode depender de RL e Rout pode depender de Rsig. Nenhum dos amplificadores estudados neste captulo so deste tipo. Uma tal dependncia no existe para amplificadores unilaterais, para os quais: Rin = Ri e Rout = Ro.
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Av = Avo
RL RL + Ro
Avo = Gm Ro
(B)
Gv =
Gvo =
(C)
Gv = Gvo
Avo =
90 = 10 V/V 9
Gvo =
90 = 9 V/V 10
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Gvo =
Ri Avo Ri + Rsig
9=
Ri 10 Ri + 100
Ri = 900 k
Av =
70 = 8,75 V/V 8
Gv =
70 = 7 V/V 10
Av = Avo
RL RL + Ro
8,75 = 10
10 10 + Ro
Ro = 1,43 k
De modo similar usam-se os valores de Gv e Gvo, para determinar Rout, a partir de,
Gv = Gvo
RL RL + Rout
7=9
10 10 + Rout
Rout = 2,86 k
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Rin = 400 k
Ai =
Finalmente determina-se o ganho em corrente em c.c. Ais. Do circuito equivalente A, a corrente de sada em c.c. pode ser determinada por,
iosc = Avo vi / Ro
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Para determinar vi, necessrio conhecer o valor de Rin, obtido com RL = 0. Com este objectivo, do circuito equivalente C, a corrente de c.c. na sada, vem:
iosc = Avo vi / Ro
E vi por,
Gvo =
Ri Avo Ri + Rsig
vi = vsig
Rin Rin
RL = 0
RL = 0
+ Rsig
resulta,
Rin
RL = 0
Rsig = Rsig / 1 + Ri
Rout R o
1 = 81.8 k
RL = 0
/ Ro
para obter
Ais
Fig. 54 125
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A incluso de r0, que normalmente muito maior do que RD, d origem a uma ligeira diminuio do ganho de tenso e da resistncia de sada.
Destes resultados conclumos que o amplificador de source comum apresenta uma elevada resistncia de entrada, limitada unicamente pelo valor da resistncia de polarizao RG, um ganho de tenso negativo e elevado e uma resistncia de sada elevada. Esta ltima propriedade no obviamente desejvel para um amplificador de tenso. O grande inconveniente desta configurao a sua limitada resposta em frequncia.
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Fig. 55
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(72)
A resistncia Rs pode ser usada para controlar a amplitude da tenso vgs para que esta no aumente muito, dando origem a distoro. Outras vantagens esto relacionadas com possibilidade de aumento da largura de banda do amplificador. Estas vantagens devem-se ao mecanismo de realimentao negativa provocado por Rs. O preo a pagar a diminuio do ganho de tenso.
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(73)
Esta expresso mostra que a corrente id reduzida pelo factor (1+gmRs) (no MOSFET id=gmvgs)
O ganho de tenso
(74)
(75)
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Comparando o amplificador de source comum sem e com resistncia na source podemos concluir que existe: - Reduo do ganho em (1+gmRs) (eq. (69) e (75)); - Melhor estabilizao da polarizao (reduo da variao de ID)
O fenmeno que leva Rs a reduzir a variao de ID o mesmo que leva reduo do ganho, pois id, que directamente proporcional ao ganho, uma variao do valor ID.
A resistncia Rs conhecida por resistncia de degenerescncia da source devido ao efeito de reduo do ganho.
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Fig. 56
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Como geralmente gm da ordem de 1 mA/V a resistncia de entrada da configurao gate comum relativamente baixa (da ordem de 1 k), dando origem a perdas elevadas no sinal de entrada. A relao entre vi e vsig dada por
(77)
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(78)
Comparao entre configuraes source comum (comum source - CS) e gate comum (comum gate CG) 1 CS inversora, CG no inversora; 2 CS muito alta impedncia de entrada, CG baixa impedncia de entrada; 3 Enquanto os valores do ganho de tenso (Av) em ambas as configuraes so muito parecidos, o ganho total (que inclui a fonte de sinal Gv=vo/vsig) de CG inferior em (1+gmRsig) devido baixa impedancia de entrada desta configurao.
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. Neste caso, a baixa resistncia de entrada torna-se uma vantagem e o circuito de gate comum actua simplesmente como um amplificador de corrente de ganho unitrio ou um seguidor de corrente. Fornece uma corrente de dreno de sinal igual ao sinal de corrente aplicado source, mas a um nvel de impedncia muito mais elevado. O sinal de corrente de dreno ento aplicado ao paralelo de RL com RD para produzir a tenso de sada do amplificador.
A maior vantagem do amplificador de gate comum a sua largura de banda superior do amplificador de source comum. Fig. 56 135
Fig. 57 136
Como normalmente para RG usado um valor muito superior a Rsig temos No seguimento na anlise importante verificar que r0 est em paralelo com RL, o que implica que entre a gate e a massa temos uma resistncia (1/gm) em srie com (RL//r0). O sinal de entrada vi aplicado a este conjunto de resistncias. A tenso de sada ento obtida atravs de um divisor de tenso (82)
(84) 137
Para dar nfase ao facto de usualmente ser mais rpido fazer a anlise para pequenos sinais directamente no circuito usando o modelo do MOSFET apenas implicitamente, mostrada a essa anlise na Fig. 57(c).
De forma a separar a aco intrnseca do MOSFET do efeito de Early, a resistncia r0 mostrada separadamente. Fig. 57
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O circuito para determinar Rout est representado na Fig. 57(d). Como a tenso na gate agora nula , olhando atravs da source vemos entre source e a massa a resistncia 1/gm em paralelo com r0 (86) Fig. 57
(87)
Como concluso pode dizer-se que o seguidor de source tem uma muito alta impedancia de entrada, relativamente baixa impedancia de sada e ganho de tenso prximo da unidade. Este circuito usado quando necessitamos ligar uma fonte de sinal com elevada impedancia interna a uma carga com valor muito inferior. O seguidor de source tambm usado como amplificador isolador (buffer) ou como andar de sada de um amplificador de vrios andares, onde a sua funo dar ao amplificador global uma baixa resistncia de sada ( 1/ gm).
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1 A configurao source comum (comum source- CS) a mais indicada para a obteno do ganho tpico de um amplificador. Dependendo do ganho pretendido pode ser usado um andar CS ou dois andares CS em cascata. 2 - Incluir a resistncia de source (Rs) num andar CS melhora muito a sua performance, apesar da reduo do ganho. 3 - A baixa impedancia de entrada de um andar de gate comum (comum gate CG) torna-o til apenas em aplicaes especificas, como sejam amplificadores de tenso que no exijam elevadas impedncia de entrada, tendo a vantagem de ter bom comportamento para altas frequncias e como amplificador de corrente de ganho unitrio. 4 O seguidor de source tem aplicaes como buffer de tenso para ligao uma fonte com alta resistncia a uma carga com baixo valor, e tambm como estgio de sada em amplificadores multiandar.
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Exerccio 11 O amplificador em source comum da Fig. 54(a) tem gm= 2mA/V e um ganho total Gv=-16 V/V. Qual ser o valor da resistncia Rs para reduzir o ganho por um factor de 4?
Exerccio 12 O ganho total Gv do amplificador Fig. 55(a) foi medido com uma resistncia Rs de 1k, e o seu valor de -10V/V. Quando Rs curto-circuitada mantendo-se o circuito a funcionar linearmente o ganho duplica. Qual o valor de gm? Qual ser o valor de Rs para Gv ser de -8V/V?
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Exerccio 13 O MOSFET no circuito da Fig. 58 tem Vt=1V, kn(W/L)=0.8 mA/V2, VA=40V. a) Determine RS, RD e RG de forma a que ID=0,1mA. Determine o valor mais elevado de RD que deve ser usado para uma excurso mxima do dreno de +/-1V sendo a resistncia de entrada na gate de 10M. b) Determine gm e r0. c) Se Z for ligado massa, X ligado a uma fonte de sinal com uma resistncia de 1M , Y ligado a uma carga de 40k, determine o ganho de tenso total Gv. d) Na situao anterior mas com ausncia de carga determine a resistncia de sada vista pelo ponto Y.
Fig. 58
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