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TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO

Amplificadores MOS de andar nico MOSFETs discretos Visto que em circuitos discretos, a source do MOSFET est usualmente ligada ao substrato, o efeito do corpo no se verifica. Tambm em alguns circuitos ro ser desprezado, afim de tornar a anlise mais simples.

A estrutura bsica A Fig. 52 mostra o circuito bsico utilizado para implementar as vrias configuraes de circuitos de amplificadores MOS. Entre as vrias formas de polarizao dos amplificadores MOS discretos, selecciona-se aquele que utiliza polarizao com fonte de corrente constante. Na Fig. 52 esto ilustradas as correntes e tenses DC nos vrios ns. Fig. 52

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Caracterizao de amplificadores Amplificadores MOS de andar nico Conjunto de parmetros e circuitos equivalentes, usados na caracterizao de amplificadores. Resistncia de entrada na ausncia de carga Ganho em corrente. Resistncia de sada

v Ri i ii

Ai
RL =

io ii io vi

Rout

vx ix

Resistncia de entrada

Transcondutncia em c.c.

vsig = 0

Rin

Ganho de tenso em circ. aberto

vi ii

Gm

RL = 0

v Avo o vi

Resistncia de sada do prprio amplificador

RL =

Ganho de tenso.

Ro

Av

vo vi

vx ix

vi = 0

Ganho em tenso total em circ. aberto.

Gvo

Ganho de corrente em c.c.

vo vsig
vo vsig

RL =

i Ais o ii

Ganho em tenso total

Gv
RL = 0

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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores

NOTA 1 (Fig. 53) O amplificador alimentado por uma fonte de sinal, tendo uma tenso em circuito aberto vsig e uma resistncia interna Rsig. Tanto podem ser os parmetros de uma fonte de sinal, como o equivalente de Thvenin do circuito de sada de um outro estgio amplificador, que o precede. De modo similar, RL pode ser a resistncia efectiva de carga ou a resistncia de entrada de um andar amplificador subsequente, num amplificador em cascata.

Fig. 53
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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores NOTA 2 Os parmetros Ri, Ro, Avo e Gm pertencem ao prprio amplificador, i.e., no dependem dos valores de Rsig e RL Por outro lado, Rin, Rout, Av, Ai, Gvo e Gv, podem depender de um ou dos dois, Rsig e RL. Note-se tambm as seguintes relaes entre alguns parmetros: DEFINIES

Ri = Rin

RL =

; Ro = Rout

Rsig = 0

NOTA 3 Para amplificadores no-unilaterais, Rin pode depender de RL e Rout pode depender de Rsig. Nenhum dos amplificadores estudados neste captulo so deste tipo. Uma tal dependncia no existe para amplificadores unilaterais, para os quais: Rin = Ri e Rout = Ro.

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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores NOTA 4 A carga do amplificador na fonte de sinal determinada pela resistncia de entrada Rin. O valor de Rin determina a corrente ii que o amplificador absorve a partir da fonte de sinal vsig, que surge entrada do prprio amplificador (i.e., vi). Quando se calcula o ganho Av, a partir do correspondente valor em circ. aberto Avo, Ro deve ser usada como resistncia de sada. Tal deve-se ao facto de Av ser baseado na alimentao do amplificador com um sinal de tenso ideal vi. Tal evidente a partir do circuito equival. A. Por outro lado, se se pretende calcular o ganho em tenso total Gv, a partir do seu valor em circuito aberto (A) Gvo, a resistncia de sada a usar Rout. Tal deve-se ao facto de Gv ser baseado na alimentao do amplificador com vsig, o qual tem uma (B) resistncia interna Rsig. Tal evidente a partir do circuito equival. C. 119 Circuitos Equivalentes NOTA 5

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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores Circuitos Equivalentes (A) Relaes importantes

vi Rin = vsig Rin + Rsig

Av = Avo

RL RL + Ro

Avo = Gm Ro

(B)

Gv =

Rin RL Avo Rin + Rsig RL + Ro

Gvo =
(C)

Ri Avo Ri + Rsig RL RL + Rout


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Gv = Gvo

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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores EXEMPLO 10 Um amplificador alimentado por uma fonte de sinal tendo uma tenso em circuito-aberto vsig de 10 mV e uma resistncia interna Rsig de 100 k. A tenso vi na entrada do amplificador e a tenso de sada vo, foram ambas medidas sem e com uma resistncia de carga RL = 10 k ligada sada do amplificador. Os resultados obtidos foram: vi (mV) Sem RL Com RL ligado 9 8 vo (mV) 90 70

Determinar todos os parmetros do amplificador. Usando os dados obtidos para RL = , determina-se:

Avo =

90 = 10 V/V 9

Gvo =

90 = 9 V/V 10
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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores Como, EXEMPLO 10 (cont)

Gvo =

Ri Avo Ri + Rsig

9=

Ri 10 Ri + 100

Ri = 900 k

Usando, agora, os dados obtidos quando RL = 10 k ligada sada do amplificador.

Av =

70 = 8,75 V/V 8

Gv =

70 = 7 V/V 10

Os valores de Av e Avo, podem ser usados para determinar Ro. Assim,

Av = Avo

RL RL + Ro

8,75 = 10

10 10 + Ro

Ro = 1,43 k

De modo similar usam-se os valores de Gv e Gvo, para determinar Rout, a partir de,

Gv = Gvo

RL RL + Rout

7=9

10 10 + Rout

Rout = 2,86 k

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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores EXEMPLO 10 (cont)

O valor de Rin pode ser determinado de

vi Rin = vsig Rin + Rsig


A transcondutncia em curto-circuito,
Gm = Avo 10 = = 7 mA / V Ro 1.43

8 Rin = 10 Rin + 100

Rin = 400 k

O ganho em corrente Ai, pode ser determinado do seguinte modo:

Ai =

vo / RL vo Rin R 400 = = Av in = 8.75 = 350 A / A vi / Rin vi RL RL 10

Finalmente determina-se o ganho em corrente em c.c. Ais. Do circuito equivalente A, a corrente de sada em c.c. pode ser determinada por,

iosc = Avo vi / Ro
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Amplificadores MOS de andar nico Caracterizao de amplificadores EXEMPLO 10 (cont)

Para determinar vi, necessrio conhecer o valor de Rin, obtido com RL = 0. Com este objectivo, do circuito equivalente C, a corrente de c.c. na sada, vem:

iosc = Gvo vsig / Rout

iosc = Avo vi / Ro
E vi por,

Substituindo Gvo por

Gvo =

Ri Avo Ri + Rsig

vi = vsig

Rin Rin

RL = 0

RL = 0

+ Rsig

resulta,

Rin

RL = 0

Rsig = Rsig / 1 + Ri

Rout R o

1 = 81.8 k

Pode-se, agora, usar,

iosc = Avoii Rin

RL = 0

/ Ro

para obter

Ais

iosc = 10 81.8 / 1.43 = 572 A / A ii


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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum O amplificador de source comum obtido ligando a source do transstor massa atravs de um condensador Cs na Fig. 54(a), que deve ter um valor tal que represente um curto circuito para as frequncias de interesse. Este condensador designado como condensador de bypass (Cs). De forma a no perturbar a corrente e tenso de polarizao, o sinal a amplificar, apresentado como uma fonte de tenso vsig com uma resistncia interna Rsig, ligado gate atravs de um condensador, designado como condensador de acoplamento (Cc1), que deve funcionar como um curto-circuito para os sinais de interesse e bloquear a componente contnua. A sada (dreno) ligada tambm carga RL por um outro condensador de acoplamento Cc2. O circuito em termos de sinal pode ser visto como um diporto, com a entrada entre a gate e a source e a sada entre o dreno e a source, da a designao source comum.
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Fig. 54 125

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum Para determinar as caractersticas do amplificador de source comum vamos substituir o MOSFET pelo seu modelo equivalente para pequenos sinais (Fig. 54 (b)). A resistncia de entrada do amplificador Rin, a sua resistncia de sada Rout e o seu ganho de tenso Av podem obter-se por inspeco do circuito da Fig. 54(b). Na entrada temos (66) Fig. 54 (67) Como normalmente RG muito elevado Como

O ganho de tenso dado por (68)

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum Para determinar a resistncia de sada Rout liga-se a entrada massa (vsig=0V) e na sada vamos obter (69)

A incluso de r0, que normalmente muito maior do que RD, d origem a uma ligeira diminuio do ganho de tenso e da resistncia de sada.

Destes resultados conclumos que o amplificador de source comum apresenta uma elevada resistncia de entrada, limitada unicamente pelo valor da resistncia de polarizao RG, um ganho de tenso negativo e elevado e uma resistncia de sada elevada. Esta ltima propriedade no obviamente desejvel para um amplificador de tenso. O grande inconveniente desta configurao a sua limitada resposta em frequncia.

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum com resistncia na source Por vezes til colocar uma resistncia Rs na source do amplificador de source comum (Fig. 55 (a)). O correspondente circuito equivalente para pequenos sinais mostrado na Fig. 55 (b).

Fig. 55
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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum com resistncia na source Neste caso usado o modelo T, pois de uma forma geral quando existe uma resistncia ligada source este modelo simplifica a anlise. De notar que r0 no foi includa nesta anlise, pois caso contrrio tornaria a anlise bastante mais difcil. Tal como no amplificador source comum temos (71) (70)

Neste caso vgs apenas uma fraco de vi dada por

(72)

A resistncia Rs pode ser usada para controlar a amplitude da tenso vgs para que esta no aumente muito, dando origem a distoro. Outras vantagens esto relacionadas com possibilidade de aumento da largura de banda do amplificador. Estas vantagens devem-se ao mecanismo de realimentao negativa provocado por Rs. O preo a pagar a diminuio do ganho de tenso.
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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum com resistncia na source

A corrente no dreno igual corrente na source dada por

(73)

Esta expresso mostra que a corrente id reduzida pelo factor (1+gmRs) (no MOSFET id=gmvgs)

A tenso de sada dada por

O ganho de tenso

(74)

Para RL= temos

(75)

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de source comum com resistncia na source

Comparando o amplificador de source comum sem e com resistncia na source podemos concluir que existe: - Reduo do ganho em (1+gmRs) (eq. (69) e (75)); - Melhor estabilizao da polarizao (reduo da variao de ID)

O fenmeno que leva Rs a reduzir a variao de ID o mesmo que leva reduo do ganho, pois id, que directamente proporcional ao ganho, uma variao do valor ID.

A resistncia Rs conhecida por resistncia de degenerescncia da source devido ao efeito de reduo do ganho.

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de gate comum No circuito da Fig. 56 (a) temos a configurao gate comum. A gate est ligada massa , o sinal de entrada aplicado source e o sinal de sada obtido no dreno. A gate comum entrada e sada, da a designao. Na Fig. 56 (b) temos o modelo para pequenos sinais. Foi usado o modelo T por convenincia, devido a Rsig estar em srie com a source. Foi ignorado r0 por razes de simplificao do circuito.

Fig. 56
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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de gate comum Por inspeco do circuito verifica-se que a resistncia de entrada dada por (76)

Como geralmente gm da ordem de 1 mA/V a resistncia de entrada da configurao gate comum relativamente baixa (da ordem de 1 k), dando origem a perdas elevadas no sinal de entrada. A relao entre vi e vsig dada por

(77)

Para manter as perdas baixas no sinal de entrada

A corrente de entrada ii e corrente de dreno id so dadas por

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de gate comum

A tenso de sada dada por

Dando origem ao ganho de tenso Por inspeco ao circuito (79)

(78)

Comparao entre configuraes source comum (comum source - CS) e gate comum (comum gate CG) 1 CS inversora, CG no inversora; 2 CS muito alta impedncia de entrada, CG baixa impedncia de entrada; 3 Enquanto os valores do ganho de tenso (Av) em ambas as configuraes so muito parecidos, o ganho total (que inclui a fonte de sinal Gv=vo/vsig) de CG inferior em (1+gmRsig) devido baixa impedancia de entrada desta configurao.

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de gate comum Apesar da baixa impedancia ser um inconveniente no caso de um amplificador de tenso, o circuito de gate comum quase sempre alimentado por um sinal de corrente (Fig. 56 (c)).

. Neste caso, a baixa resistncia de entrada torna-se uma vantagem e o circuito de gate comum actua simplesmente como um amplificador de corrente de ganho unitrio ou um seguidor de corrente. Fornece uma corrente de dreno de sinal igual ao sinal de corrente aplicado source, mas a um nvel de impedncia muito mais elevado. O sinal de corrente de dreno ento aplicado ao paralelo de RL com RD para produzir a tenso de sada do amplificador.

A maior vantagem do amplificador de gate comum a sua largura de banda superior do amplificador de source comum. Fig. 56 135

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de dreno comum ou seguidor de source No circuito da Fig. 57 (a) temos a configurao gate comum. O dreno est ligado massa , o sinal de entrada aplicado gate e o sinal de sada obtido na source. O dreno comum entrada e sada, da a designao de amplificador de dreno comum. Como RL est ligada em srie com a source mais conveniente usar o modelo T. O circuito equivalente est representado na Fig. 57 (b).

Fig. 57 136

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de dreno comum ou seguidor de source (80) Da anlise do circuito resulta (81)

Como normalmente para RG usado um valor muito superior a Rsig temos No seguimento na anlise importante verificar que r0 est em paralelo com RL, o que implica que entre a gate e a massa temos uma resistncia (1/gm) em srie com (RL//r0). O sinal de entrada vi aplicado a este conjunto de resistncias. A tenso de sada ento obtida atravs de um divisor de tenso (82)

Logo o ganho de tenso dado por

e em circ. aberto por (83)

(84) 137

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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de dreno comum ou seguidor de source Normalmente r0>>(1/gm) logo o ganho em circuito aberto Avo unitrio, dando origem a que a tenso na source siga a tenso da gate, da o nome seguidor de source para este circuito. Como em muitas aplicaes em circuitos discretos r0>>RL,o ganho de tenso pode ser aproximado por (85)

Para dar nfase ao facto de usualmente ser mais rpido fazer a anlise para pequenos sinais directamente no circuito usando o modelo do MOSFET apenas implicitamente, mostrada a essa anlise na Fig. 57(c).

De forma a separar a aco intrnseca do MOSFET do efeito de Early, a resistncia r0 mostrada separadamente. Fig. 57
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Amplificadores MOS de andar nico Amplificador de dreno comum ou seguidor de source

O circuito para determinar Rout est representado na Fig. 57(d). Como a tenso na gate agora nula , olhando atravs da source vemos entre source e a massa a resistncia 1/gm em paralelo com r0 (86) Fig. 57

Como normalmente r0>>(1/gm)

(87)

Como concluso pode dizer-se que o seguidor de source tem uma muito alta impedancia de entrada, relativamente baixa impedancia de sada e ganho de tenso prximo da unidade. Este circuito usado quando necessitamos ligar uma fonte de sinal com elevada impedancia interna a uma carga com valor muito inferior. O seguidor de source tambm usado como amplificador isolador (buffer) ou como andar de sada de um amplificador de vrios andares, onde a sua funo dar ao amplificador global uma baixa resistncia de sada ( 1/ gm).
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Amplificadores MOS de andar nico Resumo e comparaes

1 A configurao source comum (comum source- CS) a mais indicada para a obteno do ganho tpico de um amplificador. Dependendo do ganho pretendido pode ser usado um andar CS ou dois andares CS em cascata. 2 - Incluir a resistncia de source (Rs) num andar CS melhora muito a sua performance, apesar da reduo do ganho. 3 - A baixa impedancia de entrada de um andar de gate comum (comum gate CG) torna-o til apenas em aplicaes especificas, como sejam amplificadores de tenso que no exijam elevadas impedncia de entrada, tendo a vantagem de ter bom comportamento para altas frequncias e como amplificador de corrente de ganho unitrio. 4 O seguidor de source tem aplicaes como buffer de tenso para ligao uma fonte com alta resistncia a uma carga com baixo valor, e tambm como estgio de sada em amplificadores multiandar.

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Amplificadores MOS de andar nico Exerccio 10 Calcule o ganho total (Gv) de um amplificador de source comum com: gm= 2mA/V, r0= 50k, RD=10 k e RG=10 M. O amplificador tem na sua entrada uma fonte de sinal cuja resistncia Thevenin de 0,5 M e a resistncia de carga de 20 k.

Exerccio 11 O amplificador em source comum da Fig. 54(a) tem gm= 2mA/V e um ganho total Gv=-16 V/V. Qual ser o valor da resistncia Rs para reduzir o ganho por um factor de 4?

Exerccio 12 O ganho total Gv do amplificador Fig. 55(a) foi medido com uma resistncia Rs de 1k, e o seu valor de -10V/V. Quando Rs curto-circuitada mantendo-se o circuito a funcionar linearmente o ganho duplica. Qual o valor de gm? Qual ser o valor de Rs para Gv ser de -8V/V?

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Amplificadores MOS de andar nico

Exerccio 13 O MOSFET no circuito da Fig. 58 tem Vt=1V, kn(W/L)=0.8 mA/V2, VA=40V. a) Determine RS, RD e RG de forma a que ID=0,1mA. Determine o valor mais elevado de RD que deve ser usado para uma excurso mxima do dreno de +/-1V sendo a resistncia de entrada na gate de 10M. b) Determine gm e r0. c) Se Z for ligado massa, X ligado a uma fonte de sinal com uma resistncia de 1M , Y ligado a uma carga de 40k, determine o ganho de tenso total Gv. d) Na situao anterior mas com ausncia de carga determine a resistncia de sada vista pelo ponto Y.

Fig. 58

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