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ELECTRNICA

DODOS
CIRCUITOS COM DODOS
EMM
ENIDH Victor Gonalves
2012 - 13
ENIDH - Victor Gonalves
2
Bibliografia:
Microelectronic Circuits, A. Sedra, 5th Ed, Oxford University Press,
2004
Circuitos com Transstores Bipolares e MOS, M. Silva, F. Calouste
Glubenkian, Lisboa, 1999
PowerPoint de aulas tericas e fichas de trabalhos prticos
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REVISES
Lei de Ohm:

V=R.I

Leis de Kirchoff:

Num n:




Numa malha:




Potncia: P=V.I

=
i
i
i 0

=
n
n
v 0
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4
v
i
A
A
Circuito
v
A
A
RTH
TH
Circuito Equivalente de Thvenin
Circuito Equivalente de Norton
Teorema da sobreposio
v
A
A
R
TH
TH R
TH
Solution manual
Livro
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Exemplos


12v
A
A
1k
+
-
2k
1k
12v
1k
+
-
2k
1k
6v
+
-
2k
500
12v
1k
+
-
2k
1k
2k 10mA
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6
Exemplos
Determine o equivalente de Thvenin dos circuitos que se seguem, aos terminais AB
Determine a potncia dissipada numa carga de 100K, no primeiro e no segundo
Circuitos e 1K, no terceiro.
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QUADRIPLOS
1 I
1
2 I
V
2 V
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
I
I
z z
z z
V
V
Impedncias:
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I z I z V
I z I z V
+ =
+ =
0 I 2
1
12
1
I
V
z
=
=
0 I 1
1
11
2
I
V
z
=
=
0 I 1
2
21
2
I
V
z
=
=
0 I 2
2
22
1
I
V
z
=
=
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8
0 V 1
1
11
2
V
I
y
=
=
0 V 2
1
12
1
V
I
y
=
=
0 V 1
2
21
2
V
I
y
=
=
0 V 2
2
22
1
V
I
y
=
=
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
V
y y
y y
I
I
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V y V y I
V y V y I
+ =
+ =
Admitncias
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9
Parmetros hbridos
0 V 1
1
11
2
I
V
h
=
=
0 I 2
1
12
1
V
V
h
=
=
0 V 1
2
21
2
I
I
h
=
=
0 I 2
2
22
1
V
I
h
=
=
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
I
h h
h h
I
V
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V h I h I
V h I h V
+ =
+ =
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10
0 I 1
1
11
2
V
I
g
=
=
0 V 2
1
12
1
I
I
g
=
=
0 I
1
2
21
2
V
V
g
=
=
0 V 2
2
22
1
I
V
g
=
=
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
I
V
g g
g g
V
I
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I g V g V
I g V g I
+ =
+ =
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Materiais isoladores e condutores
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Semicondutores (breve introduo)
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Semicondutor intrnseco
Nos semicondutores intrnsecos:

A largura da banda proibida cerca de 1 eV.
temperatura de 0K, 1.21 eV, para o silcio e 0.785 eV, para o Ge.
A 0K, a banda de valncia est completamente ocupada e a de conduo est
completamente desocupada (todos os nveis desocupados).
O seu comportamento depende fortemente da temperatura.
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Semicondutores extrnsecos
Obtidos a partir de semicondutores intrnsecos dopados com impurezas.

Dopando uma estrutura de silcio (tomos com 4 electres de valncia) com arsnio (tomos
com 5 electres de valncia), cada um dos tomos deste participa com electres em 4 ligaes
covalentes com tomos de silcio, ficando com um electro (o quinto) a ocupar um nvel de
energia ligeiramente inferior ao da banda de conduo. So nveis dadores e esses electres
podem ser excitados com baixos nveis de energia, passando para a banda de conduo.

Este um semicondutor tipo n.

ED
Ec
Ev
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15
Semicondutores extrnsecos tipo p
Dopando uma estrutura de silcio com glio (tomos com 3 electres de valncia), cada um
dos tomos deste participa com electres em ligaes covalentes a 3 tomos de um conjunto
de 4. Assim, os tomos de silcio que participam nessas ligaes aceitam electres que
sejam excitados na banda de valncia e a surgem lacunas; existem nveis aceitadores.

Estamos na presena de um semicondutor tipo p.


EA
Ec
Ev
DODOS

Juno p-n
p n
Silcio
p n Ctodo nodo
Contactos metlicos
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17
A juno p-n com tenso aplicada
p n
D
-
v
+
D
i
Polarizao inversa
Polarizao directa
Alarg. da zona
de depleco
p n
D
+
v
-
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O DODO
Smbolo:


A C
I D
V D
1 : = q Ge
2 : = q Si
Para T=300K: V =26 mV
q : carga do electro q=1.610
-19
C

A k
C A
) 1 (
.
0
=
T
D
V
V
D
I I
q
c
q
kT
V
T
=
K: constante de Boltzman 1.3810
-23


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Caracterstica i (v )
D D
Ampliada:
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20
O dodo ideal

V D
I D
V D
I D
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Caracterstica linearizada por troos

V D
I D
r
r
r
d
V

Modelo equivalente
Polarizao directa: Polarizao inversa:
V

r
d
r
r Elevada

C.A.
Silcio: V =0.6V
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22
Modelos de dodos em polarizao directa
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23
Dependncia da temperatura
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24
Ponto de funcionamento em regime esttico
R
V DD
V D
I D
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Regime dinmico
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CIRCUITOS LIMITADORES
R
V i
V o
Funo de transferncia
V i
V o
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27
Determinar a funo de transferncia do circuito

R
V 1
V o
V i
V 2
V o
V i
V 1 +V
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EXERCCIOS


R
V 1
V o
V i
V 2
V >V 1 2
R
V 1
V o
V i
V 2
1 2
R=100
V =0.6V
r =10
V =3V


d
1
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Dodo Zener
Caracterstica I (V )
Z Z
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30
Exerccios
a) O valor nominal da tenso de sada em vazio (considere Vzk=5.6V e rz=10).
b) A tenso de sada com carga (RL=1K).
c) A potncia dissipada no d. zener e na carga (valores nominais).
d) A regulao de carga.
e) A regulao de linha.
f) Substituir tenso contnua por uma alterna sinusoidal (24Vpp) e esboar:
e.1) A funo de transferncia
e.2) O sinal de sada
V =12V1
vO
470
+
-
R
L
i 5V6
R1
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V
v
470
+
-
R
L
R 1
I i
I o
zk
r z
+
-
i I
z
(

+
+
=
(


o
i
z L z
z z
zk
zk i
I
I
r R r
r r R
V
V V
1
(

=
(

a c
b d
d c
b a d c
b a
det
1
1
A
(

+

=
z L zk
z zk i
i
r R V
r V V
I
det
A
(

+
=
zk z
zk i z
o
V r
V V r R
I
1
det mA 45 . 13 I
i
=
mA 68 . 5 I
o
=
V V
o
68 . 5 =
b c d a
d c
b a
. . det =
(

mA 77 . 7 I
I I I
z
o i z
=
=
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OUTROS TIPOS DE DODOS
(Dispositivos optoelectrnicos)
LED



Fotododo
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33
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador de meia-onda
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( ) ) t ( sen . V t v
iM i
e =
f 2t = e
2
V
V
iM
ief
=
( )
}
=
T
o oDC
dt t v
T
V
1
}
=
t
o o
t
0
. .
2
1
d sen V V
oM oDC
t
oM
oDC
V
V =
D iM oM
V V V =
AC
v (t)
i v (t) o R
L
( )
2
1
T
2
i ief
dt t v
T
1
V
|
|
.
|

\
|
=
}
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35
Ponte de Graetz
+
-
+
-
Rectificadores de onda completa
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36
t
oM
oDC
V
V . 2 =
Ponte de Graetz
( ) ) t ( sen . V t v
iM i
e = f 2t = e
D iM oM
V V V . 2 =
AC
R
L
i v (t)
v (t) o
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37
Com dois dodos
D iM oM
V V V =
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38
R. Meia-onda com filtro capacitivo
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39
t

c =
t
c
V ) t ( v
RC
T
r
V V

~ c
Para RC<<T, temos:
CR
T . V
V
oDC
r
=
CR . f
V
V
oDC
r
=
C f
I
V
DC
r
.
=
2
r
oDC oM
V
V V + =
D iM oM
V V V =
AC
v (t)
i v (t) o R
L
C
+
-
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40
Em vazio:
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41
R. Onda completa com filtro capacitivo
D iM oM
V V V Graetz P 2 : . =
2
r
oDC oM
V
V V + =
D iM oM
V V V dodos dois com ct = : . Re
AC
R
L
i v (t)
v (t) o C
+
-
I DC
C . f 2
I
V
DC
r
=
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EXERCCIOS
1. Conhecidas Vief e f, determinar, para um rectificador de meia onda, o valor de
VoDC.

2. Idem, para rectificadores de onda completa.

3. Para rectificadores com filtro capacitivo, determinar:

1. O o valor mdio da tenso na sada e o ripple.

2. Dimensionar condensadores para assegurar determinados valores de IDC e Vr.
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Estrutura duma fonte de alimentao
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44
Analisar os circuitos que se seguem e caracterizar a tenso de sada, VoDC e ripple,
considerando os dados fornecidos para cada grupo.

Anlise emvazio e emcarga.
R
L
v (t) C C
+
-
v (t) L AC v (t) i
R
AC
R
L
i v (t)
v (t) C C
+
-
v (t) L
R
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45
Reguladores integrados das sries 78xx e 79xx

Analisar os circuitos
AC
R
L
i v (t)
v (t) C C
+
-
v (t) L
7805
1
2
3
AC
RL
i v (t)
v (t) C
C
+
-
v (t) L
7805
1
2
3
R
I 2
Vief=
C=
R=
VLED=
RL ou IL =
RR=
I2=
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46
Reguladores integrados das sries 78xx e 79xx

Analisar os circuitos
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47
Reguladores integrados das sries 78xx e 79xx

Analisar os circuitos