Proyecto ATON: INVESTIGACIN Y DESARROLLO DE NUEVAS TECNOLGAS DE GENERACIN DE ENERGA BASADAS EN CLULAS FOTOVOLTAICAS DE LAMINA DELGADA SUSTRATOS PARA

CLULAS FOTOVOLTAICAS BASADAS EN TECNOLOGA CIGS Josu Goikoetxea Larrinaga Departamento de Procesos de Fabricacin Unidad Fsica de Superficies Fundacin TEKNIKER

Jornadas de difusin del proyecto ATON Valladolid 25 de Octubre 2011

250 employees Surfaces: 40 researchers

www.tekniker.es

Responsable tecnolgico CENIT ATON

Caractersticas principales del CIGS

1 Direct band gap Semiconductor (2 m para absorcin, como el Si-a y el CdTe, frente a 200 m de Silicio cristalino)

Caractersticas principales del CIGS

Aplicable sobre sustratos flexibles

Polyimida

Titanio

Caractersticas principales del CIGS

1 Direct band gap Semiconductor (2 m para absorcin, como el Si-a y el CdTe, frente a 200 m de Silicio cristalino) 2 Combinacin de CIS (Copper Indium Selenide, 1.0 eV) y CIG (Copper Galium Selenide, 1.7 eV)

Caractersticas principales del CIGS

1 Direct band gap Semiconductor (2 m para absorcin, como el Si-a y el CdTe, frente a 200 m de Silicio cristalino) 2 Combinacin de CIS (Copper Indium Selenide, 1.0 eV) y CIG (Copper Galium Selenide, 1.7 eV)

3 Eficiencias record superiores al 20% ( Silicio policristalino 20%, Silicio monocristalino 24%, a-Si 12 %, CdTe 17%)

Caractersticas principales del CIGS

Caractersticas principales del CIGS

1 Direct band gap Semiconductor (2 m para absorcin, como el Si-a y el CdTe, frente a 200 m de Silicio cristalino) 2 Combinacin de CIS (Copper Indium Selenide, 1.0 eV) y CIG (Copper Galium Selenide, 1.7 eV)

3 Eficiencias record superiores al 20% ( Silicio policristalino 20%, Silicio monocristalino 24%, a-Si 12 %, CdTe 17%)

4 Proceso de fabricacin emplea temperaturas entre 400C y 550C (150C en el caso de a-Si) => varias posibilidades de sustratos para CIGS

Disposicin de capas fotovoltaicas respecto del sustrato

Unin P-N entre un electrodo transparente (TCO) y uno metlico En el caso de a-Si y CdTe se puede empezar con el TCO, no en el CIGS

Interconexionado de clulas Fotovoltaicas: Integracin monoltica

Tres cortes longitudinales intercalados con el proceso de deposicin En el caso de a-Si y CdTe pueden hacerse los tres por laser fcilmente usando vidrio como sustrato (lseres de distintos colores)

Seccin transversal de clula CIGS

Capas intermedias crticas de 50 nanmetros de espesor de CdS y ZnO-i, de alta resistividad elctrica Funcin de aislamiento, evitando cortocircuitos (?)

Procesos de fabricacin 1

Deposicin a temperatura ambiente de Cu,In,Ga y Se y posterior horneado a 500C

Procesos de fabricacin 2

Proceso de coevaporacin simultanea en alto vaco de Cu,In,Ga y Se con el sustrato a 500C

Clulas de eficiencia record

Ms difcil de industrializar

Procesos de fabricacin 3 : integracin monoltica

Pasos de deposicin de capa y corte intercalados CIGS : un corte laser y dos mecnicos

Requisitos de sustrato para CIGS

1 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C

Requisitos de sustrato para CIGS

1 2 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C Compatibilidad con alto vaco ( en el caso de codeposicin, a 400-500C)

Requisitos de sustrato para CIGS

1 2 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C Compatibilidad con alto vaco ( en el caso de codeposicin, a 400-500C) Debe estar protegido para evitar la migracin en el horneado de elementos a travs del molibdeno hasta el CIGS (salvo el Na)

Requisitos de sustrato para CIGS

1 2 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C Compatibilidad con alto vaco ( en el caso de codeposicin, a 400-500C) Debe estar protegido para evitar la migracin en el horneado de elementos a travs del molibdeno hasta el CIGS (salvo el Na) Baja rugosidad para evitar aparicin de cortocircuitos entre electrodos (ventaja de vidrio y Polyimida frente a acero)

Requisitos de sustrato para CIGS: Rugosidad

Rugosidad Foil A RMS =156 nm Rugosidad Foil B RMS = 105 nm

Requisitos de sustrato para CIGS

1 2 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C Compatibilidad con alto vaco ( en el caso de codeposicin, a 400-500C) Debe estar protegido para evitar la migracin en el horneado de elementos a travs del molibdeno hasta el CIGS (salvo el Na) Baja rugosidad para evitar aparicin de cortocircuitos entre electrodos (ventaja de vidrio y Polyimida frente a acero) Aislante si se quiere aplicar la integracin monoltica (acero esmaltado, dificultad de integracin en caso de CIGS)

Requisitos de sustrato para CIGS

1 2 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C Compatibilidad con alto vaco ( en el caso de codeposicin, a 400-500C) Debe estar protegido para evitar la migracin en el horneado de elementos a travs del molibdeno hasta el CIGS (salvo el Na) Baja rugosidad para evitar aparicin de cortocircuitos entre electrodos (ventaja de vidrio y Polyimida frente a acero) Aislante si se quiere aplicar la integracin monoltica (acero esmaltado, dificultad de integracin en caso de CIGS) Suficiente barrera frente a la humedad en servicio

5 6

Requisitos de sustrato para CIGS

1 2 Tolerar como mnimo 400C (Polyimida), mejor 550C Compatibilidad con alto vaco ( en el caso de codeposicin, a 400-500C) Debe estar protegido para evitar la migracin en el horneado de elementos a travs del molibdeno hasta el CIGS (salvo el Na) Baja rugosidad para evitar aparicin de cortocircuitos entre electrodos (ventaja de vidrio y Polyimida frente a acero) Aislante si se quiere aplicar la integracin monoltica (acero esmaltado, dificultad de integracin en caso de CIGS) Suficiente barrera frente a la humedad en servicio Coeficiente de expansin adecuado ( MoSe2 frgil, aceros austenticos y ferrticos)

5 6 7

Sustratos comunes para CIGS

Vidrio de ventana es econmico y tcnicamente muy bueno Es pesado y frgil Ofrece una ptima actuacin como barrera a la humedad, que an no est garantizada para sustratos flexibles ( antecara)

 Eskerrik asko !
Gracias por su atencin