Dispositivos Electronicos y Fotonicos

POLITEXT
Llus Prat Vias Josep Calderer Cardona
Dispositivos electrnicos y fotnicos. Fundamentos
EDICIONS UPC
POLITEXT 131
POLITEXT
Llus Prat Vias Josep Calderer Cardona
EDICIONS UPC
Primera edicin: enero de 2003 Segunda edicin: marzo de 2006
Diseo de la cubierta: Manuel Andreu Los autores, 2003 Edicions UPC, 2003 Edicions de la Universitat Politcnica de Catalunya, SL Jordi Girona Salgado 31, 08034 Barcelona Tel.: 93 401 68 83 Fax: 93 401 58 85 Edicions Virtuals: www.edicionsupc.es A/e: edicions-upc@upc.edu Ediciones Grcas Rey Albert Einstein 54, C/B, nave 15, 08940 Cornell de Llobregat
Produccin:
Depsito legal: B-15933-2006 ISBN: 84-8301-854-3

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1 Propiedades elctricas de los semiconductores
1.1 Materiales semiconductores ......................................................................................................... 11 1.2 Concentracin de portadores en el equilibrio. El nivel de Fermi ................................................. 26 1.3 Corrientes en los semiconductores ............................................................................................... 37 1.4 Ecuaciones de continuidad ........................................................................................................... 47 1.5 Campos y cargas en un semiconductor ........................................................................................ 57 1.6 Diagrama de bandas de energa de un semiconductor.................................................................. 63 Apndice 1.1 Efectos de alto dopaje.................................................................................................. 68 Apndice 1.2 Algunas implicaciones de la naturaleza cuntica del electrn..................................... 70 Problemas propuestos ........................................................................................................................... 73 Formulario del captulo 1 ..................................................................................................................... 75
La unin PN
2.1 La unin PN: bandas de energa y efecto recticador .................................................................. 77 2.2 Anlisis de la zona de carga espacial de la unin PN................................................................... 85 2.3 Distribucin de portadores y de corrientes en rgimen permanente............................................. 94 2.4 Caracterstica corriente-tensin del diodo .................................................................................. 104 2.5 Modelo dinmico del diodo........................................................................................................ 114
Dispositivos electrnicos y fotnicos
2.6 El diodo en conmutacin y en pequea seal............................................................................. 123 2.7 Contactos metal-semiconductor ................................................................................................. 128 2.8 El diodo de heterounin ............................................................................................................. 138 Apndice 2.1 La velocidad de recombinacin supercial ............................................................... 142 Problemas propuestos ......................................................................................................................... 143 Formulario del captulo 2 ................................................................................................................... 145
Tecnologa de fabricacin
3.1 Integracin de un circuito en silicio ........................................................................................... 147 3.2 Etapas de los procesos de fabricacin ........................................................................................ 157 3.3 Secuencia de las etapas de fabricacin de un circuito integrado ................................................ 174 Notas para una perspectiva histrica .................................................................................................. 179
Dispositivos optoelectrnicos
4.1 Radiacin electromagntica y semiconductores......................................................................... 181 4.2 Dispositivos receptores de radiacin.......................................................................................... 193 4.3 Dispositivos emisores de radiacin ............................................................................................ 210 4.4 Otros dispositivos optoelectrnicos ........................................................................................... 224 Problemas propuestos ......................................................................................................................... 232 Formulario del captulo 4 ................................................................................................................... 233
El transistor bipolar
5.1 Introduccin ............................................................................................................................... 235 5.2 El transistor bipolar ideal en rgimen permanente. .................................................................... 245 5.3 El transistor bipolar real ............................................................................................................. 258
ndice
5.4 El transistor bipolar en rgimen dinmico ................................................................................. 270 5.5 El transistor bipolar como amplicador ..................................................................................... 281 5.6 Otros transistores bipolares ........................................................................................................ 292 Problemas propuestos ......................................................................................................................... 298 Formulario del captulo 5 ................................................................................................................... 299
Transistores de efecto de campo
6.1 Electrosttica del sistema metal-xido-semiconductor .............................................................. 302 6.2 El transistor MOS en polarizacin continua............................................................................... 323 6.3 Smbolos circuitales ................................................................................................................... 332 6.4 Tecnologa MOS ........................................................................................................................ 335 6.5 Efectos no ideales en transistores MOS ..................................................................................... 341 6.6 Capacidades en el transistor MOS.............................................................................................. 349 6.7 Modelos dinmicos del transistor MOS ..................................................................................... 354 6.8 Otros transistores de efecto de campo: el JFET y el MESFET .................................................. 359 Apndice 6.1 Relacin entre carga y potencial en el semiconductor.................................................. 374 Apndice 6.2 Modelos SPICE para transistores MOS........................................................................ 377 Problemas propuestos ......................................................................................................................... 379 Formulario del captulo 6 ................................................................................................................... 380
Apndice A. Resolucin de ecuaciones diferenciales........................................................381 Apndice B. Constantes, unidades y parmetros.............................................................386 Apndice C. El cuestionario interactivo DELFOS ................................................................ 387 ndice alfabtico ..................................................................................................................391
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Propiedades elctricas de los semiconductores
El objetivo de este captulo es la introduccin del lector al conocimiento de los semiconductores y de sus propiedades elctricas fundamentales, que le permita emprender en los captulos siguientes el estudio de los dispositivos electrnicos realizados con semiconductores, lo cual, en denitiva, es el objetivo de este libro. Se comienza con una breve descripcin de los semiconductores y de su dopaje, haciendo especial hincapi en el silicio. Se estudia despus una propiedad de importancia fundamental, como es la cantidad de cargas mviles que pueden originar corriente en el semiconductor, denominadas portadores. Se analizan los mecanismos por los cuales esos portadores inducen una corriente elctrica, y se llega a la formulacin de una ecuacin de importancia clave para los dispositivos semiconductores: la ecuacin de continuidad. Finalmente se presenta la relacin entre cargas, campos elctricos, potencial y bandas de energa, que permite emprender en el captulo siguiente el estudio de la unin PN, la estructura bsica para fabricar dispositivos.
1.1 Materiales semiconductores

1.1.1 Introduccin Los materiales semiconductores ocupan una posicin intermedia en la escala de conductividades entre los conductores y los aislantes. La resistividad de los buenos conductores, como el cobre, es del orden de 106 cm, y la de los buenos aislantes supera los 1012 cm, mientras que la de los semiconductores ocupa prcticamente todo el intervalo limitado por los dos valores anteriores. Los primeros estudios sobre los semiconductores fueron realizados por Tomas Seebeck en 1821, y las primeras aplicaciones se deben a Werner von Siemens (1875, fotmetro de selenio) y a Alexander Graham Bell (1878, sistema de comunicacin telefnica). No obstante, esos materiales no tuvieron un papel importante en el mundo de la electrnica hasta 1947, cuando se descubri el transistor bipolar. Desde entonces, los nombres electrnica y semiconductores han quedado unidos de forma indisoluble. En la tabla 1.1 se muestra una parte de la tabla peridica en la que aparecen los principales semiconductores. Se indica en cada celda el nmero atmico del elemento. Debe recordarse que los elementos de la columna II tienen dos electrones de valencia, mientras que los de la columna III tienen tres, y as sucesivamente. En la tabla 1.2 se muestran los principales semiconductores utilizados actualmente en aplicaciones electrnicas. Obsrvese que aparecen semiconductores simples como el silicio (Si) y el germanio (Ge) y semiconductores compuestos. Entre stos se hallan los binarios IV-IV, III-V y II-VI formados por parejas de elementos procedentes cada uno de ellos de las columnas indicadas y las aleaciones constituidas por tres o ms elementos, como son los compuestos ternarios y cuaternarios. En esos compuestos, x e y indican el tanto por uno del elemento considerado.
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Tabla 1.1 Parte de la tabla peridica en la que guran los elementos que juegan un papel importante en la electrnica de los semiconductores II Be 12 Mg 30 Zn 48 Cd 80 Hg
4
III B 13 Al 31 Ga 49 In 81 Tl
5
IV C 14 Si 32 Ge 50 Sn 82 Pb
6
V N 15 P 33 As 51 Sb 83 Bi
7
VI O S 34 Se 52 Te 84 Po
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Tabla 1.2 Tipos de semiconductores utilizados en aplicaciones electrnicas Tipos de semiconductores Semiconductores simples Semiconductores compuestos IV-IV Semiconductores compuestos III-V Semiconductores compuestos II-VI Aleaciones Ejemplos Si, Ge SiC, SiGe GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP, InSb ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe AlxGa1xAs, GaAs1xPx, Hg1xCdxTe, GaxIn1xAs1yPy
El semiconductor ms utilizado en la electrnica actual es el silicio en un porcentaje superior al 95 % pero los semiconductores compuestos empiezan a jugar un papel cada vez ms signicativo en aplicaciones de alta velocidad y en la optoelectrnica. Por ese motivo, en este libro se considera al silicio como semiconductor de referencia, si no se indica otra cosa explcitamente. 1.1.2 La estructura cristalina Un semiconductor se denomina amorfo cuando sus tomos no siguen una ordenacin espacial ms all de unos poco tomos. Contrariamente, cuando todos los tomos estn perfectamente ordenados, siguiendo una estructura bsica que se repite indenidamente en las tres direcciones del espacio, se dice que es un monocristal. Cuando el material est constituido por un aglomerado de granos cristalinos, se dice que presenta una estructura policristalina. El silicio es un elemento con 14 electrones, como indica su nmero atmico. Diez de esos electrones ocupan rbitas muy prximas al ncleo, y estn tan ligados a ste que prcticamente no cambian su estado durante las interacciones normales entre tomos. No sucede lo mismo con los cuatro ms externos, llamados electrones de valencia, los cuales participan activamente en las interacciones con los dems tomos. Por ese motivo, se dice que el silicio es un tomo tetravalente. Cuando el silicio forma un monocristal, cada tomo se une a cuatro tomos contiguos mediante cuatro enlaces covalentes, en las direcciones que se muestran en la gura 1.1.a. Un enlace covalente est formado por un par de electrones compartidos por los dos tomos. En el silicio, cada uno de los tomos unidos aporta un electrn de valencia para formar un enlace. Esa estructura bsica se repite por todo el espacio, tal y como se muestra en la gura 1.1.b, en la que se representa la celda bsica del silicio. Como se puede observar, cada tomo de la celda bsica est unido a cuatro tomos contiguos mediante cuatro enlaces covalentes, siguiendo la estructura de la gura 1.1.a. La celda bsica es el menor volumen representativo del cristal, que repetido indenidamente en las tres direcciones del espacio origina el monocristal. Para describir esa celda se emplean dos elementos: la red cristalina y el grupo atmico. La red es un conjunto de puntos, denominados nodos; vinculado a
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cada nodo se halla el grupo atmico. De ese modo, el grupo atmico se repite en el espacio siguiendo la distribucin marcada por la red.
Fig. 1.1 a) Estructura de enlaces entre tomos. b) Celda unitaria del silicio. En la gura, cada esfera representa un tomo, y cada segmento entre esferas un enlace covalente.
La red cristalina del silicio es un cubo con nodos en los ocho vrtices y en el centro de cada una de las caras, denominada estructura cbica centrada en las caras (en ingls, fcc, face centered cube). El grupo atmico est constituido por dos tomos de silicio: uno de ellos situado en el nodo, y el segundo separado del primero segn la direccin marcada por la diagonal principal del cubo, a una distancia igual a 1/4 de esa diagonal (v. g. 1.1.b). Esa estructura cristalina se denomina diamante, ya que es la misma que presenta el diamante (cristal de carbono). La longitud de una arista del cubo se denomina constante de red (en ingls, lattice constant), y para el silicio es de 5.43 . Teniendo en cuenta ese dato, es fcil comprobar que hay 51022 tomos de silicio por cada centmetro cbico. El GaAs y otros semiconductores compuestos tienen una estructura cristalina ligeramente diferente, denominada zincblenda. La red cristalina es tambin cbica centrada en las caras, pero el grupo atmico est constituido por un tomo de galio y uno de arsnico, con la misma distribucin espacial que la descrita anteriormente para el silicio. La constante de red de ese semiconductor es de 5.65 . Los enlaces entre tomos son covalentes y parcialmente inicos, dado que los tomos pentavalentes de As ceden un electrn a los tomos trivalentes de Ga para formar el enlace.
Fig. 1.2 Principales direcciones cristalinas en el silicio. El cubo representa la celda bsica.
Se pueden agrupar todos los tomos de un cristal en un conjunto de planos paralelos y equidistantes, denominados planos cristalogrcos. Existen innitas familias de planos cristalogrcos en un
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semiconductor, y cada una viene especicada por un conjunto de tres enteros denominados ndices de Miller. En los cristales cbicos, esos ndices son proporcionales a los componentes de un vector perpendicular a los planos. En la gura 1.2 se representa la celda bsica de silicio junto con algunas direcciones cristalinas. Las direcciones cristalinas son importantes para determinadas propiedades fsicas y tecnolgicas del semiconductor. 1.1.3 Los portadores de corriente. Modelos de enlaces y de bandas La corriente elctrica a travs de una seccin de un material se dene como la carga que atraviesa esa seccin por unidad de tiempo. Para que haya corriente debe haber, por lo tanto, partculas que transporten la carga; esas partculas mviles con carga elctrica se denominan portadores de corriente. En los semiconductores existen dos tipos de portadores de corriente: los electrones de conduccin, que tienen carga negativa, y los huecos, con carga positiva.
Fig. 1.3 Modelo de enlaces del semiconductor. Los electrones de valencia, representados por pequeos crculos, se dibujan solo para los enlaces del tomo central, con indicacin del tomo que los aporta.
Para estudiar la naturaleza de esos portadores de corriente se debe partir de la estructura cristalina del semiconductor, descrita en el apartado anterior. Para evitar la complicacin que comporta el carcter tridimensional de esa estructura, se realiza una representacin simplicada bidimensional que se denomina modelo de enlaces, la cual se muestra en la gura 1.3. En ese modelo, cada crculo representa el ncleo ms los electrones internos de un tomo del semiconductor, y cada lnea entre los crculos un electrn de valencia compartido por los tomos. Ntese que la carga +4 indicada en cada crculo se neutraliza con la carga negativa de los cuatro electrones de valencia que el tomo aporta para realizar los cuatro enlaces covalentes con los tomos contiguos. Debe tenerse en cuenta que en la realidad los cuatro enlaces no estn en un mismo plano, sino que se disponen en el espacio segn se ha mostrado en la gura 1.1. El electrn de valencia que forma parte de un enlace covalente est fuertemente ligado a los tomos que une. Si se aplica un campo elctrico al semiconductor, los electrones de valencia siguen ligados al enlace, y los de las capas ms internas al ncleo aun con ms fuerza, por lo cual no se produce movimiento de cargas alguno. La corriente es, por tanto, nula, y el semiconductor es consecuentemente un aislante. Tal es el comportamiento de un semiconductor a 0 K. Un estudio riguroso del semiconductor exige la aplicacin de la mecnica cuntica. No obstante, muchas de las propiedades de esos dispositivos se pueden entender utilizando una aproximacin
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basada en la fsica clsica, que considera a los electrones como partculas materiales que obedecen a las leyes de Newton. Esa aproximacin didctica posee indudables ventajas, dado que evita la demora que supondra el aprendizaje previo de los conocimientos sobre mecnica cuntica y fsica del estado slido que resultan necesarios para emprender el estudio riguroso de los semiconductores. Pero, lamentablemente, la aproximacin clsica requiere ocasionalmente la aportacin externa de resultados de la fsica cuntica que permitan superar sus limitaciones. Una de esas aportaciones es la cuanticacin de la energa: la energa que un electrn puede absorber o emitir est constituida por paquetes de energa indivisibles denominados cada uno de ellos cuanto de energa. El cuanto de energa electromagntica se denomina fotn, y el de energa trmica, fonn.
Fig. 1.4 a) Generacin de un par electrn-hueco por la ruptura de un enlace covalente. b) Desplazamiento del electrn libre y del hueco por la accin de un campo elctrico aplicado sobre el semiconductor.
Si un electrn de valencia que forma parte de un enlace covalente absorbe un cuanto de energa del valor adecuado, puede romper la ligazn con el enlace covalente y moverse libremente por el semiconductor. Ese electrn libre, desligado del enlace, se denomina electrn de conduccin y es un portador de corriente, ya que es una carga que se mueve en sentido contrario al campo elctrico aplicado al semiconductor debido a su carga negativa.
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El enlace covalente roto produce un desequilibrio en la red cristalina, el cual reclama la presencia de un electrn para su reconstruccin. Un electrn de valencia de un enlace prximo puede verse afectado por ese desequilibrio, abandonar su enlace y reconstruir el enlace roto. Pero esa accin signica, simplemente, que el enlace covalente roto ha cambiado de sitio, por lo cual se repite la accin anterior. Se vera, por tanto, que el enlace covalente roto el hueco se va moviendo por el cristal. Cuando se aplica un campo elctrico se favorece el desplazamiento de los electrones de valencia que ocupan sucesivamente el enlace covalente roto, en sentidos contrarios al campo elctrico (v. g. 1.4.b). El resultado es que el hueco, es decir, el enlace covalente roto, se mueve en el mismo sentido que el campo elctrico, como si de una carga positiva se tratara. La fsica cuntica demuestra que se puede considerar al enlace covalente roto como a una partcula positiva del mismo valor absoluto que el electrn, y con una masa especca. Es, por lo tanto, un portador de corriente con carga positiva. Para generar un electrn de conduccin y un hueco se debe proporcionar un cuanto de energa a un electrn de valencia. El electrn desligado adquiere una energa mayor que cuando formaba parte del enlace covalente. La representacin de la energa de los electrones en los distintos puntos del semiconductor se denomina modelo de bandas de energa. Para alcanzar una comprensin cualitativa de ese modelo debe considerarse en primer lugar el modelo atmico de Bohr para un tomo aislado. Como es bien sabido, Bohr propuso para el tomo un modelo planetario corregido en algunos aspectos: los electrones giran en rbitas circulares alrededor del ncleo, de tal forma que la fuerza elctrica de atraccin entre el electrn negativo y el ncleo positivo se neutralizan exactamente con la fuerza centrfuga. No obstante, solo se permiten aquellas rbitas cuyo momento angular sea un mltiplo entero de h/2. El electrn que se halla en una rbita permitida no emite energa. En cada rbita, el electrn tiene una energa total bien denida, que viene dada por la suma de las energas potencial y cintica. El electrn puede saltar de una rbita a otra absorbiendo o emitiendo un cuanto de energa igual a la diferencia entre las respectivas energas totales que tiene en cada una de las rbitas consideradas. En la gura 1.5 se muestra el radio y la energa total del electrn en las rbitas permitidas. El electrn puede por tanto tener en el tomo aislado unos niveles de energa permitidos, mientras que el resto de energas no le estn permitidas.
Fig. 1.5 Modelo de Bohr para el tomo aislado: el electrn tiene en cada rbita permitida una energa bien denida
Cuando se forma el cristal, hay muchos tomos que interactan entre s, de manera que el modelo del tomo aislado deja de ser vlido. El principio de exclusin de Pauli establece que no puede haber dos electrones de un mismo sistema con el mismo estado cuntico. Por esa razn, cuando dos tomos se aproximan y los electrones comienzan a interactuar entre s y a formar un mismo sistema, los niveles
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de energa del tomo aislado tienen que desdoblarse, dado que en caso contrario podra haber dos electrones con el mismo estado cuntico (v. g. 1.6). Cuando, en lugar de dos tomos, son muchos ms los que interactan, como en el caso de un cristal, el nivel original se debe subdividir en tantos niveles como tomos interacten. Aparecen as intervalos de energa en los cuales hay una gran densidad de niveles permitidos, y da la impresin de que hay una continuidad de energas permitidas. Se dice entonces que ese intervalo constituye una banda de energa permitida. Cuando en un intervalo de energas no hay nivel permitido, se le denomina banda prohibida (BP).
Fig. 1.6 Desdoblamiento de los niveles permitidos cuando la distancia d entre los dos tomos se reduce
Ejercicio 1.1 Calclese el radio y la energa total del electrn para las dos rbitas ms prximas al ncleo del tomo de hidrgeno. Datos: el radio de las rbitas permitidas es r = (h2o/mq2)n2 = 0,53n2 ; la velocidad v = (q2/ho)(1/n), donde n es entero. Las dos primeras rbitas son para n = 1 y n = 2. Los radios son r1 = 0.53 y r2 = 2.12 . La energa total del electrn en una rbita es E = Ecin + Epot = (1/2)mv2 + (q2/4or) = q2/8or = = 13,6/n2 eV Por lo tanto, E1 = 13.6 eV y E2 = 3.4 eV. El signo negativo de la energa total indica que el electrn est ligado al ncleo para liberarse es necesario un radio innito, lo cual signica un valor de n innito y, por lo tanto, una energa total nula.
Las energas de los electrones de valencia se agrupan en un intervalo que se denomina banda de valencia; el lmite superior de ese intervalo es Ev. Las energas que pueden tener los electrones que se han desligado de los enlaces covalentes se agrupan tambin en un intervalo, denominado banda de conduccin; su lmite inferior es Ec. Entre las dos bandas se extiende la banda prohibida: ningn electrn puede tener una energa de ese margen. Vase la gura 1.7. La amplitud de la banda prohibida se denomina Eg (en ingls, la banda prohibida se conoce como band gap), y es uno de los parmetros ms importantes de un semiconductor. Esa energa, Eg = Ec Ev, es la energa mnima que se debe proporcionar a un electrn de valencia para desligarlo del enlace covalente. Cuanto mayor es el valor de Eg, ms fuerte es el enlace covalente y menos electrones lo pueden romper, por lo cual el semiconductor es ms aislante. A temperatura ambiente el silicio tiene una Eg = 1.1 eV, el GaAs de 1.43 eV y el Ge de 0.68 eV. Los semiconductores que tienen
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La unin PN
La mayora de los dispositivos semiconductores utilizados en la electrnica contienen regiones del tipo P y regiones del tipo N. Las propiedades de los contactos entre los dos tipos de zona, denominados uniones PN, son fundamentales para el funcionamiento del dispositivo. Como ejemplos, un diodo es un dispositivo formado por una sola unin; un transistor, tanto si es bipolar como MOS, contiene al menos dos uniones, etctera. Se dedica este captulo al estudio del comportamiento de la unin PN. Despus de una descripcin cualitativa del funcionamiento de una unin PN, se dedica la mayor parte del captulo al anlisis cuantitativo empleando un modelo simple. Se comienza por el estudio del sistema en equilibrio, se contina con la evaluacin de las corrientes bajo la aplicacin de tensiones continuas, y se pasa luego a ver el efecto de las tensiones dependientes del tiempo los efectos dinmicos. Aunque este estudio se centra en las uniones en las que la regin P y la regin N son del mismo semiconductor homouniones, se discute tambin las caractersticas de las heterouniones, formadas por dos semiconductores distintos. Se acaba el captulo presentando el comportamiento de los contactos entre un metal y un semiconductor, y discutiendo las caractersticas que deben tener los contactos que actan como terminales de un dispositivo los contactos hmicos.
2.1 La unin PN: bandas de energa y efecto recticador

2.1.1 Hiptesis iniciales del modelo Una unin PN es un cristal semiconductor nico, con una regin dopada con impurezas aceptoras y otra con impurezas donadoras. Cuando los dopajes son homogneos en el interior de cada regin y existe un plano de separacin entre ambas, se habla de unin abrupta. Si el cambio de dopaje es progresivo, se habla de unin gradual. Este estudio se centra en las uniones abruptas; se denomina NA la concentracin de impurezas aceptoras de la regin P, mientras que ND es el nivel de dopaje de la regin N. Se supone que para esas impurezas se cumple la condicin de ionizacin total. Se consideran vlidas las principales hiptesis que han permitido llevar a cabo el estudio de los semiconductores del primer captulo; particularmente, que los semiconductores son no degenerados y que se mantienen las condiciones de baja inyeccin. Por otro lado, este trabajo se simplica empleando un modelo unidimensional: las variables que se utilizan dependen de una sola coordenada, medida en la perpendicular al plano de la unin, pero no de las otras dos coordenadas. 2.1.2 El diagrama de bandas La gura 2.1 representa el smbolo, la estructura y el diagrama de bandas en equilibrio de la unin PN. Debe recordarse aqu que el nivel de Fermi, Ef, es constante en equilibrio trmico. La deformacin de
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los niveles Ec y Ev y junto con ellos, de E indica que hay un campo elctrico en sentido de derecha a izquierda en la regin de transicin, es decir, un campo que va de la regin N a la P. Tal como se ha descrito en el captulo 1, ese campo elctrico conna los portadores mayoritarios en las respectivas regiones: los electrones en la regin N y los huecos en la P. Solo pueden pasar a la otra regin los portadores que tengan suciente energa como para superar el escaln representado por la curvatura de las bandas en equilibrio, una energa cintica superior a qVbi. Dado el valor que suele tener esa barrera, el porcentaje de portadores que la pueden superar es muy pequeo. Se distinguen tres regiones en la unin PN: la regin neutra P, en la que el campo elctrico es nulo y en la que hay, por lo tanto, neutralidad de carga; la zona de carga espacial (ZCE) o regin de transicin entre P y N, en la que hay un campo elctrico intenso producido por un dipolo de carga espacial; y, nalmente, la zona neutra N. Se supone que en la zona neutra P la concentracin de huecos es NA y n << p, mientras que para la regin neutra N se supone que n = ND y p << n.
Fig. 2.1 La unin PN: a) Smbolo circuital. b) Estructura fsica. c) Diagrama de bandas en equilibrio trmico. d) Caracterstica I(V) mostrando el efecto recticador.
2.1.3 El efecto recticador El efecto recticador consiste en la propiedad de permitir el paso de la corriente en un sentido de P a N, en el caso de una unin PN y de bloquearlo en el sentido contrario (v. g. 2.1.d). El dispositivo que presenta ese efecto se denomina diodo. Ms adelante se justica que si se aplica una tensin positiva de valor VD en la regin P con respecto a la regin N se denomina polarizacin directa, el escaln de energa en la ZCE pasa a valer q(Vbi VD). La polarizacin directa causa la disminucin del campo elctrico en la regin de transicin, porque reduce la pendiente del perl de E. En polarizacin inversa regin N positiva con respecto a la P la altura del escaln q(Vbi VD) aumenta. En polarizacin directa, la disminucin del escaln de energa en la regin de transicin permite el paso de muchos portadores mayoritarios de cada una de las regiones a la otra, porque precisan menos energa cintica para ello. En efecto: segn la ley de Fermi, la distribucin energtica de los electrones dentro de la banda de conduccin disminuye exponencialmente a medida que su energa se aleja de Ec. De la misma manera, el nmero de huecos dentro de la banda de valencia disminuye exponencialmente a medida que su energa se aleja de Ev. As pues, en polarizacin directa hay un ujo muy intenso de huecos de P a N, y de electrones de N a P. En consecuencia, la corriente a travs del diodo en sentido de P a N aumenta exponencialmente con la tensin de polarizacin.
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En polarizacin inversa, el aumento de la altura del escaln de energa produce un connamiento todava mayor de los portadores: es todava ms difcil para los huecos ir de P a N, y para los electrones ir de N a P. La corriente es casi nula. Ntese que el aumento de la altura del escaln implica un aumento del campo elctrico en la ZCE porque la pendiente de E aumenta.
Fig. 2.2 Diagrama de bandas: a) En polarizacin directa. b) En polarizacin inversa.
2.1.4 Potencial, campo elctrico y carga espacial en la regin de transicin El diagrama de bandas nos muestra que hay una diferencia de potencial, un campo elctrico y un dipolo de carga en la regin de transicin entre P y N. En efecto, recordando las relaciones halladas en el captulo 1,
i ( x ) = V( x ) = E fi ( x ) E f q E el ( x ) = dV( x ) dx ( x ) = dEel dx
(2.1)
Estas funciones se hallan representadas, junto con la curvatura de las bandas, en la gura 2.3, para condiciones de equilibrio trmico y para polarizacin directa. Se observa que en equilibrio la regin N est un potencial Vbi por encima de la regin P. Ese potencial, que se denomina potencial de contacto o potencial de difusin, tiene como valor
Vbi = V N V P = iN iP = E f E fi ( x ) q
N
E f E fi ( x ) q
P
(2.2)
= k BT N D k BT N A k BT N D N A ln ln + = ln q q q ni ni ni2
donde se admite que la concentracin de mayoritarios en cada regin es aproximadamente igual a su nivel de dopaje. La aplicacin de una tensin de polarizacin directa VD reduce la altura de la barrera de potencial entre la parte N y la P, que pasa a valer Vbi VD; ello implica una disminucin de la intensidad del campo elctrico y de la densidad de carga. En cambio, en polarizacin inversa VD es negativa, y por lo tanto la barrera de potencial se hace ms elevada, el campo elctrico ms intenso y la densidad de carga mayor.
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Fig. 2.3 Diagrama de bandas, potencial, campo elctrico y densidad de carga en equilibrio trmico y en polarizacin directa
Si se va polarizando cada vez ms la unin en inversa, el aumento del campo elctrico llega a provocar la ruptura de la unin PN. Cuando el campo elctrico alcanza un valor crtico cercano a 3105 V/cm en el caso del silicio, comienza a circular una corriente inversa muy intensa, porque se genera un elevado nmero de portadores.
Ejercicio 2.1 Suponiendo que el valor mximo que puede adoptar el dopaje en un semiconductor es de 1021 cm3, estmese el valor mximo del potencial de difusin a 300 K en: a) Si, b) GaAs, c) Ge. Aplicando la expresin 2.2 y empleando los valores de ni del apartado 1.3, resulta a) Vbi(300 K, Si) = 25103ln(1042/2.251020) = 1.25 V b) Vbi(300 K, GaAs) = 25103ln(1042/41012) = 1.69 V c) Vbi(300 K, Ge) = 25103ln(1042/6.251026) = 0.87 V
Ejercicio 2.2 Estmese el valor mximo de Vbi segn el diagrama de bandas. Comprense los resultados con los del ejercicio anterior, y justifquense las diferencias. Si se supone que para dopajes muy elevados se da que Ef = Ec en la regin N, y Ef = Ev en la regin P, la barrera de potencial es Eg, es decir, Vbi(300 K, Si) = 1.1 V, Vbi(300 K, GaAs) = 1.43 V, y Vbi(300 K, Ge) = 0.68 V. Los valores obtenidos en el ejercicio anterior son ms elevados, y ello exige que el nivel de Fermi en un semiconductor muy dopado se halle dentro de la banda de conduccin si es del tipo N, y dentro de la de valencia si es del tipo P. Son referidos con la denominacin de semiconductores degenerados.
2 La unin PN
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Comentario: las concentraciones de mayoritarios y de minoritarios calculadas en el captulo 1, donde se ha aplicado la aproximacin de Boltzmann, no son vlidas para los semiconductores degenerados. Las conclusiones de este ejercicio son cualitativamente correctas, pero los valores numricos no son exactos.
2.1.5 La generacin del dipolo de carga en la regin de transicin Segn la ley de Gauss, la variacin del campo elctrico se debe a la presencia de carga elctrica distribuida en la regin. La estructura de bandas pone de maniesto que hay un dipolo de carga en la regin de transicin de P a N. Aparece la cuestin sobre cul es el origen de esa carga, su procedencia. Considrese un semiconductor del tipo P homogneo, que se pone en contacto con uno del tipo N (se trata de un proceso conceptual, no de una tcnica de fabricacin). Los huecos comenzarn entonces a difundirse desde la regin P, donde su concentracin es elevada, hacia la regin N, donde casi no existen. Como consecuencia de esa difusin, la concentracin de huecos de la regin P en las cercanas de la interfaz con la regin N disminuir. Antes de realizar la unin, el semiconductor P tiene aproximadamente tantos huecos como impurezas NA ionizadas negativamente. Esa igualdad garantiza la neutralidad de carga en todos los puntos. Despus de la unin desaparecen los huecos de esa regin porque se desplazan hacia la regin N, de manera que NA resulta mayor que la concentracin de huecos positivos causando que en la regin P en las cercanas de la interfaz haya una carga neta negativa. Un razonamiento paralelo explica que aparezca una carga neta positiva en la regin N, cerca de la interfaz con la regin P, a causa de los electrones que han abandonado por difusin la regin N, dejando atrs impurezas donadoras positivas no neutralizadas (v. g. 2.4).
Fig. 2.4 Generacin de un dipolo de carga en la regin de transicin de la unin PN. Los huecos abandonan la regin P por difusin, dejando en su lugar iones negativos NA no neutralizados. De la misma manera, los electrones se desplazan de la regin N dejando iones positivos NA+ sin neutralizar.
De esa manera se forma un dipolo de carga que genera un campo elctrico en sentido de N hacia P. Ese campo elctrico conna los portadores mayoritarios en las respectivas regiones de origen, porque se opone a la difusin, retornando huecos a la regin P y electrones a la regin N por arrastre. Durante el dominio de la difusin disminuyen las concentraciones de mayoritarios en sus respectivas regiones, con lo que se refuerza el dipolo de carga y se aumenta el campo elctrico. Al cabo de cierto tiempo se llega a un equilibrio entre la difusin y el arrastre, de manera que ambas corrientes se neutralizan exactamente en cada punto, y se alcanza as el equilibrio trmico, representado en el diagrama de bandas del apartado 2.1.1.
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2.1.6 Los contactos entre metal y semiconductor Los terminales de un dispositivo que contiene una unin PN, como es el caso de un diodo, deben ser metlicos, tal como se indica en la gura 2.5. En el contacto entre un metal y un semiconductor tambin aparece un dipolo de carga espacial, similar al de una unin PN. Esta armacin se justica al nal de este captulo. Dicho dipolo da lugar a un potencial de contacto entre el metal y el semiconductor. Entre el terminal de nodo (A) y el de ctodo (K) hay, en el equilibrio trmico, tres potenciales de contacto: Vc1 entre metal y el semiconductor P, Vbi en la unin PN, y Vc2 entre el semiconductor N y el metal. La suma de los tres potenciales debe ser cero, de manera que VA = VK, dado que de otro modo un diodo en equilibrio trmico se comportara como una fuente de tensin, lo cual es incompatible con los principios de la termodinmica.
Fig. 2.5 Potencial de contacto entre nodo y ctodo de una unin PN en equilibrio
En el citado apartado se demuestra que cuando se polariza un dispositivo como el de la gura 2.5 se pueden dar dos situaciones distintas en los terminales: que los potenciales de contacto entre metal y semiconductor se mantengan constantes en su valor de equilibrio, o que, por el contrario, una parte de la tensin VA VK caiga en esos contactos. nicamente el primer tipo de contacto resulta til para construir los terminales de una unin PN. En ese caso, toda la tensin aplicada aparece en la ZCE de la unin PN, suponiendo que en las zonas neutras el campo elctrico sea inapreciable. Para justicar esa hiptesis, se observa que en las zonas neutras no hay carga neta localizada: segn la ley de Poisson, no hay campo. Se supone que las posibles cadas de tensin en las zonas neutras asociadas al paso de corriente son pequeas; este punto, no obstante, se discute en el apartado 2.5, en el que se ve cmo se corrige el modelo de dispositivo en caso de que esta suposicin no sea aceptable.
CUESTIONARIO 2.1 1. Considrese una unin entre una regin de un semiconductor del tipo P y una regin intrnseca. Existen cargas localizadas en cada lado del plano de la unin un dipolo de carga. Raznese qu cargas portadores de corriente, impurezas ionizadas, etctera constituyen ese dipolo; determnese en consecuencia cul de las siguientes proposiciones no es correcta. a) Una zona de la regin P tiene carga negativa porque ha perdido portadores mayoritarios. b) Una zona de la regin intrnseca tiene carga positiva porque ha ganado huecos.
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c) La densidad de carga de la regin P en cada punto es proporcional a la concentracin de impurezas ionizadas no neutralizadas por portadores libres. d) La densidad de carga de la regin intrnseca en cada punto es proporcional a la concentracin de tomos del semiconductor no neutralizados por portadores libres. 2. Considrese el diagrama de bandas de la unin de la cuestin anterior. Para simplicar, se supone que en la regin P el nivel de Fermi se encuentra en el punto ms elevado de la banda de valencia (Ef Ev = 0). Cuanta energa se debe proporcionar a un hueco para hacerlo pasar de la regin P a la intrnseca? Dato: la anchura de banda del semiconductor es Eg = 1.5 eV. Nota: el signo negativo signica que el hueco cede energa. a) 1.5 eV b) 0.75 eV c) 1.5 eV d) 0.75 eV
3. Qu valor tiene la tensin de difusin la barrera de potencial Vbi en la unin de las cuestiones anteriores? Supngase que se pueda introducir impurezas donadoras en la regin intrnseca hasta que el nivel de Fermi alcance el fondo de la banda de conduccin (Ec Ef = 0). Qu valor adopta Vbi en esta ocasin? a) Vbi = 0.75 V en el primer caso y Vbi = 1.5 V en el segundo. b) Vbi = 1.5 V en el primer caso y Vbi = 0.75 V en el segundo. c) Vbi = 0.75 V en el primer caso y Vbi = 1.5 V en el segundo. d) Vbi = 1.5 V en el primer caso y Vbi = 0.75 V en el segundo. 4. Vulvase a la unin de la cuestin 2. Sabiendo ya que la energa necesaria para superar la barrera de potencial es igual para los dos tipos de portadores de corriente, la cuestin es sobre el nmero de portadores que atraviesan el plano de la unin en equilibrio trmico. Cul de las siguientes proposiciones es falsa? a) El nmero de huecos que pasan de la regin P a la intrnseca es igual al nmero de los que se desplazan en el sentido opuesto. Lo mismo sucede con el nmero de electrones. b) El nmero de huecos que pasan de la regin P a la intrnseca es mayor que el de electrones que se desplazan en el sentido opuesto. c) El nmero de electrones que van de la regin intrnseca a la P es superior al de los que van en sentido opuesto. d) El nmero de huecos y el de electrones que atraviesan el plano de la unin deben ser iguales. 5. Calclese el potencial de difusin de una unin abrupta en los dos casos siguientes: 1) NA = ND = N1 = 1015 cm-3 2) NA = ND = N3 = 1021 cm-3. Para la respuesta, revsense las hiptesis necesarias para llegar a la frmula empleada, y decdase qu respuesta es correcta. Datos: ni = 1.51010 cm3, kBT/q = 0.025 eV.
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a) 0.275 V, 0.622 V. El primer resultado no es vlido porque con dopajes muy bajos no se puede aplicar la aproximacin de vaciamiento. b) 0.55 V, 1.25 V. El segundo resultado no es vlido porque con dopajes muy elevados no se puede aplicar la aproximacin de Boltzmann. c) 0.275 V, 0.622 V. Ambos resultados son vlidos. d) 0.55 V, 1.25 V. El segundo resultado no es vlido porque con dopajes muy elevados el semiconductor degenera y no se puede hacer referencia al nivel de Fermi. 6. De los siguientes argumentos que justican que la tensin de difusin Vbi no es directamente medible por la aplicacin de un voltmetro entre los terminales de un diodo, cul es correcto? a) La corriente que el voltmetro hace pasar por la unin es incompatible con las condiciones de equilibrio trmico. b) Es un potencial virtual. c) Las cadas de tensin en los terminales metlicos suman un valor igual a Vbi pero con signo contrario, y proporcionan un resultado total de la medicin igual a cero. d) Por el voltmetro circulan electrones pero no huecos.
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3.1 Integracin de un circuito en silicio

3.1.1 Introduccin Este captulo presenta una introduccin a las tcnicas empleadas en la fabricacin de dispositivos semiconductores y de circuitos integrados. La finalidad del presente estudio es doble: por una parte, mostrar el proceso de produccin como un posible campo de actividad propio de la ingeniera electrnica; por otra, mostrar la estructura real de los dispositivos, que se debe tomar en cuenta en un estudio de su funcionamiento que vaya ms all de los modelos simples que se exponen en este curso. La extensin disponible para tratar este tema impone algunas limitaciones. La primera es que se trata casi exclusivamente la tecnologa del silicio, y solo ocasionalmente se hace referencia a la de los semiconductores III-V. La segunda es que se hace mayor hincapi en aquellos puntos ms necesarios para la comprensin del funcionamiento del dispositivo por ejemplo, los perfiles de dopaje que se obtienen en detrimento de otros que son importantes en el mbito de la produccin, como el encapsulado o la verificacin de los dispositivos, pero que no lo son tanto en el contexto del presente estudio. Se empieza examinando la estructura real de algunos dispositivos que ponen en evidencia la necesidad de disponer de determinadas operaciones que se denominan etapas en el proceso de fabricacin. Se contina examinando las caractersticas de cada una de esas etapas, dando ms importancia a los aspectos conceptuales que a los desarrollos matemticos o a los problemas prcticos. Finalmente, se presentan las etapas en forma de una secuencia que integra el ciclo completo de fabricacin. Cabe mencionar aqu que se trata de procesos genricos, con aspectos comunes a casi todos los fabricantes. Los detalles difieren en cada lnea de produccin. 3.1.2 La estructura de un dispositivo y las tcnicas de fabricacin Caso 1: un diodo discreto Considrese uno de los dispositivos ms simples que se puede imaginar: un diodo de unin PN con los terminales unidos a hilos de conexin (dispositivo discreto). La figura 3.1.a representa un posible corte esquemtico de este dispositivo. En este caso se consideran las regiones P y N con niveles de dopaje moderados, de manera que para obtener contactos hmicos con el metal de los terminales se debe disponer de las respectivas regiones P+ y N+. Las capas del metal y los hilos conductores soldados completan el dispositivo. El encapsulado se pasa por alto. Para fabricar este dispositivo se necesita como mnimo dos grupos de tcnicas:
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- Tcnicas para dopar los semiconductores: partiendo de un material con un nico tipo de dopaje, por ejemplo del tipo P, se tiene que crear la regin N introducindole tomos donadores hasta una cierta profundidad, en la concentracin suficiente como para compensar el dopaje P y crear una regin N. Las regiones P+ y N+ se obtienen de manera similar, mediante una aportacin adicional de aceptores y donadores respectivamente. Hay dos tcnicas principales para dopar: la difusin trmica de impurezas, y la implantacin andica. Ambas se describen en los prximos apartados. - Tcnicas para metalizar las superficies de contacto: ms adelante se presentan las tcnicas de evaporacin trmica y de pulverizacin catdica (en ingls, sputtering) para realizar esa operacin. No se contempla la soldadura de los hilos de contacto.
Fig. 3.1 a) Seccin esquemtica de un diodo de unin PN discreto. Por simplicidad, no se representan los recubrimientos de proteccin ni el encapsulado. b) Superficie de la oblea. Cada cuadrado (un dado) se convierte en un diodo, una vez cortado y montado.
Todas esas operaciones no se realizan para cada unidad que se vaya a fabricar, sino para una cantidad grande en una sola vez; se separan cortando el bloque de material, denominado oblea. La figura 3.1.b representa la superficie de la oblea, en la que se ha fabricado un elevado nmero de diodos. Los planos de las figuras 3.1.a y 3.1.b son perpendiculares entre ellos. EJEMPLO 3.1 Una clula solar de silicio monocristalino es un diodo PN+, en el que se puede hallar la regin P constituida por la oblea de silicio, de espesor entre 300 y 500 m y dopaje moderado (1016 cm3, por ejemplo). La regin N+, muy dopada, puede tener una profundidad del orden de 0.5 m. EJEMPLO 3.2 Un diodo rectificador de potencia tiene las dos regiones poco dopadas, para reducir el campo elctrico mximo de la unin a una tensin dada; asimismo, ambas regiones deben tener un espesor considerable (hasta decenas de micrmetros) para que puedan contener una ZCE muy extensa.
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Ejercicio 3.1 En el caso de un diodo rectificador en el que los dopajes de las regiones P y N son respectivamente 1015 aceptores/cm3 y 1016 donadores/cm3, determnese qu espesor ocupa la ZCE cuando el dispositivo soporta una tensin inversa de 200 V. Solucin: 16.6 m. Caso 2: un diodo integrado Supngase ahora que el diodo debe formar parte de un circuito integrado. En ese caso, los dos terminales de contacto deben hallarse en una misma cara, la superficie del chip (u oblea). La estructura representada en la figura 3.2 constituye una alternativa a la de la figura 3.1. Para simplificar el dibujo, se considera la regin N como muy dopada (N+), de manera que no es necesario un dopaje adicional para realizar el contacto hmico sobre la regin N.
Fig. 3.2 Seccin esquemtica de un diodo de unin PN+ integrado
Ntese que se ha situado la regin P incrustada dentro de un sustrato N. La finalidad es que dispositivos adyacentes (dos diodos en este caso) no tengan las respectivas regiones P en comn, es decir, en cortocircuito. De este modo, para ir desde la regin P de un diodo hasta la regin P de otro es necesario atravesar dos uniones PN con polaridades opuestas. Es una tcnica habitual el aislar un dispositivo de otro perteneciente al mismo circuito integrado. Los elementos que aparecen como nuevos en la figura 3.2 con respecto a la 3.1 son los siguientes: a) Los dopajes que se introducen ya no afectan toda la anchura del dispositivo, sino nicamente ciertas regiones. La consecuencia es que se deben hallar tcnicas para definir las reas seleccionadas para dopar. Se realizar mediante dos operaciones encadenadas: - La oxidacin trmica del silicio, que crea una capa protectora contra la entrada de impurezas. - La fotolitografa fotograbado, ms precisamente, para eliminar esa capa protectora de las regiones en las que se desea introducir los dopantes.
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Estas operaciones se describen en los correspondientes apartados. Obsrvese al mismo tiempo que se ha creado una regin P, la del nodo, dentro de un bloque N el sustrato, y que se ha vuelto a invertir el tipo de conductividad de una parte de esa regin P para crear la regin N+ del ctodo. Estos procesos de doble dopaje son habituales, pero establecen restricciones sobre la gama de valores de las concentraciones de impurezas que se pueden obtener. b) La creacin de pistas conductoras para las conexiones entre los dispositivos del mismo circuito, en sustitucin de los hilos soldados a los terminales. Para que esas pistas no provoquen cortocircuitos entre las regiones subyacentes del semiconductor, es necesario que se pueda crear capas aislantes, constituidas en este caso por dixido de silicio (SiO2). Esa capa aislante tiene unas perforaciones denominadas aberturas de contacto, que permiten que la pista metlica llegue a la superficie del silicio. Para crear esas regiones de conductores y aislantes se debe disponer de ms etapas de proceso: - Obtencin de capas de dielctricos. Se consideran dos grupos de operaciones: la oxidacin trmica del silicio, ya mencionada, y el depsito de materiales, mediante tcnicas denominadas de CVD (del ingls chemical vapor deposition: depsito qumico en fase vapor). - Apertura de contactos a travs de esas capas por la fotolitografa ya mencionada. - Definicin de la forma de las pistas en una capa metlica depositada, mediante una tcnica de fotograbado similar a la utilizada para los dielctricos. EJEMPLO 3.3 Supngase que el dispositivo de la figura 3.2 es un diodo rectificador. En el proceso de diseo se decide la separacin de las regiones N+ y P+ sobre la base de una serie de criterios; entre ellos, que sea lo suficientemente grande como para permitir la extensin de la ZCE en polarizacin inversa, y lo suficientemente pequea como para no desperdiciar superficie de silicio ni introducir una resistencia en serie innecesaria.
Ejercicio 3.2 La regin N+ de la figura 3.2 tiene una seccin de 25 m 25 m, y una profundidad de 2 m. Propngase un valor para asignar a la seccin del diodo, si se desea estudiar este dispositivo con el modelo unidimensional de unin PN presentado en el captulo 2. A = 25 m25 m + 4(2 m25 m) = 825 m2 = 8.25106 cm2.
Una vez se ha llegado a este punto, se observa que la representacin de una seccin es insuficiente para conocer la geometra del dispositivo, y que se debe completar con una imagen de la superficie a la manera de un plano: se denomina composicin en planta (en ingls, layout). Esta representacin recoge los permetros de las distintas regiones que componen la estructura. La figura 3.3 presenta una de las posibles composiciones en planta compatibles con el corte de la figura 3.2. Se puede observar que las aberturas de contacto a travs del xido de silicio no ocupan la totalidad de las respectivas regiones N+ y P+, sino que se deja un margen de tolerancia para que no se produzca un
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cortocircuito en el caso de que haya un cierto error en el proceso de apertura. Por la misma razn, la pista metlica recubre generosamente la abertura de contacto. Esas tolerancias son esenciales para garantizar el xito del proceso de fabricacin.
Fig. 3.3 Composicin en planta del diodo de la figura 3.2
Si la estructura de la figura 3.2 se halla incrustada en un bloque de silicio del tipo N, se obtiene un transistor bipolar NPN, como se muestra en la figura 3.4. Este dispositivo es discreto porque requiere un contacto por la cara posterior. Se estudia en el captulo 5 del presente volumen.
Fig. 3.4 Seccin esquemtica de un transistor bipolar NPN discreto
Un circuito integrado constituido por dispositivos como el de la figura 3.2 tiene un solo nivel de conectividad, es decir, todas las pistas metlicas se hallan en el mismo plano, y no pueden por tanto cruzarse entre ellas. Evidentemente, esta es una limitacin demasiado rgida para el diseador de un circuito complejo.
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Lo que sucede en la prctica es que hay diversos pisos o niveles de pistas de conductores separados entre ellos por capas de dielctricos. Cada capa de aislamiento tiene aberturas en los puntos en los que es necesario realizar contactos entre pistas alojadas en distintos niveles. En los circuitos integrados avanzados, el nmero de capas necesarias para las conexiones es mayor que el de las contenidas en el interior del cristal semiconductor. Dado que el funcionamiento de los dispositivos depende esencialmente de los elementos del interior del semiconductor, se dedica la mayor parte de este estudio a las operaciones necesarias para crearlos, dejando de lado los problemas de la interconectividad.
CUESTIONARIO 3.1.a 1. Se consideran dos dispositivos, que por simplicidad son resistencias que forman parte de un circuito integrado realizado sobre una oblea del tipo P, tal y como se indica en la figura. Cul ser la corriente parsita entre los dos dispositivos?
a) Cero. b) Proporcional a la diferencia de tensin entre las regiones N+. c) La corriente inversa de saturacin del diodo N+P. d) La que circula por el diodo N+P polarizado directamente con la diferencia de las tensiones aplicadas a las dos regiones N+. 2. Considrense los dos diodos discretos de la figura, donde D, el espesor de la oblea, vale 500 m en este caso. No se representan las metalizaciones por simplicidad. Cul de las siguientes afirmaciones no es correcta?
a) El diseo a) tiene una resistencia serie muy elevada. b) La resistencia parsita de la regin P de b) es unas 50 veces inferior a la de a).
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c) El diseo b) es ms complicado de fabricar, ya que requiere disponer de una capa P poco dopada sobre un sustrato P+. d) El diseo a) es preferible al b), ya que tiene menos capacidad parsita. 3. En la figura adjunta se representa la composicin en planta de un circuito integrado y la correspondiente seccin en profundidad. Cul de las siguientes afirmaciones es falsa?
a) Se trata de dos diodos en paralelo de entradas 2 y 3, en serie con una resistencia con salida al terminal 5. b) Conectando 5 a 0 V se obtiene una puerta OR de entradas 2 y 3 y salida 4. c) Para aislar los dispositivos el uno del otro es preciso aplicar 0 V al terminal 1 y 5 V al terminal 6. d) Para conseguir un correcto funcionamiento del circuito es necesario conectar el terminal 4 a la tensin ms negativa disponible.
3.1.3 La obtencin del material semiconductor La obtencin de semiconductores es una rama especializada de la industria metalrgica, cuyos clientes son los fabricantes de dispositivos semiconductores y circuitos integrados. La produccin del silicio monocristalino comprende tres grupos de etapas: la purificacin qumica del silicio, el crecimiento del cristal y la presentacin en forma de oblea. Habitualmente, el material inicial es el cuarzo (SiO2), tal y como se halla en la naturaleza. La reduccin en horno por carbono proporciona Si de calidad metalrgica, muy impuro. Para poder purificarlo por destilacin se transforma en un compuesto lquido, habitualmente el triclorosilano (SiHCl3). Finalmente, dicha sustancia se descompone y se obtiene Si muy puro, pero sin estructura cristalina.
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La cristalizacin se puede conseguir por distintos procedimientos que tienen un principio comn: la fusin del silicio seguida de una solidificacin. Esa solidificacin se realiza de manera que comience en un punto de contacto con una muestra de material monocristalino, denominada germen (en ingls, seed). De este modo, el material que se incorpora al slido prolonga la ordenacin cristalina de los tomos del germen. Existen dos variantes para provocar el crecimiento del cristal: - El mtodo Czochralski (CZ): el Si lquido se halla en un recipiente (un crisol) con el germen suspendido en la superficie. Un desplazamiento lento del germen hacia arriba, acompaado de una rotacin, arrastra el Si fundido, que se enfra y solidifica. De este modo se genera un lingote cilndrico de material monocristalino. La figura 3.5.a representa esquemticamente este procedimiento. - El mtodo de zona flotante (FZ): el material no cristalino en forma de lingote est en contacto con un germen en uno de sus extremos. Se provoca la fusin local del lingote fusin de zona mediante una bobina de induccin envolvente, comenzando por el extremo que est en contacto con el germen. Cuando la bobina se aleja de ese extremo, el material fundido solidifica alrededor del germen, y adopta de ese modo la estructura cristalina, al mismo tiempo que se funde material ms alejado de ese extremo. En la figura 3.5.b se esquematiza el mtodo.
Fig. 3.5 Tcnicas para el crecimiento del cristal de silicio. a) Mtodo de Czochralski. b) Mtodo de zona flotante.
El mtodo FZ proporciona un material ms puro porque el material no est en contacto con el crisol, y adems la fusin local arrastra las impurezas. El mtodo CZ permite obtener lingotes de mayor dimetro. Este ltimo es el ms ampliamente utilizado. En ambas tcnicas se puede incorporar impurezas al silicio de partida, para obtener material dopado. Conviene saber que la mayora de los dopantes son ms solubles en el silicio lquido que en el slido. As, en el mtodo CZ, a medida que el lingote crece aumenta la concentracin del dopante en la masa fundida, y ello causa una variacin de la concentracin de impurezas a lo largo del lingote. En el caso del mtodo FZ, es la zona fundida la que al desplazarse arrastra impurezas; este hecho, que es bueno para eliminar impurezas no deseadas (la fusin de zona es tambin una tcnica de purificacin), afecta a las impurezas utilizadas como dopantes, y provoca una variacin de la concentracin a lo largo del lingote. En todos los casos se halla una dispersin apreciable de los valores de conductividad del material, que el fabricante del silicio especifica.
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EJEMPLO 3.4 La tabla 3.1 muestra datos de catlogo de un fabricante de silicio (TOPSIL), relativos a las tolerancias para la resistividad de obleas de silicio FZ:
Tabla 3.1 Datos de obleas de silicio comerciales Resistividad (cm) 8 a 100 100 a 1000 Tolerancia a lo largo del lingote Estndar (%) Radial (%) 15 20 12 15 Variacin radial tpica (%) 20 25 Tiempo de vida (s)
> 500 > 1000
Ejercicio 3.3 Estmense las concentraciones de impurezas en silicio de 20 cm de resistividad. Tmese como valor de movilidad de los portadores 1000 cm2/(Vs) en el caso de los electrones, y 400 cm2/(Vs) en el caso de los huecos. Aproximadamente 3.11014 donadores/cm3 en material N, y 7.81014 aceptores/cm3 en material P.
El semiconductor se presenta en forma de discos, denominados obleas (en ingls, wafers). Para conseguirlos existen una serie de procesos mecnicos de corte y pulimento de la superficie. Las operaciones que tienen lugar en la fabricacin de dispositivos exigen que la superficie tenga un pulimento ptico (aspecto especular). Los discos tienen unos pequeos cortes en la periferia (en ingls, flats) que indican la orientacin de los planos cristalinos y el tipo de dopaje (v. fig. 3.6). El dimetro ms frecuente de las obleas utilizadas industrialmente es de 200 mm, con tendencia hacia formatos mayores. Las obleas ms pequeas son tiles en el laboratorio.
Fig. 3.6 Lingote de silicio y produccin de obleas
Las tcnicas de obtencin de semiconductores III-V son algo distintas, pero los principios son los mismos. La principal dificultad proviene del hecho de que para fundir un compuesto se debe controlar muy bien la atmsfera que lo rodea, si se quiere evitar que el material se empobrezca en el componente ms voltil. Las obleas de semiconductores III-V son generalmente de tamao menor que las de silicio.
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EJEMPLO 3.5 La tabla 3.2 presenta las posiciones de los cortes de la oblea ms utilizadas. En cada uno de los cuatro casos se indica la posicin del corte mayor, denominado primario (P), y del menor o secundario (S).
Tabla 3.2 Posiciones de los cortes en las obleas de silicio Orientacin 100 Orientacin 111
Silicio P
Silicio N
CUESTIONARIO 3.1.b 1. Supngase un lingote de silicio obtenido por el mtodo de Czochralski. Para doparlo se ha aadido fsforo a la masa de material lquido. Sabiendo que la impureza es ms soluble en la fase lquida que en la slida, qu extremo del lingote queda ms dopado? a) El extremo superior. b) El extremo inferior. c) El dopaje es uniforme. d) Depende del tipo de impureza. 2. La fusin local del lingote (fusin de zona) es una tcnica empleada no solo para transformar material no cristalino en un monocristal, sino tambin para eliminar impurezas no deseadas. Indquese qu afirmacin no es correcta. a) La zona fundida tiene mayor densidad de impurezas que la cristalizada. b) La zona fundida tiene igual densidad de impurezas que la recin cristalizada. c) El extremo superior tiene ms impurezas que el extremo inferior. d) La zona fundida en el extremo superior tiene la mayor densidad de impurezas del lingote. 3 El proveedor de silicio no especifica la concentracin de impurezas que ha introducido en sus obleas, sino su resistividad. Si la precisin de los datos es de 10 %, con cuntas cifras significativas se expresa la concentracin de impurezas? a) Una cifra. b) Dos cifras. c) Tres cifras. d) Cuatro cifras.
4 Dispositivos optoelectrnicos
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Dispositivos optoelectrnicos
El objetivo de este captulo es el estudio de los dispositivos receptores de luz que se pueden construir a partir de un semiconductor los fotoconductores o a partir de un diodo los fotodiodos y las clulas fotovoltaicas, as como los dispositivos emisores de luz diodos electroluminiscentes y el diodo lser. Es requisito previo el conocimiento de los fenmenos de interaccin entre la radiacin electromagntica y los semiconductores, y por ello se resumen brevemente sus aspectos principales antes de pasar a presentar los dispositivos en cuestin. Algunos dispositivos, tales como los fototransistores, se analizan ms adelante, una vez expuestos los conceptos necesarios para su estudio.
4.1 Radiacin electromagntica y semiconductores

4.1.1 Radiacin electromagntica La radiacin luminosa se maniesta como una onda continua radiacin electromagntica clsica en algunos fenmenos, y como un haz de corpsculos cuantos de energa en otros. En tanto que onda, presenta fenmenos de interferencia, difraccin, etctera, y sus parmetros caractersticos son la frecuencia (f) y la longitud de onda (). En el vaco, la relacin entre esas dos cantidades viene dada por la ecuacin = c/f, donde c es una constante universal: la velocidad de la luz en el vaco (2.998108 m/s aproximadamente). La relacin entre c y las constantes electromagnticas del vaco permitividad elctrica, 0, y permeabilidad magntica, 0 es 1 c= (4.1) 0 0 En un medio material, la velocidad de la luz, v, queda determinada por el ndice de refraccin del material, n, denido como c n (4.2) v El ndice de refraccin es una funcin de la longitud de onda, n(). En un material caracterizado por una constante dielctrica relativa r y por una permeabilidad magntica relativa r se cumple que
n = r r
(4.3)
EJEMPLO 4.1 Algunos ndices de refraccin de inters para la optoelectrnica en los extremos del espectro visible:
Material GaAs Si = 0.4 m 4.373 5.570 = 0.7 m 3.755 3.787 Material SiO2 Si3N4 = 0.4 m 1.470 2.072 = 0.7 m 1.455 2.013
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Ejercicio 4.1 Calclense las velocidades de las radiaciones de los dos extremos del espectro visible en el dixido de silicio. 2.060108 m/s en el rojo, 2.039108 m/s en el violeta.
Ejercicio 4.2 Considrese una bra ptica fabricada con dixido de silicio. Calclese la diferencia entre el tiempo que necesita una radiacin de 0.4 m de longitud de onda para recorrer 1 km de bra, y el que necesita una radiacin de 0.7 m. 50 ns.
Cuando un rayo de luz incide sobre la supercie que separa dos medios con distintos ndices de refraccin formando un ngulo i ngulo de incidencia con respecto a la perpendicular al plano de separacin, en el caso ms general una parte de la luz se transmite al otro medio constituye el denominado rayo refractado, mientras que otra parte se reenva al mismo medio constituye el denominado rayo reejado; ello se ilustra en la gura 4.1.
Fig. 4.1 Reexin y refraccin de un rayo de luz
Las relaciones entre las direcciones de esos rayos obedecen a las siguientes leyes: - Ley de la reexin: el ngulo de incidencia es igual al de reexin, i = r; el rayo incidente, el reejado y la normal se encuentran en el mismo plano. - Ley de la refraccin (o de Snell): entre el ngulo de incidencia y el de refraccin existe la relacin
sin i nt = sin t ni
(4.4)
donde nt y ni son, respectivamente, el ndice de refraccin del medio desde donde incide el rayo y el del medio al que se transmite.
183
Si se da el caso que (ni/nt)sini > 1, entonces no existe ningn ngulo t que cumpla la ecuacin 4.4, y no hay refraccin del rayo, sino que toda la luz se reeja. Es el fenmeno conocido como reexin total, y es particularmente importante para comprender el funcionamiento de las bras pticas, como se ve ms adelante. El ngulo de incidencia mximo que permite la transmisin de la luz al segundo medio es n i = arcsin t (4.5) ni En el fenmeno de la reexin y refraccin, una parte de la potencia incidente se transmite al segundo medio y el resto se reeja al primero. La fraccin R de la potencia reejada es:
n nt R= i n +n i t
(4.6)
El ujo P de energa que se propaga se mide en J/cm2s = W/cm2. En el caso ms general, la radiacin es la superposicin en proporciones variables de radiaciones de distintas longitudes de onda. La contribucin de cada una de ellas a la potencia del ujo radiante viene dada por la funcin distribucin espectral dP/d, expresada en W/(cm2m).
Fig. 4.2 Curva normal de sensibilidad del ojo humano
Cuando el inters se centra en el efecto de la luz sobre la visin humana, entonces esa distribucin se pondera segn la sensibilidad del ojo humano, de acuerdo con una curva normal estndar que se representa en la gura 4.2. La unidad de potencia luminosa la iluminacin es el lumen. Un vatio de luz de 555 nm de longitud de onda mximo de la curva estndar equivale a 680 lmenes. Para otras longitudes de onda esta cantidad se debe multiplicar por el valor indicado en la curva normal. Un lumen por metro cuadrado proporciona una densidad de iluminacin denominada luminancia conocida como lux.
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EJEMPLO 4.2 Valores tpicos de luminancia : Fuente A pleno sol Da nublado Estancia iluminada Luna llena
Tabla 4.1 El espectro electromagntico Nombre Rayos csmicos Rayos gamma Rayos X Ultravioleta Extremo Lejano Prximo Visible Violeta Azul Verde Amarillo Anaranjado Rojo Infrarrojo Prximo Medio Lejano Extremo Ondas milimtricas Microondas Ondas de radio Oscilaciones elctricas Longitud de onda (m) Energa del fotn (eV) < 3107 108 a 8103 2106 a 0.2 0.01 a 0.2 0.2 a 0.3 0.3 a 0.39 0.39 a 0.455 0.455 a 0.492 0.492 a 0.577 0.577 a 0.597 0.597 a 0.622 0.622 a 0.77 0.77 a 1.5 1.5 a 6 6 a 40 40 a 103 103 a 104 104 a 3106 3106 a 21011 > 21011 > 4.1106 1.24108 a 155 6.2105 a 6.2 124 a 6.2 6.2 a 4.13 4.13 a 3.18 3.18 a 2.73 2.73 a 2.52 2.52 a 2.15 2.15 a 2.08 2.08 a 1.99 1.99 a 1.61 1.61 a 0.827 0.827 a 0.207 0.207 a 0.031 0.031 a 0.00124 1.24103 a 1.24104 1.24104 a 4.13107 4.13107 a 6.21012 < 6.21012
Luminancia (lux) 105 103 102 1
Ejercicio 4.3 La curva normal de respuesta del ojo humano da los valores del 30 % para una luz de 500 nm de longitud de onda, y del 60 % para una de 600 nm. Calclense los vatios de luz necesarios para iluminar una supercie de 100 m2 con 100 lux. 49 W y 24.5 W, respectivamente.
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Ejercicio 4.4 La curva adjunta representa una aproximacin por tramos a la distribucin espectral de la luz solar que llega a la supercie de la tierra en incidencia perpendicular, despus de cruzar la atmsfera en condiciones ptimas; se conoce como espectro estndar AM1. Calclese la potencia de la radiacin por unidad de supercie.
100 mW/cm2.
El carcter corpuscular se maniesta en los fenmenos de emisin y de absorcin de la luz por la materia. La radiacin se compone de unidades indivisibles de energa los cuantos, denominados fotones. El valor de la energa de un fotn de una radiacin de frecuencia f es E = hf = h c 1.24 eV m = (4.7)
donde h es la constante de Planck. En tanto que partcula, el fotn tambin tiene cantidad de movimiento (o momento). Su valor es h/. La tabla 4.1 presenta las regiones del espectro electromagntico. EJEMPLO 4.3 Los fotones de la radiacin para la cual la curva normal de sensibilidad presenta un mximo tienen una energa 1.24/0.555 = 2.23 eV.
Ejercicio 4.5 Calclese la energa de los fotones de los extremos del espectro visible (v. tabla 4.1). 1.61 eV en el extremo rojo, y 3.18 eV en el extremo azul.
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CUESTIONARIO 4.1.a 1. Los valores lmite de longitud de onda del espectro visible son 0.4 m y 0.7 m. Determnense los lmites de la frecuencia. Datos: velocidad de la luz en el vaco: c = 31010 cm/s. a) 7.51014, 4.31014 c) 7.51012, 4.31014 b) 7.51012, 4.31012 d) 4.31012, 7.51014
2. Cuntos fotones por centmetro cuadrado y por segundo inciden sobre una supercie que recibe una radiacin de 1 mW/cm2 de luz de 0.65 m de longitud de onda? Datos: hc = 1.24 eVm. a) 3.31018 b) 3.31012 c) 3.31015 d) 3.31021
3. Determnese la velocidad de la luz en el xido de silicio. Datos: la constante dielctrica relativa del xido de silicio es r = 3.9, la permitividad del vaco es 0 = 8.851014 F/cm, la permeabilidad magntica relativa es r = 0.55 y la permeabilidad magntica del vaco 0 = 4107 Vs2C1. a) c/1.46 b) c1.46 c) c/2.13 d) c2.13
4.1.2 Interaccin entre la radiacin electromagntica y los semiconductores La absorcin de la luz El proceso ms importante de absorcin de luz en un semiconductor es la creacin de pares electrnhueco. Cada fotn absorbido provoca una transicin desde la banda de valencia a la de conduccin. Para que un semiconductor absorba un fotn es preciso que la energa de ste sea mayor que la de la banda prohibida del material: E > E g mx = 1.24 eV m Eg (4.8)
Es necesario escoger en cada aplicacin el semiconductor con la banda prohibida ms adaptada a la radiacin del problema. La tabla 4.2 presenta una lista de semiconductores y su margen de aplicacin en la deteccin de la luz. EJEMPLO 4.4 Las longitudes de onda de 1.3 m y 1.5 m se utilizan en comunicaciones por bra ptica. Los semiconductores empleados para detectar las seales deben tener anchuras de banda prohibida no superiores a 0.95 eV y 0.83 eV, respectivamente.
Ejercicio 4.6 La bra ptica tambin transmite bien la radiacin de 0.8 m de longitud de onda. Empleando un dispositivo de GaAs, se pueden detectar seales transmitidas con esa luz? S.
5 El transistor bipolar
235
El transistor bipolar
5.1 Introduccin
El transistor bipolar, conocido en ingls por el acrnimo BJT (Bipolar Junction Transistor, transistor bipolar de unin) es uno de los dispositivos ms utilizados en los circuitos electrnicos. El nombre de transistor procede de la condensacin de dos vocablos ingleses, transfer y resistor, y hace referencia al hecho de que la corriente que circula entre dos terminales est controlada por una seal aplicada al tercer terminal; el trmino bipolar es debido al hecho de que la corriente es transportada por portadores de ambas polaridades: electrones y huecos. La electrnica moderna, basada en circuitos integrados (CI) se inici de hecho con el descubrimiento de este dispositivo. Actualmente sigue siendo el dispositivo amplicador por excelencia, y el que ms se emplea en los CI analgicos. En este captulo se hace una introduccin al transistor bipolar y se presenta la teora de su funcionamiento, su proceso de fabricacin, el comportamiento en continua y en seal, y sus modelos circuitales. El transistor bipolar fue descubierto casualmente en diciembre de 1947 por Bardeen, Brattain y Shockley en los Laboratorios Bell, cuando intentaban realizar un amplicador de estado slido basado en lo que ms adelante se denominara transistor MOS. Ese descubrimiento fue seguido casi inmediatamente de la teora que explicaba su funcionamiento, y condujo a una revolucin tecnolgica que signic la desaparicin, en pocos aos, de la tecnologa de las vlvulas de vaco, que hasta entonces haba proporcionado soporte fsico a los circuitos electrnicos.
Fig. 5.1 Estructura, smbolo y sentido positivo de las corrientes del transistor bipolar. a) PNP. b) NPN.
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector. Hay dos tipos de transistores bipolares: los NPN y los PNP, cuyas denominaciones responden a su estructura bsica, la cual se esquematiza en la gura 5.1. El transistor bipolar tiene dos uniones PN:
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una entre el emisor y la base la unin emisora y otra entre la base y el colector la unin colectora. En el smbolo de estos transistores se incluye una echa en el terminal del emisor, que apunta siempre en el sentido de P a N, y sirve para identicar el tipo de transistor. Los sentidos de las corrientes indicadas en la gura 5.1. se consideran positivos. Estos sentidos se basan en la asignacin al emisor del sentido de la corriente de su smbolo de P a N, y a la base y al colector de los derivados de la suposicin de que la corriente de emisor es la suma de la corriente de base ms la corriente de colector. El transistor ms utilizado es el NPN, y es el que se estudia en este texto. Segn se ve ms adelante, el comportamiento del PNP es dual con respecto al del NPN, lo cual signica que si se cambian electrones por huecos, junto con los sentidos de las corrientes y las polaridades de las tensiones, el comportamiento resulta idntico. 5.1.1 Principio de funcionamiento Cuando el transistor se emplea como amplicador, se polariza el diodo del emisor en directa y el del colector en inversa. Esa polarizacin se denomina activa y es la que se considera aqu. Conviene recordar de la teora de la unin PN que con una polarizacin directa cada regin inyecta sus portadores mayoritarios a la regin adyacente, de forma que en el inicio de esa segunda regin, justo en la frontera con la zona de carga espacial la ZCE, la concentracin de los minoritarios inyectados es m0exp(VD/Vt), siendo m0 la concentracin de minoritarios en esa regin en condiciones de equilibrio trmico, y VD la tensin de polarizacin de la unin. Cuando una unin se polariza en inversa, el campo elctrico de la ZCE aumenta y domina el transporte de minoritarios de una regin a la otra. Si la polarizacin es sucientemente negativa, la concentracin de stos en la frontera con la ZCE se anula. Se analizan ahora las corrientes que circulan por el transistor. Al estar la unin emisora en directa, el emisor N inyecta electrones a la base P, y sta inyecta huecos al emisor N. La teora de la unin PN muestra que si el dopaje de la regin N es mucho mayor que el de la P, la corriente de electrones a travs de la ZCE de la unin es muy superior a la de huecos. Esa relacin entre corrientes es la que la gura 5.2 representa. Por otro lado, al estar la unin colectora polarizada en inversa, la concentracin de electrones en el punto lB de la regin P frontera con la ZCE del colector es cero. Por lo tanto, en la regin neutra de la base P del transistor hay una diferencia de concentraciones de electrones entre los puntos 0B la frontera con la ZCE del emisor y lB, diferencia que origina un ujo de electrones por difusin desde la parte del emisor hacia la parte del colector. Cuando esos electrones llegan a la ZCE del colector, el campo elctrico presente en esa regin los arrastra desde la base hacia el colector. La corriente de huecos en esa segunda unin es prcticamente nula, porque est polarizada inversamente y casi no hay huecos en la parte N del colector. Una parte de los electrones que se trasladan por difusin desde el emisor hacia el colector a travs de la base se recombinan. Es la corriente denominada Ir en la gura 5.2. En rgimen estacionario debe entrar por el terminal de la base una corriente de huecos igual a la de electrones que se recombinan, ya que de otro modo los huecos de la base terminaran por agotarse. Por la misma razn, por el terminal de la base deben entrar los huecos que la base inyecta al emisor, y deben salir los pocos huecos que el colector inyecta a la base. Partiendo de esas corrientes elementales se puede escribir:
I E = I En + I Ep
I C = I Cn + I Cp
I B = I r + I Ep I Cp
(5.1)
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donde el subndice E signica emisor, el C colector y el B base; el otro subndice indica n para corriente de electrones y p para corriente de huecos. Si se tiene en cuenta que en un transistor NPN normal la corriente IEn es muy superior a IEp y a Ir, resulta que
I E I En I Es (eVBE / Vt ) I C I Cn I E I Es eVBE / Vt
(5.2)
que indica que la corriente de colector se controla con la tensin de polarizacin de la unin emisora y es independiente de la polarizacin de la unin colectora, siempre que el transistor est polarizado en la regin activa. Esa propiedad se denomina efecto transistor. Ntese que si se sustituye el transistor por dos diodos en oposicin con un tercer terminal entre los dos nodos a efectos de simular las dos uniones del transistor NPN no se produce el efecto transistor, ya que es necesario que las dos uniones compartan la regin central la base y que esa regin sea sucientemente delgada para permitir que los minoritarios inyectados por una unin alcancen la otra.
Fig. 5.2 Corrientes en un transistor NPN. Las echas interiores del rectngulo sealan los ujos de portadores, y las externas los sentidos de las corrientes elctricas. Se debe tener en cuenta que el sentido de la corriente elctrica de los electrones es contrario al sentido de su ujo, es decir, IEn tiene el mismo sentido que IE, e ICn el mismo que IC.
Ejercicio 5.1 Un transistor NPN tiene una IEs = 1016 A. Cul es la corriente de colector si VBE = 0.7 V y la unin colectora est en inversa?
Aplicando la expresin 5.2, IC = 1016exp(0.7/0.025) = 0.14 mA.
Ejercicio 5.2 Cul es la tensin VBE en el transistor anterior cuando IC = 1 mA? VBE = 0.748 V.
La capacidad del transistor como amplicador de seales est ligada a ese efecto. Considrese el circuito de la gura 5.3, en el que el transistor NPN tiene la unin emisora polarizada directamente
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por la tensin [VEE Vi(t)], siendo Vi(t) una seal de pequea amplitud que se desea amplicar. La unin colectora est polarizada inversamente por VCC. Aproximando la cada de tensin en el diodo del emisor con la tensin de codo V ( 0.7 V en el silicio) resulta
V EE Vi (t ) = I E R E + V IE = V EE V RE Vi (t ) = I EQ I E (t ) RE
(5.3)
Suponiendo que IC se pueda aproximar con IE, y siempre que la polarizacin del diodo del colector sea inversa (VCB > 0), resulta que
Vo = VCC I C RC = [VCC I EQ RC ] +
RC Vi (t ) = VoQ + Vo (t ); RE
Vo (t ) =
RC Vi (t ) RE
(5.4)
Como se puede ver, en la salida aparece una seal Vo(t) que es proporcional a la seal de entrada. El factor RC/RE que multiplica a Vi(t) en la ltima expresin se denomina ganancia de tensin del amplicador, la cual se puede controlar jando la relacin entre resistencias, con la nica restriccin de que Vo debe siempre ser positiva para asegurar que el transistor est polarizado en activa.
Fig. 5.3 Ejemplo de circuito amplicador
Ejercicio 5.3 En el amplicador de la gura anterior, RC = 5 k y RE = 100 . Cul es, aproximadamente, la ganancia de tensin del circuito?
La ganancia aproximada es RC/RE = 50.

Ejercicio 5.4 Qu valor debe tener RC en el circuito de la cuestin anterior para conseguir una ganancia de 100? RC = 10 k.
El circuito de la gura 5.3 tiene el terminal de la base comn a las mallas del emisor y del colector. Por ese motivo se dice que la conguracin del circuito es en base comn. Existen tambin las conguracines de emisor comn y de colector comn, que presentan el terminal del emisor o el del colector comunes a las mallas de entrada y salida. La conguracin de emisor comn es la ms utilizada en amplicacin, mientras que la de colector comn tambin denominada seguidor por emisor suele emplearse como etapa de salida.
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Los transistores bipolares, adems de emplearse como amplicadores, se usan en circuitos digitales, en los que los transistores trabajan en dos estados. Por este motivo esos dispositivos no se utilizan solo en polarizacin activa, sino tambin en los modos denominados corte y saturacin. En la tabla 5.1 se presentan los cuatro modos posibles de polarizacin de un transistor. El modo inverso no se suele emplear en la prctica, dado que en ese modo las prestaciones del transistor son similares a las del modo activo, pero inferiores.
Tabla 5.1 Modos de funcionamiento del transistor Unin emisora Directa Inversa Saturacin Inverso Activo Corte
Unin colectora
Directa Inversa
5.1.2 La estructura fsica del transistor bipolar. Su proceso de fabricacin.
En la gura 5.4 se presenta la estructura fsica del transistor bipolar que se emplea en circuitos integrados. Esa estructura responde a la necesidad de disponer los tres terminales del transistor sobre la supercie de la oblea y de aislar unos de otros los dispositivos del CI que comparten un sustrato comn. Tal y como se seala en el captulo 3, dedicado a la tecnologa de los semiconductores, ese aislamiento se consigue creando cada dispositivo dentro de un bloque con dopaje de tipo contrario al del sustrato, y polarizando inversamente la unin creada. Con esa polarizacin, la unin equivale a un circuito abierto y las corrientes que circulan por el interior del bloque incrustado no pueden acceder al sustrato, por lo que no llegan a los dems bloques. La comunicacin de esas corrientes interiores a cada bloque se permite solo a travs de las pistas metlicas realizadas sobre la supercie de la oblea. La gura 5.4 muestra la estructura de un transistor NPN. El dispositivo se ha realizado en un bloque N creado dentro del sustrato P. La unin PN entre el sustrato y ese bloque se polariza inversamente, segn se justica en el prrafo anterior. Por otro lado, se accede a las regiones del emisor, la base y el colector desde la supercie. La corriente que circula entre el emisor y el colector se desplaza en vertical, tal y como representa la citada gura. Para acceder a la parte central de la base se crea una regin P ancha, con la que se hace contacto desde la supercie (terminal B). Debe notarse que la corriente de base debe recorrer un trayecto largo antes de alcanzar la parte central de la base. Ese trayecto introduce una cierta resistencia, que se incluye en el circuito equivalente del transistor. Algo parecido sucede con el terminal del colector. La corriente que sale por ese terminal debe recorrer un trayecto muy largo por el interior del silicio, lo cual introduce una resistencia considerable. Para disminuir la resistencia de ese trayecto se crea una regin N+ muy dopada, que presenta una resistencia reducida. Esa regin se denomina capa enterrada. El trayecto vertical que sigue la corriente del transistor desde el emisor hasta el inicio de la capa enterrada permite que el comportamiento del dispositivo se pueda aproximar empleando un modelo unidimensional. Debe notarse, no obstante, que los terminales del emisor y del colector no son intercambiables, como podra suponerse partiendo de una estructura meramente unidimensional. La gura 5.5 representa el proceso de fabricacin de un transistor bipolar NPN. Partiendo de una oblea P se crea una capa muy dopada N+ en la supercie, que se convierte nalmente en la capa enterrada. Para crear esa regin N+ se utiliza una primera mscara. El paso siguiente consiste en hacer
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crecer una capa epitaxial de unos 10 a 20 micrmetros de espesor en la supercie de toda la oblea. Esa capa se hace crecer con el dopaje N que va a tener el colector del transistor. Con esa accin, la capa N+ realizada en la anterior etapa queda enterrada en el fondo de la capa epitaxial N. Seguidamente se procede a dividir esa capa en porciones aisladas una de otra, en cada una de las cuales se fabrica un dispositivo. Para ello se realiza una difusin P de aislamiento desde la supercie, empleando una segunda mscara. La difusin se lleva a cabo de manera que la nueva regin P atraviese completamente la capa epitaxial y alcance el sustrato P.
Fig. 5.4 Estructura fsica de un transistor bipolar NPN
Construidas las porciones o islas N, se procede a fabricar los transistores bipolares propiamente dichos. La cuarta etapa consiste en realizar la base mediante una difusin P, para lo que se emplea una tercera mscara. Despus de oxidar de nuevo toda la oblea, se abren nuevas ventanas con la mscara correspondiente, y se realizan las difusiones N+ del emisor y el colector. Se elimina el xido y, tras otra oxidacin, se abren las ventanas que van a permitir que el metal que se deposita seguidamente haga contacto con las regiones del emisor, la base y el colector del transistor. Finalmente, se elimina parte del metal depositado sobre toda la oblea, de modo que solo queden las pistas que interconectan los terminales entre s. El proceso que se ha descrito requiere seis mscaras. Mientras en unas islas se crean transistores bipolares, en otras se pueden utilizar los procesos descritos para realizar otros tipos de dispositivos (resistencias, diodos) y crear as un circuito integrado. Este proceso tecnolgico basado en la fabricacin de un transistor bipolar se denomina tecnologa bipolar.
241
Fig. 5.5 Tecnologa bipolar: proceso de fabricacin del transistor bipolar
242
CUESTIONARIO 5.1 1. La estructura representada en la gura siguiente puede corresponder a un transistor bipolar o a dos diodos con los nodos conectados entre s.
Cul de las siguientes condiciones se debe cumplir para que se trate de un transistor? a) La separacin entre las regiones N+ y N es mucho ms pequea que la longitud de difusin de los huecos en la regin N+. b) La separacin entre las regiones N+ y N es mucho ms pequea que la longitud de difusin de los electrones en la regin P. c) La separacin entre las regiones N+ y N es mucho ms pequea que la longitud de difusin de los huecos en la regin N. d) La separacin entre el contacto metlico de la regin P y las regiones del tipo N es mucho ms pequea que la longitud de difusin de los electrones en la regin N+.
2. La gura adjunta representa la vista en planta de un transistor bipolar integrado y una seccin del mismo dispositivo. Las dimensiones indicadas se expresan en micrmetros (ntese que no se respeta ninguna escala).
6 Transistores de efecto de campo
301
Transistores de efecto de campo
La aparicin del transistor fue el resultado de la bsqueda de componentes de estado slido para sustituir a los tubos de vaco, que eran los dispositivos activos bsicos de la electrnica de la primera mitad del siglo XX y que se prevean ms pequeos y con un menor consumo de potencia. En el triodo, que era el tubo de vaco bsico, la corriente que circulaba entre el nodo y el ctodo se modulaba por la tensin aplicada a un tercer terminal, la rejilla. De esta forma se lograba amplificar la seal aplicada a este ltimo terminal. Tubos ms sofisticados eran mejoras de esta estructura bsica. La idea inicial del transistor consista en hacer circular corriente entre dos terminales a travs de un semiconductor y modular esta corriente utilizando un tercer electrodo. Aunque se pensaba en la tensin como variable de control, las limitaciones tecnolgicas de aquella poca, -la segunda mitad de los aos 40-, condujeron a un dispositivo en el que la variable de control era una corriente. Naca as el transistor bipolar en 1947. Una dcada ms tarde, cuando la tecnologa de los semiconductores se desarroll considerablemente, se obtuvo el primer transistor de efecto de campo en el que la variable de control era una tensin. El desarrollo que ha tenido lugar desde entonces ha permitido crear una amplia gama de dispositivos que han ido desplazando al transistor bipolar en un gran nmero de aplicaciones.
El MOSFET, el JFET, el MESFET y el HEMT son familias de transistores de especial relevancia en la tecnologa actual. El transistor metal-xido-semiconductor (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field effect transistor, o ms brevemente MOST) es propio de la tecnologa de silicio. En este dispositivo, la corriente circula entre dos terminales denominados drenador y surtidor (o fuente) a travs de una regin semiconductora denominada canal. Su intensidad se modula por la tensin aplicada a un electrodo denominado puerta (originariamente de metal), aislada del semiconductor por una capa de dielctrico (xido del propio silicio), de forma que no circula corriente por este terminal. El nombre de este dispositivo deriva de esta estructura. Histricamente, el MOSFET tambin ha sido denominado transistor de puerta aislada (IGFET, insulated gate field effect transistor). Actualmente es el dispositivo ms utilizado en los circuitos integrados de silicio. Los MOST discretos se utilizan casi exclusivamente en los circuitos de electrnica de potencia
En la elaboracin de este captulo tambin han participado los profesores del Departamento de Ingeniera Electrnica de la UPC Ramn Alcubilla Gonzlez y ngel Rodrguez Martnez.
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En el transistor de efecto de campo de unin (JFET, juntion field effect transistor), la puerta no est aislada del canal por un dielctrico, sino por una unin PN polarizada inversamente. Se suele fabricar con silicio y habitualmente se presenta en forma de componente discreto. Para aplicaciones de alta frecuencia se han desarrollado transistores rpidos, fabricados con semiconductores del grupo III-V. Entre estos destacan el MESFET (metal-semiconductor field effect transistor), en el que entre puerta y canal hay un contacto rectificador metal semiconductor polarizado en inversa. En los ltimos aos ha ganado importancia en aplicaciones de alta frecuencia una familia de transistores de electrones de alta movilidad (HEMT, High electron mobility transistor), basados en heterouniones. La mayor parte de este captulo se dedicar al estudio del MOSFET (apartados 6.1 a 6.6), dada la extraordinaria importancia de este dispositivo en la electrnica actual. La descripcin del MESFET y del JFET se har de forma ms breve y de manera conjunta, ya que tienen muchos aspectos comunes.
6.1 Electrosttica del sistema metal-xido-semiconductor

6.1.1 Fundamentos del MOSFET Considrese la estructura representada en la figura 6.1. En un cristal de silicio tipo P, denominado sustrato (B, de bulk) se han creado dos regiones de tipo N, denominadas drenador (D, de drain) y surtidor o fuente (S, de source). La superficie del semiconductor comprendida entre estas dos regiones, que se denominar regin de canal, est recubierta de material dielctrico, el xido de silicio (SiO2). Encima de este material est el metal o electrodo de puerta (G, de gate).
SiO2
G S Metal G N+ D B B (a) (b) S
N+ Si(P)
Regin de canal
ID
Fig. 6.1 Transistor MOS de canal N a) Estructura fsica b) Smbolo circuital. Los smbolos B, D, S y G designan indistintamente las regiones del dispositivo y los respectivos terminales.
Considrese una tensin VDS aplicada entre los terminales de drenador y surtidor y se examinar la corriente ID, denominada corriente de drenador, que puede circular entre ellos a travs de la regin de canal. Esta corriente deber atravesar dos regiones PN conectadas en oposicin: la del drenador con el
303
sustrato y la del sustrato con el surtidor. Por tanto, el paso de corriente est bloqueado. La situacin cambia si se aplica una tensin positiva al terminal de puerta respecto al sustrato, ya que en estas condiciones los electrones, portadores minoritarios del sustrato, sern atrados haca el metal. Como el xido impide que estos electrones puedan pasar al metal, quedan acumulados en la regin superficial de canal. Si la concentracin de estos electrones es suficiente, las regiones de drenador y surtidor quedan conectadas por una capa superficial de electrones, que se denominar canal, que permite el paso de corriente. El valor de la tensin de puerta determina el nmero de electrones presentes en el canal y, de esta forma, modula el valor de la corriente de drenador. Similares consideraciones se habran podido hacer en un dispositivo construido en un cristal tipo N con regiones de drenador y surtidor de tipo P. En este caso, la tensin que debera aplicarse a la puerta sera negativa respecto al sustrato, y se dira que se trata de un transistor de canal P, mientras que el de la figura 6.1 sera un transistor de canal N. Se iniciar el estudio del dispositivo acabado de presentar analizando el sistema metal (puerta) - xido (dielctrico) - semiconductor (sustrato), para determinar la relacin entre la tensin de puerta y la concentracin de portadores en el canal. Con esta informacin, se determinar la relacin entre las tensiones continuas aplicadas a los terminales y la corriente de drenador. El estudio se completar analizando el comportamiento dinmico de estos transistores.
6.1.2 El sistema metal-xido-semiconductor en equilibrio El anlisis de la formacin de la capa conductora en la regin de canal es ms fcil de realizar en una estructura formada nicamente por las regiones de puerta, xido y sustrato (estructura MOS). Este sistema puede ser visto como un condensador, de forma que el estudio de la carga acumulada en la "armadura" del semiconductor permitir entender la formacin del canal. El diagrama de bandas de la estructura determina la distribucin de carga. Inicialmente, se considerar silicio tipo P y un metal con una funcin trabajo menor que la del semiconductor qm < qs. Se asignar al xido un diagrama de bandas con una banda prohibida muy grande. La figura 6.2a representa los diagramas de bandas de los tres materiales separados, sin contacto entre ellos. La figura 6.2b corresponde al sistema formado por los tres materiales en contacto, suponiendo condiciones de equilibrio trmico, es decir, que el nivel de Fermi es constante. El eje de abscisas es perpendicular a la superficie del dispositivo. El procedimiento para construir este diagrama es similar al utilizado en el estudio de los contactos entre metal y semiconductor (apartado 2.7). La diferencia de potencial entre los extremos de la estructura es s - m, pero mientras en aquel caso toda la cada de potencial tena lugar en el semiconductor, aqu se reparte entre el semiconductor, Vs0, y el xido, Vox0. El dielctrico se comporta como el de un condensador y, suponiendo que no haya cargas localizadas en su interior, la distribucin de potencial a travs de esta capa es lineal. Por tanto:
s m = Vox 0 + V s 0
(6.1)
En la figura 6.2b la curvatura de las bandas en la regin del semiconductor corresponde a una zona vaca de mayoritarios, como la ZCE de la regin P de una unin PN (figura. 2.6) o de un contacto metal semiconductor (figura. 2.21c). La carga neta por unidad de seccin, Qs0, localizada en esta regin se puede calcular aplicando las ecuaciones de electrosttica, de forma similar a como se hizo en
304
q(s-m) E0 Ec q m q s Ec Efm Egox Efs Ev Ev metal metal xido (a) semiconductor P Ef qVox0
E0
Ec
qVs0
Ev
semiconductor P xido (b)
Fig. 6.2 Bandas de energa del sistema MOS en equilibrio: a) Diagramas de bandas de los materiales separados. b) Diagrama de bandas del sistema.
las expresiones 2.11 y 2.13. Teniendo en cuenta que ahora la diferencia de tensin entre los extremos de la zona con carga es Vs0, en lugar de Vbi -VD:
2 s 1 V s 0 = 2q s N AV s 0 q NA
Q s 0 = qN A wd 0 = qN A
(6.2)
siendo NA la concentracin de impurezas aceptadoras en el silicio, s su constante dielctrica (el subndice es necesario para no confundirla con la del xido, ox), y wd0 la anchura de la ZCE. La curvatura de las bandas en la figura 6.2 implica que la carga del semiconductor es negativa. Por tanto, en el metal de puerta habr una carga positiva y del mismo valor absoluto, y tendr una tensin positiva respecto al semiconductor. En la ecuacin 6.1 los trminos Vs0 y Vox0 tienen signo positivo. Por otra parte, como en todo condensador, la cada de potencial en el dielctrico es:
Q s 0 C ox
Vox 0 =
(6.3)
siendo Cox su capacidad, de valor (por unidad de rea de la seccin):
305
C ox =
ox
t ox
(6.4)
donde ox es la constante dielctrica del xido, ox = rox0. La constante dielctrica relativa del xido de silicio vale 3.9. El grosor del xido es tox y su valor, dependiendo de la tecnologa usada, suele ser desde unas pocas decenas de nanmetros hasta algunas unidades. A partir de las expresiones 6.1 a 6.4 se puede determinar los valores de Vox0, Vs0 y Qs0 para un valor dado de s - m. El diagrama de la figura 6.2b representa un caso de los cuatro posibles. Al igual que ocurra en los contactos metal semiconductor, los otros tres casos corresponden a silicio tipo P con m > s, a silicio tipo N con m < s y a silicio tipo N con m > s. En este ltimo caso, el semiconductor tambin presenta, en equilibrio, una zona vaca de mayoritarios. El procedimiento de anlisis es paralelo al acabado de realizar, tal como se muestra en el ejercicio 6.1. En los primeros tiempos de la tecnologa MOS, el electrodo de puerta era de aluminio, metal utilizado habitualmente en las conexiones de circuitos integrados. Por razones tecnolgicas, este material fue sustituido posteriormente por silicio policristalino (polisilicio) que, con un dopado elevado, presenta un comportamiento elctrico casi metlico. El anlisis de la estructura en este caso es similar al acabado de realizar. Slo hay que sustituir en la figura 6.2a el diagrama de bandas del metal por el del silicio con un nivel de Fermi prximo a la banda de conduccin, si se trata de material N, o a la banda de valencia, si es P. Cuando se construye el diagrama de la figura 6.2b, el nivel de Fermi del polisilicio no se desplaza, ya que se trata de un material con muchos portadores. En el ejercicio 6.2 se tratan estos conceptos.
Ejercicio 6.1 Calcular el diagrama de bandas de una estructura metal-xido-semiconductor en equilibrio, siendo la puerta de aluminio, con una funcin trabajo de 4.1 eV, el grosor del xido de silicio de 25 nm y el semiconductor de tipo P dopado con NA = 1016. La afinidad electrnica del silicio es de 4.05 eV. Datos: ox = 3.4510-13 F/cm, s = 10-12 F/cm, kBT/q = 0.025 eV, y ni = 1.51010 cm-3. Funcin trabajo del silicio: q s q s + E g 2 + E fi E v = q s + E g 2 + (k B T q ) ln (N A n i ) =4.05+0.55+0.025*ln(1016/1.51010) =4.935 eV. Por tanto: q s q m = 0.835 eV . Por otra parte, C ox = ox t ox = 1.38 10 7 F / cm 2 . Substituyendo las expresiones 6.2 a 6.4 en 6.1 se tiene:
s m =
2q s N AV s 0 C ox
+ V s 0 0.835 V = 0.41 V s 0 + V s 0 V s 0 = 0.53 V , Vox 0 = 0.30 V
La forma de las bandas es similar a la de la figura 6.2b. En la superficie del silicio la separacin entre la banda de conduccin, y el nivel de Fermi es: E c E f s = E c E f int erior qV s 0 = q s qV s 0 q = 4.935-0.53-4.05 = 0.355 eV
] [
386
Apndice B.
Constantes, unidades y parmetros

Smbolo NAv kB kB q eV m0 0 0 h c Vt(300K) = kBT/q kBT(300K) 1 1 m 1 in o 1" Ge 0.67 ind. 4.13 5.66 5.32 936 16 0.55 0.3
1.041019 6.010
18 13 19 10
Magnitud N de Avogadro Constante de Boltzmann Carga del electrn Electrn-voltio Masa del electrn en reposo Permeabilidad del vaco Constante dielctrica del vaco Constante de Planck Velocidad de la luz Tensin trmica a 300 K 1 ngstrom 1 micrmetro 1 pulgada (en ingls, inch) Magnitud Eg (eV) Tipo de BP Anidad q (eV) Constante de red a () Densidad (g/cm3) Temp. fusin (C) r mn/m0 mp/m0 Nc (1018 cm3) Nv (cm3) ni (cm3) n (cm2/Vs) p (cm2/Vs) Cond. trm. (W/[cmC]) Si 1.11 ind. 4.05 5.43 2.33 1415 11.8 1.18 0.81
3.221019 1.8310 1.0210
Valor 6.0221023 mol1 1.381023 J/K 8.62105 eV/K 1.6021019 C 1.6021019 J 0.9111030 kg 1.262108 H/cm(4109) 8.8541014 F/cm 6.6261034 Js 2.998108 m/s 0.02586 V 0.02586 eV 1108 cm 1104 cm 2.54 cm AlAs 2.16 ind. 5.66 3.60 1740 10.9 GaP 2.26 ind. 4.3 5.45 4.13 1467 11.1 InP 1.35 dir. 4.4 5.87 4.79 1070 12.4 0.08 0.869
5.681017 6.3510 1.010
19 7
GaAs 1.424 dir. 4.07 5.65 5.31 1238 13.2 0.063 0.53
4.71017 710
18 6
InGaAs 0.75 dir. 4.6 5.87
13.5 0.045 0.535

2.8107 61018 6.51011
2.3310
2.110
1450 500 1.31
3900 1900 0.6
8500 500 0.54
180 0.8
300 150 0.97
4600 150 0.68
13800 100 0.26
* Los parmetros del semiconductor compuesto AlxGa1xAs son funcin de x: Eg = 1.424 + 1.247x (BP indirecta hasta x = 0.4), q = 4.07 1.1x, r = 13.1 3.12x * En el semiconductor compuesto GaAs1xPx, la banda prohibida vara linealmente entre x = 0 (GaAs, Eg = 1.424 eV) y x = 0.45 (Eg = 2 eV). En ese intervalo, la BP es del tipo directo. * Los datos del semiconductor compuesto InxGa1xAs corresponden a un valor de x = 0.53.
Apndice C. El cuestionario interactivo DELFOS
387
Apndice C.
El cuestionario interactivo DELFOS*
El cuestionario interactivo DELFOS es un programa informtico que contiene los enunciados y soluciones de los cuestionarios y problemas guiados contenidos en este libro. Est concebido como una herramienta de auto-aprendizaje que permite practicar de forma fcil y cmoda los conceptos bsicos de dispositivos electrnicos y fotnicos expuestos en este texto. DELFOS permite tres formas de trabajo: el modo estudio, el modo evaluacin y el modo de resolucin de los problemas guiados. El usuario debe elegir uno de los modos de trabajo (vase figura apndice C-1), seleccionndolo en la pgina inicial.
Presentacin Modo estudio Modo evaluacin Problemas guiados Salir del programa
Escoge una opcin para continuar o salir del programa
Fig. Apndice C-1.- Modos de trabajo de DELFOS
* Los autores de DELFOS son los profesores del Departamento de Enginyeria Electrnica de la UPC: Llus Prat Vias, Josep Calderer Cardona, Vicente Jimnez Serres y Joan Pons Nin
388
Supongamos que se ha seleccionado el modo estudio. Al activarlo, aparece la pantalla de seleccin de cuestionario, que se muestra en la figura apndice C-2. Debe seleccionarse un captulo concreto y posteriormente el cuestionario que se desea trabajar. Una vez realizada la seleccin hay que pulsar el botn de navegacin de la parte superior derecha que contiene una flecha apuntando a la derecha. Aparece, entonces, una pantalla con la primera pregunta del cuestionario seleccionado. Con los dos botones de la izquierda, el usuario puede navegar por las diversas cuestiones. En cada cuestin (vase figura apndice C-3), se presenta el enunciado y cuatro respuestas posibles, de las cuales slo una es correcta. El usuario debe marcar la respuesta que considera correcta y despus debe corregirla, pulsando el segundo botn de la parte superior derecha (en claro en la figura), lo que habilita la consulta de la solucin correcta (botn inferior derecha). En el modo de evaluacin, el programa genera un examen de preguntas escogidas de los cuestionarios. El usuario puede elegir entre un examen de un captulo o un examen global de todo el texto. Para cada cuestin del examen se ofrecen cuatro respuestas posibles (de las que slo una es correcta), ms la posibilidad de no contestar. El usuario puede navegar entre las cuestiones propuestas y acceder, en todo momento, una hoja resumen de las respuestas realizadas (vase figura apndice C-4), pero no puede consultar las soluciones hasta despus de haber corregido el examen. Cuando el usuario da por concluido el examen activa su correccin (pulsando el botn de navegacin del extremo superior derecho de la hoja resumen). Entonces aparece en la hoja resumen los resultados del examen realizado: las respuestas correctas e incorrectas, el tiempo dedicado a realizar el examen, y la nota obtenida (que se calcula restando un tercio de punto por cada respuesta incorrecta). El usuario tiene la opcin de obtener una copia impresa de esta pgina resumen (que se denomina certificado de nota) escribiendo su nombre y apellidos y pulsando la tecla OK en el recuadro correspondiente. En el modo de resolucin de los problemas guiados, el usuario debe empezar seleccionando uno de ellos. El programa presenta el enunciado del problema con diversos apartados, generalmente encadenados entre s, junto a unos botones de navegacin que permiten seleccionar la "pista" o la "solucin" de cada apartado (vase figura apndice C-5). La "pista" es una ayuda indicativa del procedimiento a seguir para resolver el apartado correspondiente. La base de datos que contiene las cuestiones dispone de un procedimiento para cambiar de forma aleatoria el orden de las respuestas que aparecen en la pantalla, y tambin, cuando procede, los valores numricos de los datos de la cuestin. Cada vez que se selecciona un cuestionario o un examen se realiza de forma automtica esta inicializacin aleatoria de datos numricos y orden de las respuestas. En consecuencia, las cuestiones que se presentan al usuario, as como los exmenes que las contienen, son distintas cada vez que se genera un cuestionario o un examen. El programa interactivo DELFOS puede obtenerse por Internet siguiendo las instrucciones de la pgina web: www.edicionsupc.es/poli131.

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Llus Prat Vias Josep Calderer Cardona

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Dispositivos electrnicos y fotnicos. Fundamentos

Llus Prat Vias Josep Calderer Cardona

Dispositivos electrnicos y fotnicos. Fundamentos

Primera edicin: enero de 2003 Segunda edicin: marzo de 2006

Depsito legal: B-15933-2006 ISBN: 84-8301-854-3

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