Tema 1 - Diodos

Departamento de Tecnologa Electrnica
Tema 2: Diodos 1
Tecnologa Electrnica
TECNOLOGA ELECTRNICA
2 Curso Grado de Ingeniera
Tema 2: Diodos
Tema 2: Diodos 2
En la actualidad, ninguna otra tecnologa impregna todos los rincones de nuestra
existencia como lo hace la Electrnica.
La base de dicha tecnologa est constituida por los materiales semiconductores,
con los que se fabrica la mayora de los dispositivos electrnicos.
Dichos materiales se someten a procedimientos especiales para cambian sus
propiedades de conduccin, dando lugar a dos tipos particulares de
semiconductores: tipo P y tipo N.
Cuando se juntan esos dos tipos de materiales, se obtiene una unin P-N.
Por sus especiales caractersticas, la unin P-N constituye el elemento bsico del
que depende el funcionamiento de casi todos los dispositivos basados en
semiconductores (dispositivos de estado slido).
Desde el punto de vista de su funcionamiento, el dispositivo semiconductor ms
simple y fundamental es el diodo.
Introduccin
Tema 2: Diodos 3
Tema 3: Diodos
Materia: constituida por tomos.
Ncleo: protones (+) y neutrones.
Electrones (-), distribuidos en varias rbitas o
capas a diferentes distancias del ncleo.
N de protones = N de electrones = N atmico.
Cada electrn tiene una cierta energa que
aumenta con la distancia al ncleo.
Los electrones situados en la rbita ms externa
se denominan electrones de valencia:
Son los que tienen mayor energa.
Estn relativamente poco ligados al tomo.
Un electrn de valencia puede adquirir suficiente
energa para salir de su rbita y escapar de la
influencia del tomo electrn libre.
Conceptos bsicos: Estructura Atmica
Tema 2: Diodos 4
Los electrones de valencia:
Participan en los enlaces entre tomos.
Determinan las propiedades qumicas y
elctricas del material.
La capacidad del material para conducir corriente
est determinada por el nmero de electrones de
valencia.
Cuando menos ocupada est la rbita de valencia
ms conductivo es el material.
Independientemente del n total de electrones que
le corresponda a un elemento, slo puede haber 8
electrones de valencia como mximo.
Conceptos bsicos: Estructura Atmica
Electrn de valencia
Capa de valencia
Capas
tomo de cobre
Tema 2: Diodos 5
Tipos de materiales
Desde el punto de vista elctrico, los materiales pueden dividirse en tres
categoras atendiendo a su conductividad:
Conductores: permiten el paso de corriente a su travs con gran
facilidad.
Aislantes: ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica.
Son malos conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto
Semiconductores: presentan un comportamiento intermedio entre los
conductores y los aislantes.
La conductividad elctrica vara en ms de 25 rdenes de magnitud entre los
diferentes materiales (la mayor variacin de cualquier propiedad fsica).
Conductores: > 10
5
(m)
-1
Semiconductores: 10
-6
< < 10
5
( m )
-1
Aislantes: < 10
-6
( m )
-1
Tema 2: Diodos 6
Conductores:
Tienen de 1 a 3 electrones de valencia, que estn dbilmente unidos al tomo.
Basta una pequea energa para que se conviertan en electrones libres.
Mejores conductores slo 1 electrn de valencia. Ejemplos: oro, plata, cobre.
Aislantes:
Tienen de 5 a 8 electrones de valencia fuertemente ligados al tomo, por lo que casi
no tienen electrones libres para contribuir a la corriente.
Su resistividad es muy elevada, del orden de 10
24
veces mayor que los conductores.
Ejemplos: vidrio, cuarzo, diamante, plstico, etc.
Semiconductores:
En estado puro y a temperatura ambiente, ni son buenos conductores, ni buenos
aislantes.
Tienen 4 electrones en de valencia.
Principales semiconductores: Germanio, Silicio y Arseniuro de Galio.
Tipos de materiales
Tema 2: Diodos 7
Semiconductores
Tanto el Si como el Ge tienen 4 electrones
de valencia.
Ge los electrones de valencia estn ms
alejados del ncleo menos ligados al
ncleo.
Por tanto, necesitan menos energa
adicional para escapar del tomo.
As el Ge es ms inestable que el Si a
temperaturas elevadas razn por la que
el Si es el ms utilizado (adems es muy
abundante).
El Si puro no se encuentra en la naturaleza.
Debe ser procesado y purificado para que
se pueda utilizar en la fabricacin de
dispositivos electrnicos.
Estructura atmica del silicio y del germanio.
4 electrones en la capa
exterior (valencia).
Comparativa Silicio - Germanio
Tema 2: Diodos 8
Los semiconductores son slidos cuya estructura fsica est formada por tomos
dispuestos segn un patrn geomtrico, repetitivo y regular que se extiende por
todo el material.
Esta estructura ordenada se denomina estructura cristalina o cristal.
Todos los materiales semiconductores poseen una estructura cristalina cbica.
Estructura cristalina
Semiconductores
Tema 2: Diodos 9
Enlace covalente
Semiconductores
En esa estructura cristalina, cada tomo est
unido con otros cuatro tomos vecinos por
medio de enlaces covalentes.
Cada uno de los cuatro electrones de valencia
de un tomo es compartido con un tomo
vecino.
Cada electrn compartido es atrado con la
misma fuerza por los dos tomos que lo
comparten.
Todos los tomos tienen la ltima rbita
completa con 8 electrones estabilidad
qumica.
Si
Si
Si
Si
Si
Modelo de enlaces
Tema 2: Diodos 10
Semiconductores
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
Crculo que representa
el corazn de un
tomo de silicio
Lbulo que representa
un enlace covalente
Todos los electrones de valencia estn formando enlaces y ligados a sus ncleos. No hay
electrones libres y el material se comporta como un aislante. Esto sera estrictamente
cierto a 0 K. Sin embargo
Electrones de valencia
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor en estado puro.
Semiconductor intrnseco
Tema 2: Diodos 11
al aumentar la temperatura, el calor hace vibrar a los tomos. Estas vibraciones
pueden hacer que algunos electrones de valencia ganen energa suficiente para romper
el enlace, convirtindose en electrones libres.
Semiconductores
Si Si
Si
Si
Si Si
0K
300K
+
Electrn libre
Hueco
Cuando se rompe un enlace, queda una vacante o hueco en el orbital de valencia.
Por cada enlace roto se genera un electrn libre y un hueco (par electrn-hueco).
Un dato curioso: en el Silicio hay aproximadamente 10
22
tomos/cm
3
y, a 300K,
hay 1 enlace roto por cada 10
12
tomos (es decir, 1 por cada billn de tomos!!).
Tema 2: Diodos 12
Un hueco representa la ausencia de un electrn (vacante) una deficiencia de carga
negativa (equivalente a una carga positiva).
Algn electrn de un enlace prximo puede saltar a esa posicin vacante, dejando tras
de s un nuevo hueco. Este proceso permite que el hueco se mueva a travs del cristal.
El hueco se comporta como una carga positiva de magnitud igual a la del electrn.
Semiconductores
Semiconductor intrnseco: concepto de hueco
El hueco tambin tiene una cierta movilidad en el interior del cristal.
El hueco tambin tiene una cierta movilidad en el interior del cristal.
Si
Si
Si Si
Si Si
300K
Tema 2: Diodos 13
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
+
+
Semiconductores
Siempre hay electrones libres, movindose aleatoriamente a travs del material, y
un n igual de huecos, creados cuando esos electrones escaparon del enlace.
300K
Generacin de un
par electrn-hueco
Recombinacin de un
electrn con un hueco
Siempre se estn rompiendo y reconstruyendo enlaces
Siempre se estn rompiendo y reconstruyendo enlaces
Tema 2: Diodos 14
Si Si
Si
Si
Si Si
+ +
Semiconductores
Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico
El electrn libre se mueve por accin del campo (en direccin opuesta a l).
El hueco tambin se mueve, pero en la misma direccin que el campo.
El electrn libre se mueve por accin del campo (en direccin opuesta a l).
El hueco tambin se mueve, pero en la misma direccin que el campo.
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
+ -
Tema 2: Diodos 15
Conclusiones:
La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de
portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las propiedades
elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor resistencia
Semiconductores
Tema 2: Diodos 16
Semiconductores
Semiconductor extrnseco
Un semiconductor puro, a temperatura ambiente, tiene poca utilidad dado que no
es un buen aislante, ni un buen conductor.
En la prtica, se necesita incrementar la conductividad elctrica del cristal
semicondutor puro (intrnseco). Hay dos opciones:
N de electrones libres >> n de huecos.
N de huecos >> n de electrones libres.
Se consigue aadiendo al semicondutor puro (intrnseco) una cantidad controlada
de otro tipo de tomos, llamados impurezas. Este proceso de denomina dopado.
Un semicondutor puro (intrnseco) al que se han aadido impurezas, se denomina
semicondutor extrnseco.
Tema 2: Diodos 17
Cuando se aaden impurezas a un semicondutor puro (intrnseco), ste se
convierte en un semicondutor extrnseco.
Las impurezas usadas en el dopado de un semicondutor intrnseco pueden ser de
dos tipos: impurezas o tomos donadores e impurezas o tomos aceptores.
Los tomos donadores tienen cinco electrones de
valencia (son pentavalentes): Fsforo (P), Arsnico (As)
o Antimonio (Sb).
Los tomos aceptores tiene tres electrones de valencia
(son trivalentes): Indio (In), Galio (Ga), Boro (B) o
Aluminio (Al).
Semiconductores
Proceso de dopado
Si
B
Al
Ga
P
As
Sb
Ge
C
Sn
N
III IV V
In
P
B
Tema 2: Diodos 18
Semiconductores
Semiconductor extrnseco: tipo N
Se introducen pequeas cantidades de tomos
pentavalentes (por ejemplo, P) con el fin de
que aparezcan electrones libres.
Esos tomos proporcionan (donan) electrones
al cristal semiconductor y reciben el nombre de
impurezas donadoras o tomos donadores.
A 300K, los electrones adicionales de los
tomos de impureza estn desligados de su
tomo (pueden desplazarse y originar corriente
elctrica).
Un semiconductor puro dopado con impurezas
donadoras se denomina semiconductor tipo N
(N de negativo, refirindose a la carga del
negativa del electrn).
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
P
+
Tema 2: Diodos 19
Semiconductores
Semiconductor extrnseco: tipo P
Se introducen pequeas cantidades de tomos
trivalentes (por ejemplo, B) con el fin de que
aparezcan huecos libres.
Como esos tomos reciben (aceptan)
electrones, reciben el nombre de impurezas
aceptoras o tomos aceptores.
A 300K, los huecos de los tomos de impureza
estn cubiertos con un electrn procedente de
un tomo de Si, en el que se genera un hueco.
Un semiconductor puro dopado con impurezas
aceptoras se denomina semiconductor tipo P (P
de positivo, refirindose a la carga positiva del
hueco).
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
B
- +
Tema 2: Diodos 20
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductores
Semiconductor extrnseco: portadores mayoritarios y minoritarios
En un semicondutor tipo N hay muchos ms
electrones libres que huecos:
Electrones libres portadores mayoritarios.
Huecos portadores minoritarios.
En un semicondutor tipo P hay muchos ms huecos
que electrones libres :
Huecos portadores mayoritarios.
Electrones libres portadores minoritarios.
Debido al dopado, un semiconductor extrnseco no tiene la misma cantidad de
electrones libres que de huecos.
Hueco
minoritario
Electrones
mayoritarios
Ion donador
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Huecos
mayoritarios
Electrn
minoritario
Ion aceptor
Tema 2: Diodos 21
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas aceptoras (grupo III)
Todos los tomos aceptores ionizados - (han ganado un electrn).
Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas donadoras (grupo V)
Todos los tomos donadores ionizados + (han perdido un electrn).
Semiconductores
Resumen
Tema 2: Diodos 22
El Diodo
Conceptos generales
Es el dispositivo de estado slido ms sencillo y bsico.
Consiste un cristal semiconductor con dos zonas
contiguas de diferente dopado:
Un lado dopado con impurezas aceptoras (tipo P).
El otro con impurezas donadoras (tipo N)
La zona de contacto o frontera fsica entre ambas
zonas se llama unin P-N.
Tiene dos terminales externos (metlicos):
nodo (conectado a la regin P).
Ctodo (conectado a la regin N).
P N
Si la tensin aplicada es nula La unin est en equilibrio.
Si la tensin aplicada no es nula diodo polarizado.
Si V > 0 Polarizacin directa.
Si V < 0 Polarizacin inversa.
A K
Tema 2: Diodos 23
Unin P-N no polarizada (en equilibrio)
El Diodo
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada zona de transicin, que acta como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
tipo P tipo N
Zona de transicin
Electrn libre
Hueco libre
tomo de impureza donadora que ha perdido
un electrn In positivo
tomo de impureza aceptora que ha ganado
un electrn In negativo
Tema 2: Diodos 24
Unin P-N con polarizacin directa
El Diodo
Zona de transicin
La zona de transicin se hace ms pequea.
La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
tipo P tipo N
+
Tema 2: Diodos 25
Unin P-N con polarizacin inversa
El Diodo
La zona de transicin se hace ms grande.
No hay circulacin de corriente, excepto una pequesima corriente de fugas
que normalmente puede considerarse despreciable.
Zona de transicin
tipo P tipo N
+
Tema 2: Diodos 26
Al aplicar tensin positiva entre nodo y ctodo (polarizacin directa)
es posible la circulacin de corriente elctrica.
Aplicando tensin negativa (polarizacin inversa) no hay conduccin de
corriente.
P N
El Diodo
Unin P-N: funcionamiento bsico
A K
Tema 2: Diodos 27
Es la ecuacin que define el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones.
Donde:
i
D
= corriente en el diodo.
I
S
= corriente inversa de saturacin.
v
D
= tensin en extremos del diodo.
q = carga del electrn (1,610
-19
C).
K = constante de Boltzmann (1,3810
-23
J/K)
T = temperatura (K).
= coeficiente de emisin (dependiendo del material, 1 < < 2).
El Diodo
Ecuacin caracterstica
|
|
\
|
= 1
T K
v q
S D
D
e I i

+
-
v
D
i
D
Tema 2: Diodos 28
El Diodo
Caracterstica V-I
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
|
|
\
|
= 1
T K
v q
s D
D
e I i

s D
I i
En directa, se aprecia una tensin
umbral, que es la tensin mnima que
hay que aplicar para que exista corriente
apreciable.
En inversa, la corriente es muy pequea,
prcticamente nula.
Para tensiones inversas elevadas,
aparecen fenmenos de multiplicacin
de portadores (ruptura) la corriente
aumenta mucho.
V
BR
V

V

Tema 2: Diodos 29
El Diodo
Recta de carga
La recta de carga es un mtodo de anlisis grfico, empleado cuando existen
dispositivos no lineales, como es el caso del diodo.
El circuito impone la condicin: v
D
= V
cc
- Ri
D
(recta de carga).
El diodo impone la condicin definida por su curva caracterstica.
El punto de trabajo est definido por la interseccin
de la recta de carga y la curva caracterstica
El punto de trabajo est definido por la interseccin
de la recta de carga y la curva caracterstica
V
cc
0
i
D
v
D
V
cc
( ) 0 , = =
D cc D
i V v
|
\
|
= =
R
V
i v
cc
D D
, 0
Recta de carga
Curva caracterstica
R
V
cc
Punto de trabajo
Tema 2: Diodos 30
El Diodo
Modelos lineales (I)
El anlisis mediante la recta de carga proporciona informacin y resultados precisos,
pero no es adecuado para un anlisis "rpido, especialmente en circuitos que
contengan ms de un diodo.
En la prctica se emplean modelos o aproximaciones ms simples, que modelan las
zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos.
En polarizacin inversa,
I
D
= 0 para toda V
D
< 0
En polarizacin directa,
V
D
= 0 para toda I
D
> 0
1 Aproximacin: Diodo ideal
V
I
V
I
D
D = ON
D = OFF
CIRCUITO LINEAL EQUIVALENTE
P. DIRECTA
P. INVERSA
A
K
A
K
ON
OFF
A
K
Tema 2: Diodos 31
El Diodo
Modelos lineales (II)
2 Aproximacin:
V
I
V
I
D
D = OFF
3 Aproximacin:
P. DIRECTA
P. INVERSA
A
K
A
K
(V > V
) (V < V
)
V

P. DIRECTA
P. INVERSA
(V > V
) (0 < V < V
)
P. DIRECTA
(V < 0)
A
K
A
K
V
K
A
V
I
V
R
f
R
r
A
K
Tema 2: Diodos 32
I
V
Corriente mxima
Lmite trmico, seccin
del conductor
Tensin inversa
mxima
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
El Diodo
Limitaciones
Ruptura de la unin
por avalancha
Tema 2: Diodos 33
El Diodo
Parmetros facilitados por los fabricantes
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
O
= 1A Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa
V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
O
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
Una hoja de caractersticas enumera informacin sobre los aspectos importantes de un
dispositivo semiconductor:
Parmetros y caractersticas de operacin ms importantes.
Tipos de encapsulado y terminales del dispositivo.
Procedimiento para la realizacin de pruebas.
Aplicaciones tpicas.
Tema 2: Diodos 34
Tipos especiales de diodos
Diodo zener (I)
Es un tipo de diodo que est diseado especficamente para trabajar en la zona de
ruptura (polarizacin inversa).
Cuando se alcanza la zona de ruptura, la corriente en el diodo puede variar dentro de
un margen amplio, pero su tensin permanece prcticamente constante a un valor
denominado, tensin zener, Vz.
Con polarizacin directa funciona como un diodo normal.
Se suele usar como protector frente a sobretensiones o como referencia de tensin.
-V
z
-I
zmin
-I
zmax
V
I
V
I
K
A
I
Z
K
A
K
A
SMBOLOS
Zona de
funcionamiento
seguro
Tema 2: Diodos 35
Diodo zener (II)
Modelos lineales
Se pueden utilizar varias aproximaciones, aunque la ms habitual es la del diodo zener
ideal.
Es muy parecida a la del diodo normal, pero se le aade la parte correspondiente a la
zona de ruptura, modelndola mediante una fuente de tensin de valor igual a la
tensin zener.
-V
z
V
I
K
P. DIRECTA
P. INVERSA
(V
D
> 0) (-V
Z
< V
D
< 0)
P. INVERSA
(V
D
< -V
Z
)
A
A
K
V
Z
A
K
-I
zmin
-I
zmax
Tema 2: Diodos 36
Diodo zener (III)
Aplicacin tpica: circuito estabilizador con diodo zener
V
E
R
L
R
S
+
-
V
RL
Interesa que
la tensin V
RL
sea constante
-V
z
V
I
-I
zmin
-I
zmax
V
Z
I
Z
I
L
I
S
Se disea para que su punto de trabajo est en la zona de funcionamiento seguro (zona
zener).
La tensin en el zener (y por tanto, en la carga) ser constante e igual a V
z
slo si las
variaciones de V
E
y/o R
L
producen cambios en I
Z
tales que: I
zmin
I
Z
I
Zmax
Tema 2: Diodos 37
Diodo LED (I)
Es un dispositivo semiconductor que emite luz monocromtica (un
solo color) cuando se polariza en directo.
Este efecto se denomina electroluminiscencia y el color de la luz
depende del material semiconductor (GaAs, AlGaAs, GaP,...).
Al polarizar en directo la unin PN, los electrones libres atraviesan
la unin y caen en los huecos. Como caen de niveles energticos
altos a niveles bajos, liberan energa en forma de luz (fotones).
En los diodos normales esta energa se disipa en forma de calor.
Smbolo
A
K
LED = Light Emitter Diode = Diodo emisor de Luz
Tema 2: Diodos 38
Diodo LED (II)
Montaje bsico con un diodo LED
La tensin umbral, V
, de un LED depende del color y puede variar aproximadamente

entre 1.2 V (infrarrojo) y 4 V (azul).
Debe circular una corriente suficiente por el diodo para que emita luz. La luminancia
emitida es proporcional a la corriente que lo atraviesa.
Para un buena visibilidad, se requieren tpicamente de 15 a 20 mA.
Tema 2: Diodos 39
Fotodiodo (I)
Es un diodo construido con una unin PN sensible a la incidencia de luz visible o infrarroja.
Funciona en la zona de polarizacin inversa. Cuando la luz incide en la unin, se crean
portadores de carga (pares electrn-hueco) que dan lugar a una corriente de fugas
proporcional a la luz incidente (son sensibles a una determinada longitud de onda)
Se comporta bsicamente como un generador de corriente proporcional a la iluminacin.
zona de uso
sin luz
v
i
Intensidad de
la luz
A
K
Smbolo
P
N
i
V
Luz
Los portadores de carga aumentan con la
intensidad de la luz, por lo que la corriente
inversa tambin aumenta.
Los portadores de carga aumentan con la
intensidad de la luz, por lo que la corriente
inversa tambin aumenta.
Tema 2: Diodos 40
Principales aplicaciones:
medidores de luz (fotmetros).
sensores de luz (fotodetectores).
receptores pticos de comunicaciones.
Fotodiodo (II)
V
R
+
-
R
V
cc
i
Luz
A mayor cantidad de luz, mayor
corriente inversa y mayor tensin en R
A mayor cantidad de luz, mayor
corriente inversa y mayor tensin en R
sin luz
v
i
Recta de carga
-V
cc
/R
-V
cc
Uso como fotodetector
Tema 2: Diodos 41
Diodo Schottky
Son diodos de alta velocidad de conmutacin.
Caractersticas:
Unin Metal-Semiconductor.
Tensin umbral reducida (aprox. 0,3 a 0,4 V)
Tiempos de conmutacin muy pequeos.
Tensiones de ruptura relativamente bajas.
Aplicaciones:
Circuitos digitales de alta velocidad.
Circuitos electrnicos de potencia.
Smbolo
A
K
V
I
Tema 2: Diodos 42
Aplicaciones de los diodos
Rectificadores
La rectificacin de una seal de alterna consiste en obtener una seal con un
valor medio distinto de cero.
Los rectificadores pueden ser de media onda o de onda completa.
Los de media onda eliminan un semiperiodo de la seal (positivo o negativo).
Los de onda completa convierten el semiperiodo negativo a positivo manteniendo el
semiperiodo positivo, o viceversa.
Debido a que los diodos slo permiten el paso de corriente a su travs en una
direccin, son dispositivos adecuados para implementar circuitos rectificadores.
Se encuentran en todas las fuentes de alimentacin que funcionan a partir de la
red, para convertir la tensin alterna de entrada en tensin continua.
Tema 2: Diodos 43
Rectificador de media onda (I)
+
-
+
-
R
L
v
in
R
L
R
L
v
in
t
v
out
El diodo slo conduce durante los semiciclos positivos de la tensin alterna de entrada.
En los semiciclos negativos est polarizado en inverso. Por tanto, no hay corriente y la
tensin en la carga es nula.
Slo los semiciclos positivos de la tensin de entrada aparecen en la carga
Slo los semiciclos positivos de la tensin de entrada aparecen en la carga
V
P
i
out
Tema 2: Diodos 44
R
L
v
in
Rectificador de media onda (II)
V
P
v
out
v
out
El valor medio, V
dc
, de la tensin de salida es el rea positiva (o negativa si el rectificador es
negativo) neta en un periodo:
La tensin inversa de pico, VIP, es la tensin mxima que soporta el diodo polarizado en
inversa. No debe llegar a la tensin de ruptura. Para este rectificador vale:
P
dc
V
periodo
rea
V = =
La salida es una tensin pulsante con la
misma frecuencia que la tensin de entrada
Diodo Ideal: V
P(in)
= V
P(out)
2 aprox.: V
P(out)
= V
P(in)
0,7 V
VIP = V
P
VIP = V
P
V
P
v
in
t t
V
dc
Tema 2: Diodos 45
Rectificador de media onda (III)
Efecto de la cada de tensin el diodo
V
p(out)
= V
p(in)
0.7V
En un diodo real, cuando se encuentra en conduccin caen en l aproximadamente 0,7V.
Esta tensin se elimina de la base de la forma de onda.
Tema 2: Diodos 46
Equivalente a dos rectificadores de media onda que funcionan desfasados 180 entre si.
Debido a la conexin central, cada rectificador tiene una tensin de entrada igual a la mitad
de la tensin del secundario.
En cada instante slo estar un diodo en conduccin.
Rectificadores de onda completa (I)
Montaje con transformador de toma media
Toma media
R
L
V
in
V
pri
0
0
0
2
V
sec
2
V
sec
Tema 2: Diodos 47
Rectificadores de onda completa (II)
v
in
t
v
out
t
D2
R
L
Durante los semiciclos positivos, D1 est polarizado en directo y D2 en inverso
Durante los semiciclos positivos, D1 est polarizado en directo y D2 en inverso
D1
+
+
0
0
+
Tema 2: Diodos 48
Rectificadores de onda completa (III)
D2
R
L
Durante los semiciclos negativos, D1 est polarizado en inverso y D2 en directo
Durante los semiciclos negativos, D1 est polarizado en inverso y D2 en directo
+
D1
+
v
out
t
0
v
in
t
0
V
P(out)
. 2 7 , 0
2
2
(sec)
) (
(sec)
) (
aprox
V
V
ideales Diodos
V
V
P
out p
P
out p
=
=
+
Tema 2: Diodos 49
V
P(out)
v
out
t
El valor medio, V
dc
, de la tensin de salida es :
La tensin inversa de pico, VIP, es:
) (
2
out P
dc
V
periodo
rea
V = =
Rectificadores de onda completa (IV)
V
dc
=
. 2 7 , 0
(sec)
(sec)
aprox V
ideal Diodo V
VIP
P
P
f
out
= 2f
in
Tema 2: Diodos 50
D1
Rectificadores de onda completa (V)
Rectificador en puente
Este montaje utiliza cuatro diodos y no necesita un transformador con toma media.
+
D2 D4
D3
R
L
En los semiciclos positivos, D1 y D2 conducen. D3 y D4 estn polarizados en inverso
En los semiciclos positivos, D1 y D2 conducen. D3 y D4 estn polarizados en inverso
v
in
t
0
v
out
t
0
+
Tema 2: Diodos 51
En los semiciclos negativos, D1 y D2 estn polarizados en inverso. D3 y D4 conducen
En los semiciclos negativos, D1 y D2 estn polarizados en inverso. D3 y D4 conducen
Rectificadores de onda completa (VI)
D1
D2 D4
D3
R
L
+
v
in
t
0
v
out
t
0
V
P(out)
+
. 2 4 , 1
(sec) ) (
(sec) ) (
aprox V V
ideales Diodos V V
P out p
P out p
=
=
Tema 2: Diodos 52
V
P(out)
t
V
dc
f
out
= 2f
in
v
out
Rectificadores de onda completa (VII)
Valor medio, V
dc
, de la tensin de salida:
Tensin inversa de pico, VIP:
=
. 2 7 , 0
(sec)
(sec)
aprox V
ideal Diodo V
VIP
P
P
) (
2
out P
dc
V
periodo
rea
V
= =
+
R
L
v
in
t
V
P
0
V
P(out)
V
sec
V
pri
D4
+
V
I
P
+
V
I
P
+
0
,
7

V
+
0
,
7

V
Tema 2: Diodos 53
i
C
i
o
v
out
i
D
R
L
C
Filtro por condensador (I)
En la salida del rectificador se coloca un condensador. Su finalidad es reducir las variaciones
de tensin en la carga.
El condensador se carga y se descarga rellenando los huecos entre semiondas, hacindola
ms parecida a una tensin continua ideal.
Diodo conduce
Diodo no conduce
v
in
+
-
+
-
V
P
v
out
2 0
2 0
t
t
v
in
V
P
R
L
C
R
L
C
v
in
v
in
V
r
O
N
O
N
O
N
OFF OFF
Tema 2: Diodos 54
Filtro por condensador (II)
Ventaja del rectificador de onda completa: el condensador consigue reducir ms
eficazmente el rizado ya que el intervalo entre picos es ms corto.
Rizado
}
}
V
r
V
r
0
0
Onda completa
Media onda
Tema 2: Diodos 55
Filtro por condensador (III)
V
dc
V
r }
V
P(rect)
0
(onda completa)
En la prctica, el condensador suele ser de capacidad elevada y la constante de tiempo
R
L
C es grande comparada con el periodo de v
in
. En tal caso:
C f
I
V
o
r

2
El valor medio, V
dc
, de la tensin de salida es:
2
) (
r
rect P dc
V
V V
=
Tema 2: Diodos 56
Recortadores o limitadores (clippers)
Un recortador (o limitador) es un circuito con diodos que se emplea para eliminar
una parte (o varias) de la forma de onda aplicada a su entrada.
El rectificador de media onda es el ejemplo ms simple de circuito recortador (una
resistencia y un diodo).
Dependiendo de la ubicacin y orientacin que tenga el/los diodo/s, la parte
recortada de la onda podr ser positiva, negativa o ambas.
Se pueden distinguir dos tipos o categoras bsicas:
De un nivel.
De dos niveles.
Tema 2: Diodos 57
Recortadores o limitadores (II)
Ejemplo 1: Diodo en serie
v
out
v
out
v
in
0 0
0
= = <
= = >
out in
in out in
v OFF D v
V v ON D v
0
v
out
v
in
v
in
t t
D
R
Caracterstica de
transferencia
D = ON
D = OFF
Tema 2: Diodos 58
Recortadores o limitadores (III)
Ejemplo 2: Diodo en paralelo
v
out
v
out
v
in
v
in
t t
R
D
v
out
v
in
0 0
0
= = <
= = >
out in
in out in
v ON D v
V v OFF D v
0
Caracterstica de
transferencia
D = OFF
D = ON
Tema 2: Diodos 59
Ejemplo 3: Diodo en serie polarizado
v
out
v
in
t t
v
out
v
in
R out R in
in out R in
V v OFF D V v
V v ON D V v
= = <
= = >
0
Caracterstica de
transferencia
Recortadores o limitadores (IV)
v
out
v
in
D
R
V
R
V
R
D = ON
D = OFF
V
R
Tema 2: Diodos 60
Ejemplo 4: Diodo en paralelo polarizado
v
out
v
in
t t
v
out
v
in
R out R in
in out R in
V v ON D V v
V v OFF D V v
= = <
= = >
0
Caracterstica de
transferencia
Recortadores o limitadores (V)
v
out
v
in
R
D
V
R
-V
R
D = ON
D = OFF
V
R
Tema 2: Diodos 61
Ejemplo 5: Recortador a dos niveles
v
out
v
in
t t
v
out
v
in
1 1
1 2
2 2
2 , 1
2 1
2 , 1
R out R in
in out R in R
R out R in
V v OFF D ON D V v
V v OFF D D V v V
V v ON D OFF D V v
= = = >
= = = < <
= = = <
0
Caracterstica de
transferencia
Recortadores o limitadores (VI)
v
out
v
in
R
D2
V
R2
V
R2
D1 = OFF, D2 = ON
V
R2
D1
V
R1
V
R1
V
R1
V
R2
V
R1
D1 = ON, D2 = OFF
D1 = D2 = OFF

Tema 1 - Diodos

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, de un LED depende del color y puede variar aproximadamente

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