Practica SDT

1
Instituto Tecnolgico de Agua

Prieta

Academia de Ingeniera
Electrnica-Mecatrnica

Secretaria de Educacin Pblica

SEP

Manual de Prcticas
Materia: Diodos y Transistores
2

DATOS GENERALES

Semestre: _________________________________________________
Nombre del alumno:_________________________________________
No. de Control:_____________________________________________
Maestro: ___________________________________________________

3

INDICE

Introduccin... 4
Objetivo General...
Prctica no. 1 Circuitos con diodos....
Practica no. 2 Circuitos rectificadores
Practica no. 3 Circuitos limitadores y fijadores de nivel ...
Practica no. 4 Regulador de voltaje con diodo zener....
Practica no. 5 Circuitos de polarizacin del transistor BJT ::::.....
Practica no. 6 Circuitos de polarizacin del transistor FET .
Practica no. 7 Diseo de amplificadores con transistores BJT y FET

4
INTRODUCCION

Este manual de prcticas ha sido diseado como apoyo para la materia de
Diodos y Transistores y tiene como objetivo que el alumno desarrolle sus
habilidades kinestsicas del saber hacer de acuerdo al enfoque a
competencias. Por lo cual al desarrollar las practicas el alumno identificar los
componentes bsicos electrnicos, y los interconectar de manera adecuada,
para construir diferentes circuitos de aplicacin, que le permitan comparar y
evaluar los resultados reales, contra los obtenidos en simulaciones y/o anlisis
tericos, permitiendo con esto dar respuesta a las necesidades en el mbito del
sector productivo.

5
PRACTICA No.1

Nombre de la Prctica: Circuitos con diodos

Objetivo: Verificar en forma experimental el comportamiento de circuitos con
diodos y comparar los resultados con el anlisis terico.

Material y equipo requerido:

1.- MULTIMETRO DIGITAL
2.- FUENTE DE ALIMENTACION CD VARIABLE
3.- 1 RESISTOR DE 1K
4.- 2 RESISTORES DE 2.2 K
5.- 1 PROTOBOARD
6.- DIODO DE SILICIO IN4001
7.- DIODO DE GERMANIO

INTRODUCCION

La figura 1-1 muestra el smbolo esquemtico de un diodo rectificador. El lado p
se llama nodo, y el lado n es el ctodo. El smbolo del diodo es como una flecha
que apunta del lado p al lado n, del nodo al ctodo. Por ello, la flecha del diodo
es un recordatorio de que la corriente convencional circula con facilidad del lado p
al lado n. Si se prefiere el flujo de electrones, tendr que invertirse la
visualizacin. En este caso, la direccin fcil para el flujo de electrones es en
contra de la flecha del diodo. Dicho en otra forma, puede pensarse que el diodo
apunta hacia el lugar de donde vienen los electrones libres.

p
n
FIGURA 1.1

6
La curva del diodo
V
s
V
D
R
FIGURA 1.2

Cuando un fabricante optimiza un diodo para convertir corriente alterna en
corriente directa, el diodo recibe el nombre de diodo rectificador. Este es el tipo de
diodo ms antiguo y ms ampliamente usado. Una de sus aplicaciones principales
se halla en las fuentes de potencia, las cuales son circuitos que convierten el
voltaje alterno de la linea de potencia en voltaje directo para equipos electrnico.

El anlisis de circuitos con diodos y entrada de CD, requiere primeramente
determinar el estado del diodo. Para diodos de silicio (con un voltaje de transicin
de 0.7 V.), el voltaje a travs del diodo debe ser por lo menos de 0.7 V., si ste se
encuentra polarizado directamente y entonces puede ser sustituido por una
batera de 0.7 V. Para voltajes del diodo menores a 0.7 V. (polarizacin inversa) el
diodo puede ser aproximado por un circuito abierto. Para diodos de germanio solo
se debe cambiar el voltaje de transicin por un valor de aproximadamente 0.3 V.

+ Vd >=0.7V - + 0.7V -

DIODO DE SILICIO

+ Vd >=0.3V - + 0.3V -

DIODO DE GERMANIO

7
PROCEDIMIENTO:

El profesor har un breve resumen o solicitar investigacin documental de
las diferentes aproximaciones para representar en forma aproximada la
operacin de un diodo real haciendo nfasis en las ventajas del uso de modelos
matemticos para el anlisis (simulacin) de circuitos con componentes
electrnicos, as como tambin, mencionando las desventajas del uso de stos
modelos.

El alumno deber seguir las instrucciones del profesor, as como las
indicaciones descritas en este manual.
DESARROLLO DE LA PRCTICA
a) Construya el circuito de la figura 1.3, mida y registre el valor medido de R
R = _____

Figura 1.3

b) Calcule el voltaje a travs de la resistencia R y anote su valor.

V
R
= ______________

8
c) Mida el voltaje con el multmetro digital a travs de la resistencia R y compare
ambos valores obtenidos.

V
R
= ______

d) Construya el circuito de la figura 1.4, mida y registre los valores de las dos
Resistencias.

R1 =
_________

R2 = __________

Figura 1.4

e) Calcule el voltaje a travs de la resistencia R2 y anote su valor.

V
R2
= _______

f) Usando el Multmetro mida el voltaje en el diodo y en cada resistencia, anotando
los valores correspondientes.

V
R1
= ___________ V
R2
= ___________ V
D
= _________

Compara los resultados para V
R2
obtenidos en los dos incisos anteriores.

g) Invierte los terminales del diodo en el circuito de la figura 2.2 y calcula los
valores tericos de V
D
, V
R1
y V
R2
.

V
R1
= ______ V
R2
= ______ V
D
= ______

h) Usando el Multmetro mida los voltajes en el diodo y en cada
resistencia, antelos abajo y compare los resultados de los dos incisos anteriores

9

V
R1
= ______V
R2
= ______ V
D
= ______

i) Construya el circuito de la figura 1.5 registrando el valor medido de R

R = _______

Figura 1.5

j) Calcule los valores tericos de los voltajes en ambos diodos y el de la resistencia
R.

V
Si
= _____ V
Ge
= _____ V
R
= _______

k) Mida los voltajes de ambos diodos y de la resistencia con el Multmetro,
anotando sus valores y compralos con los obtenidos en el inciso anterior.

V
Si
= _____ V
Ge
= _____ V
R
= _______
10

EJERCICIOS

Siguiendo el mismo procedimiento a continuacin se presentan una serie de
circuitos, en los cuales el alumno deber calcular los valores tericos
solicitados, anotarlos y posteriormente, construir los circuitos y medir los
valores con el multmetro digital (MMD).

Figura 1.6

a) Para el circuito de la figura 1.6:

Calcule: Mida:
V
R
= ___________ V
R
= ___________
V
Si
= ___________ V
Si
= ___________
V
Ge
= ___________ V
Ge
= ___________

Figura 1.7
11
b) Para el circuito de la figura 1.7:

Calcule: Mida:
V
R1
= ___________ V
R1
= ___________
V
Si
= ___________ V
Si
= ___________
V
R2
= ___________ V
R2
= ___________

Figura 1.8

c) Para el circuito de la figura 1.8:

Calcule: Mida:
V
R
= ___________ V
R
= ___________
V
Si
= ___________ V
Si
= ___________
V
Ge
= ___________ V
Ge
= ___________

Figura 1.9
12
d) Para el circuito de la figura 1.9: (V
R0
= voltaje del extremo de R a tierra)
Calcule:

V
R0
= ___________

e) Conecte ambos diodos a +5V y repita el experimento

Calcule:

V
R0
= ___________

f) Conecte ambos diodos a tierra y repita el experimento
Calcule:

V
R0
= ___________

CONCLUSIONES DEL APRENDIZAJE ADQUIRIDO:
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
13
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
__________________________________________________________

BIBLIOGRAFIA UTILIZADA:

14
PRACTICA No. 2

Nombre de la Prctica: Circuitos Rectificadores
Objetivo: El alumno aprender a construir en forma experimental circuitos
rectificadores de media onda y onda completa, basados en un diseo terico, as
como a evaluar su comportamiento, con instrumentos de medicin.


1.- OSCILOSCOPIO
3.- GENERADOR DE FUNCIONES
4.- 4 DIODOS RECTIFICADORES DE SILICIO
5.- 1 RESISTOR DE 3.3 K
7.- 1 TRANSFORMADOR DE 12.6 Vrms CON DERIVACIONCENTRAL
8.- 1 PROTOBOARD

INTRODUCCION.
El rectificador de media onda
El circuito ms simple que puede convertir corriente alterna en corriente directa es
el rectificador de media onda, mostrado en la figura 2.1. Al arrollamiento primario
del transformador se aplica el voltaje de lnea de un contacto elctrico de ca. Por
lo general, el enchufe tiene una tercera conexin para aterrizar el equipo.
Considerando la razn de vueltas, el voltaje pico en el arrollamiento secundario
es

V
p2
= N
2
V
p1

N
1

R
L
N
1
: N
2
FIGURA 2.1
Rectificador de media onda

15

Conviene recordar aqu la convencin del punto empleada en los
transformadores. Los extremos con punto de un transformador tienen la misma
polaridad del voltaje en cualquier instante. Cuando el extremo superior del
arrollamiento primario es positivo, el extremo superior del arrollamiento
secundario tambin es positivo. Cuando el extremo superior del arrollamiento
primario es negativo, el extremo superior del bobinado secundario tambin lo es.

El circuito funciona as: Durante el semiciclo positivo del voltaje primario, el
bobinado secundario tiene una media onda positiva de voltaje entre sus extremos.
Esto significa que el diodo se encuentra en polarizacin directa. Sin embargo,
durante el semiciclo negativo del voltaje primario, el arrollamiento secundario
exhibe una media onda sinusoidal. Por tanto, el diodo se encuentra polarizado
inversamente. Si en un anlisis inicial se utiliza la aproximacin ideal del diodo, se
ver que en el resistor de carga aparece el semiciclo positivo, pero no aparece el
semiciclo negativo.

R
L
1k
5 : 1
FIGURA 2.2
Razn de vueltas 5:1
V
2
1N4001

V
1
120V
60Hz

Por ejemplo, la figura 5.1 muestra un transformador con una razn de vueltas de
5:1. El voltaje primario pico es
V
p1
= 120 V = 170V
0.707

El voltaje secundario pico es
V
p2
= 170 V = 34V
5

Con la aproximacin del diodo ideal, el voltaje de carga tiene un valor pico de 34
V.

16
En la figura 2.3 se muestra el voltaje de la carga. Fste tipo de onda se llama seal
de media onda porque los semiciclos negativos han sido cortados o eliminados.
Como el voltajo de carga tiene solamente un semiciclo positivo, la corriente en la
carga es unidireccional, queriendo decir con esto que fluye en una sola direccin.
Por tanto, la corriente de carga es una corriente directa pulsante. Comienza en
cero al principio del ciclo, luego aumenta a un valor mximo en el pico positivo
para luego disminuir hasta cero donde se queda durante todo el semiciclo
negativo.

V
L
Ideal
t
34V
FIGURA 2.3
Seal de media onda.

La frecuencia de la seal de media onda sigue siendo igual a la frecuencia de la
linea, que es de 60 Hz. Recurdese que el periodo T es igual al recproco de la
frecuencia. En consecuencia, la seal de media onda tiene un periodo de

T = 1 = _1__ = 0.167s = 16.7ms
f 60Hz

Este es el tiempo que transcurre entre el comienzo de un semiciclo positivo y el
comienzo del siguiente semiciclo positivo. Eso es lo que se medira si se
observase una seal de media onda con un osciloscopio.

El rectificador de onda completa
La figura 2.4 muestra un rectificador de onda completa. Ntese la conexin al
centro aterrizada, en el arrollamiento secundario. Debido a esta conexin central,
el circuito es equivalente a dos rectificadores de media onda. El rectificador
superior funciona con el semiciclo positivo del voltaje secundario, mientras que el
rectificador inferior funciona con el semiciclo negativo del voltaje secundario. Es
decir, D1 conduce durante el semiciclo positivo y D2 conduce durante el semiciclo
negativo. As pues, la corriente de carga rectificada circula durante los dos
semiciclos. Adems, esta corriente de carga circula solamente en una direccin.
17

R
L
N
1
: N
2
D
2
D
1
FIGURA 2.4
Rectificador de onda completa

R
L
5 : 1
1N4001
FIGURA 2.5
Ejemplo de un rectificador de onda completa
1N4001
V
2
V
1
120V
60Hz
1k

Por ejemplo, la figura 2.5 muestra un transformadorcon una razn de vueltas de
5:1. El voltaje primario pico sigue siendo:

V
p1
= 120 V = 170V
0.707

El voltaje secundario pico es:

V
p2
= 170 V = 34V
5

18
Por la presencia de la conexin al centro, cada mitad del bobinado secundario
tiene un voltaje sinusoidal con un pico de apenas 17V. Por lo tanto, el voltaje de la
carga tiene un valor pico ideal de solo 17 V en vez de 34V. Esta reduccin en un
factor de 2 es una caracterstica de todos los rectificadores de onda completa. Es
resultado directo del empleo de la conexin aterrizada en el arrollamiento
secundario.

La figura 2.6 contiene el voltaje de la carga. A este tipo de onda se le llama seal
de onda completa. Equivale a invertir los semiciclos negativos de una onda
sinusoidal para obtener semiciclos positivos. Por la ley de Ohm, la corriente de la
carga es una seal de onda completa con un valor pico de:

I
p
= 17 V = 17mA
1 k

V
L
IDEAL
t
17V
FIGURA 2.6
Seal de onda completa

METODOLOGIA

Los alumnos divididos en equipos de trabajo, se distribuirn en las mesas
de trabajo del laboratorio, y debern seguir las indicaciones del profesor, as
como la gua de este manual.


a) Construya el circuito de la figura 2.7, mida el valor de la resistencia y anote su
valor. Ajuste el generador de funciones para una onda senoidal de salida de
1Khz y 8Vpp usando el osciloscopio.

R = ______
19
CA
2K
SI
+
VO
-

Figura 2.7 Rectificador de media onda

b) Conecte el osciloscopio a los terminales del generador, teniendo cuidado que la
tierra del generador y la tierra del osciloscopio estn unidas, y observe la forma
de onda senoidal y grafquela en la figura 2.8, anotandolas sensibilidades horizontal y
vertical.

Time/div = _______ Volt/div = _______

Figura 2.8

c) Determine cual seria la forma de onda del voltaje de salida vo a travs de la
resistencia R y trcela en la figura 2.8.

d) Conecte el osciloscopio a los terminales de R en la figura 2.7 (teniendo
cuidado con los cables de tierra), con el interruptor AC-GND-DC en la
20
posicin DC, previo ajuste de la lnea de cero en el centro de la pantalla
con la posicin GND. Grafique la forma de onda observada en la figura 2.9.

Figura 2.9

e) Calcule y anote el valor de CD del voltaje de salida a travs de la
resistencia R.
V
CD
= _______

f) Mida el voltaje de salida de CD usando la escala DC del MMD y anote este Valor.
V
CD
= _______

Hay diferencia? Explique a que se debe?

g) Cambie la posicin del interruptor AC-GND-DC a la posicin AC Cul es el
efecto en la salida? Te parece que el rea de la curva por debajo de la lnea
central es igual al rea de la curva por encima de la misma?. Discute con los
integrantes de tu equipo el efecto de la posicin AC en formas de onda que
tienen un valor promedio diferente de cero.

21

h) Invierta la posicin del diodo del circuito de la figura 2.7 y grafique la forma de
onda que aparece en la pantalla del osciloscopio (asegrese que el interruptor
AC-GND-DC est en la posicin DC y que la lnea de 0V est preajustada con
la posicin GND) en la figura 2.10 Indique los valores mximos y mnimos.

Figura 2.10

i) Calcule y mida el voltaje de CD de la forma de onda resultante de la figura 2.10
indicando los signos adecuados a la polaridad de referencia

(calculado) V
CD
= ______
( medido ) V
CD
= ______

j)Construya el circuito de la figura 2.11 Mida y registre el valor de R

R = _______

Figura 2.11
22
k) Determine la forma de onda de salida en forma terica y grafquela en la figura
2.12 (un ciclo completo), indicando valores mximos y mnimos.

Figura 2.12

l) Con el osciloscopio observe la onda de salida y grafquela en la figura 2.13 (recuerde
colocar la posicin DC y ajustar la lnea de 0V).

Figura 2.13
23
m) Calcule el voltaje de CD de salida, usando la siguiente ecuacin:

VCD = rea total / 2 = (2Vm - VDx) / 2 = 0.318 Vm - VD / 2

V
CD
= _______

n) Mida el voltaje de salida de CD con el MMD y si existe diferencia, explique a que se
debe.

V
CD
= _______

o) Construya el circuito de la figura 2.14 y registre los valores medidos de las
Resistencias.
R
1
= _______

R
2
= _______

Figura 2.14

p) Determine en forma terica la forma de onda del voltaje de salida y grafique
un ciclo en la figura 2.15, indicando los valores mximos y mnimos.
24

Figura 2.15

q) Con el osciloscopio observe la forma de onda del voltaje de salida, y
dibjela en la figura 2.16. Recuerde colocar la posicin DC y ajustar la lnea de 0V.
Indique sobre la grfica los valores mximos y mnimos.

Figura 2.16
25
r) Invierta los terminales del diodo en el circuito de la figura 2.14 y grafique la forma
de onda resultante observada con el osciloscopio en la figura 2.17.

Figura 2.17

Compare los resultados de las figuras 2.16 y 2.17 y explique el porqu de las
diferencias si las hay.

EJERCICIOS

a) Construya el circuito de la figura 2.18 asegurndose de colocar
correctamente los diodos y que la tierra est como se muestra, si no est seguro
llame a su profesor para una verificacin. Mida y registre el valor de R, mida el voltaje
rms del secundario del transformador con el Multimetro en escala DC y antelo.
R = ________
Vrms = ________
26

Figura 2.18

b) Calcule el valor pico del voltaje secundario usando el valor Vrms anotado
antes. ( Vpico = 1.414 Vrms).
Vpico = ______

c) Suponiendo un voltaje de 0.7V en cada diodo, dibuje como sera la forma de
onda de salida esperada, en la figura 2.19, seleccionando las sensibilidades
horizontal y vertical mas adecuadas de acuerdo al tipo de osciloscopio disponible.

Figura 2.19
27
d) Con el osciloscopio observe la forma de onda obtenida en la salida y
regstrela en la figura 2.20 (recuerde hacer los ajustes previos), indicando los valores
mximos y mnimos.

Figura 2.20

Compare los resultados de las figuras 2.19 y 2.20 y si hay diferencias explique a
que se deben.

e) Calcule el voltaje de CD de la salida del rectificador de onda complete y anote
este valor.
V
CD
= _____

f) Mida el voltaje de CD de la onda de salida con el Multimetro y compare este
valor con el obtenido tericamente.
V
CD
= _____
28

g) Construya el circuito de la figura 2.21. Mida y registre el valor de R, as como
el voltaje rms del secundario del transformador (con el Multmetro en escala de
AC).
R = _____

Vrms = _____

Figura 2.21

h) Determine la forma de onda del voltaje de salida esperada y dibjela en la figura
2.22, seleccionando las sensibilidades horizontal y vertical mas adecuadas,
indique los valores mximos y mnimos.

Figura 2.22
29
i) Con el osciloscopio observe la forma de onda obtenida en la salida y regstrela
en la figura 2.23 (recuerde hacer los ajustes previos), indicando los valores mximos y
mnimos.

Figura 2.23

j) Determine el voltaje de CD de la onda de salida y regstrelo, despus mida el mismo
valor con el Multmetro en escala de DC y regstrelo.

(calculado) V
CD
= _____
( medido ) V
CD
= _____

30

PRACTICA No. 3

Nombre de la practica: Circuitos limitadores y fijadores de nivel

OBJETIVO: Contribuir a desarrollar en el alumno la habilidad para analizar y
disear circuitos limitadores y fijadores de nivel con diodos.

MATERIAL Y EQUIPO REQUERIDO:

1.- OSCILOSCOPIO
3.- GENERADOR DE FUNCIONES
4.- 1 RESISTOR DE 100 ohm
5.- 1 RESISTOR DE 1 K
7.- 1 RESISTOR DE100 K
8.1 DIODO DE SILICIO
9.- 1 DIODO DE GERMANIO
10.- 1 PILA DE 1.5 V.
11.- 1 CAPACITOR DE 1 F

INTRODUCCION

a) Recortadores
Existe una variedad de redes de diodos denominadas recortadores que
tienen la capacidad para "recortar" Una parte de la seal de entrada, sin
distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna. El rectificador de media
onda del tema anterior es un ejemplo de la forma ms sencilla de recortador de
diodo (un resistor y un diodo). Dependiendo de la orientacin del diodo, se
"recorta" la regin positiva o negativa de la seal de entrada.

Son dos las categoras generales de los recortadores: en serie y en
paralelo. La configuracin en serie se define como aquella en la que el diodo est
en serie con la carga, en tanto que la variedad en paralelo tiene el diodo en una
rama paralela a la carga.
31
V
i
0
-V
V V
V
o
Recortadores diodo en
serie
FIGURA 3.2b
V
i
0
-V
V V
V
o
V
i
RL
Recortadores diodo en serie
FIGURA 3.1
V
o

SERIE
La respuesta de la configuracin en serie de la figura 3.1 para una
diversidad de formas de ondas alternas se presenta en la figura 3.2. Aunque se
present primero como un rectificador de media onda (para formas de ondas
senoidales), no hay lmites en relacin con el tipo de seales que pueden
aplicarse a un recortador.

La adicin de una fuente de cd tal como la que se muestra en la figura 3.3
puede tener un pronunciado efecto en la salida de un recortador. Nuestro anlisis
inicial se limitar a diodos ideales, reservando el efecto de V0 para un ejemplo
final.

32
V
i
RL
Recortadores diodo en serie
con fuente de cd.
FIGURA 3.3
V
o
V
V
i
0
T
2
T
V
p

PARALELO
La red de la figura 3.4 es la ms simple de las configuraciones de diodo
en paralelo con la salida para las mismas entradas de la figura 3.3. El anlisis de
las configuraciones en paralelo es muy similar al que se aplica a las
configuraciones en serie, como demuestra el siguiente ejemplo.

V
V
o
Recortadores diodo en
paralelo
FIGURA 3.4
V
i
0
-V
V V
V
o V
i
0
-V
V
V
i
R
V
o
-V
-V

Sujetadores
La red de sujecin es aqulla que sujeta una seal a un diferente nivel de
cd. La red debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo, pero
tambin puede emplear una fuente de cd independiente para introducir un
corrimiento adicional.

33
V
i R
V
o
V
i
0
-V
V
T
2
T
C
Sujetador
FIGURA 3.5

La magnitud R y C debe elegirse de manera tal que la constante de
tiempo = RC sea suficientemente grande para asegurar que el voltaje en el
capacitor no descarge en forma significativa durante el intervalo en el que el diodo
no esta conduciendo.A lo largo del anlisis supondremos que para todos los
propsitos prcticos el capacitor se carga o se descargar por completo en cinco
constante de tiempo.

La red de la figura 3.5 sujetar la seal de entrada en el nivel cero (en el
caso de diodo ideal). El resistor R puede ser el resistor de carga o una
combinacin en paralelo del resistor de carga o una combinacin en paralelo del
resistor de carga y el resistor diseado para proporcionar el nivel deseado de R.

Durante el intervalo 0 T/ 2 la red aparecer como se muestra en la
figura 3.6, con el diodo en el estado de corto circuito quitando el efecto del
resistor R. La constante de tiempo RC resultante es tan pequea (la resistencia
inherente de la red determina el valor de R) que el capacitor se cargar
rpidamente hasta V volt. Durante este intervalo el voltaje de salida est
directamente a travs del corto circuito y V
o
= 0V.

Cuando la entrada cambia el estado V, la red ser como se muestra en la figura
3.7, con el equivalente en circuito abierto para el diodo determinado por la seal
aplicada y el voltaje almacenado en el capacitor (ambos "fuerzan" la corriente a
travs del diodo de nodo a ctodo). Ahora que R se encuentra de nuevo en la
red, la constante de tiempo determinada por el producto RC es lo bastante grande
34
para establecer un periodo de descarga 5 mucho mayor que el periodo T/2 T y
puede suponerse en forma aproximada que el capacitor sostiene toda su carga y,
por tanto, su voltaje (puesto que V = Q/C) durante este periodo.
R
V
o
C
V
Sujetador
FIGURA 3.6
V
V R
V
o
C
V
o
Sujetador
FIGURA 3.7
V

Como Vo est en paralelo con el diodo y el resistor, puede tambin
dibujarse en la posicin alterna que se muestra en la figura 1.41. La aplicacin de
la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada dar como
resultado:
-V -V - Vo = 0
y Vo = -2V

El signo negativo se debe al hecho de que la polaridad de 2 V es opuesta
a la definida para Vo. La forma de onda de salida resultante aparece en la figura
1.42 con la seal de entrada. La seal de salida se sujeta a 0 V en el intervalo de
0 a T/2, pero mantiene la misma excursin total (2V) que la entrada.

En las redes de sujecin, la excursin total de la salida es igual a la
excursin total de la seal de entrada. Este hecho constituye una excelente
herramienta de verificacin del resultado obtenido.En general, los siguientes
comentarios pueden resultar tiles cuando se analizan redes de sujecin:

35
METODOLOGIA

de trabajo del laboratorio, y debern seguir las indicaciones del profesor, as como
la gua de este manual.

DESARROLLO DE LA PRACTICA

Parte 1 Circuitos Limitadores

a) Construya el circuito de la figura 3.8. Mida y registre el valor de la resistencia
R y el voltaje de la pila, ajuste la salida del generador de funciones para una
seal de onda cuadrada de 8Vpp con una frecuencia de 1000 Hz.
R = _______
V(pila) = _______

Figura 3.8

b) Para el primer semiperodo de la seal de entrada, calcule el voltaje de salida Vo
es decir cuando el voltaje de entrada vale +4V.

Vo = _____

c) Repita el inciso b) para el valor de la onda de entrada de -4V.

Vo = ____

36
d) Usando los resultados de los incisos b) y c) dibuje la forma de onda del voltaje de
salida Vo con el eje central como lnea de cero volts, en la figura 3.9; anotando las
sensibilidades seleccionadas.

Time / div = ______
Volt / div =

Figura 3.9

e) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito de la figura 3.8,
asegurndose de hacer los ajustes necesarios y de usar las mismas sensibilidades
del inciso anterior, y dibuje la forma de onda observada en la pantalla en la figura
3.10.
37

Figura 3.10

Compare los resultados de los incisos d) y e) y haga sus comentarios:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________

f) Invierta la polaridad de la batera en el circuito de la figura 3.8 y calcule Vo cuando
la onda cuadrada aplicada vale +4V.

Vo = _______

g) Repita el clculo de Vo cuando la entrada aplicada vale -4V

Vo = _______

h) Usando los resultados de los incisos f) y g) , dibuje la forma de onda esperada
para Vo en la figura 3.11, utilizando las mismas sensibilidades del inciso d).
38

Figura 3.11

i) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito de la figura 3.8,
asegurndose de hacer los ajustes necesarios y de usar las mismas sensibilidades
del inciso anterior, y dibuje la forma de onda observada en la pantalla en la figura
3.12.

Figura 3.12

39
Compare los resultados de los dos ltimos incisos y haga sus comentarios

LIMITADORES EN PARALELO

a) Construya el circuito de la figura 3.13, mida y registre el valor de R, note que la
entrada es ahora una onda cuadrada de 4 Vpp a 1000 Hz.

R = _______

Figura 3.13

b) Calcule el valor de Vo, cuando el nivel de la onda cuadrada de entrada es +2V.
Vo = _____

c) Repita el inciso anterior, cuando la onda de entrada vale -2V.

Vo = _____

d) Usando los resultados de los incisos previos bosqueje la forma de onda que
resultara en la figura 3.14, anotando las sensibilidades escogidas.

Time / div = ______
Volt / div = ______
40

Figura 3.14

e) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito de la figura 3.13, usando las
sensibilidades seleccionadas en el inciso anterior y dibuje la forma de onda mostrada
en la pantalla en la figura 3.15.

Figura 3.15
41
Compare los resultados de los incisos previos y haga sus comentarios

ENTRADA SENOIDAL

a) Reconstruya el circuito de la figura 3.8 y ajuste la salida del generador para una
onda senoidal de 8Vpp y 1000Hz.

b) Usando el mismo procedimiento dibuje la forma de onda esperada para Vo en la
figura 3.16, calculando valores de Vo para los valores de entrada indicados.

Figura 3.16

Para Vi = +4V; Vo = _____
Para Vi = -4V; Vo = _____
Para Vi = 0V ; Vo = _____
Time / div = _____
Volt / div = _____
42
c) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito reconstruido y dibuje la forma de
onda mostrada en la pantalla, en la figura 3.17.

Figura 3.17

Compare los resultados obtenidos y saque sus propias conclusiones.

CIRCUITOS FIJADORES DE NIVEL

a) Construya el circuito de la figura 3.18, mida y registre el valor de R.

R = ______

Figura 3.18
43
b) Calcule Vc y Vo para el intervalo de Vi en que el diodo puede conducir.

Vc = ______
Vo = ______

c) Usando los resultados anteriores, calcule el nivel de Vo despus que Vi cambia de
valor y el diodo no puede conducir.

Vo = ______

f) Usando los resultados de los incisos b) y c) bosqueje la forma de onda
que resultara en la figura 3.19, anotando las sensibilidades escogidas.

Time / div = ______
Volt / div = ______

Figura 3.19

g) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito de la figura 6.11, usando las
sensibilidades seleccionadas en el inciso anterior y dibuje la forma de onda
mostrada en la pantalla en la 3.20.
44

Figura 3.20

Compare los resultados de los incisos previos y saque sus conclusiones:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________

h) Invierta los terminales del diodo del circuito de la figura 3.18 y calcule los
niveles de Vc y Vo para el intervalo de Vi en que el diodo puede conducir.

Vc = ______ Vo = ______

i) Usando los resultados anteriores, calcule el nivel de Vo despus que Vi cambia de

Vo = ______

j) Usando los resultados de los incisos h) e i) bosqueje la forma de onda

Time / div = ______
Volt / div = ______
45

Figura 3.21

k) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito de la figura 3.18, usando las
mostrada en la pantalla en la figura 3.22.

Figura 3.22
46
l) Construya el circuito de la figura 3.23 y anote los valores medidos de R y E.
R = _______ E = _______

Figura 3.23

m) Calcule Vc y Vo para el intervalo de Vi en que el diodo puede conducir.

Vc = ______
Vo = ______

n) Usando los resultados anteriores, calcule el nivel de Vo despus que Vi cambia de

Vo = ______

o) Usando los resultados de los incisos m) y n) bosqueje la forma de onda

Time / div = ______
Volt / div = ______
47

Figura 3.24

p) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito de la figura 3.23, usando las
mostrada en la pantalla en la figura 6.18.

Figura 3.25
48
q) Invierta los terminales del diodo del circuito de la figura 3.23 y calcule los
niveles de Vc y Vo para el intervalo de Vi en que el diodo puede conducir.
Vc = ______ Vo = ______

r) Usando los resultados anteriores, calcule el nivel de Vo despus que Vi cambia de

Vo = ______

s) Usando los resultados de los incisos q) y r) bosqueje la forma de onda

Time / div = ______
Volt / div = ______

Figura 3.26
49
t) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito reconstruido de la figura 3.23,
usando las sensibilidades seleccionadas en el inciso anterior y dibuje la forma de
onda mostrada en la pantalla en la figura 3.27.

Figura 3.27

FIJADOR DE NIVEL CON ENTRADA SENOIDAL

a) En el circuito de la figura 3.23 cambie la salida del generador de funciones a
una onda senoidal de 8Vpp y una frecuencia de 1000 Hz.

b) Calcule Vc y Vo para el intervalo de Vi en que el diodo puede conducir.
Vc = ______ Vo = ______

c) Usando los resultados anteriores, calcule el nivel de Vo despus que Vi cambia
de valor y el diodo no puede conducir.

Vo = ______
50
d) Dibuje la forma de onda esperada para Vo en la figura 3.28, calculando
valores de Vo para los valores de entrada indicados.

Figura 3.28

Para Vi = +4V; Vo = _____
Para Vi = -4V; Vo = _____
Para Vi = 0V ; Vo = _____

Time / div = _____
Volt / div = _____

e) Conecte el osciloscopio a la salida del circuito reconstruido de la figura 3.23,
usando las sensibilidades seleccionadas en el inciso anterior y dibuje la forma de
onda mostrada en la pantalla en la figura 3.29.
51

Figura 3.29

f) Cambie el valor de R en el circuito de la figura 3.23 por una de 1 K y observe el
efecto en la pantalla del osciloscopio. Cmo puede explicar esto?

g) Repita lo mismo pero con una resistencia de 100 ohm. Comente los
resultados obtenidos y saque una conclusin.

CONCLUSIONES:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
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______________________________________________________________________
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BIBLIOGRAFIA

52

PRACTICA No. 4

Nombre de la Prctica: Regulador de voltaje con diodo zener.
Objetivo: El alumno manejar circuitos reguladores de voltaje con diodo Zener en
forma experimental


1.- FUENTE DE ALIMENTACIN DE CD MULTIMETRO DIGITAL
2.-1 RESISTOR DE 100
5.-1 RESISTORES DE 2.2 K
6.-1 RESISTOR DE 3.3 K
7.- 1 DIODO ZENER DE 10V
8.- PROTOBOARD

INTRODUCCION.

Los diodos rectificadores y los diodos para seales pequeas nunca se
emplean intencionadamente en la regin de rompimiento, ya que esto podra
daarlos. Un diodo Zener es diferente; se trata de un diodo de silicio que se ha
diseado para que opere en la regin de rompimiento. En otras palabras, a
diferencia de los diodos ordinarios que nunca trabajan en la regin de
rompimiento, los diodos Zener funcionan mejor en la regin de rompimiento.
Llamado a veces diodo de rompimiento, el diodo Zener es la esencia de los
reguladores de voltaje, los cuales son circuitos que mantienen el voltaje casi
constante sin importar que se presenten grandes variaciones en el voltaje de
lnea y la resistencia de carga.

Grfica I-V
La figura 4.1a muestra el smbolo de un diodo Zener; la figura 4.1b es otra
opcin. En cualquiera de los dos smbolos, las lneas recuerdan la letra 'Z",
smbolo de Zener. Variando el nivel de impurificacin de los diodos de silicio, el
fabricante puede producir diodos Zener con voltajes de rompimiento que van
53
desde 2 hasta 200 V. Estos diodos pueden operar en cualquiera de las tres
regiones: directa, de fuga y rompimiento.

FIGURA 4.1a
Diodo Zener Smbolo
FIGURA 4.1b
Diodo Zener Smbolo alternativo
FIGURA 4.1c
Curva del diodo Zener
I
V
-I
ZT
-I
ZM
-VZ

La figura 4.1c muestra la grfica I-V de un diodo Zener. En la regin directa,
comienza a conducir aproximadamente a los 0.7 V, igual que un diodo ordinario
de silicio. En la regin de fuga (entre cero y el rompimiento) exhibe solamente una
pequea corriente inversa. En un diodo Zener, el rompimiento tiene una rodilla
muy pronunciada, seguida de un aumento casi vertical en la corriente. Ntese
bien que el voltaje es casi constante, aproximadamente igual a Vz en l a mayor
parte de la regin de rompimiento. En las hojas de datos usualmente se indica el
valor de Vz para un valor particular de la corriente de prueba IZT.

No permita que lo confunda el signo menos. Los signos menos tienen que
incluirse en las grficas porque en ellas se muestran al mismo tiempo los valores
para polarizacin directa e inversa. Pero no es necesario emplear signos menos
en otros contextos si su significado es claro sin ellos. Por ejemplo, es preferible
decir que un diodo Zener tiene un voltaje de rompimiento de 10 V, en vez de decir
que tiene un voltaje de rompimiento de -10 V. Cualquiera que sepa cmo funciona
un diodo Zener ya debe saber que tiene que estar polarizado inversamente. Un
matemtico puro preferira decir que un diodo Zener tiene un voltaje de
rompimiento de -10 V, pero un ingeniero o un tcnico preferiran decir que el diodo
tiene un voltaje de rompimiento de 10 V.

Como todo diodo tiene cierta resistencia de estructura en sus regiones p y
n, la corriente en un diodo Zener produce una pequea caida de voltaje adems
54
del voltaje de rompimiento. Para decirlo en otra forma: si un diodo Zener est
operando en la regin de rompimiento de la figura 1-50c, un aumento en la
corriente producir un ligero aumento en el voltaje. El incremento es muy
pequeo, generalmente de unas dcimas de volt. Esto puede ser muy importante
en el diseo, pero no en la deteccin de fallas ni en los anlisis preliminares. A
menos que se indique otra cosa, en nuestras discusiones se har caso omiso de
la resistencia Zener.

55
METODOLOGIA

de trabajo del laboratorio, as como la gua de este manual.


a) Construya el circuito de la figura 4.2 inicialmente ajuste la fuente de CD a 0 V y
registre le valor medido de R.

R = ______

Figura 4.2

b) Ajuste los valores de la fuente de CD (E) a los valores que aparecen en la tabla 4.1
y mida ambos valores VZ y VR. Use el rango de milivolts del multmetro para valores
bajos de VZ y VR.

E(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
VZ(V)
VR(V)
IZ=VR/R medida (mA)

Tabla 4.1

c) Calcule la corriente Zener IZ en mA para cada nivel de E usando la ley de Ohm
segn se indica en el rengln inferior de la tabla 4.1 y completela.

d) En este inciso se desarrollar la curva caracterstica del diodo Zener. Debido a
que la regin Zener est en el tercer cuadrante coloque un signo menos al frente
de cada nivel de Iz y Vz para cada dato. Construya la grafica con los datos
de la tabla 4.1 en la figura 4.3 seleccionando la escala apropiada para Iz y Vz.
56

Figura 4.3

e) Para el rango de corrientes medibles Iz en la parte mas lineal de la regin
Cul es el valor promedio de Vz? En otras palabras, para todos los propsitosrcticos
Cunto vale Vz para este diodo Zener?

Vz= ________
f) Para el rango de corrientes medibles Iz en la regin lineal, estime la
resistencia promedio del diodo Zener usando: rz avg = Vz/ Iz donde Vz es el
cambio en el voltaje Zener para el correspondiente cambio en la corriente Zener. Si es
necesario use los datos de la tabla 4.1

Rz= ________

g) Para la regin de Vz e Iz igual a 0 hasta el punto donde la caracterstica se vuelve
lineal calcule la resistencia del diodo Zener usando la ecuacin del inciso
anterior.

Rz= ________
Elaborado por: M.C. Silvia Patricia Gutirrez Fonseca
h) Es el nivel calculado de resistencia igual al esperado par la regin en la cul el
diodo Zener no conduce? Cul sera una aproximacin apropiada para el diodo
Zener en sta regin?

i) Usando los resultados de los incisos e y f, establezca el modelo
equivalente para el diodo Zener de la figura 4.4. Es decir; inserte los valores de Rz
y Vz.

Rz = ______ Vz = ______

Figura 4.4

e) Construye el circuito de la figura 4.5 mida y registre el valor de cada resistor
R= ________ RL= ________

Figura 4.5

f) Determine si el diodo Zener de la figura se encuentra en estado de
conduccin es decir; en la regin de ruptura Zener. Use los valores medidos de
ambos resistores y el valor para Vz determinado en el inciso e). Ignore los
efectos de Rz en los clculos. Si el diodo se encuentra en estado de conduccin
calcule los valores esperados de VL, VR, IR, IL e Iz, anote todos los clculos.

VL= ________ VR= ________ IR= ________ IL= ________ Iz= ________

g) Energice el circuito de la figura 4.5 y mida con el Multimetro. VL y VR usando estos
valores calcule los niveles de IR, IL y Iz

VL= ________VR= ________ IR= ________ IL= ________ Iz= ________
h) Cambie la resistencia RL a 3.3 K y repita el inciso f, es decir; calcule los niveles
esperados de VL, VR, IR, IL e Iz.
VL= ________VR= ________ IR= ________ IL= ________ Iz= ________
i) Energice el circuito de la figura 4.5 con RL a 3.3 K y mida con el multmetro VL y
VR usando estos valores calcule los niveles de IR, IL y Iz.

VL= ________VR= ________ IR= ________ IL= ________ Iz= ________
j) Usando el valor medio de R y de Vz determine el valor mnimo de RL requerido
para garantizar que el diodo Zener est encendido.

RL min= ________
k) Basndose en el resultado del inciso anterior Colocar un resistor de carga RL
igual a 2.2 K al diodo Zener en el estado de conduccin? Inserte una RL igual a 2.2
K en el circuito de la figura 4.5 y mida con el multmetro el valor de VL
VL= ________

Compare los resultados de los ltimos dos incisos y saque sus
conclusiones.

CONCLUSIONES:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
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BIBLIOGRAFIA

PRACTICA No. 5

Nombre de la Prctica: Circuitos de polarizacin del transistor BJT.
Objetivo: Determinar en forma experimental las corrientes y voltajes del punto
de operacin de diferentes circuitos de polarizacin de transistores BJT.


7.-3 TRANSISTOR BJT
8.- PROTOBOARD

INTRODUCCION.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas compuesto ya
sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p
y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo
recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 5.1 con la
polarizacin de cd adecuada. La impurificacin de la capa emparedada es
tambin considerablemente menor que la de las capas exteriores (por lo general
de 10:1 o menos). Este menor nivel de impurificacin reduce la conductividad
(incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores
"libres".

p p n
V
EB
V
CB
E
C
B
0.150 in
0.001 in
n n p
V
EB
V
CB
E
C
B
0.150 in
0.001 in
Tipo de transistor pnp
FIGURA 5.1a
Tipo de transistor npn
FIGURA 5.1b

En la polarizacin que se muestra en la figura 5.1, las terminales se han indicado
mediante letras maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base.
Una justificacin respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando
estudiemos la operacin bsica del transistor.

La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se
aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el
hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en
el material polarizado opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea
(electrn o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar. Recurdese que el
diodo Schottky es un dispositivo de este tipo.

Operacin del transistor
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp
de la figura 5.1a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se
intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos.

En la figura 5.2 se ha redibujado el transistor sin la polarizacin base a colector.
Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado
directamente. El ancho de la regin de vaciamiento se ha reducido debido a la
polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios
del material tipo p al tipo n.

Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura
5.1a como se indica en la figura 5.3. Considrense las similitudes entre esta
situacin y la del diodo polarizado inversamente. Recurdese que el flujo de
portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de
portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 5.3.

p p n
V
EB
E
B
+ Portadores
mayoritarios
Regin de
vaciamiento
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+ +
Unin polarizada directamente
de un transistor pnp.
FIGURA 5.2
n
V
CB
C
B
+ Portadores
minoritarios
Regin de
vaciamiento
+
p p
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
Unin polarizada inversamente
de un transistor pnp.
FIGURA 5.3

En resumen, por tanto, una unin p-n de un transistor est polarizada
inversamente, en tanto que la otra presenta presenta polarizacin directa.
METODOLOGIA



a) Construya el circuito de la figura 5.4 y determine para el anlisis de c.d.: I
B
, I
C
, I
E
,
V
CE
, V
E
, V
C
, V
B
. Considere una beta de 90.

Figura 5.4

Variable Calculada Medicin
I
B

I
C

I
E

V
CE

V
E

V
C

V
B

20 vdc
470kO 2.7kO
b) Construya el circuito de la figura 5.5 y determine para el anlisis de c.d.: I
B
, I
C
, I
E
,
V
CE
, V
E
, V
C
, V
B
.

Figura 5.5

I
B

I
C

I
E

V
CE

V
E

V
C

V
B

20 vdc
270kO
3.3kO
1.2kO
Beta=100

c) Construya el circuito de la figura 5.6 y determine para el anlisis de c.d.: I
B
, I
C
, I
E
,
V
CE
, V
E
, V
C
, V
B
.

Figura 5.6

I
B

I
C

I
E

V
CE

V
E

V
C

V
B

18VDC
47kO
6.1kO
1.2kO
10kO
B = 100

Compare los resultados obtenidos y obtenga sus conclusiones de aprendizaje.

CONCLUSIONES:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
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______________________________________________________________________
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BIBLIOGRAFIA:

PRACTICA No. 6

Nombre de la Prctica: Circuitos de polarizacin del transistor FET.
Objetivo: Determinar en forma experimental las corrientes y voltajes del punto
de operacin de diferentes circuitos de polarizacin de transistores FET.


7.-3 TRANSISTOR FET
8.- PROTOBOARD

INTRODUCCION.

El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en ingles de Field Effect
Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones
diversas muy similares a las del transistor BJT. El FET es un dispositivo
controlado por voltaje ya que la corriente I
D
est en funcin del voltaje V
GS

aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura 6.1.

I
D
FET
+
-
(Voltaje de
control)VGS
Figura 6.1
FET controlado por
voltaje
Se observa que la corriente del circuito de salida esta controlado por un
parmetro del circuito de entrada: el voltaje aplicado.

Existen transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es
importante considerar que el FET es un dispositivo unipolar que depende
nicamente de la conduccin o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-
p).

El termino "efecto de campo" merece cierta explicacin. Se conoce la capacidad
de un imn permanente para atraer limaduras de metal hacia el imn sin la
necesidad de un contacto real. El campo magntico del imn permanente
envuelve las limaduras y las atrae al imn por medio de un esfuerzo por parte de
las lneas de flujo magntico con objeto de que sean lo ms cortas posibles. Para
el FET un campo elctrico se establece mediante las cargas presentes que
controlarn la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin la necesidad de
un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas.

La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura 6.2.
Obsrvese que la mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma
el canal entre las capas interiores del material de tipo p. La parte superior del
canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto hmico a la
terminal referida como el drenaje (D), mientras que el extremo inferior del mismo
material se conecta por medio de un contacto hmico a una terminal referida
como la fuente (S) (por su sigla en ingls, Source). Los dos materiales de tipo p
se encuentran conectados entre s y tambin a una terminal de compuerta (G)
(por la sigla en ingls de Gate). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan
conectadas a los extremos del canal de tipo n y la entrada a las dos capas de
material tipo p. Durante la ausencia de cualesquiera potenciales aplicados el
JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una
regin de agotamiento en cada unin, como se muestra en la figura 6.2, la cual se
asemeja a la regin de un diodo sin polarizacin. Recuerde tambin que la regin
de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto,
incapaz de soportar la conduccin a travs de la regin.

METODOLOGIA


n p p
Drenaje
(D)
Compuerta
(G)
Fuente
(S)
Canal n
Contactos
hmicos
Regin de
agotamiento
Figura 6.2
Transistor de efecto de campo de unin (JFET),
canal n

a) Construya el circuito de la figura 6.3 y determine para el anlisis de c.d.: V
GS
, I
D
, V
D
,
V
DS
.

Figura 6.3

V
GS

I
D

V
D

V
DS

20V
3.3 KO
1 KO 1MO
ID
+
-
RS
IDSS = 8ma
Vp =-6v
Analice los resultados obtenidos y obtenga sus conclusiones de aprendizaje.

CONCLUSIONES:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
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BIBLIOGRAFIA:

PRACTICA No. 7

Nombre de la Prctica: Diseo de amplificadores con transistores BJT y FET.
Objetivo: El alumno desarrollar la habilidad para construir amplificadores con
transistores BJT y FET.


7.-3 TRANSISTOR FET y BJT
8.- PROTOBOARD

INTRODUCCION.

Modelo h
Iniciaremos la descripcin del modelo equivalente hibrido con el sistema general
de dos puertos que se muestra en la figura 4.1. El conjunto de ecuaciones que se
muestra es solo una de las muchas formas en que se pueden relacionar las
cuatro variables de la figura 7.1. Sin embargo es el que ms se utiliza en el
anlisis de circuitos con transistores.

V
i
= h
11
I
i
+ h
12
V
o

I
o
= h
21
I
i
+ h
22
V
o

I
i
I
o
+
-
+
-
V
i
V
o
Figura 7.1
Sistema de dos puertos

Los parametros que relacionan las cuatro variables son llamados parmetros h,
por la palabra hbrido. Se eligi este trmino debido a que las variables V e I en
cada ecuacin ocasionan un conjunto hbrido de unidades de medicin para los
parmetros h. Se puede entender mejor lo que representan los diversos
parmetros h y cmo puede determinarse su magnitud mediante el aislamiento de
cada uno examinando la relacin resultante.
Si de forma arbitraria se hace V
o
= 0 (poniendo en corto circuito las terminales de
salida), al resolver para h
11
se obtiene lo siguiente:

h
11
= V
i
/ I
i
|
Vo = 0
ohms

Esta relacin indica que el parmetro h
11
es un parmetro de impedancia con las
unidades de ohms. Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre
la corriente de entrada estando en corto circuito las terminales de salida, se llama
parmetro de impedancia de entrada a corto circuito. El subndice 11 en h
11
,
indica el hecho de que el parmetro se calcul mediante un cociente de
cantidades medido en las terminales de entrada.

Si se hace I
i
igual a cero abriendo las terminales de entrada, se obtendr lo
siguiente para h
l2
:

h
12
= V
i
/ V
o
|
Ii = 0
sin unidad

Por tanto, el parmetro h
12
es el cociente entre el voltaje de entrada y el voltaje de
salida con la corriente de entrada igual a cero. No tiene unidades, ya que se trata
de un cociente entre los valores de los voltajes, y se llama parmetro de relacin
de voltaje de transferencia inversa a circuito abierto. El subndice 12 de h
12
revela
que el parmetro es una cantidad de transferencia calculada mediante un
cociente entre mediciones de entrada y de salida. El primer dgito del subndice
indica la cantidad medida que aparece en el numerador, el segundo dgito define
la fuente de la cantidad que aparece en el denominador. Se incluye el trmino
inverso porque el cociente es un voltaje de entrada sobre un voltaje de salida en
vez del cociente inverso que por general es interesante.

Si en la segunda ecuacin, V
o
se hace cero una vez ms mediante el corto
circuito de las terminales de salida, se obtendra lo siguiente para h
12
:

h
21
= I
o
/ I
i
|
Vo = 0
sin unidad
Obsrvese que ahora se cuenta con el cociente de una cantidad de salida a una
cantidad de entrada. Ahora se utilizar el trmino directo en lugar de inverso como
se aplic para h
21
. El parmetro h
21
es la relacin de la corriente de salida a la
corriente de entrada con las terminales de salida en corto circuito. Este parmetro,
as como h
12
no tiene unidades debido a que se trata del cociente entre valores de
corriente. De manera formal se Ilama parmetro de la relacin de transferencia
directa de corriente a corto circuito. El subndice 21 indica una vez ms que se
trata de un parmetro de transferencia estando la cantidad de salida en el
numerador y la cantidad de entrada en el denominador.

El 1timo parmetro, h
22
, se puede encontrar una vez ms al abrir las terminales
de entrada para hacer I
i
= 0 y resolviendo h
22
en la segunda ecuacin:

h
22
= I
o
/ V
o
|
Ii = 0
siemens

Debido a que se trata de la relacin de la corriente de salida al voltaje de salida, el
parmetro de conductancia de salida se mide en siemens (S). Se llama parmetro
de admitancia de salida a circuito abierto. El subndice 22 indica que se calcul
mediante el cociente de cantidades de salida.

Ya que cada trmino de la primera ecuacin tiene la unidad volt, se aplicar la ley
de voltaje de Kirchhoff "hacia atrs" para encontrar un circuito que se "acomode"
en la ecuacin. Llevando a cabo esta operacin se obtiene el circuito de la figura
7.2. Debido a que el parmetro h
11
tiene la unidad ohm, ste se representa
mediante un resistor en la figura 4.2. La cantidad h
12
es adimensional y por tanto
aparece simplemente como un factor de multiplicacin del trmino de
"retroalimentacin" en el circuito de entrada.

h
11
h
12
V
o
+
-
V
i
I
i
Figura 7.2
Circuito equivalente
hbrido de entrada

Debido a que cada trmino de la segunda ecuacin tiene las unidades de
corriente, se aplicar la ley de corriente de Kirchhoff "hacia atrs" para lograr el
circuito de la figura 4.3. Debido a que h
22
tiene las unidades de admitancia, las
cuales representan la conductancia en el modelo del transistor, se representa
mediante un smbolo del resistor. Sin embargo, se debe considerar que la
resistencia en ohms de este resistor es igual al recproco de la conductancia
(1/h
22
)

El circuito equivalente en corriente alterna completo para el dispositivo lineal
bsico de tres terminales se observa en la figura 4.4 junto con un nuevo conjunto
de subndices para los parmetros h. La notacin de la figura 4.4 es de una
naturaleza ms prctica porque relaciona los parmetros h con el cociente
resultante que se obtuvo anteriormente. La eleccin de las literales es obvia a
partir del siguiente listado:

h
11
= resistencia de entrada (input) h
i

h
12
= relacin de voltaje de transferencia inversa (reverse) h
r
h
21
= relacin de corriente de transferencia directa (forward) h
f

h
22
= conductancia de salida (output) h
o

h
11
+
-
V
o
I
o
Figura 7.3
Circuito equivalente
hbrido de salida
h
21
I
i

h
i
h
r
V
o
+
-
V
i
I
i
Figura 7.4
Circuito equivalente hbrido completo
h
o
+
-
V
o
I
o
h
f
I
i

METODOLOGIA



a) Construya el circuito de la figura 7.5 y determine para el anlisis de c.a.: Z
i
, Z
o
, A
V
.

Figura 7.5

20 vdc
270kO
3.3kO
1.2kO
Beta=100
CA
10 F
VO
10 F
40 F
b) Dibuje las formas de onda de entrada y salida obtenidas al implementar el
circuito anterior.

Figura 7.6

c) Construya el circuito de la figura 7.7 y determine para el anlisis de c.a.: Z
i
, Z
o
, A
V
.

Figura 7.7

20V
3.3 KO
1 KO 1MO
ID
+
-
RS
IDSS = 8ma
Vp =-6v
CA
10 F
VO
10 F
40 F
d) Dibuje las formas de onda de entrada y salida obtenidas al implementar el
circuito anterior.

Figura 7.8

Analice los resultados obtenidos y obtenga sus conclusiones de aprendizaje.

CONCLUSIONES:
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
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BIBLIOGRAFIA:

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