Fuente transistorizada.

Arias Danilo, Ramirez Pablo, Tolosa Jose Fundacin Universitaria Los Libertadores

Resumen: este informe tiene como objetivo el diseo de una fuente transistorizada con diodo zener, partiendo desde los parmetros establecidos, sus clculos, simulacin y por ultimo su respectiva medicin y registro fotogrfico. Palabras clave: transistor, diodo zener, resistencias, potencia, voltaje y corriente. Abstract: This report aims to design a transistor with zener diode source, starting from the parameters, their calculations, simulation and finally the respective measurement and photographic record. Keywords: transistor, zener diode, power, voltage and current. resistors,

para mantener un voltaje fijo sobre esta ltima. Analizar las corrientes que atraviesan cada uno de los componentes para as mismo calcular la potencia necesaria que necesitan.

III . Diseo.
Como se dijo anteriormente este es un circuito que permitir sobre su salida mantener un voltaje de 4.4 V y 4 amperios sobre la resistencia de carga. El diseo consiste en hallar cada una de las resistencias que posee este circuito y la potencia que disipara cada uno de los dispositivos que componen a este circuito. En la siguiente figura (figura 1) se encontrara el circuito que se diseara:

I . introduccin.
En este informe se encuentra el diseo de una fuente de voltaje que a la salida nos entregara un voltaje fijo de 4,4 voltios y una corriente de 4 amperios. La primera parte de este texto encontramos los objetivos propuestos, seguido por sus respectivos clculos matemticos, encontrando as los diagramas elctricos del circuito con su respectiva simulacin, un registro fotogrfico de lo observado fsicamente, una tabla de valores para comparar y por ltimo la conclusin o conclusiones a las que se llego.

II . Objetivos.
Objetivo general: Disear una fuente con carga fija utilizando un transistor NPN en polarizacin por divisin de voltaje con un diodo Zener para regular la tensin sobre la carga. Objetivos especficos: Calcular los valores necesarios en resistencias y tensiones sobre carga

Figura 1. Y tenemos los siguientes parmetros: Voltaje de entrada V1: 12v Corriente de salida Io=4 A

Voltaje zener Vz=5,1v Potencia zener Pz=1W Beta del transistor =80 Con todo esto empezamos a realizar los respectivos clculos. -Corriente diodo zener: P=V*I I=P/V Izmax=1W/5.1V=196mA Iz=Izmax*60%=196mA*60% Iz:117mA

IV . Simulacin.

-Corriente de base del transistor: Ib=Io/B Ib=4 A/80 Ib=50mA -voltaje de salida: Vo=Vz-Vbe Vo=5.1 v 0.7 v =4.4

V . Registro fotogrfico.

-corriente en la resistencia 1: IR1=Iz + Ib IR1= 117mA +50mA IR1=167 mA Teniendo todo esto pasamos a hallar las resistencias R1 y R2: R1=Vi-Vz/IR1 R1=12 v 4.4 V/167mA R1=45 ohm a 1.2 Wa R2=4.4 v / 4 A R2= 1.1 ohm a 17 W

La no precisin del valor en el montaje de los componentes en especial de las resistencias genero inconvenientes en las mediciones.

Se debi realizar la conexin del Transistor fuera de la protoboard ya que el cable que se estaba utilizando para extender los buses era muy delgado y estaba generando resistencia, se realizo la conexin con caimanes obteniendo medidas mas cercanas , sin embargo en las mediciones tomadas sobre los caimanes que fueron conectados al transistor se encontr una perdida aproximadamente de 1 Voltio. Se evidencio que luego de varios minutos de estar encendida la fuente el amperaje requerido hacia la fuente de voltaje disminuyo , esto debido a el calentamiento de los componentes (causa variacin en el beta del transistor) Valor Tomado (real) 6,38 V 4,1 V 7,9 V

VI . Tabla de datos.

Valor Terico R1 R2 Q1 6,4 V 4,4 V 8,1 V

Valor simulacin 6,37 V 4,36 V 8,34 V

VIII .

ANEXOS

Valor Terico R1 R2 Dz 167 mA 04:00 a.m. 117 mA

Valor simulacin 182 mA 3,9 A 123 mA

Valor Tomado (real) 162 mA 3,76 A 112,8 mA

1. Data Sheets 2. Simulaciones 3. Clculos revisados por el docente

IX . BIBLIOGFRAFIA

VII .

Conclusin.

MALVINO, Albert Paul. Principios de Electronica , 3ra Edicion en espaol, pag 888897. Mac Graw Hill RASHID, Muhammad. Circuitos Microelectrnicos, anlisis y diseo. Editores Thomson

Los objetivos planteados se cumplieron, adems se identificaron falencias sobre el diseo de circuitos. Para el diseo de la fuente transistorizada se debe tener en cuenta el Beta del transistor con el cual trabajamos, as como tambin la potencia que nos va a disipar.

Simulacin