1. Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre? a. 1 b. 4 c. 18 d. 29 2. La carga resultante de un tomo neutro de cobre es a. 0 b. +1 c. -1 d. +4 3.

Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de valencia, la carga resultante vale: a. 0 b. +1 c. -1 d. +4 4. La atraccin que experimenta hacia el ncleo el electrn de valencia de un tomo de cobre es: a. Ninguna b. Dbil c. Fuerte d. Imposible de describir 5. Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio? a. 0 b. 1 c. 2 d. 4

6. El semiconductor mas empleado es: a. Cobre b. Germanio c. Silicio d. Ninguno de los anteriores 7. Qu numero de protones posee un tomo de silicio? a. 4 b. 14 c. 29 d. 32 8. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de: a. Enlace covalente b. Cristal c. Semiconductor d. Orbital de valencia 9. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por: a. El dopaje b. Electrones libres c. Energa trmica d. Electrones de valencia 10.Cada electrn de valencia en un semiconductor intrnseco establece un: a. Enlace covalente b. Electrn libre c. Hueco d. Recombinacin 11.La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de: a. Enlace covalente b. Tiempo de vida c. Recombinacin

d. Energa Trmica 12.A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como: a. Una batera b. Un conductor c. Un aislante d. Un hilo de cobre 13.El tiempo que transcurre entre la creacin de un hueco y su desaparicin se conoce como: a. Dopaje b. Tiempo de vida c. Recombinacin d. Valencia 14.Al electrn de valencia de un conductor se le denomina tambin por: a. Electrn ligado b. Electrn libre c. Ncleo d. Protn 15.Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un conductor? a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 16.Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor? a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 17.Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los huecos circulan: a. Distancindose del potencial negativo b. Hacia el potencial positivo c. En el circuito externo

d. Ninguna de las anteriores 18.Cuntos huecos presenta un conductor? a. Muchos b. Ninguno c. Solo los producidos por la energa trmica d. El mismo numero que de electrones libres 19.En un semiconductor intrnseco el numero de electrones libres es a. Igual al numero de huecos b. Mayor que el numero de huecos c. Menor que el numero de huecos d. Ninguna de las anteriores 20.La temperatura del cero absoluto es igual a a. -273C b. 0C c. 25C d. 50C 21.A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco presenta: a. Pocos electrones libres b. Muchos huecos c. Muchos electrones libres d. Ni huecos ni electrones libres 22.A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tiene: a. Algunos electrones libres y huecos b. Muchos huecos c. Muchos electrones libres d. Ningn hueco 23.El numero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco aumenta cuando la temperatura: a. Disminuye b. Aumenta c. Se mantiene constante

d. Ninguna de las anteriores 24.El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan hacia: a. La izquierda b. La derecha c. En cualquier direccin d. Ninguna de las anteriores 25.Los huecos se comportan como: a. tomos b. Cristales c. Cargas negativas d. Cargas positivas 26.Cuntos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes? a. 1 b. 3 c. 4 d. 5 27.Qu numero de electrones de valencia tiene un tomo donador? a. 1 b. 3 c. 4 d. 5 28.Si quisiera producir un semiconductor tipo p, Qu empleara? a. tomos aceptadores b. tomos donadores c. Impurezas pentavalentes d. Silicio 29.Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo: a. Extrnseco b. Intrnseco c. Tipo n

d. Tipo p 30.Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo p? a. Muchos b. Ninguno c. Solo los producidos por la energa trmica d. El mismo numero que de huecos 33. Una fuente de tensin es aplicada a un semiconductor tipo p. Si en el izquierdo el cristal es positivo, en qu sentido circularn los portadores mayoritarios? R. Hacia la derecha 34. Cul de los siguientes conceptos est menos relacionado con los otros tres? a) Conductor b) Semiconductor c) Cuatro electrones de valencia d) Estructura cristalina 35. Cul de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente? a) 0 C b) 50 C c) 25 C d) 75 C 36. Cuntos electrones hay en la orbital de valencia de un tomo de silicio dentro de un cristal? R. 8 37. Los iones positivos son tomos que: R. Han perdido un electrn 38. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente

d) Tiene muchos huecos 39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y: R. Iones negativos 40. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos electrones libres 41. Cul de los siguientes elementos no se puede mover? a) Huecos b) Electrones libres c) Iones d) Portadores mayoritarios 42. A qu se debe la zona de deplexin? R. A los iones 43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de R. 0.7 V 44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensin aplicada debe superar: R. 0.7 V 45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente: R. Muy pequea 46. La corriente superficial de gas es parte de: R. La corriente inversa 47. La tensin que provoca el fenmeno de avalancha es: R. La tensin de ruptura 48. La difusin de electrones libres a travs de la unin de un diodo produce: R. Polarizacin directa 49. Cuando la tensin inversa crece de 5V a 10V, la zona de deplexin: R. Crece

50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y huecos puede producir: R. Calor, Luz, Radiacin 51. Si aplicamos una tensin inversa de 20 V a un diodo, la tensin en la zona de deplexin ser: R. 0.7V 52. Cada grado de aumento en la temperatura en la unin decrece la barrera de potencial en: R. 2mV 53. La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin se incrementa: R. 10 C 54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensin inversa aumenta: R. 7 por 100 PROBLEMAS 1. Cul es la carga neta de un tomo de cobre si gana tres electrones? R. La carga es -3 2. Cunto vale la carga neta de un tomo de silicio si pierde todos sus electrones de valencia? R. La carga neta es +4 3. Clasifique cada uno de los siguientes como conductor o semiconductor: a) Germanio: Semiconductor b) Plata: Conductor c) Silicio: Semiconductor d) Oro: Conductor 5. Clasifique cada uno de los siguientes como semiconductor tipo n o tipo p: a) Dopado por un tomo aceptador: Tipo p b) Cristal con impurezas pentavalentes: Tipo n c) Los portadores mayoritarios son huecos: Tipo p d) Se aadieron tomos donadores al cristal: Tipo n e) Los portadores minoritarios son electrones: Tipo p

Preguntas de entrevista de trabajo. 2.- En qu se diferencia un semiconductor de un conductor? Debido a su estructura atmica de cada material se puede clasificar como conductor o semiconductor o aislante, los mejores conductores cuentan con un electrn de valencia mientras que los mejores aislantes cuentan con 8, un semiconductor debe estar en un 1 medio entre los dos mencionados, es decir cuenta con 4 electrones en su capa valencia.

4.- De la idea bsica de semiconductores dopados. Se aaden tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica.

6.- Diga porque hay una corriente muy pequea en un diodo polarizado en inversa: La energa elctrica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, lo que significa que en ambos lados de la conexin P-N, existen pequeas concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de estas se recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hayan dentro de la zona de deflexin pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin. Cuando esto sucede, por el circuito externo circula una pequea corriente. 8.- Por qu un diodo emisor de luz produce luz? La tensin aplicada eleva los electrones a niveles superiores de energa, cuando estos electrones caen de nuevo a niveles de energa inferiores desprenden energa, en forma de luz en el caso del diodo emisor de luz (led). 10.- Qu es la corriente superficial de fugas? Es una pequea corriente que circula sobre la superficie del cristal. Es causada por impurezas en la superficie del cristal. 12.-En qu se diferencian el silicio extrnseco y el intrnseco? Como intrnseco el silicio se comporta como aislante en el extrnseco se le agrega un electrn de valencia hacindolo actuar como conductor. 14.En la unin pn de un diodo Cules son las cargas portadoras que se mueven, huecos o electrones libres?

Los huecos son las cargas portadoras que se mueven.

PROBLEMAS RESUELTOS 2-6 Un diseador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas de 0C a 75c. Cules sern los valores mnimo y mximo de la barrera de potencial? Vmax= (-2x10-3)(0C-25C) Vmax= 50mV Vb= 0,7V+0,05V= 0,75V Vmin= (-2x10-3)(75C-25C) Vmin= -100mV Vb= 0,7-0,1=0,6V 2-7 Un diodo de silicio tiene una corriente de saturacion de 10nA a 25C. Si debe funcionar en el rango de 0C a 75C, cuales sern los valores mximos y minimos de la corriente de saturacin? El cambio de temperatura es: T= 0C -25C= -25C T= 75C-25C= 50C Segn la ecuacin(2-5), la corriente se dobla siete veces entre 5C y 80C Is= ( )(10nA)= 1280nA

Y tomando como referencia la ecuacin (2-6) hay cinco adicionales entre 5 y 80 Is= (1,0 )(1280)1795nA

2-7 Si la corriente superficial de fugas es 2nA para una tensin inversa de 25V Qu valor toma la corriente superficial de fugas para una tensin inversa de 35V?

IsL =

= 2,8nA

1.- Cuando la representacin de la corriente en funcin de la tensin es una lnea recta, el dispositivo se conoce como: LINEAL 2.- Qu clase de dispositivo es una resistencia? LINEAL 3.- Qu clase de dispositivo es un diodo? NO LINEAL 4.-Cmo esta polarizado un diodo que no conduce? INVERSAMENTE 5.- Cuando la corriente por el diodo es grande, la polarizacin es?DIRECTA 6.- La tensin umbral de un diodo es aproximadamente igual a: LA BARRERA DE POTENCIAL 8.- En la segunda aproximacin, Qu tensin hay en un polarizado en directo? 0,7V 9.- En la segunda aproximacin, Qu corriente hay en un diodo de silicio polarizado en inversa? 1mA 13.- El diodo ideal es generalmente adecuado para: HACER CALCULOS PRECISOS 14.- La segunda aproximacin funciona bien para:DETECCION DE AVERIAS 15.- La nica ocasin en la es necesario utilizar la tercera aproximacin es cuando: NINGUNA DE LAS ANTERIORES diodo de silicio