Presentacin

Introduccin

Concepto de fsica de semiconductores

La Fsica de semiconductores es el conjunto de teoras y modelos que explican el comportamiento de los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo gran parte de los semiconductores son estudiados en Fsica del estado slido.

Modelos de bandas:

Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no coinciden con los niveles de energa de los electrones para tomos aislados. En un gas, por ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos tomos con otros y los niveles de energa no se ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo elctrico producido por los electrones de los tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los tomos de sus alrededores. Separacin en bandas de los niveles energticos en el carbono De este modo el cristal se transforma en un sistema electrnico que obedece al principio de exclusin de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo estado, transformndose los niveles discretos de energa en bandas de energa donde la separacin entre niveles energticos se hace muy pequea. La diferencia de energa mxima y mnima es variable dependiendo de la distancia entre tomos y de su configuracin electrnica. Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de enlace entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas prohibidas, formndose as bandas de valencia, bandas de conduccin y bandas prohibidas. Modelo de bandas para aislantes, semiconductores y conductoresAs en un aislante la separacin entre la banda de valencia y la banda de conduccin es muy grande ( 10 eV), y esto significa que un electrn en la banda de valencia necesita mucha energa para ser liberado y convertirse en un electrn libre necesario para la conduccin. En un conductor las dos bandas estn solapadas, no necesitndose ninguna energa para alcanzar la conduccin. En un semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o lo que es lo mismo, es muy fcil que un electrn sea liberado y pueda contribuir a la conduccin.

1- Bandas planas para transportadoras. 2-Bandas texturadas para transportadoras inclinadas. 3-Bandas elsticas para transportadoras verticales. 4-Bandas planas para transmisiones.

Cada una de ellas tiene diferentes funcin pero son los tipos de bandas que funcionan en la fsica.

Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

INTRINSECOS: Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,1 eV y 0,7 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c): ni(Si) = 1.5 10 cm
13 10 -3 -3

ni(Ge) = 2.5 10 cm

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

EXTRINSECOS:

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en dia se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.

UNION P-N Y CARACTERISITICAS

UNIN P-N 6.1 QUE ES LA UNION PN? El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P), de esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.

Unin P-N En una unin entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los electronesde la zona n pasan a la zona p. En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Se crea, entonces un campo elctrico que produce corrientes de desplazamiento, que equilibran a las de difusin. A la diferencia de potencial correspondiente a este campo elctrico se le llama potencial de contacto V0.

3: EL DIODO SEMICODUCTOR Y MODELOS

DIODO SEMICONDUCTOR: Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que

permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductorconectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidoselectrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio. Viendo el smbolo del diodo en el grfico anterior( A - nodo, K - ctodo) Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de aproximadamente en el diodo de silicio. germanio y de 0.6 voltios

4_EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)