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1. Modelado del transistor BJT.

4.1 Amplificador en el dominio de CA. 4.2 Modelado del transistor BJT. 4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos). 4.4 El modelo re del transistor. 4.5 El modelo equivalente hbrido.

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4.1 Amplificador en el dominio de CA.


La construccin bsica, aspectos y caractersticas del transistor se presentaron en el capitulo 1. Despus, en el capitulo 2 se examin en detalle la polarizacin de cd del dispositivo. Empezaremos ahora a estudiar la respuesta ca a pequea seal del amplificador BJT revisando los modelos que se utilizan con mayor frecuencia para representar el transistor en el dominio de ca senoidal. Una de nuestras primeras inquietudes en el anlisis de ca senoidal en redes de transistores es la magnitud de la seal de entrada. Ello determinar si deben aplicarse tcnicas de pequea seal o tcnicas de gran seal. No existe una lnea divisoria entre las dos, peso la aplicacin, as como la magnitud de las variables de inters relativas a las escalas de las caractersticas del dispositivo, determinarn casi siempre con bastante claridad cul mtodo es el apropiado. La tcnica de pequea seal se presenta en este capitulo. Hay dos modelos que se utilizan por lo comn en el anlisis de ca de pequea seal de redes de transistor: el modelo equivalente hbrido y el modelo re. Este capitulo no slo presenta ambos modelos, sino que define el papel que cada uno desempea y la relacin que existe entre ellos. En el captulo 1 se demostr que el transistor puede emplearse como un dispositivo amplificador. Es decir, la seal de salida senoidal es mayor que la seal de entrada o,

establecindolo de otra manera, la potencia de ca de salida es mayor que la potencia de ca de entrada. La pregunta que surge entonces es cmo la salida de potencia de ca puede ser mayor que la potencia de ca de entrada? La conservacin de la energa dicta que en funcin del tiempo, la salida de potencia total, Po de un sistema no puede ser mayor que su entrada de potencia, Pi y que la eficiencia definida por = Po/P no puede ser mayor que 1. El factor que no se considera en la discusin anterior, que permite una salida de potencia de ca mayor que la potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd. Representa una contribucin a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa a travs del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio" de potencia de cd al dominio de ca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De hecho, una eficiencia-de conversin se define por medio de = Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca) es la potencia de ca en la carga, y P(cd) la potencia suministrada de cd. Quizs el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar primero la red simple de cd de la figura 7.1. La direccin resultante del flujo se muestra en la figura con una grfica de la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control, como se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la aplicacin de una seal relativamente pequea al mecanismo de control puede resultar en una oscilacin mucho ms grande en el circuito de salida.

Figura 7.1 Corriente estacionaria establecida por una fuente de cd.

Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacin se controla mediante el nivel establecido de cd. Cualquier intento de exceder el lmite establecido por el nivel de cd resultar en un "recorte" aplanado de la regin pico de la seal de salida. Por lo tanto, en

su totalidad, un diseo apropiado de amplificador requiere que los componentes de cd y de ca sean sensibles a cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. Sin embargo, es en verdad un hecho afortunado que los amplificadores de pequea seal de transistor puedan considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de superposicin para separar el anlisis de cd del anlisis de ca.

Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario del sistema elctrico de la figura 7.1

LNEA DE CARGA DE CA. Excursin mxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico mximo, sin recortes, que puede proporcionar un amplificador. La lnea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operacin con seales grandes.

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4.2 Modelado del transistor BJT.


La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los circuitos equivalentes (modelos) que sern introducidos en este captulo. Un modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas de operacin, Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el smbolo grfico del dispositivo puede sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los mtodos bsicos del anlisis de circuitos de ca (anlisis de nodos, anlisis de mallas y el teorema de Thvenin) para determinar la respuesta del circuito. Hay dos teoras actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha de sustituir al transistor. Durante muchos aos la industria y las instituciones educativas confiaron ampliamente en los parmetros hbridos (que se presentarn en breve). El circuito equivalente de parmetros hbridos seguir siendo muy popular, aun cuando en la actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado directamente de las condiciones de operacin del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen especificando los parmetros hbridos para una regin de operacin particular en sus hojas de especificaciones. Los parmetros (o componentes) del modelo re pueden derivarse directamente de los parmetros hbridos en esta regin. Sin embargo, el circuito equivalente hbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operacin si se considerara preciso. Los parmetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier regin de operacin dentro de la regin activa y no estn limitados por un solo grupo de parmetros incluidos en la hoja de especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un parmetro que defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el efecto de retroalimentacin de la salida a la entrada. Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se examinan en detalle en este libro. En algunos anlisis y ejemplos se emplear el modelo hbrido, en tanto que en otros se utilizar en forma exclusiva el modelo re. No obstante, en el texto se har todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los dos modelos y cmo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en el manejo del otro. Con el fin de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre el anlisis que sigue, considrese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el circuito equivalente de ca de pequea seal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que slo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de cd pueden sustituirse por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que

determinan nicamente el nivel de cd (nivel quiesciente) o de operacin del voltaje de salida y no la magnitud de la excursin de la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de cd fueron importantes simplemente para determinar el punto Q de operacin adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el anlisis de ca de la red. Adems, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvo C3*** se eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy pequea a la frecuencia de aplicacin. Por lo tanto, es posible tambin reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una trayectoria de baja resistencia (corto circuito). Ntese que esto producir el "corto circuito" de la resistencia de polarizacin de cd, RE. Recurdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles de cd y las condiciones de operacin.

Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este anlisis introductorio.

Figura 7.4 Red de la figura 7.3 despus de eliminar la alimentacin de cd.

La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar como resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecer del colector al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.

Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el anlisis de pequea seal ca.

Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador, esperaramos alguna indicacin de cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La

impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia en el anlisis que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos parmetros en las secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por medio de: 1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto circuito equivalente 2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente 3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2 4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente. En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e hbrido para completar el anlisis de ca de la red de la figura 7.5

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4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con ms detalle, concentrmonos en los parmetros de un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto de vista de anlisis y diseo. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6, el extremo de entrada (el lado donde normalmente se aplica la seal) se encuentra a la izquierda y el extremo de salida (donde se conecta la carga) se

halla a la derecha. De hecho, para la mayora de los sistemas elctricos y electrnicos el flujo general se tiene normalmente de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par de terminales en condiciones normales de operacin es bastante importante.

Figura 7.6 Sistema de dos puertos.

Impedancia de entrada, Zi Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Z se define por la ley de Ohm como se indica a continuacin: Zi = Vi / Ii Si se modifica la seal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras: Para el anlisis de pequea seal una vez que se ha determinado la impedancia de entrada, el mismo valor numrico puede utilizarse para modificar los niveles de la seal aplicada. De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un transistor puede determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de polarizacin de cd, condiciones que no cambian slo porque la magnitud de la seal aplicada de ca se haya modificado. Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a los medios (normalmente <100 kHz):

La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza puramente resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede variar de unos cuantos ohms hasta el orden de los megaohms. Adems: No puede emplearse un hmetro para medir la impedancia de entrada de pequea seal de ca puesto que el hmetro opera en modo de cd. La ecuacin (7.1) es particularmente til en la medida en que proporciona un mtodo para medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 7.7 se ha agregado un resistor sensor al extremo de entrada para permitir una determinacin de Ii*** empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un multimetro digital (DMM) sensible puede utilizarse para medir el voltaje Vs y V. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico o valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrn. La impedancia de entrada se determina entonces de la siguiente manera: Ii = (Vs - Vi) / Rsensor y Zi = Vi / Ii

Figura 7.7 Determinacin de Zi.

La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede demostrarse mejor mediante la red de la figura 7.8. La fuente de seal tiene una resistencia interna de 600 el sistema (posiblemente un amplificador de transistor) tiene una impedancia de entrada de 1.2 k .

Figura 7.8 Demostracin del impacto de Zi sobre una respuesta de amplificador.

Impedancia de salida, Zo La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las terminales, pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir, La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs. dentro del sistema con la seal aplicada fijada en cero. En la figura 7.10, por ejemplo, la seal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para determinar Zo, se aplica una seal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera: Io = (V - Vo) / Rsensor y Zo = Vo / Io

Figura 7.10 Deteminacin de Zo.

En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y depende de la configuracin y de la colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar entre unos cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2M . Adems: No puede utilizarse un hmetro para medir la impedancia de salida de pequea seal de ca debido a que el hmetro opera en modo de cd.

Ganancia de voltaje Av Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la ganancia de voltaje de pequea seal de ca, que se determina por Av = Vo / Vi Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuacin (7.6) se denomina como la ganancia de voltaje sin carga. Es decir,

Figura 7.13 Determinacin de la ganancia de voltaje sin carga

Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con carga.

Ganancia de corriente, Ai La ltima caracterstica numrica por discutir es la ganancia de corriente definida por A i = Io / Ii Aunque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia global de un diseo. En general: Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas menores que I y un nivel que puede exceder los 100. Para la situacin con carga presente de la figura 7.15, Ii = Vi / Zi y Io = Vo / RL

Figura 7.15 Determinacin de la ganancia de corriente con carga.

Ai = -Av(Zi / Ii) La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a partir de la ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.

Relacin de fase La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante por una variedad de razones prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor tpico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de entrada y salida estn ya sea en fase o desfasadas por 180. La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en los captulos siguientes. Resumen Los parmetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para los lmites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de estos parmetros. En las secciones y captulos siguientes, todos los parmetros se determinarn para una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una comparacin de las ventajas y desventajas de cada configuracin.

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4.4 Modelado

re del transistor.

El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la regin de inters. Recurdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aqulla donde los parmetros de la fuente de

corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. De hecho,en general: Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por corriente.

Configuracin de base comn En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp de base comn dentro de la estructura de dos puertos empleada en nuestra discusin de las recientes secciones. En la figura 7.16b se ha colocado el modelo re para el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observ en la seccin 7.3, el modelo (circuito equivalente) se escoge de una forma tal que se tenga una aproximacin del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la regin de operacin de inters. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberan estar relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Usted recordar, del captulo 1, que una de las uniones de un transistor en operacin se polariza en forma directa mientras que la otra se polariza inversamente. La unin directamente polarizada se comportar de manera muy parecida a un diodo (despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verific mediante las curvas de la figura 3.7. Para la unin de base-emisor del transistor de la figura 7.16a, el diodo equivalente de la figura 7.16b entre las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado. Para el extremo de salida, recurdese que las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se dedujo de Ic = Ie) para el intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de la figura 7.16b establece el hecho de que Ic = Ie con la corriente de control Ie que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la figura 7.16a. Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la fuente controlada por corriente, proporcionando un vnculo entre las dos (una revisin inicial sugerira que el modelo de la figura 7.16b es un modelo vlido del dispositivo real).

Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base comn; (b) modelo re para la configuracin de la figura 7.16a.

Recurdese del capitulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede determinarse mediante la ecuacin rca = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de cd a travs del diodo en el punto Q (esttico). Esta misma ecuacin puede utilizarse para encontrar la resistencia de ca del diodo de la figura 7.16b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a continuacin: re = 26 mV / IE El subndice e de re se eligi para enfatizar que es el nivel cd de la corriente de emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo de la figura 7.16b. Al sustituir el valor resultante de re en la figura 7.16b se obtendr el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 7.17:

Figura 7.17 Circuito equivalente re de base comn.

A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, debera ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuracin de base comn de un transistor fuera simplemente re. Es decir, Zi = re Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z, varan entre unos cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 . Para la impedancia de salida, si establecemos la seal a cero, entonces Ie = O A e IC = Ie = (0 A) = O A, resultando en un equivalente de circuito abierto en las terminales de salida. El resultado es que para el modelo de la figura 7.17,

Zo En realidad: Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Zo se hallan en el orden de los megaohms. La resistencia de salida de la configuracin de base comn se determina por medio de la pendiente de las lneas caractersticas de las caractersticas de salida, como se muestran en la figura 7.18. Suponiendo que las lneas sean perfectamente horizontales (una excelente aproximacin) resultara en la conclusin de la ecuacin (7.13). Si se tuviera el cuidado de medir Zo grfica o experimentalmente, se obtendran los niveles tpicos en el intervalo de 1 a 2 M .

Figura 7.18 Definicin de Zo.

En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada es relativamente pequea mientras que la impedancia de salida es bastante alta. La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 7.19. Vo = -IoRL = -(-IC)RL = IERL Vi = IEZi = Iere Av = Vo / Vi = IeRL / Iere Av = RL / re RL / re

Para la ganancia de corriente Ai = Io / Ii = -IC / Ie = Ie / Ie Ai = - -1

7.19 Definicin de Av para la configuracin de base comn.

El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir de la corriente IC sea la misma que se define mediante la figura 7.19 (o sea, el extremo negativo est al potencial de referencia, o tierra) revela que vo y V estn en fase para la configuracin de base comn. El equivalente para un transistor NPN en la configuracin de base comn aparecera como se ilustra en la figura 7.20.

Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuracin de transistor NPN de base comn.

Configuracin de emisor comn Para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21a, las terminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Adems, la terminal de emisor es ahora comn entre los puertos de entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para

el transistor npn dar por resultado la configuracin de la figura 7.21b. Advirtase que la fuente controlada por corriente an esta conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aun es Ic. Recuerde, del captulo 1, que las corrientes de base y de colector estn relacionadas por la siguiente ecuacin: Ic = I b La comente a travs del diodo se determina por lo tanto mediante Ie = ( + 1)Ib

Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la siguiente aproximacin para el anlisis de comente: Ie I b La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin: Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib El voltaje Vbe se halla a travs de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura 7.22. El nivel de re todava se determina por la corriente de cd IE***. El uso de la ley de Ohm conduce a Vi = Vbe = Ie re Ibre

Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor comn (b) modelo aproximado para la configuracin de la figura 7.21

Figura 7.22 Determinacin de Zi empleando el modelo aproximado.

La sustitucin nos lleva a Zi re En esencia, la ecuacin (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situacin tal como la mostrada en la figura 7.23 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un

factor multiplicativo . Por ejemplo, si re = 6.5 ohms como en el ejemplo 7.4, re = 160 (situacin bastante comn a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de Zi re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 kohms

Figura 7.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.

Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se definen mediante re, oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden los kilohms, con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms. Para la impedancia de salida las caractersticas de inters son el conjunto de salida de la figura 7.24, Obsrvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la comente de colector. Cuanto ms elevada sea la pendiente, menor ser el nivel de la impedancia de salida (Zo). El modelo re de la figura 7.21 no incluye una impedancia de salida, pero si se halla disponible a partir de un anlisis grfico o de hojas de datos, puede incluirse como se ilustra en la figura 7.25.

Figura 7.24 Definicin de ro para la configuracin de emisor comn.

Figura 7.25 Insercin de ro en el circuito equivalente de transistor.

Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de Zo se encuentran en el intervalo que va de los 40 a los 50 kohms. Para el modelo de la figura 7.25, si se establece a cero la seal aplicada, la corriente es de O A y la impedancia de salida es Zo = ro

Por supuesto, si la contribucin debida a ro se ignora como en el caso del modelo re la impedancia de salida se define por Zo = .

La ganancia de voltaje para la configuracin de emisor comn se determinar ahora por la configuracin de la figura 7.26 haciendo uso de la suposicin que Zo = . El efecto de incluir ro se considerar en el captulo 6. Para la direccin definida por Io y polaridad de Vo, Vo = -IoRL

Figura 7.26 Determinacin de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador de transistor de emisor comn.

El signo menos refleja simplemente el hecho de que la direccin de Io en la figura 7.26 establecer un voltaje Vo con polaridad opuesta. Al continuar llegamos a Vo = -IoRL = -ICRL = - IbRL Vi = IiZi = Ib re Av = Vo / Vi = - IbRL / Ib re Av = -RL / re El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y salida se encuentran desfasados en 180. La ganancia de corriente para la configuracin de la figura 7.26: Ai = Io / Ii = IC / Ib = Ib / Ib Ai = Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es re que la corriente de colector es Ib y que la impedancia de salida es ro el modelo equivalente de la figura 7.27 puede

ser una herramienta efectiva para el anlisis que sigue a continuacin. Para valores de parmetros tpicos la configuracin de emisor comn puede considerarse como aquella que disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener que incluirse en el anlisis de la red.

Figura 7.27 Modelo re para la configuracin de transistor de emisor comn.

Configuracin de colector comn Para la configuracin de colector comn normalmente se aplica el modelo definido para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21, en vez de definir un modelo propio para la configuracin de colector comn. En captulos subsecuentes se investigarn varias configuraciones de colector comn y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo modelo.

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4.5 El modelo equivalente hbrido.


En la seccin 4.4 se seal que el modelo re para un transistor es sensible al nivel de operacin de cd del amplificador. El resultado es una resistencia de entrada que variar

en el punto de operacin de cd. Para el modelo equivalente hbrido que se describir en esta seccin se definen los parmetros en un punto de operacin que puede o no reflejar 1as condiciones de operacin reales del amplificador. Esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los parmetros para un circuito equivalente para todo punto de operacin posible. Los fabricantes deben escoger las condiciones de operacin que creen que reflejarn las caractersticas generales del dispositivo.

Figura 7.32 Circuito equivalente hbrido completo.

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1. Anlisis de pequea seal del BJT.


5.1 Polarizacin por divisor de voltaje. 5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn. 5.3 Configuracin de emisor seguidor. Apndice al captulo 5

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5.1 Polarizacin por divisor de voltaje.


Los modelos de transistores que se presentan en el captulo 3 se utilizarn ahora para realizar el anlisis de ca de pequea seal de un buen nmero de configuraciones estndar de redes con transistor. Las redes que se analizarn representan la mayor parte de las que aparecen en la prctica actual. Las modificaciones de las configuraciones estndar se examinarn con relativa facilidad una vez que el contenido de este capitulo se haya revisado y entendido. Ya que el modelo re es sensible al punto de operacin real, ser nuestro modelo principal para el anlisis que se realizar. Sin embargo, para cada configuracin se examina el efecto de una impedancia de salida como se proporciona mediante el parmetro hoe del modelo equivalente hbrido. Para demostrar las semejanzas que existen en el anlisis entre los modelos, se ha dedicado una seccin al anlisis de pequea seal de redes BJT empleando nicamente el modelo equivalente hbrido.

Circuito equivalente para CD

Circuito equivalente para CA.

Zi:

Zo: Zo = Rc

Av : Vo = -IORL IO = (ICRC)/(RC+RL) VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)

Vo = ViR'L / re Vo / Vi = -R'L / re Av = -R'L / re

Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a re por lo tanto no puede ser ignorado. Ib = R'Ii / (R' + re) Ib / Ii = R' / (R' + re)

En la salida

Efecto de ro: Zi no cambia pero Zo = ro Rc ro = 1 / hoe

Ai = Io / Ii

Ejemplo: Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:

f = 1 kHz Xc 0.1 R C1 10 / 2 f 0.22 uF C2 1.3 uF C3 1.06 uF

Anlisis de CD: RE = (90)(1.5 k ) = 135 k 10R2 = (10)(8.2 k ) = 82 k , RE > 10R2 se puede emplear el anlisis aproximado

VE = VB - VBE = 2.81 - 0.7 = 2.11 Vcd IE = VE / RE =2.11 V / 1.5 k = 1.41 mA VCE = VCC - IC(RC + RE), donde IC IE VCE = 22 - (1.41mA)(6.8 k + 1.5 k ) = 10.297 Vcd

Punto Qcd: (10.297 V, 1.41 mA)

Anlisis de CA: re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA

re = 18.44

re =(90)(18.44) = 1.66 k

Zi = 1.35 k Zo = Rc = 6.8 k , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el 2N4123: hoe = 14 u para Ic 1.41 mA

Av = 66.64

Ai = 59.84

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5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn.

Circuito equivalente de CD

Circuito equivalente de CA

Como Vi est en paralelo con RB y con la suma de re + RE Vi = IRB RB Vi = Ib re + IeRE = Ib re + ( + 1)IbRE Zb = Vi / Ib = re + ( +1)RE Zb (re + RE), si RE >> re Zb RE

Z i:

Ejemplo Dado el siguiente circuito encuentre:


a. b. c. d. e.

Punto Q y valor exacto para IE Zi Zo (sin ro y con ro) suponga que hoe = 55 uU Av Ai

a)

IE = ( + 1)IB = (121)(46.5 uA) = 5.63 mA Ic = IB =(120)(46.5 uA) = 5.58 mA VCE = Vcc - Ic (Rc + RE) = 20 - (5.58 mA)(1.3k + 1.2k) = 6.05 Vcd Punto Q (6.05 Vcd, 5.58 mA) IE = 5.63 mA

b)

re = 26 mV / 5.63 mA = 4.62 ohms

Zi = 94.65 kohms

c) Zo = Rc Zo = 1.3 k (sin ro)

Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 k

Zo = 1.21 k (con ro)

d)

Av = -0.3

e)

Ai = 40.52

Zo: Si Vi = 0, Ib = 0 y Ib es un corto circuito Zo = Rc

Av :

Av: Frecuentemente la magnitud de RB es muy cercana a Zb, por lo tanto no se puede aproximar Ib = Ii. Es necesario aplicar la regla del divisor de corriente.

Efecto de ro: La colocacin de ro para esta configuracin es tal que para los valores de parmetros tpicos, el efecto de ro sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se pueden ignorar:

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5.3 Configuracin de emisor seguidor.


Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el colector, la red recibe el nombre de emisor seguidor. El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la seal de entrada, debido a la cada de base a emisor, a pesar de esto la aproximacin Av 1 casi siempre es satisfactoria. A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor est en fase con la seal Vi, de ah el nombre de "emisor seguidor".

En la figura se muestra la configuracin ms comn de emisor seguidor. Como se puede observar, para anlisis de CA el colector est conectado a tierra, as que sta es una configuracin de colector de colector comn. Esta configuracin se utiliza con propsitos de acoplamiento de impedancia. Presenta una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo cual es opuesto por completo a las configuraciones anteriores. El efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador.

Circuito equivalente de CD

Malla de Entrada

Malla de Salida

Circuito equivalente de CA

Ntese que Vi est en paralelo con RB, pero tambin con re + R'L, as que: Vi = ZbIb

Zi:

As que

Zo:

, y en trminos de Ie multiplicando por + 1

Si se dibujara un circuito representando a esta ecuacin:

Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, as que:

Si se toma en cuenta ro R'L est en paralelo con ro

Av: De la figura anterior se puede obtener la ganancia de voltaje.

Ai: De la figura del circuito equivalente:

La siguiente es tambin una red de emisor seguidor, pero se polariza por divisor de voltaje.

En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica lo visto para la polarizacin por divisor de voltaje, si RE 10R2 Anlisis aproximado. En el caso contrario se aplica el anlisis exacto.

La siguiente tambin es una red de emisor seguidor, la cual utiliza polarizacin por divisor de voltaje y adems se incluye una resistencia en el colector para controlar el VCE.

Para el anlisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la ganancia y RB se sustituye por R1 paralela a R2. Para CD es un circuito de polarizacin por divisor de voltaje.

Ejemplo: Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura calcule: a. Punto Q b. re c. Parmetros: Zi, Zo, Av, Ai.

a) Circuito equivalente de CD:

b)

c)

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Apndice al captulo 5.

CONFIGURACIN DE EMISOR COMN CON POLARIZACIN FIJA

Circuitos Equivalentes de CA

Zi:

Zo: Impedancia de salida = Zo para Vi = 0 Ib = 0, Zo = Rc

Av:

El signo menos indica que la polaridad de Vo es opuesta a la definida por la direccin indicada de Io.

Ai:

Efecto de

ro: Zi no cambia, pero

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