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de Ingenieros de Telecomunicacin de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Sensores Resistivos

SENSORES Y ACONDICIONADORES

TEMA 4 (3)
SENSORES RESISTIVOS
Magnetorresistencias, fotorresistencias, higrmetros resistivos, sensores de gases, sensores de conductividad de lquidos y sensores de intensidad

Profesores:

Enrique Mandado Prez Antonio Murillo Roldan

Tema 4 - 1

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTIVIDAD
EFECTO MAGNETO-RESISTIVO
Propiedad que tienen ciertos materiales de cambiar su resistividad al aplicarles un campo magntico externo.

MAGNETORRESISTENCIAS
Se les conoce por el acrnimo MRS (Magneto Resistive Sensors). Estn constituidas por una pelcula delgada de una aleacin metlica ferromagntica, depositada sobre una oblea de silicio y modelada como una banda de resistencia. Una de las aleaciones ms utilizadas es la de NquelHierro denominada Permalloy (20% de Fe, 80% de Ni). Su resistencia vara entre un 2% y un 5% al aplicarle de un campo magntico.
PERMALLOY

SILICIO
Tema 4 - 2

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTENCIAS
La magnetorresistencia se magnetiza en una determinada direccin que forma un ngulo (de 45 para lograr la mxima linealidad) con respecto a la corriente i que circula por ella.

Si a la magnetorresistencia se le aplica un campo magntico perpendicular a la corriente i, el ngulo que forman M e i se modifica tal como se indica en la figura.

Tema 4 - 3

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTENCIAS
La relacin entre la resistencia y el campo magntico es:

H2 y R = R 0 + R 0 1 2 H 0

(H H 0 )

en la cual R0 es la diferencia entre las resistencias mxima y mnima

Si el valor de H es constante y solo vara su orientacin, la variacin de R es la indicada en la figura.

Tema 4 - 4

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTENCIAS
La tcnica utilizada para que la corriente forme un ngulo de 45 con el eje de la pelcula se suele denominar poste de peluquero (Barber pole) . El sensor est constituido por bandas de oro (de baja resistencia) que forman un ngulo de 45 con la direccin del eje de la pelcula. Se logra as que la corriente fluya de una barra a la siguiente con un ngulo 45.

Tema 4 - 5

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTENCIAS
Los sensores magnetorresistivos se caracterizan por: - Alta sensibilidad en la deteccin de los campos magnticos. - Amplio rango de temperatura. -Gran estabilidad y margen de variacin o desviacin (Offset) reducido - Baja sensibilidad a la tensin mecnica.

Tema 4 - 6

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTENCIAS
Aplicaciones
- Medida directa de campos magnticos - Medida de otras magnitudes a travs de variaciones de campo magntico
Excelentes para medida de desplazamientos lineales y angulares en condiciones ambientales extremas en aplicaciones de automocin y maquinaria (ruedas dentadas, varillas de metal, levas, etc.).

Tema 4 - 7

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Sensores Resistivos

MAGNETORRESISTENCIAS
Ejemplo de medida directa de campos magnticos

Aplicacin: Lectura de cintas magnticas

Tema 4 - 8

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FOTORRESISTIVIDAD
Propiedad de los semiconductores cuya resistencia vara al someterlos a una radiacin ptica (Radiacin electromagntica de longitud de onda comprendida entre 1 mm y 10 nm). A baja temperatura la mayor parte de los electrones de un semiconductor intrnseco estn en la banda de valencia, y por ello se comporta casi como un aislante. Se obtiene un aumento de la conductividad elevando su temperatura. Ello es debido a que dicha elevacin hace que aumente el nmero de electrones que pasan de la banda de valencia a la banda de conduccin. Si el semiconductor es extrnseco (est impurificado), el salto es todava ms fcil. Por ello, si se le aplica una radiacin ptica de suficiente energa, se provoca dicho paso y a mayor iluminacin, mayor es la conductividad. En el caso de un conductor, la conductividad es de por s tan alta que el cambio debido a la incidencia de la radiacin apenas se nota.
Tema 4 - 9

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FOTORRESISTIVIDAD

Tema 4 - 10

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FOTORRESISTIVIDAD
Efecto fotoconductor de diferentes materiales
Material S Zn S Cd Se Cd Te Cd Si Ge S Pb As In Te Te Pb Se Pb Sb In Ancho de banda prohibida(eV) Longitud de onda mxima(um) 3,60 0,345 2,40 0,52 1,80 0,69 1,50 0,83 1,12 1,10 0,67 1,85 0,37 3,35 0,35 3,54 0,33 3,75 0,30 4,13 0,27 4,58 0,18 6,90

Anchura de la banda prohibida Diferencia del nivel de energa de los electrones entre la banda de conduccin y la de valencia) Longitud de onda mxima de la radiacin que produce el efecto fotoelctrico interno. La relacin entre la energa E de los fotones y la longitud de onda de la radiacin es = h c / E en la cual h es la constante de Planck (6,626 10-34 Js o 4,136 10-15 eV).Si E se expresa en eV (1eV = 1,602 10-19), se tiene (mm) = 1,24 / E(eV)
Tema 4 - 11

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FOTORRESISTENCIAS
Elementos sensores basados en la fotorresistividad. Se suelen denominar LDR (Light Dependent Resistors). Una LDR est constituida por un bloque de material semiconductor, sobre el que puede incidir la radiacin, y dos electrodos metlicos situados en los extremos.

Tema 4 - 12

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FOTORRESISTENCIAS
La relacin entre la resistencia de un fotoconductor y la iluminacin no es lineal. La relacin entre la resistencia mxima y la mnima es superior a 10.000. Una LDR se puede caracterizar mediante la expresin:

L RL = R0 0 L

R[] Ro

en la cual: L: iluminacin (lux) RL y R0: resistencias a los niveles L y L0 : constante cuyo valor depende del tipo de material

Lo

L[lux]

Tema 4 - 13

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FOTORRESISTENCIAS
Estn formadas por capas finas de materiales semiconductores dispuestas sobre un sustrato cermico o de plstico. Para obtener una elevada sensibilidad con unas dimensiones reducidas, la pelcula semiconductora se construye en zig-zag.

Tema 4 - 14

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Amplitud relativa

FOTORRESISTENCIAS
Ultravioleta Visible Infrarrojo

100 80 60 40 20 0 3000 5000 10000 20000 50000 SZn SCd GaAs Ge PbTe PbSe

En la zona visible (0,38 a 0,78 m) y del infrarrojo muy cercano (0,78 a 4 m) se emplean compuestos de cadmio (SCd, SeCd, TeCd). En la zona del infrarrojo (1,4 a 14 m) se emplean compuestos de Galio, Indio, Arsnico: (SbIn, Asln), Telurio, y aleaciones de telurio, cadmio y mercurio, as como Silicio y Germanio impurificados. Las LDR ms comunes, utilizables a temperatura ambiente, son de SCd, SPb y SePh.
Tema 4 - 15

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Caractersticas importantes

FOTORRESISTENCIAS

Elevado tiempo de respuesta que limita su frecuencia de trabajo a algunos KHz. El tiempo de respuesta al iluminar la LDR es menor que al oscurecerla. Adems su valor es funcin del tipo de material. La sensibilidad de la LDR ante la radiacin incidente depende de la temperatura. La elevacin de esta ltima genera ruido trmico, que se manifiesta en forma de fluctuaciones de la corriente cuando se le aplica una tensin para medir el valor de su resistencia. Su respuesta espectral es estrecha, lo que hace que el tipo de material utilizado se deba elegir en funcin de la longitud de onda que se quiere detectar. Para minimizar la reflexin superficial, el material del encapsulado debe ser transparente a la longitud de onda de la radiacin que se quiere detectar. Tema 4 - 16

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APLICACIONES DE LAS FOTORRESISTENCIAS

Medida de luz
En aplicaciones en las que se exige poca precisin y bajo coste como por ejemplo el control automtico de brillo y contraste, el control del diafragma de las cmaras fotogrficas, etc.

Deteccin del nivel de luz

Para implementar sensores todo-nada como por ejemplo detectores de presencia y posicin, encendido automtico del alumbrado pblico, etc. Detector de luz: Fotorresistencia NORP12
Caractersticas tcnicas Pico de respuesta espectral Resistencia de LDR 10 lux Resistencia de LDR 1000 lux Resistencia en oscuridad Pico mx de tensin en ac/dc Disipacin mxima a 25C Tiempo de respuesta al elevar R Tiempo de disminucin de R 530 nm 9000 ohm 400 ohm 1 Mohm 320 V 250 mW 18 ms 120 ms Tema 4 - 17 5K 300 1K5 2N305 3
NORP12

Vcc 12V RELE 12V Rmin 110 ohm

IN4148

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HIGRMETROS (Hygrometers) RESISTIVOS

Elementos sensores cuya resistencia elctrica depende del grado de humedad.

Humedad de un gas
Cantidad de vapor de agua presente en l (humidity). Tambin es humedad la cantidad de agua absorbida en un lquido o un slido (moisture).

Humedad absoluta
Masa de vapor de agua contenida en un volumen dado de gas (g/m3).

Humedad relativa
Relacin entre la presin parcial del vapor de agua presente y la necesaria para que haya saturacin a una temperatura dada.
5g 1m3 T

Ha = 5 g/m3 P vapor a T P satur. a T

Tema 4 - 18

Hr =

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HIGRMETROS (Hygrometers) RESISTIVOS

La mayora de los aislantes elctricos presentan un descenso de resistividad y un aumento de la constante dielctrica, al aumentar su humedad. En el mismo sensor se puede medir la resistencia o la capacidad: - Higrmetro resistivo mide la variacin de resistencia (humistor). - Higrmetro capacitivo mide la variacin de capacidad. La relacin entre la humedad relativa y la resistencia suele ser de tipo exponencial. La resistencia se debe medir con corriente alterna sin nivel de continua para evitar la electrlisis del agua. El tiempo de respuesta es el cambio del 63% de la humedad relativa (>10 s).
Tema 4 - 19

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HIGRMETROS (Hygrometers) RESISTIVOS

Para construir higrmetros resistivos se utilizan soluciones acuosas de una sal higroscpica (ClLi, F2Ba, P2O5) depositadas sobre un sustrato plstico en forma de zig-zag entre dos electrodos. Los higrmetros resistivos son ms adecuados que los capacitivos cuando la humedad relativa es alta.

Tema 4 - 20

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SENSORES Y DETECTORES DE GASES

Son elementos sensores implementados con algunos xidos metlicos cuya resistencia a temperaturas elevadas vara en funcin de la concentracin de oxgeno del ambiente. La elevada temperatura de funcionamiento se obtiene con un calefactor de platino colocado dentro o alrededor del sensor, o impreso en el dorso de la base cermica. Esto hace, adems, que la temperatura de trabajo sea constante y elimina su efecto sobre la sensibilidad. El material ms utilizado es el SnO2

Tema 4 - 21

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SENSORES Y DETECTORES DE GASES

Caractersticas
Alta sensibilidad, fiabilidad y robustez Bajo coste de los xidos metlicos utilizados en su fabricacin y de las tcnicas para procesarlos Pequeo tamao

Consideraciones importantes
No se pueden utilizar para medir la concentracin de gases en soluciones acuosas porque el agua y las sales afectan a la conductividad. Son muy sensibles a la temperatura y a la humedad. Su sensibilidad disminuye cuando la concentracin de O2 es muy alta. Tienen escasa selectividad porque que son sensibles a cualquier gas que modifique la concentracin de oxgeno. Se consigue ms sensibilidad a un gas concreto controlando la temperatura y colocando un filtro.
Tema 4 - 22

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SENSORES Y DETECTORES DE GASES

Aplicaciones

- Deteccin de la concentracin de oxgeno

- Deteccin de otros gases

Tema 4 - 23

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SENSORES Y DETECTORES DE GASES

Aplicaciones
Deteccin de la concentracin de oxgeno
A alta temperatura, la conductividad superficial de algunos xidos vara en funcin de la concentracin de oxgeno del ambiente en el que estn situados. Esto se debe a la existencia de defectos en la estructura cristalina, que producen un dficit de tomos de oxgeno. Debido a ello, a dicha temperatura, el O2 absorbido se disocia, sus electrones neutralizan el exceso de metal y baja la conductividad.

Tema 4 - 24

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Aplicaciones
Deteccin de otros gases
Combinando diferentes temperaturas y la impurificacin de la capa de SnO2 se obtienen sensores cuya sensibilidad est optimizada para detectar gases concretos. Se puede medir la concentracin de gases que la nariz mide a travs del olfato. Por ello a este tipo de sensores se le suele llamar nariz electrnica. Son adecuados para detectar niveles de alarma (gases de escape de motores de combustin interna (CO), fuga de gases, deteccin de humo, pruebas de alcoholemia).

Tema 4 - 25

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SENSORES Y DETECTORES DE GASES

Circuito bsico de medida

Tema 4 - 26

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SENSORES Y DETECTORES DE GASES

Aplicaciones de los sensores resistivos de SnO2

Tema 4 - 27

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SENSORES DE CONDUCTIVIDAD DE LQUIDOS

Elementos sensores que utilizan la variacin de conductividad de un electrolito en funcin de la concentracin de iones en l. No es un mtodo especfico para detectar un tipo determinado de electrolito. La conductividad del agua pura a 25 C es = 0,038 S/cm, mientras que la conductividad de algunas soluciones alcanza 1 S/cm. Vr

Vo

Circuito bsico de medida de la conductividad

Tema 4 - 28

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SENSORES RESISTIVOS DE INTENSIDAD (SHUNT)

El mtodo ms sencillo para obtener una seal proporcional a la intensidad de corriente es una resistencia en serie (shunt). La resistencia es hmica pura y por ello la tensin en sus bornes es proporcional a la corriente que circula por ella.

shunt

Circuito de aislamiento

Carga

Tema 4 - 29

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SENSORES RESISTIVOS DE INTENSIDAD (SHUNT)

Consideraciones importantes
-Al insertar una resistencia en el circuito, la corriente disminuye (se introduce un error). Para minimizar este error la resistencia debe tener un valor muy bajo prximo a los 0 ohmios. Por otra parte, un valor excesivamente bajo no proporciona una tensin fcilmente medible. En la prctica se llega a un compromiso entre ambas exigencias. Se fabrican principalmente de cobre recocido. Comercialmente se fabrican resistencias para medida de corrientes desde 1 A hasta 6000 A con una cada de tensin de 60 a 150 mV.

Tema 4 - 30

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SENSORES RESISTIVOS DE INTENSIDAD (SHUNT)

- Se utilizan para todo tipo de corrientes: alterna, continua, impulsos, etc. - Cuando el circuito trabaja con tensiones elevadas es necesario realizar aislamiento elctrico entre la resistencia y el circuito en el que se realiza la medida. - Cuando la corriente es alterna se puede emplear un transformador de aislamiento. - Otra desventaja es el excesivo peso y tamao de la resistencia a altas intensidades. El peso puede alcanzar los 15 kg para una intensidad de 6000 A. I

V
Tema 4 - 31