Transistores Bipolares de Juno Parte II

Transistores Bipolares de Juno (TBJs) Parte II

Captulo 4 de (SEDRA e SMITH, 1996). SUMRIO 4.7. O Transistor como Amplificador 4.8. Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais 4.9. Anlise Grfica

4.7. O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Para operar como amplificador um transistor deve ser polarizado na regio ativa. A polarizao deve estabelecer uma corrente cc constante no coletor, insensvel a variaes de temperatura, , etc.

Figura 4.23. (a) circuito conceitual para anlise do transistor como amplificador (b) fonte de sinal vbe eliminada para anlise cc. As Condies cc Fazendo vbe = 0, tem-se:

I C = IS e
IE =

VBE VT

IC

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IB =

IC

VC = VCE = VCC I C R C
Para operao no modo ativo, VC deve ser maior que VB por um valor que permita oscilaes com amplitudes razoveis no sinal de coletor.

A Corrente de Coletor e a Transcondutncia Se um sinal vbe for aplicado, tem-se:

v BE = VBE + v be A corrente total de coletor ento:

VBE + v be VT

i C = IS e
Para vbe << VT:

v BE VT

= I Se

= IS e

VBE VT

v be VT

= ICe

v be VT

iC IC 1 +

v be I = I C + C v be = I C + i c VT VT

Aproximao de pequenos sinais:

o Vlida para vbe menor que cerca de 10mV.

A corrente de coletor composta do valor da corrente de polarizao IC e de uma componente de sinal ic:

ic =

IC v be = g m v be VT

A transcondutncia para o transistor definida por:

gm =

IC VT

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A transcondutncia igual inclinao da curva caracterstica iC vBE no ponto de operao (Figura 4.24):
gm = i C v BE

i C =I C

Figura 4.24 Operao linear do transistor na condio de pequenos sinais. O transistor comporta-se como uma fonte de corrente controlada por tenso

A Corrente de Base e a Resistncia de Entrada da Base

Determinao da corrente de base: iB = i C IC 1 IC = + v be = I B + i b VT

Componente de sinal de iB: ib = g 1 IC v be = m v be VT

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Define-se a resistncia de entrada para pequenos sinais (vista do terminal da base): r v be V = = T ib g m IB

A Corrente de Emissor e a Resistncia de Entrada do Emissor

Corrente total no emissor:

iE = iC IC ic = + = IE + ie

A componente de sinal da corrente de emissor ento: ie = ic I I = C v be = E v be VT VT

Define-se a resistncia de emissor para pequenos sinais (vista do terminal do emissor): re v be VT 1 = = ie IE gm gm

Pode-se obter a seguinte relao:

r = ( + 1)re
O Ganho de Tenso

Tenso de sada para o transistor: tenso no coletor vC.

o Observa-se a tenso resultante da passagem da corrente de coletor no

resistor RC:

vC

= VCC (I C + i c )R C = = VC i c R C

= VCC i C R C =

= (VCC I C R C ) i c R C =

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A componente de sinal da tenso no coletor ento definida por:

v c = i c R C = g m v be R C = ( g m R C )v be
O ganho de tenso do amplificador a transistor :

vc = g m R C v be
4.8. MODELOS EQUIVALENTES PARA PEQUENOS SINAIS

Sero vistos modelos para pequenos sinais, obtidos pelo teorema da

superposio considerando apenas o efeito das pequenas variaes de tenso e

corrente.
O Modelo Hbrido (simplificado)

Figura 4.26. Duas verses do modelo -hbrido simplificado Primeiro modelo fonte de corrente controlada por tenso (amplificador de transcondutncia). Segundo modelo amplificador de corrente. Os parmetros do modelo gm e r dependem do valor da corrente de polarizao IC. Os modelos foram deduzidos para transistores npn mas valem sem troca de
polaridades tambm para transistores pnp.
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O modelo T

Figura 4.27 Duas verses do modelo T. Primeiro modelo fonte de corrente controlada por tenso. Segundo modelo fonte de corrente controlada por corrente. Embora o modelo hbrido seja mais usado, h situaes em que o modelo T mais conveniente.

Aplicao dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais

1. Determinar o ponto de operao cc do TBJ. Em particular o valor da corrente cc do coletor IC. 2. Calcular os valores dos parmetros do modelo para pequenos sinais:
gm =

IC e/ou re = , r = gm gm VT

3. Eliminar as fontes cc: Fontes de tenso curto circuitadas. Fontes de corrente em circuito aberto. 4. Substituir o TBJ por um de seus modelos equivalentes. Um dos modelos deve ser mais conveniente que os outros. 5. Analisar o circuito resultante para determinar as grandezas de interesse.

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Exemplos 4.9, 4.10 e 4.11.

Expandindo o Modelo Hbrido para considerar o Efeito Early

O Efeito Early, que faz com que a corrente de coletor dependa no apenas de vBE mas tambm de vCE. modelado por uma resistncia de sada r0 finita na sada do modelo hbrido.

r0

VA IC

VA a tenso Early e IC a corrente cc de polarizao do coletor.

Fig 4.33. Duas verses do modelo -hbrido simplificado com resistncia r0 includa A tenso de sada v 0 = g m v be (R C // r 0 ) (reduz o ganho) Pode-se desprezar r0 quando maior que 10 RC.

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Resumo dos Parmetros dos Modelos Parmetros do modelo em termos das correntes de polarizao cc:

gm = re =

IC VT

r =

VT V = T IB IC VA IC gm

VT V = T IE IC
Em termos de gm:

r0 =

r =

gm
Em termos de re:

re =

gm =

re

r = ( + 1)re

gm +

1 1 = r re

Exerccio 4.24, problemas 4.19, 4.20, 4.21, 4.22, 4.23 e 4.24.

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4.9. ANLISE GRFICA

de pouco valor prtico na anlise e projeto de circuitos transistorizados mas ilustrativo para compreenso.

Figura 4.34. Circuito que ser analisado graficamente Considerando vi = 0, utiliza-se a caracterstica iB vBE para obter o valor da corrente de base. Na determinao de IB, a reta de carga definida por: iB = VBB v BE RB

Figura 4.35. Determinao grfica da corrente cc de base Conhecido o valor de IB, utiliza-se a caracterstica iC vCE para obter o valor da corrente de coletor IC e da tenso VCE: A reta de carga para determinao de IC e VCE : iC = VCC v CE RC
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Figura 4.36. Determinao grfica da corrente de coletor e tenso coletor-emissor Quando o sinal vi aplicado, teremos variaes em torno do ponto quiescente Q e podemos usar as retas de carga instantneas para determinar iB e, conseqentemente, a tenso vCE.

Figura 4.37. Determinao grfica das componentes de sinal

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Efeitos da Localizao do Ponto de Polarizao na Excurso Mxima do Sinal

O pico mximo positivo de vCE no pode ir alm de VCC seno o transistor entraria em corte O pico mnimo negativo de vCE no pode se estender abaixo de dcimos de volt seno o transistor entraria na regio de saturao. As retas de carga A e B na figura abaixo correspondem a pontos de polarizao ruins.

Figura 4.38 Localizao do ponto de polarizao e a excurso mxima do sinal. Exerccios 4.25 e 4.26, problema 4.25.
REFERNCIAS

SEDRA, Adel S. e SMITH, Kenneth S. Captulo 3 Diodos, em Microeletrnica. 4a. Edio. Makron Books Ltda, So Paulo, 1998. MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Volume 1. McGraw-Hill, So Paulo, 1986.

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