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REGULADORES de TENSO

REGULADOR SRIE:

O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener. O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o nome regulador srie. FUNCIONAMENTO: A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT: VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ VCE = VCB + VBE Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante.

VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui. Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera LIMITAES: Valores mnimos e mximos de VIN Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB ento: VIN = R(IZ + IB) + VZ
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Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX)) Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas caractersticas de estabilizao. Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN)) Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas caractersticas de estabilizao e ser danificado. CONDIES PARA UM PROJETO: Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies normais sem danificar seus componentes. Tenso de entrada mxima: VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I ) Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX) VZ Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
onde: IZ(MAX) =

De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VZ ( III) R VIN(MIN) - VZ ( IV ) R

De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ = IZ(MIN) + IB(MAX) VIN(MIN) - VZ


PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as seguintes caractersticas: Tenso de sada (VL): 6V Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obedecer as seguintes caractersticas: VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V IC(MAX) 1 > IL(MAX) no caso 1,5A PC(MAX) 2 > (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
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IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br

Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual do fabricante tem as especificaes: VCBO(MAX) = 45V IC(MAX) = 2A PC(MAX) = 25W > 40 < 250 Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor. O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto. Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor: PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX) IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX) IB(MAX) = IC(MAX) ( MIN) logo: IC(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) ( MIN)

IC(MAX) =

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5 = = = = 1,46A 1 1 1 + 0,025 1,025 1+ 1+ ( MIN ) 40

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W


O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio, entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:


Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de 6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA. 0,5W = 73,53mA 6,8V Teremos ento na carga 6,1V valor este, perfeitamente aceitvel. IZ(MAX) = Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
VIN(MAX) - VZ IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX)) VIN(MIN) - VZ
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PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br

IB(MAX) =

IC(MAX) 1,46A = = 36,5mA 40 ( MIN)

13,2V - 6,8V IZ(MAX) = . (8mA + 36,5mA ) 10,8V - 6,8V

IZ(MAX) =

6,4V . 44,5mA = 71,2mA 4V

Como IZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.

Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ R= VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V 6,4V = = = 87,04 IZ( MAX) 73,53mA 73,53mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V R= VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V = = = 89,89 IB(MAX) + IZ(MIN) 36,5mA + 8mA 44,5mA

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o valor comercial mais prximo: 91 Potncia dissipada pelo resistor:
E2 P= R (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2 (VIN(MAX) - VZ) 2 P= = = = 0,508W 91 91 R

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W

REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como elemento de referncia.

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Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.

A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
FUNCIONAMENTO: VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ

Ao variar a tenso de entrada em certos limites, como VZ fixa, variar VBE variando a corrente IB e conseqentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor. Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma valores menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX). Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL e IL(MAX).
Tenso de entrada mxima: Na pior condio RL = IL = 0 VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE

VIN(MAX) - VZ - VBE = IZ(MAX) + IC(MAX) ( I ) R1


Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE

VIN(MIN) - VZ - VBE = IZ(MIN) R1

+ IC(MIN)

+ IL(MAX) ( II )

Dividindo ( I ) e ( II ), temos: IZ(MAX) + IC(MAX) VIN(MAX) - VZ - VBE = IZ(MIN) + IC( MIN) + IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE Isolando IZ(MAX):
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VIN(MAX) - VZ - VBE . (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III ) VIN(MIN) - VZ - VBE OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no resultado final.

IZ(MAX) =

Corrente em R2:

IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) =

IC(MIN) ( MIN)

IC(MIN) ( IV ) ( MIN) Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos: IC(MAX) = ( MIN ) . IB(MAX) IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V ) IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2 portanto: IR2 = IZ(MIN) Substituindo ( V ) em ( III ), temos: VIN(MAX) - VZ - VBE IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2 VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE 1 IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 . VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN) + 1

Escolha do transistor: Devero ser observados os parmetros: VCEO 3 > (VZ + VBE) IC(MAX) > IL(MAX) PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX) Escolha do diodo zener: Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.

PROJETO
Projetar um regulador paralelo, com as seguintes caractersticas: VL = 15V IC(MAX) = 600mA VIN = 22V 10%
Escolha do transistor: O transistor dever ter as seguintes caractersticas:

VCEO > (VCE + VVBE) Ic(MAX) > IL(MAX)


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VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br

PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX) Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas: VCEO = 35V IC(MAX) = 3A PC(MAX) = 35W (mnimo = 40; mximo = 120)
Escolha do diodo zener: O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas: PZ(MAX) = 1,3W IZ(MIN) = 20mA VZ = 15V PZ(MAX) 1,3 = = 86,67mA IZ(MAX) = VZ 15 Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado: VIN(MAX) - VZ - VBE 1 IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 . VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN ) + 1

Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) -

IC(MIN) , IR2 = 20mA ( MIN )

24,2V - 15V - 0,7V 1 IZ(MAX) = . (20mA + 0 + 600mA) + 40.(20mA) . 19,8V - 15V - 0,7V 41
8,5V IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA 4,1V IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)

Calculando IC(MAX): IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2) IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA) IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX)) Calculando PC(MAX): PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W PC(MAX) = 31,24W O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio, entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.

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Calculando R2: VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE

R2 =

VBE 0,7V = = 35 (adotar 33) 20mA 20mA

PR2 =

(ER2 )2 = (0,7 )2
R2 33

0,49V = 14,85mW 33

Calculando R1: VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V R1 = = = = 6,613 IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) 20mA + 600mA 620mA

OBS: IC(MIN) = 0 VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V = = = 3,94 R1 = IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16 R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613 3,94 < R < 6,61 R1 adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R1: (VR1) 2 = (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 = (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 = (8,5V ) 2 = 12,9W PR1 = R1 5,6 5,6 5,6 (adotar 15W - valor comercial)

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO:


O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo de um transistor junto ao elemento de referncia. A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem o circuito tem as seguintes funes: Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso; Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito comparador; Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , faz a comparao de duas tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada tambm tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia que ser aplicada ao circuito de controle.

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FUNCIONAMENTO: Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao da tenso de sada. Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e conseqentemente IC2. Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ). Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1. Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1. Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de T1 (IB1). IC2 = IR1 - IB1 IR1 = IC2 + IB1 FORMULRIO: Considerando a tenso de entrada mxima

VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN)) mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo: VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX)) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) (I) R1 Considerando a tenso de entrada mnima IZ(MAX) = VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX)) IZ(MIN) + IB(MAX) = mas, IB(MAX) = VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) R1

IL(MAX) IL(MAX) IC(MAX) temos ento: 1( MIN ) IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IZ(MIN) + = ( II ) 1( MIN ) R1
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dividindo ( I ) e ( II )
IZ(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) = IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IZ(MIN) + 1( MIN )

IL(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IZ(MAX) = ( III ) . IZ(MIN) + 1( MIN ) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)


Clculo de R1

R1 >

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IZ(MAX)

R1 <

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IL(MAX) IZ(MIN) + 1( MIN )

A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por: VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN)) PR1 =

[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2


R1 (adotado)

Clculo de R2 Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2 Quando IC2 = IZ(MIN) R2 <

VL - VZ - VBE2(MAX) 0,1.IZ(MIN) VL - VZ - VBE2(MIN) 0,1.IZ(MAX)

Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R1 (adotado) IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) - IB1(MAX) IB1(MAX) = 1( MIN ) R1 (adotado)

IZ(MIN) =

Clculo de potncia dissipada em R2

VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN) PR2 = (VL - VZ - VBE2(MIN)) 2 R2 (adotado)

Clculo de R3

R3 VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3 R3 + R2


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VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3 VR3.R2 = R3.(VL - VR3) VR3 . R2 R3 = (R2 adotado no clculo anterior) VL - VR3

Clculo de potncia em R3 Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)

(VZ + VBE2(MAX) ) 2 PR3 = R3 (adotado)

PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas: VIN = 25V 10% IL(MAX) = 800mA Tenso na carga (VL) = 12V Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V
Escolha de T1: O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas: IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W

O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros: VCEO = 45V IC(MAX) = 2A PC(MAX) = 25W (MIN) = 40 (MAX) = 250
Escolha do diodo zener: Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor pode ser escolhido. Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os parmetros: IZ(MIN) = 50mA VZ = 5,1V PZ(MAX) = 1,3W

Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto: PZ(MAX) 1,3W IZ(MAX) = = = 255mA 5,1V VZ

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IL(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IZ(MAX) = . IZ(MIN) + 1( MIN ) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)


Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V 800mA 27,5V - 12V - 0,6V IZ(MAX) = . 50mA + 40 22,5V - 12V - 0,7V 14,9V IZ(MAX) = . 70mA = 106,43mA 9,8V Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2: O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:

VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX) PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente. O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas: VCEO = 45V IC(MAX) = 1A PC(MAX) = 8W (MIN) = 40 (MAX) = 250 Clculo de R1: VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V = = 58,4 R1 > = IZ(MAX) 255mA 255mA R1 <
22,5V - 12V - 0,7V 9,8V VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) = = 140 = 800mA IL(MAX) 70mA 50mA + IZ(MIN) + 40 1( MIN ) 58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100

Calculando a potncia desenvolvida em R1: [ (VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2 (27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2 = = 2,22W = PR1 = R1 (adotado) 100 100 (adotar 5W) Clculo de R2: VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R2 > IZ(MAX) = 0,1.IZ(MAX) R1 (adotado)

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IZ(MAX) =

27,5V - 12V - 0,6V = 149mA 100

R2 >

12V - 5,1V - 0,6V 6,3V = = 422,82 14,9mA 14,9mA


IZ(MIN) =

R2 <

VL - VZ - VBE2(MAX) 0,1.IZ(MIN) IZ(MIN) =

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) - IB1(MAX) R1 (adotado)

22,5V - 12V - 0,7V 800mA = 98mA - 20mA = 78mA 100 40 R2 < 12V - 5,1V - 0,7V 6,2V = = 794,87 7,8mA 7,8mA

422,82 < R2 < 794,87 adotar 560 Calculando a potncia desenvolvida em R2: (VL - VZ - VBE2(MIN)) 2 PR2 = R2 (adotado) PR2 =
Clculo de R3:

(12V - 5,1V - 0,6V) 2 (6,3V ) = = 70,88mW 560 560


2

R3 =

VR3 . R2 5,7V . (560) 3.192 = = 506,67 adotar 470 = 6,3 VL - VR3 12V - 5,7V

onde: VR3 = (VZ + VBE2(MIN)) Calculando a potncia desenvolvida em R3: (VZ + VBE2(MAX) ) 2 PR3 = R3 (adotado) PR3 = (5,1V + 0,7V) 2 (5,8) 2 = = 71,57mW 470 470

CONFIGURAO DARLINGTON:
A configurao Darlington consiste na ligao entre dois transistores na configurao seguidor de emissor, ligados em cascata, conforme ilustra a figura ao lado, proporcionando em relao a um nico transistor um ganho de corrente bastante elevado. O ganho total de tenso aproximadamente igual a 1.

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Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2 O ganho total (T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000 Assim, IC2 = T . IB1 A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2 Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um nico invlucro, como por exemplo, os transistores BD262 e BD263, com polaridades pnp e npn respectivamente.

PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR DARLINGTON


Projetar novamente o regulador srie da pgina 1, utilizando transistor Darlington; proceder a uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar concluses. Caractersticas do regulador: Tenso de sada (VL): 6V Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A Tenso de entrada (VIN): 12V 10% Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so: VCBO = 80V IC(MAX) = 4A PC(MAX) = 36W (MIN) = 500 (MAX) = 1.000 Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
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O valor comercial mais prximo de 7,5V. O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so: VZ = 7,5V PZ(MAX) = 400mW IZ(MIN) = 10mA IZ(MAX) = 0,4W = 53,33mA 7,5V

Verificando a escolha do transistor:

PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX) IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX) IB(MAX) = IC(MAX) ( MIN) logo: IC(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) ( MIN)

IC(MAX) =

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5 = = = = 1,497A 1 1 + 0,002 1,002 1+ 1 1+ ( MIN ) 500

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W


O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor. Verificando a escolha do zener:

VIN(MAX) - VZ IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX)) VIN(MIN) - VZ IB(MAX) = IC(MAX) 1,497A = = 2,994mA ( MIN) 500

13,2V - 7,5V IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA ) 10,8V - 7,5V IZ(MAX) = 5,7V .12,994mA = 22,44mA 3,3V

Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.

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Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ R= 5,7V VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V = = = 106,88 53,33mA 53,33mA IZ( MAX )

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V R= 3,3V 10,8V - 7,5V VIN(MIN) - VZ = = = 253,96 IB(MAX) + IZ(MIN) 2,994mA + 10mA 12,994mA

Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso 180. Potncia dissipada pelo resistor: P= E2 R
P=

(VIN(MAX) - VZ) 2 (13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2 = = = 180,5mW R 180 180

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).


COMPARAES:

Parmetros R1 PR1 IC(MAX) PC(MAX) IZ(MAX) terico IZ(MAX) prtico VZ IB(MAX)

Projeto com transistor comum 91 508mW 1,46A 10,5W 73,53mA 71,2mA 6,8V 36,5mA

Projeto com transistor Darlington 180 180,5mW 1,497A 10,78W 53,33mA 22,44mA 7,5V 2,994mA

Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor Darlington bem maior.

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BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986 Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993 Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill International Editions - Singapore Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed. Prentice/Hall - RJ - 1.996 Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990 Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

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