RESPUESTA EN FRECUENCIA PARA AMPLIFICADORES MONOETAPA

La determinacin de la funcin de transferencia para los amplificadores se convierte en un proceso engorroso por los mtodos tradicionales, consistentes en reemplazar el circuito equivalente o T del transistor con todas las capacitancias implicadas (tanto en el transistor como las externas de acople). El mtodo de constantes de tiempo1 facilita enormemente el clculo de las frecuencias de corte en baja y alta frecuencia (fL, fH). Aqu la funcin de transferencia del amplificador se aproximar a funciones pasa-bajo(para alta frecuencia) y pasa-alto(para baja frecuencia) con sus respectivas frecuencias de corte, quedando el ancho de banda determinado como: B w = f H f L f H . Las capacitancias C , C del modelo en alta frecuencia del transistor son las responsables de la frecuencia corte en alta frecuencia fH del amplificador y cada una produce un polo que se determinar mediante el mtodo de constantes de tiempo de circuito abierto . Las otras capacitancias externas de acople, estarn cerrados (son cortos, es decir, impedancias muy bajas) a la frecuencia de operacin y por eso no aparecern en el circuito. El procedimiento para calcular la frecuencia de corte en alta frecuencia mediante el mtodo de constantes de tiempo de circuito abierto, consiste bsicamente en calcular las resistencias equivalentes Thevenin vistas por cada capacitor de alta frecuencia, as un capacitor y su respectiva resistencia equivalente Thevenin determina un polo de alta frecuencia. Este proceso se hace paso a paso encontrando la contribucin de un capacitor de alta frecuencia, mientras los dems capacitores de alta frecuencia estn abiertos (alta impedancia). Al final del proceso, la frecuencia de corte se calcula como el paralelo de todos los polos de alta frecuencia hallados. El polo menor en alta frecuencia determinar la frecuencia de corte superior. Por otro lado, las capacitancias externas de acople ( C1,C2, CE, CB, ..) determinan la frecuencia de corte en baja frecuencia fL. Cada una de ellas producir un polo que se determinar mediante el mtodo de constantes de tiempo de corto circuito. Las impedancias de las capacitancias internas C , C a las frecuencias de operacin en baja frecuencia son muy elevadas y por tanto aparecern en el circuito del modelo como circuitos abiertos. El procedimiento para calcular la frecuencia de corte en baja frecuencia mediante el mtodo de constantes de tiempo de corto circuito, consiste bsicamente en calcular las resistencias equivalentes Thevenin vistas por cada capacitor de baja frecuencia, as un capacitor y su respectiva resistencia equivalente Thevenin determina un polo de baja frecuencia. Este proceso se hace paso a paso encontrando la contribucin de un capacitor de baja frecuencia, mientras los dems capacitores de baja frecuencia estn cerrados (baja impedancia). Al final del proceso, la frecuencia de corte se calcula como la serie de todos los polos de baja frecuencia hallados. El polo mayor en baja frecuencia determinar la frecuencia de corte inferior.

1 Remtase al Uso de constantes de tiempo en cortocircuito y circuito abierto para del capitulo para la determinacin aproximada de L y H en el captulo 7.2 del libro gua Sedra/Smith 4ta Ed.
Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Respuesta en alta frecuencia para el amplificador EC Generalizado.

El circuito equivalente AC para el amplificador EC Generalizado en alta frecuencia se ilustra en la figura 14.

Figura 14. Circuito equivalente en alta frecuencia para EC Generalizado

Se denotan las resistencias vistas por los capacitores C , C como R y R respectivamente. El circuito equivalente Thevenin para la determinacin de R (con C abierto) se muestra en la figura 15.

Figura 15. Circuito equivalente en alta frecuencia para la determinacin de R

Del circuito se puede ver que: v x =v . Es claro que la resistencia equivalente Thevenin R que se quiere hallar es el paralelo entre la resistencia de base del transistor r y la equivalente vista en el circuito desde la base hacia emisor. Por esta razn vamos a usar el circuito de la figura 16 sin r a fin de simplificar el clculo.

Figura 16. Circuito equivalente simplificado en alta frecuencia para la determinacin de R

Realizando LKC en el nodo 0 del circuito de la figura 16, tenemos: i c =i x + i e

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Y sabemos que: i c = g m v x + i r Realizando LKV en la entrada: De donde:

o

v x + ( R B R sig ) i x R E i e =0 => v x + ( R B Rsig ) i x R E (i c i x )=0 i c=

v x R BR sig + + 1 i x (1) RE RE Realizando LKV en la salida: R E i e + ( RC R L ) i c + r o i r = 0 de donde: R E (i c i x )+ ( RCR L )i c + r o ( i c g m v x )= 0 => ( R E + RCR L + r o ) i c R E i x g m ro v x = 0 (2) Reemplazando (1) en (2): v x R BR sig ( R E + R C R L + r o ) + + 1 i x RE i x g m r o v x =0 RE RE
o

Efectuando las operaciones implicadas y simplificando la expresin, se llega a: v ( R R )( R E + RC R L + r o )+ R E ( RCR L + r o ) R x = x = B sig ix g m r o R E + R E + R C R L + r o Con un poco de lgebra se puede expresar como: v R BR sig + R E( RCR L + ro ) R x= x = ix R ( RC R L + r o) 1+ g m ( RCr oR L ) E RC R L Retornando al circuito de la figura 15 (con r en parallelo) y denotando A = g ( R r R ) g ( R R ) ( ganancia de voltaje con carga del amplificador EC), la V m C o L m C L resistencia equivalente Thevenin vista por C nos queda:

[ (

)]

R = R =r
EC

Si RE=0, con lo cual el nodo emisor va a tierra de seal, nos queda: R = r R B Rsig Observe que si Rsig<<RB, r, entonces: R Rsig . Para la determinacin de R (con C abierto) , se tiene el circuito equivalente de transconductancia del amplificador EC mostrado en la figura 17.

R BR sig + R E( R C R L+ r o ) 1 + AV

RE( RC R L + r o ) RC R L

Ec B.

Figura 17. Circuito equivalente en alta frecuencia para la determinacin de R

Donde Ri = R Br + (+ 1 ) R E y R o= RC [ r o+ ( 1+ ao) REr ] RC son las resistencias de entrada y salida del amplificador EC. Realizando LKV en la entrada: v i+ v x + ( Ro R L ) i o= 0 (1)
Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Adems v i =( R iR sig ) i x (2) En el nodo de salida, tenemos: i x = Gm ( RoR L )+ i o (3) Reemplazando (2) y (3) en (1): v i+ v x ( Ro R L )[ i x + G m ( Ro R L )]= 0 => [ 1+ G m ( R oR L )]( Ri Rsig )i x + v x ( R oR L ) i x =0 Simplificando, se obtiene: v R x = x = R oR L + [1 + Gm ( Ro RL )]( Ri R sig ) ix Por lo tanto, la resistencia vista por el capacitor C es: R= Ro R L + [ 1+ G m ( R oR L )]( Ri Rsig ) Si denotamos Av=G m ( R oR L ) (ganancia con carga del amplificador EC generalizado con RE0), podemos escribir: R= R o R L+ ( 1+ A v)( Ri Rsig ) Ec C. Bajo las condiciones tpicas Rsig<<Ri y RL<<Ro podemos aproximar la expresin como: R R L + ( 1+ Av) Rsig Con esto tenemos que los polos generados por las capacitancias internas del transistor son: 1 1 p = = R C R R + R E( RC R L+ r o ) r B sig C R E( RC R L+ r o ) 1+ AV RC R L
1

1 1 = R C [ Ro R L + ( 1 + Av)( Ri Rsig )] C Y la frecuencia de corte en alta frecuencia es: H p p p =

2

[(

)]

Con un examen minucioso en las ecuaciones para R y R se puede llegar a que: R > R por lo tanto: p < p . Esto significa que p puede ser un polo dominante y la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aproximar a este polo, esto es: 1 1 1 H p = R C [ Ro R L + ( 1 + Av)( Ri Rsig ) ] C [ R L + ( 1 + Av) R sig ] C
2 1 2 2

Podemos afirmar entonces que la frecuencia de corte superior y por tanto del ancho de banda del amplificador EC Generalizado depende sustancialmente de la resistencia equivalente vista por el capacitor C . Observe que la ganancia del amplificador juega un papel importante, estableciendo una relacin inversa con el el ancho de banda, es decir, si la ganancia aumente el ancho de banda disminuye. Este resultado tambin se puede obtener a partir del circuito ilustrado en la figura 17 para RE=0 (El emisor del transistor va a tierra de seal). En este caso la capacitancia C queda en paralelo con la resistencia de entrada y C entre las terminales de entrada y salida del amplificador.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Haciendo uso del teorema de Miller2 podemos transformar una admitancia entre dos puertos (entrada/salida) en dos admitancias, una entre el puerto de entrada Y 1=(1 AM ) Y y otra en el puerto 1 Y como se muestra en la figura 18. Donde AM es la ganancia del circuito de salida Y 2= 1 AM v2 entre las terminales 1 y 2 (Ganancia Miller), esto es: A M = . v1

Figura 18. Teorema de Miller

En nuestro caso, la admitancia Y =C s del capacitor C se transforma en dos admitancias que se 1 C . La ganancia interpretan como dos capacitancias de valores: C 1=(1 A M ) C y C 2= 1 AM del circuito AM es la ganancia del amplificador EC:

A M = AV = g m ( RCro R L ) g m ( RC R L ) Con esto, en el circuito nos quedan dos capacitores equivalentes: uno en la entrada 1 C . Es de notar que C eq > C eq y C eq =(1+ AV) C + C y otro en la salida C eq = 1 + AV C eq C ya que |AV| >>1. Esto se conoce como el efecto multiplicativo de capacitancia Miller, ya que el capacitor en la entrada se ve amplificado, al menos, en el factor de ganancia del circuito.
1 2

As las cosas, aplicando el mtodo de constantes de tiempo de corto circuito, obtenemos las resistencias equivalentes vistas por los capacitores equivalentes Miller: R eq = Ri Rsig = R Br Rsig R eq = Ro R L = RC r oR L
1 2

Por lo tanto, los polos nos quedan: 1 1 1 p = = = Req C eq ( RiR sig ) C eq ( RiR sig ) [ C + ( 1+ AV)C ] 1 1 1 1 p = = = Req C eq ( RoR L ) C eq 1 ( Ro R L) C ( Ro R L ) 1+ A C V
1 1 1 1 2 2 2 2

2 Remtase al Teorema de Miller, en el capitulo 7.4 del libro gua Sedra/Smith 4ta Ed.
Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Ya que el capacitor equivalente en la entrada es mucho mayor que en la salida, entonces su correspondiente polo ser menor y por lo tanto podr ser dominante, an cuando RiR sig < R oR L . Esto implica que la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aproximar como: 1 H p = ( RiR sig ) [ C + ( 1+ AV)C ]
1

Aqu podemos notar nuevamente que el ancho de banda del amplificador EC depende sustancialmente de la resistencia equivalente vista por el capacitor C y que existe una la relacin inversa entre ganancia y el ancho de banda. La supresin de RE en el amplificador EC tiene como consecuencia una disminucin en la resistencia equivalente Ri R sig y Ro R L de Miller con respecto a los mismos paralelos en el amplificador EC Generalizado, haciendo que la resistencia equivalente R baje y consecuentemente el ancho de banda aumente. Sin embargo, por otro lado, la ganancia del amplificador EC aumenta considerablemente con la desaparicin de RE haciendo que compense la disminucin en la resistencia del polo dominante e incluso genere un aumento, haciendo que el ancho de banda disminuya. Podemos concluir entonces que la aparicin de RE en el amplificador EC Generalizado disminuye la ganancia pero aumenta su ancho de banda.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Respuesta en alta frecuencia para el amplificador BC

El circuito equivalente AC para el amplificador BC en alta frecuencia se ilustra en la figura 19.

Figura 19. Circuito equivalente en alta frecuencia para BC

Del circuito podemos ver que la resistencia equivalente vista por el capacitor C est dada por: R = RE R ee R sig Donde
Con: RB = 0

Ree

Con: R B = 0

es la calculada previamente (Ec A) con RB=0, esto es:

r 1 r ee( r o+ RC ) o r AV 1 1 Con: R = 0 + + o r ee r o + RC AV Con AV = g m ( RCr o R L ) . Entonces, reemplazando nos queda: r 1 R = R E r ee( ro + RC ) o R sig REr eeR sig R E R sig AV gm

Ree
B

( )

La resistencia equivalente vista por el capacitor C est dado por: R= Ro R L donde Ro = RC[ r o+ (1+ a0)( R E Rsigr )] RC para a0 1 , r o Entonces nos queda: R RCR L Con esto, tenemos que los polos del amplificador son: 1 1 1 p = = R C 1 r R E ree( r o+ RC ) o R sig C R E g m Rsig C AV
1

( )]

1 1 1 = R C [ RC[ r o+ ( 1+ a 0)( R ER sigr )] R L ] C [ RCR L ] C De las ecuaciones se observa que en ningn polo la ganancia amplifica el capacitor interno correspondiente, esto implica que no se ve afectado por el efecto Miller. p =
2

[ (

( ))

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

1 R , ya que RC debe ser alta para que la ganancia lo sea, g m sig entonces p < p . Esto significa que p puede convertirse en un polo dominante y la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aproximar a: 1 1 H p = [ RC[ r o+ (1+ a0)( R E Rsig r )]R L ] C [ RC R L] C Si se cumple que: RCR L > R E
2 1 2 2

Esta ecuacin nos indica que el ancho de banda del amplificador BC est determinado por la resistencia equivalente vista por el capacitor C . Dicha resistencia est influenciada por la carga. Sin embargo, si la resistencia de carga se hace menor que la resistencia de salida de entrada del amplificador, el polo en la entrada se puede convertir en dominante y nos queda: H p =
1

En general, tendremos que la frecuencia de corte superior est dada por el paralelo de los polos hallados, esto es: H p p
1 2

[ (

R E r ee( r o+ RC )

( ))

ro Rsig C AV

R E

1 R C g m sig

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Respuesta en alta frecuencia para el amplificador CC

El circuito equivalente AC para el amplificador CC en alta frecuencia se ilustra en la figura 20.

Figura 20. Circuito equivalente en alta frecuencia para CC

Para determinar la resistencia equivalente vista por el capacitor C acudimos al circuito de la figura 16 con RC=0. En este caso la resistencia RL est en paralelo con RE , por lo tanto, usando la Ec. B, la resistencia equivalente nos queda: R R + R E R Lr o R = R = r B sig 1+ g m ( RE R Lr o) EC Para la determinacin de R, usamos la ecuacin para Rbb con RE en paralelo con Rsig, esto es: R= R B Rbb = RB[ r + (+ 1)( R E Rsig )] Entonces los polos para el amplificador CC son: 1 1 p = = RC R R + R Er o R L r B sig C 1+ g m ( R Er o R L )
1

Con: RC = 0, R E RL

Con: RE R sig

1 1 = R C ( RB[ r + (+ 1)( R E Rsig )]) C De las ecuaciones se observa que en ningn polo la ganancia amplifica el capacitor interno correspondiente, esto implica que no se ve afectado por el efecto Miller. Bajo la condicin de que R sig < R E R L < r < RB y g m R E > 1 , entonces: R sig R gm RE < p p y R r por lo que R < R y entonces . El polo puesto por C puede ser dominante e implica que la frecuencia de corte superior se puede aproximar como: 1 H p = ( R B[ r + (+ 1)( R ER sig )]) C Si embargo esta condicin no siempre se cumple haciendo que no exista un polo dominante y por tanto la frecuencia de corte se deber calcular como el paralelo entre ambos polos, esto es: H p p p =
2 2 1 2 1 2

[(

)]

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Comparacin de polos de alta frecuencia en los amplificadores Monoetapa

La tabla 2, resume los clculos de los polos para los amplificadores EC Generalizado, BC y CC.

Resistencias

Emisor Comn Generalizado (EC)

Base Comn (BC) R E Ree Rsig =

Con: ( RB = 0)

Colector Comn (CC)

R:C

R B Rsig + R E( RC R L + r o ) R ( R CR L + r o ) 1+ AV E RC RL

R E r ee( r o + RC ) R E 1 R g m sig

( ))

ro R sig AV

EC Con: ( RC =0, R E RL )

R BR sig + R E R Lr o 1+ g m ( R ER Lr o )

R:C

Ro R L + ( 1 + Av)( Ri Rsig ) Con : Av =G m RoR L 1 R C Si R sig Ri y Av1 : 1 H [ RC R L + ( 1+ Av) R sig ] C H

R C[ r o + ( 1 + a0)( R E Rsigr )]R L = R oR L RC R L Si R sigR E < RC R L : 1 1 H = R C ( RC R L ) C

R B

bb Con: ( R E Rsig )

R B[ r + (+ 1 )( R ER sig )] Si R sig < R ER L < r < R B : 1 1 H R C r C

Polo dominante

Tabla 2. Resumen de las resistencias equivalentes y polos en alta frecuencia de amplificadores Monoetapa.

Bajo las condiciones tpicas de los valores de resistencias externas para cada amplificador, podemos usar la tabla 2 para comparar nicamente los polos dominantes. Si asumimos que todos los valores de resistencias son iguales para cada amplificador y que tienen el mismo punto de polarizacin entonces podemos notar que el amplificador EC generalizado posee la resistencia equivalente mayor y por lo tanto el menor ancho de banda. El ancho de banda del BC tiene una gran dependencia de la carga, mientras que el CC es independiente de ella, por esta razn podemos afirmar que el CC exhibir, en la mayora de los casos, el mayor ancho de banda de los tres amplificadores.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Respuesta en baja frecuencia para el amplificador EC Generalizado.

El circuito equivalente AC para el amplificador EC Generalizado en baja frecuencia se ilustra en la figura 21. En este caso debemos usar el mtodo de constantes de corto circuito para determinar la frecuencia de corte en baja frecuencia.

Figura 21. Circuito equivalente en baja frecuencia para EC Generalizado

Note que se ha introducido una resistencia adicional REs en serie con el capacitor CE hacia el emisor con el fin de hacer el anlisis ms general. Para determinar la resistencia equivalente vista por el capacitor C1 acudimos al circuito de la figura 21. Observe que los dems capacitores ( C2, CE) de baja frecuencia se ponen en corto haciendo entonces que la resistencia R1 a hallar es la serie entre Rsig y la Rbb de la ecuacin A con RE=0 y RC||RL, esto es: R1= Rsig + R B Para R2, nos queda: R1= R L + RC Para R3=R'E, nos queda: R ' E = R Es + R E

R R Con: B sig R E =0

R bb

= Rsig + R Br

)
= R L + RC r o

R R Con: B sig RE = 0

Rcc

)
ro AV

Ree
B C

= R Es+ RE r ee( r o + RCR L )

sig L

Con:

(RR RR )

( )]

Con

AV = g m ( RCr oR L )

1+

( R BR sig )/(+ 1 ) r ee

( )
ro AV

Para el caso en que r o y es grande, las resistencias nos quedan: R1 = Rsig + R Br R 2 R L + RC R R 1 R3 = R' E REs +( R Er ee ) 1 + B sig REs + R Er ee REs + R E (+ 1) r ee gm

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Por lo tanto los polos nos quedan: 1 1 p = R1 C 1 ( Rsig + R Br ) C 1 1 1 p = R 2 C 2 ( R L + RC ) C 2 1 1 1 p = R' E C E 1 R BR sig REs + R E C REs +( R Er ee) 1 + CE gm E (+ 1) r ee La frecuencia de corte inferior est dada por: L = p + p + p
1 2 E

)] (
E

En este caso, el posible polo dominante ser el mayor de todos y por tanto el que menor resistencia equivalente tenga. De las ecuaciones anteriores podemos ver que si RC , R Br > R E la resistencia R'E puede proporcionar el polo dominante en baja frecuencia. Entonces la frecuencia de corte en baja frecuencia para el amplificador EC generalizado quedar determinada por: 1 1 1 L p = R' E C E 1 R R REs + R E C REs +( R Er ee) 1 + B sig C E gm E (+ 1) r ee
E

)] (

Ya que tpicamente R E > 1 / g m entonces la frecuencia de corte depender sustancialmente del punto de polarizacin y del valor del capacitor CE y de la resistencia en serie REs. Se puede observar como la introduccin de REs en el circuito aumenta la resistencia equivalente vista por CE y por tanto disminuye el polo dominante en baja frecuencia.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Respuesta en baja frecuencia para el amplificador BC.

El circuito equivalente AC para el amplificador BC en baja frecuencia se ilustra en la figura 22.

Figura 22. Circuito equivalente en baja frecuencia para BC

La resistencia equivalente vista por C1 es: R1= Rsig + R E

Con: RC RL R B =0

R ee

= Rsig + R Er ee( r o+ RC R L )

donde AV = g m ( RC R Lr o) La resistencia equivalente vista por C2 es: R 2 = R L + RC

Con: R E Rsig R B =0

( )
ro AV

Rcc

= R L + RC r o+

La resistencia equivalente vista por CB es: R3= R' B = R B Rbb = R B[ r + (+ 1 )( R ER sig )]

Con:

R ER sigr ( 1+ a 0r ) r

Por lo tanto los polos nos quedan: p =

1

( RR R R )
E sig L C

1 R1C1

1 1 R2 C 2 ( R L+ RC ) C 2 1 1 p = R' B C B [ R B[ r + (+ 1)( RE Rsig )]] C B De estas ecuaciones podemos observar que si R sig < RC R L entonces la resistencia menor es R1 y por tanto la frecuencia de corte se puede aproximar como: 1 1 L p = R1 C 1 1 Rsig + R E C gm 1 La frecuencia de corte en baja frecuencia para el amplificador BC depende de la resistencia total en la entrada del amplificador. p =
2 B 1

R sig + R E

1 C gm 1

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Respuesta en baja frecuencia para el amplificador CC.

El circuito equivalente AC para el amplificador CC en baja frecuencia se ilustra en la figura 23.

Figura 23. Circuito equivalente en baja frecuencia para CC

La resistencia equivalente vista por C1 es: R1= Rsig + R B Rbb = R sig + R B[ r + (+ 1)( RE R L )]
Con:

La resistencia equivalente vista por C2 es: R 2 = R L + R E

R (R R =0 )
E L C

R ee
B C

= RL + R E ( r eer o ) 1+
sig

Con:

La aproximacin se da en el caso en que r o y sea grande. Por lo tanto los polos nos quedan: 1 1 p = = R 1 C 1 [ Rsig + R B[ r + (+ 1)( R E R L )]] C 1 1 1 p = R2 C 2 1 R L + R E C gm 2 Si se cumple que R sig < R L < R Br , la frecuencia de corte en baja del amplificador CC nos queda: 1 1 L p = R2C 2 1 R L + R E C gm 2 En este caso, la frecuencia de corte en baja frecuencia para el amplificador CC depende de la resistencia total en la salida del amplificador.
1 2

R (RR = 0)

[ (
)

RB 1 R L + R E gm (+ 1 ) r ee

)]

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

Comparacin de polos de baja frecuencia en los amplificadores Monoetapa

La tabla 3, resume los clculos de los polos para los amplificadores EC Generalizado, BC y CC. Emisor Comn Generalizado (EC) R1= Rsig + R B C1 : R1 Base Comn (BC) R sig + R E
sig

Colector Comn (CC) R sig + R B

R bb
B E

Con:

= R sig + R Br R 1= R L + RC = R L + R Cr o

R ( RR = 0)

R R Con: C L R B= 0

R ee

)
=

R bb
E C

=
L

R sig + R Er ee( r o+ RC R L ) R L + RC

( )
ro AV

Con:

R sig + R B[ r + (+ 1)( RE R L )] R L + RE
ee Con: ( RB Rsig , RC = 0)

R (R R =0 )

C2 : R2

Con: ( R B Rsig , RE = 0 )

Rcc

R L + RC r o+
Para C3=CE : R'E

Con: ( RE R sig , R B = 0)

R cc

R ER sigr ( 1 + a0 r ) r

R L + RE ( r eer o ) 1+
Para C3=CB : R'B

[ (
R bb
E C

RB (+ 1 ) r ee

)]

C3 : R3

R B R sig R ' E = R Es+ RE Ree R Es +( R Er ee ) 1 + (+ 1 ) r ee Con: ( R R , R R ) 1 R Es + R Er ee R Es + R E gm

B sig C L

R3 = R' B = R B

Con:

= R B[ r +(+ 1 )( R E Rsig )] Si R sig < R L < R Br : 1 1 L R 2 C 2 ( R L+ 1 / g m )C 2

R (R R R )
sig L

Polo dominante

Si RC , R Br > RE : 1 1 L R ' E C E ( REs + R E1 / g m) C E

Si R sig < RC R L : 1 1 L R1 C 1 ( R sig + R E1 / g m) C 1

Tabla 3. Resumen de las resistencias equivalentes y polos en baja frecuencia de amplificadores Monoetapa.

Podemos ver que la expresin para los polos dominantes es muy semejante y ya que en las aproximaciones se ha supuesto que R L > R sig entonces implicar que el amplificador CC tendr la resistencia equivalente mayor. Esto significa que, bajo estas condiciones, el amplificador CC posee una frecuencia de corte inferior mayor a los otros amplificadores y su valor est determinada por el capacitor y la resistencia equivalente en la salida.

Adrin Montoya Lince, Universidad de Antioquia, Departamento de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones