Universidad Nacional De Colombia Facultad De Ingenier a ctrica Y Electro nica Departamento De Ingenier a Ele

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El Diodo y sus caracter sticas

1.
1.1.

Objetivos
Objetivo General

Identicar las caracter sticas b asicas de los diodos semiconductores, incluyendo la identicaci on de la curva corriente vs voltaje (i-v), tensi on de polarizaci on directa y velocidad de recuperaci on.

1.2.

Objetivos espec cos

Determinar experimentalmente la relaci on corriente - voltaje (curva caracter stica i-v) del diodo. Medir la resistencia tensi on de polarizaci on directa del diodo y otros parametros asociados a la curva caracter stica. visualizar los tiempos de respuesta de diferentes tipos de diodos.

2.

Materiales e Instrumentos Requeridos

1 Osciloscopio de 2 Canales. 1 Generadores de se nal con resistencia de salida de 50 . 1 Mult metro Fluke. 1 Fuente Dual. 3 Sondas. Resistencias de 1/4 [W] (seg un c alculos) Varias Resistencias de mas de 5[W] Diodos 1N4004 o similares Diodos 1N4148

3.

Pr actica

DE LABORATORIO. La ESTA PRACTICA ESTA DISENADA PARA DESARROLLARSE EN UNA SESION pr actica se divide en 2 partes. Cada una de ellas implica trabajo previo al d a de la pr actica y en el d a de la pr actica.

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3.1.

Curva caracter stica del diodo

En la clase teorica se establecieron los principios necesarios para la comprensi on del funcionamiento de la uni on P-N, tambi en se explic o la ecuaci on que describe la relaci on entre las variables f sicas que interactuan en la construcci on del diodo semiconductor y que se dene como: I = Is (e VT 1) (1)
vd

En donde Is es la corriente inversa de saturaci on, es una constante llamada coef ciente de emisi on que varia entre 1 y 2, VT es el llamado voltaje t ermico y es igual a kT /q , en donde k es la constante de Boltzman (1.38 x 1023 J/K ), T es la temperatura en grados kelvin, y q es la carga del electr on (1.6 x 1019 C ). En la regi on de conducci on, el t ermino exponencial de la ecuaci on del diodo se hace mucho mayor que el factor -1 ya que (Vd VT ), por lo cual la ecuaci on anterior puede ser aproximada por: I = Is (e VT ) (2)
vd

Previo al d a de la pr actica: Preparar dos montajes sin protoboard soldados en una tarjeta universal utilizando el diodo 1N 4004, de estos uno se expondr a a temperatura ambiente 20 C y el otro a temperaturas superiores a 60 C (esta se puede lograr acercando el diodo a un caut n). El circuito debe estar compuesto de una fuente variable (0 25VDC ) en serie con una resistencia limitadora de corriente y el diodo a la temperatura requerida, en zona de operaci on segura, (tenga cuidado tanto en el c alculo de la resistencia como su vatiaje) la resistencia debe soportar una corriente m axima Imax = 250mA a 25V . Estos dise nos deben ser consignados en la bit acora, mostrando con claridad que se cumplen las espec caciones de funcionamiento. Posteriormente se debe corroborar el funcionamiento del circuito dise nado a trav es de simulaciones que deben estar presentes en el trabajo previo. Descargue, lea y consigne en la bit acora el datasheet del diodo a utilizar, prestando especial atenci on a los valores a c alcular en la pr actica.

El d a de la pr actica: Usando el montaje de la gura 1: Variando lentamente el voltaje de la fuente (desde 0 V), obtenga un buen n umero de puntos (V,I) hasta llegar al Imax para cada montaje hecho en el trabajo previo. Puede hacer incrementos de 15mA. Realice una gr aca con los datos adquiridos en un papel milimetrado de I (eje y) contra V (voltaje en el diodo en el eje x).

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Figura 1: Circuito de polarizaci on del diodo

Figura 2: Curva caracteriztica del dioso en polarizaci on directa (azul), recta de carga y punto de poarizaci on directa para calculo de resistencia din amica. Obtenga de manera aproximada a partir de la curva trazada con los datos (ver gura 2 ): La tensi on de polarizaci on directa y la resistencia din amica del diodo. Tenga en cuenta el voltaje de polarizaci on directa especicado en el datasheet del diodo y compare con los resultados obtenidos. Realice una gr aca con los datos adquiridos en un papel semilog de I (eje log) contra V(eje normal) y usando la expresi on obtenga una ecuaci on lineal de la forma Y = Y0 + KV . Se dar a cuenta que con la gr afca ser a f acil obtener los valores de Y0 y K y por lo tanto calcular los parametros Is y .

3.2.

Tiempos de recuperacion en inversa

Previo al d a de la pr actica: Simule el circuito de la Figura 1 utilizando: voltaje de entrada senoidal de 10Vpp , R1 de 1k y D1 un diodo 1N4004. Obtenga el tiempo de recuperaci on inversa del diodo, es decir, el tiempo que tarda la corriente en volverse 0A cuando el diodo se polariza inversamente. Simule el circuto de la Figura 1 en diferentes rangos de frecuencia,(m nimo 2 frecuencias bajas, por ejemplo 200Hz y 600Hz y dos frecuencias altas, por ejemplo 20kHz y 200kHz).

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Identif que la corriente que circula por el circuito cuando la fuente est a a 5 V. Cuando la fuente est a a - 5 V .Qu e sucede con la corriente?, En alg un momento la corriente se hace 0 Amperios?, si es as , Qu e tiempo transcurri o desde que se polariz o inversamente el diodo? Tenga en cuenta el tiempo de recuperaci on inversa especicado por la hoja de datos para cada uno de los diodos. Repita el procedimiento anterior para un diodo 1N4148. El d a de la pr actica: Monte el circuito propuesto para la segunda parte de la pr actica y efectue las mediciones simuladas. Calcule el tiempo de recuperaci on en inversa. Realice este procedimiento para ambos diodos y compare los resultados.

4.

Preguntas Sugeridas
Cu al frecuencia es mejor para trabajar el tiempo de recuperaci on inversa y por qu e?, justif que su respuesta. Qu e cambio se obtuvo al variar la temperatura en la primera parte de la pr actica? Concuerdan los valores de la hoja de espec fcaciones del fabricante con los encontrados experimentalmente? haga un an alisis de la respuesta. Los resultados de la simulaci on y los obtenidos en la pr actica son iguales?, haga un an alisis de su respuesta.

5.

Evaluaci on

La evaluaci on de la pr actica esta compuesta por: la asistencia, la preparaci on previa (bit acora con simulaciones y montaje), la sustentaci on, la funcionalidad, el registro apropiado de las mediciones y el informe. En la sesi on de laboratorio tenga a mano: simulaciones, c alculos, hoja de datos de los diodos a emplear y especicaciones de los instrumentos a utilizar. Con esto se vericar a el dise no realizado previamente a la sesi on. Se deben presentar al profesor las formas de onda obtenidas en el osciloscopio

Referencias
Para el desarrollo de esta pr actica se sugiere consultar: Manuales y hojas de especicaciones de los equipos. Boylestad R. & Nashelsky L. Electr onica y Teor a de Circuitos. Prentice Hall. Sedra K. Smith. Dispositivos electr onicos y amplicadores de se nales. Interamericana.