BJT 1

Transistor bipolar de unin
Dispositivos Electrnicos A 1

Ing. Mnica L. Gonzlez
Transistor bipolar de unin (BJT)

El transistor bipolar de unin (BJT) fue el
primer dispositivo de estado slido de uso
prctico utilizado para reemplazar a las
vlvulas de vaco. Fue desarrollado en
1947 en los Laboratorios Bell por Brattain,
Bardeen y Schockley.
Schockley trabaj, inicialmente, en el
transistor de efecto de campo cuya idea,
patentada por Julius Lilienfield en 1930,
no haba podido llevarse a la prctica por
cuestiones tecnolgicas. El primer tipo de
transistor desarrollado fue el denominado
de contacto puntual (foto).
El 23 de diciembre de 1947, el transistor
de unin fue utilizado para demostrar la
amplificacin de seales de voz.
Los costos de investigacin y desarrollo
del transistor de estado slido estuvieron a
cargo del Ministerio de Defensa de los
Estados Unidos. El inters de los militares
se centraba en la miniaturizacin de los
equipos de armamento. El desarrollo de la
tecnologa del transistor bipolar, con la
participacin de empresas privadas, fue
decisivo para la explosin de la electrnica
de estado slido, que llev a la integracin
de dispositivos en chips cada vez ms
pequeos y ms densos, y que an
contina.

Primer transistor de contacto puntual

Transistor bipolar integrado

Por la invencin y desarrollo del
transistor bipolar de unin
Brattain, Bardeen y Schockley
(foto) compartieron el Premio
Nobel de Fsica en 1956.


1- Transistor bipolar de unin (BJT)

1.1- Caractersticas generales

El transistor bipolar de unin (BJT) consiste bsicamente de dos junturas PN conectadas en
oposicin. Por lo tanto, el funcionamiento del dispositivo puede comprenderse del
conocimiento de la operacin fsica de la juntura PN.
Las Figuras 1a) y 1b) muestran un corte y un esquema, que corresponde a la regin entre
lneas de puntos de la Figura 1a), de un transistor bipolar de unin.
Como puede verse en las figuras anteriores se forman dos junturas. Una es la compuesta por
la regin de emisor (E) y de base (B), JEB. La segunda juntura se forma entre la regin de
base (B) y de colector (C), JCB. En condiciones tpicas de operacin la juntura E-B se polariza
en directa y la juntura C-B en inversa; entre las junturas aparecen dos zonas o regiones de
agotamiento: B-E y B-C. La regin de base se hace mucho ms corta que la longitud de
difusin de los portadores minoritarios en ella. De este modo, el exceso de portadores
minoritarios inyectados en la base en la juntura JEB puede atravesarla y llegar al colector sin
demasiada prdida por recombinacin.
Existen dos tipos posibles de transistores bipolares segn como se conecten las junturas, los
tipos NPN y PNP, cuyos smbolos y polaridades de referencia se indican en la Figura 1c).

B
x
E C
N
+

P N
Emisor Base Colector
Regin de transicin B-E
Regin de transicin B-C
Figura 1b)
B B
E E C
C
Figura 1c)
Transistor NPN Transistor PNP
N
+

Colector
x
Base
N
P
Emisor
Aluminio
(contacto)
Aislante
SiO
2

Figura 1a)
B E C

La Figura 1 d) muestra una estructura tpica de un BJT en un circuito integrado.
Constructivamente, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la regin de base, y sta est
ms dopada que colector.

1.2- Modos de operacin

En condiciones tpicas de operacin la juntura emisor-base (JEB) se polariza en directa y la
juntura colector-base (JCB) en inversa. Es el llamado modo de operacin activo directo, y se
usa para aplicaciones de amplificacin. La accin o efecto transistor tambin se verifica si se
intercambian los terminales de Colector y Emisor. Sin embargo, el comportamiento que
resulta no es idntico dado que el dispositivo no es simtrico: el Emisor est ms contaminado
que el Colector. Esta asimetra hace que este modo de operacin llamado activo inverso no
sea utilizado.
La polarizacin en sentido directo de ambas junturas es el modo de operacin denominado
modo de saturacin. Cuando ambas junturas se polarizan en forma inversa se tiene un cuarto
tipo llamado modo de corte. Estos dos ltimos modos: saturacin y corte son los utilizados
cuando el transistor se hace operar como llave, corresponde a estados lgicos On/Off en
circuitos digitales. La Figura 2 muestra las regiones de operacin para un transistor bipolar
como funcin de la polarizacin aplicada.

Figura 1 d)

Figura 2

La Figura 3 es una representacin de los distintos modos de operacin del transistor sobre la
caracterstica de salida en la denominada configuracin de Emisor Comn (EC).

La Tabla 1 muestra los distintos modos de operacin de un transistor NPN y en
correspondencia la polarizacin de cada juntura.

Tabla 1

Modo de operacin Polarizacin JEB Polarizacin JCB Funcionamiento
Activa directa Directa (VBE > 0) Inversa (VCB > 0) Fuente controlada
Corte Inversa (VBE < 0) Inversa (VCB > 0) Llave abierta
Saturacin Directa (VBE > 0) Directa (VCB < 0) Llave cerrada
Activa inversa Inversa (VBE < 0) Directa (VCB < 0) Fuente controlada

1.2.1- Caractersticas cualitativas de los modos de operacin

- Regin activa directa: el transistor se comporta como una fuente controlada en la cual la
corriente de entrada determina la corriente de salida. Los cambios en el nivel de
polarizacin de la juntura E-B ajustan el valor de la corriente de emisor y en
correspondencia el valor de la corriente de colector.

- Regin de corte: como ambas junturas estn polarizadas en inversa tanto la corriente de
emisor como la corriente de colector son del orden de las corrientes de saturacin de las
junturas correspondientes. En el caso ideal pueden asemejarse a circuitos abiertos.

- Regin de saturacin: como las junturas se polarizan directamente la corriente de colector
ser apreciable pero la tensin en la unin de colector ser pequea en correspondencia a
su polarizacin directa. El funcionamiento se asemeja a una llave cerrada.

- Regin activa inversa: se comporta como una fuente controlada pero de menor ganancia
comparada con la regin activa directa debido a la asimetra en el dopaje de cada regin.

Activa inversa
IB3
IC
VCE
IB2
IB1
IB = 0
Saturacin
Corte
Activa directa
Figura 3

1.2.2- Anlisis cualitativo de las componentes de corriente en un BJT

La Figura 4 muestra un esquema del flujo de portadores y distribucin de corrientes en un
transistor NPN.

IEn: corriente de emisor inyectada hacia la base, electrones que atraviesan la JEB.

IEp: componente de la corriente de base inyectada hacia el emisor, huecos inyectados desde B
hacia E por difusin a travs de la juntura JEB.

IBE
R
: corriente de recombinacin en la regin de base.

ICn: corriente de electrones desde el emisor que son colectados en el colector.

IBCp (ICp): huecos (generados trmicamente) inyectados desde la JCB polarizada en
inversa. Son importantes cuando la corriente de emisor tiende a cero.

IBCn: electrones (generados trmicamente) inyectados desde la JCB polarizada en inversa

Resumiendo: la polarizacin directa de la juntura de base y emisor provoca la circulacin de
una corriente. Esta corriente est compuesta por: electrones inyectados desde el emisor a la
base, componente de la corriente IEn, y de huecos inyectados desde la base al emisor,
componente de la corriente IEp. La mayora de los electrones inyectados desde el emisor
llegan a la juntura entre colector y base, y son barridos de la regin de agotamiento ayudados
por la polarizacin aplicada a esta juntura, pasando al colector donde constituyen la
componente ICn. La componente de la corriente de colector ICp es el resultado de los huecos
generados trmicamente cerca de la unin colector-base y que se desplazan entrando a la base.
La corriente de base consiste de huecos que se recombinan con electrones inyectados desde el
emisor y de huecos que son inyectados a travs de la unin emisor-base hacia el emisor. Las
componentes de corrientes de huecos y electrones generados trmicamente que fluyen en la
unin base-colector slo tienen una contribucin importante cuando la corriente de emisor
tiende a cero.
Las corrientes en los terminales pueden expresarse en funcin de las componentes de
corriente:
Figura 4
IE
IEn
ICn
IBE
R

IBCp = ICp
IBCn
IEp
IBE
R

IC
IB
N+ N P
VBE VCB
electrones
inyectados
electrones
difundidos
electrones
colectados
huecos inyectados
elect. -huecos
recombinados
generacin
trmica
JBE JCB
E
C
B

IE = IEn + IEp

IC = ICn + ICp

IB = IE - IC (Ley de Kirchhoff)

1.3- Parmetros de rendimiento esttico.

1.3.1- Factor de transporte de base (oT)

Es la relacin de corriente de electrones que se difunden hacia el colector respecto a la
corriente de electrones inyectada en la unin E-B, es decir:
En los dispositivos ideales oT es la unidad puesto que no hay recombinacin en la base. En
los dispositivos reales a medida que los electrones viajan a travs de la base se recombinan
con los huecos, de manera que oT es menor a la unidad aunque muy prximo a ese valor
(oT 1) debido a la estrechez de la regin de base.

1.3.2- Eficiencia de inyeccin de emisor ()

Se define como la relacin entre la corriente de electrones inyectada desde el emisor a la
corriente total del emisor

Para tener una alta eficiencia de emisor la corriente inyectada desde la base IEp debe ser lo
menor posible. Esto se logra haciendo la base estrecha y dopando fuertemente el emisor en
comparacin a la base. En estas condiciones 1.

1.3.3- Alfa de corriente continua (Ganancia de corriente o en Base Comn)

La relacin entre las corrientes de colector (IC) y de emisor (IE) es llamada relacin de
transferencia de corriente o ganancia de corriente o y se define por:

Cuando el dispositivo est polarizado en la regin activa directa ICn >> ICp y la ecuacin
anterior puede aproximarse por:

Idealmente o1, puesto que tambin oT1 y 1. En un dispositivo real o es ligeramente
menor, pero muy prxima, a la unidad.
En
Cn
T
I
I
= o
Ep En
En
I I
I

+
=
Ep En
Cp Cn
E
C
I I
I I
I
I

+
+
= = o
o o o . T
Ep En
En
T
En
Ep
En
Cn
Ep En
Cn

I I
I

I
I
1
1

I
I

I I
I
=
(
+
=
(
(
(
+
=
+
~

1.3.4- Beta de corriente continua (Ganancia de corriente | en Emisor Comn)

El parmetro | se define por:
| (llamado tambin hFE) es el factor de amplificacin de la corriente de colector. Su valor
puede ser bastante grande porque o es muy cercano a la unidad.

1.3.5- Corriente de saturacin inversa ICBo

Se define la corriente de saturacin inversa de la juntura de colector-base (ICBo) como la
corriente que fluye entre colector y base con el terminal de emisor abierto (IE

= 0). Esta
corriente es debida a la componente de saturacin inversa de la juntura colector-base. Su
efecto es significativo en la regin de corte, ya que es muy dependiente de la temperatura.
Teniendo en cuenta ICBo la corriente en colector puede expresarse:

1.3.6- Corriente ICEo

Como IE = IB + IC por la ley de Kirchhoff aplicada a los terminales del dispositivo, resulta:

Esta ltima ecuacin manifiesta la relacin entre las corrientes de colector y base para la
regin activa en la configuracin denominada de emisor comn (EC).
Cuando la corriente de base es igual a cero (IB=0) circular entre colector y emisor una
corriente denominada ICEo, dada por:

B
C
I
I
= |
I I I CBo E C + = o
( )
( )
( ) CEo B CBo B C
CBo
B C
CBo B C
CBo C B C
I I I 1 I I

- 1
I
I
- 1
I
I I - 1 I
I I I I
+ = + + =
+ |
.
|
\
|
=
+ =
+ + =
| | |
o o
o
o o
o
( )
CEo B C
CBo CEo
I I I
I 1 I
+ =
+ =
|
|


2- Caractersticas estticas tensin- corriente (Transistor bipolar ideal)

En lugar de trabajar con las expresiones analticas que representan las corrientes en funcin de las
tensiones aplicadas a las junturas, es comn trabajar con grficos de las corrientes en funcin de las
tensiones. En general se representan: una caracterstica de entrada y una caracterstica de salida que
dependen del tipo de configuracin utilizada para trabajar con el dispositivo. Como el transistor
bipolar es un dispositivo de tres terminales podemos encontrar tres tipos de configuraciones,
dependiendo de cual sea el terminal que resulte comn a la entrada y a la salida. Segn se muestra en
la Figura 5 para un transistor bipolar NPN se tiene:

Cada una de estas configuraciones tiene caractersticas particulares. Se analizarn las configuraciones
de Base Comn (BC) y Emisor Comn (EC), tomando como ejemplo un transistor NPN.

2.1- Configuracin de Base Comn

En la configuracin de Base Comn (BC) para un transistor NPN la caracterstica de entrada queda
determinada por la relacin IE = f(VBE, VBC) o por la relacin VBE

= f(VBC, IE).
La caracterstica de salida se determina por la relacin IC = f(VBC, IE).
La caracterstica de entrada, Figura 6 a), representa las caractersticas del diodo base-emisor para
distintas tensiones base-colector, es decir, IE en funcin de VBE para distintos valores de VBC.
Para VBC = 0 la caracterstica de entrada es similar a la de un diodo polarizado en directa y se observa
la existencia de una tensin de corte o umbral V por debajo de la cual la corriente IE es muy pequea.
Como en la regin activa JEB est polarizada en directa y JCB en inversa, la corriente de salida IC es
prcticamente independiente del valor de VCB, aproximadamente a partir de unas decenas de mV,
aproximadamente 4 |VT|, la corriente IE puede aproximarse por:

Con esta suposicin la caracterstica de entrada se puede considerar como la de un diodo polarizado en
directa.

E
entrada salida entrada salida
Base Comn Emisor Comn Colector Comn
entrada salida
Figura 5
B
B B
E C
E C C
T BE/
ES E
V V
e I I ~
ICBo
Activa
IE=0
IC IE
VBE
VBC=0
Corte VCB
IE>0
Figura 6 a) Caracterstica de entrada BC Figura 6 b) Caracterstica de salida BC
VBC < 0
S
a
t
u
r
a
c
i
n

VBC=


La caracterstica de salida, Figura 6 b) muestra las tres regiones de funcionamiento: activa, corte y
saturacin para un transistor NPN ideal.
Cuando IE = 0 la corriente de colector IC es muy pequea e igual a la corriente de saturacin inversa
de la juntura colector-base: ICBo. En la regin activa, dado que puede considerarse que IC ~ o IE, con
o muy cercano a la unidad, la corriente de colector es slo ligeramente menor que la de emisor.
La regin a la izquierda del eje de ordenadas, VCB = 0 y por encima de la curva IE = 0, en la que las
uniones de colector y de emisor se polarizan directamente, se denomina regin de saturacin. La
corriente cae bruscamente y su interseccin con el eje de abscisas est muy prxima al punto VCB ~ 0.
La regin por debajo de IE = 0, en que las uniones de emisor y colector se polarizan inversamente se
denomina regin de corte.

2.2- Configuracin de Emisor comn

En la mayor parte de los circuitos con transistores la configuracin de Emisor Comn es la ms
utilizada porque permite obtener gran ganancia de potencia.
En esta configuracin la caracterstica de entrada, para un transistor NPN, se representa por: IB = f
(VBE, VCE) y la caracterstica de salida por: IC = f (VCE, IB), como se muestra en las Figuras 7 a) y b)
respectivamente, para un transistor NPN ideal.
La caracterstica de entrada (Figura 7 a)) es similar a la de un diodo polarizado en forma directa.
Cuando la unin de colector se polariza en inversa y se cumple que VCE es mayor que unos pocos VT,
la caracterstica se independiza prcticamente de VCE, porque los cambios en la tensin VBE quedan
determinados por la corriente de base IB:

La caracterstica de salida (Figura 7 b)) puede dividirse en tres regiones: activa, corte y saturacin.
La regin activa queda delimitada desde unas pocas dcimas de voltio de la tensin VCE y por encima
de IB = 0. Si se desea utilizar al dispositivo como amplificador, sin una distorsin apreciable, se lo
debe utilizar en esta regin.
Esta regin se caracteriza por una elevada ganancia de corriente denominada | (hFE en las hojas de
datos dadas por el fabricante), definida como la relacin: | = IC/IB.
La Figura 8 muestra la caracterstica de salida de un transistor real.
Se observa que la corriente en la zona activa tiene cierta dependencia de la tensin entre colector y
emisor, evidenciada por la pendiente de las rectas que representan la corriente IC.
Este efecto se denomina Efecto Early y es ms notable en la configuracin de Emisor Comn.

IC
Saturacin
ICEo
Activa
IB

= 0
IB
VBE
VCE > 0
Corte
VCE
IB > 0
Figura 7 a) Caracterstica de entrada EC Figura 7 b) Caracterstica de salida EC
T BE/
B
V V
e I


La regin de corte, donde ambas junturas se polarizan en forma inversa, est por debajo de IB = 0. Una
caracterstica de esta regin es que an con la base en circuito abierto (IB = 0) puede circular una
corriente apreciable debido a la "accin del efecto transistor".
En prrafos anteriores se haba encontrado que la corriente de colector IC y la de emisor IE podan
relacionarse a travs del parmetro o por la expresin:

IC = o IE + ICBo = IB + (1 +| ) ICBo

Para IB = 0 entre emisor y colector circula la corriente ICEo:
ICEo = (1 +| ) ICBo

Esta corriente puede ser importante cuando aumenta la temperatura ya que depende de la ganancia de
corriente | y de ICBo que se duplica aproximadamente cada 10 C de incremento de temperatura.
La Figura 9 muestra una curva de ICBo en funcin de la temperatura para un transistor tpico.

Figura 9

Figura 8

La regin de saturacin se define por la polarizacin directa de ambas junturas. La tensin colector-
emisor VCE en esta zona es de unos pocos mV, de modo que est muy prxima al origen, donde se
unen todas las curvas y caen en forma abrupta. Cuando aumenta la polarizacin colector-base aumenta
tambin la cantidad de portadores (electrones para un transistor NPN) que se inyectan desde el
colector hacia la base, ayudados por el potencial VCB. Este flujo de electrones es opuesto al flujo que
llega desde emisor provocando una disminucin de la corriente de colector y un aumento de la
corriente de base. Debido a este comportamiento fsico, en esta zona de funcionamiento ya no se
verifica que | = IC/IB sino que IBsat > IC/| y la corriente de colector queda limitada por el circuito
externo al dispositivo.

2.3- Componentes de corriente: anlisis cuantitativo

Las componentes de corriente en un transistor bipolar se pueden encontrar a partir de las componentes
de difusin de portadores minoritarios en los bordes de las regiones de carga espacial, suponiendo que
no hay generacin ni recombinacin de portadores en dichas regiones, como en el caso de una juntura
PN. La Figura 10 muestra un esquema de las componentes de la corriente y de las concentraciones de
portadores minoritarios para la regin emisor-base de un transistor NPN polarizado en la regin activa.

Para encontrar las expresiones de las corrientes en funcin de las tensiones aplicadas a las junturas del
dispositivo se siguen siguientes pasos:

- Definir las corrientes de emisor y colector a partir de las componentes de difusin de portadores
minoritarios en los bordes de las zonas de carga espacial.

- Determinar las concentraciones de portadores minoritarios en cada regin

- Plantear la ecuacin de continuidad para portadores minoritarios considerando:
IE
zce EB
N
+

P
Emisor Base
0 0" x"
IEp(0")
IEn(0)
x
IE = IEp(0") + IEn(0)
x"
pEo
Base Emisor
nBo
N
+

P
0" 0
x
pE(x")
pE(0")
nB(0)
nB(x)
T BE/V V
e p ) (0" p Eo E =
T BE/V V
e n (0) n Bo B =
Figura 10
IE = IEp(0") + IEn(0)

|
.
|
\
| A
=
=
|
.
|
\
| A
=
=
dx
n d
0 x
D A q (0) I
dx"
p d
0" x"
D A q - ) (0" I
B
B En
E
E Ep

(El signo menos es debido al cambio de
ejes en el emisor)


- bajo nivel de inyeccin
- campo elctrico nulo para portadores minoritarios
- sin fenmenos de generacin y recombinacin
- solucin para estado estacionario

- Determinar IE e IC sobre la base de:
- resolver la ecuacin de difusin de los portadores minoritarios.
- aplicar las condiciones de contorno.
- calcular la corriente total como la suma de cada componente de la corriente en los
bordes de las regiones de carga espacial.

Como resultado del anlisis anterior, y considerando como aproximacin que la base es lo
suficientemente angosta como para que la concentracin de portadores minoritarios vare en forma
lineal en lugar de exponencial, se obtiene el siguiente conjunto de ecuaciones que relaciona los
parmetros fsicos del dispositivo y la tensiones aplicadas a las junturas.

NE, PB, NC: concentracin de dopaje en emisor, base y colector
W: ancho de la regin de base
LE, LC: longitud de difusin de los portadores minoritarios en emisor y colector
DE, DB, DC: constantes de difusin en emisor, base y colector

Del anlisis de estas ecuaciones se desprende que los valores de las corrientes para una determinada
polarizacin dependern de los parmetros fsicos asociados con el diseo de cada dispositivo.
Las Figuras 11 y 12 muestran una simulacin SPICE donde puede observarse la dependencia de la
corriente de colector IC con la densidad de dopaje de la base PB (Figura 11) y con la anchura de la base
w (Figura 12).

)
`
+ = 1) -
/
(e
P w
D
- 1) -
/
(e
P w
D

N L
D
n A q I
T BC T BE 2 V V V V
B
B
B
B
E E
E
i E
1) -
/V V q
(e
P w
D

N L
D
- 1) -
/
(e
P w
D
ni A q I
T BC
B
B
C C
C
T BE
B
B
C

2 V V
)
`
+
(
=
)
`
+
(
= 1) -
/V V
(e
N L
D
1) -
/V V
(e
N L
D
ni A q I
T BC
C C
C
T BE
E E
E
B

2
PB = 5x10
15
cm
-3

PB = 10
16
cm
-3

PB = 5x10
16
cm
-3

Figura 11

Como puede verse de la Figura 11 cuando la densidad de dopaje de base aumenta la corriente de
colector disminuye, dado que hay mayor probabilidad de recombinacin en la base.

Cuando el ancho de la base w aumenta la corriente de colector IC disminuye porque disminuye la
ganancia del dispositivo, Figura 12.

3- Modelos equivalentes para corriente continua

3.1- Modelo equivalente en la regin activa directa

La Figura 13 muestra un modelo de primer orden que permite representar el funcionamiento de un
transistor bipolar NPN en el modo activo directo. La juntura entre B y E se representa por un diodo
polarizado en forma directa por la tensin aplicada entre B y E (VBE) dada por la siguiente expresin:
donde ISE representa a la corriente de saturacin del diodo equivalente de emisor
Una parte oF IE de la corriente de emisor IE llega al colector formando parte de la corriente de
colector IC.
Si la juntura entre C y B est polarizada en forma inversa (VCB > 0 para un transistor NPN), la
corriente de colector es aproximadamente independiente del valor de VCB. De esta forma, en el modo
activo directo, la juntura entre C y B puede ser identificada con un modelo circuital equivalente
correspondiente a una fuente controlada de corriente dependiente de la tensin aplicada entre B y E.

/V V
e I 1) -
/V V
(e I I
T BE
SE
T BE
SE E ~ =
C
E
B
+
-
VBE
IB
IC
oF IE
1) -
/V V
(e I I
T BE
SE E =
Figura 13
Figura 12

3.2- Modelo equivalente en la regin activa inversa

Realizando un anlisis similar al anterior, se puede representar al transistor bipolar NPN en el modo
activo inverso, (juntura CB en directa y juntura EB en inversa) como en el circuito de la Figura 14.

3.3- Modelo de Ebers-Moll

El modelo de Ebers-Molls es un modelo que, basado en los circuitos anteriores, permite analizar al
transistor en todas las regiones de funcionamiento, Figura 15.

Reemplazando y ordenando los trminos, se encuentran las ecuaciones que relacionan las corrientes de
emisor y colector con las tensiones aplicadas a las junturas VBE y VBC.

DC DE F C
DC R DE E
I - I I
I - I I
o
o
=
=

1) - (e I I
1) - (e I I
T BC
T BE
V V
SC DC
V V
SE DE
/
/
=
=

( ) ( )
( ) ( ) 1 - e I - 1 - e I I
1 - e I - 1 - e I I
T BC T BE
T BC T BE
/V V /V V
/V V /V V
SC SE F C
SC R SE E
o
o
=
=

C

E

B IB
1) -
/V V
(e I I
T BC
SC C =
oR IC
VBC
+
-
E

E

Figura 14
Figura 15
El modelo consta de dos diodos en oposicin, representando
a las junturas E-B y C-B, por los cuales circulan las corrientes
IDE e IDC, en paralelo con fuentes de corriente dependientes
que tienen en cuenta el transporte de los portadores a travs
de la regin de base.
Las corrientes IDE e IDC quedan determinadas por las
tensiones a travs de las junturas:
Aplicando las leyes de Kirchhoff en los nodos de emisor y de
colector, resultan las siguientes relaciones:
IB oR IDC
C

E

oF IDE
IDC
IDE
IC
IE
B
-
+
VBC
VBE
+
-
E

E


El modelo as desarrollado est caracterizado por cuatro parmetros: oF, oR, IES e ICS. Sin embargo,
slo tres parmetros son independientes ya que por reciprocidad, debe cumplirse:

oF ISE = oR ISC

El modelo de Ebbers-Moll puede aplicarse a las distintas regiones de funcionamiento del transistor
bipolar.

1- Regin activa directa
En esta regin la juntura E-B se polariza en directa, considerndose un valor tpico para VBE = 0.7 V.
La juntura C-B se polariza en inversa y para tensiones VCB > 4 VT ~ 100 mV puede despreciarse el
efecto del trmino exponencial. Aplicando esta consideracin a las ecuaciones de Ebers-Moll:

( )
( ) I 1 - e I I
I 1 - e I I
SC SE F C
SC R SE E
T BE
T BE
/V V
/V V
+ =
+ =
o
o

Operando con las ecuaciones anteriores se puede expresar la corriente de colector IC en funcin de la
corriente de emisor IE:
IC = oF IE + ICBo

Se define ICBo como la corriente que circula entre colector y base cuando no circula corriente de
emisor (IE = 0).
ICBo = ISC (1 - oF oR)

La componente de corriente ICBo es debida a la corriente de saturacin inversa de la juntura C-B. Si
bien tiene un valor muy pequeo es fuertemente dependiente de la temperatura (se duplica
aproximadamente cada 10 C de aumento de la temperatura) y puede tener importancia en condiciones
de circuito abierto de emisor o para corrientes de emisor muy pequeas.
Si consideramos que la corriente inversa de saturacin de la juntura de colector ISC es despreciable,
resulta el circuito equivalente mostrado en la Figura 16 para la regin activa directa.

Si relacionamos la corriente de colector IC con la corriente de base IB:

IC = oF IE + ICBo
IE = IC - IB

resulta: IC = |F IB + ICBo (1+|F)

|F es la ganancia de corriente continua en emisor comn, dato tpico que aparece en las hojas
caractersticas del dispositivo dadas por el fabricante. En general, despreciando el efecto de ICBo se
obtiene la siguiente relacin que representa el funcionamiento del transistor en la regin activa:
E C
B

IE IC
Figura 16
oF IE
-
+
VBE
F
F
F
- 1
=


B
C
FE
I
I
h F ~ =

Esta ecuacin establece que en la regin activa la relacin entre las corrientes de colector y base es una
constante. Sin embargo, el valor de hFE depende del proceso de fabricacin del dispositivo
producindose una gran dispersin en sus valores y tambin depende fuertemente de la temperatura.
En general, los datos del fabricante establecen un valor tpico (typ), un valor mximo (max) y un valor
mnimo (min).
Por ejemplo para el transistor 2N3904 (NPN, uso como amplificador) se obtiene:

Como hFE vara con la corriente de colector IC, la tensin de polarizacin VCE y la temperatura, el
fabricante da curvas caractersticas de hFE = f (IC, T), como la mostrada para le transistor 2N3904.

2- Regin de corte

Para el rgimen de corte ambas junturas se polarizan en inversa (VBE< 0 y VBC < 0 para un transistor
NPN), de modo que las corrientes en los terminales quedan determinadas por las pequeas corrientes
de saturacin de las dos junturas, Figura 17.
Aplicando el modelo de Ebers- Moll resulta:

Estas corrientes son muy pequeas y pueden despreciarse en un modelo de primera aproximacin.
Con estas consideraciones el modelo equivalente en corte puede representarse como en la Figura 18
donde las junturas E-B y C-B se representan por llaves abiertas.

E C
B
IE IC
Figura 17
oF IF oR IR
E C
B
Figura 18
I I - I
I I I
SC SE F C
SC R SE E
+ =
+ =
o
o


3- Regin de saturacin

En esta regin las junturas se polarizan en forma directa (VBE > 0 y VBC > 0 para un transistor NPN)
y ser necesario considerar el circuito completo para describir el funcionamiento del transistor.

Como en saturacin la tensin resultante entre colector y emisor es: VCEsat = VBEsat VBCsat la
tensin resultante es muy pequea del orden de 0.2 V a 0.3 V, prcticamente un cortocircuito, la
corriente de colector puede tomar un valor elevado y queda limitada por el circuito externo.
En saturacin se cumple IB > IC/ |F, donde |F corresponde a la operacin en la regin activa, y se
puede considerar que el transistor opera en saturacin con |Fsat = ICsat/IBsat < |Factiva.
Para reconocer en un circuito si un transistor est saturado se pueden calcular IB e IC por caminos
deferentes, si IB > IC/ |F, el transistor trabajar en saturacin.
La caracterstica de la tensin de saturacin VCEsat como funcin de IC aparece en las hojas de datos
del fabricante. Por ejemplo para el transistor 2N3904.

3.4- Modelos equivalentes para corriente continua

A partir del modelo de Ebbers-Moll, y haciendo algunas sencillas consideraciones sobre la regin de
trabajo donde opera el transistor, se pueden construir modelos equivalentes de continua que permiten
calcular rpidamente el punto de reposo. Si bien se considerar la configuracin de emisor comn, los
modelos se pueden aplicar a otras configuraciones.
Para el caso de un transistor NPN polarizado en la regin activa directa, y despreciando las corrientes
de saturacin inversas, se puede construir el circuito equivalente mostrado en la Figura 19:

T BC T BE
T BC T BE
/V V /V V
/V V /V V
e I - e I I
e I - e I I
SC SE F C
SC R SE E
o
o
=
=

Figura 19

La corriente de colector IC queda determinada por una fuente de corriente dependiente de corriente de
valor |F IB. La relacin entre Base y Emisor correspondera al comportamiento del diodo Base-
Emisor, representado por una batera de valor aproximado: VBE = 0.7 V.
Para la regin de saturacin puede dibujarse un circuito similar, donde se considera al diodo Base-
Emisor representado por una batera VBEsat = 0.8 V y la relacin entre colector y emisor por una
batera VCEsat = 0.2 V, como muestra la Figura 20.

Ejemplo

Para el transistor bipolar del circuito mostrado en la Figura 21 a), determinar la regin de
funcionamiento y los valores de las corrientes para RB = 300 KO y RB = 150 KO.
Suponer que las corrientes de saturacin inversas se pueden despreciar y que |F

=100, VCEsat= 0.2 V,
VBEsat = 0.8 V, VBE = 0.7 V.

Para determinar la regin de funcionamiento observamos del circuito que la base se encuentra
conectada a una tensin positiva y el emisor est conectado a tierra, as que resulta la tensin base-
emisor mayor que cero (VBE > 0). Por lo tanto, con seguridad, la unin emisor-base est polarizada en
directa. Resulta as que puede descartarse la regin de corte; el transistor estar polarizado en zona
activa o en saturacin. Suponemos, por hiptesis, que el transistor est en zona activa (si no lo est
obtendremos resultados no concordantes o absurdos).
En la Figura 21 b) se dibuja el circuito equivalente para zona activa. Para comprobar que el transistor
est en zona activa calculamos la tensin colector-emisor (VCE) y verificamos que sea mayor que
VCEsat = 0.2 V. Si no lo es, el transistor estar en zona de saturacin, la hiptesis fue incorrecta y
debern recalcularse las corrientes.

Caso 1: RB = 300 KO

Aplicamos ley de Kirchhoff al circuito de entrada (base-emisor) en la Figura 21 b):

Figura 20
Figura 21 a)
Figura 21 b)


VCC - IB RB - VBE = 0

Despejando IB y reemplazando valores se obtiene:

Aplicando la relacin entre corriente de base y colector:

De la malla de salida obtenemos VCE:

Como VCE > VCEsat, la suposicin fue correcta, el transistor trabaja en la regin activa.

Caso 2: RB = 150 KO

Usando las mismas ecuaciones:

En este caso VCE < VCEsat, entonces el transistor no se encuentra trabajando en zona activa. Por lo
tanto, se encuentra en saturacin. Reemplazando: VCEsat= 0.2 V y VBEsat = 0.8 V:

Se verifica que el transistor est polarizado en la regin de saturacin en emisor comn porque se
cumple que:

mA 0.031
300K
0.7V - V 10
R
V - V
I
B
BE CC
B =
O
= =
mA 3.1 mA 0.031 x 100 I I B C = = =
3.8V 2K mA x 3.1 - 10V R I - V V C C CC CE = O = =
2.4V - 2K mA x 6.2 - 10V R I - V V
mA 6.2 mA 0.062 x 100 I I
C C CC CE
B F C
= O = =
= = =
4.90mA
K 2
0.2V - 10V
R
V - V
I
mA 0.0613
150K
0.8V - V 10
R
V - V
I
C
CE CC
C
B
BEsat CC
B
=
O
= =
=
O
= =
I
I
C
B >
mA 0.049
100
mA 4.90
mA 0.0613 = >

BJT 1

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