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Fet Transstor de efeito de campo

Os transstores bipolares e os transstores de efeito de campo (Fet) distinguem-se pela sua estrutura e teoria de funcionamento; h no entanto uma diferena que determina a sua utilizao: O transstor bipolar comandado por corrente, enquanto o Fet comandado por tenso.

Tipos de Fet
J-Fet (Junction - Field Effect Transistor) MOS-Fet (Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor)

J-Fet
Zona de depleco

O J-Fet canal N constitudo basicamente por uma juno PN, sendo ambos os extremos da regio N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate ou porta) um anel em volta da regio N. Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N circular uma corrente limitada apenas pela resistncia do VDS material semicondutor. Porm, se polarizarmos inversamente VGS a juno PN (Gate negativa em relao Fonte), formar-se- uma zona de depleco em volta da juno PN. Devido a esse NOTA: Para o J-Fet canal P devemos facto, ficar mais estreito o canal o que equivale a um inverter a polaridade das tenses aumento da resistncia interna da regio N. aplicadas aos terminais. Atravs da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tenso dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) ser funo da polarizao inversa da Gate que variar a espessura do canal por variao da zona de depleco.

Smbolos
D Drain (Dreno) S Source (Fonte) G Gate (Porta)

Funcionamento VDS
Para o Fet funcionar a Gate deve ser inversamente polarizada (no JFet canal N: Gate negativa em relao Fonte, no J-Fet canal P: gate positiva em relao Fonte), O Dreno (D) positivo em relao Fonte (S). A corrente dreno-fonte (IDS) ou simplesmente corrente de dreno (ID) inversamente proporcional tenso gate-fonte (VGS), conhecida por tenso de gate (VG). Assim se: VG ID (isto porque a zona de depleco vai aumentar e o canal vai estreitar o que provoca um aumento de resistncia e consequentemente uma diminuio da corrente) Mantendo-se constante VDS e fazendo variar VG, ID sofrer uma certa variao e a relao ID/VG d-nos a transcondutncia em Siemens do Fet, representada por gm.

RD IDS RG RS

J-Fet canal N

Considerando ID como sada e VGS como entrada, o J-Fet surge como uma fonte de corrente controlada por tenso.
Lucnio Preza de Arajo http://www.prof2000.pt/users/lpa

Mos-Fet
Evitar tocar com as mos nos terminais dos Fet j que todos eles, mas especialmente os de tecnologia MOS, so sensveis a cargas elctricas estticas que podem danificar permanentemente a sua estrutura interna. A sua resistncia de entrada muito elevada (da ordem dos 1015 ).

Os transstores de gate isolada (Mos-Fet ou Ig-Fet) recebem esse nome em virtude da gate ser uma pelcula metlica (de alumnio) isolada electricamente do canal (semicondutor) atravs de uma finssima camada de xido de silcio.

Tipos de Mos-Fet
Mos-Fet de empobrecimento ou depleco Mos-Fet de enriquecimento NMOS (canal tipo N) PMOS (canal tipo P) CMOS (transstor NMOS e PMOS no mesmo chip)

Mos-Fet de empobrecimento
Tal como no J-Fet um dos extremos do canal a Fonte, e o outro o Dreno; e sobre o canal existe uma delicada capa de xido de silcio (SiO 2) sobre a qual aplicada uma camada de alumnio (Al) para formar a Porta ou Gate. O Dreno ligado ao plo positivo da bateria e a Fonte ao negativo. Se a tenso na Gate ou Porta for zero (VG= 0 Volt) a corrente de dreno (ID) ser limitada apenas pela resistividade do canal n (que Substrato Al no elevada). Porm, se aplicarmos uma tenso inversa entre a gate e a fonte (Gate negativa em relao Fonte) forma-se um campo electrosttico que repelir os electres livres que no material N, so os portadores de corrente, formando-se, desta forma, uma zona de depleco, cuja profundidade depender da SiO2 Figura: tenso aplicada. NMOS de empobrecimento Quando a tenso de porta se Canal N Substrato P torna negativa o campo elctrico produzido pelo condensador (formado pela Porta SiO2 canal N) vai atrair cargas positivas para o canal. A presena das cargas positivas destri as negativas e isso produz um estreitamento do canal. Desta forma, tal como sucede nos J-Fet, a intensidade da corrente entre Fonte e Dreno (ID) ser inversamente proporcional tenso entre Gate e Fonte (VG) VG ID H um valor da tenso de Gate, chamada tenso de corte, no qual o canal ficar totalmente fechado e a corrente de dreno ser igual a zero. O menor valor negativo da tenso de Gate que elimina o canal designa-se por tenso limiar ou tenso de threshold (VT) ou VGS off.

Smbolos
NMOS de empobrecimento PMOS de empobrecimento

Lucnio Preza de Arajo

http://www.prof2000.pt/users/lpa

Mos-Fet de enriquecimento
A zona P mais larga, sendo o canal restrito a pequenas pores de material N junto fonte e ao dreno. Tal como no Canal induzido Fet de empobrecimento, a gate ou porta isolada do canal por uma camada de xido de silcio. Neste transstor, no entanto, a porta ou gate recebe uma tenso positiva em relao fonte, de modo que o campo electrosttico assim formado, em vez de repelir os electres, os atrai, formando um canal N entre a fonte e o dreno (a tracejado na figura). A formao deste canal permite, ento, a circulao da corrente de dreno (ID) Figura: cuja intensidade, ir depender da tenso de gate (VG), j que a NMOS de enriquecimento profundidade do canal entre a Fonte e o Dreno ser Canal N Substrato P determinada pelo campo electrosttico. Se a tenso gate fonte (VGS) for nula no se formar o canal induzido logo no haver corrente de dreno (ID). No caso do Mos-Fet de canal N o dreno deve ser ligado ao positivo da bateria, e a Fonte ao negativo, sendo a gate ou porta ligada ao positivo atravs de um divisor de tenso destinado a fornecer a exacta tenso da gate. importante recordar que, como a resistncia de entrada infinita (j que a gate electricamente isolada do canal) a gate de um MosFet no consome qualquer corrente, da a necessidade do divisor.

Smbolos
NMOS de enriquecimento PMOS de enriquecimento

Caractersticas dos Fet


IDmx IGmx VGSmx VGSOmx VDGOmx IDSS V(P)GS PD gm Mxima corrente de dreno. Mxima corrente de gate. Mxima tenso permitida entre dreno e fonte . Mxima tenso permitida entre gate e fonte com o dreno aberto. Mxima tenso permitida entre dreno e gate com a fonte aberta. Corrente de dreno com a gate em curto-circuito com a fonte (V GS= 0). Especifica-se para uma determinada tenso VDS. Tenso de estrangulamento (pinch-off) entre a gate e a fonte. Especifica-se para determinada tenso VDS e corrente ID, para as quais se considera o canal cortado. Potncia total mxima dissipvel para uma determinada temperatura em condies normais de funcionamento (PD= VDS x ID) Transcondutncia (expressa a relao entre o aumento da corrente de dreno e a tenso gate-fonte

m =

ID VG , mantendo-se constante VDS. A unidade o Siemens.

Aplicaes dos Fet


Os Mos-Fet tipo depleco so semelhantes aos J-Fet, pelo que tm aplicaes semelhantes, nomeadamente como amplificadores de sinais. Os Mos-Fet tipo enriquecimento tm a sua maior aplicao nos circuitos digitais por razes ligadas ao baixo consumo e ao reduzido espao que ocupam.
Lucnio Preza de Arajo http://www.prof2000.pt/users/lpa