&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

 (6758&785$ (/(&7521,&$ < &5,67$/,1$ '( /26 62/,'26 a.- estructura atmica Configuracin de un material b.- ordenamiento atmico (4 niveles) c.- estructura granular d.- estructura multifsica

Niveles de estructura de un material  (VWUXFWXUD DWyPLFD 0RGHOR DWyPLFR GH %RKU (electrones giran en orbitales con E discreta) Ncleo (masa o peso) neutrn protn (+)

Estructura electrnica (-) (nmero atmico) nivel K (n = 1) nivel L (n = 2) nivel M (n = 3)

1

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

0DVD R SHVR DWyPLFR = peso o masa del ncleo 8QLGDG GH PDVD DWyPLFD: uma = 1/12 masa C12 (istopo ms comn del C 1 uma = 1/(6,02 x 1023) gr. 1~PHUR DWyPLFR = N electrones = N protones ,VyWRSR = tomos del mismo elemento con igual N atmico y diferente masa atmica (VWUXFWXUD HOHFWUyQLFD, segn modelo de Bohr Los electrones ocupan niveles de energa E discreta alrededor del ncleo. Mx. 2 electrones con la misma E. El estado de E de un electrn est dado por 4 nmeros cunticos. i) Cuntico principal, n : mx de electrones en cada nivel = 2n2 n = 1 (K, mx. 2 electrones) n = 2 (L, mx. 8 electrones) n = 3 (M, mx. 18 electrones) n = 4 (N, mx. 32 electrones) ii) Cuntico acimutal, O :0 a (n-1) O = 0 (s, mx. 2 electrones) O = 1 (p, mx. 6 electrones) O 2 (d, mx. 10 electrones) O 3 (f, mx. 14 electrones) iii) Cuntico magntico, m : +O a O (mx. de 2 electrones por m ) O = 0, m = 0 O = 1, m = 1, 0 y 1 iv) Cuntico de espn, ms: principio de exclusin de Pauli (mx. 2 electrones con igual E, pero no pueden girar en el mismo sentido)
2

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

Ejemplo: Distribucin de electrones del Na (11 electrones)

Distribucin de electrones de varios elementos

Ej.: Ti22 = 1s2 2s22p6 3s23p63d2 4s2 | Ne | | | Ar | 22 2 2 Ti = [Ar] 3d 4s

3

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

En el caso anterior Ti -------G V

acimutal d (mx. de 10 elec.) Existe un orden de ocupacin de los electrones

0RGHOR DWyPLFR GH OD PHFiQLFD RQGXODWRULD El electrn presenta la dualidad onda-corpsculo El movimiento de un electrn se describe mediante los principios matemticos que rigen el movimiento de ondas. La posicin de un electrn se describe como la probabilidad de encontrarlo en una zona alrededor del ncleo (nube electrnica)

Comparacin entre el modelo de Bohr (a), (electrones con energa discreta) y el modelo de la mecnica ondulatoria (b), (distribucin de probabilidades)

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

 (QODFHV DWyPLFRV Interaccin de los electrones de valencia (N electrones del ltimo cuntico principal) D (QODFHV LyQLFRV (transferencia de electrones de valencia) Ejemplos: Na+ Cl-, K+ Cl-, Ca++ O=

b) (QODFH FRYDOHQWH (compartimiento de electrones) Ejemplos: SiO4, Diamante, metano (CH4), H2O

electrones compartidos

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

Dependiendo del tipo de elemento y N de electrones compartidos es la energa y longitud del enlace.

c) (QODFH PHWiOLFR (los electrones de valencia son compartidos por todos los tomos)

ncleo y electrones QR de valencia electrones libres (conductividad elctrica)

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

d) )XHU]DV GH 9DQ GHU :DDOV (atraccin electrosttica entre dipolos) Ejemplo: gases nobles (8 electrones ltimo principal, estabilidad atmica) T altas: monoatmicos (vibracin trmica)

T bajas: atraccin dbil (dipolos)

Ejemplo: agua

Influencia del tipo de enlace atmico en las propiedades elctricas

conductor aislante semiconductor

7

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

 )XHU]DV LQWHUDWyPLFDV \ HQHUJtDV GH HQODFHV Dos tomos estn en equilibrio si: La suma de las fuerzas que actan = 0 )  ) La energa potencial neta pasa por un mnimo ( ( Ejemplo: enlace inico
)$   = H  =  H  [

 )  )  G[ D[  E[

Z: N cargas por punto E = 1,6 x 10-19 coulomb

)5 [ Q  QE

n y b = constantes
(  =  =  H  E  [ [Q

FA = FR dE/dx = 0

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

Distancia interatmica = f

radios atmicos radios inicos temperatura

Al ceder ms elect. tamao inico menor dist. interatmica menor A mayor elect. compartidos dist. interatmica menor mayor E Ejemplos: Etano (C2H6) etileno (C2H4) Radio atmico del Fe = 0,124 nm. radio inico Fe+2 = 0,074 nm radio inico Fe+3 = 0,064 nm

a) tomos de igual radio; b) tomos de diferente radio

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

 1~PHUR GH FRRUGLQDFLyQ 1& Primeros vecinos que tiene un tomo, con los cuales mantiene la distancia de equilibrio interatmico. El NC est relacionado con la razn de radios de los tomos involucrados

A mayor razn de radios (tomo menor/tomo mayor) mayor NC

RO-2 = 0,132 nm rMg2+ = 0,078 nm rSi4+ = 0,039 nm U  5

 o 1&

U   5



 o 1&

a) R/(R+r)=cos45=0,71(R+r)/r=1+r/R=1,41 U5 b) R((R+r) = cos 30 = 0,87 1 + r/R = 1,15 U5

 o 1&  o 1& 

10

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

NC versus valor mnima de la razn de radios

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&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

 $FRPRGDPLHQWRV DWyPLFRV Propiedades elctricas = f (estructura electrnica) Propiedades mecnicas = f(acomodamiento atmico) Ejemplo: acomodamiento atmico del carbn carboncillo grafito diamante

Arreglos atmicos: a) amorfo b) molecular d) cristalino c) ordenamiento de corto alcance

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&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

D (VWUXFWXUDV DPRUIDV Sin ningn ordenamiento atmico Malas propiedades mecnicas Gas: PV = nRT (n = N de moles, R = 8,3144 J/molK) Ejemplos: carboncillo, metales al estado lquido, etc. E (VWUXFWXUDV PROHFXODUHV Basado en las molculas (grupo de tomos con nmero limitado de ellos, con enlaces covalentes fuertes, y entre molculas enlaces dbiles) Bajo punto de fusin y ebullicin Ejemplos: a) Metano (1 radical, 5 at./molcula); b) etano (2 radicales, 8 at./molcula); c) pentatriacontano (35 radicales, 107 at./molcula) Representacin de las molculas

Etileno

a) convencional b) pares de electrones c) tridimensional

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&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

32/0(526 Polmero estructuras moleculares de alto peso molecular, construidas por repeticiones de unidades ms pequeas, meros (monmeros). H H H H H H H H C C C C C C C C cloruro de polivinilo (PVC) H Cl H Cl H Cl H Cl unidad monomrica 0RQyPHUR  FDWDOL]DGRU 5 o SROtPHUR &ODVLILFDFLyQ GH ODV PROpFXODV SROLPpULFDV Caractersticas moleculares Qumica unidad monomrica Tamao peso molecular lineal Forma cadena plegada doblada ramificada entrecruzada reticulada Estructura

estados isomricos estereoisomricos isomricos geomtricos

isotctico sindiotctico

atctico

Cis

Trans

7DPDxR: Peso molecular medio Mw = wi Mi

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&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

(VWUXFWXUD 0ROHFXODU D 3ROtPHURV OLQHDOHV (polietileno, cloruro de polivinilo, poliestireno, etc.)

FDGD FtUFXOR UHSUHVHQWD XQD XQLGDG PRQRPpULFD

E 3ROtPHURV UDPLILFDGRV: (cloruro de polivinilo, poliestireno)

F 3ROtPHURV HQWUHFUX]DGRV FDXFKR

G 3ROtPHURV UHWLFXODGRV (epoxy)

(VWDGRV ,VRPpULFRV D (VWHUHRLVRPHUtD  ,VRWiFWLFD H H H H H H H H CCCCCCCC H 5 H 5 H 5 H 5

15

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

H H H 5 H H H 5  6LQGLRWiFWLFD C C C C C C C C 5 H H H 5 H H H H H H H H 5 H H CCCCCCCC H 5 H 5 H H H 5

 $WiFWLFD

E ,VRPHUtD JHRPpWULFD (configuraciones de la cadena en unidades monomricas que tienen doble enlaces entre tomos de carbn). Ejemplo: Isopropeno: CH3 C=C CH2 CH2 H CH3 C=C CH2 H CH2

Cis (cis-isopropeno, caucho) 3ULQFLSDOHV WLSRV GH SROtPHURV

Trans (tras-isopropeno, gutapercha)

a) Plsticos:

Termoplsticos: se deforman por calor (polietileno-PE, polipropileno-PP, nylon, cloruro de polivinilo-PVC, etc.) Termoestables: forma permanente se obtiene por reaccin qumica (resina epoxy, poliester-fibra de vidrio, fenolfolmaldehido-bakelita, etc.)

b) Elastmeros: cauchos, deformacin elstica no lineal (poli-isopropenogoma natural, policloropropeno-neoprene, etc.) c) Naturales: celulosa, proteinas, etc.
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&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

F (VWUXFWXUDV FULVWDOLQDV

NaCl

(Los tomos o iones son considerados como esferas slidas) &HOGD XQLWDULD Vectores unitarios (a, b, c) Angulos interaxiales (, , )

6LVWHPDV FULVWDOLQRV: de acuerdo al grado de simetra 7 sistemas 6LVWHPD FULVWDOLQR 1 Cbico 2 Hexagonal 3 Tetragonal 4 Rombodrico 5 Ortorrmbico 6 Monoclnico 7 Triclnico     5HODFLyQ D[LDO a=b=c a=bc a=bc a=b=c abc abc abc  $QJXORV LQWHUD[LDOHV = = = 90 = = 90 = 120 = = = 90 = = 90 = = = 90 = = 90 90 

17

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

5HGHV HVSDFLDOHV: 14 formas diferentes de ordenar tridimensionalmente los tomos

&DUDFWHUtVWLFDV GH ODV HVWUXFWXUDV FULVWDOLQDV: (NC, y FAA FEA) GHQVLGDG U

U 1 qiWRPRV [ SHVR DWyPLFR 9ROXPHQ GH OD FHOGD Q$ 9FX

)DFWRU GH DFRPRGDPLHQWR R HPSDTXHWDPLHQWR DWyPLFR

)$$  Q S5   9 FX

R: radio atmico o inico

18

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

6LVWHPD F~ELFR D &~ELFR VLPSOH

n = N efectivo de tomos por celda = 1 a = parmetro de red = 2R Vcu = volumen de celda unitaria = a3 = 8R3 U $5

)$$



E &~ELFR GH FXHUSR FHQWUDGR EFF FF

n=2 a = 4R/3 Vcu = a3 U $D

)$$



19

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

F &~ELFR GH FDUDV FHQWUDGDV IFF FFF

n = N efectivo de tomos por celda = 4 a = parmetro de red = 4R/2 U $D

Vcu = a3 )$$ 

6LVWHPD +H[DJRQDO D +H[DJRQDO VLPSOH

a) celda hexagonal

b) celda rmbica
20

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

Representacin hexagonal = 3 * representacin rmbica Vcu (hexagonal) = 3 Vcu (rmbica) N tomos por celda (hexagonal) = 3 * N tomos rmbica )$$ KH[DJRQDO E +H[DJRQDO FRPSDFWR )$$ UyPELFD

n (hexagonal) = 6 (3 centrales, 1 centro caras basales, 3 por aristas) a = 2R c/a = 1,63 U  $9! Vcu = (3/2)a2 c )$$ 

Datos estructuras cbicas y hexagonal compacto

21

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

'LUHFFLRQHV \ 3ODQRV FULVWDOLQRV Utilizacin de la QRWDFLyQ GH 0LOOHU Se utilizan tres ndices: K N O, para el hexagonal se puede utilizar un cuarto ndice: L  KN o KNLO 'LUHFFLyQ FULVWDORJUiILFD: [hkO] para una direccin determinada hkO para una familia de direcciones

3ODQRV FULVWDOLQRV: (hkO) para un plano determinado {hkO} para una familia de planos

h = 1/interseccin x k = 1/interseccin y O = 1/interseccin z Indices h, k, O deben ser 1 HQWHURV 3ODQR a b c K 1/ = 0 1/ = 0 1/1 = 0 N 1/ = 0 1/1 = 0 1/ = 0 O 1/1 = 1 1/ = 0 1/ = 0 KNO (001) (010) (100)
22

"

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

3ODQRV SDUDOHORV

Planos: (010) y (020)

Planos (110)

Los SODQRV SDUDOHORV VRQ HTXLYDOHQWHV y tienen el mismo ndice de Miller

Si el plano pasa por el origen, se escoge un nuevo origen. Indices negativos, el signo de negatividad se coloca sobre el ndice

23

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

Planos cristalinos hexagonales: (hkiO)

i = -(h+k)

Celda unitaria definida por: a, b y c a1, a2 y c a1, a2, a3 y c 'HQVLGDG GH SODQRV FULVWDOLQRV G G Ejemplos: Plano (100)bcc = 1 t./a2 Plano (100)fcc = 2 t./a2 (a = 4R/2) (a = 4R/3) 1 iWRPRV HIHFWLYRV GHO SODQRiUHD GHO SODQR iUHD GH iWRPRV GHO SODQRiUHD GHO SODQR

Plano (111)fcc = 2 t./A A = bh (b = 4R, h = 2R/3)

24

(3/2 + 3/6)

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

(VWUXFWXUD GH ORV FHUiPLFRV Enlace atmico: parcial o totalmente inico Iones metlicos: cationes (ceden sus electrones, +), aniones (aceptan electrones, - ). D (VWUXFWXUD FULVWDOLQD WLSR ;< ; FDWLyQ < DQLyQ Igual nmero de cationes y aniones. Ejemplos: cloruro de sodio (NaCl), cloruro de cesio (CsCl), blenda (ZnS), etc. Enlace inico

Estructura del NaCl

E (VWUXFWXUD FULVWDOLQD WLSR ;# <$ Nmero de cationes distinto del nmero de aniones Ejemplos: fluorita (CaF2), UO2, ThO2, etc. Flurita (CaF2) (Ca2+, F-)

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&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

F (VWUXFWXUD FULVWDOLQD WLSR ;# =% <$ Dos tipos de cationes (X y Z) y un anin (Y) Ejemplos: perouskita (BaTiO3), SrZrO3, SrSnO3, espinela (MgAl2O4, FeAl2O4). Perouskita (BaTiO3) Ti4+ O2Ba+2

&HUiPLFDV IRUPDGDV SRU VLOLFDWRV Silicatos: materiales compuestos formados principalmente por silicio y oxgeno (mayora de suelos, rocas, arcillas y arenas) En vez de combinacin de celdas unitarias, se usa combinacin de tetraedros SiO44-. Tetraedro de SiO44-

D 6tOLFH Silicato ms simple: dixido de silicio slice Slice (SiO2)

26

&LHQFLD GH ORV 0DWHULDOHV ( 'RQRVR

E 6LOLFDWRV PiV FRPSOHMRV Uno, dos o tres de los tomos de oxgeno del tetraedro son compartidos por otros tetraedros. Ejemplos: SiO44-, Si2O76-, Si3O96-, etc. Cationes, como Ca2+, Mg2+ y Al3+, compensan las cargas negativas de los tetraedros SiO44- de manera que alcancen la neutralidad y sirven de enlace inico entre los tetraedros SiO44-. Estructuras de iones de Silicatos formados a partir de SiO44-

F 9LGULRV GH VtOLFH Slido no cristalino, con un alto grado de distribucin al azar. Vidrios inorgnicos comunes (recipientes, ventanas, etc.): vidrios de slice ms xidos (CaO y Na2O). Los cationes (Na+, Ca2+) enlazan los tetraedros, dando forma a una estructura vtrea, ms probable que una cristalina. Representacin de un vidrio de slice con sodio.

27

352%/(0$6 < 35(*817$6

1. Explique la diferencia entre el modelo atmico de Bohr y el modelo atmico de la mecnica ondulatoria.
2.

Explique los principales tipos de enlaces atmicos y su influencia en las propiedades mecnicas y elctricas de los slidos.

3. Describa la configuracin electrnica y el tipo de enlace que hay en el cloruro de sodio. Calcule el peso molecular del cloruro de sodio, y cuntos iones de cloro y sodio hay en un mol del material. Explique por qu el cloruro de sodio es un aislante al estado slido y es conductor al disolverse en agua. 4. Los siguientes datos corresponden al flor y al magnesio: Nm atmico Masa atmica Configuracin elect. Flor 9 19.00 uma 1s22s22px Manganeso 12 24.31 uma 1s22ss2py3sz Determine los valores de x, y, z. Explique la configuracin electrnica de ambos elementos. Explique el tipo de enlace del fluoruro de magnesio y determine su masa atmica. 5. Los tomos de los elementos Na, Ca, Al, Si, O y Cl respectivamente poseen 1,2, 3, 4, 6 y 7 electrones en su ltimo cuntico principal. Describa el tipo de enlace que ocurre en cada uno de los siguientes casos: a) en una mezcla de tomos de Na y Cl b) entre un gran nmero de tomos de Al c) entre tomos de Si y O d) entre tomos de Ca y O
6.

Se tienen los siguientes materiales: una olla de aluminio, una botella de plstico, un ladrillo para construccin, un globo con helio y un martillo de acero. Describa el tipo de enlace que ocurre en cada uno de los materiales anteriores (justifique su respuesta). Explique en forma breve, en cada caso, de qu manera influye el tipo de enlace en las propiedades elctricas del material.

7. En la figura siguiente se muestran las curvas de energa potencial, E, en funcin de la distancia interatmica, x, para el cobre, el cloruro de sodio y argn. Determine (justificando su respuesta) que curva (A, B o C) le corresponde a cada material. $ % & ( [

8. Calcule el nmero de electrones de valencia en 1 kg de cobre.

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9. Dibuje, justificando, el tipo de enlace que se presenta en cada uno de los siguientes materiales: metano (CH4), diamante, latn (70 % Cu y 30 % Zn), cloruro de magnesio y argn. 10. Calcule la fuerza de atraccin entre un in cloro y uno de sodio, cuando sus centros estn separados a 1,0 nm. 11. Explique porque el azufre se comporta algunas veces como si tuviera valencia 6 y otras veces con valencia 4. 12. Suponga que el nmero de electrones libres en 250 g de un semiconductor de silicio es 5 x 1011. Calcule la fraccin que representa esta cifra con respecto al nmero total de electrones de valencia. 13. Un compuesto intermetlico de Ti& Al' , donde [ e \ son nmeros enteros, est formado aproximadamente por 37,1 % en peso de titanio y 62,9 % en peso de aluminio. Determine los valores de [ e \. 14. Cuanta energa se requiere o se libera para que 1,5 kg de acetileno (C2H2) reaccione con hidrgeno para transformarse en etileno (C2H4). H H H C C H C=C H H acetileno etileno 15. Calcule el cambio de energa que resulta cuando se polimerizan 70 g de C2H3Cl (cloruro de vinilo) para formar H2C-CHCl (cloruro polivinlico). Indique si la energa se absorbe o se produce. C2H3Cl: H H H2C-CHCl : H H H C = C Cl C C H Cl 16. Explique: nmero atmico, peso atmico, peso molecular, distancia interatmica, energa de enlace, nmero de coordinacin. 17. Explique la diferencia entre una estructura molecular y una cristalina, d tres ejemplos de cada una. 18. Dibuje las celdas unitarias correspondientes a tres tipos de estructura cristalina comunes en los metales (las ms comunes). Especifique el nmero de tomos netos que corresponden a cada una de las celdas dibujadas. 19. Que es un monmero, un mero y un polmero? 20. Que son los ismeros? 21. Diferencias entre los ordenamientos isotctico, sindiotctico y atctico.
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22. Con un dibujo, explique las siete estructuras cristalinas (nombre, relacin axial y ngulos interaxiales de cada celda). 23. Dibuje una celda cbica de caras centradas. De dos ejemplos de materiales que solidifiquen bajo esta estructura. Dibuje, para la celda anterior, los planos cristalinos (210), (321) y (200). 24. Dibuje un sistema cbico de cuerpo centrado, dibuje en l el plano (101), determine la densidad de la celda unitaria y la densidad del plano antes dibujada. 25. Para el NaCl: Dibuje los planos (110), (111), (321), y calcule la densidad de celda, factor de acomodamiento atmico y densidad del plano (110). 26. Para la estructura de la Perouskita (BaTiO3), calcule su factor de acomodamiento atmico y la densidad de la celda. Dibuje los planos (110) y (200) en esta estructura y calcule la densidad planar de dichos planos. 27. Los tomos de Cu y Ni poseen radios de 1,276 x 10-10 m y 1,243 x 10-10 m respectivamente. Ambos elementos solidifican como cbico de caras centradas. Se encontr que el parmetro de red de la aleacin fue de 3,58 x 10-10 m. Calcule la proporcin (concentracin) de tomos de Ni en una solucin slida de Cu-Ni. Asuma que aaleacin = (1-c) aCu + c aNi, donde a es el parmetro de red y c es la concentracin. 28. Describa los diferentes tipos de estructuras cristalinas de los cermicos. Diferencias entre un vidrio y cermico.

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