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CAPÍTULO 1

DIODOS

1.1 - ESTRUTURA BÁSICA DOS DIODOS SEMICONDUTORES

1.1.1 - Estrutura da matéria

Matéria é tudo aquilo que tem massa e ocupa lugar no espaço.

Ela é constituída por substâncias que são definidas segundo algumas propriedades. Os

estados sólidos, líquido e gasoso em que encontramos certas substâncias são exemplos

de propriedades físicas da matéria. A matéria pode ser composta por um só tipo de

elemento, por dois ou mais tipos.

a) Elementos

São substâncias encontradas na natureza e que diferem uns dos outros em função de

sua constituição atômica. Existem na natureza cerca de 92 elementos químicos,

exemplificando o hidrogênio, o cobre, os silícios, etc; e outros que foram criados em

laboratórios.

Qualquer substância pode ser dividida em partes cada vez menores até chegar a

menor, que é conhecida como molécula.

b) Molécula

É a menor parte de uma substância que ainda conserva todas as suas características.

Exemplo: a molécula da água é formada por dois átomos de hidrogênio e um de

oxigênio (H 2 O).

1.1.2 - Constituição do átomo

Átomo é a menor parte em que podemos dividir uma substância simples, sem que ela

perca todas as suas características. Os átomos se combinam e formam as moléculas das

substâncias.

O átomo é formado por um núcleo, onde se encontram os prótons e os neutrons, situados

ao redor do núcleo ficam os elétrons.

a) Elétron

É uma pequena partícula carregada negativamente, que gira em grande velocidade ao

redor do núcleo do átomo.

b) Próton

Faz parte do núcleo, possui carga elétrica positiva de mesmo valor absoluto que o

elétron e massa 1.836 vezes maior.

c) Nêutron

OSTENSIVO

1-1

Faz parte do núcleo, não possui carga elétrica e sua massa é aproximadamente igual a

do próton.

O átomo, em seu estado natural, é eletricamente neutro, ou seja, o nº de prótons é

igual ao de elétrons.

neutro, ou seja, o nº de prótons é igual ao de elétrons. Elétrons Núcleo Fig. 1.1
neutro, ou seja, o nº de prótons é igual ao de elétrons. Elétrons Núcleo Fig. 1.1
Elétrons Núcleo
Elétrons
Núcleo

Fig. 1.1 - Constituição do átomo.

1.1.3 - Camadas de valência

Os elétrons giram em torno do núcleo em diversas camadas. A partir da mais interna são

chamadas: K, L, M, N, O, P e Q.

Em cada camada existem um número máximo de elétrons permitidos. Para sabermos o

número máximo de elétrons até a quarta camada, basta aplicar a seguinte fórmula: nº de

elétrons = 2 x n 2 ; onde “n” é o número da camada.

a) Camada saturada

Quando a camada possui o número máximo de elétrons permitidos.

b) Camada de valência

É a camada mais distante do núcleo, e dela dependem as propriedades elétricas do

átomo. Os elétrons da camada mais próxima do núcleo estão mais rigidamente

ligados ao núcleo.

À medida que vamos afastando do núcleo, os elétrons vão ficando mais fracamente

ligados ao mesmo e, por isso, os elétrons da camada externa (camada de valência)

possuem maior facilidade de se liberarem.

A camada de valência mais estável é aquela que possui 8 elétrons.

Exemplos:

Cloro: K = 2; L = 8; M = 7. (“M” é a camada de valência).

Silício: K = 2; L = 8; M = 4.

Germânio: K = 2; L = 8; M = 18; N = 4. (“N” é a camada de valência).

1.1.4 - Condutores, isolantes e semicondutores

OSTENSIVO

1-2

a) Condutores São caracterizados pelo fato dos elétrons de valência estarem fracamente ligados ao núcleo do átomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo. Os corpos condutores apresentam baixa resistência à passagem da corrente elétrica. Ex.: prata, cobre, alumínio, ouro, etc. Percebemos bem isso quando olhamos a estrutura atômica do cobre, onde vemos um elétron de valência numa órbita muito grande em torno da parte central. Então o núcleo exerce uma força de atração muito pequena, ocasionando um fácil desprendimento deste elétron de valência.

+29
+29

Fig. 1.2 - Átomo de cobre.

b) Isolantes São corpos que apresentam alta resistência à passagem da corrente elétrica, pois os elétrons de valência dos seus átomos estão rigidamente ligados ao núcleo. Ex.:

borracha, mica, porcelana, etc. Os isolantes são elementos de valência 8, ou seja, possuem 8 elétrons na camada de valência.

c) Semicondutores São elementos cuja resistência situa-se entre as dos condutores e as dos isolantes. Ex.: germânio e silício. Um semicondutor é um elemento de valência 4. Observamos então que os condutores são elementos de valência 1, os semicondutores de valência 4 e os isolantes de valência 8. Os semicondutores estão em condutibilidade entre os isolantes e condutores.

1.2 - ESTRUTURA DA JUNÇÃO PN OSTENSIVO

1-3

1.2.1 - Substância cristalina

É toda substância onde os átomos se posicionam no espaço formando uma estrutura

ordenada. Quando átomos de silício, por exemplo, se combinam para formar um sólido,

eles são arranjados segundo um padrão ordenado chamado cristal.

1.2.2 - Ligação covalente Os átomos procuram atingir a sua situação mais estável (oito elétrons na camada de valência). Como o material semicondutor possui apenas quatro elétrons nessa camada, eles se combinam com outros átomos para que se complete oito elétrons. A ligação é chamada covalente porque o semicondutor recebe elétrons ao mesmo tempo que empresta os seus próprios elétrons para o átomo usado na ligação.

1.2.3 - Estrutura covalente

É a estrutura formada por ligação covalente. Neste tipo de estrutura, ao aplicarmos uma

tensão, não resultará numa corrente, pois os elétrons acham-se presos à ligação de valência, não havendo, por conseguinte, elétrons livres para a condução. Para que haja circulação de corrente teremos de romper as ligações covalentes mediante a aplicação de energia suficiente para tal. Essa energia pode ser em forma de luz, calor, etc.

1.2.4 - Formação de buracos ou lacunas Com o rompimento da ligação covalente, ocorre a liberação de elétrons e o espaço vazio (buraco) deixado pela liberação comporta-se como uma carga positiva móvel. Suponhamos uma estrutura cristalina sobre a qual aplicamos uma diferença de potencial (ddp):

B E E E E E E E E E E E
B
E
E
E
E
E
E
E
E
E
E
E
A
A
Elétron Neg. Pos. Lacuna
Elétron
Neg.
Pos.
Lacuna

Fig. 1.3 - Fluxo de elétrons no material Cada elétron retirado do material pelo polo positivo da bateria ocasionará a formação de uma lacuna, porém, o polo negativo da bateria se encarregará de repor um outro elétron nessa lacuna.

OSTENSIVO

1-4

Notamos na Fig que um elétron passou a ocupar a lacuna originada pelo elétron atraído, porém, ao deslocar-se em seu antigo lugar, uma nova lacuna e, por este mecanismo, teremos duas circulações de corrente dentro do material, uma de portadores positivos

(buracos) e outra de portadores negativos (elétrons). O buraco apresenta carga igual a do elétron, porém com polaridade oposta.

A

energia necessária para quebrar a ligação covalente do germânio é de 0,2V a 0,3V e

do

silício é de 0,6V a 0,7V.

A

zero grau Kelvin (- 273ºC) as ligações covalentes ficam intactas e o cristal se

comporta como isolante.

1.2.5 - Conceitos fundamentais

a) Semicondutor intrínseco

É o cristal semicondutor puro, isto é, sem impurezas.

Os corpos básicos empregados na construção de semicondutores são o germânio e o silício. Esses cristais em estado puro são excelentes isolantes, porque a estrutura cristalina mantém, convenientemente, em seu lugar, todos os elétrons externos, formando uma união covalente, que é como se o núcleo enxergasse, na órbita

externa, oito elétrons, apesar desses cristais serem tetravalentes (quatro elétrons na última camada).

O

corpo cristalino puro impede que a corrente elétrica circule por ele e, desta forma,

o

germânio e o silício têm que ser modificados em sua estrutura, para que seja

possível que a circulação de corrente se dê de maneira controlável.

b) Dopagem Processo de introduzir impurezas (doadoras ou receptoras de elétrons) em um cristal semicondutor.

c) Elemento trivalente

É todo elemento que possui na sua camada de valência um total de três elétrons.

Exemplos: boro, alumínio, gálio, índio e tálio (grupo 3A da tabela periódica).

d) Elemento pentavalente

É todo elemento que possui em sua camada de valência um total de cinco elétrons.

Exemplos: antimônio, fósforo, arsênico, etc (grupo 5A da tabela periódica).

1.2.6 - Formação do material tipo “N”

O semicondutor tipo “N” é aquele que se obtém adicionando (dopando) ao cristal puro,

átomos com cinco elétrons na camada de valência (átomos pentavalentes).

OSTENSIVO

1-5

O tipo de semicondutor assim tratado recebe a denominação de tipo N porque um dos

elétrons adicionado ao átomo não consegue se ligar firmemente na estrutura do cristal, podendo ser facilmente deslocado do material. Como essas impurezas fornecem (doam) elétrons, elas são chamadas de impurezas doadoras ou impurezas tipo N.

A corrente circulante neste tipo de material consiste de excesso de partículas negativas,

daí chamar-se corrente de elétrons.

Ge Ge Ge ou ou ou Si Si Si Ge Ge ou AS ou Si
Ge
Ge
Ge
ou
ou
ou
Si
Si
Si
Ge
Ge
ou
AS
ou
Si
Si
Ge
Ge
Ge
ou
ou
ou
Si
Si
Si
Si
Si
Si Elétron P Si
Si
Elétron
P
Si

SiGe Ge Ge ou ou ou Si Si Si Si Si Elétron P Si Fig. 1.4

Fig. 1.4 - Material semicondutor dopado com fósforo (semicondutor tipo N).

1.2.7 - Formação do material tipo “P” Semicondutor tipo P é aquele que se obtém adicionando-se ao cristal puro, átomos com três elétrons na camada de valência (átomos trivalentes). Essa ligação covalente ficará incompleta, uma vez que o átomo do semicondutor tem quatro elétrons e o da impureza trivalente três elétrons na camada de valência Esse semicondutor recebe a denominação de tipo “P” porque um dos átomos a ele adicionado causou uma falta de elétron na estrutura do cristal o qual, facilmente aprisionará um elétron.

Essas impurezas trivalentes que dão origem a buracos na rede cristalina são chamadas impurezas aceitadoras ou impurezas tipo P.

A

corrente circulante neste tipo de material deve-se a deficiência de elétron, daí chamar-

se

lacunas (buracos).

OSTENSIVO

1-6

Ge Ge Ge ou ou ou Si Si Si Ge Ge ou ou Ga Si
Ge
Ge
Ge
ou
ou
ou
Si
Si
Si
Ge
Ge
ou
ou
Ga
Si
Si
Ge
Ge
Ge
ou
ou
ou
Si
Si
Si
Si
Si
Si Buraco Al Si
Si
Buraco
Al
Si

SiSi Ge Ge Ge ou ou ou Si Si Si Si Si Buraco Al Si Fig.

Fig. 1.5 - Material semicondutor dopado com alumínio (semicondutor tipo P).

1.3 - FUNCIONAMENTO DA JUNÇÃO PN 1.3.1 - Fluxo de corrente nos semicondutores a) Fluxo de corrente no semicondutor tipo N Se aplicarmos uma bateria em um material tipo N, haverá um fluxo de elétrons livres através do material em direção ao potencial positivo da bateria. Podemos afirmar que os elétrons livres são os responsáveis pela condução extrínseca e os buracos pela condução intrínseca. Os elétrons são portadores majoritários e os buracos portadores minoritários.

Semicondutor

tipo N

OSTENSIVO

e os buracos portadores minoritários. Semicondutor tipo N OSTENSIVO Fig. 1.6 -Fluxo de corrente 1-7 fluxo
e os buracos portadores minoritários. Semicondutor tipo N OSTENSIVO Fig. 1.6 -Fluxo de corrente 1-7 fluxo

Fig. 1.6 -Fluxo de corrente

1-7

fluxo de elétrons

b) Fluxo de corrente no semicondutor tipo P Se aplicarmos uma bateria em um material tipo P, haverá um fluxo de buracos através do material em direção ao polo negativo da bateria. No cristal tipo P, os buracos são os portadores majoritários e os elétrons são os portadores minoritários. A quantidade de portadores minoritários está diretamente ligada à execução externa tal como calor e luz.

Semicondutor

tipo P

externa tal como calor e luz. Semicondutor tipo P Fig. 1.7 - Fluxo de corrente 1.3.2

Fig. 1.7 - Fluxo de corrente 1.3.2 - Princípio de funcionamento dos diodos semicondutores Por si só, um pedaço de semicondutor tipo N tem a mesma utilidade um resistor de carbono; o mesmo pode ser dito do semicondutor tipo P. Mas quando um fabricante dopa um cristal de modo que metade dele seja tipo P e a outra metade tipo seja tipo N, acontece um fato novo. Supondo-se um cristal de germânio ou silício no qual, por um processo qualquer, foi feita uma dopagem diferente em duas regiões:

Junção PN

feita uma dopagem diferente em duas regiões: Junção PN O elétron é atraído (difundido) Átomo Átomo
feita uma dopagem diferente em duas regiões: Junção PN O elétron é atraído (difundido) Átomo Átomo
O elétron é atraído (difundido)
O elétron é
atraído
(difundido)
Átomo Átomo doador aceitador
Átomo Átomo doador aceitador

Átomo

Átomo Átomo
Átomo Átomo

Átomo

doador

aceitador

P

N

P

N

P

N

Fig. 2.8 - Funcionamento dos diodos semicondutores Do lado N haverá muitos elétrons livres, ao passo que do lado P existirão buracos, como conseqüência, haverá um processo de difusão entre os elétrons e os buracos.

OSTENSIVO

1-8

Íon positivo
Íon positivo

Íon Negativo

N P
N
P
Outro elétron é atraido N P
Outro
elétron é
atraido
N
P
Íon positivo Íon negativo N P
Íon positivo
Íon negativo
N
P

Fig. 1.9 -funcionamento da junção NP

Juntando-se quimicamente os dois tipos de semicondutores forma-se um diodo do estado

sólido, também chamado de junção PN.

Assim, teremos duas regiões distintas a saber: a região N e a região P. Do lado N haverá

muitos elétrons livres, ao passo que do lado P existirão buracos e como conseqüências,

haverá um processo de difusão entre os elétrons e os buracos na junção dos dois tipos de

materiais (região de contato).

Nessa região, forma-se uma barreira de potencial causada por íons positivos e íons

negativos, polarizando positivamente a região de contato tipo N; e negativamente a região

de contato do material tipo P.

Conforme os elétrons passam para o cristal P, esse potencial vai crescendo até atingir um

ponto que impede que eles transitem pela junção. A região da junção onde não existe

elétrons livres, nem buracos, recebe o nome de zona de deplexão (região de transição).

O potencial que aparece entre os dois cristais devido à ionização de ambos recebe o nome

de barreira de potencial. Essa barreira é da ordem de 0,2V para o germânio e da ordem de

0,6V para o silício.

Região de esgotamento

Os elétrons Elétrons são repelidos difundindo- Átomos na junção se através da por íons carregados
Os elétrons
Elétrons
são repelidos
difundindo-
Átomos
na junção
se através da
por íons
carregados
junção
negativos
N
P
N
P
N
Carga de 0,1V
P
Fig. 1.10 -Barreira de potencial através da região de esgotamento

Dependendo do material usado na construção e do método de construção dos diodos

(ponto de contato, difusão, liga, etc), encontramos aplicações prática dos diodos em:

OSTENSIVO

1-9

fontes de alimentação (atuando como retificador), em circuitos detetores, circuitos limitadores, etc.

A borda entre o material tipo P e o material tipo N é chamada de junção PN e foi ela que

deu origem a todos os tipos de invenções, incluindo diodos, transistores e circuitos integrados. A compreensão da junção PN permite que você entenda todos os tipos de dispositivos encontrados.

1.3.3 – Simbologia

os tipos de dispositivos encontrados. 1.3.3 – Simbologia A (anodo) K (katodo) (material tipo P)(material tipo

A

(anodo)

K

(katodo)

(material tipo P)(material tipo N)

Fig.1.11 - diodo

Os diodos semicondutores são representados de forma que a barra vertical simboliza o material tipo N, e a ponta da seta, o material tipo P.

A barra é denominada catodo, e a ponta da seta, ânodo.

Um fabricante pode produzir um cristal simples com um material tipo P de um lado e um material tipo N do outro. A junção é a borda onde as regiões do tipo P e do tipo N se encontram e o diodo de junção é outro nome dado para um cristal PN. A palavra diodo é a contração de dois eletrodos.

1.3.4 - Polarização direta Um diodo está diretamente polarizado, quando o catodo estiver negativo em relação ao ânodo com uma diferença de potencial superior ao valor da barreira de potencial do

diodo, para que o efeito da mesma possa ser vencido. Ou seja, positivo da bateria no lado

P (ânodo) e negativo no lado N (catodo).

Lembrando que para uma temperatura de 25ºC, a barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,3V para os diodos de germânio e 0,7V para os diodos de silício.

OSTENSIVO

1-10

corrente elevada N P PN OSTENSIVO 1-11 c o rre nte inte ns a Lâ

corrente elevada

corrente elevada N P
N P
N
P
PN OSTENSIVO 1-11
PN
PN

OSTENSIVO

1-11

corrente elevada N P PN OSTENSIVO 1-11 c o rre nte inte ns a Lâ m

c o rre nte inte ns a

c o rre nte inte ns a Lâ m p a d a a c es
c o rre nte inte ns a Lâ m p a d a a c es

Lâ m p a d a

a c es a

lâmpada apagada
lâmpada apagada
lâmpada apagada
lâmpada apagada
lâmpada apagada

lâmpada apagada

Fig. 2.12 - fluxo de corrente na polarização direta Os elétrons livres do lado N serão repelidos pelo terminal negativo da bateria e tenderão a penetrar na junção. Os buracos também serão repelidos pelo terminal positivo da bateria e também tenderão a penetrar na junção. Como conseqüência, haverá uma diminuição da região de deplexão e circulará grande corrente através da junção. A corrente circula facilmente num diodo de silício com polarização direta, enquanto a tensão aplicada for maior que a barreira de potencial. 1.3.5 - Polarização inversa É o tipo de polarização que torna o catodo positivo em relação ao ânodo. Ela reforça (aumenta) o efeito da barreira de potencial. Positivo da bateria no lado N Catodo) e negativo no lado P (ânodo). baixa corrente

Fig. - 1.13 - fluxo de corrente na polarização inversa

Os elétrons livres do material N serão atraídos pelo potencial positivo da bateria externa e as lacunas do material P são preenchidas com elétrons do terminal negativo da bateria. Como conseqüência, haverá aumento da zona de deplexão, tornando praticamente impossível o deslocamento de portadores, ou seja, não haverá circulação de corrente. Não deveria circular nenhuma corrente através do diodo, no entanto nota-se uma corrente muito débil (corrente de fuga), devido à ruptura de certas ligações na estrutura cristalina,

por causa da agitação térmica (corrente de portadores minoritários). Existe uma pequena corrente com a polarização reversa (inversa). Lembre-se de que a energia térmica gera pares de elétrons livres e lacunas incessantemente. Isso significa que existem alguns poucos portadores minoritários nos dois lados da junção. Muitos deles se recombinam com os portadores majoritários, mas aqueles dentro da camada de deplexão podem não existir suficientemente para cruzar a junção. Quando isso ocorre uma pequena corrente circula pelo circuito externo .

1.3.6 – Ruptura e Efeito Avalanche Os diodos têm tensões nominais máximas. Existe um limite do valor de tensão reversa que um diodo pode suportar antes de ser destruído. Continue a aumentar a tensão reversa e você atingirá sua tensão de ruptura. Para os diodos retificadores (aqueles fabricados para conduzir melhor de um modo que de outro), a tensão de ruptura é usualmente maior que 50V. Uma vez atingida a tensão de ruptura, um grande número de portadores minoritários aparece repentinamente na camada de deplexão e o diodo conduz fortemente.

1.3.7 - A curva característica do diodo I (A)

Ruptura Corrente de fuga Região
Ruptura
Corrente de fuga
Região

Região Direta

V (volts)

Joelho 0,6 a 0,7V(p/ o diodo de silício) (0,2 a 0,3V p/ o diodo de germânio)

Reversa

Fig. 1.14 - Curva característica do diodo

1.3.8 - Teste dos diodos a) Determinação do ânodo e catodo Através do Ohmímetro é possível determinar o catodo e o ânodo. Antes de se proceder o teste, verifica-se se as marcações do instrumento (–) e (+), na posição ohmímetro, correspondem aos terminais negativo e positivo da bateria interna do instrumento, o que, na maioria deles, é invertida.

OSTENSIVO

1-12

Aplicando-se a ponta do instrumento que corresponde ao terminal negativo da bateria

interna em um dos lados do diodo, e a outra ponta, ao outro lado do mesmo, e obtendo-

se leitura de baixa resistência, o diodo está polarizado diretamente. O terminal do

diodo à ponta negativa do ohmímetro é o catodo e consequentemente o outro é o

ânodo.

Se a leitura obtida fosse alta resistência, o diodo estaria polarizado inversamente.

b) Condições de funcionamento do diodo

Aplicando-se as pontas de prova do ohmímetro no diodo, podemos verificar o seu

estado, observando o seguinte:

I) alta resistência em um sentido e baixa resistência no outro sentido: diodo bom;

II) alta resistência nos dois sentidos: diodo aberto; e

III) baixa resistência nos dois sentidos: diodo em curto. N P P N + +
III) baixa resistência nos dois sentidos: diodo em curto.
N
P
P
N
+
+

Diodo polarizado diretamente

Diodo polarizado inversamente

Fig. 2.15 - teste dos diodos

1.3.9 - DIODO ZENER

Fig. 2.15 - teste dos diodos 1.3.9 - DIODO ZENER a) – Simbologia Fig. 1.16 –

a) – Simbologia

- teste dos diodos 1.3.9 - DIODO ZENER a) – Simbologia Fig. 1.16 – diodo zener

Fig. 1.16 – diodo zener

- DIODO ZENER a) – Simbologia Fig. 1.16 – diodo zener b) - Diferenças essenciais ao

b) - Diferenças essenciais ao diodo retificador

Os diodos de pequeno sinal e retificadores nunca operam intencionalmente na região de

ruptura porque isso danifica-os. Um diodo Zener é diferente. Ele é um diodo de silício

que o fabricante otimizou para operar na região de ruptura. Algumas vezes chamado de

“diodo de ruptura”, o diodo Zener é o elemento principal dos reguladores de tensão,

circuitos que mantêm a tensão na carga quase constante, independentemente da alta

variação na tensão de linha e na resistência de carga (R L ).

A diferença essencial entre o diodo retificador e o Zener deve-se ao fato de que o

primeiro não deve atingir a zona Zener (ruptura), sob pena de possível destruição,

enquanto que o segundo é projetado e fabricado para trabalhar nesta região.

OSTENSIVO

1-13

Externamente, o diodo Zener possui aparência similar aos demais retificadores e, eletricamente, é capaz de retificar correntes alternadas. São únicos entre os dispositivos semicondutores pelo fato de serem projetados para operarem na região reversa de ruptura. Na região de tensão inversa, isto é, quando o diodo estiver polarizado inversamente, aparece uma região de tensão constante. Essa tensão é uma característica de cada diodo, não se alterando com as variações de temperatura, esta região é também denominada de tensão Zener, especificada por “Vz” (a tensão Zener é provocada pela quebra das ligações covalentes do material). Se a tensão inversa aplicada ao diodo atingir a tensão Zener, ficará praticamente constante dentro de um limite de variação de corrente, por este fato os diodos Zener são muito utilizados em duas aplicações: como dispositivo de referência ou em estabilização (regulação) de tensão. c) - Especificações da tensão ZENER Existem diodos Zener comerciais com tensões Zener variando de alguns volts até centenas de volts. Estas tensões são determinadas pelo fabricante quando o diodo é projetado. Variando o nível de dopagem de um diodo de silício, um fabricante pode produzir diodos Zener com tensões de ruptura de cerca 2V até 200V. Esses diodos podem operar em qualquer uma das três regiões: direta, de fuga e de ruptura. Esta tensão tem a particularidade de se manter aproximadamente constante para grande variação de corrente. Tal característica, faz o diodo Zener um regulador de tensão em fontes de baixo consumo e tensão de referência em fontes de elevado consumo. Para o diodo Zener operar como regulador de tensão ou fonte de tensão referencial devemos polarizá-lo inversamente, ou seja, o ânodo negativo em relação ao catodo.

I V z I Z T 0 ,7 v 2 a 2 0 0 V
I
V z
I Z T
0 ,7
v
2 a 2 0 0
V
I Z M
I V z I Z T 0 ,7 v 2 a 2 0 0 V I

I Z T

=

c o r r e nte

de

tes te

I

Z M

=

c o rre nte m áxi m a

1-14

V
V

OSTENSIVO

Fig. 1.17 -Curva característica do Diodo Zener

OSTENSIVO

1-15

CAPÍTULO 2 FONTES DE ALIMENTAÇÃO

2.1 - FINALIDADE

2.1.1 - Conceito Fonte de alimentação é um circuito ou aparelho usado para transformar a

energia elétrica da rede (CA) na quantidade de (CA) ou (CC) que necessitam

os diversos circuitos eletrônicos.

2.1.2 - Finalidades das fontes

A maioria dos equipamentos eletrônicos operam com uma grande variedade de

tensões. A única tensão disponível é a da rede elétrica e que, geralmente, é de 110 ou 220Vca, a qual não tem utilidade prática nesta forma. É necessário, então, um dispositivo para transformarmos essa tensão da rede em uma tensão própria para o uso dos equipamentos e, para tal, usamos uma fonte de

alimentação.

A fonte de alimentação é, portanto, um circuito destinado a prover alimentação

de tensões e/ou correntes alternadas e/ou contínuas necessária ao funcionamento dos equipamentos. 2.1.3 – Fonte de alimentação Ideal Uma fonte de alimentação perfeita ou ideal produz uma tensão de saída constante. O exemplo mais simples de uma fonte de alimentação ideal é uma bateria perfeita, aquela que tem resistência interna zero. A Fig. 3.1 mostra uma resistência de carga ajustável (reostato). A fonte de alimentação ideal produzirá sempre 12V na resistência de carga, independentemente do valor ajustado. Portanto, a tensão na carga é constante; apenas a corrente na carga muda.

12V R L
12V
R
L

Fig. 2.1 – Fonte ideal

2.2 - DIAGRAMA EM BLOCOS 2.2.1 - Partes componentes de uma fonte de alimentação Uma fonte de alimentação apresenta quatro partes, mostrados pela ordem no diagrama abaixo: transformador, retificador, filtro e regulador.

Entrada

Saída (CC)

Transformador
Transformador

Retificador

Filtro
Filtro

Fig. 2.2 – Diagrama em bloco

(CA) Regulador
(CA)
Regulador

a) - Transformador As companhias de energia elétrica no Brasil fornecem uma tensão senoidal monofásica de 127Vrms, ou dependendo da região, de 220Vrms com uma freqüência de 60Hz. Essa tensão de linha é muito alta para a maioria dos dispositivos usados nos equipamentos eletrônicos. É por isso que um transformador é encontrado geralmente em quase todos os equipamentos eletrônicos. Esse transformador abaixa a tensão CA a níveis mais compatíveis com os dispositivos em uso, como os diodos e os transistores. Transformador é um componente que transforma a tensão de CA de entrada (110/220Vca) nos diversos valores de tensão de CA necessários à alimentação dos diversos circuitos. Os transformadores são projetados para fornecerem tensões de CA a diversos valores de corrente.

N 1 :

N 2

b) - Retificador

V 1 ~ V 2 Fig. 3.3 - Transformador
V 1
~
V 2
Fig. 3.3 - Transformador

Tem a função de eliminar uma das polaridades da tensão CA aplicada, ou seja, transforma CA em CC pulsativa. Tipos de retificadores: meia onda, onda completa e em ponte.

c) - Filtro Tem a função de eliminar a tensão CC pulsante, tornando-a praticamente em uma onda contínua pura. d) - Regulador É o elemento capaz de manter constante a tensão de saída da fonte, ou seja, para uma determinada faixa de valores de queda de tensão, o regulador supre a fonte para manter constante a tensão. Outros circuitos podem ser utilizados em fontes de alimentação, tais como:

protetor de sobrecarga, eliminador de ruídos, etc. 2.3 - CIRCUITOS RETIFICADORES 2.3.1 - Tipos de circuitos retificadores Meia onda, onda completa e retificador em ponte. I ) - Retificador de meia onda É aquele que aproveita somente um dos semiciclos do sinal de entrada, utilizando a propriedade do diodo de só conduzir em um sentido. Entrada

Saída

do diodo de só conduzir em um sentido. Entrada Saída Retificador de Meia Onda ou Fig.
do diodo de só conduzir em um sentido. Entrada Saída Retificador de Meia Onda ou Fig.
do diodo de só conduzir em um sentido. Entrada Saída Retificador de Meia Onda ou Fig.

Retificador de

Meia Onda

em um sentido. Entrada Saída Retificador de Meia Onda ou Fig. 3.4 - Forma de onda

ou

Fig. 3.4 - Forma de onda de entrada esaída Um circuito retificador de meia onda é composto de um transformador e um diodo retificador.

_

+

I R
I
R

L

V (R L )

retificador de meia onda é composto de um transformador e um diodo retificador. _ + I

Fig. 2.5 - Retificador de meia onda

Os semiciclos positivos tornam o ânodo positivo em relação ao catodo,

polarizando o diodo diretamente.

Deste modo, circula corrente através do resistor de carga com a polaridade

indicada. Os semiciclos negativos tornam o ânodo negativo em relação ao

catodo, polarizando o diodo inversamente. Não havendo corrente através do

resistor de carga, não há tensão de saída. O retificador de meia onda só conduz

durante um dos semiciclos do sinal de entrada, isto é, quando o diodo está

diretamente polarizado.

a) Desvantagens

O retificador de meia onda, embora seja o mais barato e mais simples em

relação aos outros tipos de retificadores, apresenta certas desvantagens,

como: utiliza apenas metade da potência fornecida pelo transformador, e

maior tensão de ripple (ondulação).

b) Característica

A freqüência de saída é igual a da entrada.

c) Valor CC ou valor médio de saída

É o valor medido por um voltímetro CC. O valor médio (Vdc ou Vm) é

igual ao valor de pico dividido por “pi” (“ ” = 3,14). Pode-se dizer também

que o valor médio é igual a 31,8% da tensão de pico.

Vdc = Vp ÷ 3,14 ou Vm = 0,318 xVp (onde: Vp = Vrms ÷ 0,707).

II ) - Retificador de onda completa

É aquele que aproveita os dois semiciclos do sinal de entrada fazendo com que

um diodo conduza durante um semiciclo e outro durante o semiciclo seguinte.

O circuito retificador de onda completa permite a circulação de corrente na

mesma direção através da carga durante os dois semiciclos do sinal de entrada.

Um circuito retificador de onda completa é composto por dois diodos

retificadores e um transformador com “centertrap” (derivação central no

enrolamento secundário). D 1 R L I D 2 OSTENSIVO 1-19
enrolamento secundário).
D
1
R
L
I
D
2
OSTENSIVO
1-19

V (R L )

central no enrolamento secundário). D 1 R L I D 2 OSTENSIVO 1-19 V (R L

Sinal de saída do retificador

Fig. 2.6 - Retificador de onda completa

Por causa da tomada central, o circuito é equivalente a dois retificadores de meia onda. Cada diodo retifica um semiciclo. Quando os sinal é positivo na entrada, faz com que a parte superior do secundário fique positivo e a parte inferior negativo, o diodo D1 estará polarizado diretamente e D2 inversamente, neste instante D1 estará conduzindo

e

D2 cortado.

O

caminho de corrente será da parte central do transformador no secundário

através de R L e D1. No semiciclo negativo do sinal de entrada, D2 ficará polarizado diretamente e D1 inversamente. D2 estará conduzindo e D1 cortado. O caminho de corrente será do ponto central do secundário através de R L e D3.

a) Vantagens Maior tensão média de saída, pois aproveita os dois semiciclos do sinal de entrada; filtragem mais fácil; e melhor regulação.

da voltagem máxima no diodo, ou seja, o do R I
da voltagem máxima no diodo, ou seja, o do
R
I

%

da voltagem máxima no diodo, ou seja, o do R I % b) Característica A freqüência

b) Característica

A

freqüência de saída é o dobro da entrada.

c) Valor médio (CC) de saída

É

63,6

bro da tensão máxima

dividido por “pí” . Vm = 0,636 x Vp ouVm = 3.VP / 3,14. III ) - Retificador em ponte

O circuito retificador em ponte necessita de 4 diodos e dispensa o uso do

centertrap” (tomada central). A vantagem de não usarmos uma tomada central

é que a tensão retificada na carga é o dobro daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central.

é o dobro daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central. D1 D1

D1

D1
D1

A

D2

V (R L )

é o dobro daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central. D1 D1

D4

B

D3

Fig. 2.7 - Retificador em ponte Durante o semiciclo positivo, o ponto “A” é positivo em relação ao ponto “B”. Os diodos D2 e D4 estão polarizados diretamente e estarão conduzindo, ao passo que os diodos D1 e D3 estão polarizados inversamente, portanto estarão cortados. No instante do semiciclo negativo, as polaridades dos pontos “A” e “B” são invertidas. Assim, os diodos D1 e D3 passam a conduzir e os diodos D2 e D4 ficam no corte. Durante o corte, cada diodo deve suportar uma tensão inversa (TIP) igual a tensão máxima do secundário (Vp). A tensão de pico inversa (TIP ou PIV) é a característica mais importante dos diodos, pois indica a tensão máxima que o diodo pode suportar sem se danificar (TIP = Vp do secundário).

a) Vantagem A tensão média de saída (Vdc) é aproximadamente o dobro da saída do retificador de onda completa.

b) Característica

A freqüência de saída é o dobro da de entrada. Exercício Num circuito retificador em ponte (diodos de silício), a tensão da rede é de 240Vrms, o transformador possui uma relação de espiras de 5:1, qual o valor médio em cima do resistor de carga? (Considere a segunda aproximação do diodo).

R.: Vp1 = 240 V ÷ 0,707 Vp1 340VVp2 = 340V ÷ 5 Vp2 68V

Vp2 = 68V – (2 x 0,7V) Vp2 = 68V – 1,4V Vp2 66,6V

Vm = Vp x 0,636 Vm = 66,6V x0,636 Vm 41,5V.

2.4 - CIRCUITOS DE FILTROS 2.4.1 - Características gerais dos filtros

A finalidade do filtro é suavizar as pulsações de saída do retificador, a fim de

produzir uma tensão constante com a menor ondulação possível. Os filtros têm como principal função minimizar as variações de corrente

contínua fornecida pelo retificador. Uma outra função é a de minimizar o ruído gerado tanto pela carga como pela fonte geradora de CA.

A saída do circuito retificador é uma onda contínua pulsativa que varia em

torno de um valor médio, indo de zero até o valor máximo (Vp ou Vmáx). No caso do retificador de onda completa, o valor médio é de 63,6% do valor máximo de pico e do retificador de meia onda é de 31,8% do valor de pico.

Esse não é o tipo de tensão CC que a maioria dos circuitos eletrônicos precisa.

É necessária uma tensão estável ou constante similar à produzida por uma

bateria. Para obter esse tipo de tensão retificada na carga, precisamos de “filtro”.

a) Ondulação ou “ripple

É a flutuação da voltagem em torno do valor médio na saída do filtro.

b) Fator de ondulação

É o fator que determina a quantidade de CA em relação à CC, é dada em

porcentagem.

% ond. = (Erms ÷ Em) x 100, onde “Erms” é valor eficaz da tensão de

ondulação e “Em” é o valor de tensão médio (Vdc ou Vm).

O “ripple” de um retificador de meia onda é de 121%; o “ripple” de um

retificador de onda completa é de 48%.

filtrada

(min)

Ret. meia onda (Em)
Ret. meia onda
(Em)

Ret. onda completa

é de 48%. filtrada (min) Ret. meia onda (Em) Ret. onda completa (Em) Ret. com saída

(Em)

Ret. com saída E (max) E
Ret. com saída
E (max)
E

Em

Fig. 2.8 - Gráfico da % de ondulação

Exemplo: Em = +180Vcc; Emax = +181Vcc; Emin = +179Vcc; qual a porcentagem de ondulação?

% ond. = (Erms ÷ Em) x 100 Erms = Ep x 0,707 Erms = 1V x 0,707

0,707V % ond = (0,707V ÷ 180V) x 100 % ond = 0,003927 x 100

% ond 0,39%

A porcentagem de ondulação ideal é de 0%.

t

t

2.4.2 - Filtros RC V Saída do retificador R Transformado r e retificador deOnda Completa.
2.4.2 - Filtros RC
V
Saída do retificador
R
Transformado
r e retificador
deOnda
Completa.
Vm
C1
R L
Saída
filtrada
por
C1
t0
t1
t2

Fig. 2.9 - Filtros RC

O capacitor C1 em paralelo com a carga armazenará energia no período t0 a t1 e quando a voltagem de entrada começar a cair (t1 a t2) o capacitor começará a se descarregar através da carga. O segundo pulso quando chega encontra o capacitor ainda com certa quantidade de carga, devido a constante RC e novamente carrega o capacitor. Após alguns pulsos do sinal de entrada, a saída será então uma CCperto da ideal (pura). Quanto maior a capacitância, menor será a ondulação e quanto maior a carga (I RL ) maior a ondulação:

(VR = I RL ÷ f.C); onde “VR” é a tensão de ondulação pico a pico, “I RL ” é a corrente CC na carga, “f” é a freqüência de ondulação e “C’ é a capacitância do capacitor de filtro. O capacitor de entrada, combinado com as impedâncias do circuito da fonte, têm baixa constante de tempo RC (o tempo de carga é muito rápido). Nos filtros RC, a resistência (R) deve ser muito maior que Xc na freqüência de ondulação. Tipicamente R > 10 x Xc.

a) Corrente de surto Como o capacitor está descarregado antes da alimentação do circuito ser ligada, no instante em que a alimentação for ligada, o capacitor descarregado funcionará como se fosse um curto circuito. Portanto, a corrente de carga inicial é muito alta. Os únicos elementos que limitam a

corrente é a resistência do enrolamento e a resistência de corpo dos diodos. Por essa razão, a corrente inicial é muito alta. À medida que o capacitor se carrega, a corrente diminui a níveis mais baixos.

A alta corrente instantânea quando a alimentação é ligada pela primeira vez

é chamada corrente de surto. Se o capacitor de filtro for menor que 1000µF, a corrente de surto é muito rápida e não causará danos aos diodos. Mas quando o capacitor é muito maior que 1000µF, ele necessita de alguns ciclos para carregar o capacitor; nesse caso, o diodo pode ser danificado. Capacitor de alto valor, significa corrente de surto prolongada. Se a corrente de surto for muito alta, o capacitor pode sofrer danos pelo aquecimento e pela formação de gases na eletrólise.

b) Vantagem

A principal vantagem deste tipo de filtro é a alta tensão de saída.

c) Desvantagem Queda de tensão em R. O filtro RC é adequado apenas para cargas leves (baixa corrente de carga ou alto valor de R L ).

2.4.3 - Filtros RL

D1

Em OSTENSIVO
Em
OSTENSIVO

L1

E

(baixa corrente de carga ou alto valor de R L ). 2.4.3 - Filtros RL D1

1-24

(baixa corrente de carga ou alto valor de R L ). 2.4.3 - Filtros RL D1
Saída filtrada por L1
Saída filtrada por L1

Em

t

D2

t0 t1

t2

RL

Fig. 2.10 - Filtro RL Intervalo t0 a t1: a onda pulsativa sendo aplicada ao indutor cria neste uma FCEM e impede que esta venha a atingir seu valor máximo sobre a carga. Intervalo t1 a t2: quando a onda pulsativa começa a cair, a FCEM começa a fornecer para a carga a sua voltagem. Após o equilíbrio, a saída tenderá a uma onda CC pura. Devido ao efeito da FCEM, a corrente na carga também não atingirá o seu valor máximo e se manterá praticamente constante.

a) Vantagem Maior corrente de saída que o filtro RC.

b) Desvantagem Menor tensão de saída que o filtro RC. O filtro RL raramente é usado em retificadores de meia onda, pois não há nenhum dispositivo para manter a circulação de corrente durante os meios ciclos. Apenas o capacitor ou o indutor em um circuito de filtro não oferece uma boa filtragem, além do fato de que a carga participa no processo de filtragem. Assim sendo, esses componentes são associados de diversas maneiras para se obter uma melhor filtragem (filtros LC).

2.4.4 - FiltroLC em “L”

t

L1 Transformador e Retificador de Onda Completa C1
L1
Transformador
e
Retificador de
Onda Completa
C1

Fig. 2.11 – Filtro LCem L

E Saída filtrada Em R L
E
Saída filtrada
Em
R L

O filtro em “L” é também conhecido como filtro de entrada por choque ou a

indutor. O filtro em raramente é usado com retificador de meia onda, porque não há nenhum dispositivo para manter a circulação de corrente durante os meios ciclos. Devido ao nível uniforme de corrente, o filtro em “L” tem aplicação na maioria dos circuitos de alta potência tal como transmissores. Obs.: nos filtros LC, a reatância indutiva tem que ser muito maior que a reatância capacitiva na freqüência de ondulação (X L >>> Xc).

2.4.5 - Filtro LC em “

L1 Transformador cima de RL e Retificador Em C1 C2 R L
L1
Transformador
cima de
RL
e
Retificador
Em
C1
C2
R
L
E Tensão em
E
Tensão em

Fig. 2.12 - Filtro em “pi” Este tipo de filtro recebe o nome de “” devido a configuração do diagrama esquemático que é semelhante à letra grega “ ”. Recebe também o nome de

filtro de entrada a capacitância. Com este tipo de filtro, a forma de onda de saída aproxima-se muito de uma CC pura (é o que mais se aproxima de uma CC pura).

O capacitor C1 atua para derivar à terra a porção maior do componente “ripple

(ondulação). Em todos os filtros, a parte principal de ação do filtro é realizada por componente.

O choque (indutor) em série no filtro em “” serve para manter a corrente a um

nível quase constante durante os ciclos de carga e descarga capacitor de entrada.

O capacitor C2 atua para derivar as flutuações residuais existentes depois de

filtrada pelo capacitor de entrada e a indutância.

O filtro em “” é empregado em instalações de baixa corrente, tais como

receptores de rádio.

2.5 - CIRCUITOS REGULADORES A ZENER E A CIRCUITOS INTEGRADOS DA SÉRIE 78XX, 79XX &LM

Transformador +Vs Rs Retificador Filtro Vz R L
Transformador
+Vs
Rs
Retificador
Filtro
Vz
R
L

Fig. 2.13 - Reguladorzener 2.5.1 - Regulador a Zener

O diodo Zener às vezes também é chamado regulador de tensão, porque

mantém uma tensão de saída constante, embora a corrente nele varie. Quando polarizado inversamente conduz apenas num determinado valor de

tensão, tensão essa conhecida como tensão Zener (Vz). Esse efeito é conhecido como efeito avalanche.

O diodo Zener deve ser polarizado inversamente, para obter uma operação na

ruptura (região Zener), a tensão da fonte (Vs) deve ser maior que a ruptura (Vz). Um resistor em série (Rs) é sempre usado para limitar a corrente do Zener num valor abaixo de sua corrente máxima nominal. Caso contrário, o diodo Zener queimaria como qualquer outro dispositivo submetido a uma dissipação de potência muito alta.

O mais interessante que se observa é que a corrente que circula pelo Zener

aumenta ou diminui em função de manter a tensão Vz constante. Por esta propriedade o Zener é muito utilizado como estabilizador de tensão.

Is = (Vs – Vz) ÷ Rs I L = V L ÷ R L Is = Iz + I L Iz = Is + I L .

Onde, Is = corrente em Rs; I L = corrente na carga; Iz = corrente no Zener. a) Diodo Zener em circuito de regulação de tensão alternada (ou limitador de picos)

Rs

V (R L ) D1 R L D2
V (R L )
D1
R L
D2
Região Zener de D1 t
Região Zener de D1
t

de D2

Região

Zener

Fig. 3.14 – Zener como limitador de pico Para diminuirmos as variações, usam-se dois diodos Zener em oposição. No semiciclo positivo, o diodo D1 entra na região Zener (corta), quando a tensão iguala a tensão de ruptura, estando o outro (D2) sendo polarizado diretamente e funcionando praticamente como um curto circuito. No semiciclo negativo, o diodo D1 funciona como um curto e D2 limita a tensão no valor Zener. Quando a tensão CA alterna seu valor, seja para mais ou para menos, os diodos Zener limitam a onda de tensão sempre nos mesmos valores, fixados pelas suas tensões Zener. 2.5.2 - Circuitos integrados série 78XX, 79XX e LM O filtro LC era muito usado. Hoje em dia, eles estão obsoletos por causa das dimensões e custo dos indutores nas fontes de alimentações típicas. Para as fontes de baixos valores, os filtros LC foram substituídos por CI reguladores de tensão, filtros ativos que reduzem a ondulação e mantém a tensão média de saída constante. No mercado existem vários circuitos integrados com a função de regulador. Podem ser encontrados para diversas tensões de saída e também com saídas ajustáveis. Os reguladores mais populares atualmente são os reguladores da série 78XX e

79XX.

78XX = reguladores de tensões positivas. 79XX = reguladores de tensões negativas. Os reguladores da série 78XX e 79XX são dispositivos reguladores de tensões com somente três pinos, um para a entrada da tensão não regulada, um para a saída da tensão regulada e um para terra.

a) Símbolo

1 (Entrada)

78XX ou

(79XX)

3 (Saída)

um para a saída da tensão regulada e um para terra. a) Símbolo 1 (Entrada) 78XX

2 (GND)

1

2

3

Exemplos: 7805 = regulador positivo de 5V de saída. 7905 = reg. negativo

de

5V.

 

7812 = reg. positivo de 12V.

7912 = reg. Negativo

de

12V.

b) Série LM

Fig. 2.15 – Regulador 78XX

A série LM340, igual a 78XX, é típica da nova linha de reguladores de

tensão com três terminais.

Com uma impedância da saída de aproximadamente 0,01 , o LM340-5 é uma fonte de tensão muito estável para todas as cargas dentro da sua especificação máxima de corrente. O LM 340-5 ligado como regulador fixo,

tem uma tensão de saída de 5V± 2%, uma corrente de carga máxima de

1,5A, uma regulação de carga de 10mV, uma regulação da fonte de 3mV, uma rejeição de ondulação de 80dB.

O LM320, semelhante ao 79XX, é do grupo de reguladores de tensão

negativa. O LM317 caracteriza-se por ser um regulador ajustável.