CAPITULO 1

INTRODUCCIN A LOS SEMICONDUCTORES

En esta sesin no solo aprenderemos la teora del funcionamiento de los Transistores Efecto Campo si no tambin aprender las siguientes aplicaciones como amplificacin de todo tipo, generacin de seal, conmutaciones, conversores estticos de potencia, etc. En la vida diaria de nuestra carrera. Veremos su estructura bsica, smbolos, principio de funcionamiento, curvas caractersticas, zonas de trabajo, etc.

Grupo 1

TRANSITORES DE EFECTO CAMPO (FET)

DE

ESTRUCTURA DEL CAPITULO

6-1 El JFET 6-2 Caractersticas y parmetros del JFET 6-3 Polarizacin de un JFET 6-4 El MOSFET 6-5 Caractersticas y parmetros de un MOSFET 6-6 Polarizacin de un MOSFET 6-7 El IGBT 6-8 Ejercicios de aplicacin 6-9 Sumario 6-10 6-11 OBJETIVOS DEL CAPITULO Explicar la definicin de los JFET Definir, analizar y aplicar parmetros importantes del JFET Analizar y describir circuitos de polarizacin del JFET Discutir la regin hmica Explicar la operacin de los MOSFET Definir y aplicar parmetros importantes del MOSFET Analizar y describir circuitos de polarizacin del MOSFET Explicar la operacin de los IGBT Sumario

CAPITULO VI

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

En este captulo vamos a abordar el estudio de un dispositivo de tres terminales cuyo rango de aplicabilidad coincide en michas casos, con el del transistor BJT visto con anterioridad. A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: Transistor de efecto de campo de unin: JFET (Junction Field Effect Transistor ) Transistor de efecto de campo Metal Oxido Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan de tres electrodos o trodo.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn.

6.1.

EL FET

Vamos a comenzar el estudio de los transistores de efecto de campo con los JFET (Junction Field Effect Transistor). Es un tipo de FET que opera con una unin pn polarizada en inversa para controlar la corriente en un canal. Segn su estructura, los JFET caen dentro de cualquiera de dos categoras, de canal n o de canal p.

Estructura Bsica. En la Figura 1.1. Se ha representado la construccin bsica de un JEFT de canal n. Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos en ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p + (material tipo p fuertemente dopado) con sendos contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo ms habitual es que ambos terminales estn cortocircuitados teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de tres terminales).

En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen estn sin polarizar. El resultado es una regin de vaciamiento o zona de deflexin (regin carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su da al analizar en el diodo la unin p-n en ausencia de polarizacin.

Figura 1.1.- Estructura bsica del JFET de canal n.

D= Drenador: (Del ingles Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en del canal p)

S= Fuente: (Del ingles source). Es el terminal por el que entran los portadores.

G= Puerta: (Del ingles Gate). Es el terminal mediante el que se controla corriente de portadores a travs del canal.

la

Smbolos de JFET

Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier caso, de dispositivos con tres terminales cuyos smbolos aparecen representados en la figura 1.2.

Figura 1.2.-simbolos del JFET.

Como podemos observar, la diferencia en el smbolo entre ambos tipos reside en el sentido de la flecha del terminal de puerta (G). En el JFET de canal n el terminal de puerta se representa con una flecha entrante al dispositivo, mientras que en el de canal p es saliente. Recordar que el sentido de la flecha indica el sentido de circulacin de la corriente si la unin pn correspondiente estuviera polarizada en directa. Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente ( ) y una tensin negativa entre puerta y fuente ( ). De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin ) a aplicar debe ser negativa y la tensin positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador.

6.2.

CARACTERISTICAS Y PARMETROS DEL JFET

El JFET opera como un dispositivo de corriente constante controlado por voltaje. En esta sesin se tocaran los temas de corte y estrangulamiento, as como las caractersticas del JFET.

Influencia de En primer lugar vamos a estudiar el efecto que sobre el dispositivo tiene la variacin de la tensin aplicada entre los extremos del canal. Para ello vamos a suponer que inicialmente la tensin = 0 y vamos a ir aumentando el valor de desde 0.

Figura 1.3.-efecto de tensin

. El canal se estrecha de la zona del drenador.

Al establecer una tensin = 0 los terminales de fuente y puerta estn al mismo potencial, por tanto la zona de deplexion del lado de la fuente ser semejante a la que tenamos en condiciones de no polarizacin. En el instante en que apliquemos una tensin , los electrones se vern atrados hacia el lado del drenador, establecindose una corriente en el sentido mostrado en la figura 1.3. Bajo estas condiciones las corrientes e sern iguales y se vern nicamente limitadas por la resistencia elctrica que presenta el canal entre el drenador y la fuente. Es importante notar que ambas uniones p-n se encuentran polarizadas en inversa, con lo cual la corriente a su vez ser prcticamente nula. Cuando aplicamos una tensin (por ejemplo 2V en la Figura 1.3.) esta se distribuir a lo largo del canal, distribucin, que en un principio y para tensiones

pequeas, podemos suponer uniforme. De esta forma, si nos fijamos en la polarizacin inversa de las uniones p-n, podemos observar como stas estn ms inversamente polarizadas de la zona del drenador que de la zona de la fuente. Si recordamos que la anchura de la zona de carga de espacio en una unin p-n polarizada en inversa es tanto mayor cuanto mayor sea dicha polarizacin inversa, tendremos que la anchura de estas zonas deplexin son tanto mayores cuanto ms cerca del drenador nos encontremos, o lo que es lo mismo, la anchura efectiva del canal ser menor en la parte del drenador que en la parte de la fuente. Para valores pequeos de la tensin aplicada, el estrechamiento del canal no ser importante, por lo que el dispositivo se comporta, en esencia, como una resistencia de forma que la relacin entre la tensin aplicada y la corriente que circula por el dispositivo ser lineal tal y como establece la Ley de Ohm. Sin embargo, a medida que aumentamos la tensin aplicada, el estrechamiento del canal se va haciendo ms importante, lo que lleva consigo un aumento de la resistencia y por tanto un menor incremento en la corriente ante un mismo incremento de la tensin aplicada.

Figura 1.4.- caractersticas

con

= 0.

Si continuamos aumentando la tensin , el canal se estrecha cada vez ms, especialmente cerca de la zona del drenador, hasta que ambas zonas de deplexin de tocan. La tensin para la cual se produce el estrangulamiento del canal se denomina sat . Para tensiones aplicadas superiores a este valor, la pendiente de la curva ( ) se satura, hacindose aproximadamente cero, mantenindose la corriente prcticamente constante a un valor denominado (Corriente drenador - fuente de saturacin) que es la mxima corriente que podemos tener para un determinado JFET (caracterstico para cada JFET). En un principio, podramos pensar que si el canal se cierra por completo la corriente que circula por el mismo debera ser nula. Si fuera nula, no habra corriente en el canal en ningn punto, y el potencial a lo largo de ste sera el mismo que con = 0, es decir, cero en todo lugar. Si en el canal el potencial es cero en todos sus puntos, las uniones p-n estaran con polarizacin nula, y a su vez el canal tendra que estar abierto por completo desde la fuente hasta el drenador, con lo que se contradice de forma clara la suposicin inicial de un canal cerrado. En otras palabras, debe fluir una corriente en el JFET para inducir y mantener la condicin de estrangulamiento. Quizs la dificultad conceptual se encuentra a menudo con respecto a que la condicin de estrangulamiento proviene de la necesidad de que fluya una corriente elevada por una zona de vaciamiento. Sin embargo, en los dispositivos de estado slido no son inusuales los flujos de corriente elevados por zonas de vaciamiento (recordar un transistor BJT donde la unin de colector, en la zona activa, est polarizada en inversa y sin embargo a su travs circulan corrientes elevadas).

Influencia de Una vez establecida la variacin de la corriente por el dispositivo en funcin de la tensin cuando = 0, para completar el anlisis, tenemos que estudiar el comportamiento del JFET para tensiones aplicadas menores que cero (por ser JFET de canal n). El funcionamiento del JFET para valores de < 0 es muy similar al que tiene con = 0, con alguna pequea modificacin

Figura 1.5.- la tensin Cuando =

modula la anchura del canal.

soff el canal se cierra por completo

Si suponemos, en primer lugar = 0, para valores de < 0, las uniones p-n estn polarizadas inversamente. Una polarizacin inversa de dichas uniones incrementa el ancho de la zona de deplexin disminuyendo la anchura efectiva del canal n. Por tanto la resistencia del canal aumenta, de manera que en la zona de comportamiento hmico, es decir, para valores pequeos de la tensin aplicada donde la relacin es lineal, la pendiente ser tanto menor cuanto ms negativa sea .

Figura 1.6.-la tensin

modula la anchura del canal.

Por ltimo, para tensiones suficientemente negativas, podra llegar a cerrarse por completo el canal, aun cuando = 0. Esto sucede cuando la tensin alcanza o disminuye por debajo del valor Soff . Hecho este por el cual el fabricante suele denotar este parmetro como Soff, (este es un valor de tensin caracterstico de cada JFET) ya que indica el valor de tensin por debajo del cual (recordar que estamos hablando de valores negativos de tensin) el canal est completamente vaciado no habiendo posibilidad de circulacin de corriente por mucho que se aumente la corriente (Salvo que dicha tensin sea lo suficientemente elevada para perforar las uniones p-n polarizadas en inversa. Este hecho se analizar ms adelante al analizar la zona de ruptura de la curva caracterstica del JFET).

Curvas Caractersticas. Si juntamos ahora en una misma grfica el efecto que sobre el funcionamiento del dispositivo tienen ambas tensiones ( y ). Al representar la corriente de drenador en funcin de ambas tensiones, aparecen las denominadas curvas caractersticas del transistor JFET. En la Figura 1.7. Se representan las curvas caractersticas de salida para un JFET de canal n. En ella se representa la corriente de drenador frente a la tensin drenador - fuente para distintos valores de la tensin puerta - fuente . En la misma podemos ver como el valor de la tensin para el que se produce la saturacin de la corriente de drenador cuando = 0, en algunos libro aparece representado como V P haciendo referencia al estrangulamiento o pinch-off que se ha producido en el canal. Indicar que esta tensin V P se puede considerar de igual valor, pero de signo contrario, a la tensin Soff caracterstica del dispositivo. Por otro lado, para otros valores de el valor de la tensin para el que se producir la saturacin de la corriente de drenador vendr dado por la expresin ,Ssat = Soff , donde todas las tensiones deben de ponerse con su signo correspondiente. Es decir, cuanto ms negativa sea la tensin antes se alcanzar la condicin de saturacin, o de otra forma, el canal se estrangular para valores menores de la tensin , lo cual parece lgico ya que cuanto ms negativa sea menor es el canal de partida que tenemos. En las curvas caractersticas de la Figura 1.7. Podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:

Zona de corte o de no conduccin. Zona hmica o de no saturacin. Zona de saturacin o de corriente constante. Zona de ruptura.

Figura.1.7.- Caractersticas ideales de un JFET de canal n

Zonas de Trabajo.

Zona de corte o de no conduccin.

Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente = 0 con independencia del valor . Esto se da para valores de Soff donde el canal est completamente cerrado.

Zona hmica o de no saturacin. Se da para valores de inferiores al de saturacin, es decir, cuando Soff . Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para sat . En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de , ya que a medida que nos aproximamos al valor de sat , y para cada valor de se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

Figura 1.8.- Para

<

sat el JFET se comporta como una resistencia variable con

Zona de saturacin o de corriente constante. Esta zona se da para valores > sat . Ahora la corriente permanece invariante frente a los cambios de (suponiendo la hiptesis de canal largo) y slo depende de la tensin aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta . La relacin entre la tensin aplicada y la corriente esta zona viene dada por la siguiente ecuacin: que circula por el canal en

Figura 1.9.- Para

>

sat el JFET se comporta como una fuente de corriente controlable con .

Zona de ruptura. En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa, tanto ms cuanto menor sea el valor de . Tal y como vimos al abordar el estudio de la unin p-n en el tema 2 cuando una unin p-n la polarizamos en inversa, la zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta tensin inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensin de ruptura, caracterstico de cada unin y que suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de caractersticas) la unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.

Figura 1.10.- Zona de ruptura. Las lneas correspondientes a los distintos valores de

se cruzan.

En nuestro caso las uniones p-n estn sometidas a una mayor polarizacin inversa del lado del drenador. Por tanto, el JFET entrar en ruptura cuando en la zona del drenador se supere la tensin de ruptura de la unin, es decir, cuando V DG V r . Teniendo en cuenta que V DS = + V DG la ruptura se dar para V DSruptura V GS + V r Por ello a medida que se hace ms negativo, la tensin V DS para la que se produce la ruptura ser menor, lo que origina que en la zona de ruptura se crucen las lneas.

6.3.

POLARIZACIN DE UN JFET

Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente (V DS ) y una tensin negativa entre puerta y fuente (V GS ). De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin V DS a

aplicar debe ser negativa y la tensin V GS positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Figura 1.11.- Polarizacin del JFET.

Autopolarizacion

La autopolarizacion es el tipo de polarizacin de JFET ms comunes. Recuerde que un JFERT debe ser operado de tal forma que la unin compuerta-fuente siempre este polarizada en inversa. Esta condicin requiere un V GS negativo para un JFET de canal n y un V GS positivo para un JFET de canal p. Se basa en que la puerta est conectada a masa a travs de una resistencia, siendo por tanto Vg = 0v. En la fuente existe un potencial Vs debido a la circulacin de corriente a travs de Rs. Por tanto, Vgs = Vg-Vs = -Vs = -Id Rs Si Id aumenta, Vgs se hace ms negativa, aumentando la resistencia y reduciendo la Id. As pues, se puede decir que Rs realimenta negativamente la polarizacin del transistor

Figura 1.12.- Autopolarizacion del JFET.

Mtodo grafico de Autopolarizacion

Figura 1.13.- curva de Autopolarizacion del JFET.

Figura 1.14.- Recta de carga Q en Autopolarizacion del JFET.

Polarizacin con divisor de voltaje

Inicialmente, se analiza de forma anloga al del BJT, es decir, el divisor de tensin se sustituye por la tensin Thevenin y en serie su resistencia Rth. As, la Vs = Id Rs = Vth Vgs Id = (Vth Vgs) / Rs Si Vgs se pudiera despreciar frente a Vth, la Id tomara un valor constante (Id=Vth / Rs), aunque se modifique la caracterstica de transferencia del JFET. Sin embargo, tiene un problema de diseo, y es que para una misma Id, dos transistores pueden tener diferente Vgs (ver caracterstica de transferencia). Este circuito es ms estable que el de Autopolarizacion, pero no llega a ser tan estable como en los BJT

Figura 1.15.- Polarizacin con divisor de tensin del JFET.

Anlisis grafico de un JFET con polarizacin mediante divisor de tensin

Figura 1.16.- curva de Polarizacin con divisor de tensin del JFET.

6.4.

EL MOSFET

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada Es un dispositivo de cuatro terminales: fuente (S), drenaje (D), compuerta (G) y sustrato (B). Puede tambin encapsularse en envases de tres terminales, en donde estn elctricamente unidos la fuente y el sustrato. La estructura metalxido-S/C colocado sobre el canal que separa la fuente del drenaje, permite controlar las caractersticas de ste por medio del campo elctrico que se establece al aplicar un voltaje entre la compuerta y el canal. El terminal compuerta, el xido de silicio haciendo papel de dielctrico y el canal simulan un capacitor de placas paralelas. Como se muestra en la figura 1.17, existen dos tipos de transistores MOSFET, el de canal inducido, en el cual no circula corriente para V GS = 0 y la magnitud de su corriente crece al incrementar modularmente dicho voltaje de control. El segundo tipo es el MOSFET de canal implantado en que con V GS = 0 y con un voltaje V DS adecuado, circula corriente por el canal, la cual puede crecer decrecer al aplicar un voltaje en la compuerta con determinada polaridad. Ambos tipos pueden ser de canal N de canal P, donde el tipo de

polaridad lo impone el tipo de portador mayoritario que se mueve por el canal (electrn hueco respectivamente). Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay.

Figura 1.17.- Tipos de transistores MOS. MOS N Canal inducido. MOS P canal implantado.

El terminal B que es sustrato, se conecta comnmente a la fuente S, por lo que la unin p-n formada entre B y S no se puede polarizar en directa. La polarizacin del drenaje mantiene a la unin D-B en inversa y la corriente solo se circunscribe al canal. Por ser la compuerta el terminal de control de entrada que est aislada del resto del dispositivo por una capa de xido de silicio aislante, la resistencia de entrada del dispositivo es muy alta, tpicamente de a . Por este motivo que es muy empleado en las etapas de entrada de los circuitos analgicos de alta impedancia de entrada.

Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de transistores de efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a ver que existen dos tipos de transistores MOSFET.

MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento. MOSFET de deplexin o empobrecimiento.

MOSFET de Acumulacin. Vamos a comenzar el estudio de los transistores MOSFET viendo en primer lugar el MOSFET de acumulacin.

Estructura Bsica.

Como podemos ver en la Figura 1.18. En la que aparece representada la estructura bsica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n + con contactos metlicos a los terminales de drenador y fuente. La zona de rayas oblicuas representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso xido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metlica (correspondiente al contacto hmico) una zona de xido y una zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo de Metal xido Semiconductor (MOS). Adems, este dispositivo tendra un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se encuentra conectado a la fuente. Es preciso que notemos una caracterstica fundamental de este dispositivo y es que la puerta est aislada elctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexin elctrica entre la puerta y el sustrato. Por otra parte, indicar que en este caso y en las sucesivas representaciones de los transistores MOSFET a lo largo de este captulo no se han representado las zonas de carga de espacio que evidentemente aparecern en las uniones pn por simplificar los dibujos, ya que en este caso, y a diferencia del JFET, las zonas de carga de espacio no juegan un papel primordial en el funcionamiento del dispositivo.

Figura 1.18.- Estructura bsica del MOSFET de acumulacin canal n.

Smbolos. Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los MOSFET de acumulacin son los que aparecen representados a continuacin

Figura 1.19.- Smbolos del MOSFET de acumulacin

Para el funcionamiento ms habitual, los transistores MOSFET de acumulacin se polarizan tal y como aparece en la Figura 1.20.

Figura 1.20.- Polarizacin del MOSFET de acumulacin.

Los transistores MOSFET de acumulacin de canal n se polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente ( ) y una tensin positiva entre puerta y fuente ( ). De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acumulacin de canal p la tensin a aplicar debe ser negativa y la tensin negativa, de esta forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador. A partir de ahora vamos a centrarnos en el estudio del MOSFET de acumulacin de canal n, para el de canal p todos los razonamientos seran anlogos sin ms que tener en cuenta los sentidos de las tensiones y las corrientes que aparecen en la Figura 1.20.

MOSFET de Deplexin. Vamos a continuar con el siguiente gran grupo de transistores MOSFET, en este caso, el MOSFET de deplexin o empobrecimiento.

Figura 1.21.- Estructura bsica del MOSFET de deplexin canal n.

Como podemos observar en la Figura 1.21. La estructura bsica para un MOSFET de deplexin es similar al caso del de deplexin, con la importante diferencia de que en este caso disponemos de un canal inicial realizado en el proceso de fabricacin del dispositivo.

Smbolos. Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los MOSFET de acumulacin son los que aparecen representados en la Figura 1.22. Al igual que en el caso anterior el terminal de puerta no tiene conexin con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto anteriormente, est aislado elctricamente del resto del dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulacin los terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora s que

existe desde un principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara la corriente en el caso de que la unin pn estuviera polarizada en directa.

Figura 1.22.- Smbolos del MOSFET de deplexin.

Para el funcionamiento ms habitual, los transistores MOSFET de acumulacin se polarizan tal y como aparece en la Figura 1.22.

Figura 1.23.- Polarizacin del MOSFET de deplexin.

Los transistores MOSFET de deplexin de canal n se polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente ( ) y una tensin entre puerta y fuente ( ) que puede ser negativa o positiva, segn veremos al analizar el funcionamiento del dispositivo. De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acumulacin de canal p la tensin a aplicar debe ser negativa y la tensin positiva o negativa, de esta forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador. 6.5. CARACTERSTICAS Y PARMETROS DE UN MOSFET

Principio de Funcionamiento de MOSFET de acumulacin.

Influencia de VGS . A diferencia de lo hecho con el JFET, vamos a comenzar en este caso con el efecto de la influencia de la tensin V GS . Para ello vamos a suponer en un principio V DS = 0 En primer lugar, si aplicamos una tensin V GS =0, (Figura 1.24 a) aunque apliquemos una tensin V DS no circular corriente alguna por el dispositivo, ya que la unin de drenador est polarizada en inversa.

Figura 1.24.- Efecto de V GS ; a) V GS = 0 b) V GS > 0.

Sin embargo, cuando V GS >0 aparece un campo elctrico que lleva a los electrones hacia la zona de la puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no pudindose establecer una corriente por estar la puerta aislada. Para valores pequeos de esta tensin V GS aplicada se crear una zona de carga de espacio (sin portadores), sin embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensin, la acumulacin de electrones se har lo suficientemente importante como para decir

que tenemos una zona n, es decir, se formar un canal de tipo n que unir los terminales de drenador y fuente (Figura 1.25.). De esta forma, cuanto mayor sea la tensin V GS aplicada mayor ser la anchura del canal formado, es decir, de nuevo tenemos un efecto de modulacin de anchura del canal con la tensin V GS . Por otra parte, vemos que en este dispositivo se produce un efecto de variacin de una carga almacenada con una tensin aplicada. Este es precisamente el efecto que se produce en un condensador. De esta forma, estamos viendo que, de alguna manera, este dispositivo puede comportarse como un condensador como habamos adelantado en la introduccin del captulo. Si ahora nos fijamos en la Figura 1.25 b al estar los terminales de fuente, sustrato y drenador a la misma tensin (por ser V DS = 0) las tensiones V GS y V GD sern iguales, y por lo tanto el canal simtrico respecto de la puerta.

Figura 1.25.- Efecto de V GS .

Por tanto, vemos que con la tensin V GS podemos modular la anchura del canal, pero no basta con que esta tensin sea positiva, sino que deber superar un de terminado nivel de tensin. A esta tensin umbral a partir de la cual hay canal formado que permite la circulacin de corriente entre el drenador y la fuente en algunos libros se le suele llamar V T (tensin de threshold). Aunque en realidad tiene el mismo significado que la tensin V GSoff vista para el transistor JFET, ya que en ambos caso se trata del valor mnimo de tensin para el que existe canal que permite la circulacin de corriente. Al igual que en el caso del JFET, si ahora aplicamos valores de tensin V DS pequeos, la relacin entre la corriente I D y la tensin V DS aplicada ser lineal, es decir, de nuevo el dispositivo se comporta como una resistencia cuyo valor depender de la anchura del canal y por lo tanto de la tensin V GS .

Figura 1.23.- La tensin V GS modula la anchura del canal. El dispositivo se comporta como una resistencia controlada por V GS.

Influencia de V DS . Si una vez que se ha formado el canal aplicamos una tensin positiva, por el canal circular una corriente I D en el sentido del drenador hacia la fuente. Si ahora nos fijamos en la relacin de tensiones V DS = V GS - V GD, al ser V DS > 0 tendremos que V
GD

< V GS, por lo tanto la anchura del canal ser menor del lado del drenador.

Figura 1.27.- Efecto de la tensin V DS . El canal se estrecha ms de la zona del drenador.

De nuevo el comportamiento es el mismo que hemos visto anteriormente para el JFET. Para valores de tensin V DS pequeos, el estrechamiento del canal no ser importante, por lo que la relacin entre la tensin aplicada y la corriente que circula ser lineal tal y como establece la Ley de Ohm. A medida que el valor de V DS aumente, el estrechamiento comenzar a ser importante, variando la resistencia que presenta el canal y perdiendo la linealidad de la caracterstica. Hasta que la

tensin V

DS

alcance el valor de V

DSsat

, momento en el cual el canal se habr

cerrado por completo. A partir de este instante, si seguimos aumentando la tensin V DS, por encima de este valor V DSsat, la corriente I D se mantiene constante.

Figura 1.28.- Caracterstica I D- V DS para un valor de V GS constante.

De nuevo, la corriente no se anula al cerrarse el canal, ya que si ello sucediese drenador y fuente estaran al mismo potencial, lo que implicara que V GS y V GD sern iguales y por lo tanto el canal simtrico respecto a la puerta, es decir, la situacin en la que estbamos con V DS = 0.

Curvas Caractersticas. En la Figura 1.29. Se representan las curvas caractersticas de un transistor MOSFET de acumulacin.

Figura 1.29.- Caractersticas ideales de un MOSFET de acumulacin canal n.

Igualmente, podremos distinguir las 4 zonas de funcionamiento del transistor. Zona de corte o de no conduccin. Zona hmica o de no saturacin. Zona de saturacin o de corriente constante. Zona de ruptura. Aunque en la figura no se haya representado la zona de ruptura la analizaremos en el siguiente punto.

Zonas de trabajo

Zona de corte o de no conduccin. Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente I D = 0 con independencia del valor V DS. Esto se da para valores de V GS V T, donde el canal no est completamente formado. Zona hmica o de no Saturacin. Se da para valores de V DS inferiores al de saturacin, es decir, cuando V DS V GS V T Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para V DSsat . En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de V DS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de V DSsat , y para cada valor de V GS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

Figura 1.30.- Para V DS < V DSsat el MOSFET se comporta como una resistencia variable con
V GS .

Zona de saturacin o de corriente constante. Esta zona se da para valores V DS > V DSsat. Ahora la corriente I D permanece invariante frente a los cambios de V DS y slo depende de la tensin V GS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta V GS. La relacin entre la tensin V GS aplicada y la corriente I D que circula por el canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:

Figura 1.31.- Para V DS > V DSsat el MOSFET se comporta como una fuente de corriente controlada con la tensin V GS.

Zona de ruptura. Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se perfora el dielctrico cuando la tensin V GS supera una determinado valor que vendr determinado por el aislante, o bien porque en la unin pn del lado del drenador (polarizada en inversa) se supera el valor de la tensin de ruptura de dicha unin, dado que esta unin est polarizada con una tensin inversa de valor V DS la ruptura se producir cuando V DS -V r con independencia del valor de V GS, por tanto en la zona de ruptura todas las distintas curvas en funcin V GS se juntan en una nica.

Principio de Funcionamiento de MOSFET de Deplexin.

Figura 1.32.- Funcionamiento del MOSFET de deplexin canal n.

En este caso, si aplicamos una tensin V GS > 0, se atraern ms electrones hacia la zona de la puerta y se repelern ms huecos de dicha zona, por lo que el canal se ensanchar. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en el caso del MOSFET de acumulacin, es decir, para valores V GS > 0 el MOSFET de deplexin tiene un comportamiento de acumulacin. Si por el contrario damos valores V GS <0 el efecto ser el contrario, disminuyndose la anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de modulacin de la anchura de un canal en funcin de una tensin aplicada V GS. Sin embargo, si seguimos disminuyendo el valor de V GS podr llegar un momento en que el canal desaparezca por completo, esto suceder cuando V GS disminuya por debajo de un valor V GSoff . En cuanto al efecto de la tensin V DS tendramos exactamente lo mismo que en los dos casos analizados anteriormente. Curvas Caractersticas. De nuevo las curvas caractersticas para el transistor MOSFET de deplexin (en este caso de canal n) son en esencia iguales a las vista hasta ahora. Indicar que en este caso, cuando la tensin V GS aplicada es cero, a la corriente por el dispositivo se le denomina IDSS por analoga al caso del JFET, sin embargo, en este caso no se trata de la mxima corriente que podemos extraer del dispositivo

Figura 1.33.- Caractersticas ideales de un MOSFET de deplexin canal n.

Por ltimo, recordar lo que en su da ya dijimos para el transistor BJT, en cualquier caso el funcionamiento del transistor debe estar siempre dentro de la zona marcada por las caractersticas propias del transistor. Es decir no se deben superar los lmites de I Dmx, ni de V DS mx. ni por supuesto la curva de la potencia mxima.

Figura 1.34.- Lmites de funcionamiento.

6.6.

POLARIZACION DE UN MOSFET

Tres formas de polarizar un MOSFET son la polarizacin en cero, la polarizacin mediante divisor de voltaje y la polarizacin mediante realimentacin del drenaje. La polarizacin es importante en amplificadores. MOSFET De tipo decremental (todas las configuraciones arriba de los casos positivos donde = + voltaje) polarizacin Fija

Figura 1.35.- Mosfet decremental.

VGSQ = + VGG VDS = VDD - IDRS

MOSFET De tipo decremental polarizacin mediante divisor de voltaje

Figura 1.36.- divisor de voltaje.

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET De tipo incremental configuracin por retroalimentacin

Figura 1.37.- Mosfet de retroalimentacin.

VGSQ = VDS VDS = VDD - IDRS

MOSFET De tipo incremental Polarizacin mediante divisor de voltaje

Figura 1.38.- Mosfet con divisor de tensin.

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS

6.7.

EL IGBT

Durante muchos aos se ha buscado de crear un dispositivo que fuese lo suficientemente velos y que se pudiera manejar a grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un BJT como dispositivo de potencia y de esta forma se llego a la invencin del IGBT el cual ser expuesto como sigue: La sigla IGBT corresponde a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor sea transistor bipolar de puerta de salida. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hibrido que combina los atributos del BJT y MOSFET. Posee una componente tipo MOSFET y por con siguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura 1.39. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.

SIMBOLOGIA: Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente:

Figura 1.39.- representacin simblica del IGBT. a) como BJT b) como MOSFET

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

Figura 1.40.- curva caracterstica IGBT

Como funciona: Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo ON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se auto limita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. Caractersticas a tener en cuenta en un IGBT: IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 veces. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como BJT; es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura &#8658; Se pueden conectar en paralelo fcilmente &#8658; Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz. A continuacin se presentan algunas de las presentaciones ms comunes de un IGBT.

Figura 1.41.- modelos ms comunes de un IGBT

6.8.

EJERCICIOS DE APLICACIN

Ejemplo: Encontrar el punto de operacin para el circuito y las curvas dadas.

Con estos puntos se traza la recta de carga.

Autopolarizacion: Consiste en eliminar la fuente V paralelo con un C S en la fuente.

GG

colocando una R

en

Ejemplo: Determinar el punto de operacin del circuito utilizando la curva de transferencia.

Si no se conoce la curva de transferencia, el punto de operacin se obtiene de la siguiente forma: Ejemplo: Determinar el punto de operacin del circuito de la figura.

V p = - 2, I DSS = 1,6 mA

Entonces I D = 0,76mA V DS =V DD- I D (R D +R S )=18V

Polarizacin por divisor de voltaje:

Curva de transferencia:

Recta de Autopolarizacion:

Punto de operacin:

Ejemplo: Hallar el punto de operacin del circuito.

El MOSFET de enriquecimiento tiene un comportamiento diferente y se rige por las ecuaciones:

gm = 2K(V GS-V T ) gm=2x0,3(6-2,5) = 2,1 mhos

Ejemplo: Hallar el punto de operacin del circuito si Vt=3V y K=0.3 mA /V^2

La caracterstica de transferencia se obtiene dibujando:

6.9.

SUMARIO

1. Los transistores de efecto de campo son dispositivos unipolares (un portador de carga). 2. Las tres terminales de un FET son la fuente, drenaje y la compuerta. 3. El JFET opera con una unin pn polarizada en inversa (compuerta a fuente). 4. La alta resistencia de entrada de un JFET se debe a la unin compuertafuente polarizada en inversa. 5. La polarizacin en inversa de un JFET produce una regin de empobrecimiento dentro del canal por lo que se incrementa se resistencia. 6. Para un JFET de canal n, V GS puede variar negativamente desde cero hasta el valor de corte. 7. Para un JFET de canal p, V GS puede variar positivamente desde cero. 8. El punto W es un JFET con polarizacin mediante divisor de tensin es ms estable de un JFET autopolarizado. 9. La polaridad mediante fuente de corriente incrementa la estabilidad de un JFET autopolarizado. 10. Los MOSFET difieren de los JFET en que la compuerta de un MOSFET est aislada del canal por una capa de SiO2 . 11. Un MOSFET de empobrecimiento puede operar con voltaje de compuerta a fuente cero positivo o negativo. 12. El MOSFET de enriquecimiento no tiene canal fsico. 13. El IGBT tiene 3 compuertas el emisor, colector y compuerta. 14. Se utiliza el IGBT en aplicaciones de conmutacin de alto voltaje.