CIRCUITOS RESISTIVOS

Jose Miguel Chacn Andrs Barbosa

Rafael Alberto Betancourt Usctegui

Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas Facultad de Ingeniera Ingeniera Electrnica Laboratorio Anlisis de Circuitos I, Grupo 7 Bogot DC, 2013

CIRCUITOS RESISTIVOS Informe de laboratorio

Equipo 4 Jose Miguel Chacn Andrs Barbosa

Ingeniero Rafael Alberto Betancourt Usctegui

Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas Facultad de Ingeniera Ingeniera Electrnica Laboratorio Anlisis de Circuitos I, Grupo 7 Bogot DC, 2013

ndice

0. Introduccin 1. Objetivos 1.1 Generales 1.2 Especficos 2. Metodologa 3. Recursos 4. Marco terico 4.1 Componentes de los circuitos resistivos 4.2 Leyes que rigen los circuitos resistivos 4.3 Montaje y valores medidos 4.4 Clculos utilizando las leyes 6. Porcentaje de error 6.1 Voltajes 6.2 Corrientes 7. Justificacin de los porcentajes de error 8. Conclusiones 9. Bibliografa 10. Glosario

0. INTRODUCCIN Los circuitos resistivos son circuitos compuestos de solo resistores, fuentes de corriente ideales, y fuentes de tensin ideales. En esta prctica de laboratorio abordaremos las principales leyes que los rigen y comprobaremos su veracidad, mediante clculos tericos y mediciones con el multmetro.

1. OBJETIVOS

1.1 GENERALES Manipular los implementos de laboratorio, para disear y medir valores en circuitos sencillos. 1.2 ESPECFICOS Manipular las resistencias, conocer su cdigo y su porcentaje de error Medir distintos valores de corrientes y voltajes, y determinar el porcentaje de error. Corroborar la veracidad de las Leyes de Ohm y Kirchhoff.

2. METODOLOGA

Montaje de los circuitos propuestos Mediciones con el multmetro Clculo terico de todos los valores Aproximacin de los porcentajes de error Simulacin de los circuitos Consultas en distintos sitios web.

3. RECURSOS
*Implementos de laboratorio:

1. Multmetro 2. Fuente DC 4. Protoboard 5. Resistencias 6. Conectores y sonda *Recursos bibliogrficos.

4. MARCO TERICO

4.1 COMPONENTES DE LOS CIRCUITOS RESISTIVOS. .4.1.1 Fuente de tensin Una fuente independiente de tensin es un elemento que proporciona una tensin especfica independientemente de la intensidad que pase por ella. En la figura 1a podemos ver el smbolo de una fuente independiente de tensin. Matemticamente una fuente de tensin slo fijar la tensin que cae en ella, es decir: V =Vs Vs: Valor de la fuente de tensin. En la figura 1b se representa grficamente el funcionamiento de una fuente de tensin. La grfica relaciona la tensin y la intensidad del elemento, y se puede ver que la tensin es siempre Vs independientemente del valor de la intensidad.

4.1.2 Resistencias En la figura se ve el smbolo de una resistencia. La ecuacin que rige el comportamiento de una resistencia se conoce como la ley de Ohm y se escribe:

Como se puede ver en la figura b, la tensin en una resistencia es directamente proporcional a la intensidad que pasa por ella. En la figura a se definen las polaridades correctas de tensin e intensidad que se han considerado en la definicin matemtica. Notar que la intensidad va del signo + al de la referencia de tensin. El valor de R puede variar entre cero e infinito, llamndose a los casos particulares de R=0 cortocircuito y R= circuito abierto. 4.1.2.1 Asociacin de resistencias 4.1.2.1.1 Resistencias en serie

En general, el valor de la resistencia equivalente de cualquier nmero de resistencias conectadas en serie es la suma de los valores de cada una de ellas.

4.1.2.1.2 Resistencias en paralelo

En la figura se pueden ver dos resistencias en paralelo. Aplicando la Ley de tensiones de Kirchhoff obtenemos: IAB/VAB
=

1/R1 + 1/R2 = 1/REq

De forma general, la resistencia equivalente de N resistencias conectadas en paralelo vale:

4.2 LEYES QUE RIGEN LOS CIRCUITOS RESISTIVOS .4.2.1 Ley de Ohm La ley de Ohm, es una propiedad especfica de ciertos materiales. La relacin V= R*I es un enunciado de la ley de Ohm. Un conductor cumple con la ley de Ohm slo si su curva V-I es lineal; esto es si R es independiente de V y de I. La relacin sigue siendo la definicin general de la resistencia de un conductor, independientemente de si ste cumple o no con la ley de Ohm. La intensidad de la corriente elctrica que circula por un dispositivo es directamente proporcional a la diferencia de potencial aplicada e inversamente proporcional a la resistencia del mismo, segn expresa la frmula siguiente: I = V/R

4.2.2 LEYES DE KIRCHOFF

4.2.2.1 Ley de los nodos o Ley de corrientes de Kirchhoff En todo nudo, donde la densidad de la carga no vare en un instante de tiempo, la suma de corrientes entrantes es igual a la suma de corrientes salientes. Un enunciado alternativo es: en todo nudo la suma algebraica de corrientes debe ser 0.

4.2.2.2 Ley de circuito de Kirchhoff En toda malla la suma de todas las cadas de tensin es igual a la suma de todas las fuerzas electromotrices. Un enunciado alternativo es: en toda malla la suma algebraica de las diferencias de potencial elctrico debe ser cero.

4.3. MONTAJE Y VALORES MEDIDOS 4.3.1 Serie

2.872 mA

2,83 V

5,72 V

8.31 V

4.3.2 Paralelo

5.08mA

8.53mA

16.98mA

4.3.3 Mixto a)
+ 7.80V -

3.12mA

4.603mA

b)
-13,82 +

1.593mA

4.3.4 Escalera

1.30mA

3.15mA

0.448mA

0.212mA

1.27V 6.52V
0.815mA

0.98V

0.62V

2.53V 0.231mA

0.842

9.21V

2.99V

1.07V

5. RCENTAJES DE ERROR 6.1 VOLTAJES Circuito Valor prctico (Medido) VR1=2.823V Serie Valor terico (Calculado) 2.83V Porcentaje de error (%) 0.24%

VR2=5.72V VR3=8.31V

5.66V 8.49V 17V 7.72V 9.28V 13.89V

1.06% 2,12% 0.58% 1.03% 0.32% 0,50%

Paralelo

VR1,R2 y R3= 17,01V VR1=7.80V

Mixto(a) VR2 y R3= 9.31V VR3=13.82V Mixto(b) VR1 y R2=3.19V VR1=1.27V VR2=0.98V VR3=0.62V VR4=0.842V Escalera VR5=1.07V VR6=2.99V VR7=9.27V VR8=6.52V VR9=2.53V 3,11V 1.31V 0.98V 0.621V 0.828V 1.035V 2.96V 9.17V 6.49V 2.58V 2,57% 2.57% 0% 0.16% 1.69 3.38% 1.01% 1.09% 0.46% 1.93%

5.2 CORRIENTES

Circuito

Valor medido(Mili amperios)

Valor calculado(Mili amperios)

Porcentaje de error (%)

Serie

IR1, R2 y R3=2.872mA IR1=16.8mA

2.83mA 17mA 8.5mA 5.61mA 7.72mA 4.64mA 3.093mA 3.11mA 1.55mA 4.66mA 1.31mA 0.494mA 0.207mA 0.816mA 0.287mA

1,42% 1,17% 0,35% 4.09% 0.25% 0.8% 0.87% 1.28% 2,77% 1.71% 0.76% 3.23% 2.41% 0.12% 2.09%

Paralelo

IR2=8.53mA IR3=5.38mA IR1=7,74mA IR2=4.603mA IR3=3.12mA IR1=3.15mA IR2=1.593mA IR3=4.74mA IR1 y R7=1.3mA

Mixto(a)

Mixto(b)

Escalera

IR2 y R6=0.478mA IR3, R4 y R5=0.212mA IR8=0.815mA IR9=0.281mA

6. JUSTIFICACION DE LOS PORCENTAJES DE ERROR

Segn los resultados obtenidos en la prctica y comparndolos con los resultados tericos es posible concluir que los mrgenes de error varan entre 0.16% y 4.09%, estos se justifican por distintos factores tales como: 1. Los elementos pasivos de un circuito no son lo suficientemente precisos debido a su fabricacin.

2. La resistencia interna del multmetro no permiti una medicin exacta.

7. CONCLUSIONES

Podemos concluir de esta prctica de laboratorio, que la ley de ohm y las leyes de Kirchhoff (de voltajes y de corrientes), se cumplen en la prctica, y nos permiten establecer las relaciones necesarias para resolver circuitos resistivos, como los realizados en la prctica. Tambin concluimos que al medir con los instrumentos de laboratorio los distintos valores del circuito, obtenemos valores ms o menos exactos debido a la fabricacin de los elementos.

8. BIBLIOGRAFA

http://woody.us.es/ASIGN/TCEF_1T/Prob/teoria_ctos2.pdf http://comunidad.udistrital.edu.co/jruiz/files/2012/08/CIRCUITOSRESISTIVOSb.pdf

9. GLOSARIO

Fuente de tensin: Una fuente independiente de tensin es un elemento que proporciona una tensin especfica independientemente de la intensidad que pase por ella. Fuente independiente de intensidad: Una fuente independiente de intensidad es un elemento que proporciona una intensidad especfica completamente independiente a la tensin entre sus nodos. Potencia elctrica: Es la relacin de paso de energa de un flujo por unidad de tiempo; es decir, la cantidad de energa entregada o absorbida por un elemento en un tiempo determinado. La unidad en el Sistema Internacional de Unidades es el vatio(watt).

4.4 CLCULOS UTILIZANDO LAS LEYES 4.3.1 Serie

2.872 mA

2,83 V

5,72 V

8.31 V

Para este circuito, sumamos las resistencias para obtener Req, obteniendo Req = R1+R2+R3 = 6K, de esta forma hallamos la corriente de la malla por medio de la Ley de Ohm. I = 17v/6K = 2.872mA, gracias a esta corriente tambin podemos hallar las cadas de tensin en cada una de las resistencias, de esta forma: V1 = I*R1 = 2,83v; V2 = I*R2 = 5,72v; y V3 = I*R3 = 8,31v.

4.3.2 Paralelo

5.08mA

8.53mA

16.98mA

Para este circuito en paralelo, debido a la Ley de Tensin de Kirchhoff, sabemos que el voltaje en cada elemento del circuito es igual, podemos decir entonces: I1 = V/R1 = 16,98mA; I2 = V/R2 = 8,53mA; e I3 = V/R3 = 5,08mA.

4.3.3 Mixto a)
+ 7.80V -

3.12mA

Para este circuito, primero hallamos el paralelo entre R2 y R3 obteniendo (R2*R3)/(R2+R3) = 6/5K. Luego sumamos ese resultado con la resistencia de 1K para obtener la R eq del circuito: (6/5+1) K = 11/5 K. Ahora por medio de la Ley de Ohm, obtenemos la corriente que entrega la fuente de I1 = 17v: 17v/(11/5 K) = 7,72mA. Con esta corriente hallamos el voltaje en R 1 obteniendo: I1*R1 = 7, 72v. Gracias a la Ley de Tensin de Kirchhoff V-V1=V2=V3, entonces: 17v-7,72= 9,28, y con este voltaje hallamos las corrientes que circulan por R2 y R3: I2 = V2/R2 = 4,603mA, e I3 = V3/R3 = 3,12mA.

4.603mA

b)
-13,82 +

1.593mA

Para este circuito procedemos de una forma parecida. Hallamos el Req: Req = (R1//R2)+R3 = 11/3 K. Con esto, hallamos la corriente que produce V, I1 = 17v/(11/3 K) = 4,63mA, y de paso el voltaje en R3, que ser V3 = I1*R3 = 13,82v.

3.15mA

Ahora, conociendo la Ley de Tension de Kirchoff, decimos V-V3 = V1 = V2 = 3,11v, y as determinamos la corriente que transita por cada resistencia: I1 = V1/R1 = 3,11mA, e I2 = V2/R2 = 1,55mA.

4.3.4 Escalera

1.30mA

0.448mA

0.212mA

1.27V 6.52V
0.815mA

0.98V

0.62V

2.53V 0.231mA

0.842

9.21V

2.99V

1.07V

Para este circuito, primero debemos hallaR la Req de todo el circuito: Req = ((((R3+R4+R5)//R9)+(R2+R6))//R8)+(R1+R7) de donde obtenemos que R eq = 12,973 K. Calculamos as, la corriente I1 que entrega la fuente V de 17v. I1 = V/Req = 1,30mA. Ahora, utilizando la LVK, calculamos el voltaje que cae en R1 y R7, y luego el que cae en R8, haciendo la sumatoria: V1 = I1*R1 = 1,31V y V2 = I1*R7 = 9,17V, ahora 17v-1,31v-9,17v=6,53v = V8. Ahora sabemos que la corriente que baja por I8 es igual a V8/R8 = 6,53v/8K = 0,816mA. Ahora calculamos la corriente que circula por la 2da malla, utilizando la LCK, ya que I1-I8=I2-> Corriente que va por la malla 2 = 0,494mA, y repetimos el proceso para hallar V9: V8- I2*R2-I2*R6 = 2,586v, de esta forma sabemos que I9 es V9/R9, es decir 2,586v/9K.=0,287mA, y utilizando de nuevo LCK la corriente de la ltima malla es igual a I2-I9 = 0,207mA, hallamos por ltimo los voltajes en las resistencias de dicha malla: V3 = I3*R3 = 0,621v, V4 = I3*R4 = 0,828v, y V5 = I3*R5 = 1,035v.