UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE FACULTAD DE ELECTRONICA Y BIOINGENIERIA INGENIERIA ELECTRONICA ELECTRONICA BASICA II COCHABMBA - BOLIVIA

LABORATORIO N 1 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT

DOCENTE:

Ing. David Crespo

INTEGRANTES: Jorge Tapia Yeri Vargas Daniel Pearanda

23 DE MARZO DEL 2010 COCHABAMBA-BOLIVIA

LABORATORIO N 1 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT

1. OBJETIVO DE LA PRCTICA Disear, analizar y caracterizar circuitos amplificadores en frecuencias medias en las distintas configuraciones utilizando transistores BJT. Comprender los parmetros que caracterizan a cada amplificador, como ser sus ganancias y sus impedancias.

2. MARCO TEORICO Un amplificador puede ser definido como un dispositivo o circuito capaz de aumentar una seal dada. Para conseguir una amplificacin trabajamos con los llamados componentes activos, que son dispositivos capaces de provocar cambios en las condiciones de un circuito reaccionando ante las seales aplicadas. Podemos considerar que los elementos activos aportan energa al circuito, en lugar de consumirla (como es el caso con las resistencias, condensadores y bobinas). La mayora de los elementos activos utilizados en los circuitos modernos son dispositivos creados a partir de materiales semiconductores. En este tema trataremos principalmente los transistores, elementos ms simples en el proceso de amplificacin. Podemos clasificar los amplificadores de nuevo en cuatro grupos: Amplificador de tensin: Partiendo de una tensin de entrada proporciona una versin amplificada de la misma. Utilizamos el equivalente Thvenin para la fuente. En general nos interesara que dicha amplificacin fuera lineal. Sin embargo esto slo ocurre en los amplificadores ideales. Amplificador de intensidad: Obtenemos una intensidad de salida que es una versin escalada de la de entrada. Por tanto en esta ocasin nos interesa representar la fuente mediante su equivalente Norton. De nuevo de forma ideal, lo cual solamente se encuentra en los casos ideales. Amplificador de transconductancia: Proporciona una intensidad de salida a partir de una tensin de entrada (fuente representada en su equivalente Thvenin). Su comportamiento en modo ideal equivaldra al de la fuente tipo VCCS. Amplificador de transrresistencia: Proporciona una tensin de salida a partir de la intensidad de la seal de entrada (fuente representada en su equivalente Norton). En modo ideal trabajara como una fuente CCVS. Los resistores, condensadores e inductores, al ser elementos pasivos, son incapaces por s mismos de amplificar o aumentar las pequeas seales asociadas con la mayora de los aparatos electrnicos. Actualmente el componente generalmente empleado para amplificar seales es el transistor.

En 1948 los fsicos americanos J. Bardeen y W. H. Brattain anunciaron la invencin del transistor, un nuevo tipo de dispositivo amplificador hecho a partir de cristales semiconductores. En ese momento muy pocos podran haber previsto los desarrollos revolucionarios que seguiran, tan importantes y de tan largo alcance como para cambiar por completo la ciencia y la tecnologa de la electrnica; adems de dar comienzo a la multimillonaria industria de los semiconductores, el transistor ha originado toda clase de invenciones relacionadas, como los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrnicos y los microprocesadores. Los principios fsicos en la base del funcionamiento del transistor fueron desarrollados en colaboracin con su colega W. Shockley. En reconocimiento de su trabajo los tres fsicos recibieron el Premio Nobel en 1956, constituyendo el primer caso en la historia que dicho premio era otorgado como consecuencia de un desarrollo de ingeniera. Informacin conseguida de: http://www.edukativos.com/downloads-file-6195-details.html 3. MATERIALES. Resistencias de diseo. Transistores BJT. Capacitores de acople. Generador de seal alterna.

4. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA 1.- Montar el circuito amplificador en Emisor Comn con transistor bipolar NPN que se muestra en la figura.
V1 12 V

R3 39k

R1 2.2k C1 Q1

Vout
220F

R5 V2560 10mVrms 5kHz 0

R6 3.9k

Vin

C3 220F

2N2222 R4 10k R2 680 C2 220F

R7 3.9k

Zin

2.- Seleccionar una onda sinusoidal de frecuencia F = 5 [KHz]. Conectar el Osciloscopio para medir las seales de entrada y salida: CH1 = Vin y CH2 = Vout. Actuar sobre la amplitud de entrada para obtener la mxima seal de voltaje de salida sin distorsin. Anotar los valores en el siguiente cuadro y calcular la Ganancia de tensin y el desfase entre las seales. Frec [KHz] 5 KHz Vin 30 mV Vout 2,6 V Av = |Vout/Vin| 86,6 Desfase [] 180

3.- Medicin de la impedancia de entrada Zin del Amplificador a F = 5 [KHz]. a) Medir la tensin de entrada Vin en vaco, VVACIO, es decir sin conectar a la entrada del amplificador Vvacio= 60 mV b) Conectar la fuente de entrada al amplificador y medir la tensin en las terminales, VCARGA. Vcarga= 30 mA c) Calcular la impedancia de entrada Zin segn la siguiente frmula: Zin = ( [
( ) )

5. COMENTARIOS Y CONCLUSIONES Al implementar el circuito y poder medir las diferentes caractersticas del circuito en cuestin pudimos disear un amplificador con transistores BJT y conocer sus caractersticas como los parmetros h y sus impedancias de entrada y salida.