Laboratorio de Dispositivos Electronicos.

Alcaraz Mart Raul nez, C esar S anchez Mel endez Febrero 2012

 Indice

1. El Diodo Recticador 1.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Simulacion 1.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2. Diodos Z ener, Leds y Fotodiodos 2.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Simulacion 2.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. Transistor Bipolar (I) 3.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2. Simulacion 3.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. Transistor Unipolar 4.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2. Simulacion 4.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. Amplicador Operacional 5.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Simulacion 5.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7 8 9 10 13 14 14 16 17 18 19 19 21 22 22 24 27 28 29 29

I NDICE

6. Preamplicador est ereo con AOP 6.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Simulacion 6.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7. Circuito recticador con AOP 741 7.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2. Simulacion 7.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8. Diseno de un amplicador b asico de audio 8.1. Diseno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.2. Simulacion 8.3. Medidas en el laboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Ejemplo de Resolucion de una Pr actica A.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . en Pspice y Mutisim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.2. Simulacion A.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

31 31 33 33 35 35 37 37 39 40 40 40 43 44 47 52

 Indice de Figuras

de un diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1. Circuitos de polarizacion 1.2. Circuito recortador a dos niveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Circuito jador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1. Circuito con un diodo z ener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Circuito con un LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . del modelo del diodo z 2.3. Modicacion ener gen erico incluido en la version de estudiante de Pspice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . 3.1. Circuito b asico de polarizacion en un transistor unipolar JFET canal N. . 4.1. Circuito b asico de polarizacion

8 9 9 14 15 15 18 23

4.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor. 23 5.1. Circuitos b asicos con Amplicadores Operacionales. Primer ejemplo. . . 5.2. Circuitos b asicos con Amplicadores Operacionales. Segundo ejemplo. . 6.1. Amplicador mono de 2W con AOP LM380 dip14. . . . . . . . . . . . . . 6.2. Preamplicador est ereo con AOP de bajo coste. . . . . . . . . . . . . . . . 7.1. Recticador media onda de precision. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2. Recticador onda completa de precision. . . . . . . . . . . . . . . . . . . de un transistor bipolar. . . . . . . . . . . . . . . A.1. Circuito de polarizacion del circuito de la Fig. A.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.2. Simplicacion 28 28 32 32 36 36 45 46

A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222. 48

I NDICE DE FIGURAS

A.4. Esquem atico en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1. . . . . . obtenidos por PSpice tras el an A.5. Valores de tension alisis del punto de . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . polarizacion. A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el an alisis del punto de . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . polarizacion. A.7. Esquem atico en Multisim correspondiente al circuito de la Fig. A.1 . . . y corriente obtenidos por Multisim tras el an A.8. Valores de tension alisis del punto de polarizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.9. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus hojas de caracter sticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . del valor A.10.Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medicion con pol metro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.11.Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones. de tension base-emisor en laboratorio. . . . . . . . . A.12.Detalle de medicion de tension colector-emisor en laboratorio. . . . . . . A.13.Detalle de medicion de tension colector-base en laboratorio. . . . . . . . A.14.Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de emisor en A.15.Detalle de medicion laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de tension en bornas de la resistencia de colector en A.16.Detalle de medicion laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de tension en bornas de la resistencia de 39k en A.17.Detalle de medicion laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de tension en bornas de la resistencia de 4.7k en A.18.Detalle de medicion laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

48 49 49 50 51 52 53 53 54 54 55 56 56 57 57

 Practica

El Diodo Recticador
1.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 9 10

Objetivos En las proximas dos practicas se pretende conocer el comportamiento de los dis positivos semiconductores basicos: diodos recticadores, diodos zener y diodos leds. Por lo que se recomienda al alumno que repase la parte teorica correspondiente a diodos. los diodos recticadores y se deEn el transcurso de esta practica se estudiaran bera: Identicar una serie de diodos, as como obtener algunos de sus parametros mas importantes, utilizando para ello los catalogos disponibles. Obtener la curva que dene el comportamiento de un diodo. Montar y vericar el funcionamiento de una serie de circuitos basicos, tal como el recortador a dos niveles y el jador de nivel.

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

1.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas pr acticas en el laboratorio se deben resolver los si guientes ejercicios teoricos. 1. Buscar en los cat alogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde o tipo, corriente m internet, las caracter sticas principales (aplicacion axima en directa y corriente m axima en inversa) de cuatro diodos diferentes. 2. En los dos circitos de la Fig. 1.1, si E vale 2 V : que cae en el diodo y la corriente que circula a trav a) Calcular la tension es de l. e b) Como est a polarizado el diodo en cada circuito?.

de un diodo. Figura 1.1. Circuitos de polarizacion

3. En el circuito de la Fig. 1.1(a), calcular el valor de la corriente que circula a trav es del diodo para los casos en que la fuente de entrada E est a a 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y 1 V . 4. En el circuto de la Fig. 1.1(b), calcular el valor de la corriente que circula a trav es del diodo para los casos en que la fuente de entrada E est a a 0, 0.5, 1, 2, 3, y 4 V . de la tension de la 5. Representar la corriente que circula por el dido en funcion fuente de entrada E a partir de los datos calculados en los dos puntos anterio esta gr res. Puesto que la resistencia tiene un valor muy pequeno, aca se puede caracter considerar como la funcion stica tensioncorriente del diodo. 6. El circuito de la Fig. 1.2 es un circuito recortador a dos niveles. Obtener: de transferencia, es decir, la variacion de la tension de salida vs a) Su funcion de la tension de entrada ve . en funcion temporal de vs si ve es una senal triangular de 1 kHz de b) La representacion frecuencia y 16 Vpp de amplitud.

 CTICA 1. E L D IODO R ECTIFICADOR PRA

1K

+ ve

D1 5V

D2 2V

vs

Figura 1.2. Circuito recortador a dos niveles.

7. En el circuito de la Fig. 1.3, que representa un jador de nivel: a) Explique detalladamente el funcionamiento del circuito. sinusoidal de 1 kHz de frecuenca y 5 Vpp de b) Dibuje vs cuando ve es una senal amplitud, y el condesador C tiene un valor de 0.56 nF . c) Repita el punto anterior cuando C vale 1 F .

Figura 1.3. Circuito jador.

1.2.

Simulacion

se simular En esta seccion an los ejercicios analizados teoricamente en la seccion anterior. La memoria de esta parte de la pr actica se debe completar con capturas de los esquem aticos realizados y las gr acas obtenidas con Pspice. 1. Simule el circuito de la Fig. 1.1(a) e indique el valor de la corriente que circula a trav es del diodo para los siguientes valores de E : 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y pr 1 V. El diodo que se emplear a en la realizacion actica ser a el 1N4007. obtener la caracter 2. Eligiendo el adecuado an alisis de simulacion, stica tension corriente del diodo en el circuito de la Fig. 1.1(a).

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D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

temporal de vs cuando ve 3. Simule el circuito de la Fig. 1.2, y obtenga la variacion triangular de 1 kHz y 16 Vpp . es una senal temporal de vs cuando ve 4. Simule el circuito de la Fig. 1.3, y obtenga la variacion sinusoidal de 1 kHz y 5 Vpp y: es una senal a) C vale 0.56 nF . b) C vale 1 F .

1.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizar En esta seccion an en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente en los apartados anteriores. y mediante simulacion 1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracter sticas cuales son las limitaciones el ectricas del diodo 1N4007, conecte ambos terminales del diodo a las puntas de prueba del mult metro y compruebe con cual de las dos combinaciones el terminar posibles se obtiene lectura distinta de rebosamiento. En esta posicion, conectado al COMUN del mult metro es el c atodo. Compruebe que uno de los dos extremos est a marcado, y es el c atodo. Adem as: de la fuente a 2 V . Mida a) Monte el circuito de la Fig. 1.1(a) y ajuste la tension entre a nodo y c la tension atodo del diodo y la corriente que circula a trav es l. de e b) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. 2. En este apartado se obtendr an varios puntos de la caracter stica tensioncorriente del 1N4007 polarizado en directa. Para ello, se debe montar el circuito de la Fig. 1.1(a) y colocar el amper metro en serie con el diodo. Una vez hecho esto, se debe ajustar la fuente de entrada E a 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y 1 V y anotar la corriente que circuila por el amperim etro en cada caso. Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. 3. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gr aca de tensioncorriente del diodo en directa. Qu e diferencias hay con respecto a la obtenida teoricamente y a la simulada? A qu e se deben?. 4. Realice el montaje de la Fig. 1.2 alimentando el circuito con una forma de onda triangular de 1 KHz, reduzca su amplitud hasta el valor m nimo que sumistra el generador de funciones (tener en cuenta las atenuaciones de -20 y -40 dB), y:

 CTICA 1. E L D IODO R ECTIFICADOR PRA

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de entrada y el canal B a la a) Conecte el canal A del osciloscopio a la senal de entrada salida, y vaya aumentado lentamente la amplitud de la senal comparando la forma de onda en la entrada y en la salida, y anote los va en los que se producen diferencias signicativas. Adem lores de tension as, de entrada y la de salida en una sola gr represente la senal aca indicando claramente todos los valores signicativos. de entrada y compruebe que la forma de onda b) Var e la frecuencia de la senal sta (a elevadas frecuencias aparecen los efectos de la salida no depende de e debidos a las capacidades internas de los diodos). c) Seleccione otras formas de onda en la entrada y comp arelas con las obtenidas en la salida. de salida obtenida en el apartado a) con las obtenidas d) Compare la senal Indique a qu teoricamente y mediante simulacion. e se deben las diferencias, si es que se encuentran. 5. Realice el montaje de la Fig. 1.3 en el que la resistencia de carga ser a el mismo os sinusoidal de 1 KHz de frecuencia ciloscopio. Alimente el circuito con una senal y 5 Vpp de amplitud, visualice en el osciloscopio las senales de entrada (canal A) y de salida (canal B), y: a) Represente ambas formas de onda para un valor de C de 0.56 nF y 1 F . Establezca la inuencia del valor del condensador en la onda de salida del circuito. b) Seleccione otros tipos de onda y compare las senales de entrada y salida. c) Compare estos resultados con los obtenidos teoricamente y mediante simu Indique a qu lacion. e se deben las diferencias, si es que se encuentran.

 Practica

Diodos Z ener, Leds y Fotodiodos

2.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 14 16

Objetivos En esta practica se continua estudiando experimentalmente el comportamiento de los diodos. Si en la anterior practica se estudiaron los diodos recticadores, en esta se los diodos Zener analizaran y diodos LEDs. Los objetivos principales de esta practica son: Determinar experimentalmente la caracter stica inversa de un diodo Zener. con un diodo Zener. Comprobar el funcionamiento de un estabilizador de tension entre la corriente y la intensidad de brillo de un diodo LED Averiguar la relacion un circuito para utilizar el LED como indicador. y disenar

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D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

2.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas pr acticas en el laboratorio se deben resolver los si guientes ejercicios teoricos. umbral del z 1. En el circuito de la Fig. 2.1, sabiendo que la tension ener es de 12 V , obtener: a) La corriente que circula a trav es del diodo z ener cuando la fuente de entrada E presenta valores de 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14 V . que deber b) La tension a tener la fuente de entrada E para que la corriente que circule por el z ener sea de 2, 5, 10, 20, y 25 mA. de la tenc) Representar la corriente que circula por el dido z ener en funcion de la fuente de entrada E a partir de los datos calculados en los dos punsion esta tos anteriores. Puesto que la resistencia tiene un valor muy pequeno, caracter gr aca se puede considerar como la funcion stica tensioncorriente del diodo z ener.

Figura 2.1. Circuito con un diodo zener.

2. En el circuito de la Fig. 2.2 calcular el valor m nimo que deber a tener la resistencia R para que el diodo LED no se queme. Considerar que en el LED, cuando est a polarizado en directa, caen 1.5 V y que la intensidad m axima que puede soportar es de 25 mA.

2.2.

Simulacion

se simular anEn esta seccion an los ejercicios analizados teoricamente en la seccion terior. La memoria de esta parte de la pr actica se debe completar con capturas de los selecesquem aticos realizados y las gr acas obtenidas con el software de simulacion cionado.

 CTICA 2. D IODOS Z E NER , L EDS PRA

F OTODIODOS

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Figura 2.2. Circuito con un LED.

1. Simule el circuito de la Fig. 2.1 y obtenga el valor de corriente que circula a trav es del z ener cuando la E vale 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14V . El diodo z ener que se emplear a en el laboratorio ser a el BZX55C12 de 12 V . de estuNOTA: Puesto que este diodo no se encuentra disponible en la version diante de Pspice, se emplear a el diodo z ener gen erico (DbreakZ). Para conseguir que este diodo tenga una tension de ruptura de 12 V se tiene que editar el modelo (Edit /Model ... / Edit Instance Model (Text) ...) y anadir el par ametro BV = 12 tal como se muestra en la Fig. 2.3.

del modelo del diodo zener de estudiante de Figura 2.3. Modicacion generico incluido en la version Pspice.

obtener la caracter 2. Eligiendo adecuadamente el an alisis de simulacion stica ten sioncorriente del diodo z ener en el circuito de la Fig. 2.1.

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D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

2.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizar En esta seccion an en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente en los apartados anteriores. y mediante simulacion ajustada a 0 V 1. Se montar a el circuito de la Fig. 2.1 con la fuente de alimentacion y se ir a ajustando a 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14 V, midiendo los valores de corriente que atraviesan al z ener (integrado BZX55C12). Para no quemar el diodo se debe limitar la corriente m axima de la fuente al valor m aximo que puede soportar, el cual ser a: 0,5W Pz = = 41,67mA (2.1) Izmax = Vz 12 Se observan diferencias entre los valores medidos y los obtendios teoricamente A qu y mediante simulacion? e se deben?. 2. Con el mismo montaje que en el punto anterior y ajustando nuevamente la ten de la fuente a 0 V , e sta se ir sion a aumentando hasta conseguir que la intensidad que circula por el z ener sea de 2, 5, 10, 20, 25 mA. Anotar los valores de la fuente de entrada en cada caso. Se aprecian diferencias con los valores calculados A qu teoricamente y los obtenidos mediante simulacion? e son debidas?. 3. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gr a ca de tensioncorriente del diodo z ener. Qu e diferencias hay con respecto a la obtenida teoricamente y a la simulada? A qu e se deben?. ajustada a 0 V 4. Se montar a el circuito de la Fig. 2.2 con la fuente de alimentacion (recuerde que el c atodo del LED es el terminal m as corto). Se limitar a la corriente del circuito a 25 mA, que es la corriente m axima que soporta el diodo. No supere jam as esa corriente. Compruebe que un aumento de corriente corresponde con un incremento del brillo del LED. Cu al crees que es el valor optimo de la corriente que produciendo un brillo sucientemente visible en el diodo es economico des Tenga de el punto de vista de la carga que supone para la fuente de alimentacion? como dispositivo indicador en amplias conen cuenta que el diodo debe ser util ambiental. Cu diciones de iluminacion anto vale, es esas condiciones, la tension en el diodo? Por qu e no es de 0.7 V?

 Practica

Transistor Bipolar (I). Polarizacion

3.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 19 19

Objetivos y como elemento de conmuEl transistor se utiliza principalmente en amplicacion siendo imprescindible para ambas aplicaciones el estudio de la polarizacion tacion, y obdel transistor en las diferentes zonas de trabajo. En esta practica se observaran las caracter tendran sticas del transistor en las distintas zonas de trabajo, introducien do las aplicaciones fundamentales para su uso en proximas practicas. Se pretende que el alumno distinga las diferentes zonas de funcionamiento y observe las peculiaridades de cada una de ellas.

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D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

3.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas pr acticas en el laboratorio se deben resolver los si guientes ejercicios y cuestiones teoricas. 1. Buscar en los cat alogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde in o tipo, tension base emisor en poternet, las caracter sticas principales (aplicacion valor t larizacion, pico de , patillaje, etc..) de los transistores Q2N222, Q2N3904, Q2N3906 y BC556. b 2. Viendo la ecuacion asica de funcionamiento del transistor bipolar en zona activa Qu e debemos controlar para jar la corriente de colector? en emisor comun, con circuito autopolarizado, 3. Suponiendo una conguracion en cu al de los siguientes casos se obtiene el valor m as grande de IC ?: a) activa directa b) saturacion c) corte d) activa inversa e) ninguna de las anteriores de la Fig. 3.1, determine el punto de trabajo 4. En el circuito b asico de polarizacion del transistor supuesto un valor de V1 de 0, 2, 3 y 5 voltios. Suponga un valor de = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .

en un transistor NPN. Figura 3.1. Circuito basico de polarizacion

 CTICA 3. T RANSISTOR B IPOLAR (I) PRA

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3.2.

Simulacion

se simular En esta seccion an los ejercicios analizados teoricamente en la seccion anterior. La memoria de esta parte de la pr actica se debe completar con capturas de que los esquem aticos realizados y las gr acas obtenidas con el software de simulacion haya seleccionado. 1. Simule el circuito de la Fig. 3.1 suponiendo un valor de V1 de 0, 2, 3 y 5 voltios, e VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . El indique los valores de tension de entrada cuadrada de transistor utilizado ser a el Q2N2222. Supuesta una senal entre colector y nivel bajo 0 V, nivel alto 5 V y frecuencia 1 kHz, obtenga la senal emisor.

3.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizar En esta seccion an en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente en los apartados anteriores en comparacion con las resultados y mediante simulacion medidos sobre los distintos montajes. 1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracter sticas cuales son las limitaciones el ectricas del transistor Q2N2222, conecte los terminales del transistor al mult metro y compruebe qu e valor de se obtiene. Adem as: de la fuente V1 a 0, 2, 3, 5 y 12 2. Monte el circuito de la Fig. 3.1 y ajuste la tension V . Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . V1 por una senal alterna cuaa) En el circuito anterior, se sustituir a la tension y que tendr drada, que se obtiene del generador de senal a como nivel bajo 0 V y como nivel alto 5V, y una frecuencia de 1KHz. Con el osciloscopio se entre colector y emisor (VCE ), comprobando medir a y representar a la tension que se trata de una onda cuadrada, invertida respecto a la anterior. b) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (C alculos teoricos y simulacion). Comente a qu e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.

 Practica

Transistor Unipolar. Caracter sticas de salida y aplicaciones

4.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 22 24

Objetivos la caracter En esta practica se medira stica de salida de un transistor unipolar en algunas sencillas aplicaciones de este transistor.Los objesurtidor comun, y se veran tivos de la practica son: puerta-surtidor (VGS ) sobre la corriente de Determinar el efecto de la tension drenador. Determinar experimentalmente la caracter stica de salida de un transistor JFET de canal n y su transconductancia. Comparar los parametros IDSS y VP obtenidos en la practica con los suministrados por el fabricante. de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de dreComprobar, a traves puerta-surtidor. nador mediante la tension

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D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

4.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas pr acticas en el laboratorio se deben resolver los si guientes ejercicios y cuestiones teoricas. Suponga, en todos los apartados, un valor de VP = 3V y IDSS = 10mA. 1. Qu e se utiliza para controlar la corriente ofrecida por un transistor unipolar?. puerta-surtidor para polarizar los siguien2. De qu e signo tiene que ser la tension tes transistores en zona de saturacion? a) FET de canal N b) FET de canal P de canal N c) MOS de acumulacion de canal P d) MOS de deplexion 3. Cu ando circular a m as corriente en un transistor FET de canal N? a) VGS = 0V b) VGS = 3V c) VGS = 4V 4. En el circuito de la Fig. 4.1, determine los valores de ID y VDS suponiendo VGS = 0V para los siguientes valores de V1 : 0, 1, 3, 5, 7 y 10 voltios. Repita el apartado anterior suponiendo VGS = 0,5V y VGS = 1V . Represente la caracter stica de salida a partir de los datos obtenidos. 5. En el circuito anterior, y suponiendo VDS = 15V , calcule los valores de ID necesarios para poder representar la caracter stica de transferencia del transistor. 6. En el circuito de la Fig. 4.2, determine el punto de trabajo del transistor y si el LED se enciende en las dos posiciones posibles del interruptor. Suponga un valor de VLEDon = 1,5V y RLED = 0.

4.2.

Simulacion

se simular anEn esta seccion an los ejercicios analizados teoricamente en la seccion terior. La memoria de esta parte de la pr actica se debe completar con capturas de los esquem aticos realizados y las gr acas obtenidas. En todos los casos, el modelo transistor utilizado ser a el J2N3819 (puede utilizar un modelo equivalente, consulte al profesor en ese caso).

 CTICA 4. T RANSISTOR U NIPOLAR PRA

23

en un transistor unipolar JFET canal N. Figura 4.1. Circuito basico de polarizacion

Figura 4.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor.

24

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

1. Simule el circuito de la Fig. 4.1 y obtenga las curvas caracter sticas de salida suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada VGS = 0V , puede sustituir el montaje VGS = 0,5V y VGS = 1V . Para esta simulacion en la entrada (fuente de 5V y potenciometro) por un generador ideal de tension. 2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig. 4.2 indicando el punto de tra en el caso de utilizar PSPice, bajo del transistor en cada caso. Para la simulacion, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007 (PSpice no incluye en sus librer as un diodo LED).

4.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizar En esta seccion an en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente en los apartados anteriores. El modelo de transistor utilizado y mediante simulacion ser a el 2N5485 o equivalente. 1. Caracter stica de salida del transistor unipolar Una vez que ha comprobado en las hojas de caracter sticas cuales son las limitaciones el ectricas y valores de funcionamiento t picos del transistor seleccionado para el desarrollo de la pr actica, se pide: a) Monte el circuito de la Fig. 4.1, donde el potenciometro se emplear a para puerta-surtidor a partir de una tension ja de 5 jar una determinada tension mientras que la tension del drenador V que ofrece la fuente de alimentacion, la obtenemos variando la tension V1 (fuente de alimentacion). Con el poten puerta-surtidor a 0 V. Partiendo de este valor, ciometro se ajustar a la tension V1 en los intervalos que considere necesarios. se ir a disminuyendo la tension se medir Para cada uno de estos valores de tension a la corriente de drenador, de forma que con los datos obtenidos (VDS /ID ) se pueda representar la caracter stica de drenador. VGS a 0,5V y a 1V . Nota: b) Repita el apartado anterior ajustando la tension represente todas las gr acas V /I sobre los mismos ejes. c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (c alculos teoricos y simulacion). Comente a qu e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. 2. Caracter stica de transferencia del transistor unipolar VDS a 15V , se ir En el circuito de la Fig. 4.1 y ajustando esta vez la tension a va VGS desde 0 a 2,5V en los intervalos que considere adecuados, riando la tension anotando la corriente de drenador ID . Represente los resultados obtenidos en una gr aca (caracter stica de transferencia). 3. Transistor unipolar como interruptor

 CTICA 4. T RANSISTOR U NIPOLAR PRA

25

a) Se realizar a el montaje de la Fig. 4.2, que representa un interruptor con un transistor JFET. El conmutador K se puede sustituir por un cable que vaya al ajustable, que variar borne negativo de la fuente de tension a entre 1V (po 1) y 10V (posicion 2), mientras que el borne positivo de dicha fuente sicion quedar a conectado a masa. 1. Se medir 1) Se conmutar a a la posicion a ID y VDS y se comprobar a si luce el LED. 2. Se medir 2) Se conmutar a a la posicion a ID y VDS y se comprobar a si luce el LED. 3) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondien tes de las dos secciones anteriores (c alculos teoricos y simulacion). Comente a qu e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.

 Practica

Circuitos b asicos con amplicadores operacionales

5.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 29 29

Objetivos el comportamiento basico En esta practica se analizara del amplicador operacio nal en dos de sus conguraciones clasicas. Los objetivos de la practica son: Trabajar con el circuito comercial amplicador operacional integrado 741 de proposito general. ajustando el offset. Analizar las condiciones de polarizacion Analizar el comportamiento de diferentes conguraciones basicas.

28

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

5.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas pr acticas en el laboratorio se deben resolver los si guientes ejercicios y cuestiones teoricas.

Figura 5.1. Circuitos basicos con Amplicadores Operacionales. Primer ejemplo.

Figura 5.2. Circuitos basicos con Amplicadores Operacionales. Segundo ejemplo.

1. En el circuito de la Fig. 5.1, determinar la ganancia del circuito, supuesto un com de transferencia si se portamiento ideal del AOP. Como se modica la funcion de offset igual a la suministrada por el fabricante del 741 en supone una tension sus hojas de caracter sticas? 2. Qu e m etodo aconseja el fabricante de este componente para eliminar el proble de offset? ma de la tension 3. En este mismo circuito, calcular R1, mantenido R2 en su valor original, para ob de salida obtendr tener una ganancia de 10. Qu e senal amos con R1=R2=10k y de entrada de 500mVp? una senal

 P R ACTICA 5. A MPLIFICADOR O PERACIONAL

29

4. Repita los apartados anteriores (1, 2 y 3) suponiendo el circuito de la Fig. 5.2.

5.2.

Simulacion

se simular En esta seccion an los ejercicios analizados teoricamente en la seccion anterior. La memoria de esta parte de la pr actica se debe completar con capturas de los esquem aticos realizados y las gr acas obtenidas. En todos los casos, el modelo de amplicador operacional utilizado ser a el uA741. 1. Simule los circuitos de las Fig. 5.1 y Fig. 5.2 introduciendo en la entrada un ge senoidal de 100mVp y 1 KHz. Determine la ganancia de cada nerador de senal circuito y los posibles desfases entre entrada y salida. 2. Represente el diagrama Bode de ambos circuitos, identicando los puntos caracter sticos. 3. Qu e valores de impedancias de entrada y salida se obtienen en la simulacion para ambos ejemplos?.

5.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizar En esta seccion an en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente en los apartados anteriores. El modelo de transistor utilizado y mediante simulacion ser a el 741. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracter sticas cuales son las limitaciones el ectricas y valores de funcionamiento t picos del transistor seleccionado para el desarrollo de la pr actica, se pide: una senal 1. Monte el circuito de la Fig. 5.1. Introduzca con el generador de senal senoidal de 100mVp y 1 KHz. Compare las fases de las senales de entrada y salida midiendo ambas senales simult aneamente con el osciloscopio. Asegure un nivel de offset lo m de tension as bajo posible. 2. Determine la ganancia del circuito. Calcule R1, mantenido R2 en su valor original, para obtener una ganancia de 10. Monte el circuito y mida dicha ganancia. de entrada de 500mVp, halle la respuesta en frecuen3. Con R1=R2=10k y una senal cia del circuito, identicando los valores de frecuencia caracter sticos. Indique en una tabla los valores obtenidos. Traspase los datos a un diagrama de Bode. 4. Mida la impedancia de entrada del circuito (Zin) y la impedancia de salida (Zout) indicando el montaje utilizado. A qu e conclusiones has llegado?

30

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

5. Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las Comente a qu dos secciones anteriores (c alculos teoricos y simulacion). e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.

 Practica

Preamplicador est ereo

6.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 33 33

Objetivos conguraciones capaces de amplicar senales En esta practica se estudiaran de bajo nivel, mediante el uso de preamplicadores con AOP de bajo coste. El circuito de bajo coste LM380 de la Fig. 6.1 es un amplicador audio con ganancia de 34 dB y potencia de 1.5 W por canal, para una carga de 8 ohmios y un alimentacion maxima de 15 voltios. Admite senales de entrada de 50 a 500mV ecaces, por lo que puede ser utilizado como amplicador para walkman o incluso como altavoces para ordenador. Si se desea utilizar el amplicador con una fuente distinta a un walkman o a la salida necesario emplear de audio de un ordenador, tal como una guitarra electrica, sera algun tipo de preamplicador, como el que se muestra en el esquema de la Fig. 6.2. En dicho circuito, se han congurado dos amplicadores 741 como amplicadores de estereo. referenciadas a entrada para una conguracion Sus etapas de entrada estan de alimentacion. Esta tension se deriva de un un punto comun, la mitad de la tension formado por R1 y R2. Los condensadores de entrada, C1 y C2, se divisor de tension de entrada. usan para ltrar cualquier componente continua de la senal

6.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas practicas en el laboratorio se deben resolver los siguientes ejercicios y cuestiones teoricas. de transferencia de cada canal del circuito. 1. Calcular teoricamente la funcion

32

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

Figura 6.1. Amplicador mono de 2W con AOP LM380 dip14.

Figura 6.2. Preamplicador estereo con AOP de bajo coste.

 CTICA 6. P REAMPLIFICADOR PRA

REO CON EST E

AOP

33

2. Explique brevemente el funcionamiento del circuito justicando la existencia de la componente continua a la salida del AOP. debe ser la fase de la senal de salida con respecto a la entrada?. 3. Cual de entrada para 4. Determine experimentalmente los valores maximos de la senal ni distorsion el rango de frecuencias de audio. que no exista saturacion

6.2.

Simulacion

se simularan los ejercicios analizados teoricamente En esta seccion en la seccion anterior. La memoria de esta parte de la practica se debe completar con capturas de los esquematicos realizados y las gracas obtenidas. En todos los casos, el modelo el uA741. de amplicador operacional utilizado sera 1. Representar el diagrama de Bode (ganancia y fase). Indicar el procedimiento utilizado. valor de continua se obtiene en la salida?. 2. Que es el ancho de banda del circuito?. 3. Cual valores de impedancias de entrada y salida se obtienen en cada canal?. 4. Que

6.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizaran en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamen En esta seccion en los apartados anteriores. El modelo de transistor utilizado te y mediante simulacion el LM741. sera Una vez que ha comprobado en las hojas de caracter sticas cuales son las limi taciones electricas y valores de funcionamiento t picos del operacional seleccionado para el desarrollo de la practica, se pide: 1. Monte el circuito de la Fig. 6.2, calculando la ganancia del sistema respecto a las entradas y los valores de continua obtenidos. 2. Represente el diagrama de Bode con los valores de ganancia obtenidos en laboratorio. de continua a la salida?. Es debido a problemas de offset? 3. Existe tension 4. Mida las impedancias de entrada y salida de los canales.

34

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

5. Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de se las dos secciones anteriores (calculos teoricos y simulacion). Comente a que deben las diferencias encontradas, si es que las hay.

 Practica

Circuito recticador con AOP 741

7.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

35 37 37

Objetivos conguraciones capaces de recticar senales En esta practica se estudiaran me diante el uso de AOP de bajo coste como el uA741. Los recticadores de precision (p.e. 1 V). La ca convencionales tienen problemas al recticar tensiones pequenas da de los diodos introduce un error muy signicativo en el proceso. El uso de de tension nos permite salrecticadores activos basados en el AO (recticadores de precision) de senales amplitud var este problema, permitiendo la recticacion de muy pequena sin problema. En concreto, en esta practica se pretende analizar distintos circuitos recticadores de media onda y onda completa basados en amplicadores operacionales, as como, estudiar el funcionamiento de un circuito detector de pico.

7.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas practicas en el laboratorio se deben resolver los siguientes ejercicios y cuestiones teoricas. de transferencia de los circuitos de las guras 1. Determinar teoricamente la funcion Fig. 7.1 y Fig. 7.2. Explique el funcionamiento y represente dichas funciones. 2. Explique el funcionamiento de un circuito detector de pico e indique posibles aplicaciones practicas.

36

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

Figura 7.1. Recticador media onda de precision.

Figura 7.2. Recticador onda completa de precision.

 CTICA 7. C IRCUITO PRA

RECTIFICADOR CON

AOP 741

37

7.2.

Simulacion

se simularan los ejercicios analizados teoricamente En esta seccion en la sec anterior. La memoria de esta parte de la practica cion se debe completar con capturas de los esquematicos realizados y las gracas obtenidas. En todos los el uA741. casos, el modelo de amplicador operacional utilizado sera de transferencia de los circuitos de las guras Fig. 7.1 a) Determinar la funcion y Fig. 7.2 b) Represente el comportamiento temporal de dichos circuitos supuesta una entrada senoidal de 1kHz y 2Vp. c ) Explique el comportamiento de los dos ejemplos si la entrada fuera una entrada senoidal de 1kHz y 2mVp. de deteccion de pico explicando d ) Proponga un circuito que realice la funcion ser cual a su comportamiento temporal.

7.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizaran en el laboratorio los circuitos estudiados teorica En esta seccion en los apartados anteriores. El modelo de transistor mente y mediante simulacion el uA741. utilizado sera Una vez que ha comprobado en las hojas de caracter sticas cuales son las limi taciones electricas y valores de funcionamiento t picos del operacional seleccio nado para el desarrollo de la practica, se pide: a) Monte el circuito de la Fig. 7.1, obteniendo la salida temporal del sistema respecto a la entrada. de transferencia con los valores de salida obtenidos b) Represente la funcion en laboratorio. senoidal c ) Obtenga la respuesta temporal del sistema, supuesta una senal con frecuencia 1kHz y distintos valores de amplitud de pico (en concreto; 100mVp, 1Vp, 5Vp). d ) Repita los anteriores apartados con el circuito de la Fig. 7.2. e) Monte y obtenga la respuesta temporal del sistema propuesto como detec senoidal con frecuencia 1kHz y 1Vp. tor de pico, supuesta una senal f ) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (calculos teoricos y simulacion). Comente a se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. que

8 de un amplicador basico Diseno de audio

Practica

8.1. Diseno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3. Medidas en el laboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40 40 40

Objetivos un amEl objetivo de esta ultima practica es que el alumno plantee y disene plicador de audio a partir del uso de amplicadores operacionales, en base a caracterilos conocimientos adquiridos durante la asignatura. El alumno debera zar el circuito con los parametros basicos que denen el comportamiento de los amplicadores; ganancia, impedancias, comportamiento en frecuencia, etc.

40

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

8.1.

Diseno

de un amplicador basico Se debe realizar el diseno de audio de al menos emplear cuantos 750mW de potencia. Podra AOP estime necesarios (teniendo en cuenta las limitaciones, en lo que a componentes se reere, del laboratorio como senal de entrada, una senal senoidal, de la de electronica). Se utilizara, el altavoz con una resistencia de amplitud y frecuencia adecuada, y se simulara 6.2 . cumplir el amplicador seran los siguientes: Los requisitos m nimos que debera mono. Conguracion de 30 dB. Ganancia en tension muy baja y amplio margen para la tension de alimenBajo coste, distorsion (10-22V). tacion Alta impedancia de entrada (al menos 100k ). Capacidad para soportar picos de corriente de hasta 1.3 Amperios. asimetrica. Alimentacion anterior serviran para aumentar la nota Todas las mejoras respecto al diseno correspondiente a esta practica. Algunos ejemplos de mejora pueden ser las si estereo, guientes: conguracion aumento de ganancia y potencia, uso de pream de disipadores, etc.. plicadores, uso de etapas de salida, inclusion En la memoria de esta practica se deben reejar todos los calculos realizados de los valores de todos los componenas como las justicaciones de la eleccion realizado. tes empleados en el diseno

8.2.

Simulacion

Simular el amplicador disenado en el apartado anterior y obtener, utilizando los analisis apropiados, los siguientes parametros: a) Diagrama de Bode en ganancia y frecuencia de entrada de 200 mVpp y 1kHz. b) Comportamiento temporal para una senal c ) Impedancias de entrada y salida. d ) Nivel de continua a la salida.

8.3.

Medidas en el laboratorio

Una vez disenado el amplicador se debe montar en el laboratorio y medir sus caracter sticas fundamentales para comprobar que su funcionamiento es el que se ha disenado realmente. As , se debe medir:

 CTICA 8. D ISE NO PRA

SICO DE AUDIO DE UN AMPLIFICADOR B A

41

a) La respuesta en frecuencia en la banda de audio. b) Las impedancias de entradas y salida. a la salida supuesta una senal de entrada de 200 mVpp y 1kHz. c ) La senal d ) Nivel de continua a la salida. Finalmente, se debe comparar los resultados obtenidos en el laboratorio con los A que se deben las simulados y con los calculados durante la fase de diseno. diferencias encontradas?.

Ap endice. Valores de resistencias que hay en el laboratorio

Los amplicadores operacionales con los que se cuenta en laboratorio corresponden a las referencias uA741, LM380-8 y LM380 dip 14. se pueden encontrar resistencia de los siguientes vaEn el laboratorio tambien lores: 1, 2.2, 3.3, 4.7, 6.8, 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 46, 47, 56, 68, 82, 100, 120, 150, 180, 220, 270, 330, 470, 560, 650, 680, 820 . 1, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, 10, 12, 15, 18, 20, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82, 100, 120, 150, 180, 220, 270, 330, 390, 470, 560, 680, 820 k. 1, 1.5, 10 M.

A Ejemplo de Resolucion de una Practica

Apendice

A.1. C alculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.2. Simulacion en Pspice y Mutisim . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3. Desarrollo de la pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

44 47 52

Objetivos El objetivo de este apendice es que los alumnos vean la manera de resolver las se practicas de la asignatura de forma clara y precisa, ya que a continuacion completa de una de ellas. puede encontrar la resolucion

44

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

A.1.

C alculos teoricos

Antes de realizar las medidas practicas en el laboratorio se deben resolver los siguientes ejercicios teoricos.

a) A partir de las hojas de caracter sticas del transistor bipolar P2N2222A, que en el laboratorio, indicar el valor de: es el que se utilizara 1) La ganancia de corriente en continua ( ).

entre la base y el emisor cuando su union esta polarizada en 2) La tension directa.

entre el colector y el emisor en saturacion. 3) La tension

 CTICA A. E JEMPLO PRA

DE

R ESOLUCI ON

DE UNA

CTICA PRA

45

del circuito de la Fig. A.1. Concretamente b) Calcular el punto de polarizacion se debe calcular la corriente de base, la corriente de colector y la tension en la zona en la que esta trabajando el colectoremisor. Indicar tambien transistor.

de un transistor bipolar. Figura A.1. Circuito de polarizacion

Solucion: Realizando el equivalente de Thevenin, el circuito de la Fig. A.1 se podr a simplicar de la forma indicada en la Fig. A.2, siendo RT H y VT H : RT H = 39 4,7 = 4,2k 39 + 4,7 (A.1)

VT H =

4,7 (24 5) + 5 = 7V 39 + 4,7

(A.2)

46

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

del circuito de la Fig. A.1. Figura A.2. Simplicacion

en ACTIVADIRECTA, de la malla baseemisor Suponiendo que el transistor esta se podr a obtener la ecuacion: 7 = 4,2IB + 0,6 + 1,2(1 + )IB de tal forma que la corriente de base se podr a obtener como: IB = 7 0,6 = 0,0175mA = 17,5A 4,2 + 1,2 301 (A.4) (A.3)

As pues, la corriente de colector y de emisor ser an: IC = IB = 300 17,5A = 5,25mA IE = ( + 1) IB = 3001 17,5A = 5,27mA (A.5) (A.6)

entre colector y emisor A partir de estas corrientes se puede obtener la tension como: VCE = VC VE = 24 3,9IC 1,2IE = 24 3,9 5,25 1,2 5,27 = 2,8V (A.7) es inferior a la tension colectoremisor en saturacion Puesto que esta tension y no de que el transistor esta en SATURACION se puede llegar a la conclusion colectoremisor sera la de saturacion, es en activadirecta. Por tanto, la tension decir, 0.3 V. la ecuacion: Si volvemos a analizar la malla baseemisor se obtendra 7 = 4,2IB + 0,6 + 1,2(IB + IC ) y si analizamos la malla colectoremisor, obtendremos: 24 = 3,9IC + 0,3 + 1,2(IB + IC ) (A.9) (A.8)

 CTICA A. E JEMPLO PRA

DE

R ESOLUCI ON

DE UNA

CTICA PRA

47

As pues, se obtiene un sistema de dos ecuaciones con dos incognitas, el cual se puede resolver obteniendose: IB = 0,16mA IC = 4,61mA (A.10) (A.11)

A.2.

Simulacion en Pspice y Mutisim

se simularan los ejercicios analizados teoricamente En esta seccion en la sec anterior. La memoria de esta parte de la practica cion se debe completar con capturas de los esquematicos realizados y las gracas obtenidas con Pspice. a) Editar el modelo del transistor empleado y buscar los valores de la ganan de la union baseemisor cuando cia de corriente en continua, la tension polarizada en directa y la tension colectoremisor en saturacion. esta colectoremisor, la b) Simular el circuito de la Fig. A.1 y mostrar la tension zona trabaja corriente de base y la corriente de colector obtenidas. En que el transistor? Por que? (PSpice Student) Solucion seleccionaremos en PSpice el transistor NPN Para el desarrollo de la simulacion con referencia Q2N2222. Si editamos el modelo (en formato texto) encontramos que los valores t picos buscados de ganancia de corriente en continua, tension base emisor y colector emisor son los que aparecen en la Fig. A.3. Como se puede apreciar, estos valores coinciden con los suministrados por el fabricante en sus hojas de caracter sticas y que han sido mostrados en el apartado anterior. del circuito que nos ocupa, Tras este primer analisis, se procede a la simulacion segun mostrado en Fig. A.4. Puesto que deseamos obtener el el esquematico del transistor, el analisis punto de polarizacion que debe ser seleccionado es sobre el mismo esquema del circuito los el Bias Point Detail, que nos mostrara y corriente en los puntos mas importantes del montaje, tal y valores de tension como muestran las representaciones de Fig. A.5 y Fig. A.6. A la vista de estos resultados podemos deducir lo siguiente: base-emisor se puede calcular como la diferencia entre a) El valor de tension las tensiones obtenidas en base y emisor, por tanto: VBE = VB VE = 6,641 5,948 = 0,693v (A.12)

base-emisor se encuentra polarizada en directa Segun este dato, la union en saturacion. como corresponde a un estado de polarizacion colector-emisor puede calcularse segun: b) Del mismo modo, la tension VCE = VC VE = 6,262 5,948 = 0,314v (A.13)

48

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

Figura A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222.

Figura A.4. Esquematico en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1.

 CTICA A. E JEMPLO PRA

DE

R ESOLUCI ON

DE UNA

CTICA PRA

49

obtenidos por PSpice tras el analisis Figura A.5. Valores de tension del punto de polarizacion.

Figura A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el analisis del punto de polarizacion.

50

D ISPOSITIVOS E LECTR ONICOS

colector-base se encuentra polarizada tambien en diSegun esto, la union en saturacion, con una recta como corresponde a un estado de polarizacion colector-emisor igual a la obtenida en el desarrollo teorico. tension pueden observarse de forma c ) Las corrientes obtenidas en la polarizacion directa y, por tanto, IB = 0,0349mA, IC = 5,913mA e IE = 5,948mA. En apreciables respecto al modelo teorico. este caso las diferencias son mas Especialmente signicativo es el valor de la corriente de base (cinco veces inferior a la obtenida teoricamente). Las diferencias en este caso se deben del a las aproximaciones adoptadas en el modelo teorico para la resolucion a la entrada modelo equivalente de Thevenin de la red de autopolarizacion entre base y emisor y entre y a las diferencias en los valores de tension (0,6 frente a 0,693 colector y emisor del modelo teorico frente a la simulacion para base-emisor y 0,3 frente a 0,314 en colecto-emisor). (Multisim Component Evaluator Solucion se muestra la simulacion del circuito propuesto mediante el uso En esta seccion del de otro paquete informatico; el Multisim Component Evaluator. Esta version de una licencia de 1 ano de duracion, programa permite el uso gratuito a traves del uso exclusivo de componente de la empresa Analog Devices. con la limitacion no es ningun En el caso que nos ocupa, esta limitacion inconveniente pues el transitor seleccionado (2N2222) es un bipolar de uso comun disponible en la librer a de componentes de Analog. El esquematico con el que trabajaremos es el mostrado en Fig. A.7.

Figura A.7. Esquematico en Multisim correspondiente al circuito de la Fig. A.1

del transistor, podremos acEn este caso, para obtener el punto de polarizacion tuar de dos formas; mediante el uso de sondas de prueba o mediante la inclusion

 CTICA A. E JEMPLO PRA

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R ESOLUCI ON

DE UNA

CTICA PRA

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en el circuito de mult metros virtuales convenientemente congurados y conec para tener una idea clara de cual ser tados. Utilizaremos la segunda opcion a el montaje que tendr amos que relizar f sicamente en el laboratorio, tal y como de Fig. A.8. muestra la representacion ni.pdf

y corriente obtenidos por Multisim tras el analisis Figura A.8. Valores de tension del punto de polariza cion

A la vista de estos resultados podemos deducir lo siguiente: base-emisor obtenido se observa en el mult a) El valor de tension metro XMM2 y es de VBE = 0,677v . base-emisor se encuentra polarizada en directa Segun este dato, la union en saturacion. como corresponde a un estado de polarizacion colector-emisor puede observarse en el mult b) Del mismo modo, la tension metro XMM1 y es de VCE = 0,097v . colector-base se encuentra polarizada tambien en diSegun esto, la union en saturacion, con una recta como corresponde a un estado de polarizacion colector-emisor similar a la obtenida en el desarrollo teorico. tension pueden observarse en los mult c ) Las corrientes obtenidas en la polarizacion me tros XMM3 (corriente de base) y XMM4 (corriente de colector), obteniendose los valores de IB = 0,144mA e IC = 4, 653mA. En este caso, los valores al modelo teorico se aproximan mucho mas obtenido, as como a los resul en laboratorio y que se reejan y comentan en el tados que se obtendran siguiente punto.

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A.3.

Desarrollo de la pr actica

se analizara en el laboratorio el circuito de la Fig. A.1, estudiado En esta seccion en los apartados anteriores. As teoricamente y mediante simulacion pues, una vez montado se debe medir: a) La ganancia de corriente en continua haciendo uso del pol metro. base-emisor y la de colectoremisor. b) La tension c ) La corriente de base y la corriente de colector. zona trabaja el transistor? Por que? d ) En que Solucion: Antes del montaje es necesario conocer el patillaje del componente seleccionado de las hojas de caracter (en nuestro caso un 2N2222). El fabricante, a traves sti tal y como aparece en la Fig. A.9. La pestana cas, suministra esa informacion nos indica el terminal 1 (emisor), a partir del cual empezamos a contar (2 para base y 3 para colector).

Figura A.9. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus hojas de caracter sticas.

tenemos que utilizar el pol Una vez tenemos clara la forma de conexion, metro para obtener la real del transistor. Podemos observar como el pol metro tiene un c rculo de conexiones dividido en dos mitades (NPN y PNP). Una vez solo nos queda identicados los terminales y seleccionado el modo de medicion, conectar el transistor y apuntar el valor de la ganancia, tal y como muestra la Fig. A.10. Tras esta medida inicial, procedemos al montaje del circuito segun se muestra en de componentes la Fig. A.11. Estas fotograf as muestran una posible disposicion

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del valor con pol Figura A.10. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medicion metro.

Aunque existen multiples eleen la placa de insercion. posibilidades, la opcion gida permite un m nimo cableado y evita dobleces en las patillas del transistor que, en la mayor a de los casos, pueden provocar interferencias y funcionamien tos erroneos.

Figura A.11. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones.

Para obtener las tensiones de base-emisor y de colector-emisor utilizaremos el pol metro y conectaremos, para facilitar el proceso, las sondas a los terminales conectadas a los puntos de interes. De este mode las resistencias que esten do, evitaremos conectar directamente sobre las patillas del transistor, ya que el espacio disponible para ello es muy limitado y las posibilidades de error muy elevadas. Los valores medios aparecen en la Fig. A.12 y en la Fig. A.13. Para

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medireaanzar nuestra hipotesis de funcionamiento en la zona de saturacion, entre base y colector. Si, tal y como hemos supuesto desde el mos la tension en saturacion la union base y colector debe estar poprincipio, el transistor esta que aparece en la larizada en directa, tal y como se demuestra en la medicion Fig. A.14.

de tension base-emisor en laboratorio. Figura A.12. Detalle de medicion

de tension colector-emisor en laboratorio. Figura A.13. Detalle de medicion

A la vista de los resultados obtenidos podemos armar que, en principio, el tran Las dos uniones estan polasistor parece funcionar en la zona de saturacion. rizadas en directa (VBE 0,6v ) y la tension colector-emisor es muy bajo. En por debajo de lo esperado pues el este ultimo caso, los valores obtenidos estan fabricante indica un valor t pico de VCEsat = 0,3v frente a los 0,05v medidos en laboratorio.

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de tension colector-base en laboratorio. Figura A.14. Detalle de medicion

comoda La forma mas de medir las corrientes es haciendo uso de la ley de Ohm. Midiendo tensiones sobre las resistencias del circuito y teniendo en cuenta los valores de las mismas podemos obtener facilmente los valores de las corrien tes. Para obtener una mayor exactitud ser a conveniente medir con el ohmetro el valor real de las resistencias ya que la tolerancia del 10 % puede inuir en los calculos nales. Aunque este metodo supone una medida indirecta de la corriente, evita problemas en las conexiones de los pol metros como amper metros en serie) y permite medir corrientes de bajo valor (que (requieren una conexion con un fondo de escala como el de los pol metros de uso general ser a complicado de obtener). De este modo, y atendiendo a los resultados de las tensiones medidas que aparecen en Fig. A.15, Fig. A.16, Fig. A.17 y Fig. A.18, los valores de corriente obtenidos aparecen en la Ec. A.15 y Ec. A.15.

IC = VRC /RC = 18,26/3,9k = 4,68mA IE = VRE /RE = 5,82/1,2k = 4,85mA

(A.14) (A.15)

Para obtener la corriente de base restamos los dos valores de corriente medidos tal y como (de forma indirecta) en las resistencias de la red de autopolarizacion, muestra Ec. A.17.

IB = IR1 IR2 = (VR1 /R1 ) (VR2 /R2 ) = IB = 17,64/39k 1,51/4,7k = 0,45mA 0,32mA = 0,13mA

(A.16) (A.17)

Los resultados obtenidos son practicamente iguales a los obtenidos en el aparta do de desarrollo teorico y coinciden con la tendencia mostrada por la simulacion en PSpice. Llegados a este punto podemos armar que el transistor se encuentra

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ya que las dos uniones estan polarizadas funcionando en la zona de saturacion en directa, la VCE 0,2v y la IC < IB

de tension en bornas de la resistencia de emisor en laboratorio. Figura A.15. Detalle de medicion

de tension en bornas de la resistencia de colector en laboratorio. Figura A.16. Detalle de medicion

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de tension en bornas de la resistencia de 39k en laboratorio. Figura A.17. Detalle de medicion

de tension en bornas de la resistencia de 4.7k en laboratorio. Figura A.18. Detalle de medicion