Anteproyecto 4

Circuitos bsicos con fotoconductores.

Ronald Caravaca Mora, A91329 Jonathan Rodrguez Ovares, A77505

Grupo 1 Profesor:
Diego Dumani

IE0308 - Laboratorio Elctrico I 20 de mayo de 2013

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

ndice
1. Objetivos 2. Nota terica
2.1. Disparadores Schmitt . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1. NTE4093B . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Sensitividad de los fotoconductores . . . . . . . . 2.3. Resistencia de oscuridad . . . . . . . . . . . . . . 2.4. Rapidez de Respuesta de un fotodetector . . . . . 2.5. Curva de Histresis del fotodetector . . . . . . . . 2.6. Relevadores Magnticos y actuadores de potencia 2.7. Componente Radioshack 276-143 . . . . . . . . . 2.8. Componente Radioshack 276-142 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 4
4 4 4 5 5 5 6 7 7

3. Diseo

3.1. Parte I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 3.2. Parte II. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

4. Lista de componentes 5. Lista de equipo 6. Procedimiento Bibliograa A. Trasistor 2N2222A B. Schmitt Trigger HEF4093B

14 14 15 17 18 21

6.1. PRIMERA PARTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 6.2. SEGUNDA PARTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

ndice de guras
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. Comparador Histeresis . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito Schmitt a base de transistores . . . . . . . Curva histresis fotodetector . . . . . . . . . . . . . Relevador activado por transistor . . . . . . . . . . Componente TRIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . Componente IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito generador de pulsos . . . . . . . . . . . . . Simulacin de fotoresistor con presencia de luz. . . Simulacin de fotoresistor en ausencia de luz. . . . . Generador de pulsos. . . . . . . . . . . . . . . . . . Seales de entrada y salida del generador de pulsos. Circuito controlador con rel. . . . . . . . . . . . . 2 de 28 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 . 5 . 6 . 6 . 7 . 7 . 8 . 9 . 9 . 10 . 10 . 11

Escuela de Ingeniera Elctrica

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I 13. 14. 15. 16. 17.

Circuitos bsicos con fotoconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 12 12 13 14

Seales de entrada y salida de circuito controlador con rel. . Emisor infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Seales de entrada y salida del emisor de infrarrojo . . . . . Receptor de infrarrojos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Seales de entrada y salida del receptor de infrarrojos . . . .

ndice de tablas
1. 2. Lista de componentes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Lista de equipo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Escuela de Ingeniera Elctrica

3 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

1. Objetivos
Implementar circuitos bsicos con fotoconductores.

2. Nota terica
2.1. Disparadores Schmitt

Un disparador de ventana o disparador Schmitt es un dispositivo que elimina los rebotes en la seal de entrada para ser implementada en circuitos lgicos, se utiliza en circuitos lgicos donde la seal de entrada tiene mucho margen de ruido como cables que salen de una tarjeta o bien para evitar los rebotes en interruptores o elementos opto-electrnicos. La caracterstica de un disparador de ventana es que la tensin de salida no conmuta de alto o a bajo hasta que la seal de entrada no cruce niveles de tensin llamados VT+ o VT- llamados tensiones de comparacin, este efecto se conoce como curva de histresis presentada a continuacin.

Figura 1: Comparador Histeresis Se puede construir un disparador de ventana a base de transistores discretos mostrado en la siguiente gura: La operacin del circuito es utilizar el nivel de saturacin y corte de los transistores de modo que solo se disparen en las tensiones positivas y negativas de conmutacin. El resistor R1 permitir que el transistor Q2 se sature o entre en corte solo en caso de sobrepasarse los niveles de tensin de conmutacin.

2.1.1. NTE4093B
Es un disparador Schmitt de 14 pines que se aplica para multi-vibradores, ambientes de ruido y generadores de onda, la tensin de umbral negativa es de 0.9v y 4.1v para la tensin de umbral positiva, posee un tiempo de propagacin de 190ns y una potencia de disipacin de 100mW, este circuito integrado es compatible con tecnologa CMOS y se usa ampliamente en circuitos de rebotes como interruptores y circuitos opto-electrnicos.
2.2. Sensitividad de los fotoconductores

Los Fotodetectores transforman un nivel de energa lumnica en impulsos elctricos como tensin o corriente elctrica. Estos absorben la energa de los fotones con un incremento de la energa trmica Escuela de Ingeniera Elctrica 4 de 28 Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Figura 2: Circuito Schmitt a base de transistores que es transferida a los electrones a travs del efecto foto-elctrico de Einstein. El termino sensitividad es el hecho de que la corriente aumenta en proporcin a la intensidad luminosa medida en mW/cm2. Este factor depende considerablemente de la temperatura por lo que en ocasiones se puede usar un fotodiodo como elemento medidor de temperatura.
2.3. Resistencia de oscuridad

Este termino se usa en resistencias controladas por luz o fotoresistencias, es cuando la resistencia baja cuando se somete el elemento a un fotn y sube en presencia de oscuridad. Estos dispositivos se fabrican con Cadmio y no solo se fabrican para luz visible sino para una amplia gama de frecuencias luminosas como luz UV o la infrarroja IR. La variacin entre valores de resistencias es muy lento generalmente la dcima de segundo para fotoresistencias, esto ofrece una ventaja ya que elimina ciertos umbrales de intensidad luminosa que pueden causar errores en la medicin o causar inestabilidad en el transductor.
2.4. Rapidez de Respuesta de un fotodetector

Todos los sensores deben de responder en un tiempo dado, en especial los elementos optoelectrnicos tienen un tiempo de deteccin entre dos umbrales distintos de luz. Los elementos optoelectrnicos estn fabricados por la recombinacin de huecos y electrones, este tiempo depender de la recombinacin del par hueco-electrn, otro factor que juega en la velocidad de respuesta es la capacidad de los electrones de absorber la energa del fotn, esto depender del material, materiales como el Cadmio usados en fotoresistencias tienen una velocidad de 0.01s.
2.5. Curva de Histresis del fotodetector

Todos los elementos transductores tienen una curva caracterstica que les dene pasar de un punto de operacin a otro, la curva de histresis predice el cambio entre dos niveles lumnicos de operacin para un cambio en la tensin elctrica, la resistencia a la oscuridad o bien la intensidad de la corriente. La siguiente curva ofrece la forma como se comporta un fotodetector ante cambios en la intensidad luminosa.

Escuela de Ingeniera Elctrica

5 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Figura 3: Curva histresis fotodetector

2.6.

Relevadores Magnticos y actuadores de potencia

Un relevador es un elemento electromecnico que permite activar una bobina y este a su ves activa contactos llamados normalmente abierto (NA) O normalmente cerrado (NC) y una terminal en comn, se usa para activa cargas donde los rebotes no son importantes, suele usarse un transistor en corte y saturacin para activarlo y un diodo de proteccin para las corrientes inversas de Lenz.

Figura 4: Relevador activado por transistor

Escuela de Ingeniera Elctrica

6 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Existen otros elementos actuadores de estado solido como el TRIAC que es un tiristor de doble sentido para activar cargas de CA mediante una seal de disparo en su terminal de compuerta, se usa en actuadores lumnicos, interruptores de CA y controladores de velocidades de motores. El inconveniente es asegurar que el TRIAC se apague adecuadamente mediante la inversin de la polaridad del nodo y del ctodo.

Figura 5: Componente TRIAC Un elemento actuador es el IGBT o transistor de compuerta aislada que tiene la ventaja con respecto al TRIAC de ofrecer una baja corriente de saturacin y altas velocidades de operacin. Se usa en motores de alta velocidad y fuentes conmutadas. Se han diseado IGBT en operacin Darlington que pueden manejar corrientes de hasta 100A.

Figura 6: Componente IGBT

2.7.

Componente Radioshack 276-143

Este elemento es un diodo de Galio-Indio infrarrojo con una longitud de onda de 700nm, con una corriente mxima de 100mA y un voltaje de operacin de 1.5V y una potencia e consumo de 32mW. Este diodo infrarrojo se usa en controles remoto, en dispositivos de alarma por barrera infrarroja o para la emisin de impulsos de un transmisor a un receptor.
2.8. Componente Radioshack 276-142

Este elemento es un diodo detector infrarrojo con una corriente mxima de 170mA y un voltaje de operacin de 1.7V mximo. Puede detectar 900nm de longitud de onda y disipar 150mW, su Escuela de Ingeniera Elctrica 7 de 28 Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

sensibilidad es de +/-20 grados. Se usa en receptores infrarrojos en complemento al Componente Radioshack 276-143, como controles remoto o en receptores de alarma.

3. Diseo
3.1. Parte I.

Considere el siguiente generador de pulsos en la gura 7. Obtenga una expresin para Vx en trminos de V cc, R1, R2 y la resistencia del fotoconductor R. Utilice las especicaciones del

fabricante del NTE4093B para determinar las condiciones que debe cumplir Vx para que se genere un pulso a la salida de la compuerta si la resistencia R cambia entre los valores R1 y R2.

Figura 7: Circuito generador de pulsos

Solucin:
Por divisor de tensin se obtiene una expresin para Vx .
Vx = Vcc ( R1 + R2 ) R1 + R2 + R

(1)

De la hoja de datos del NTE4093B se obtiene que que Vn = 2,2 V, este es la tensin mxima para que la salida de la compuerta pase de bajo a alto, tambin se obtiene Vp = 2,9, lo cual es la tensin mnima para que la salida cambie de alto a bajo. Sabiendo que Rl varia entre R1 y R2, se tiene lo siguiente:
Vx1 = Vcc ( Vx2 = Vcc ( R1 + R2 ) 2,9 R1 + R2 + R1 R1 + R2 ) 2,2 R1 + R2 + R2

(2) (3) Universidad de Costa Rica

Escuela de Ingeniera Elctrica

8 de 28

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Asumiendo R1 = 1k, Vcc = 5 V y R2 = 5k y de la simulacin del circuito en las guras 8 y 9 se obtiene:

Vx1 = 5 V 2,9

Cumple con las condiciones para Vx1 .

Vx2 = 0,242 V 2,2

Cumple con las condiciones para Vx2 .

Figura 8: Simulacin de fotoresistor con presencia de luz.

Figura 9: Simulacin de fotoresistor en ausencia de luz. En la gura 10 se muestra el circuito con sus respectivas entradas y salidas, donde VG1 es una fuente pulsante, y en la gura 11 las seales de entrada y salida. Escuela de Ingeniera Elctrica 9 de 28 Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Figura 10: Generador de pulsos.

Figura 11: Seales de entrada y salida del generador de pulsos.

En la gura se muestra el circuito con rel necesario para manejar un bombillo de 60W (a

120Vrms), se utiliza un transistor BJT 2N2222A como conmutador, una resistencia de 770 W para asegurar que el transistor se satura cuando la tensn de entrada llega 3.8 V, y cuando esta tensin es 0 V el transistor pasa de saturacin a corte. Este mecanismo controla la corriente de emisor la cual se encarga de activar el rel y este a su vez el bombillo. En la gura 13 se muestra como la seal de salida Vout en algunos intervalos es 0 V (bombillo apagado) y otros en los cuales es una seal senoidal (bombillo encendido). El rel a utilizar debe activarse con 5V y soportar una corriente superior a 8 A en los interruptores.

Escuela de Ingeniera Elctrica

10 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Figura 12: Circuito controlador con rel.

Figura 13: Seales de entrada y salida de circuito controlador con rel.

3.2. Parte II.

La segunda parte del diseo y trabajo en el laboratorio se enfoca al acople por emisor y detector infrarrojo. Este acople tiene muchas aplicaciones como comunicacin, aislamiento, entre otras. El emisor se armar utilizando el diodo IRED Radioshack 276-143. Disee Rc tal que la corriente en el componente emisor sea menor al 80 % de su valor mximo. Debe considerar la tolerancia y POTENCIA de la resistencia (no se deben quemar ni el diodo, ni la resistencia). El generador VG1 alimentar una onda cuadrada positiva de amplitud 5V. En la cura 14 se muestra el diseo del circuito emisor de infrarrojo, donde la Rc se calcula de la siguiente manera: Las especicaciones de IRED son: Imax=100mA, Vd=1.28V. Escuela de Ingeniera Elctrica 11 de 28 Universidad de Costa Rica

Solucin:

IE0308 - Laboratorio Elctrico I Las especicaciones del 2N2222 son: Vsat=400mV. Por ley de Kircho.
Rc =

Circuitos bsicos con fotoconductores

Vcc Vd Vsat = 41,5 0,8(Imax )

Usando una resistencia comercial de 47 se asegura que la corriente ser menor al 80 % de Imax. La potencia en la resistencia:
PR = (Imax )2 R PR = (0,8(0,1))2 47 PR = 0 , 3 W

La resistencia debe soportar al menos 0.5 W.

Figura 14: Emisor infrarrojo En la gura 15 se muestran las seales de entrada y salida del emisor, donde VG1 es la seal de entrada cuadrada a 1kHz, y Vo es la tensin en el IRED.

Figura 15: Seales de entrada y salida del emisor de infrarrojo Para el receptor se armar el circuito de la gura utilizando el fototransistor Radioshack 276-142. Disee Ro tal que la corriente por el fototransistor sea menor al 50 % del valor mximo especicado por el fabricante. El potencimetro Po se encargar de regular la sensibilidad del receptor. Escuela de Ingeniera Elctrica 12 de 28 Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Figura 16: Receptor de infrarrojos La corriente mxima del fototransistor es de Ic=50mA. Por ley de ohm.
Vcc 50 %Ic Haciendo Po=0V como el peor caso se obtiene R0 = 200 . R0 + P0 =

(4)

La potencia disipada por Ro.

PRO = (50 %Ic )2 200 = 0,125 W

(5)

La resistencia R0 debe ser de al menos 0.25 W. En la gura 17 se muestran las seales de entrada y salida del circuito receptor de infrarrojos obtenidas mediante la simulacin, donde se utiliz un transistor NPN comn, con una resistencia de base de 500 W. VG1 es la seal de entrada pulsante que activa el emisor, Vce es la tensin colectroemisor del fototransistor y Vrdc es la tensin en Rdc.

Escuela de Ingeniera Elctrica

13 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Figura 17: Seales de entrada y salida del receptor de infrarrojos

4. Lista de componentes
La lista de componentes utilizados en el experimento se muestra en la Tabla 1. Tabla 1: Lista de componentes.

Resistencia R1 Resistencia Rx Resistencia Rdc Resistencia Rb Resistencia Ro Fotorresistencia Rl Potencimetro Po Potencimetro R2 Diodo 1N4001 Transistor 2N2222 Rel Disparador Schmitt NTE4093B Capacitor Cdc Radioshack 276-143 Radioshack 276-142.

Nombre

Sigla

Valor nominal Potencia / W

1kW 680 W 100kW 1.5kW 200 W 1MW 5kW 100kW 5V 100nF 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5

5. Lista de equipo
La lista de equipos utilizados en el experimento se muestra en la Tabla 2.

Escuela de Ingeniera Elctrica

14 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores Tabla 2: Lista de equipo.

Equipo
Osciloscopio Digital Miultimetro Digital Generador de seales Fuente DC Protoboard Alicate Peladora 8 Cables para fuente CD Regleta

Marca Modelo Placa Marca Modelo Placa Marca Modelo Placa

Sesin 1

Sesin 2

Sesin 3

6. Procedimiento
6.1. PRIMERA PARTE

1. Realice la caracterizacin de un fotoconductor para obtener su relacin de resistencia contra iluminancia. En la prctica se utilizar un banco fotomtrico y una mesa estable acondicionada con equipos, instrumental optomecnico, y componentes optoelectrnicos. Anotar la conexin de los equipos instrumental y accesorios, tanto ene l banco fotomtrico como en la mesa de prcticas experimentales. Utilizar el montaje dentro del banco fotomtrico. En un extremo est una lampara incandescente de alta temperatura, alimentada por una alta corriente elctrica desde una fuente de suministro de DC. En el otro extremo se coloca el sensor de un medidor de iluminancia y un fotoconductor conectado a un medidor de resistencia elctrica ambos montados en sistemas optomecnicos para facilitar el desplazamiento, estabilidad e intercambio de componentes. La distancia d entre el lamento de la lampara y el frente del sensor, se vara a 3 posiciones (desde 0.5m a 1,5m), para obtener diversos niveles de iluminancia. Ajustar la tensin elctrica para encender la lmpara a una alta temperatura clasicada. Encender el medidor de iluminancia y permitir estabilizacin de las equipos. Anotar primero el valor iluminancia y luego el valor de resistencia elctrica del fotoconductor, a corta distanci. Repetir para media distancia y larga distancia. Anotar los valores de oscuridad total. Analizar y gracar los valores. 2. Vericacin del generador de pulsos: Arme el generador de pulsos y verique que funciona correctamente. Realice una captura donde se muestre la entrada y la salida de la compuerta NAND al tener una entrada sinusoidal de amplitud adecuada. Tome capturas y asegrese de que se pueden apreciar los valores de Vx a los que cambia el estado de la salida. Dibuje la ventana de histresis. Escuela de Ingeniera Elctrica 15 de 28 Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

3. Conmutacin de la carga: Arme la etapa del rel y verique que el bombillo se enciende para un pulso de entrada de 5V. 4. Circuito completo: Conecte la salida del NTE4093B a la etapa de activacin del rel, de forma que se encienda el bombillo cuando la resistencia R toma valores relativamente altos. Utilice el potencimetro R2 para ajustar el generador de pulsos y obtener un desempeo adecuado.
6.2. SEGUNDA PARTE

1. Mida las seales que simul y compruebe el funcionamiento. 2. Vare distancia emisor-receptor, el ngulo de emisin, la sensibilidad del receptor, y observe lo que sucede. 3. Observe las diferencias entre la tensin del IRED y la tensin Vce del fototransistor. Porqu se dan esas diferencias? 4. Explique las diferencias entre la tensin Vce del fototransistor y la tensin en Rx. Por qu es necesario este ltro? 5. Qu aplicaciones se le ocurren para este optoacople?

Escuela de Ingeniera Elctrica

16 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

Referencias
[1] Boylestad R. (1997). Teoria de circuitos y dispositivos electronicos. Mexico. Pearson Educacin. [2] Malvino A.P.(1999). Principios de electrnica. Espaa. McGrawHill [3] Marn Naranjo L.D. (2008) Principios Optoelectronica 1 2013. San Pedro, San Jos.

Escuela de Ingeniera Elctrica

17 de 28

Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

A. Trasistor 2N2222A

Escuela de Ingeniera Elctrica

18 de 28

Universidad de Costa Rica

580 Pleasant St. Watertown, MA 02172 PH: (617) 926-0404 FAX: (617) 924-1235

2N2222A

Features
Meets MIL-S-19500/255 Collector-Base Voltage 75 Collector Current: 800mA Fast Switching 335 nS

75 Volts 0.8 Amps NPN BIPOLAR TRANSISTOR

Maximum Ratings
RATING Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current o Total Device Dissipation @ T A = 25 C Derate above 25 oC Total Device Dissipation @T C = 25oC Derate above 25 oC Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Case Operating Temperature Range Storage Temperature Range SYMBOL VCEO VCBO VEBO IC PD PD RJA RJC TJ TSTG MAX.
5

UNIT Vdc Vdc Vdc mAdc Watt mW/ oC Watt mW/ oC o C/W o C/W o C o C

75 6.0 800 0.5 2.85 1.8 10.3 350 97 -65 to + 200 -65 to + 200

Mechanical Outline

Datasheet# MSC0275A 5/19/1997

2N2222A
Electrical Parameters (T A @ 25 C unless otherwise specified)
CHARACTERISTICS Off Characteristics Collector-Emitter Breakdown Voltage (I C = 10 mAdc, I B = 0) Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 Adc, IE = 0) Emitter-Base Breakdown Voltage (I E = 10 Adc, IC = 0) Collector to emitter Cutoff Current (V CE = 30 Vdc) Collector to base Cutoff Current (V CE = 60 Vdc) D.C. Current Gain (I C = 0.1 mAdc, V CE = 10 Vdc) (I C = 1.0 mAdc, V CE = 10 Vdc) (I C = 10 mAdc, V CE = 10 Vdc)(1) o (I C = 10 mAdc, V CE = 10 Vdc, T A = -55 C)(1) (I C = 150 mAdc, V CE = 10 Vdc)(1) (I C = 500 mAdc, V CE = 10 Vdc)(1) Collector-Emitter Saturation Voltage(1) (I C = 150 mAdc, I B = 15 mAdc) (I C = 500 mAdc, I B = 50 mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage(1) (I C = 150 mAdc, I B = 15 mAdc) (I C = 500 mAdc, I B = 50 mAdc) Current Gain-Bandwidth Product(2) (I C = 20 mAdc, V CE = 20 Vdc, f = 100MHz) Output Capacitance(3) (V CB = 10 Vdc, I E = 0, 100kHz < f < 1MHz Input Capacitance (V EB = 0.5 Vdc, I C = 0, 100kHz < f < 1MHz) Switching Characteristics Delay Time: (V CC = 30 Vdc, V BE(off) = -0.5 Vdc, Rise Time: I C = 150 mAdc, I B1 = 15 mAdc)(Figure 12) Storage Time: (V CC = 30 Vdc, I C = 150 mAdc, Fall Time: I B1 = IB2 = 15 mAdc) SYMBOL BVCE0 BVCBO BVEBO ICES I hFE 50 75 100 35 100 30 VCE(Sat) --VBE(Sat) 0.6 -fT 250 COBO -CIBO -tON td tr toff tS tf --25 ns 10 25 8.0 pf -pf 1.2 2.0 Mhz 0.3 1.0 Vdc -325 --300 -Vdc MIN. 50 75 6.0 --TYP. MAX. ---50 10 UNIT Vdc Vdc Vdc nAdc nAdc

---

225 60

Datasheet# MSC0275A 5/19/1997

IE0308 - Laboratorio Elctrico I

Circuitos bsicos con fotoconductores

B. Schmitt Trigger HEF4093B

Escuela de Ingeniera Elctrica

21 de 28

Universidad de Costa Rica

INTEGRATED CIRCUITS

DATA SHEET
For a complete data sheet, please also download:
The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF, HEC The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF, HEC

HEF4093B gates Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

Product specication File under Integrated Circuits, IC04 January 1995

Philips Semiconductors

Product specication

Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

DESCRIPTION The HEF4093B consists of four Schmitt-trigger circuits. Each circuit functions as a two-input NAND gate with Schmitt-trigger action on both inputs. The gate switches at different points for positive and negative-going signals. The difference between the positive voltage (VP) and the negative voltage (VN) is defined as hysteresis voltage (VH).

HEF4093B gates

Fig.2 Pinning diagram.

HEF4093BP(N): HEF4093BD(F): HEF4093BT(D):

14-lead DIL; plastic (SOT27-1) 14-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT73) 14-lead SO; plastic (SOT108-1)

( ): Package Designator North America

Fig.3 Logic diagram (one gate).

FAMILY DATA, IDD LIMITS category GATES See Family Specifications

Fig.1 Functional diagram.

January 1995

Philips Semiconductors

Product specication

Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

DC CHARACTERISTICS VSS = 0 V; Tamb = 25 C VDD V Hysteresis voltage Switching levels positive-going input voltage negative-going input voltage 5 10 15 5 10 15 5 10 15 VN VP VH SYMBOL MIN. 0,4 0,6 0,7 1,9 3,6 4,7 1,5 3 4 TYP. 0,7 1,0 1,3 2,9 5,2 7,3 2,2 4,2 6,0 3,5 7 11 3,1 6,4 10,3

HEF4093B gates

MAX. V V V V V V V V V

Fig.5 Fig.4 Transfer characteristic.

Waveforms showing definition of VP, VN and VH; where VN and VP are between limits of 30% and 70%.

January 1995

Philips Semiconductors

Product specication

Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

AC CHARACTERISTICS VSS = 0 V; Tamb = 25 C; CL = 50 pF; input transition times 20 ns VDD V Propagation delays In On HIGH to LOW LOW to HIGH Output transition times HIGH to LOW 5 10 15 5 10 15 5 10 15 5 LOW to HIGH 10 15 tTLH tTHL tPLH tPHL SYMBOL TYP. 90 40 30 85 40 30 60 30 20 60 30 20 MAX. 185 ns 80 ns 60 ns 170 ns 80 ns 60 ns 120 ns 60 ns 40 ns 120 ns 60 ns 40 ns

HEF4093B gates

TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA 63 ns + (0,55 ns/pF) CL 29 ns + (0,23 ns/pF) CL 22 ns + (0,16 ns/pF) CL 58 ns + (0,55 ns/pF) CL 29 ns + (0,23 ns/pF) CL 22 ns + (0,16 ns/pF) CL 10 ns + (1,0 ns/pF) CL 9 ns + (0,42 ns/pF) CL 6 ns + (0,28 ns/pF) CL 10 ns + (1,0 ns/pF) CL 9 ns + (0,42 ns/pF) CL 6 ns + (0,28 ns/pF) CL

VDD V Dynamic power dissipation per package (P) 5 10 15

TYPICAL FORMULA FOR P (W) 1300 fi + (foCL) VDD2 6400 fi + (foCL) VDD2 18 700 fi + (foCL) VDD
2

where fi = input freq. (MHz) fo = output freq. (MHz) CL = load capacitance (pF) (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V)

January 1995

Philips Semiconductors

Product specication

Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

HEF4093B gates

Fig.6

Typical drain current as a function of input voltage; VDD = 5 V; Tamb = 25 C.

Fig.7

Typical drain current as a function of input voltage; VDD =10 V; Tamb = 25 C.

Fig.8

Typical drain current as a function of input voltage; VDD = 15 V; Tamb = 25 C.

January 1995

Philips Semiconductors

Product specication

Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

HEF4093B gates

Fig.9 Typical switching levels as a function of supply voltage VDD; Tamb = 25 C.

APPLICATION INFORMATION Some examples of applications for the HEF4093B are: Wave and pulse shapers Astable multivibrators Monostable multivibrators.

Fig.10 The HEF4093B used as a astable multivibrator.

Fig.11 Schmitt trigger driven via a high impedance (R > 1 k).

If a Schmitt trigger is driven via a high impedance (R > 1 k) then it is necessary to incorporate a capacitor C of such value that: C V DD V SS ------ > -------------------------- , otherwise oscillation can occur on the edges of a pulse. VH Cp Cp is the external parasitic capacitance between inputs and output; the value depends on the circuit board layout. Note The two inputs may be connected together, but this will result in a larger through-current at the moment of switching.

January 1995

This datasheet has been download from: www.datasheetcatalog.com Datasheets for electronics components.