INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

UNIDAD PROFESIONAL ADOLFO LOPEZ MATEOS ZACATENCO

DEPARTAMENTO DE INGENIERA EN SISTEMAS AUTOMOTRICES (ISISA)

ELECTRONICA I

REPORTE DE PRCTICAS

GRUPO: 4SM1

PROFESOR:

JOEL JUAREZ BETANCOUR

ALUMNOS:

GODINEZ VILLALOBOS RAFAEL MORALES DOMINGUEZ ERICK RICARDO TREJO VALDES DAVID ABRAHAM

FECHA DE ENTREGA: 13/ MAYO/2013

PRACTICA 1 CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO INTRODUCCION Hallaremos la corriente de diodo y el voltaje, para los diferentes voltajes de fuente. As mismo elaborar la grfica para obtener la curva caracterstica del diodo. OBJETIVO: Confirmar y elaborar mediante mediciones la curva caracterstica del diodo. ANTECEDENTES:

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad. Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo. Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d;

cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos. Modelos matemticos El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente ) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental). La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna. Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de I s. La regin de ruptura no esta modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal. DESARROLLO ID 29.8 pA 88nA 186 nA 2.9 mA 6.7 mA 10 mA 14.8 mA 19 mA 23.15 mA 27.32 mA 48.29 mA 69.87 mA 90 mA 111 mA 132mA 154 mA 173 mA 196 mA VD .18 .39 .56 .64 .66 .68 .68 .7 .71 .71 .74 .75 .76 .77 .77 .78 .8 .82 .2 .4 .6 .8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 6 7 8 9 10

CONCLUSION

En esta prctica pudimos ver la manera en la que se comporta un diodo aumentando el voltaje de trabajo, as mismo observamos la manera en la que cambia la intensidad en la que trabaja el diodo. Y al obtener los datos y graficarlos, pudimos ver la curva caracterstica de los diodos.

PRACTICA 2 DIVISOR DE TENSION INTRODUCCION En esta prctica se desarrollara un divisor de tensin y se obtendr mediante clculos el voltaje en un resistor del circuito. OBJETIVO: Lograr armar el circuito con la configuracin requerida para esta prctica (divisor de tensin). ANTECEDENTES Un divisor de tensin es una configuracin de circuito elctrico que reparte la tensin de una fuente entre una o ms impedancias conectadas en serie. Supngase que se tiene una fuente de tensin impedancias. Para conocer el voltaje en la impedancia genrica , conectada en serie con n , se utiliza la ley de Ohm:

Sustituyendo la segunda ecuacin en la primera se obtiene que el voltaje en la impedancia genrica sea:

Obsrvese que cuando se calcula la cada de voltaje en cada impedancia y se recorre la malla cerrada, el resultado final es cero, respetndose por tanto la segunda ley de Kirchhoff. Un circuito anlogo al divisor de tensin en el dominio de la corriente es el divisor de corriente. DESARROLLO

VR20Kohms= 150 mV (20k/100k+20k)= 0.025v

CONCLUSIONES: Se diseo un circuito para utilizar un transistor como un divisor de voltaje. El divisor de voltaje se utiliza para poder tomar una fuente de voltaje y dividir el voltaje en dos ramas. La cantidad de valor de voltaje suministrado depender directamente de los valores de las resistencias.

PRACTICA 3 AMPLIFICADOR DE GANANCIA 50 INTRODUCCION: Se elaborara mediante los conocimientos adquiridos en clase un amplificador de tensin con los parmetros requeridos. OBJETIVO: Construir un amplificador de ganancia 50 tanto tericamente como prcticamente. ANTECEDENTES El AMPLIFICADOR tiene como finalidad amplificar la seal de control, para que alcance un nivel suficiente para accionar el elemento final de control, los ms usados suelen ser del tipo: neumtico, elctrico y electrnico, amplificadores de transistores, rels, tiristores y triacs. El ELEMENTO FINAL DE CONTROL, tiene como objetivo modificar la variable de entrada del sistema controlado. Las variables ms utilizadas suelen ser del tipo intensidades de corriente elctrica, cantidad de lquido o vapor, par aplicado a un eje. Se pueden utilizar: serbovalvulas, motores, resistencias. Existen otros elementos que tambin pueden estar presentes en los circuitos de control y que realizan adaptacin de la seal : conversores Analogico/Digital, Digital/Analgico y filtros. En el desarrollo de este tema se van a describir los elementos mas representativos y de mas utilizacin en los circuitos de control, profundizando en los aspectos mas importantes: Amplificadores, conversores A/D , D/A y filtros. AMPLIFICADORES.

Son elementos comn mente utilizados en circuitos de control, ya que usualmente la accin de control, se realiza utilizando seales de error de menor magnitud y de manejo facil y comodo. Existe mucha variedad de amplificadores y aunque se realizara una clasificacin general de todos ellos, se describiran en profundidas los tipos mas representativos de amplificadores con transistores: amplificador en Emisor comun, amplificador de tension , amplificador de potencia y amplificador operacional. <DIV>

CLASIFICACION DE LOS AMPLIFICADORES.

Los amplificadores se pueden clasificar segn las caractersticas de la seal de error que amplifican en: - Amplificadores de continua, - Amplificadores de alterna. Tambin se pueden clasificar dependiendo de los elementos que los componen: - Amplificadore con Reles, - Amplificadores magnticos, - Amplificadores con valvulas termoionicas y los ms utilizados - Amplificadores con transistores.

DESARROLLO DE LA PRCTICA

AMPLIFICADOR DE GANANCIA 50:

Clculos: Ic= 8mA Icq= 4 mA Av= 50

Av= Rc/Re Rc= Av * Re Ic= v/Rc+ RE 8mA= 9/Rc+RE = 9/51Re 51RE= 8mA RE= 9/8mA *51 RE= 22.05 RC= 50 (22.05) = 1.1 K = 240 I= Icq/ = 4mA/240 = 16.6 A VRB = 9-0.7 (22.05 * 4mA) = 8.21 V V= I*R ; R= V/I RB= VRB/ IB = 8.21 / 16.6 A = 494.6 K CONCLUSIONES: Esta prctica fue un poco ms laboriosa que las otras dos anteriores, ya que dependa mucho del transistor y si este no tena una buena beta, ya no serva. Al principio fue un poco difcil armar el circuito debido al valor de las resistencias. Pero despus el problema fue que la seal era muy grande por lo que necesitbamos un divisor de tensin antes del amplificador. Pero al resolver todos los problemas obtuvimos una ganancia muy cercana a la ganancia obtenida en los clculos.